CN107044921A - 用于确定化学元素浓度并控制半导体工艺的热磷酸的自动采样 - Google Patents

用于确定化学元素浓度并控制半导体工艺的热磷酸的自动采样 Download PDF

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Abstract

描述了用于确定化学元素浓度和控制半导体工艺的样品的自动采样系统和方法。一个系统的实施例包括被配置为在第一位置收集磷酸样品的远程采样系统，所述远程采样系统包括远程阀，所述远程阀具有与其耦合的保持环；以及被配置为用于定位在远离所述第一位置的第二位置的分析系统，所述分析系统经由输送管线耦合到远程阀，所述分析系统包括被配置为确定磷酸样品的一个或多个成分浓度的分析设备，并且包括被配置为将样品从保持环引入输送管线以利用分析设备进行分析的第二位置处的样品泵。

Description

用于确定化学元素浓度并控制半导体工艺的热磷酸的自动 采样
相关申请的交叉引用
本申请根据35U.S.C.§119(e)要求享有于2015年12月8日提交的、标题为“AUTOMATIC SAMPLING OF HOT PHOSPHORIC ACID FOR THE DETERMINATION OF CHEMICALELEMENT CONCENTRATIONS AND CONTROL OF SEMICONDUCTOR PROCESSES”的美国临时申请序号No.62/264,740的权益。美国临时申请序号No.62/264,740通过以其全文引用的方式并入本文中。
背景技术
光谱测定法指的是将辐射强度的测量结果作为波长的函数以识别材料的一部分成分。电感耦合等离子体(ICP)光谱测定法是常用于确定液体样品中的微量元素浓度和同位素比的分析技术。例如，在半导体工业中，ICP光谱测定法可以用于确定样品中的金属浓度。ICP光谱测定法采用电磁产生的部分电离的氩等离子体，其达到大约7,000K的温度。当样品被引入等离子体时，高温使得样品原子电离或发光。由于每种化学元素产生特征质谱或发射光谱，测量所发射的质量或光的谱图允许确定原始样品的元素组成。待分析样品经常以样品混合物的方式被提供。
样品引入系统可以用于将液体样品引入ICP光谱测定仪器(例如，电感耦合等离子体质谱仪(ICP/ICP-MS)、电感耦合等离子体原子发射光谱仪(ICP-AES)等)以进行分析。例如，样品引入系统可以从容器中抽取等分的液体样品，并且之后将该等分试样传送到喷雾器，该喷雾器通过ICP光谱测定仪器将该等分试样转换为适合于以等离子体电离的多分散气溶胶。随后在喷雾室中对气溶胶进行分类以去除较大的气溶胶颗粒。在离开喷雾室时，通过ICP-MS或ICP-AES仪器的等离子体炬管组件将气溶胶引入等离子体以进行分析。
发明内容
描述了用于确定化学元素浓度和控制半导体工艺的样品的自动采样系统和方法。一个系统的实施例包括被配置为在第一位置收集磷酸样品的远程采样系统，所述远程采样系统包括远程阀，所述远程阀具有与其耦合的保持环；以及被配置为用于定位在远离所述第一位置的第二位置的分析系统，所述分析系统经由输送管线耦合到远程阀，所述分析系统包括被配置为确定磷酸样品的一个或多个成分浓度的分析设备，并且包括被配置为将样品从保持环引入输送管线以利用分析设备进行分析的第二位置处的样品泵。
提供本发明内容以用简化的形式引入概念的选择，这些概念将在以下的具体实施方式中进一步地描述。本发明内容不旨在识别所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不旨在用于帮助确定所要求保护的主题的范围。
附图说明
参考附图描述了具体实施方式。在附图中，在说明书和附图中的不同实例中使用的相同的附图标记可以指示相似或相同的项。
图1是根据本公开内容的示例性实施方式的用于化学元素浓度的自动分析的远程分析系统的示意图。
图2是根据本公开内容的示例性实施方式的用于热磷酸自动采样以及经由样品的远程稀释来分析磷酸中的化学元素浓度的系统的示意图。
图3A是根据本公开内容的示例性实施方式的具有热护套的受控样品输送管线的示意图。
图3B是根据本公开内容的示例性实施方式的图3A的具有热护套的受控样品输送管线的截面图。
图4是根据本公开内容的示例性实施方式的均都具有热护套的多个受控样品输送管线的示意图。
图5是根据本公开内容的示例性实施方式的经由用于化学元素浓度自动分析的远程分析系统的一个或多个输出的蚀刻系统的控制协议的示意图。
具体实施方式
参考图1-5，描述了用于确定化学元素浓度和控制半导体工艺的样品(例如，热磷酸)的自动采样的系统和方法。对于半导体制造，可以采用某些蚀刻技术以利用精确控制来化学去除半导体晶圆层。例如，对于氮化物半导体晶圆，该氮化物膜可以被精确地蚀刻而不损害其它组件或层。可以通过使用热磷酸(例如，具有从约150℃到约180℃温度的磷酸(H3PO4))的湿蚀刻工艺来促进这种蚀刻，其中蚀刻速率取决于热磷酸中硅的浓度。因此蚀刻工艺的时间控制可以取决于对磷酸中硅量的精确控制。磷酸中太多的硅会大幅减缓或基本终止蚀刻速率，然而磷酸中太少的硅会导致蚀刻速率过快，从而可能损害被制造的设备。进一步地，热磷酸中的硅浓度会随着时间变化，因为蚀刻工艺本身将硅添加到磷酸浴中，由此改变了硅浓度。
因此，本公开内容是针对用于确定化学元素浓度和控制半导体工艺的热磷酸自动采样的系统和方法。在实施方式中，使用热磷酸样品的远程稀释或热磷酸样品的热传输中的一种或多种，该系统和方法包括对热磷酸的采样和分析以用于准确确定金属(例如，硅、钨、铜、钛等)和非金属的浓度。该样品可以从第一位置处的远程采样点传输至在第二位置处的具有ICP或ICP-MS检测器的集中分析器系统，以用于确定化学元素浓度。在实施方式中，该系统包括在传输和利用分析器系统进行分析之前在第一位置稀释样品(例如，热磷酸样品)的泵系统。稀释可以包括从约5倍的稀释至约20倍的稀释。在实施方式中，该稀释因子可以更低(例如，低于5倍的稀释)或更高(例如，高达约100倍的稀释)。进一步地，该系统和方法可以包括化学元素浓度的确定、化学元素浓度数据的报告(例如，经由一个或多个通信协议)，以及基于化学元素浓度数据的半导体工艺条件的自动控制(例如，相对于氮化物蚀刻的热磷酸的反馈响应控制)。
在以下讨论中，提出了用于确定化学元素浓度和控制半导体工艺的热磷酸的自动采样技术的示例性实施方式。
示例性实施方式
一般地参考图1到图5，描述了被配置为分析从第一位置处的远程采样点经过一个或多个距离传输到第二位置处的集中式分析器系统的样品的示例性系统。在实施方式中，样品包括用于包括硅的化学蚀刻工艺(例如，氮化物湿蚀刻)的半导体制造工艺的热磷酸。在这种蚀刻期间，在远程采样位置的采样点处的热磷酸可以超过150℃，例如，热磷酸可以维持在从约150℃到约180℃。高于约165℃的温度会导致氮化硅(例如，Si3N4)的更快的蚀刻或去除，但是会降低对氧化硅(例如，SiO2)和硅的选择性。系统100包括位于第一位置处的分析系统102。系统100还包括位于远离第一位置的第二位置处的一个或多个远程采样系统104。系统100还可以包括位于第三位置、第四位置等等处的一个或多个远程采样系统104，其中第三位置和/或第四位置远离第一位置。在一些实施例中，系统100还可以包括位于第一位置处(例如，靠近分析系统102)的一个或多个采样系统。例如，第一位置处的采样系统可以包括与分析系统102耦合的采样设备132。该一个或多个远程采样系统104可以能够操作用于从第二位置、第三位置、第四位置等接收样品，并且系统100可以能够操作用于将样品从一个或多个远程采样系统104传送到分析系统102以进行分析。例如，该一个或多个远程采样系统104可以包括自动采样器或其它采样设备，其被配置为将样品从采样点引入系统100中，例如通过吸气、泵操作(例如，注射泵、蠕动泵等)等。
远程采样系统104可以被配置为从采样点接收样品112并且制备用于传送和/或分析的样品112。在实施例中，远程采样系统104可以以离分析系统102的各种距离进行设置(例如，在第一位置与第二位置之间为1m、5m、10m、50m、100m、1000m等)。在实施方式中，远程采样系统104可以包括远程采样设备106和样品制备设备108。样品制备设备108还可以包括阀110，例如多口流通阀，以便于将载体流体、稀释液、标准液或其它流体中的一种或多种引入远程采样系统104。在实施方式中，远程采样设备106可以包括被配置为从样品流(例如，液体，例如热磷酸等)中收集样品112的设备，例如与真空源、泵等流体连通的样品探针。远程采样设备106可以包括组件，例如泵、阀、管、传感器等，以便于样品收集操作，例如样品收集的时间、样品收集的量等。
样品制备设备108可以包括被配置为制备从远程采样设备106收集到的样品112的设备，以用于通过引入稀释液、内部标准液、载体、或其它流体、溶液、混合液等中的一种或多种进行分析。在实施方式中，稀释液、载体、标准液、或其它流体、溶液、或混合液可以经由与远离采样点的第一位置(例如，来自分析系统102)相关联的一个或多个泵提供。如此，稀释液、载体、标准液、或其它流体、溶液、或混合液可以保持与第二位置、第三位置、第四位置等分离，直到在相应的采样位置抽取样品，此时与第一位置相关联的泵可以将适当的流体传送到相应的采样位置，以用于制备从相应的采样位置输送到第一位置的样品。例如，如图2中所示，样品112可以从半导体制造工艺收集，例如从热磷酸蚀刻系统50。样品112可以从蚀刻系统50的酸浴52中、从再循环管线54的一部分(例如，再循环管线54的过滤器56的下游)中、或从来自蚀刻系统50的源的组合中收集，其中热磷酸保持在从约150℃到约180℃的温度(例如，保持相对低的粘度以便于蚀刻、传输、过滤等)。在一个实施方式中，热磷酸为浓缩的磷酸(例如，约85％H3PO4)。可以经由在采样位置(例如，第二位置)的热磷酸样品的远程稀释或在采样点与第一位置之间的热磷酸样品的热控制输送中的一种或多种将样品112从远程采样系统104输送到分析系统102以允许磷酸流动。在实施方式中，远程稀释和/或热控制输送促进磷酸样品通过系统100的管、阀等的相对小的流体流动通道的输送。例如，在实施方式中，系统100包括具有从约0.15mm到约2.0mm内径的管、阀口等。
远程稀释
参考图2，在实施方式中示出了系统100，其中，在将样品112从第二位置(例如，靠近蚀刻系统50)输送到第一位置(例如，靠近分析系统102)之前对样品112进行远程稀释。分析系统102包括多个泵(例如，注射泵114、116、118、120)，其将载体、稀释液以及可选地将一个或多个标准尖峰(standard spikes)传送到远程采样系统104的样品制备设备108的阀110。例如，如所示的，分析系统102包括：被配置为向阀110供应载体的载体泵114(例如，经由载体管线115)、被配置为向阀110供应稀释液的稀释液泵116(例如，经由稀释液管线117)、被配置为向阀110供应标准尖峰的标准液泵118(根据需要，经由标准液管线119)，以及被配置为将样品112从蚀刻系统50引入远程采样系统104的样品泵120。替代地，系统100可以经由由蚀刻系统50提供的一个或多个压力(例如，经由诸如磷酸的工作流体的化学再循环流动)或者经由耦合到阀110的远程样品泵121从蚀刻系统50中取样品112，以将样品112从蚀刻系统50拉入远程采样系统104。在实施方式中，在进入阀110中之前，样品112被冷却(例如，经由同中心的循环系统、热电设备等)以控制样品温度。例如，对于热磷酸，在将其引入阀110之前，磷酸的温度被冷却至从约30℃到约100℃的温度。这样的温度可以避免损坏阀系统(例如，含氟聚合物阀系统)，同时防止形成样品凝胶或具有干扰取样过程的高粘度的浓磷酸。
当从蚀刻系统50(例如，经由注射泵120、远程样品泵121、蚀刻系统50压力等)收集到样品112时，样品112可以被引导到阀110中，阀110处于采样配置，其中样品112被引导到保持环122中。阀110可以随后将配置转换为输送配置，其中载体泵114、稀释液泵116和标准液泵118操作用于向阀110提供载体、稀释液和标准液中的一种或多种。当稀释液泵116操作用于经由稀释液管线117向阀110供应稀释液流体时，系统100提供样品112的在线稀释，借此稀释液流体可以与样品在线混合(例如，经由阀110的混合端口、阀110的下游等)。类似地，标准液向样品的引入是经由操作标准液泵118而经由将标准液在线引入阀110处的样品来实现的。在实施方式中，提供到阀110的载体、稀释液和标准液的量是通过分析确定的(例如，经由分析系统102中的控制器)，例如用于提供自动校准或样品112的在线稀释，这可以基于用户输入、基于蚀刻系统50的质量控制参数、或其组合。例如，在实施方式中，系统100自动校准样品矩阵(例如，磷酸矩阵、标准液加入法(MSA)尖峰等)中的分析系统102、或者为准确测量添加内标。
随后将样品112从保持环122输送到输送管线124(其在实施方式中包含经由与输送管线124耦合的阀110的混合端口的稀释液或标准添加剂)中，其中输送管线124耦合在远程采样系统104的阀110与分析系统102之间。例如，在实施方式中，输送管线124耦合在远程采样系统104的阀110与分析系统102(例如，在样品的接收配置中)的本地样品阀126之间，其中可以将过量的流体清除到废料136。本地样品阀126可以是与分析系统102的一个或多个附加泵134(例如，(多个)注射组)流体连通的多位阀，以在阀110与本地样品阀126之间(例如，通过输送管线124)、从本地样品阀126到分析设备128进行流体输送，从而用于冲洗或清洁程序等。本地样品阀126可以从样品接收配置转换为样品传送配置，其中样品被传送到分析设备128。例如，当处于样品传送配置时，载体(经由载体泵112或泵134中的一个或多个供应)将稀释的样品(其还可以包括标准尖峰)传送到分析设备128的ICP分析器的喷雾器。在植入中，标准液泵120将稀释的样品从阀110通过输送管线124推动到本地样品阀126。在实施方式中，向分析设备128的样品传送是通过分析设备128的冲洗程序进行的。
热控输送
参考图3A和3B，根据本公开内容的示例性实施方式，系统100包括热护套300，以便于远程采样系统104与分析系统102之间的温控输送管线124。可以控制样品的温度以促进远程采样系统104与分析系统102之间的输送或使其成为可能。例如，对于热磷酸，在通过输送管线124传送期间，热护套300可以冷却或保持磷酸的温度为从约30℃到约100℃。这样的温度可以避免损坏系统100的阀，同时阻止形成样品凝胶和/或防止高粘度浓磷酸通过输送管线124干扰输送过程。进一步地，通过控制传输管线124中样品的粘度，系统100可以避免经由从阀110提取杂质(例如，当样品流体的粘度过高时)将杂质引入样品112。
在实施方式中，热护套300通过与传输管线124接触而不与其中的样品112接触的再循环流体来促进温度控制。例如，如图3B中所示，热护套300和传输管线124可以在内部区域中与输送管线124形成同心管，并且热护套300围绕输送管线124。流体302(例如，温度调节的再循环流体)可以流过围绕输送管线124的环形区域304，以便于输送管线124内的样品112的温度控制。在实施方式中，热护套300内的流体302是温度为从约50℃到约100℃的水，其可以再循环并被控制以保持准确的温度，以热调节输送管线124内的样品112的温度。在实施方式中，载体管线115、稀释液管线117、或标准液管线119中的一个或多个位于热护套300的环形区域304中。这种构造可以在向远程阀110处的样品112引入载体、稀释液和标准液之前，便于载体、稀释液和标准液的温度控制，这可以提供精确的稀释因子、混合条件等。在实施方式中，载体管线115、稀释液管线117、或标准液管线119中的一个或多个是由独立的护套(其可以任选地是热调节的)而非热护套提供的。
在实施方式中，热护套300经由与输送管线124热接触的导热介质而促进了温度控制。例如，热护套300可以包括与输送管线124接触或与其紧邻的导热材料(例如，陶瓷材料、金属材料、陶瓷和金属的组合等)，以热调节在输送管线124内流动的样品112的温度。热护套300的温度被控制，从而控制在输送管线124内流动的样品112的温度。例如，热护套300可以与再循环流体接触以热调节热护套300，热护套300可以与热电设备耦合以热调节热护套300，或其组合。
在实施方式中，分析系统102包括本地样品环130，本地样品环130耦合到本地样品阀126以用于保持从热调节输送管线124接收到的样品112，这样以便于在通过分析设备128进行分析之前，自动稀释或校准分析系统102处的样品112。进一步地，在实施方式中，分析系统102可以包括采样设备132，其被配置为收集分析系统102本地的样品112。
在实施方式中，分析系统102耦合到多个远程采样系统104。例如，本地样品阀126可以被配置为经由多个热调节输送管线124(例如，输送管线124经由热护套300是热调节的)与多个远程采样阀110流体连通的多位阀。例如，如图4中所示，本地样品阀126位于第一位置(例如，靠近分析系统102)并且经由带有热护套300a的热调节输送管线124a与第二位置处的第一远程样品阀110a耦合，经由带有热护套300b的热调节输送管线124b与第三位置处的第二远程采样阀110b耦合，并且经由带有热护套300c的热调节输送管线124c与第四位置处的第三远程采样阀110c耦合。多个远程采样阀(例如，110a、110b和110c)中的每一个都被配置为从相应的蚀刻系统(50a、50b和50c)接收样品，以提供多个样品而通过分析系统102进行分析。尽管示出了三个样品系统，可以预见的是，可以存在更少的样品系统或更多的样品系统以通过系统100进行分析。如此，系统100可以被配置为保持多个制备好以用于分析的样品，以提供能够从多个远程位置收集的多个样品的高通量系统。
硅制造工艺条件的控制
在实施方式中，通过分析系统102对样品112的分析可能产生用于蚀刻系统50中的一个或多个处理设备的自动控制的数据。参考图5，分析系统102通信地耦合到蚀刻系统50，借此由分析系统102提供的数据可以便于蚀刻系统50中的一个或多个处理设备的自动控制。例如，分析系统102可以经由一个或多个通信协议报告一种或多种元素(例如，硅、钨、铜、钛等)的浓度数据、有机形态、无机形态等，以提供控制信号以自动地操纵蚀刻系统50的控制设备，包括但不限于：用于控制再循环线54中工作流体(例如，磷酸)的再循环速率的再循环泵500(或其中的控制器)、用于控制浴52的温度的加热器502(或其控制器)、用于控制新鲜磷酸被提供到酸浴52所处于的速率的泵504(或其控制器)等等。例如，在实施方式中，从系统100向湿式工作台系统(例如，蚀刻系统50)提供反馈，以自动控制新鲜磷酸的加入，以将酸浴52内的硅浓度稀释到所需的浓度水平(例如，在约50ppm Si内)。进一步地，由于半导体产品的生产速率可以与硅浓度相关联以确定基于酸浴52的硅浓度的峰值生产速率，系统100可以利用浓度数据来控制蚀刻系统50的生产速度。
例如，系统100可以包括计算设备，计算设备包括处理器和存储器。处理器为计算设备提供处理功能并且可以包括任何数量的处理器、微控制器、或其它处理系统，以及用于存储由计算设备存取或生成的数据和其它信息的常驻或外部存储器。处理器可以执行一个或多个软件程序，一个或多个软件程序实施在本文中描述的技术和模块。处理器不受形成其的材料或其中采用的处理机制的限制，并且如此可以经由(多个)半导体和/或晶体管(例如，电子集成电路(IC))等来实现。
存储器是设备可读存储介质的示例，其提供存储功能以存储与计算设备的操作相关联的各种数据，例如以上所提到的软件程序和代码段、或指示处理器和计算设备的其它元件执行本文中所描述的技术的其它数据。尽管以上提到了单个处理器，但还可以采用各种各样的类型和组合的存储器。存储器可以与处理器、独立存储器、或二者的组合成一体。存储器可以包括，例如，可去除和不可去除的存储器元件，例如RAM、ROM、闪速存储器(例如，SD卡、迷你SD卡、微型SD卡)、磁存储器设备、光存储器设备、USB存储器设备等等。在计算设备的实施例中，存储器可以包括可去除的ICC(集成电路卡)存储器，例如由SIM(用户识别模块)卡、USIM(通用用户识别模块)卡、UICC(通用集成电路卡)等提供。
计算设备包括用于向计算设备的用户显示信息的显示器。在实施例中，显示器可以包括CRT(阴极射线管)显示器、LED(发光二极管)显示器、OLED(有机LED)显示器、LCD(液晶二极管)显示器、TFT(薄膜晶体管)LCD显示器、LEP(发光聚合物)或PLED(聚合物发光二极管)显示器等等，显示器被配置为显示文本和/或图形信息，例如图形用户界面。显示器可以经由背光从后方照亮，以使得其可以在黑暗或其它弱光环境中观看。
显示器可以被提供有触摸屏以接收来自用户的输入(例如，数据、命令等)。例如，用户可以通过接触触摸屏和/或通过在触摸屏上执行手势来操作计算设备。在一些实施例中，触摸屏可以是电容式触摸屏、电阻式触摸屏、红外触摸屏、其组合等。计算设备还可以包括一个或多个输入/输出(I/O)设备(例如，键盘、按钮、无线输入设备、拨轮输入设备、轨迹输入设备等等)。I/O设备可以包括一个或多个音频I/O设备，例如麦克风、扬声器等等。
计算设备还可以包括代表通信功能的通信模块，以允许计算设备在不同设备(例如，组件/外围设备)之间和/或在一个或多个网络上发送/接收数据。通信模块可以代表各种通信组件和功能，其包括但不必限于：浏览器；发射器和/或接收器；数据端口；软件接口和驱动器；网络接口；数据处理组件等等。
该一个或多个网络代表可以单独或组合使用的各种不同的通信路径和网络连接，以在系统100和/或蚀刻系统50的组件之间进行通信。因此，该一个或多个网络可以代表使用单个网络或多个网络实现的通信路径。进一步地，该一个或多个网络代表各种不同类型的网络和连接，可以预见的是其包括但不必限于：因特网、内联网、个域网(PAN)、局域网(LAN)(例如，以太网)、广域网(WAN)、卫星网络、蜂窝网络、移动数据网络、有线和/或无线连接等等。
无线网络的示例包括但不必限于：被配置用于根据电气与电子工程师协会(IEEE)的一个或多个标准，例如802.11或802.16(Wi-Max)标准、由Wi-Fi联盟颁布的Wi-Fi标准、由蓝牙特殊兴趣小组颁布的蓝牙标准等的通信的网络。还可以考虑有线通信，例如通过通用串行总线(USB)、以太网、串行连接等等。
计算设备被描述为包括用户界面，其可存储在存储器中并且可由处理器执行。用户界面代表控制经由显示器向计算设备的用户显示信息和数据的功能。在一些实施方式中，显示器可以不被集成到计算设备中，并且替代地可以使用通用串行总线(USB)、以太网、串行连接等从外部连接。用户界面可以提供允许用户经由触摸屏和/或I/O设备提供输入(例如，样品特性、所需的稀释因子、尖峰协议等)而与计算设备的一个或多个应用交互的功能。例如，用户界面可以生成应用编程接口(API)，以向稀释或温度控制模块展示功能，从而将应用配置为由显示器或与另一显示器组合显示。在实施例中，API可以进一步展示配置在线稀释控制模块、蚀刻工艺控制模块、或其组合的功能，以允许用户通过经由触摸屏和/或I/O设备提供输入而与应用交互，以提供用于分析的所需稀释因子。
在线稀释控制模块和/或蚀刻工艺控制模块可以包括可存储在存储器中并由处理器执行的软件，以执行特定操作或操作组而向计算设备提供功能。在线稀释控制模块提供控制例如内标和/或来自远程采样系统104的样品的稀释的功能。例如，在线稀释控制模块可以控制由系统的一个或多个泵供应的载体和/或稀释液的量。蚀刻工艺控制模块提供控制一个或多个工艺条件或蚀刻系统50的设备的功能，例如控制出现在蚀刻系统的工作流体中的一种或多种化学元素的浓度。例如，蚀刻工艺控制模块可以控制热磷酸向酸浴52的泵送速率、控制酸浴52的温度、被提供给酸浴52的新鲜磷酸的泵送速率等等，或在其中提供受控浓度的化学元素(例如，硅)。
在实施方式中，用户界面可以包括浏览器(例如，用于实施本文中所描述的控制模块的功能)。浏览器可以使计算设备能够显示并且与内容(例如万维网内的网页、由专用网络中的网络服务器提供的网页等)进行交互。浏览器可以用各种方式进行配置。例如，浏览器可以配置为由用户界面存取的在线稀释控制模块或蚀刻工艺控制模块。浏览器可以是适合由具有大量存储器和处理器资源的完全资源设备(例如，智能电话、个人数字助理(PDA)等)使用的网页浏览器。
一般地，可以使用软件、固件、硬件(例如，固定逻辑电路)、人工处理、或这些实施方式的组合来实施本文中所描述的任一功能。本文中所使用的术语“模块”和“功能”通常代表软件、固件、硬件、或它们的组合。例如，在系统100中的模块之间的通信可以是有线的、无线的、或它们的一些组合。在软件实施方式的情况下，例如，模块可以代表当在处理器(例如，本文中所描述的处理器)上执行时执行指定任务的可执行指令。程序代码可以存储在一个或多个设备可读存储媒介中，其一个示例为与计算设备相关联的存储器
结论
尽管已经以专用于结构特征和/或过程操作的语言描述了主题，但是应当理解的是，所附权利要求中限定的主题不一定限于上述具体特征或动作。相反地，上述具体的特征和动作被公开为实施权利要求的示例性形式。

Claims (20)

1.一种系统，包括：
被配置为收集在第一位置处的磷酸样品的远程采样系统，所述远程采样系统包括远程阀，所述远程阀具有与其耦合的保持环；以及
被配置为定位在远离所述第一位置的第二位置处的分析系统，所述分析系统经由输送管线耦合到所述远程阀，所述分析系统包括分析设备，所述分析设备被配置为确定所述磷酸样品的一种或多种成分的浓度，并且所述分析系统包括位于所述第二位置处的样品泵，所述样品泵被配置为将所述样品从所述保持环引入到所述输送管线中以通过所述分析设备进行分析。
2.根据权利要求1所述的系统，其中，所述磷酸样品在所述第一位置处具有从约150℃到约180℃的温度。
3.根据权利要求1所述的系统，其中，所述分析系统还包括本地样品阀，所述本地样品阀耦合到所述分析设备并且经由所述输送管线耦合到所述远程阀。
4.根据权利要求1所述的系统，还包括：
围绕所述输送管线的至少一部分的热护套。
5.根据权利要求4所述的系统，其中，所述热护套包括在所述热护套与所述输送管线之间的环形区域中的温度受到调节的流体。
6.根据权利要求1所述的系统，其中，所述分析系统包括以下各项的至少其中之一：载体泵，所述载体泵经由载体流体管线耦合到所述远程阀；稀释液泵，所述稀释液泵经由稀释液流体管线耦合到所述远程阀；或者标准液泵，所述标准液泵经由标准液流体管线耦合到所述远程泵。
7.根据权利要求6所述的系统，还包括：
热护套，所述热护套围绕所述输送管线的至少一部分以及所述载体流体管线、所述稀释液流体管线或所述标准液流体管线的至少其中之一。
8.根据权利要求7所述的系统，其中，所述热护套包括在所述热护套与所述输送管线之间的环形区域中的温度受到调节的流体。
9.根据权利要求7所述的系统，其中，所述载体流体管线、所述稀释液流体管线或所述标准液流体管线的所述至少其中之一位于所述热护套与所述输送管线之间的环形区域中。
10.根据权利要求1所述的系统，还包括通信耦合部，所述通信耦合部被配置为在所述分析系统与以下各项中的一个或多个之间提供控制信号：位于所述第一位置处的磷酸蚀刻系统的加热器；被配置为使所述磷酸蚀刻系统的磷酸再循环的再循环泵；或者被配置为将新鲜的磷酸引入到所述磷酸蚀刻系统的泵。
11.根据权利要求10所述的系统，其中，所述控制信号基于由所述分析系统确定的所述磷酸样品的一种或多种成分的所述浓度。
12.根据权利要求10所述的系统，其中，所述控制信号被配置为将所述磷酸蚀刻系统中的硅浓度维持在约50ppm。
13.一种方法，包括：
利用远程采样系统接收在第一位置处的磷酸样品；
经由位于远离所述第一位置的第二位置处的泵或位于所述第一位置处的本地样品泵的操作，将所述磷酸样品引入到所述远程采样系统的保持环中；
将载体流体、稀释液流体或标准液流体的至少其中之一引入到所述远程采样系统处的所述磷酸样品；
经由位于所述第二位置处的第二泵的操作，将所述磷酸样品从所述远程采样系统通过输送管线输送到所述第二位置；以及
经由所述第二位置处的分析设备来确定所述磷酸样品中的化学元素的浓度。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述磷酸样品在所述第一位置处具有从约150℃到约180℃的温度。
15.根据权利要求13所述的方法，还包括：
经由位于所述第二位置处的所述第二泵的操作，在将所述磷酸样品从所述远程采样系统通过所述输送管线输送到所述第二位置的步骤期间，控制所述磷酸样品的温度。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，控制所述磷酸样品的温度包括通过所述输送管线从所述远程采样系统输送所述磷酸样品，其中，所述输送管线同心地位于热护套内。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，载体流体管线、稀释液流体管线或标准液流体管线的至少其中之一位于所述输送管线与所述热护套之间的区域中。
18.根据权利要求15所述的方法，其中，在输送所述磷酸样品的步骤期间控制所述磷酸样品的温度包括以下各项的至少其中之一：将所述磷酸样品冷却到从约30℃到约100℃的温度，或者将所述磷酸样品维持在从约30℃到约100℃的温度。
19.根据权利要求13所述的方法，还包括：
向以下各项中的一个或多个提供控制信号：位于所述第一位置处的磷酸蚀刻系统的加热器；被配置为使所述磷酸蚀刻系统的磷酸再循环的再循环泵；或者被配置为将新鲜的磷酸引入到所述磷酸蚀刻系统的泵，所述控制信号基于经由所述第二位置处的所述分析设备所确定的所述磷酸样品中的所述化学元素的所述浓度。
20.根据权利要求19所述的方法，其中，所述控制信号被配置为将所述磷酸蚀刻系统中的硅浓度维持在约50ppm。
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