JP2017099140A - 電力変換装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】並列動作する2個の半導体モジュールとコンデンサが並列に接続されている電力変換装置に関し、コンデンサと夫々の半導体モジュールの間のインダクタンスを等しくする。【解決手段】2個のスイッチング素子の直列接続の正極端子21a(21b)と負極端子22a(22b)が半導体モジュール8a(8b)の本体9から延びている。2個の半導体モジュール8a、8bは並んで配置されている。正極端子21a、21bは互いに近づくように湾曲しているとともに、2個の半導体モジュールの夫々の本体9から等距離の位置で接合している。負極端子22a、22bも互いに近づくように湾曲しているとともに、夫々の本体9から等距離の位置で接合している、コンデンサと正極端子21a、21b(負極端子22a、22b)を接続する正極バスバ32(負極バスバ33)は、正極端子21a、21b(負極端子22a、22b)同士の接合箇所に接続している。【選択図】図4
Description
本発明は、電力変換装置に関する。特に、2個のスイッチング素子の直列接続を収容した2個の半導体モジュールを備える電力変換装置に関する。
インバータや双方向DC−DCコンバータなどの電力変換装置は、2個のスイッチング素子の直列接続の組を複数用いることが多い。それゆえ、2個のスイッチング素子を収容した半導体モジュールがそのような電力変換装置に用いられる(例えば特許文献1)。各半導体モジュールの本体から、直列接続の高電位側端子と低電位側端子と中点端子が延びている。複数の半導体モジュールの高電位側端子が正極バスバによってコンデンサの一方の電極に接続され、低電位側端子が負極バスバによってコンデンサの他方の電力に接続される。コンデンサは、直列接続に流れる電流を平滑化するために接続される。バスバとは、低損失で電力を伝える金属板または金属棒である。
低損失であるとはいえ、バスバはインダクタンス(寄生インダクタンス)を有する。特許文献1では、バスバのインダクタンスを低減するため、平板状の正極バスバと負極バスバを対向させる。一方のバスバを流れる電流に起因して他方のバスバに磁界が発生し、その磁界が一方のバスバの磁界を減殺することで、インダクタンスが低減される。
ところで、スイッチング素子の負荷を軽減するために、2組の直列接続を並列に接続し、一方の直列接続のスイッチング素子と他方の直列接続の対応するスイッチング素子を同期させて同じ動作を行わせる場合がある。2組の直列接続はあたかも一つの直列接続のように機能する。電力を2組の直列接続で分担するので各スイッチング素子の負荷が軽減される。以下では、同期して同じ動作を行うことを並列動作と称する。先に述べた半導体モジュールを並列動作に用いる場合、2個の半導体モジュールの高電位側端子の夫々とコンデンサの一方の電極が正極バスバで接続され、低電位側端子の夫々とコンデンサの他方の電極が負極バスバで接続される。このとき、コンデンサから夫々の直列接続のスイッチング素子までの間のインダクタンスが異なると、ゲート発振と呼ばれる現象が生じ得る。コンデンサと夫々の半導体モジュール内のスイッチング素子までのハードウエア上の電流経路のわずかな相違がゲート発振の一因となり得る。本明細書は、2個の半導体モジュールとコンデンサが並列に接続されている電力変換装置に関し、夫々の半導体モジュール内部のスイッチング素子とコンデンサの間のインダクタンスの差を抑える技術を提供する。
本明細書が開示する電力変換装置は、2個の半導体モジュールとコンデンサと正極バスバと負極バスバを備えている。各半導体モジュールは、2個のスイッチング素子の直列接続をその本体に収容している。直列接続の高電位側端子と低電位側端子と中点端子が本体から延びている。正極バスバは、コンデンサの一方の電極と半導体モジュールの高電位側端子を接続する。負極バスバは、コンデンサの他方の電極と半導体モジュールの低電位側端子を接続する。2個の半導体モジュールは並んで配置されている。2個の半導体モジュールの夫々の高電位側端子は、互いに近づくように湾曲しているとともに、2個の半導体モジュールの夫々の本体から等距離の位置で接合している。2個の半導体モジュールの夫々の低電位側端子も、互いに近づくように湾曲しており、2個の半導体モジュールの夫々の本体から等距離の位置で接合している。そして、正極バスバは高電位側端子同士の接合箇所に接続しており、負極バスバは低電位側端子同士の接合箇所に接続している。この電力変換装置は、高電位側端子と正極バスバとの接合箇所から夫々の半導体モジュールの本体までの電流経路がほぼ同じ長さとなり、低電位側端子と負極バスバとの接合箇所から夫々の半導体モジュールの本体までの電流経路もほぼ同じ長さとなる。それゆえ、コンデンサから各半導体モジュール内部のスイッチング素子までの間のインダクタンスがほぼ同じとなり、ゲート発振が生じ難くなる。本明細書が開示する技術の詳細とさらなる改良は以下の「発明を実施するための形態」にて説明する。
図面を参照して実施例の電力変換装置を説明する。実施例の電力変換装置は、電気自動車に搭載されており、バッテリの電力を走行用モータの駆動電力に変換するデバイスである。図1に、電力変換装置2を含む電気自動車100の電力系のブロック図を示す。電気自動車100は、2個の走行用モータ83a、83bを備える。それゆえ、電力変換装置2は、2組のインバータ回路13a、13bを備える。なお、2個のモータ83a、83bの出力は、動力分配機構85で合成/分配されて車軸86(即ち駆動輪)へと伝達される。
電力変換装置2は、システムメインリレー82を介してバッテリ81と接続されている。電力変換装置2は、バッテリ81の電圧を昇圧する電圧コンバータ回路12と、昇圧後の直流電力を交流電力に変換する2組のインバータ回路13a、13bを備えている。
電圧コンバータ回路12は、一方の端子に印加された電圧を昇圧して他方の端子に出力する昇圧動作と、他方の端子に印加された電圧を降圧して一方の端子に出力する降圧動作の双方を行うことが可能ないわゆる双方向DC−DCコンバータである。説明の便宜上、以下では、低電圧側の端子を入力端14と称し、高電圧側の端子を出力端15と称する。また、入力端14の正極と負極を夫々、入力正極端14aと入力負極端14bと称する。出力端15の正極と負極を夫々、出力正極端15aと出力負極端15bと称する。「入力端14」、「出力端15」との表記は説明の便宜を図るためのものであり、先に述べたように、電圧コンバータ回路12は双方向DC−DCコンバータであるので、出力端15から入力端14へ電力が流れる場合がある。
電圧コンバータ回路12は、4個のトランジスタ6a、6b、7a、7b、リアクトル4、フィルタコンデンサ3、各トランジスタに逆並列に接続されているダイオードで構成されている。2個のトランジスタ6a、7aは直列に接続されており、残りの2個のトランジスタ6b、7bも直列に接続されている。以下では、2個のトランジスタが直列に接続された回路を単純に直列接続と称する場合がある。また、以下では、直列接続の高電位側に位置するトランジスタ6a、6bを上アームトランジスタと称し、低電位側に位置するトランジスタ7a、7bを下アームトランジスタと称することがある。
2組の直列接続は並列に接続されている。2組の直列接続の高電位側Pa、Pbは出力正極端15aに接続されており、低電位側Na、Nbは出力負極端15bに接続されている。リアクトル4は、一端が入力正極端14aに接続されており、他端は、2組の直列接続のそれぞれの中点Qa、Qbに接続されている。フィルタコンデンサ3は、入力正極端14aと入力負極端14bの間に接続されている。入力負極端14bは、出力負極端15bと直接に接続されている。
4個のトランジスタ6a、6b、7a、7bは、後述する回路基板に実装された駆動回路で駆動される。上アームトランジスタ6a、6bは、同じタイミングでオンとオフが切り換えられる。下アームトランジスタ7a、7bも、同じタイミングでオンとオフが切り換えられる。即ち、2個の上アームトランジスタ6a、6bは同じタイミングで同じ動作をするように駆動され、2個の下アームトランジスタ7a、7bも同じタイミングで同じ動作をするように駆動される。以下では、同じタイミングで同じ動作をすることを並列動作と称する。並列に接続された2組の直列接続を並列動作させることで、2組の直列接続はあたかも一つの直列接続のように動作する。
先に述べたように、電圧コンバータ回路12は、昇圧動作と降圧動作の双方を行うことができる。電圧コンバータ回路12の昇圧動作とは、バッテリ81の電圧を昇圧してインバータ回路13a、13bへ供給する動作である。電圧コンバータ回路12の降圧動作とは、インバータ回路13a、13bから入力される直流電力(モータ83a又は83bが発生する回生電力)を降圧する動作である。なお、降圧された回生電力はバッテリ81の充電に使われる。下アームトランジスタ7a、7bが昇圧動作に関与し、上アームトランジスタ6a、6bが降圧動作に関与する。
図1において、符号8aが示す破線矩形の範囲の回路が、後述する半導体モジュール8aに対応する。符号8bが示す破線矩形の範囲の回路が、後述する半導体モジュール8bに対応する。半導体モジュールは、2個のトランジスタの直列接続と、各トランジスタに逆並列に接続されているダイオードを収容したデバイスである。半導体モジュール8aは、2個のトランジスタ6a、7aの直列接続と、各トランジスタに逆並列に接続されたダイオードを収容している。半導体モジュール8bは、2個のトランジスタ6b、7bの直列接続と、各トランジスタに逆並列に接続されたダイオードを収容している。半導体モジュールについては後述する。
インバータ回路13a、13bについて概説する。なお、図1では、インバータ回路13a、13bの具体的な回路構成の図示は省略しており、半導体モジュール8c−8h(後述)を破線矩形で模式的に表すだけにとどめている。半導体モジュール8c−8hの夫々は、半導体モジュール8a、8bと同じく、2個のトランジスタの直列接続と、各トランジスタに逆並列に接続されたダイオードを収容している。
インバータ回路13aは、2個のトランジスタの直列接続を3組備えている。各トランジスタにはダイオードが逆並列に接続されている。半導体モジュール8c、8d、8eが3組の直列接続に対応する。3個の半導体モジュール8c−8eは並列に接続されている。3個の半導体モジュール8c−8eの高電位側と低電位側は、夫々、電圧コンバータ回路12の出力正極端15aと出力負極端15bに接続されている。夫々の半導体モジュールの中点端子から交流が出力される。
インバータ回路13bはインバータ回路13aと同じ構成を備えている。即ちインバータ回路13bは、3個の半導体モジュール8f、8g、8hを備えており、夫々の中点端子から交流が出力される。インバータ回路13aの交流出力はモータ83aに供給され、インバータ回路13bの交流出力はモータ83bに供給される。
出力正極端15aと出力負極端15bの間には、平滑コンデンサ5が接続されている。平滑コンデンサ5は、全ての半導体モジュール8a−8hと並列に接続されている。即ち、平滑コンデンサ5は、全ての直列接続と並列に接続されている。別言すれば、電力変換装置2が備える8個の半導体モジュール8a−8hは、それらの高電位側が互いに接続されるとともに平滑コンデンサ5の一方の電極と接続され、低電位側も互いに接続されるとともに平滑コンデンサ5の他方の電極に接続される。平滑コンデンサ5は、電圧コンバータ回路12からインバータ回路13a、13bに供給される電流を平滑化するために備えられている。
電圧コンバータ回路12の説明を補足する。先に述べたように、上アームトランジスタ6a、6bは同じタイミングでオンとオフが切り換えられる。すなわち、2個の上アームトランジスタ6a、6bのゲートには同じタイミングのパルス信号(PWM信号)が加えられる。このとき、ゲートエミッタ間の電圧が、2つの上アームトランジスタ6a、6bの間で異なるとゲート発振と呼ばれる現象が生じる。先に述べたように、図1の破線8a、8bは半導体モジュールを表す。そして、半導体モジュール内の電流経路は極めて短くインダクタンスが小さい。一方、半導体モジュールとコンデンサの間はバスバと呼ばれる細長金属板で接続される。バスバのインダクタンスは、半導体モジュール内の電流経路のインダクタンスと比較すると大きい。2組の直列接続とコンデンサが並列に接続された回路では、コンデンサと夫々の直列接続との間のインダクタンスに差があるとゲート発振が生じ易くなる。例えば、コンデンサと導通している一つのバスバから2本の枝が延びており、一方の枝が一方の直列接続と接続され、他方の枝が他方の直列接続と接続される態様では、コンデンサと夫々の直列接続との間のインダクタンスに差が生じる場合がある。バスバの枝が異なると、枝の長さの僅かな相違や、枝の位置における環境の相違に応じてから枝のインダクタンスが相違することがあるからである。すなわち、図1において、トランジスタ6a、7aの直列接続の高電位側Paと、トランジスタ6b、7bの直列接続の高電位側Pbの間(図中のD1が示す区間)のインダクタンスにより、ゲート発振が起こる可能性がある。同様に、トランジスタ6a、7aの直列接続の低電位側Naと、トランジスタ6b、7bの直列接続の低電位側Nbの間(図中のD2が示す区間)のインダクタンスにより、ゲート発振が起こる可能性がある。実施例の電力変換装置2は、PaとPbの間のインダクタンス、及び、NaとNbの間のインダクタンスが小さくなるようにハードウエアを工夫している。
まず、半導体モジュールの構造を説明する。先に述べたように、電力変換装置2は、8個の半導体モジュール8a−8hを備える。インバータ回路13a、13bに用いられる半導体モジュール8c−8hは同じ構造を有している。電圧コンバータ回路12に用いられる半導体モジュール8a、8bは、パワー端子の構造を除いて、半導体モジュール8c−8hと同じ構造を有している。
インバータ回路13a、13bに用いられる半導体モジュール8c−8hを代表して半導体モジュール8cを説明する。図2に、半導体モジュール8cの斜視図を示す。なお、説明の都合上、図中の座標系のZ軸の正方向を「上」と称し、負方向を「下」と称する。「上」、「下」の定義は、以降の図でも同様とする。
半導体モジュール8cは、その本体9の内部に、2個のトランジスタと、2個のダイオードを収容している。本体9は樹脂で作られており、より正確には、本体9は、2個のトランジスタと、2個のダイオードを封止している。本体9の内部で2個のトランジスタは直列に接続されており、各トランジスタにダイオードが逆並列に接続されている。2個のトランジスタと2個のダイオードが、図1における破線8cで囲まれた範囲の回路に相当する。
本体9の上面9aに3個のパワー端子(正極端子21c、負極端子22c、中点端子23c)が延びている。正極端子21cは、本体9の内部のトランジスタの直列接続の高電位側と導通しており、負極端子22cは、直列接続の低電位側と導通している。中点端子23cは、直列接続の中点と導通している。即ち、正極端子21c、負極端子22c、中点端子23cは、それぞれ、本体9の内部の直列接続の高電位側端子、低電位側端子、中点端子に相当する。本体9の下面9bからは、制御端子29が延びている。制御端子29は、各トランジスタのゲート電極に導通しているピン、チップ内の温度センサと導通しているピン、トランジスタ内を流れる電流を計測するためのセンスエミッタと導通しているピンなどを含む。半導体モジュール8cは扁平であり、その幅広面9cに放熱板24が露出している。幅広面9cの反対側にも放熱板が露出している。半導体モジュール8d−8hは、半導体モジュール8cと同じ構造を有しているので説明は省略する。
図3に電圧コンバータ回路12に用いられる半導体モジュール8a、8bの斜視図を示す。図4に、互いの端子同士を接続した半導体モジュール8a、8bを示す。半導体モジュール8aは、図1のトランジスタ6a、7aと、各トランジスタに逆並列に接続されているダイオードを収容している。トランジスタ6a、7aは本体9の内部で直列に接続されている。トランジスタ6a、7aの直列接続の高電位側は正極端子21aと導通しており、低電位側は負極端子22aと導通しており、直列接続の中点は中点端子23aと導通している。半導体モジュール8bは、図1のトランジスタ6b、7bと、各トランジスタに逆並列に接続されているダイオードを収容している。トランジスタ6b、7bは本体9の内部で直列に接続されている。トランジスタ6b、7bの直列接続の高電位側は正極端子21bと導通しており、低電位側は負極端子22bと導通しており、直列接続の中点は中点端子23bと導通している。
半導体モジュール8a、8bは、正極端子21a、21b、負極端子22a、22bの形状が半導体モジュール8cと異なる。図3、図4において、正極端子21a、21b、負極端子22a、22b以外の部位については説明を省略する。
後述するように、半導体モジュール8a−8hは、複数の冷却器と積層される。複数の半導体モジュール8a−8hと複数の冷却器は、それぞれの幅広面9cが冷却器と接するように、一つずつ交互に積層される。図4は冷却器と積層されたときの半導体モジュール8a、8bの位置関係を示している。ただし、図4では冷却器は図示していない。図4には、正極バスバ32、負極バスバ33一部も描かれている。正極バスバ32は、複数の半導体モジュール8a−8hの正極端子と平滑コンデンサ5の一方の電極を接続するバスバである。負極バスバ33は、複数の半導体モジュール8a−8hの負極端子と平滑コンデンサ5の他方の電極を接続するバスバである。正極バスバ32、負極バスバ33については後述する。
図5は、図中の座標系のXZ平面と平行であって正極端子21a、21bを通る平面で半導体モジュール8a、8bをカットした断面図である。2個の半導体モジュール8a、8bの正極端子21a、21bは、互いに近づくように湾曲しており、2個の半導体モジュール8a、8bの夫々の本体9から等距離の位置で接合している。図5の破線CLが、2個の半導体モジュール8a、8bの夫々の本体9から等距離の線を示している。半導体モジュール8aの本体9から破線CLまでの距離Waと、半導体モジュール8bの本体9から破線CLまでの距離Wbは等しい。また、正極バスバ32が、正極端子21a、21b同士の接合箇所に接続している。正極端子21a、21bと正極バスバ32は、溶接により接合している。正極端子21aは、半導体モジュール8aの本体9の内部で上アームトランジスタに相当するトランジスタチップ19aのコレクタ電極に接続している。正極端子21bは、半導体モジュール8bの本体9の内部で上アームトランジスタに相当するトランジスタチップ19bのコレクタ電極に接続している。トランジスタチップ19aは図1のトランジスタ6aに対応し、トランジスタチップ19bは図1のトランジスタ6bに対応する。
負極端子22a、22bと負極バスバ33の関係は、正極端子21a、21bと正極バスバ32との関係と同じである。即ち、2個の半導体モジュール8a、8bの夫々の負極端子22a、22bは、互いに近づくように湾曲しているとともに、2個の半導体モジュール8a、8bの夫々の本体9から等距離の位置で接合している。そして、負極バスバ33は、負極端子22a、22b同士の接合箇所に接続している。負極端子22a、22bと負極バスバ33は溶接により接合している。負極端子22aは、半導体モジュール8aの本体9の内部で下アームトランジスタ(図1のトランジスタ7a)に相当するトランジスタチップのエミッタ電極に接続している。負極端子22bは、半導体モジュール8bの本体9の内部で下アームトランジスタ(図1のトランジスタ7b)に相当するトランジスタチップのエミッタ電極に接続している。なお、上アームトランジスタに相当するトランジスタチップのコレクタ電極は、2個のトランジスタチップの直列接続の高電位側に相当する。下アームトランジスタに相当するトランジスタチップのエミッタ電極は、直列接続の低電位側に相当する。上アームトランジスタに相当するトランジスタチップのエミッタ電極と下アームトランジスタに相当するトランジスタチップのコレクタ電極は接続しており、その接続点が直列接続の中点に相当する。
図5に示されているように、正極バスバ32から夫々の半導体モジュール8a、8bの中のトランジスタチップ19a、19bまでの導電距離(電流経路の長さ)は等しくなる。同様に、負極バスバ33から夫々の半導体モジュール8a、8bの中のトランジスタチップまでの導電距離も等しくなる。後述するように、正極バスバ32は平滑コンデンサ5に相当するコンデンサ素子(後述するコンデンサ素子105a)の一方の電極に接続しており、負極バスバ33はコンデンサ素子105aの他方の電極に接続している。平滑コンデンサから2個の半導体モジュール8a、8bの夫々の直列接続までの導電距離が等しくなる。それゆえ、平滑コンデンサから2個の半導体モジュール8a、8bの夫々の直列接続までの電流経路におけるインダクタンスはほぼ等しくなる。即ち、図1における区間D1、D2のインダクタンスがほぼゼロとなる。
図6と図7を参照して、電力変換装置2のケース内の部品レイアウトと接続関係を説明する、図6は、電圧変換装置のケース内の平面図である(カバーを外した状態)。図7は、図6のVII−VII線に沿った断面図である。ケース90の中には、フィルタコンデンサユニット103、リアクトルユニット104、積層ユニット30、平滑コンデンサユニット105、回路基板50などが収容されている。図6では回路基板の図示は省略している。
フィルタコンデンサユニット103の中に、図1で示したフィルタコンデンサ3に相当するコンデンサ素子が収容されている。リアクトルユニット104の中に、図1で示したリアクトル4に相当するリアクトル素子が収容されている。平滑コンデンサユニット105の中に、図1で説明した平滑コンデンサ5に相当するコンデンサ素子105a(図7参照)が収容されている。フィルタコンデンサ3、平滑コンデンサ5、リアクトル4には大電流が流れるため、それらに対応するハードウエアは体格が大きい。
平滑コンデンサユニット105に隣接して積層ユニット30が配置されている。積層ユニット30は、複数の冷却器31と複数の半導体モジュール8a−8hが積層されたユニットである。図6では右端の冷却器だけに符号31を付しており、残りの冷却器の符号は省略している。また、図6では、左側の半導体モジュール8a、8bと、右端の半導体モジュール8hにのみ、正極端子、負極端子、中点端子を示す符号21a(21b、21h)、22a(22b、22h)、23a(23b、23h)を付しており、他の半導体モジュールにはそれらの符号を省略した。なお、正極端子、負極端子、中点端子を示す符号の英字には、その端子を有する半導体モジュールの符号の英字を対応させている。
積層ユニット30では、複数の冷却器31が平行に配置されており、隣り合う冷却器31の間に半導体モジュール8a−8hの夫々が挟まれている。半導体モジュール8a−8hの構造は先に説明した通りであり、その本体には2個のトランジスタの直列接続が収容されている。
積層ユニット30は、ケース90に設けられた支持壁89と、2本の支持柱87の間に挿入されている。図示を省略しているが、支持柱87と積層ユニット30の間には板バネが挿入されており、その板バネにより、積層ユニット30は半導体モジュールと冷却器の積層方向に加圧されつつ、ケース90に支持されている。積層方向の加圧によって半導体モジュール8a−8hの夫々と冷却器31の密着性が高まり、冷却性能が向上する。また、積層ユニット30の一端には冷媒供給管91と冷媒排出管92が接続されており、それらの管はケース90を貫通している。冷媒供給管91から供給された冷媒は全ての冷却器31に分配される。冷媒は各冷却器31の内部を通過する間に隣接する半導体モジュール8a−8hから熱を吸収する。冷却器31を通過した冷媒は、冷媒排出管92を通じて電力変換装置2の外へと排出される。半導体モジュール8a−8hは平板型(カード型)であり、それぞれの幅広面9c(図2、図3参照)が冷却器31に接している。先に示したように、半導体モジュール8a−8hの幅広面9cには、放熱板24が露出しており、その放熱板24が冷却器31に接する。また、積層方向の加圧により、放熱板24と冷却器31が密着する。これらの構造的特徴により、半導体モジュール8a−8hが効率よく冷却される。
図1の回路図を参照して説明したように、全ての半導体モジュール8a−8hの高電位側(正極端子21a−21h)が互いに接続される。同様に、全ての半導体モジュール8a−8hの低電位側(負極端子22a−22h)が互いに接続される。そして、半導体モジュール8a−8hの高電位側(正極端子21a−21h)と低電位側(負極端子22a−22h)の間に平滑コンデンサ5(平滑コンデンサユニット105)が並列に接続される。図6、図7に示されているように、全ての半導体モジュール8a−8hの正極端子21a−21hは、正極バスバ32によって相互に接続されるとともに、平滑コンデンサユニット105の一方の電極に接続される。全ての半導体モジュール8a−8hの負極端子22a−22hは負極バスバ33によって相互に接続されるとともに、平滑コンデンサユニット105の他方の電極に接続される。図2−図5を参照して説明したように、半導体モジュール8a、8bの正極端子21a、21bは、他の半導体モジュール8c−8hの正極端子21c―21hと形状が異なっている。同様に、半導体モジュール8a、8bの負極端子22a、22bは、他の半導体モジュール8c−8hの負極端子22c―22hと形状が異なっている。
半導体モジュール8c−8hはインバータ回路に用いられ、それらの中点端子23c−23hから交流が出力される。半導体モジュール8c−8hの中点端子23c−23hは、別のバスバを介して電力変換装置2の出力端子93に接続される。
前述したように、半導体モジュール8a、8bは並列に接続され、電圧コンバータ回路で用いられる。半導体モジュール8a、8bの正極端子21a、21bは正極バスバ32によって平滑コンデンサユニット105に接続され、負極端子22a、22bはバスバ42によって平滑コンデンサユニットと105に接続されている。図7に示されているように、コンデンサ素子105aの上面に一方の電極が位置しており、正極バスバ32は、平滑コンデンサユニット105の内部でその電極に接続している。また、コンデンサ素子105aの下面に他方の電極が位置しており、負極バスバ33は、平滑コンデンサユニット105の内部でその電極に接続している。
半導体モジュール8a、8bの中点端子23a、23bは、バスバ34によってリアクトルユニット104の一方の端子に接続される。こうして、半導体モジュール8a、8bの正極端子21a、21b同士、負極端子22a、22b同士、中点端子23a、23b同士が接続される。リアクトルユニット104の他方の端子は、電力変換装置2の入力端子94の正極に接続される。入力端子94の正極(バスバ35)と負極の間にフィルタコンデンサユニット103が接続される。なお、図6では、一部のバスバ(例えばフィルタコンデンサユニット103と平滑コンデンサユニット105を接続するバスバ)は図示を省略している。
図7に示されているように、回路基板50は、半導体モジュール8aの下面9bに対向するように、積層ユニット30に隣接して配置されている。回路基板50には、半導体モジュール8aの制御端子29が接続されている。なお、全ての半導体モジュール8a−8hの制御端子29が回路基板50に接続されている。回路基板50には、半導体モジュール8a−8hのそれぞれに収容されているトランジスタ(トランジスタチップ)を駆動する駆動回路が実装されている。なお、先に述べたように、半導体モジュール8a、8bの上アームに相当するトランジスタは同じタイミングでオンとオフが切り換えられる。同様に、半導体モジュール8a、8bの下アームに相当するトランジスタは、同じタイミングでオンとオフが切り換えられる。従って回路基板50には、半導体モジュール8a、8bの夫々の上アームトランジスタに同じ駆動信号を供給する駆動回路、及び、夫々の下アームトランジスタに同じ駆動信号を供給する駆動回路が実装されている。
本実施例の電力変換装置2の特徴をまとめると以下の通りである。電力変換装置2では、2個のトランジスタ6a、7a(6b、7b)の直列接続を収容した2個の半導体モジュール8a、8bが並列に動作する。夫々の半導体モジュールの本体9から、直列接続の高電位側端子(正極端子21a、21b)と低電位側端子(負極端子22a、22b)が延びている。2個の半導体モジュールは並んで配置されている。2個の半導体モジュール8a、8bの夫々の正極端子21a、21bは、互いに近づくように湾曲しているとともに、2個の半導体モジュール8a、8bの夫々の本体9から等距離の位置で接合している。コンデンサの一方の電極に接続している正極バスバ32が、正極端子21a、21bの接合箇所に接続している。2個の半導体モジュール8a、8bの夫々の負極端子22a、22bは、互いに近づくように湾曲しているとともに、2個の半導体モジュール8a、8bの夫々の本体9から等距離の位置で接合している。コンデンサの他方の電極に接続している負極バスバ33が、負極端子22a、22bの接合箇所に接続している。上記の特徴により、コンデンサからそれぞれの半導体モジュール内の直列接続までの間の電流経路の距離がほぼ同じ長さとなり、コンデンサとそれぞれの直列接続の間のインダクタンスに差がなくなる。なお、回路基板50には、電圧コンバータ回路12に用いられる一方の半導体モジュール8aのトランジスタと他方の半導体モジュール8bのトランジスタに同一の駆動信号を供給する制御回路が実装されており、その回路基板50により、2個の半導体モジュール8a、8bのトランジスタは並列に動作する。
実施例で説明した技術に関する留意点を述べる。実施例のトランジスタ6a、6b、7a、7bが請求項の「スイッチング素子」の一例に相当する。実施例の正極端子21a、21bが請求項の「高電位側端子」の一例に相当し、負極端子22a、22bが請求項の「低電位側端子」の一例に相当する。
実施例では、電圧コンバータにおいて2組の直列接続(2個の半導体モジュール8a、8b)を並列動作させる。本明細書が開示する技術は、インバータ回路の一つの交流出力用の直列接続を2個の半導体モジュールの並列接続で実現した電力変換装置に適用することもできる。その場合、インバータ回路にて並列動作させる2個の半導体モジュールを、実施例の半導体モジュール8a、8bのように構成すればよい。
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
2:電力変換装置
3:フィルタコンデンサ
4:リアクトル
5:平滑コンデンサ
6a、6b、7a、7b:トランジスタ
8a−8h:半導体モジュール
9:本体
12:電圧コンバータ回路
13a、13b:インバータ回路
19a、19b:トランジスタチップ
21a−21h:正極端子
22a−22h:負極端子
23a−23h:中点端子
29:制御端子
30:積層ユニット
31:冷却器
32:正極バスバ
33:負極バスバ
34、35、42:バスバ
50:回路基板
100:電気自動車
103:フィルタコンデンサユニット
104:リアクトルユニット
105:平滑コンデンサユニット
105a:コンデンサ素子
3:フィルタコンデンサ
4:リアクトル
5:平滑コンデンサ
6a、6b、7a、7b:トランジスタ
8a−8h:半導体モジュール
9:本体
12:電圧コンバータ回路
13a、13b:インバータ回路
19a、19b:トランジスタチップ
21a−21h:正極端子
22a−22h:負極端子
23a−23h:中点端子
29:制御端子
30:積層ユニット
31:冷却器
32:正極バスバ
33:負極バスバ
34、35、42:バスバ
50:回路基板
100:電気自動車
103:フィルタコンデンサユニット
104:リアクトルユニット
105:平滑コンデンサユニット
105a:コンデンサ素子
Claims (1)
- 2個のスイッチング素子の直列接続を本体に収容しており、前記直列接続の高電位側端子と低電位側端子と中点端子が前記本体から延びている2個の半導体モジュールと、
コンデンサと、
前記コンデンサの一方の電極と2個の前記半導体モジュールの高電位側端子を接続する正極バスバと、
前記コンデンサの他方の電極と2個の前記半導体モジュールの低電位側端子を接続する負極バスバと、
を備えており、
2個の前記半導体モジュールは並んで配置されており、
2個の前記半導体モジュールの夫々の前記高電位側端子は、互いに近づくように湾曲しているとともに、2個の前記半導体モジュールの夫々の前記本体から等距離の位置で接合しており、
2個の前記半導体モジュールの夫々の前記低電位側端子は、互いに近づくように湾曲しているとともに、2個の前記半導体モジュールの夫々の前記本体から等距離の位置で接合しており、
前記正極バスバは、前記高電位側端子同士の接合箇所に接続しており、
前記負極バスバは、前記低電位側端子同士の接合箇所に接続している、
電力変換装置。
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