JP2017078177A - 導電性ナノ構造、そのようなナノ構造を作製するための方法、そのようなナノ構造を含有する導電性ポリマーフィルム、およびそのようなフィルムを含有する電子デバイス - Google Patents

Abstract

【課題】導電性ナノ構造、ナノ構造を作製する為の方法、ナノ構造を含有し、向上した導電性と光学的透明性を有する導電性ポリマーフィルム、及びフィルムを含有する電子デバイスの提供。
【解決手段】（ｉ）導電性ポリマー及び（ｉｉ）異方性導電性ナノ構造の混合物を含有するポリマーフィルム、更には（ａ）液体キャリア、（ｂ）液体キャリア中に溶解または分散された導電性ポリマー、及び（ｃ）液体キャリア中に分散された異方性導電性ナノ構造を含有するポリマー組成物、並びに（１）（ａ）液体キャリア、（ｂ）液体キャリア中に溶解又は分散された１つ以上の導電性ポリマー、及び（ｃ）液体キャリア中に分散された異方性導電性ナノ構造を含有するポリマー組成物の層を形成する工程、及び（２）層から液体キャリアを除去する工程を含むポリマーフィルムを作製する方法。
【選択図】なし

Description

本発明は、導電性ナノ構造、そのようなナノ構造を作製するための方法、そのようなナノ構造を含有する導電性ポリマーフィルム、およびそのようなフィルムを含有する電子デバイスに関する。

インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）などの透明導電体は、金属の導電性とガラスの光学的透明性とを組み合わせたものであり、ディスプレイデバイスなどの電子デバイスの成分として有用である。ＩＴＯは、可撓性がより全般的な課題となる可能性が高く、これは次世代のディスプレイ、照明、または光起電力デバイスにあまりよく適合しないと思われる。このような懸念は、従来の材料およびナノ材料を用いた代替物の研究を行う動機となってきた。ＩＴＯ代替物を開発するための様々な技術的手法が存在し、代替物が競合する４つの領域として：価格、導電性、光学的透明性、および物理的弾力性、が存在する。

ポリチオフェンポリマー、特にポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）とポリ（スチレンスルホネート）とのポリマーブレンド（「ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ」）などの導電性ポリマーが、可能性のあるＩＴＯの代替物として研究されてきた。導電性ポリマーの導電性は、通常、ＩＴＯのそれよりも低いが、導電性フィラーおよびドーパントの使用によって高めることができる。

導電性金属ナノ構造を作製するための方法は公知である。Ducamp-Sanguesa, et. al., Synthesis and Characterization of Fine and Monodisperse Silver Particles of Uniform Shape, Journal of Solid State Chemistry 100, 272-280 (1992)、および２００９年９月８日にYounan Xia, et. al.に付与された米国特許第７，５８５，３４９号は、各々、ポリビニルピロリドンなどの有機保護剤の存在下、グリコール中での銀化合物の還元による銀ナノワイヤの合成について記載している。

導電性ポリマー中に封入された銀ナノワイヤのネットワークを含む構造が報告されている。米国特許出願公開第２００８／０２５９２６２号には、金属ナノワイヤのネットワークを基材上に堆積し、次に、例えばその金属ナノワイヤネットワークを電極として用いる電気化学重合によって、ｉｎ ｓｉｔｕで導電性ポリマーフィルムを形成することにより、そのような構造を形成することが記載されている。米国特許出願公開第２００９／０１２９００４号には、銀ナノワイヤ分散液をろ過して銀ナノワイヤネットワークを形成し、そのネットワークを熱処理し、熱処理されたネットワークを転写し、転写されたネットワークをポリマーで封入することにより、そのような構造を形成することが記載されている。

そのような導電性ポリマー／銀ナノワイヤコンポジットフィルムの性能は、いくつかの場合では、ＩＴＯのそれと匹敵するものであるが、そのレベルの性能を示すコンポジットフィルムを得るために要する処理は、非常に要求が厳しく、例えば、上述のフィルムは、コポジットフィルムの導電性ナノワイヤ間に十分な電気的接続を作り出して、高い導電性および透明性を有するフィルムを確実に提供する目的で、熱処理および圧縮などの処理工程を必要とする。導電性ポリマーフィルムの導電性および光学的透明性の向上は、現在も解決されていない注目事項である。

第一の態様では、本発明は、液体媒体、および液体媒体中に分散された、１００重量部（「ｐｂｗ」）の分散液に対して約０．１から約５重量部の銀ナノワイヤを含む分散液に関し、ここで、銀ナノワイヤは、６０ｎｍと等しいかもしくはそれ未満の平均直径および１００超の平均アスペクト比を有し、分散液は、１００重量部の銀ナノワイヤに対して１重量部未満のビニルピロリドンポリマーを含む。

第二の態様では、本発明は、不活性雰囲気下、１７０℃から１８５℃の温度にて、ならびに塩化銀または臭化銀の粒子、および少なくとも１つの有機保護剤の存在下にて：
（ａ）少なくとも１つのポリオール、および、
（ｂ）還元されると金属銀を生成することができる少なくとも１つの銀化合物、
を反応させることによる、銀ナノワイヤを作製するための方法に関する。

第三の態様では、本発明は：
（ａ）導電性ポリマー、および、
（ｂ）銀ナノワイヤ、
の混合物を含むポリマーフィルムに関し、
ここで、フィルムは、１００重量部の銀ナノワイヤに対して１重量部未満のビニルピロリドンポリマーを含む。

第四の態様では、本発明は：
（ａ）導電性ポリマー、および、
（ｂ）カーボンナノファイバー、
の混合物を含むポリマーフィルムに関する。

第五の態様では、本発明は：
（ａ）液体キャリア、
（ｂ）液体キャリア中に溶解または分散された導電性ポリマー、および、
（ｃ）液体キャリア中に分散された異方性導電性ナノ構造、
を含むポリマー組成物に関する。

第六の態様では、本発明は：
（１）ポリマー組成物の層の形成であって、前記ポリマー組成物は、
（ａ）液体キャリア、
（ｂ）液体キャリア中に溶解または分散された１つ以上の導電性ポリマー、および、
（ｃ）液体キャリア中に分散された異方性導電性ナノ構造、
を含む、形成、ならびに、
（２）層からの液体キャリアの除去、
を含む、ポリマーフィルムを作製するための方法に関する。

第七の態様では、本発明は、本発明に従う少なくとも１つのポリマーフィルムを含む電子デバイスに関する。

対応する本発明のポリマーフィルムおよび本発明の電子デバイスのポリマーフィルム成分は、典型的には、高い導電性および高い光学的透過性を提供する。

図１は、本発明に従う電子デバイスの概略図を示す。

図２は、実施例１から１８および比較例Ｃ１のフィルムのシート抵抗の測定に用いられる二電極構成を示し、この図に示すサンプルフィルムは、実施例１３のフィルムである。

図３は、実施例９から１３の導電性ポリマーフィルムのシート抵抗および透過率を、銀ナノワイヤ含有量の関数として示す。

図４は、実施例１３から１６の導電性ポリマーフィルムのシート抵抗および透過率を、スピンコーティング速度の関数として示す。

図５は、実施例１９の銀ナノワイヤのサンプル集団の長さ分布を、長さに対するナノワイヤのパーセントのプロットとして示す。

本明細書で用いられる場合、以下の用語は、以下で帰属される意味を有する：
「酸性基」とは、イオン化して水素イオンを提供することができる基を意味し、
「アノード」とは、任意のカソードと比較して、ホールの注入がより効率的である電極を意味し、
「バッファー層」とは、一般的に、電子デバイス中にて、下位層などのデバイス中の隣接する構造の平坦化、電荷輸送および／または電荷注入特性、酸素または金属イオンなどの不純物の捕捉、ならびに電子デバイスの性能を促進または改善するためのその他の側面などであるがこれらに限定されない１つ以上の機能を有する、導電性もしくは半導電性の材料または構造を意味し、
「カソード」とは、電子または負電荷キャリアの注入が特に効率的である電極を意味し、
「閉じ込め層」とは、層界面での失活反応（quenching reactions）を抑制または防止する層を意味し、
「ドーピングされた」とは、本明細書にて導電性ポリマーに関して用いられる場合、導電性ポリマーが、その導電性ポリマーに対するポリマー対イオンと組み合わされたことを意味し、ポリマー対イオンは、本明細書にて「ドーパント」と称され、通常はポリマー酸であり、これは本明細書にて「ポリマー酸ドーパント」と称され、
「ドーピングされた導電性ポリマー」とは、導電性ポリマー、およびその導電性ポリマーに対するポリマー対イオンを含むポリマーブレンドを意味し、
「導電性ポリマー」とは、カーボンブラックまたは導電性金属粒子などの導電性フィラーを添加することなく、固有にまたは本質的に導電能力を有するいずれのポリマーまたはポリマーブレンドをも意味し、より典型的には、１センチメートルあたり１０^-7ジーメンス（「Ｓ／ｃｍ」）と等しいかもしくはそれより大きいバルク比導電率を示すいずれのポリマーまたはオリゴマーをも意味し、特に断りのない限り、本明細書における「導電性ポリマー」への言及は、いずれのポリマー酸ドーパントをも所望に応じて含んでよく、
「導電性」とは、導電性および半導電性を含み、
「電気活性」とは、材料または構造に関して本明細書で用いられる場合、放射線を放出すること、または放射線を受けた場合に電子−ホール対の濃度の変化を示すことなど、電子もしくは電子放射性特性を示す材料または構造を意味し、
「電子デバイス」とは、１つ以上の半導体材料を含む１つ以上の層を有し、その１つ以上の層を通しての電子の制御された動きを利用するデバイスを意味し、
「電子注入／輸送」とは、材料または構造に関して本明細書で用いられる場合、そのような材料または構造を通しての別の材料または構造への負電荷の移動を促進または推進するそのような材料または構造を意味し、
「高沸点溶媒」とは、室温では液体であり、１００℃超の沸点を有する有機化合物を意味し、
「ホール輸送」とは、材料または構造に関して本明細書で用いられる場合、相対的な効率および少ない電荷の喪失にて、そのような材料または構造の厚さを通しての正電荷の移動を推進するそのような材料または構造を意味し、
「層」とは、電子デバイスに関して本明細書で用いられる場合、デバイスの所望される領域を被覆しているコーティングを意味し、ここで、この領域は、サイズによって限定されるものではなく、すなわち、層によって被覆される領域は、例えば、デバイス全体までの大きさであってよく、実際の表示ディスプレイなどデバイスの特定の機能領域までの大きさであってもよく、または単一サブピクセルほど小さくてもよく、
「ポリマー」とは、ホモポリマーおよびコポリマーを含み、
「ポリマーブレンド」とは、２つ以上のポリマーのブレンドを意味し、ならびに、
「ポリマーネットワーク」とは、１つ以上のポリマー分子の相互接続されたセグメントの三次元構造を意味し、ここで、セグメントは、単一のポリマー分子のもので、共有結合によって相互接続されているか（「架橋ポリマーネットワーク」）、ここで、セグメントは、２つ以上のポリマー分子のもので、共有結合以外の手段で相互接続されているか（物理的な交絡、水素結合、もしくはイオン結合など）、または共有結合および共有結合以外の手段の両方で相互接続されている（「物理的ポリマーネットワーク」）。

本明細書で用いられる場合、有機基に関して、ｘおよびｙが各々整数である「（Ｃ_x−Ｃ_y）」の技術用語は、その基が、基あたりｘ個の炭素原子からｙ個の炭素原子を含有してよいことを意味する。

本明細書で用いられる場合、「アルキル」の用語は、一価の直鎖状、分岐鎖状、または環状飽和炭化水素ラジカルを、より典型的には、一価の直鎖状または分岐鎖状飽和（Ｃ₁−Ｃ₄₀）炭化水素ラジカルを意味し、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ヘキシル、オクチル、ヘキサデシル、オクタデシル、エイコシル、ベヘニル、トリコンチル、およびテルタコンチル（tertacontyl）などである。本明細書で用いられる場合、「シクロアルキル」の用語は、環の１つ以上の炭素原子上にて炭素原子あたり１もしくは２つの（Ｃ₁−Ｃ₆）アルキル基により所望に応じて置換されていてよい１つ以上の環状アルキル環を含む、飽和炭化水素ラジカルを、より典型的には、飽和（Ｃ₅−Ｃ₂₂）炭化水素ラジカルを意味し、例えば、シクロペンチル、シクロヘプチル、シクロオクチルなどである。「ヘテロアルキル」の用語は、アルキル基内の炭素原子の１つ以上が、窒素、酸素、硫黄などのヘテロ原子によって置換されたアルキル基を意味する。「アルキレン」の用語は、例えばメチレンおよびポリ（メチレン）を含む二価のアルキル基を意味する。

本明細書で用いられる場合、「ヒドロキシアルキル」の用語は、１つ以上のヒドロキシル基で置換されたアルキルラジカル、より典型的には（Ｃ₁−Ｃ₂₂）アルキルラジカルを意味し、例えば、ヒドロキシメチル、ヒドロキシエチル、ヒドロキシプロピル、およびヒドロキシデシルが挙げられる。

本明細書で用いられる場合、「アルコキシアルキル」の用語は、１つ以上のアルコキシ置換基で置換されたアルキルラジカルを、より典型的には、（Ｃ₁−Ｃ₂₂）アルキルオキシ−（Ｃ₁−Ｃ₆）アルキルラジカルを意味し、例えば、メトキシメチルおよびエトキシブチルが挙げられる。

本明細書で用いられる場合、「アルケニル」の用語は、１つ以上の炭素−炭素二重結合を含有する、直鎖状または分岐鎖状不飽和炭化水素ラジカルを、より典型的には、直鎖状、分岐鎖状不飽和（Ｃ₂−Ｃ₂₂）炭化水素ラジカルを意味し、例えば、エテニル、ｎ−プロペニル、およびイソ−プロペニルが挙げられる。

本明細書で用いられる場合、「シクロアルケニル」の用語は、１つ以上の環状アルケニル環を含有し、環の１つ以上の炭素原子上にて炭素原子あたり１もしくは２つの（Ｃ₁−Ｃ₆）アルキル基により所望に応じて置換されていてよい、不飽和炭化水素ラジカルを、より典型的には、不飽和（Ｃ₅−Ｃ₂₂）炭化水素ラジカルを意味し、例えば、シクロヘキセニルおよびシクロヘプテニルが挙げられる。

本明細書で用いられる場合、「アリール」の用語は、不飽和が３つの共役二重結合で表されてよく、環の炭素の１つ以上がヒドロキシ、アルキル、アルコキシル、アルケニル、ハロ、ハロアルキル、単環式アリール、またはアミノで置換されていてよい１つ以上の６員環炭素環を含有する一価の不飽和炭化水素ラジカルを意味し、例えば、フェニル、メチルフェニル、メトキシフェニル、ジメチルフェニル、トリメチルフェニル、クロロフェニル、トリクロロメチルフェニル、トリイソブチルフェニル、トリスチリルフェニル、およびアミノフェニルが挙げられる。

本明細書で用いられる場合、「アラルキル」の用語は、１つ以上のアリール基で置換されたアルキル基、より典型的には、１つ以上の（Ｃ₆−Ｃ₁₄）アリール置換基で置換された（Ｃ₁−Ｃ₁₈）アルキルを意味し、例えば、フェニルメチル、フェニルエチル、およびトリフェニルメチルが挙げられる。

本明細書で用いられる場合、「多環式ヘテロ芳香族」の用語は、２つ以上の芳香族環を有し、そのうちの少なくとも１つが、環内に少なくとも１つのへテロ原子を含む化合物を意味し、ここで、隣接する環は、１つ以上の結合もしくは二価の架橋基によって互いに連結されていてよく、または一緒になって縮合されていてもよい。

本明細書で用いられる場合、以下の用語は、対応する置換基を意味し：
「アミド」は、−Ｒ¹−Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ⁶）Ｒ⁶であり、
「アミドスルホネート」は、−Ｒ¹−Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ⁴）Ｒ²−ＳＯ₃Ｚであり、
「ベンジル」は、−ＣＨ₂−Ｃ₆Ｈ₅であり、
「カルボキシレート」は、−Ｒ¹−Ｃ（Ｏ）Ｏ−Ｚまたは−Ｒ¹−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−Ｚであり、
「エーテル」は、−Ｒ¹−（Ｏ−Ｒ³）_p−Ｏ−Ｒ³であり、
「エーテルカルボキシレート」は、−Ｒ¹−Ｏ−Ｒ²−Ｃ（Ｏ）Ｏ−Ｚまたは−Ｒ¹−Ｏ−Ｒ²−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−Ｚであり、
「エーテルスルホネート」は、−Ｒ¹−Ｏ−Ｒ²−ＳＯ₃Ｚであり、
「エステルスルホネート」は、−Ｒ¹−Ｏ−Ｃ（Ｏ）Ｒ²−ＳＯ₃Ｚであり、
「スルホンイミド」は、−Ｒ¹−ＳＯ₂−ＮＨ−ＳＯ₂−Ｒ³であり、および、
「ウレタン」は、−Ｒ¹−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−Ｎ（Ｒ⁴）₂であり、
ここで：
各Ｒ¹は、存在しないか、またはアルキレンであり、
各Ｒ²は、アルキレンであり、
各Ｒ³は、アルキルであり、
各Ｒ⁴は、Ｈまたはアルキルであり、
ｐは、０または１から２０の整数であり、および、
各Ｚは、Ｈ、アルカリ金属、アルカリ土類金属、Ｎ（Ｒ³）₄、またはＲ³であり、
ここで、上記の基のいずれも、無置換または置換されていてよく、いずれの基も、１つ以上の水素がフッ素に置換されていてよく、パーフルオロ化基を含む。

バルク材料に関して、本明細書で言及される寸法は、バルク材料中に含有される個々のナノ構造をサンプリングすることで得られる平均寸法であり、ここで、長さ測定は、光学顕微鏡を用いて得られ、直径測定は、原子間力顕微鏡を用いて行われる。このプロセスを用いることで、少なくとも２０のナノ構造のサンプルが測定されて、サンプル集団のナノ構造の各々の直径がそれぞれ測定され、異方性ナノ構造の場合、少なくとも１００の異方性ナノ構造のサンプルが測定されて、サンプル集団のナノ構造の各々の長さがそれぞれ測定される。次に、以下のようにして、調べられたナノ構造についての平均直径、平均長さ、および平均アスペクト比が決定される。バルクナノ構造材料の平均直径は、測定されたナノ構造集団の算術平均として与えられる。ナノワイヤなどの異方性ナノ構造の場合、平均長さは、加重平均長さとして与えられ、それは、サンプル集団の各ナノ構造の長さＬ_iとその重量Ｗ_iとを掛け合わせ、得られた積Ｌ_iＷ_iを足し合わせ、重量Ｗ_iを足し合わせ、次に、式（１）に従って：
ΣＬ_iＷ_i／ΣＷ_i 式（１）
サンプル集団のナノ構造のＬ_iＷ_iの合計を総重量、すなわちＷ_iの合計で除することで決定され、ナノワイヤ集団の加重平均長さが得られる。異方性ナノ構造の平均アスペクト比は、ナノワイヤ集団の加重平均長さを、異方性ナノ構造集団の平均直径で除することで決定される。

対応する本発明のポリマーフィルムおよび本発明の電子デバイスのポリマーフィルム成分の１つの実施形態では、導電性ポリマーは、連続相を形成し、異方性導電性ナノ構造は、連続ネットワークを形成し、ここで、ネットワークの各異方性導電性ナノ構造は、ネットワークの他の異方性導電性ナノ構造の１つ以上と物理的に接触しており、ここで、連続導電性ポリマー相および連続異方性ナノ構造ネットワークは、互いに相互侵入して、相互侵入ポリマー／異方性ナノ構造ネットワークを形成する。

対応する本発明のポリマーフィルムおよび本発明の電子デバイスのポリマーフィルム成分の１つの実施形態では、ポリマーネットワークは、導電性ポリマーの非架橋分子によって形成される物理的ポリマーネットワークである。

対応する本発明のポリマーフィルムおよび本発明の電子デバイスのポリマーフィルム成分の１つの実施形態では、ポリマーネットワークは、架橋ポリマーネットワークである。

１つの実施形態では、本発明のポリマー組成物は、ポリマー分散液であり、ここで、分散液の液体キャリア成分は、組成物の導電性ポリマー成分が不溶性であるが、その中で組成物の導電性ポリマー成分が分散可能であるいかなる液体であってもよい。１つの実施形態では、本発明のポリマー組成物の液体キャリアは、水、および所望に応じて１つ以上の水混和性有機液体を含んでよい水性媒体であり、導電性ポリマーは、その水性媒体中に分散可能である。適切な水混和性有機液体としては、極性非プロトン性有機溶媒が挙げられ、例えば、メタノール、エタノール、およびプロパノールなどの（Ｃ₁−Ｃ₆）アルカノールなどである。１つの実施形態では、液体キャリアは、液体媒体の１００ｐｂｗに対して、約１０から１００ｐｂｗ、より典型的には、約５０ｐｂｗから１００ｐｂｗ、さらにより典型的には、約９０ｐｂｗから１００ｐｂｗの水、および０ｐｂｗから約９０ｐｂｗ、より典型的には、０ｐｂｗから約５０ｐｂｗ、さらにより典型的には、０ｐｂｗから約１０ｐｂｗの１つ以上の水混和性有機液体を含む。１つの実施形態では、液体キャリアは、本質的に水から成る。１つの実施形態では、液体キャリアは、水から成る。

１つの実施形態では、ポリマー組成物は、ポリマー溶液であり、ここで、組成物の液体キャリア成分は、組成物の導電性ポリマー成分が可溶性であるいかなる液体であってもよい。１つの実施形態では、液体キャリアは、非水性液体媒体であり、導電性ポリマーは、非水性液体媒体に可溶性であり、それに溶解される。適切な非水性液体媒体としては、１２０℃未満、より典型的には、約１００℃に等しいかもしくはそれ未満の沸点を有する有機液体が挙げられ、導電性ポリマーの選択に基づいて、ヘキサン、シクロヘキサン、ベンゼン、トルエン、クロロホルム、およびジエチルエーテルなどの非極性有機溶媒、ジクロロメタン、酢酸エチル、アセトン、およびテトラヒドロフランなどの極性非プロトン性有機溶媒、メタノール、エタノール、およびプロパノールなどの極性プロトン性有機溶媒、ならびにこのような溶媒の混合物から選択される。

１つの実施形態では、液体キャリアは、本発明のポリマー組成物の１００ｐｂｗに対して、０ｐｂｗ超から約１５ｐｂｗ、より典型的には、約１ｐｂｗから約１０ｐｂｗの、典型的には少なくとも１２０℃の沸点を有する高沸点極性有機液体から、より典型的には、ジエチレングリコール、メソ−エリスリトール、１，２，３，４−テトラヒドロキシブタン、２−ニトロエタノール、グリセロール、ソルビトール、ジメチルスルホキシド、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、およびこれらの混合物から選択される有機液体を所望に応じてさらに含んでよい。

対応する本発明のポリマー組成物、ポリマーフィルム、および電子デバイスの導電性ポリマー成分は、各々、１つ以上のホモポリマー、２つ以上の対応するモノマーの１つ以上のコポリマー、または１つ以上のホモポリマーと１つ以上のコポリマーとの混合物を含んでよい。対応する本発明の分散液、フィルム、および電子デバイスの導電性ポリマーフィルム成分は、各々、単一の導電性ポリマーを含んでよく、または、例えば組成、構造、もしくは分子量に関して、ある点で互いに異なる２つ以上の導電性ポリマーのブレンドを含んでもよい。

１つの実施形態では、本発明の分散液、フィルム、および／または電子デバイスの導電性ポリマーフィルム成分の導電性ポリマーは、導電性ポリチオフェンポリマー、導電性ポリ（セレノフェン）ポリマー、導電性ポリ（テルロフェン）ポリマー、導電性ポリピロールポリマー、導電性ポリアニリンポリマー、導電性縮合多環式ヘテロ芳香族ポリマー、およびそのようなポリマーのいずれかのブレンドから選択される１つ以上の導電性ポリマーを含む。

１つの実施形態では、導電性ポリマーは、導電性ポリチオフェンポリマー、導電性ポリ（セレノフェン）ポリマー、導電性ポリ（テルロフェン）ポリマー、およびこれらの混合物から選択される１つ以上のポリマーを含む。適切なポリチオフェンポリマー、ポリ（セレノフェン）ポリマー、ポリ（テルロフェン）ポリマー、およびそのようなポリマーの作製方法は、一般的に知られている。１つの実施形態では、導電性ポリマーは、構造（Ｉ）に従うモノマーユニットであって：
ここで：
Ｑは、Ｓ、ＳＥ、またはＴｅであり、ならびに、
Ｒ¹¹の各々の存在およびＲ¹²の各々の存在は、独立して、Ｈ、アルキル、アルケニル、アルコキシ、アルカノイル、アルキチオ（alkythio）、アリールオキシ、アルキルチオアルキル、アルキルアリール、アリールアルキル、アミノ、アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、アリール、アルキルスルフィニル、アルコキシアルキル、アルキルスルホニル、アリールチオ、アリールスルフィニル、アルコキシカルボニル、アリールスルホニル、アクリル酸、リン酸、ホスホン酸、ハロゲン、ニトロ、シアノ、ヒドロキシル、エポキシ、シラン、シロキサン、ヒドロキシ、ヒドロキシアルキル、ベンジル、カルボキシレート、エーテル、エーテルカルボキシレート、アミドスルホネート、エーテルスルホネート、エステルスルホネート、およびウレタンであるか、または任意のモノマーユニットのＲ¹基およびＲ²基の両方が縮合し、それらが結合する炭素原子と一緒になって、３、４、５、６、もしくは７員環芳香族または脂環式環を完成させるアルキレンまたはアルケニレン鎖を形成し、この環は、所望に応じて、１つ以上の二価の窒素、セレン、テルル（telurium）、硫黄、または酸素原子を含んでよい、
モノマーユニットを、ポリマーの１分子あたり２つ以上、より典型的には４つ以上含む少なくとも１つの導電性ポリチオフェンポリマー、導電性ポリ（セレノフェン）ポリマー、または導電性ポリ（テルロフェン）ポリマーを含む。

１つの実施形態では、Ｑは、Ｓであり、構造（Ｉ）に従うモノマーユニットのＲ¹¹およびＲ¹²は、縮合されており、導電性ポリマーは、構造（Ｉ．ａ）に従うモノマーユニットであって：
ここで：
Ｒ¹³の各々の存在は、独立して、Ｈ、アルキル、ヒドロキシ、ヘテロアルキル、アルケニル、ヘテロアルケニル、ヒドロキシアルキル、アミドスルホネート、ベンジル、カルボキシレート、エーテル、エーテルカルボキシレート、エーテルスルホネート、エステルスルホネート、またはウレタンであり、および、
ｍ’は、２または３である、
モノマーユニットを、ポリマーの１分子あたり２つ以上、より典型的には４つ以上含むポリジオキシチオフェンポリマーを含む。

１つの実施形態では、構造（Ｉ．ａ）に従うモノマーユニットのすべてのＲ¹³基は、各々、Ｈ、アルキル、またはアルケニルである。１つの実施形態では、構造（Ｉ．ａ）に従うモノマーユニットの少なくとも１つのＲ¹³基は、Ｈではない。１つの実施形態では、構造（Ｉ．ａ）に従うモノマーユニットの各Ｒ¹³基は、Ｈである。

１つの実施形態では、導電性ポリマーは、構造（Ｉ．ａ）に従うモノマーユニットの導電性ポリチオフェンホモポリマーを含み、ここで、各Ｒ¹³は、Ｈであり、ｍ’は、２であり、これは、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）として知られており、より典型的には「ＰＥＤＯＴ」と称される。

１つの実施形態では、導電性ポリマーは、１つ以上の導電性ポリピロールポリマーを含む。適切な導電性ポリピロールポリマーおよびそのようなポリマーの作製方法は、一般的に知られている。１つの実施形態では、導電性ポリマーは、構造（ＩＩ）に従うモノマーユニットであって：
ここで：
Ｒ²¹の各々の存在およびＲ²²の各々の存在は、独立して、Ｈ、アルキル、アルケニル、アルコキシ、アルカノイル、アルキチオ（alkythio）、アリールオキシ、アルキルチオアルキル、アルキルアリール、アリールアルキル、アミノ、アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、アリール、アルキルスルフィニル、アルコキシアルキル、アルキルスルホニル、アリールチオ、アリールスルフィニル、アルコキシカルボニル、アリールスルホニル、アクリル酸、リン酸、ホスホン酸、ハロゲン、ニトロ、シアノ、ヒドロキシル、エポキシ、シラン、シロキサン、ヒドロキシ、ヒドロキシアルキル、ベンジル、カルボキシレート、エーテル、アミドスルホネート、エーテルカルボキシレート、エーテルスルホネート、エステルスルホネート、およびウレタンであるか、または任意のピロールユニットのＲ²¹およびＲ²²が縮合し、それらが結合する炭素原子と一緒になって、３、４、５、６、もしくは７員環芳香族または脂環式環を完成させるアルキレンまたはアルケニレン鎖を形成し、この環は、所望に応じて、１つ以上の二価の窒素、硫黄、または酸素原子を含んでよく、
Ｒ²³の各々の存在は、独立して、各存在が同一または異なるように選択され、水素、アルキル、アルケニル、アリール、アルカノイル、アルキルチオアルキル、アルキルアリール、アリールアルキル、アミノ、エポキシ、シラン、シロキサン、ヒドロキシ、ヒドロキシアルキル、ベンジル、カルボキシレート、エーテル、エーテルカルボキシレート、エーテルスルホネート、エステルスルホネート、およびウレタンから選択される、
モノマーユニットを、ポリマーの１分子あたり２つ以上、より典型的には４つ以上含むポリピロールポリマーを含む。

１つの実施形態では、Ｒ²¹の各々の存在およびＲ²²の各々の存在は、独立して、Ｈ、アルキル、アルケニル、アルコキシ、シクロアルキル、シクロアルケニル、ヒドロキシ、ヒドロキシアルキル、ベンジル、カルボキシレート、エーテル、アミドスルホネート、エーテルカルボキシレート、エーテルスルホネート、エステルスルホネート、ウレタン、エポキシ、シラン、シロキサン、またはアルキルであり、ここで、アルキ基（alky group）は、所望に応じて、スルホン酸、カルボン酸、アクリル酸、リン酸、ホスホン酸、ハロゲン、ニトロ、シアノ、ヒドロキシル、エポキシ、シラン、またはシロキサン部分の１つ以上により置換されていてよい。

１つの実施形態では、Ｒ²³の各々の存在は、独立して、Ｈ、アルキル、およびスルホン酸、カルボン酸、アクリル酸、リン酸、ホスホン酸、ハロゲン、シアノ、ヒドロキシル、エポキシ、シラン、またはシロキサン部分の１つ以上により置換されたアルキルである。

１つの実施形態では、Ｒ²¹、Ｒ²²、およびＲ²³は、Ｈである。

１つの実施形態では、Ｒ²¹およびＲ²²は、縮合し、それらが結合する炭素原子と一緒になって、６もしくは７員環の脂環式環を形成し、これは、さらに、アルキル、ヘテロアルキル、ヒドロキシ、ヒドロキシアルキル、ベンジル、カルボキシレート、エーテル、エーテルカルボキシレート、エーテルスルホネート、エステルスルホネート、およびウレタンから選択される基で置換されている。１つの実施形態では、およびＲ²²は、縮合し、それらが結合する炭素原子と一緒になって、６もしくは７員環の脂環式環を形成し、これは、さらに、アルキル基で置換されている。１つの実施形態では、Ｒ²¹およびＲ²²は、縮合し、それらが結合する炭素原子と一緒になって、６もしくは７員環の脂環式環を形成し、これは、さらに、少なくとも１つの炭素原子を有するアルキル基で置換されている。

１つの実施形態では、Ｒ²¹およびＲ²²は、縮合し、それらが結合する炭素原子と一緒になって、−Ｏ−（ＣＨＲ²⁴）ｎ’−Ｏ−基を形成し、ここで：
Ｒ²⁴の各々の存在は、独立して、Ｈ、アルキル、ヒドロキシ、ヒドロキシアルキル、ベンジル、カルボキシレート、アミドスルホネート、エーテル、エーテルカルボキシレート、エーテルスルホネート、エステルスルホネート、およびウレタンであり、
ｎ’は、２または３である。

１つの実施形態では、少なくとも１つのＲ²⁴基は、水素ではない。１つの実施形態では、少なくとも１つのＲ²⁴基は、少なくとも１つの水素を置換したＦを有する置換基である。１つの実施形態では、少なくとも１つのＹ基は、パーフルオロ化されている。

１つの実施形態では、導電性ポリマーは、１つ以上の導電性ポリアニリンポリマーを含む。適切な導電性ポリアニリンポリマーおよびそのようなポリマーの作製方法は、一般的に知られている。１つの実施形態では、導電性ポリマーは、構造（ＩＩＩ）に従うモノマーユニットおよび構造（ＩＩＩ．ａ）に従うモノマーユニットであって：
ここで：
Ｒ³¹およびＲ³²の各々の存在は、独立して、アルキル、アルケニル、アルコキシ、シクロアルキル、シクロアルケニル、アルカノイル、アルキチオ（alkythio）、アリールオキシ、アルキルチオアルキル、アルキルアリール、アリールアルキル、アミノ、アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、アリール、アルキルスルフィニル、アルコキシアルキル、アルキルスルホニル、アリールチオ、アリールスルフィニル、アルコキシカルボニル、アリールスルホニル、カルボン酸、ハロゲン、シアノ、またはスルホン酸、カルボン酸、ハロ、ニトロ、シアノ、もしくはエポキシ部分の１つ以上により置換されたアルキルであるか、または、同一環上の２つのＲ³¹もしくはＲ³²基が縮合し、それらが結合する炭素原子と一緒になって、３、４、５、６、もしくは７員環芳香族または脂環式環を形成してよく、この環は、所望に応じて、１つ以上の二価の窒素、硫黄、または酸素原子を含んでよく、ならびに、
ａおよびａ’の各々は、独立して、０から４の整数であり、
ｂおよびｂ’の各々は、１から４の整数であり、ここで、各環において、環の係数ａおよびｂの合計、または環の係数ａ’およびｂ’の合計は、４である、
モノマーユニットから選択されるモノマーユニットを、ポリマーの１分子あたり２つ以上、より典型的には４つ以上含むポリアニリンポリマーを含む。

１つの実施形態では、ａまたはａ’＝０であり、ポリアニリンポリマーは、本明細書にて「ＰＡＮＩ」ポリマーと称する無置換ポリアニリンポリマーである。

１つの実施形態では、導電性ポリマーは、１つ以上の導電性多環式ヘテロ芳香族ポリマーを含む。適切な導電性多環式ヘテロ芳香族ポリマーおよびそのようなポリマーの作製方法は、一般的に知られている。１つの実施形態では、導電性ポリマーは、式（ＩＶ）であって：
式中：
Ｑは、ＳまたはＮＨであり、
Ｒ⁴¹、Ｒ⁴²、Ｒ⁴³、およびＲ⁴⁴は、各々独立して、Ｈ、アルキル、アルケニル、アルコキシ、アルカノイル、アルキチオ（alkythio）、アリールオキシ、アルキルチオアルキル、アルキルアリール、アリールアルキル、アミノ、アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、アリール、アルキルスルフィニル、アルコキシアルキル、アルキルスルホニル、アリールチオ、アリールスルフィニル、アルコキシカルボニル、アリールスルホニル、アクリル酸、リン酸、ホスホン酸、ハロゲン、ニトロ、シアノ、ヒドロキシル、エポキシ、シラン、シロキサン、ヒドロキシ、ヒドロキシアルキル、ベンジル、カルボキシレート、エーテル、エーテルカルボキシレート、アミドスルホネート、エーテルスルホネート、エステルスルホネート、またはウレタンであるが、但し、隣接する置換基Ｒ⁴¹およびＲ⁴²、Ｒ⁴²およびＲ⁴³、またはＲ⁴³およびＲ⁴⁴の少なくとも１つのペアは、縮合し、それらが結合する炭素原子と一緒になって、５もしくは６員環芳香族環を形成し、この環は、所望に応じて、１つ以上のヘテロ原子、より典型的には、二価の窒素、硫黄、および酸素原子から選択されるヘテロ原子を環構成原子として含んでよい、
式（ＩＶ）に、各々が独立して従う１つ以上のヘテロ芳香族モノマーから誘導されるモノマーユニットを、１分子あたり２つ以上、より典型的には４つ以上含む１つ以上の多環式ヘテロ芳香族ポリマーを含む。

１つの実施形態では、多環式ヘテロ芳香族ポリマーは、構造（Ｖ）であって：
ここで：
Ｑは、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、またはＮＲ⁵⁵であり、
Ｔは、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、ＮＲ⁵⁵、Ｏ、Ｓｉ（Ｒ⁵⁵）₂、またはＰＲ⁵⁵であり、
Ｅは、アルケニレン、アリーレン、およびヘテロアリーレンであり、
Ｒ⁵⁵は、水素またはアルキルであり、
Ｒ⁵¹、Ｒ⁵²、Ｒ⁵³、およびＲ⁵⁴は、各々独立して、Ｈ、アルキル、アルケニル、アルコキシ、アルカノイル、アルキチオ（alkythio）、アリールオキシ、アルキルチオアルキル、アルキルアリール、アリールアルキル、アミノ、アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、アリール、アルキルスルフィニル、アルコキシアルキル、アルキルスルホニル、アリールチオ、アリールスルフィニル、アルコキシカルボニル、アリールスルホニル、アクリル酸、リン酸、ホスホン酸、ハロゲン、ニトロ、ニトリル、シアノ、ヒドロキシル、エポキシ、シラン、シロキサン、ヒドロキシ、ヒドロキシアルキル、ベンジル、カルボキシレート、エーテル、エーテルカルボキシレート、アミドスルホネート、エーテルスルホネート、およびウレタンであるか、または、隣接する置換基Ｒ⁵¹およびＲ⁵²、ならびに隣接する置換基Ｒ⁵³およびＲ⁵⁴の各ペアが、独立して、それらが結合する炭素原子と一緒になって、３、４、５、６、もしくは７員環芳香族または脂環式環を形成してよく、この環は、所望に応じて、１つ以上のヘテロ原子、より典型的には、二価の窒素、硫黄、および酸素原子から選択されるヘテロ原子を環構成原子として含んでよい、
構造（Ｖ）に、各々が独立して従う１つ以上のヘテロ芳香族モノマーから誘導されるモノマーユニットを、１分子あたり２つ以上、より典型的には４つ以上含む。

１つの実施形態では、導電性ポリマーは、式（Ｉ）、（Ｉ．ａ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、もしくは（ＩＩＩ．ａ）に従うか、または構造（ＩＶ）もしくは（Ｖ）に従うヘテロ芳香族モノマーから誘導される第一のモノマーユニットを１分子あたり少なくとも１つ含み、さらに、第一のモノマーユニットとは構造および／または組成が異なる第二のモノマーユニットを１分子あたり１つ以上含む導電性ポリマーを含む。第二のモノマーユニットは、コポリマーの所望される特性に有害な影響を与えない限りにおいて、いかなる種類のものを用いてもよい。１つの実施形態では、コポリマーは、コポリマーのモノマーユニットの総数に対して、５０％と等しいかもしくはそれ未満、より典型的には、２５％と等しいかもしくはそれ未満、さらにより典型的には、１０％と等しいかもしくはそれ未満の第二のモノマーユニットを含む。

第二のモノマーユニットの代表的な種類としては、これらに限定されないが、第一のモノマーユニットが誘導されるモノマーと共重合可能であるアルケニル、アルキニル、アリーレン、およびヘテロアリーレンモノマーから誘導されるものが挙げられ、例えば、フルオレン、オキサジアゾール、チアジアゾール、ベンゾチアジアゾール、フェニレン、ビニレン、フェニレンエチニレン、ピリジン、ジアジン、およびトリアジンなどであり、これらはすべて、さらに置換されていてよい。

１つの実施形態では、導電性コポリマーは、まず、構造Ａ−Ｂ−Ｃを有し、ここで、ＡおよびＣは、同一でも異なっていてもよい第一のモノマーユニットを表し、Ｂは、第二のモノマーユニットを表す、中間体オリゴマーを形成することによって作製される。Ａ−Ｂ−Ｃ中間体オリゴマーは、山本、Stille、Grignardメタセシス、鈴木および根岸カップリングなど、標準的な有機合成技術を用いて作製することができる。次に、導電性ポリマーは、中間体オリゴマー単独の酸化重合、または中間体オリゴマーと１つ以上の追加のモノマーとの共重合によって形成される。

１つの実施形態では、導電性ポリマーは、２つ以上のモノマーの導電性コポリマーを含む。１つの実施形態では、モノマーは、チオフェンモノマー、ピロールモノマー、アニリンモノマー、および多環式芳香族モノマーから選択される少なくとも１つのモノマーを含む。

１つの実施形態では、導電性ポリマーの重量平均分子量は、１モルあたり約１０００から約２，０００，０００グラム、より典型的には、１モルあたり約５０００から約１，０００，０００グラム、さらにより典型的には、１モルあたり約１０，０００から約５００，０００グラムである。

１つの実施形態では、対応する本発明のポリマー組成物、ポリマーフィルム、および電子デバイスの導電性ポリマーは、さらに、ポリマー酸ドーパント、典型的には（ポリマー組成物の液体媒体が水性媒体である場合は特に）水溶性ポリマー酸ドーパントを含む。１つの実施形態では、新規な組成物および方法に用いられる導電性ポリマーは、水溶性酸、典型的には、水溶性ポリマー酸を含有する水溶液中にて、対応するモノマーを酸化重合することによって作製される。１つの実施形態では、酸は、ポリマースルホン酸である。酸のいくつかの限定されない例としては、ポリ（スチレンスルホン酸）（「ＰＳＳＡ」）、ポリ（２−アクリルアミド−２−メチル−１−プロパンスルホン酸）（「ＰＡＡＭＰＳＡ」）、およびこれらの混合物である。酸アニオンが、導電性ポリマーのドーパントを提供する。酸化重合は、過硫酸アンモニウム、過硫酸ナトリウム、およびこれらの混合物などの酸化剤を用いて行われる。従って、例えば、アニリンがＰＭＭＰＳＡの存在下にて酸化重合される場合、ドーピングされた導電性ポリマーブレンドであるＰＡＮＩ／ＰＡＡＭＰＳＡが形成される。エチレンジオキシチオフェン（ＥＤＴ）がＰＳＳＡの存在下にて酸化重合される場合、ドーピングされた導電性ポリマーブレンドであるＰＥＤＴ／ＰＳＳが形成される。ＰＥＤＴの共役バックボーンは、部分的に酸化され、正に帯電する。酸化重合されたピロールおよびチエノチオフェンもまた、酸アニオンとバランスする正電荷を有する。

１つの実施形態では、水溶性ポリマー酸は、ポリスルホン酸、より典型的には、ポリ（スチレンスルホン酸）もしくはポリ（アクリルアミド−２−メチル−１−プロパン−スルホン酸）から、またはポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、もしくはポリマレイン酸などのポリカルボン酸から選択される。

１つの実施形態では、対応する本発明のポリマーフィルム、ポリマー溶液もしくは分散液、および／または電子デバイスの導電性ポリマー成分は、導電性ポリマー１００ｐｂｗに対して：
（ｉ）０ｐｂｗ超から１００ｐｂｗ、より典型的には、約１０から約５０ｐｂｗ、さらにより典型的には、約２０から約５０ｐｂｗの、１つ以上の導電性ポリマー、より典型的には、構造（Ｉ．ａ）に従うモノマーユニットを含む１つ以上の導電性ポリマー、より典型的には、ＱがＳである構造（Ｉ．ａ）に従うモノマーユニットを含む１つ以上のポリチオフェンポリマー、さらにより典型的には、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）を含む１つ以上の導電性ポリマー、ならびに、
（ｉｉ）０ｐｂｗから１００ｐｂｗ、より典型的には、約５０から約９０ｐｂｗ、さらにより典型的には、約５０から約８０ｐｂｗの、１つ以上の水溶性ポリマー酸ドーパント、より典型的には、ポリ（スチレンスルホン酸）ドーパントを含む１つ以上の水溶性ポリマー酸ドーパント、
を含む。

本明細書で用いられる場合、「ナノ構造」の用語は、一般的に、ナノサイズの構造を意味し、その少なくとも１つの寸法が、５００ｎｍと等しいかもしくはそれ未満であり、より典型的には、２５０ｎｍと等しいかもしくはそれ未満であり、または１００ｎｍと等しいかもしくはそれ未満であり、または５０ｎｍと等しいかもしくはそれ未満であり、または２５ｎｍと等しいかもしくはそれ未満である。

異方性導電性ナノ構造は、いかなる異方性形状または形態であってもよい。本明細書で用いられる場合、構造に関する「アスペクト比」の技術用語は、その構造の最も長い特性寸法の、その構造の次に長い特性寸法に対する比を意味する。上記で考察したように、本明細書にてバルク材料に関して言及されるアスペクト比は、典型的には、バルク材料からの平均アスペクト比である。１つの実施形態では、異方性導電性ナノ構造は、最も長い特性寸法、すなわち、長さ、および次に長い特性寸法、すなわち幅もしくは直径のアスペクト比が１より大きいものである、縦長形状を有する。典型的な異方性ナノ構造としては、本明細書で定められるように、ナノワイヤおよびナノチューブが挙げられる。

導電性ナノ構造は、中実または中空であってよい。中実ナノ構造としては、例えば、ナノ粒子およびナノワイヤが挙げられる。「ナノワイヤ」とは、中実縦長ナノ構造を意味する。典型的には、ナノワイヤは、１０超、または５０超、または１００超、または２００超、または３００超、または４００超の平均アスペクト比を有する。典型的には、ナノワイヤは、５００ｎｍ超、または１μｍ超、または１０μｍ超の長さを有する。

中空ナノ構造としては、例えば、ナノチューブが挙げられる。「ナノチューブ」とは、中空縦長ナノ構造を意味する。典型的には、ナノチューブは、１０超、または５０超、または１００超の平均アスペクト比を有する。典型的には、ナノチューブは、５００ｎｍ超、または１μｍ超、または１０μｍ超の長さを有する。

ナノ構造は、例えば、金属材料、またはカーボンもしくはグラファイトなどの非金属材料など、いかなる導電性材料から形成されてもよく、カーボンファイバーと銀ナノワイヤとの混合物など、異なる導電性材料から形成されたナノ構造の混合物を含んでよい。

１つの実施形態では、異方性導電性ナノ構造は、異方性導電性金属ナノ構造を含む。金属材料は、元素状金属（例：遷移金属）または金属化合物（例：金属酸化物）であってよい。金属材料はまた、２種類以上の金属を含む金属アロイまたはバイメタル材料であってもよい。適切な金属としては、これらに限定されないが、銀、金、銅、ニッケル、金メッキ銀、白金、およびパラジウムが挙げられる。１つの実施形態では、異方性導電性ナノ構造は、銀ナノワイヤを含む。

１つの実施形態では、異方性導電性ナノ構造は、異方性カーボンまたはグラファイトナノ構造などの異方性導電性非金属ナノ構造を含む。１つの実施形態では、異方性導電性ナノ構造は、カーボンナノファイバーを含む。

１つの実施形態では、異方性導電性ナノ構造は、異方性導電性ナノ構造の１００ｐｂｗに対して、０超から１００ｐｂｗ未満の導電性金属ナノ構造、より典型的には、銀ナノワイヤ、および０超から１００ｐｂｗ未満の導電性非金属ナノ構造、より典型的には、カーボンナノファイバーを含む。

金属ナノワイヤおよび金属ナノチューブは、金属、金属アロイ、メッキ金属、または金属酸化物から形成されたナノワイヤおよびナノチューブである。適切な金属ナノワイヤとしては、これらに限定されないが、銀ナノワイヤ、金ナノワイヤ、銅ナノワイヤ、ニッケルナノワイヤ、金メッキ銀ナノワイヤ、白金ナノワイヤ、およびパラジウムナノワイヤが挙げられる。適切な金属ナノチューブとしては、金ナノチューブが挙げられる。

１つの実施形態では、異方性導電性ナノ構造は、縦長の形状であり、約５から約１５０μｍの縦寸法、および、例えば、約５から約４００ｎｍの平均直径である横寸法を有する。

１つの実施形態では、異方性導電性ナノ構造は、銀ナノチューブを含む。適切な金属ナノチューブは、金属ナノワイヤについて以下で述べるものと類似の寸法を有し、ここで、ナノチューブの場合、直径とは、ナノチューブの外径を意味する。適切な銀ナノチューブは、例えば、Xia, et al.に付与された米国特許第７，５８５，３４９号に開示のものなど、公知の方法によって作製することができる。

１つの実施形態では、対応する本発明のフィルム、組成物、方法、およびデバイスの異方性導電性ナノ構造成分は、銀ナノワイヤを含む。

１つの実施形態では、異方性導電性構造は、約４０から約４００ｎｍ、より典型的には、約４０から約１５０ｎｍの平均直径、および約５から約１５０μｍ、より典型的には、約１０から約１００μｍの平均長さを有する銀ナノワイヤを含む。１つの実施形態では、異方性導電性構造は、約４０ｎｍから約８０ｎｍの平均直径、および約１０から約１００μｍの平均長さを有する銀ナノワイヤを含む。１つの実施形態では、異方性導電性構造は、８０ｎｍ超から約１００ｎｍの平均、および約１０から約８０μｍの平均長さを有する銀ナノワイヤを含む。１つの実施形態では、異方性導電性構造は、１００ｎｍ超、より典型的には、約２００ｎｍから約４００ｎｍの平均直径、および約１０から約５０μｍの平均長さを有する銀ナノワイヤを含む。

１つの実施形態では、異方性導電性構造は、約５ｎｍから２００ｎｍの平均直径、約１０から約１００μｍの平均長さ、および１００超、または１５０超、または２００超、または３００超、または４００超の平均アスペクト比を有する銀ナノワイヤを含む。

適切な銀ナノワイヤは、例えば、ポリビニルピロリドンなどの有機保護剤の存在下、エチレングリコール中での硝酸銀の還元によるなど、例えば、Ducamp-Sanguesa, et. al., Synthesis and Characterization of Fine and Monodisperse Silver Particles of Uniform Shape, Journal of Solid State Chemistry 100, 272-280 (1992)、および２００９年９月８日発行のYounan Xia et. al.に付与された米国特許第７，５８５，３４９号に開示されるように、公知の方法によって作製することができる。銀ナノワイヤは、例えば、ブルーナノ社（Blue Nano Inc.），１７３２５ Ｃｏｎｎｏｒ Ｑｕａｙ Ｃｏｕｒｔ，Ｃｏｒｎｅｌｉｕｓ，ＮＣ ２８０３１，米国、より市販されている。

１つの実施形態では、銀ナノワイヤの作製は、不活性雰囲気中、１７０℃から１８５℃まで、より典型的には、１７０℃から、または１７５℃から、または１７８℃から、１８４℃まで、１８３℃まで、または１８２℃までの温度にて、ならびに、塩化銀の粒子および／または臭化銀の粒子ならびに少なくとも１つの有機保護剤の存在下にて：
（ａ）少なくとも１つのポリオール、および
（ｂ）還元されると金属銀を生成することができる少なくとも１つの銀化合物、
を反応させることによって行われる。

少なくとも１つのポリオールは、反応が行われる液体媒体として、および銀化合物を金属銀へと還元する還元剤として作用する。

反応混合物へ添加される銀化合物の総量は、典型的には、反応混合物の１リットルあたり、約１５×１０^-3から１５０×１０^-3モルの銀化合物である。銀化合物は、典型的には、１０００ｇのポリオールあたり約１０ｇから１００ｇの銀化合物を含むポリオール中の銀化合物の希釈溶液として、反応混合物の温度の低下を避けるのに十分に遅い速度にて、反応混合物へ供給される。

有機保護剤の量は、銀化合物の１ｐｂｗあたり、典型的には、０．１から１０、より典型的には１から５ｐｂｗの有機保護剤である。

理論に束縛されるものではないが、塩化銀の粒子および／または臭化銀の粒子は、銀ナノワイヤの成長を触媒するが、銀ナノワイヤ内に取り込まれることになる反応性「シード」として関与するものではないと考えられる。一般に、ワイヤは、反応混合物の１リットルあたり約５．４×１０^-5モルから約５．４×１０^-3モルの塩化銀の粒子および／または臭化銀の粒子の存在下にて作製される。反応混合物中の塩化銀または臭化銀粒子の濃度は、その他の反応パラメータが等しい場合、銀ナノワイヤ生成物の直径および長さの両方に影響を与えることが見出され、粒子の濃度が高いと、平均直径が小さく、平均長さが短い銀ナノワイヤが生成される傾向にある。ナノワイヤの平均直径および平均長さは、様々であることが見出されたが、ナノワイヤの平均アスペクト比は、塩化銀または臭化銀粒子の広範囲の濃度範囲にわたって実質的に変化せず維持された。

１つの実施形態では、塩化銀および／または臭化銀のコロイド粒子が、反応混合物へ添加される。コロイド粒子は、１０ｎｍから１０μｍ、より典型的には、５０ｎｍから１０μｍの粒子サイズを有していてよい。

１つの実施形態では、塩化銀または臭化銀の粒子は、ポリオール中での予備工程で形成され、ここで、銀化合物およびポリオールは、塩素イオンまたは臭素イオン源の存在下にて、典型的には、１モルの塩素イオンまたは臭素イオンあたり１モル超、より典型的には、約１．０１から約１．２モルの銀化合物という銀化合物が過剰な状態で、反応される。１つの実施形態では、反応混合物の１リットルあたり約０．５４×１０^-4から５．４×１０^-4モルの銀化合物が、反応混合物の１リットルあたり約０．５４×１０^-4から５．４×１０^-4モルの塩素イオンおよび／または臭素イオン源の存在下にて反応されて、反応混合物中に、塩化銀および／または臭化銀のシード粒子が形成される。１つの実施形態では、塩化銀または臭化銀の粒子は、約１４０℃から１８５℃、より典型的には、１６０℃から１８５℃、より典型的には、１７０℃から、または１７５℃から、または１７８℃から、１８４℃まで、１８３℃まで、または１８２℃までの温度にて形成される。塩化銀または臭化銀の粒子の形成は、典型的には、約１分間から１０分間の時間にわたって行われる。

１つの実施形態では、反応混合物の１リットルあたり約１５×１０^-3から１５０×１０^-3モルの銀化合物が、第二の反応工程で添加される。この成長工程は、１７０℃から１８５℃、より典型的には、１７０℃から、または１７５℃から、または１７８℃から、１８４℃まで、１８３℃まで、または１８２℃までの温度にて行われる。反応の第二の反応工程は、典型的には、約１０分間から４時間、より典型的には、３０分間から１時間の時間にわたって行われる。

１つの実施形態では、塩化銀または臭化銀の粒子は、ポリオール中、銀ナノワイヤの形成と同時に単一工程で形成され、ここで、銀化合物およびポリオールは、塩素イオンまたは臭素イオン源の存在下にて、典型的には、銀化合物が非常に大過剰のモル濃度である状態で反応される。単一工程の形成反応は、１７０℃から１８５℃、より典型的には、１７０℃から、または１７５℃から、または１７８℃から、１８４℃まで、１８３℃まで、または１８２℃までの温度にて行われる。単一工程の形成反応は、典型的には、約１０分間から４時間、より典型的には、３０分間から１時間の時間にわたって行われる。

１つの実施形態では、この反応は、窒素またはアルゴン雰囲気などの不活性雰囲気下にて行われる。

適切なポリオールは、少なくとも２つの炭素原子を含み、ＮおよびＯから選択される１つ以上のヘテロ原子を所望に応じてさらに含んでよいコア部分を有する有機化合物であり、ここで、コア部分は、１分子あたり少なくとも２つのヒドロキシル基で置換されており、各ヒドロキシル基は、コア部分の異なる炭素原子と結合している。適切なポリオールは公知であり、例えば、エチレングリコール、プロピレングリコール、およびブタンジオールなどのアルキレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコール、ジプロピレングリコールなどのアルキレンオキシドオリゴマー、ならびにポリエチレングリコールおよびポリプロピレングリコールなどのポリアルキレングリコールなどであるが、ただし、そのようなポリアルキレングリコールは反応温度にて液体である、例えば、グリセロール、トリメチロールプロパン、トリエタノールアミン、およびトリヒドロキシメチルアミノメタンなどのトリオール、ならびに、１分子あたり３つ以上のヒドロキシル基を有する化合物、さらにはそのような化合物のいずれかの２つ以上の混合物、が挙げられる。

適切な銀化合物は、公知であり、酸化銀、水酸化銀、有機銀塩、および無機銀塩が挙げられ、硝酸銀、亜硝酸銀、硫酸銀、塩化銀などのハロゲン化銀、炭酸銀、リン酸銀、テトラフルオロホウ酸銀、スルホン酸銀、例えばギ酸銀、酢酸銀、プロピオン酸銀、ブタン酸銀、トリフルオロ酢酸銀、銀アセトアセトネート、乳酸銀、クエン酸銀、グリコール酸銀などのカルボン酸銀、銀トシレート、トリス（ジメチルピラゾール）ホウ酸銀、ならびにそのような化合物の２つ以上の混合物などである。

適切な有機保護剤は、公知であり、ビニルピロリドンホモポリマーおよびビニルピロリドンコポリマーから選択される１つ以上のビニルピロリドンポリマーが挙げられ、各々の場合において、典型的には、その重量平均分子量は、１モルあたり約１０，０００から約１，５００，０００グラム（ｇ／モル）、より典型的には、１０，０００から２００，０００ｇ／モルである。適切なビニルピロリドンコポリマーは、ビニルピロリドンから誘導されるモノマーユニット、およびエチレン性不飽和芳香族コモノマーから誘導されるモノマーユニットを含み、例えば、ビニルピロリドン／スチレンコポリマーおよびビニルピロリドン／スチレンスルホン酸コポリマーなどである。

適切な塩素イオンおよび／または臭素イオン源としては、塩酸、塩化アンモニウム、塩化カルシウム、塩化第二鉄、塩化リチウム、塩化カリウム、塩化ナトリウム、塩化トリエチルベンジルアンモニウム、塩化テトラブチルアンモニウムなどの塩化物塩、臭化水素酸、および臭化アンモニウム、臭化カルシウム、臭化第二鉄、臭化リチウム、臭化カリウム、臭化ナトリウム、臭化トリエチルベンジルアンモニウム、臭化テトラブチルアンモニウムなどの臭化物塩が挙げられる。１つの実施形態では、塩素イオン源は、塩化リチウムである。

この方法は、典型的には、高収率の銀ナノワイヤを生成する。１つの実施形態では、７０重量％と等しいかもしくはそれより多い銀フィードが、ナノワイヤに変換され、および３０重量％未満の銀フィードが、等方性ナノ粒子に変換され、より典型的には、８０重量％と等しいかもしくはそれより多い銀フィードが、ナノワイヤに変換され、および２０重量％未満の銀フィードが、等方性ナノ粒子に変換され、ならびにさらにより典型的には、９０重量％超の銀フィードが、ナノワイヤに変換され、および１０重量％未満の銀フィードが、等方性ナノ粒子に変換される。

１つの実施形態では、本発明のプロセスで作製された銀ナノワイヤは、５ｎｍから２００ｎｍ、より典型的には、５ｎｍから、または１０ｎｍから、または２０ｎｍから、または２５ｎｍから、または３０ｎｍから、１５０ｎｍまで、または１００ｎｍまで、または７５ｎｍまで、または６０ｎｍまで、または５５ｎｍまで、または５０ｎｍまで、または４５ｎｍまで、または４４ｎｍまで、または４２ｎｍまで、または４０ｎｍまで、または４０ｎｍ未満までの平均直径、および１００超、または１５０超、または２００超、または３００超、または４００超の平均アスペクト比を有する。

１つの実施形態では、銀ナノワイヤは、水性媒体中に分散された銀ナノワイヤを含む分散液の形態で提供される。

１つの実施形態では、ナノワイヤ分散液は、水性媒体中に分散された銀ナノワイヤを含み、ここで、分散液は、銀ナノワイヤの１００ｐｂｗに対して、１ｐｂｗ未満、または０．５ｐｂｗ未満、または０．１ｐｂｗ未満のビニルピロリドンポリマーを含む。１つの実施形態では、分散液は、検出可能な量のビニルピロリドンポリマーを含まない。

１つの実施形態では、ナノワイヤ分散液は、（Ｃ₁−Ｃ₆）アルカノールを含む液体媒体中に分散された銀ナノワイヤ、およびナノワイヤの１，０００，０００ｐｂｗあたり、５００ｐｂｗ未満、または１００ｐｂｗ未満、または１０ｐｂｗ未満、または５ｐｂｗ未満、または１ｐｂｗ未満のポリビニルピロリドンを含む。

１つの実施形態では、銀ナノワイヤは、最初、ポリビニルピロリドンなどのビニルピロリドンポリマーを含むナノワイヤの分散液として提供され、ナノワイヤには、本発明の組成物中にナノワイヤを組み込む前に、またはそうでなければ、ナノワイヤを用いて本発明に従うフィルムを作製する前に、ビニルピロリドンポリマーを除去するための処理が行われる。例えば、ナノワイヤのポリビニルピロリドン含有分散液は、アセトンなどのポリビニルピロリドンが可溶性である有機溶媒で希釈され、次に、例えば遠心分離またはろ過によってナノワイヤが希釈分散液から分離され、次に、例えばアセトン、（Ｃ₁−Ｃ₆）アルカノール、または水性媒体などのポリビニルピロリドンを含まない第二の液体媒体中に再分散される。１つの実施形態では、第二の液体媒体中のナノワイヤの分散液は、遠心分離されて第二の液体媒体からナノワイヤが分離され、ナノワイヤは、別量の第二の液体媒体中に再分散される。１つの実施形態では、遠心分離、分離、および第二の液体媒体中の再分散のサイクルは、少なくとももう１回分繰り返される。

１つの実施形態では、銀ナノワイヤは、最初、グリコールを含む液体媒体中の分散液として提供され、ここで、分散液は、ビニルピロリドンポリマーをさらに含み、分散液は、アセトンで希釈され、希釈分散液は、遠心分離されるか、または重力によって沈殿処理されて、ナノワイヤが希釈分散液の液体媒体から分離され、分離されたナノワイヤは、エタノール中に再分散される。１つの実施形態では、エタノール中のナノワイヤの分散液は、遠心分離されるか、または重力によって沈殿処理されて、エタノール媒体からナノワイヤが分離され、ナノワイヤは、次に、別量のエタノール中に再分散される。１つの実施形態では、遠心分離または沈殿、分離、および第二の液体媒体中の再分散のサイクルは、少なくとももう１回分繰り返される。

１つの実施形態では、銀ナノワイヤは、最初、グリコールを含む液体媒体中の分散液として提供され、ここで、分散液は、ビニルピロリドンポリマーをさらに含み、分散液は、水、アルコール、典型的には１つ以上の（Ｃ₁−Ｃ₆）アルカノール、または水とアルコールとの、典型的には１つ以上の（Ｃ₁−Ｃ₆）アルカノールとの混合物で希釈され、希釈分散液は、遠心分離されるか、または重力によって沈殿処理されて、ナノワイヤが希釈分散液の液体媒体から分離され、分離されたナノワイヤは、水、アルコール、または水とアルコールとの混合物中に再分散される。１つの実施形態では、再分散されたナノワイヤは、遠心分離されるか、または重力によって沈殿処理されて、水または水／アルカノール媒体からナノワイヤが分離され、次に、ナノワイヤは、別量の水、アルコール、または水／アルコール媒体中に再分散される。１つの実施形態では、遠心分離または沈殿、分離、および水、アルコール、または水／アルコール媒体中の再分散のサイクルは、少なくとももう１回分繰り返される。媒体が水を含む場合、媒体は、所望に応じて、界面活性剤をさらに含んでよい。１つの実施形態では、水、または水／アルコール媒体は、非イオン性界面活性剤、より典型的には、ノニルフェノールエトキシレート、オクチルフェノールポリエトキシレート、またはこれらの混合物などの１つ以上のアルカリールアルコキシレートを、典型的には、水または水／アルコール媒体の１００ｐｂｗに対して、０．０５ｐｂｗから５ｐｂｗの非イオン性界面活性剤の量で含む。

本発明のプロセスに従って作製された銀ナノワイヤは、１６０℃で合成された銀ナノワイヤを例とする先行技術のプロセス条件を用いて合成された類似の銀ナノワイヤと比較して、上述の浄化プロセスを用いることにより、残留ビニルピロリドンの除去が容易であることが見出された。

１つの実施形態では、本発明の分散液は、液体媒体、および分散液の１００ｐｂｗに対して、０超から約５ｐｂｗ、より典型的には、約０．１から約５ｐｂｗの媒体中に分散された銀ナノワイヤを含み、ここで、ナノワイヤは、６０ｎｍと等しいかもしくはそれ未満、より典型的には、５ｎｍから、または１０ｎｍから、または２０ｎｍから、または２５ｎｍから、または３０ｎｍから、５５ｎｍまで、または５０ｎｍまで、または４５ｎｍまで、または４４ｎｍまで、または４２ｎｍまで、または４０ｎｍまで、または４０ｎｍ未満までの平均直径、および１００超、または１５０超、または２００超、または３００超の平均アスペクト比を有し、分散液は、銀ナノ構造の１００ｐｂｗあたり、１ｐｂｗと等しいかもしくはそれ未満、または０．５ｐｂｗと等しいかもしくはそれ未満、または０．１ｐｂｗと等しいかもしくはそれ未満のビニルピロリドンポリマーを含む。より典型的には、銀ナノ構造の分散液は、検出可能な量のビニルピロリドンのホモポリマーまたはコポリマーを含まない。

ビニルピロリドンのホモポリマーまたはコポリマーについて、銀ナノワイヤの分散液からその量を減少させるか、またはそれを除去することは、銀ナノワイヤを用いて非常に高い導電性を有する導電性ポリマーフィルムを容易に作製するという点で、非常に有益である。本発明の分散液の銀ナノワイヤを用いることで、ビニルピロリドン保護剤の被覆をナノワイヤの表面から除去してネットワークのナノワイヤ間の金属対金属接触を可能とするための銀ナノワイヤネットワークの熱処理または加熱および圧縮など、先行技術のプロセスでは求められる追加の工程を要することなく、高い導電性を有するポリマーフィルムを作製することができる。

１つの実施形態では、分散液の液体媒体は、水を含む。１つの実施形態では、分散液の液体媒体は、エタノールなどの（Ｃ₁−Ｃ₆）アルコールを含む。１つの実施形態では、分散液の液体媒体は、水、および０超から１００ｐｂｗ未満、より典型的には、約１から約５０ｐｂｗ、さらにより典型的には、約５から２０ｐｂｗの（Ｃ₁−Ｃ₆）アルコールを含む、水性媒体である。分散液の液体媒体中におけるアルコール成分の存在は、分散液中の銀ナノ構造成分の酸化の低減に有益である。

１つの実施形態では、銀ナノワイヤの分散液は、１つ以上の界面活性剤、より典型的には、１つ以上の非イオン性界面活性剤をさらに含む。適切な非イオン性界面活性剤としては、銀ナノワイヤの分散液を安定化されるための、例えばノニルフェノールエトキシレート、オクチルフェノールポリエトキシレート、またはこれらの混合物などのアルカリールアルコキシレート界面活性剤が挙げられる。界面活性剤成分が存在しない場合、分散液のナノワイヤは、凝集し、液体媒体中に再分散することが困難となる傾向にある。分散液のナノワイヤ成分は、液体媒体から沈殿する傾向にあり、分散液の界面活性剤成分は、ナノワイヤの凝集を防止し、分散液の攪拌による液体媒体中のナノワイヤの再分散を可能とする傾向にある。

１つの実施形態では、対応する本発明のポリマー組成物、ポリマーフィルム、および電子デバイスのポリマーフィルム成分は、例えば、ポリマー、染料、コーティング補助剤、導電性粒子、導電性インク、導電性ペースト、電荷移動剤、架橋剤、およびこれらの組み合わせの１つ以上などの１つ以上の追加の成分を、液体キャリア中に溶解または分散されてさらに含む。

１つの実施形態では、本発明のポリマー組成物、ポリマーフィルム、および電子デバイスのポリマーフィルム成分は、例えば、金属ナノ粒子を含む金属粒子、グラファイトファイバーを含むグラファイト粒子、またはカーボンフラーレンおよびカーボンナノチューブを含むカーボン粒子、さらにはそのような添加剤のいずれかの組み合わせなどの１つ以上の導電性添加剤を、異方性導電性ナノ構造成分に加えてさらに含む。適切なフラーレンとしては、例えば、Ｃ６０、Ｃ７０、およびＣ８４フラーレンが挙げられ、これらは各々、例えば（３−メトキシカルボニル）−プロピル−フェニル（「ＰＣＢＭ」）基で誘導体化されていてよく、Ｃ６０−ＰＣＢＭ、Ｃ−７０−ＰＣＢＭ、およびＣ−８４ ＰＣＢＭ誘導体化フラーレンなどである。適切なカーボンナノチューブとしては、アームチェア、ジグザグ、またはキラル構造を有する単層カーボンナノチューブ、さらには二層カーボンナノチューブを含む多層カーボンナノチューブ、およびこれらの混合物が挙げられる。

１つの実施形態では、本発明のポリマー組成物は、導電性ポリマーを液体媒体中に溶解または分散し、異方性導電性ナノ構造を液体キャリア中に分散することにより、典型的には、導電性ポリマーおよび異方性導電性ナノ構造を液体キャリアへ添加し、この混合物を攪拌して分散液を形成することにより、作製される。

１つの実施形態では、本発明に従う導電性ポリマーフィルムは、本発明のポリマー分散液から、本発明のポリマー組成物の層を、例えばキャスティング、スプレーコーティング、スピンコーティング、グラビアコーティング、カーテンコーティング、浸漬コーティング、スロット−ダイコーティング、インクジェット印刷、グラビア印刷、またはスクリーン印刷により、基材上に成膜し、層から液体キャリアを除去することによって作製される。典型的には、液体キャリアの層からの除去は、層の液体キャリア成分を蒸発させることによって行われる。基材に支持された層に、液体キャリアの蒸発を促進するために、高温を施してもよい。

基材は、剛性または可撓性であってよく、例えば、金属、ポリマー、ガラス、紙、またはセラミック材料を含んでよい。１つの実施形態では、基材は、可撓性プラスチックシートである。

ポリマーフィルムは、電子デバイス全体にわたるほど大きい、または実際の表示ディスプレイなどの特定の機能領域ほど小さい、または単一サブピクセルほど小さいものである基材の領域を被覆していてよい。１つの実施形態では、ポリマーフィルムは、０超から約１０μｍ、より典型的には、０から約５０ｎｍの厚さを有する。

１つの実施形態では、本発明のポリマーフィルムは、液体キャリア中に再分散可能ではなく、従って、フィルムは、一連の複数の薄フィルムとして適用され得る。加えて、フィルムは、損傷を受けることなく、液体キャリア中に分散された異なる材料の層によってオーバーコーティングされ得る。

１つの実施形態では、本発明のポリマー組成物は、ポリマー組成物の１００ｐｂｗに対して：
（ｉ）０超から１００ｐｂｗ未満、より典型的には約５０から１００ｐｂｗ未満、さらにより典型的には約９０から約９９．５ｐｂｗの液体キャリア、
（ｉｉ）０超から１００ｐｂｗ未満の導電性ポリマーおよび異方性導電性ナノ構造であって、導電性ポリマーおよび異方性導電性ナノ構造を合わせた量に対して：
（ａ）約１から約９９ｐｂｗ、より典型的には約５０から約９５ｐｂｗ、さらにより典型的には７０から約９２．５ｐｂｗの導電性ポリマー、より典型的には、導電性ポリマーの１００ｐｂｗに対して：
（１）０ｐｂｗ超から１００ｐｂｗ、より典型的には約１０から約５０ｐｂｗ、さらにより典型的には約２０から約５０ｐｂｗの、ＱがＳである構造（Ｉ．ａ）に従うモノマーユニットを含む１つ以上のポリチオフェンポリマー、より典型的には、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）を含む１つ以上のポリチオフェンポリマー、および、
（２）０ｐｂｗから１００ｐｂｗ、より典型的には約５０から約９０ｐｂｗ、さらにより典型的には約５０から約８０ｐｂｗの、１つ以上の水溶性ポリマー酸ドーパント、より典型的には、ポリ（スチレンスルホン酸）ドーパントを含む１つ以上の水溶性ポリマー酸ドーパント、
を含む導電性ポリマー、ならびに、
（ｂ）約１から約９９ｐｂｗ、より典型的には約５から約５０ｐｂｗ、さらにより典型的には約７．５から約３０ｐｂｗの異方性導電性ナノ構造、より典型的には、銀ナノワイヤ、カーボンナノファイバー、またはこれらの混合物を含む異方性導電性ナノ構造、
を含む、導電性ポリマーおよび異方性導電性ナノ構造、
を含む。

１つの実施形態では、本発明の対応するポリマーフィルムの異方性導電性ナノ構造成分および／または本発明の電子デバイスのポリマーフィルム成分は、銀ナノワイヤを作製するための本発明の方法に従って作製された銀ナノワイヤを含む。

１つの実施形態では、本発明のポリマー組成物は、ポリマー組成物の１００ｐｂｗに対して：
（ａ）約７０から約９９．９ｐｂｗ、より典型的には約９５から約９９．５ｐｂｗ、さらにより典型的には約９７から約９９ｐｂｗの液体キャリア、
（ｂ）約０．１から約２８ｐｂｗ、より典型的には約０．５から約５ｐｂｗ、さらにより典型的には約０．７から約２．８ｐｂｗの導電性ポリマー、および、
（ｃ）約０．１から約１０ｐｂｗ、より典型的には約０．０１から約４．５ｐｂｗ、さらにより典型的には約０．０７５から約１．０ｐｂｗの、銀ナノワイヤ、カーボンナノファイバー、およびこれらの混合物から選択される異方性導電性ナノ構造、
を含む。

１つの実施形態では、対応する本発明のポリマーフィルムおよび本発明の電子デバイスのポリマーフィルム成分は、各々、ポリマーフィルムの１００ｐｂｗに対して：
（ｉ）約１から約９９ｐｂｗ、より典型的には約５０から約９５ｐｂｗ、さらにより典型的には約７０から約９２．５ｐｂｗの導電性ポリマー、および、
（ｉｉ）約１から約９９ｐｂｗ、より典型的には約５から約５０ｐｂｗ、さらにより典型的には約７．５から約３０ｐｂｗの、銀ナノワイヤ、カーボンナノファイバー、およびこれらの混合物から選択される異方性導電性ナノ構造、
を含む。

１つの実施形態では、対応する本発明のポリマーフィルムおよび本発明の電子デバイスのポリマーフィルム成分は、ポリマーフィルムの１００ｐｂｗに対して：
（ａ）約１から約９９ｐｂｗ、より典型的には約５０から約９５ｐｂｗ、さらにより典型的には７０から約９２．５ｐｂｗの導電性ポリマー、より典型的には、導電性ポリマーの１００ｐｂｗに対して：
（１）０ｐｂｗ超から１００ｐｂｗ、より典型的には約１０から約５０ｐｂｗ、さらにより典型的には約２０から約５０ｐｂｗの、ＱがＳである構造（Ｉ．ａ）に従うモノマーユニットを含む１つ以上のポリチオフェンポリマー、より典型的には、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）を含む１つ以上のポリチオフェンポリマー、および、
（２）０ｐｂｗから１００ｐｂｗ、より典型的には約５０から約９０ｐｂｗ、さらにより典型的には約５０から約８０ｐｂｗの、１つ以上の水溶性ポリマー酸ドーパント、より典型的には、ポリ（スチレンスルホン酸）ドーパントを含む１つ以上の水溶性ポリマー酸ドーパント、
を含む導電性ポリマー、ならびに、
（ｂ）約１から約９９ｐｂｗ、より典型的には約５から約５０ｐｂｗ、さらにより典型的には約７．５から約３０ｐｂｗの異方性導電性ナノ構造、より典型的には、銀ナノワイヤ、カーボンナノファイバー、またはこれらの混合物を含む異方性導電性ナノ構造、
を含む。

１つの実施形態では、対応する本発明のポリマーフィルムおよび本発明の電子デバイスのポリマーフィルム成分は、ポリマーフィルムの１００ｐｂｗに対して：
（ａ）約１から約９９ｐｂｗ、より典型的には約５０から約９５ｐｂｗ、さらにより典型的には７０から約９２．５ｐｂｗの導電性ポリマーであって、導電性ポリマーの１００ｐｂｗに対して：
（１）約２０から約５０ｐｂｗのポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）、および、
（２）約５０から約８０ｐｂｗのポリ（スチレンスルホン酸）ドーパント、
を含む、導電性ポリマー、ならびに、
（ｂ）約１から約９９ｐｂｗ、より典型的には約５から約５０ｐｂｗ、さらにより典型的には約７．５から約３０ｐｂｗの異方性導電性ナノ構造、より典型的には、銀ナノワイヤ、カーボンナノファイバー、またはこれらの混合物を含む、さらにより典型的には、約１０から約１５０ｎｍの平均直径および約１０から約１００μｍの平均長さを有する銀ナノワイヤを含む異方性導電性ナノ構造、であって、ここで、銀ナノワイヤを含む実施形態では、フィルムは、典型的には、銀ナノワイヤの１００重量部に対して、１重量部未満のビニルピロリドンポリマーを含むものである、異方性導電性ナノ構造、
を含む。

１つの実施形態では、本発明のポリマーフィルムは、導電性ポリマーを含むマトリックス中に分散された銀ナノワイヤを含み、ここで、フィルムは、銀ナノワイヤの１００重量部に対して、１重量部未満のビニルピロリドンポリマーを含む。

１つの実施形態では、フィルムは、フィルムの１００ｐｂｗに対して、１ｐｂｗから３５ｐｂｗの銀ナノワイヤ、および６５ｐｂｗから９９ｐｂｗのポリマーを含む。

１つの実施形態では、フィルムの銀ナノワイヤは、ネットワークを形成しており、ここで、ナノワイヤの１つ以上が、より典型的には、ナノワイヤの大部分の各々が、さらにより典型的には、ナノワイヤの各々が、他のナノワイヤの少なくとも１つと物理的に接触している。

１つの実施形態では、本発明のポリマーフィルムは、導電性ポリマーを含むマトリックス中に分散されたカーボンナノファイバーを含む。

１つの実施形態では、フィルムは、フィルムの１００ｐｂｗに対して、１ｐｂｗから３５ｐｂｗのカーボンナノファイバー、および６５ｐｂｗから９９ｐｂｗのポリマーを含む。

１つの実施形態では、フィルムのカーボンナノファイバーは、ネットワークを形成しており、ここで、ナノファイバーの１つ以上が、より典型的には、ナノファイバーの大部分の各々が、さらにより典型的には、ナノファイバーの各々が、他のナノファイバーの少なくとも１つと物理的に接触している。

１つの実施形態では、対応する本発明のポリマーフィルムおよび／または本発明の電子デバイスのポリマーフィルム成分は、銀ナノワイヤを含む。

１つの実施形態では、対応する本発明のポリマーフィルムおよび／または本発明の電子デバイスのポリマーフィルム成分は、銀ナノワイヤを作製するための本発明の方法に従って作製された銀ナノワイヤを含む。

本発明に従うポリマーフィルムは、典型的には、高い導電性および高い光学的透明性を示し、光学的透明性と組み合わせて高い導電性が所望される電子デバイスの層として有用である。

１つの実施形態では、対応する本発明のポリマーフィルムおよび本発明の電子デバイスのポリマーフィルム成分は、各々、単位スクエアあたり１０００オーム（「Ω／□」）と等しいかもしくはそれ未満、または５００Ω／□と等しいかもしくはそれ未満、または２００Ω／□と等しいかもしくはそれ未満、または１２５Ω／□と等しいかもしくはそれ未満、または１００Ω／□と等しいかもしくはそれ未満、または５０Ω／□と等しいかもしくはそれ未満、または２０Ω／□と等しいかもしくはそれ未満、または１５Ω／□と等しいかもしくはそれ未満、または１０Ω／□と等しいかもしくはそれ未満、または５Ω／□と等しいかもしくはそれ未満、または１Ω／□と等しいかもしくはそれ未満のシート抵抗を示す。

１つの実施形態では、対応する本発明のポリマーフィルムおよび本発明の電子デバイスのポリマーフィルム成分は、銀ナノワイヤを、フィルムの１００ｐｂｗあたり、典型的に０超から約５０ｐｂｗまで、または約４０ｐｂｗまで、または約３０ｐｂｗまでの銀ナノワイヤで含み、対応するフィルムは、各々：
フィルムが、フィルムの１００ｐｂｗあたりＸ₁ｐｂｗの銀ナノワイヤに等しいかもしくはそれ未満の量であって、ここで、Ｘ₁は、（１０５０／ナノワイヤの平均アスペクト比）と等しい数である、量のナノワイヤを含む場合、式（２．１）：
ＳＲ ＝ −６２．４Ｘ ＋ ３０８ 式（２．１）
に従って算出されるものと等しいかもしくはそれ未満、または、
フィルムが、フィルムの１００ｐｂｗあたりＸ₁ｐｂｗよりも多い銀ナノワイヤを含む場合、式（２．２）：
ＳＲ ＝ −２．８Ｘ ＋ Ｂ₁ 式（２．２）
に従って算出されるものと等しいかもしくはそれ未満、
であるシート抵抗を示し、
ここで：
ＳＲは、シート抵抗であり、Ω／□の単位で表され、および、
Ｘは、フィルム中の銀ナノワイヤの量であり、フィルムの１００ｐｂｗあたりの銀ナノワイヤのｐｂｗとして表され、および、
Ｂ₁は、１７５、または１５０、または１２５、または１００である。
平均アスペクト比の代表的な値および対応するＸ₁の値を、以下の表に示す。
例えば、フィルムの１００ｐｂｗあたり１０ｐｂｗの銀ナノワイヤをフィルムが含む場合の本発明のポリマーフィルムの実施形態では、銀ナノワイヤは、２００の平均アスペクト比を有し、Ｂ₁は、１５０であり、このフィルムは、−２．８（１０） ＋ １５０ ＝ １２２Ω／□と等しいかもしくはそれ未満の表面抵抗を示すことになる。

１つの実施形態では、対応する本発明のポリマーフィルムおよび本発明の電子デバイスのポリマーフィルム成分が、２ｐｂｗと等しいかもしくはそれより多い、２．５ｐｂｗと等しいかもしくはそれより多い、または３ｐｂｗと等しいかもしくはそれより多い、３．５ｐｂｗと等しいかもしくはそれより多い、または４ｐｂｗと等しいかもしくはそれより多い、４．５ｐｂｗと等しいかもしくはそれより多い、または５ｐｂｗと等しいかもしくはそれより多く、約５０ｐｂｗまで、または約４０ｐｂｗまで、または約３０ｐｂｗまでの銀ナノワイヤを、フィルムの１００ｐｂｗあたり含む場合、各々は、上記の式（２．２）に従って算出されるものと等しいかもしくはそれ未満のシート抵抗を示す。

１つの実施形態では、対応する本発明のポリマーフィルムおよび本発明の電子デバイスのポリマーフィルム成分は、各々、１％と等しいかもしくはそれより大きい、または５０％と等しいかもしくはそれより大きい、または７０％と等しいかもしくはそれより大きい、または７５％と等しいかもしくはそれより大きい、または８０％と等しいかもしくはそれより大きい、または９０％と等しいかもしくはそれより大きい、５５０ｎｍにおける光学的透過率を示す。

１つの実施形態では、対応する本発明のポリマーフィルムおよび本発明の電子デバイスのポリマーフィルム成分が、銀ナノワイヤを、典型的には、フィルムの１００ｐｂｗあたり、０超から約５０ｐｂｗまで、または約４０ｐｂｗまで、または約３０ｐｂｗまでの銀ナノワイヤで含む場合、対応するフィルムは、各々、式（３）：
Ｔ ＝ −０．６６Ｘ ＋ Ｂ₂ 式（３）
に従って算出されるものと等しいかもしくはそれより大きい、５５０ｎｍにおける光学的透過率を示し、
ここで：
Ｔは、光学的透過率であり、パーセント（％）として表され、および、
Ｘは、フィルム中の銀ナノワイヤの量であり、フィルムの１００ｐｂｗあたりの銀ナノワイヤのｐｂｗとして表され、および、
Ｂ₂は、５０、または５５、または６０、または６５、または７０、または７５、または８０、または８５、または９０、または９５である。

１つの実施形態では、対応する本発明のポリマーフィルムおよび本発明の電子デバイスのポリマーフィルム成分は、各々、１０００Ω／□と等しいかもしくはそれ未満、または２００Ω／□と等しいかもしくはそれ未満、または１２５Ω／□と等しいかもしくはそれ未満、または１００Ω／□と等しいかもしくはそれ未満、または７５Ω／□と等しいかもしくはそれ未満、または５０Ω／□と等しいかもしくはそれ未満のシート抵抗、および５０％と等しいかもしくはそれより大きい、または７０％と等しいかもしくはそれより大きい、または８０％と等しいかもしくはそれより大きい、または９０％と等しいかもしくはそれより大きい、５５０ｎｍにおける光学的透過率を示す。

１つの実施形態では、対応する本発明のポリマーフィルムおよび本発明の電子デバイスのポリマーフィルム成分は、各々、任意の銀ナノワイヤ含有量に対して、上記の式２．１または２．２によって算出されるものと等しいかもしくはそれ未満のシート抵抗、および上記の式（３）に従って算出されるものと等しいかもしくはそれより大きい、５５０ｎｍにおける光学的透過率を示す。

１つの実施形態では、対応する本発明のポリマーフィルムおよび本発明の電子デバイスのポリマーフィルム成分が、２ｐｂｗと等しいかもしくはそれより多い、２．５ｐｂｗと等しいかもしくはそれより多い、または３ｐｂｗと等しいかもしくはそれより多い、３．５ｐｂｗと等しいかもしくはそれより多い、または４ｐｂｗと等しいかもしくはそれより多い、４．５ｐｂｗと等しいかもしくはそれより多い、または５ｐｂｗと等しいかもしくはそれより多く、約５０ｐｂｗまで、または約４０ｐｂｗまで、または約３０ｐｂｗまでの銀ナノワイヤを、フィルムの１００ｐｂｗあたり含む場合、各々は、上記の式（２．２）に従って算出されるものと等しいかもしくはそれ未満のシート抵抗、および上記の式（３）に従って算出されるものと等しいかもしくはそれより大きい、５５０ｎｍにおける光学的透過率を示す。

１つの実施形態では、対応する本発明のポリマーフィルムおよび本発明の電子デバイスのポリマーフィルム成分は、各々、１００Ω／□と等しいかもしくはそれ未満のシート抵抗、および９０％と等しいかもしくはそれより大きい、５５０ｎｍにおける光学的透過率を示す。

１つの実施形態では、対応する本発明のポリマーフィルムおよび本発明の電子デバイスのポリマーフィルム成分は、各々、１５Ω／□と等しいかもしくはそれ未満のシート抵抗、および７０％と等しいかもしくはそれより大きい、５５０ｎｍにおける光学的透過率を示す。

１つの実施形態では、対応する本発明のポリマーフィルムおよび本発明の電子デバイスのポリマーフィルム成分は、各々、５Ω／□と等しいかもしくはそれ未満のシート抵抗、および５０％と等しいかもしくはそれより大きい、５５０ｎｍにおける光学的透過率を示す。

１つの実施形態では、本発明に従うポリマーフィルムは、電子デバイスの層として用いられる。

１つの実施形態では、本発明に従うポリマーフィルムは、電子デバイスの電極層として、より典型的にはアノード層として用いられる。

１つの実施形態では、本発明に従うポリマーフィルムは、電子デバイスのバッファー層として用いられる。

１つの実施形態では、本発明に従うポリマーフィルムは、電子デバイスの組み合わせられた電極およびバッファー層として、典型的には組み合わせられたアノードおよびバッファー層として用いられる。

本発明の導電性フィルムの表面は、いくつかの実施形態において、キャスティングされた状態では、ある程度の表面粗さを示す場合があり、表面粗さを、例えば、ＲＭＳ表面粗さで１０ｎｍと等しいかもしくはそれ未満、または５ｎｍと等しいかもしくはそれ未満、または１ｎｍと等しいかもしくはそれ未満までさらに低下させる目的で、フィルムを電子デバイスの層として用いる前に、導電性ポリマーの平滑化層で所望に応じてコーティングされてよい。

１つの実施形態では、対応する本発明のポリマーフィルムおよび本発明の電子デバイスのポリマーフィルム成分の異方性導電性ナノ構造成分は、６０ｎｍ未満、より典型的には、５ｎｍから、または１０ｎｍから、または２０ｎｍから、または２５ｎｍから、または３０ｎｍから、５５ｎｍまで、または５０ｎｍまで、または４５ｎｍまで、または４４ｎｍまで、または４２ｎｍまで、または４０ｎｍまでの平均直径、および１００超、または１５０超、または２００超、または３００超、または４００ｎｍ超の平均アスペクト比を有する銀ナノワイヤであり、キャスティングされた状態で、すなわち、平滑化層の適用なしにおいて、例えば、２０ｎｍと等しいかもしくはそれ未満、または１５ｎｍと等しいかもしくはそれ未満、または１０ｎｍと等しいかもしくはそれ未満のＲＭＳ表面粗さなどの低い表面粗さを示す。より高い表面粗さを有するフィルムと比較すると、本発明のフィルムの低表面粗さの実施形態が必要とするのは、より薄い平滑化層であり、より容易に、信頼性高く平滑化されて、非常に低い表面粗さを有する表面が提供される。

１つの実施形態では、本発明の電子デバイスは、図１に示すように、電子デバイス１００であり、アノード層１０１、電気活性層１０４、およびカソード層１０６を有し、所望に応じて、さらに、バッファー層１０２、ホール輸送層１０３、および／または電子注入／輸送層もしくは閉じ込め層１０５を有していてよく、ここで、デバイスの層の少なくとも１つは、本発明に従うポリマーフィルムである。デバイス１００は、さらに、支持体または基材（図示せず）を含んでよく、これは、アノード層１０１またはカソード層１０６に隣接してよく、より典型的には、アノード層１０１に隣接してよい。支持体は、可撓性または剛性、有機または無機であってよい。適切な支持体材料としては、例えば、ガラス、セラミック、金属、およびプラスチックフィルムが挙げられる。

１つの実施形態では、デバイス１００のアノード層１０１は、本発明に従うポリマーフィルムを含む。本発明のポリマーフィルムは、その高い導電性のために、デバイス１００のアノード層１０６として特に適している。

１つの実施形態では、アノード層１０１自体は、多層構造を有しており、本発明に従うポリマーフィルムの層を、典型的には多層アノードの最上層として、および各々が金属、混合金属、アロイ、金属酸化物、または混合酸化物を含む１つ以上のさらなる層を含む。適切な材料としては、第２族元素（すなわち、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｒａ）の混合酸化物、第１１族元素、第４、５、および６族の元素、ならびに第８〜１０族遷移元素が挙げられる。アノード層１０１を、光透過性とするべきである場合は、インジウム−スズ−酸化物などの第１２、１３、および１４族元素の混合酸化物を用いてよい。本明細書で用いられる場合、「混合酸化物」の語句は、第２族元素または第１２、１３、もしくは１４族元素から選択される２つ以上の異なるカチオンを有する酸化物を意味する。アノード層１０１のための材料のいくつかの限定されない具体例としては、これらに限定されないが、インジウム−スズ−酸化物（「ＩＴＯ」）、インジウム−亜鉛−酸化物、アルミニウム−スズ−酸化物、金、銀、銅、およびニッケルが挙げられる。混合酸化物層は、化学もしくは物理蒸着プロセス、またはスピン−キャストプロセスによって形成してよい。化学蒸着は、プラズマ化学蒸着（「ＰＥＣＶＤ」）または有機金属化学蒸着（「ＭＯＣＶＤ」）として行ってよい。物理蒸着は、イオンビームスパッタリングを含むすべての形態のスパッタリング、ならびにｅ−ビーム蒸発、および抵抗蒸発を含み得る。物理蒸着の具体的な形態としては、高周波マグネトロンスパッタリング、および誘導結合プラズマ物理蒸着（「ＩＭＰ−ＰＶＤ」）が挙げられる。これらの蒸着法は、半導体製造の技術分野にて公知である。

１つの実施形態では、混合酸化物層は、パターン化される。パターンは、所望に従って様々であってよい。パターンを有する層は、例えば、第一の電気接触層材料を適用する前に、パターン化されたマスクまたはレジストを第一の可撓性コンポジットバリア構造上へ配置することによって形成されてよい。別の選択肢として、層は、全体の層として適用されてよく（ブランケット成膜とも称される）、続いて、例えば、パターン化されたレジスト層および湿式化学的または乾式エッチング法を用いてパターン化される。本技術分野にて公知であるその他のパターン化プロセスを用いてもよい。

１つの実施形態では、デバイス１００は、バッファー層１０２を含み、バッファー層１０２は、本発明に従うポリマーフィルムを含む。

１つの実施形態では、別個のバッファー層１０２は存在せず、アノード層１０１が、組み合わされたアノードおよびバッファー層として機能する。１つの実施形態では、組み合わされたアノード／バッファー層１０１は、本発明に従うポリマーフィルムを含む。

ある実施形態では、所望に応じて存在してよいホール輸送層１０３が、アノード層１０１と電気活性層１０４との間、または、バッファー層１０２を含む実施形態では、バッファー層１０２と電気活性層１０４との間のいずれかに存在する。ホール輸送層１０３は、１つ以上のホール輸送分子および／またはポリマーを含んでよい。一般的に用いられるホール輸送分子としては、これらに限定されないが：４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニル−アミノ）−トリフェニルアミン（ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ−３−メチルフェニル−Ｎ−フェニル−アミノ）−トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）、１，１−ビス［（ジ−４−トリルアミノ）フェニル］シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−エチルフェニル）−［１，１’−（３，３’−ジメチル）ビフェニル］−４，４’−ジアミン（ＥＴＰＤ）、テトラキス−（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−２，５−フェニレンジアミン（ＰＤＡ）、アルファ−フェニル−４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチレン（ＴＰＳ）、ｐ−（ジエチルアミノ）ベンズアルデヒドジフェニルヒドラゾン（ＤＥＨ）、トリフェニルアミン（ＴＰＡ）、ビス［４−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）−２−メチルフェニル］（４−メチルフェニル）メタン（ＭＰＭＰ）、１−フェニル−３−［ｐ−（ジエチルアミノ）スチリル］−５−［ｐ−（ジエチルアミノ）フェニル］ピラゾリン（ＰＰＲまたはＤＥＡＳＰ）、１，２−トランス−ビス（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）シクロブタン（ＤＣＺＢ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（ＴＴＢ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（フェニル）ベンジジン（アルファ−ＮＰＢ）、および銅フタロシアニンなどのポルフィリン系化合物が挙げられる。一般的に用いられるホール輸送ポリマーとしては、これらに限定されないが、ポリビニルカルバゾール、（フェニルメチル）ポリシラン、ポリ（ジオキシチオフェン）、ポリアニリン、およびポリピロールが挙げられる。ホール輸送ポリマーは、上述のものなどのホール輸送分子を、ポリスチレンおよびポリカーボネートなどのポリマー中へドーピングすることによって得ることも可能である。

電気活性層１０４の組成は、デバイス１００の意図する機能に応じて異なり、例えば、電気活性層１０４は、電圧の印加によって活性化される発光層（発光ダイオードまたは発光電気化学セルにおけるなど）、または放射エネルギーに応答してバイアス電圧の印加有りまたは無しにてシグナルを発生させる材料の層（光検出器におけるなど）であってよい。１つの実施形態では、電気活性層１０４は、有機エレクトロルミネッセンス（「ＥＬ」）材料を含み、例えば、エレクトロルミネッセンス小分子有機化合物、エレクトロルミネッセンス金属複合体、およびエレクトロルミネッセンス共役ポリマー、ならびにこれらの混合物などである。適切なＥＬ小分子有機化合物としては、例えば、ピレン、ペリレン、ルブレン、およびクマリン、ならびにこれらの誘導体およびこれらの混合物が挙げられる。適切なＥＬ金属複合体としては、例えば、トリス（８−ヒドロキシキノレート）アルミニウムなどの金属キレート化オキシノイド化合物、Petrov et al.の米国特許第６，６７０，６４５号に開示されるようにイリジウムとフェニルピリジン、フェニルキノリン、またはフェニルピリミジンリガンドとの複合体などのシクロメタレーションされたイリジウムおよび白金のエレクトロルミネッセンス化合物、および、例えば公開されたＰＣＴ出願ＷＯ０３／００８４２４、ＷＯ０３／０９１６８８、およびＷＯ０３／０４０２５７に開示されるものなどの有機金属複合体、ならびにそのようなＥＬ金属複合体のいずれかの混合物が挙げられる。ＥＬ共役ポリマーの例としては、これらに限定されないが、ポリ（フェニレンビニレン）、ポリフルオレン、ポリ（スピロビフルオレン）、ポリチオフェン、およびポリ（ｐ−フェニレン）、ならびにこれらのコポリマーおよびこれらの混合物が挙げられる。

所望に応じて存在してよい層１０５は、電子注入／輸送層、および／または閉じ込め層として機能することができる。より具体的には、層１０５は、電子移動度を高め、これがなければ層１０４および１０６が直接接触する場合の失活反応の可能性を低減し得る。所望に応じて存在してよい層１０５に適する材料の例としては、例えば、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（パラ−フェニル−フェノラート）アルミニウム（ＩＩＩ）（ＢＡＩＱ）およびトリス（８−ヒドロキシキノラート）アルミニウム、テトラキス（８−ヒドロキシキノリナート）ジルコニウムなどの金属キレート化オキシノイド化合物、２−（４−ビフェニルイル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）、３−（４−ビフェニルイル）−４−フェニル−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）、および１，３，５−トリ（フェニル−２−ベンズイミダゾール）ベンゼン（ＴＰＢＩ）などのアゾール化合物、２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリンなどのキノキサリン誘導体、９，１０−ジフェニルフェナントロリン（ＤＰＡ）および２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＤＤＰＡ）などのフェナントロリン誘導体、ならびにこれらの混合物が挙げられる。別の選択肢として、所望に応じて存在してよい層１０５は、例えばＢａＯ、ＬｉＦ、Ｌｉ₂Ｏなどの無機材料を含んでよい。

カソード層１０６は、アノード層１０１よりも低い仕事関数を有するいかなる金属または非金属であってもよい。１つの実施形態では、アノード層１０１は、約４．４ｅＶと等しいかもしくはそれより大きい仕事関数を有し、カソード層１０６は、約４．４ｅＶ未満の仕事関数を有する。カソード層１０６として用いるのに適する材料は、本技術分野で公知であり、例えば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、およびＣｓなどの第１族のアルカリ金属、Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａなどの第２族金属、第１２族金属、Ｃｅ、Ｓｍ、およびＥｕなどのランタニド、ならびにアクチニド、さらにはアルミニウム、インジウム、イットリウム、およびこれらのいずれかの材料の組み合わせが挙げられる。カソード層１０６に適する材料の具体的な限定されない例としては、これらに限定されないが、バリウム、リチウム、セリウム、セシウム、ユーロピウム、ルビジウム、イットリウム、マグネシウム、サマリウム、ならびにこれらの合金および組み合わせが挙げられる。カソード層１０６は、典型的には、化学または物理蒸着プロセスによって形成される。ある実施形態では、カソード層は、アノード層１０１に関して上記で考察したように、パターン化される。

１つの実施形態では、封入層（図示せず）が、カソード層１０６上に成膜され、水および酸素などの望ましくない成分がデバイス１００へ侵入することが防止される。そのような成分は、電気活性層１０４に有害な影響を及ぼし得る。１つの実施形態では、封入層は、バリア層またはフィルムである。１つの実施形態では、封入層は、ガラス蓋である。

図１に示されてはいないが、デバイス１００が、追加の層を含んでいてよいことは理解される。本技術分野またはそれ以外で公知のその他の層を用いてよい。加えて、上述の層のいずれも、２つ以上のサブ層を含んでよく、または積層構造を形成してよい。別の選択肢として、アノード層１０１、バッファー層１０２、ホール輸送層１０３、電子輸送層１０５、カソード層１０６、およびいずれの追加の層についても、そのうちのいくつか、またはすべてが、デバイスの電荷キャリア輸送効率またはその他の物理特性を向上させるために、処理、特に表面処理を施されてよい。成分層の各々に対する材料の選択は、典型的には、高デバイス効率を有するデバイスを提供するという目的と、デバイスの作動寿命についての考慮、製造の時間および複雑さについての因子、ならびに当業者によって理解されるその他の考慮とのバランスによって決定される。最適な成分、成分構成、および組成内容の決定は、当業者であれば通常の手順であることは理解される。

電子デバイスの種々の層は、蒸着、液体成膜（連続的および非連続的技術）、および熱転写を含む従来の成膜技術のいずれによって形成されてもよい。連続的成膜技術としては、これらに限定されないが、スピンコーティング、グラビアコーティング、カーテンコーティング、浸漬コーティング、スロット−ダイコーティング、スプレーコーティング、および連続ノズルコーティングが挙げられる。非連続的成膜技術としては、これらに限定されないが、インクジェット印刷、グラビア印刷、およびスクリーン印刷が挙げられる。デバイスのその他の層は、そのような層によってもたらされる機能を考慮して、そのような層に有用であることが公知であるいかなる材料から作製されてもよい。

デバイス１００の１つの実施形態では、種々の層が、以下の範囲の厚さ：
アノード層１０１、典型的には、５００〜５０００オングストローム（「Å」）、より典型的には、１０００〜２０００Å、
所望に応じて存在してよいバッファー層１０２：典型的には、５０〜２０００Å、より典型的には、２００〜１０００Å、
所望に応じて存在してよいホール輸送層１０３：典型的には、５０〜２０００Å、より典型的には、１００〜１０００Å、
光活性層１０４：典型的には、１０〜２０００Å、より典型的には、１００〜１０００Å、
所望に応じて存在してよい電子輸送層：典型的には、１０５、５０〜２０００Å、より典型的には、１００〜１０００Å、および、
カソード層１０６：典型的には、２００〜１００００Å、より典型的には、３００〜５０００Å、
を有する。本技術分野で公知のように、デバイス中の電子−ホール再結合ゾーンの位置、従ってデバイスの発光スペクトルは、各層の相対厚さに影響され得る。層厚さの適切な比率は、デバイスおよび用いられる材料の厳密な性質に依存する。

１つの実施形態では、本発明の電子デバイスは：
（ａ）アノードまたは組み合わせたアノードおよびバッファー層１０１、
（ｂ）カソード層１０６
（ｃ）電気活性層１０４、アノード層１０１とカソード１０６との間に配置、
（ｄ）所望に応じて存在してよいバッファー層１０２、典型的には、アノード層１０１と電気活性層１０４との間に配置、
（ｅ）所望に応じて存在してよいホール輸送層１０５、典型的には、アノード層１０１と電気活性層１０４との間に配置、またはバッファー層１０２が存在する場合、バッファー層１０２と電気活性層１０４との間、ならびに、
（ｆ）所望に応じて存在してよい電子注入層１０５、典型的には、電気活性層１０４とカソード層１０６との間に配置、
を含み、ここで、デバイスの層の少なくとも１つ、典型的には、アノードまたは組み合わせたアノードおよびバッファー層１０１ならびに、存在する場合は、バッファー層１０２の少なくとも１つは、本発明に従うポリマーフィルム、すなわち、以下の混合物：
（ｉ）導電性ポリマー、および、
（ｉｉ）異方性導電性ナノ構造、
を含むポリマーフィルムを含む。

本発明の電子デバイスは、半導体材料の１つ以上の層を含み、そのような１つ以上の層を通しての制御された電子の移動を利用するものであるいかなるデバイスであってもよく、例えば：
発光ダイオード、発光ダイオードディスプレイ、ダイオードレーザー、またはライティングパネルなどを例とする、電気エネルギーを放射線に変換するデバイス、
光検出器、光導電セル、フォトレジスター、光スイッチ、フォトトランジスター、光電管、赤外（「ＩＲ」）検出器、またはバイオセンサーなどを例とする、電子プロセスを通してシグナルを検出するデバイス、
光起電力デバイスまたは太陽電池などを例とする、放射線を電気エネルギーに変換するデバイス、および、
トランジスターまたはダイオードなどを例とする、１つ以上の半導体層を有する１つ以上の電子部品を含むデバイス、
などである。

１つの実施形態では、本発明の電子デバイスは、電気エネルギーを放射線に変換するためのデバイスであり、本発明に従うポリマーフィルムを含むアノード１０１、カソード層１０６、アノード層１０１とカソード層１０６との間に配置された電気エネルギーを放射線に変換する能力を有する電気活性層１０４を含み、ならびに所望に応じて、バッファー層１０２、ホール輸送層１０３、および／または電子注入層１０５をさらに含んでよい。１つの実施形態では、デバイスは、発光ダイオード（「ＬＥＤ」）デバイスであり、デバイスの電気活性層１０４は、エレクトロルミネッセンス材料であり、さらにより典型的には、デバイスは、有機発光ダイオード（「ＯＬＥＤ」）デバイスであり、デバイスの電気活性層１０４は、有機エレクトロルミネッセンス材料である。１つの実施形態では、ＯＬＥＤデバイスは、「アクティブマトリックス」ＯＬＥＤディスプレイであり、この場合、光活性有機フィルムの個々の被覆層は、電流の通過によって独立して励起されることが可能であり、それによって、個々のピクセルの発光が引き起こされる。別の実施形態では、ＯＬＥＤは、「パッシブマトリックス」ＯＬＥＤディスプレイであり、この場合、光活性有機フィルムの被覆層は、電気接触層の行および列による励起が可能である。

１つの実施形態では、本発明の電子デバイスは、放射線を電気エネルギーに変換するためのデバイスであり、本発明に従うポリマーフィルムを含むアノード１０１、カソード層１０６、アノード層１０１とカソード層１０６との間に配置された放射線を電気エネルギーに変換する能力を有する材料を含む電気活性層１０４を含み、ならびに所望に応じて、バッファー層１０２、ホール輸送層１０３、および／または電子注入層１０５をさらに含んでよい。

電気エネルギーを放射線に変換するためのデバイスなどのデバイス１００の１つの実施形態の運転では、適切な電源（図示せず）からの電圧が、デバイス１００に印加され、それによって、電流がデバイス１００の層を通って流れ、電子が、電気活性層１０４に進入し、放射線に変換されるものであり、例えばエレクトロルミネッセンスデバイスの場合は、電気活性層１０４からのフォトンの放出、などである。

放射線を電気エネルギーに変換するためのデバイスなどのデバイス１００の別の実施形態の運転では、デバイス１００は、放射線に暴露され、これが電気活性層１０４に当たり、デバイスの層を通る電流の流れに変換される。

実施例１〜１６および比較例Ｃ１
実施例１から１６および比較例Ｃ１の分散液およびポリマーフィルムを、以下のようにして作製した。

水およびジメチルスルホキシド（「ＤＭＳＯ」）中のＰＥＤＯＴ：ＰＳＳポリマーの分散液を以下のようにして作製した。１１．１１ｇの１８％ ポリ（スチレンスルホン酸）ＰＳＳＨ溶液（１０．９ｍｍｏｌのモノマー）を８５ｍＬの脱イオン水中に溶解し、８０ｍｇ（５．６ｍｍｏｌ）のＥＤＯＴを添加した。激しく攪拌した後、１．８ｇの過硫酸カリウム（６．２ｍｍｏｌ）を反応器へ添加した。次に、１５０μＬの１０％ ＦｅＣｌ₃・６Ｈ₂Ｏ溶液（０．０５５ｍｍｏｌ）を添加した。緩やかに２４時間攪拌する間にＥＤＯＴの重合が観察された。遠心分離（１５０００ｒｐｍ、３０分間）により、ポリマー粒子を反応媒体から分離し、水で３回洗浄した。ポリマー濃度を、１．４重量％に調節した。次に、１０ｇのイオン交換樹脂（Ｊ．Ｔ．Ｂａｋｅｒ ＩＯＮＡＣ（登録商標）ＮＭ−６０ Ｈ⁺／ＯＨ^-型、タイプＩ、ビーズ（１６〜５０メッシュ））をサンプルに添加し、これを回転ホイール上に３日間置いた。次に、サンプルをイオン交換樹脂からろ過した。１００ｍＬの１．４％ ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳあたり７ｍＬのＤＭＳＯを添加して、ＰＥＤＴ：ＰＳＳ分散液を形成した。

ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ分散液を銀ナノワイヤと組み合わせて実施例１〜１６の分散液を形成し、これらの各々は、水／エチルアルコール／ＤＭＳＯの７５／２０／５の混合物中に分散されたＰＥＤＯＴ：ＰＳＳと銀ナノワイヤを、その合わせた量で１．２５重量％含有していた。

実施例１〜８の分散液およびフィルムについては、銀ナノワイヤ（「ナノワイヤ−１」）を、全般的には、C. DUCAMP-SANGUESA, R. HERRERA-URBINA, AND M. FIGLARZ, JOURNAL OF SOLID STATE CHEMISTRY, 100, 272-280 (1992)、に記載の方法に従って、エチレングリコール中、ＡｇＣｌ粒子およびポリビニルピロリドンの存在下、１８０℃にて合成した。得られたナノワイヤ懸濁液をアセトンで希釈し、５０００ｇにて遠心分離した。残留エチレングリコール、塩、およびポリビニルピロリドンポリマーを含有する上清を廃棄し、銀ナノワイヤを含有する沈殿物を残した。この沈殿物をエタノール中に再懸濁し、遠心分離によってエタノールからナノワイヤを分離し、その後、上清を廃棄し、沈殿物を、再度、別量のエタノール中に再懸濁した。再懸濁／遠心分離のサイクルを６回繰り返した。最後の再懸濁／遠心分離サイクル後、銀ナノワイヤをエタノール中に再懸濁し、銀ナノワイヤの濃度を１．６重量／体積％に調節した。

実施例９〜１６の分散液およびフィルムについては、市販の銀ナノワイヤ（「ナノワイヤ−２」、ＳＬＶ−ＮＷ−６０銀ナノワイヤ（ブルーナノ社（Blue Nano Inc.））を用いた。ナノワイヤ−２の走査型電子顕微鏡イメージを撮影し、そこから、ナノワイヤ−２の平均直径は、約１５０ｎｍと測定され、ナノワイヤ−２の平均長は、１０ミクロン超と測定された。

次に、ナノワイヤ／ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ：ＤＭＳＯ分散液を、可撓性透明ポリエステルシート上に、１０００、２０００、３０００、または４０００の毎分回転数（ｒｐｍ）のスピードでスピンコーティングし、９０℃にて５分間焼成して、フィルムを得た。実施例１〜１６および比較例Ｃ１の各分散液、ならびにそのような分散液から作製された対応するフィルムの銀ナノワイヤの量およびＰＥＤＯＴ：ＰＳＳの量を、以下の表ＩおよびＩＩに示す。

各フィルムのシート抵抗を、図２に示すように二電極法を用いて測定し、ここで、電極は、銀ペーストから作られている。透過率の測定は、フィルムを、ＵＶ／可視分光光度計中、光が銀ペーストライン間のサンプルを通るような位置に配置し、５５０ｎｍの波長で行った。実施例１〜１６および比較例Ｃ１のフィルムに対して得られたシート抵抗および透過率の結果を、以下の表１および２に示し、実施例９〜１６のフィルムに対する結果を、図３および図４に図示する。

実施例１７および１８
実施例１７および１８の分散液およびポリマーフィルムを、以下のようにして作製した。

実施例１〜１６および比較例Ｃ１に関して上述したように、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ分散液を作製した。

ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ分散液を、カーボンナノファイバーを組み合わせて、実施例１９および２０の分散液を形成し、これらの各々は、水／エチルアルコール／ＤＭＳＯの７５／２０／５の混合物中に分散されたＰＥＤＯＴ：ＰＳＳとカーボンナノファイバーを、その合わせた量で１．２５重量％含有していた。カーボンナノファイバーの平均直径は、約２００ｎｍと測定され、カーボンナノファイバーの平均長は、１０ミクロンと測定された。

次に、カーボンナノファイバー／ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ：ＤＭＳＯ分散液を、可撓性透明ポリエステルシート上に、２０００または４０００ｒｐｍのスピードでスピンコーティングし、９０℃にて５分間焼成して、実施例１７および１８のフィルムを得た。実施例１７および１８の各分散液、ならびにそのような分散液から作製された対応するフィルムのカーボンナノファイバーの量およびＰＥＤＯＴ：ＰＳＳの量を、以下の表ＩＩＩに示す。

サンプルのシート抵抗および透過率は、実施例１〜１６および比較例Ｃ１に関して上述したように測定した。実施例１７および１８のフィルムに対して得られたシート抵抗および透過率の結果を、以下の表ＩＩＩに示す。

実施例１９〜２５
エチレングリコール（ＥＧ）、ポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）、および塩化リチウム（ＬｉＣｌ）を、三つ口フラスコ中、マグネティックスターラーで攪拌しながら、Ｎ₂下、１８０℃にて１５分間加熱した。次に、少量の硝酸銀を含有するＥＧの溶液を１分間以内にて注入する。析出（ＡｇＣｌ）が直ちに観察される。反応を５分間保持した。

次に、ＡｇＮＯ₃をより多く含有するＥＧの溶液を、ポンプ付きシリンジにより、２０分間以内にて滴下により注入した。反応を４０分間保持した。生成物を、大気条件下にて冷却した。シード工程および成長工程で用いたエチレングリコール（「ＥＧ」）、ＬｉＣｌ、およびＡｇＮＯ₃の量を、反応混合物の最終体積に基づいて、グラム（「ｇ」）、ミリリットル（「ｍＬ」）、および／または濃度（１リットルあたりのモル数（「ｍｏｌ／Ｌ」））にて、以下の表ＩＶに示す。

次に、銀ナノワイヤを浄化してＥＧ、ＰＶＰ、およびいずれの未反応種をも除去し、ナノワイヤを少量のナノ粒子副生物（生成物混合物の銀ナノ構造含有量の１０重量％よりも相当に低いと推定される）から分離するために、９０ｐｂｗの水および１０ｐｂｗのエタノールおよび０．５ｐｂｗの非イオン性界面活性剤（Ｔｒｉｔｏｎ Ｘ、ダウケミカルカンパニー）の混合物中の反応混合物を、５００毎分回転数（ｒｐｍ）にて３０分間遠心分離し、ナノワイヤを別量の水／エタノール／界面活性剤混合物中に再分散し、この混合物を５００ｒｐｍにて３０分間遠心分離し、再分散および遠心分離のプロセスをさらに３回繰り返し、最後に、ナノワイヤを、別量の水／エタノール／界面活性剤混合物中に再分散した。

実施例１９の銀ナノワイヤは、原子間力顕微鏡による平均直径４２ｎｍ、光学顕微鏡で測定した加重平均長さ１８μｍ、および平均アスペクト比４２８を示した。実施例１９の銀ナノワイヤの長さ分布を、ナノワイヤのパーセント対長さのプロットとして図５に示す。

実施例１９の銀ナノワイヤを用いて、実施例１〜１６に関して上述した手順に従って導電性ポリマーフィルムを作製し、４０００ｒｐｍにてスピンコーティングした。スピンコーティングスピード、ならびにＰＥＤＯＴ：ＰＳＳおよび銀ナノワイヤの相対量を、以下の表Ｖに示す。

実施例２０〜２５および比較例Ｃ２のフィルムのシート抵抗および透過率は、実施例１〜１６および比較例Ｃ１に関して上述したように測定し、その結果を以下の表Ｖに示す。

実施例２６および２７
実施例２６のナノワイヤを、０．００９ｇのＬｉＣｌを反応器へ充填し、０．０４５ｇのＡｇＮＯ₃をＥＧ中でのシード工程にて反応器に充填した以外は、実施例１９のナノワイヤについて上述したものと類似の方法で作製した。銀ナノワイヤは、原子間力顕微鏡による平均直径３３ｎｍ、および光学顕微鏡で測定した加重平均長さ１４μｍを示した。実施例２７のフィルムは、実施例２０から２５について上述したものと類似の方法で作製し、それは、８重量％の実施例２６のナノワイヤを含有していた。実施例２７および上記１１のフィルムの表面粗さを、各々、原子間力顕微鏡を用いて測定した。実施例２７のフィルムのＲＭＳ表面粗さは、実施例１１のフィルムの表面粗さ２６．１と比較して、８．１であった。

実施例２６および２７
実施例２６のナノワイヤを、０．００９ｇのＬｉＣｌを反応器へ充填し、０．０４５ｇのＡｇＮＯ₃をＥＧ中でのシード工程にて反応器に充填した以外は、実施例１９のナノワイヤについて上述したものと類似の方法で作製した。銀ナノワイヤは、原子間力顕微鏡による平均直径３３ｎｍ、および光学顕微鏡で測定した加重平均長さ１４μｍを示した。実施例２７のフィルムは、実施例２０から２５について上述したものと類似の方法で作製し、それは、８重量％の実施例２６のナノワイヤを含有していた。実施例２７および上記１１のフィルムの表面粗さを、各々、原子間力顕微鏡を用いて測定した。実施例２７のフィルムのＲＭＳ表面粗さは、実施例１１のフィルムの表面粗さ２６．１と比較して、８．１であった。
以下に、本発明を限定する意図なく、本発明の実施態様の例を記載する。
（態様１）
分散液であって、液体媒体、および前記液体媒体中に分散された、前記分散液の１００重量部に対して約０．１から約５重量部の銀ナノワイヤを含み、ここで、前記銀ナノワイヤは、６０ｎｍと等しいかもしくはそれ未満の平均直径および１００超の平均アスペクト比を有し、前記分散液は、前記銀ナノワイヤの１００重量部に対して１重量部未満のビニルピロリドンポリマーを含む、分散液。
（態様２）
前記液体媒体が、水、（Ｃ１−Ｃ６）アルカノール、および非イオン性界面活性剤を含む、態様１に記載の分散液。
（態様３）
不活性雰囲気下、１７０℃から１８５℃の温度にて、ならびに塩化銀または臭化銀の粒子、および少なくとも１つの有機保護剤の存在下にて：
（ａ）少なくとも１つのポリオール、および、
（ｂ）還元されると金属銀を生成することができる少なくとも１つの銀化合物、
を反応させることによる、銀ナノワイヤを作製する方法。
（態様４）
前記反応が、塩化銀の粒子の存在下にて行われる、態様３に記載の方法。
（態様５）
前記ポリオールが、アルキレングリコール、ポリアルキレングリコール、またはトリオールを含む、態様３に記載の方法。
（態様６）
前記ポリオールが、エチレングリコールを含む、態様３に記載の方法。
（態様７）
前記有機保護剤が、ビニルピロリドンコポリマーを含む、態様３に記載の方法。
（態様８）
前記少なくとも１つの銀化合物が、酸化銀、水酸化銀、有機銀塩、および無機銀塩を含む、態様３に記載の方法。
（態様９）
前記少なくとも１つの銀化合物が、硝酸銀を含む、態様３に記載の方法。
（態様１０）
前記反応が塩化銀の粒子の存在下にて行われ、前記ポリオールがエチレングリコールを含み、前記有機保護剤がビニルピロリドンコポリマーを含み、前記少なくとも１つの銀化合物が硝酸銀を含む、態様３に記載の方法。
（態様１１）
前記銀ナノワイヤを洗浄して、前記ポリオールおよび有機保護剤を除去すること、ならびに前記ナノワイヤを、水を含む液体媒体中に再分散することをさらに含む、態様３に記載の方法。
（態様１２）
態様３に記載のプロセスによって作製された、銀ナノワイヤ。
（態様１３）
ポリマーフィルムであって：
（ａ）導電性ポリマー、および、
（ｂ）銀ナノワイヤのネットワーク、
の混合物を含み、前記フィルムは、前記銀ナノワイヤの１００重量部に対して１重量部未満のビニルピロリドンポリマーを含む、ポリマーフィルム。
（態様１４）
前記導電性ポリマーが、ポリアニリンポリマーと、ポリチオフェンポリマーおよびポリマー酸ドーパントの混合物を含む、態様１３に記載のポリマーフィルム。
（態様１５）
前記ポリチオフェンポリマーが、構造（Ｉ．ａ）に従うモノマーユニットであって：
ここで：
Ｒ ¹³ の各々の存在は、独立して、Ｈ、アルキル、ヒドロキシ、ヘテロアルキル、アルケニル、ヘテロアルケニル、ヒドロキシアルキル、アミドスルホネート、ベンジル、カルボキシレート、エーテル、エーテルカルボキシレート、エーテルスルホネート、エステルスルホネート、またはウレタンであり、および、
ｍ’は、２または３である、
モノマーユニットを、前記ポリマーの１分子あたり２つ以上含み、ならびに前記ポリマー酸ドーパントが、ポリ（（スチレンスルホネート）を含む、態様１４に記載のポリマーフィルム。
（態様１６）
前記異方性導電性ナノ構造が、約１０から約１５０ｎｍの平均直径および約５から約１５０μｍの長さを有する銀ナノワイヤを含む、態様１３に記載のポリマーフィルム。
（態様１７）
前記銀ナノワイヤが、５ｎｍから６０ｎｍの平均直径を有し、１００超の平均アスペクト比を有する、態様１３に記載のポリマーフィルム。
（態様１８）
前記フィルムが、単位スクエアあたり１５０オームと等しいかもしくはそれ未満であるシート抵抗を示す、態様１３に記載のポリマーフィルム。
（態様１９）
前記フィルムが、単位スクエアあたり１００オームと等しいかもしくはそれ未満であるシート抵抗を示す、態様１３に記載のポリマーフィルム。
（態様２０）
前記フィルムが：
（ａ）前記フィルムが前記フィルムの１００重量部あたりＸ ₁ 重量部に等しいかもしくはそれ未満の銀ナノワイヤを含む場合は、式（２．１）：
ＳＲ ＝ −６２．４Ｘ ＋ ３０８ 式（２．１）
に従って算出されるものと等しいかもしくはそれ未満の、または、
（ｂ）前記フィルムが前記フィルムの１００重量部あたりＸ ₁ 重量部超の銀ナノワイヤを含む場合は、式（２．２）：
ＳＲ ＝ −２．８Ｘ ＋ Ｂ ₁ 式（２．２）
に従って算出されるものと等しいかもしくはそれ未満の、
シート抵抗を示し、
ここで：
ＳＲは、シート抵抗であり、単位スクエアあたりのオームで表され、
Ｘは、前記フィルム中の銀ナノワイヤの量であり、前記フィルムの１００重量部あたりの前記銀ナノワイヤの重量部として表され、
Ｘ ₁ は、（１０５０／前記銀ナノワイヤの平均アスペクト比）と等しい数であり、
Ｂ ₁ は、１７５である、
態様１３に記載のポリマーフィルム。
（態様２１）
前記フィルムが、５０％と等しいかもしくはそれより大きい、５５０ｎｍにおける光学的透過率を示す、態様１３に記載のポリマーフィルム。
（態様２２）
前記フィルムが、７５％と等しいかもしくはそれより大きい、５５０ｎｍにおける光学的透過率を示す、態様１３に記載のポリマーフィルム。
（態様２３）
前記フィルムが、式（３）：
Ｔ ＝ −０．６６Ｘ ＋ Ｂ ₂ 式（３）
に従って算出されるものと等しいかもしくはそれより大きい、５５０ｎｍにおける光学的透過率を示し、
ここで：
Ｔは、光学的透過率であり、パーセント（％）として表され、
Ｘは、前記フィルム中に含有される銀ナノワイヤの量であり、前記フィルムの１００重量部あたりの前記銀ナノワイヤの重量部として表され、および、
Ｂ ₂ は、５０である、
態様１３に記載のポリマーフィルム。
（態様２４）
前記フィルムが、基材上に支持されている、態様１３に記載のポリマーフィルム。
（態様２５）
（ｉ）導電性ポリマー、および、
（ｉｉ）カーボンナノファイバーのネットワーク、
の混合物を含む、ポリマーフィルム。
（態様２６）
（ａ）液体キャリア、
（ｂ）前記液体キャリア中に溶解または分散された導電性ポリマー、および、
（ｃ）前記液体キャリア中に分散された異方性導電性ナノ構造、
を含むポリマー組成物。
（態様２７）
前記導電性ポリマーが、ポリアニリンポリマーと、ポリチオフェンポリマーおよびポリマー酸ドーパントの混合物を含む、態様２６に記載のポリマー組成物。
（態様２８）
前記ポリチオフェンポリマーが、構造（Ｉ．ａ）に従うモノマーユニットであって：
ここで：
Ｒ ¹³ の各々の存在は、独立して、Ｈ、アルキル、ヒドロキシ、ヘテロアルキル、アルケニル、ヘテロアルケニル、ヒドロキシアルキル、アミドスルホネート、ベンジル、カルボキシレート、エーテル、エーテルカルボキシレート、エーテルスルホネート、エステルスルホネート、またはウレタンであり、および、
ｍ’は、２または３である、
モノマーユニットを、前記ポリマーの１分子あたり２つ以上含み、ならびに前記ポリマー酸ドーパントが、ポリ（（スチレンスルホネート）を含む、態様２７に記載のポリマー組成物。
（態様２９）
前記異方性導電性ナノ構造が、約１０から約１５０ｎｍの平均直径および約５から約１５０μｍの平均長さを有する銀ナノワイヤを含む、態様２６に記載のポリマー組成物。
（態様３０）
前記銀ナノワイヤが、５ｎｍから６０ｎｍの平均直径、および１００超の平均アスペクト比を有する、態様２６に記載のポリマー組成物。
（態様３１）
組成物が、前記銀ナノワイヤの１００重量部に対して、１重量部未満のビニルピロリドンポリマーを含む、態様２６に記載のポリマー組成物。
（態様３２）
前記異方性導電性ナノ構造が、カーボンナノファイバーを含む、態様２６に記載のポリマー組成物。
（態様３３）
（１）ポリマー組成物の層の形成であって、前記ポリマー組成物は、
（ａ）液体キャリア、
（ｂ）前記液体キャリア中に溶解または分散された１つ以上の導電性ポリマー、および、
（ｃ）前記液体キャリア中に分散された異方性導電性ナノ構造、
を含む、形成、ならびに、
（２）前記層からの前記液体キャリアの除去、
を含む、ポリマーフィルムを作製するための方法。
（態様３４）
前記異方性導電性ナノ構造が、銀ナノワイヤを含む、態様３３に記載の方法。
（態様３５）
前記異方性導電性ナノ構造が、カーボンナノファイバーを含む、態様３３に記載の方法。
（態様３６）
態様３３に記載の方法によって作製された、ポリマーフィルム。
（態様３７）
（ａ）アノード、または組み合わせたアノードおよびバッファー層１０１、
（ｂ）カソード層１０６、
（ｃ）アノード層１０１とカソード層１０６との間に配置された電気活性層１０４、
（ｄ）所望に応じて存在してよいバッファー層１０２、
（ｅ）所望に応じて存在してよいホール輸送層１０５、および、
（ｆ）所望に応じて存在してよい電子注入層１０５、
を含み、ここで、前記アノード、または組み合わせたアノードおよびバッファー層１０１、前記カソード層１０６、ならびに、存在する場合は、バッファー層１０２のうちの少なくとも１つは、態様１２に記載のポリマーフィルムを含む、電子デバイス。
（態様３８）
（ａ）アノード、または組み合わせたアノードおよびバッファー層１０１、
（ｂ）カソード層１０６、
（ｃ）アノード層１０１とカソード層１０６との間に配置された電気活性層１０４、
（ｄ）所望に応じて存在してよいバッファー層１０２、
（ｅ）所望に応じて存在してよいホール輸送層１０５、および、
（ｆ）所望に応じて存在してよい電子注入層１０５、
を含み、ここで、前記アノード、または組み合わせたアノードおよびバッファー層１０１、前記カソード層１０６、ならびに、存在する場合は、バッファー層１０２のうちの少なくとも１つは、態様３１に従って作製されたポリマーフィルムを含む、電子デバイス。

Claims (38)

1. 分散液であって、液体媒体、および前記液体媒体中に分散された、前記分散液の１００重量部に対して約０．１から約５重量部の銀ナノワイヤを含み、ここで、前記銀ナノワイヤは、６０ｎｍと等しいかもしくはそれ未満の平均直径および１００超の平均アスペクト比を有し、前記分散液は、前記銀ナノワイヤの１００重量部に対して１重量部未満のビニルピロリドンポリマーを含む、分散液。
2. 前記液体媒体が、水、（Ｃ１−Ｃ６）アルカノール、および非イオン性界面活性剤を含む、請求項１に記載の分散液。
3. 不活性雰囲気下、１７０℃から１８５℃の温度にて、ならびに塩化銀または臭化銀の粒子、および少なくとも１つの有機保護剤の存在下にて：
   （ａ）少なくとも１つのポリオール、および、
   （ｂ）還元されると金属銀を生成することができる少なくとも１つの銀化合物、
   を反応させることによる、銀ナノワイヤを作製する方法。
4. 前記反応が、塩化銀の粒子の存在下にて行われる、請求項３に記載の方法。
5. 前記ポリオールが、アルキレングリコール、ポリアルキレングリコール、またはトリオールを含む、請求項３に記載の方法。
6. 前記ポリオールが、エチレングリコールを含む、請求項３に記載の方法。
7. 前記有機保護剤が、ビニルピロリドンコポリマーを含む、請求項３に記載の方法。
8. 前記少なくとも１つの銀化合物が、酸化銀、水酸化銀、有機銀塩、および無機銀塩を含む、請求項３に記載の方法。
9. 前記少なくとも１つの銀化合物が、硝酸銀を含む、請求項３に記載の方法。
10. 前記反応が塩化銀の粒子の存在下にて行われ、前記ポリオールがエチレングリコールを含み、前記有機保護剤がビニルピロリドンコポリマーを含み、前記少なくとも１つの銀化合物が硝酸銀を含む、請求項３に記載の方法。
11. 前記銀ナノワイヤを洗浄して、前記ポリオールおよび有機保護剤を除去すること、ならびに前記ナノワイヤを、水を含む液体媒体中に再分散することをさらに含む、請求項３に記載の方法。
12. 請求項３に記載のプロセスによって作製された、銀ナノワイヤ。
13. ポリマーフィルムであって：
    （ａ）導電性ポリマー、および、
    （ｂ）銀ナノワイヤのネットワーク、
    の混合物を含み、前記フィルムは、前記銀ナノワイヤの１００重量部に対して１重量部未満のビニルピロリドンポリマーを含む、ポリマーフィルム。
14. 前記導電性ポリマーが、ポリアニリンポリマーと、ポリチオフェンポリマーおよびポリマー酸ドーパントの混合物を含む、請求項１３に記載のポリマーフィルム。
15. 前記ポリチオフェンポリマーが、構造（Ｉ．ａ）に従うモノマーユニットであって：
    ここで：
    Ｒ¹³の各々の存在は、独立して、Ｈ、アルキル、ヒドロキシ、ヘテロアルキル、アルケニル、ヘテロアルケニル、ヒドロキシアルキル、アミドスルホネート、ベンジル、カルボキシレート、エーテル、エーテルカルボキシレート、エーテルスルホネート、エステルスルホネート、またはウレタンであり、および、
    ｍ’は、２または３である、
    モノマーユニットを、前記ポリマーの１分子あたり２つ以上含み、ならびに前記ポリマー酸ドーパントが、ポリ（（スチレンスルホネート）を含む、請求項１４に記載のポリマーフィルム。
16. 前記異方性導電性ナノ構造が、約１０から約１５０ｎｍの平均直径および約５から約１５０μｍの長さを有する銀ナノワイヤを含む、請求項１３に記載のポリマーフィルム。
17. 前記銀ナノワイヤが、５ｎｍから６０ｎｍの平均直径を有し、１００超の平均アスペクト比を有する、請求項１３に記載のポリマーフィルム。
18. 前記フィルムが、単位スクエアあたり１５０オームと等しいかもしくはそれ未満であるシート抵抗を示す、請求項１３に記載のポリマーフィルム。
19. 前記フィルムが、単位スクエアあたり１００オームと等しいかもしくはそれ未満であるシート抵抗を示す、請求項１３に記載のポリマーフィルム。
20. 前記フィルムが：
    （ａ）前記フィルムが前記フィルムの１００重量部あたりＸ₁重量部に等しいかもしくはそれ未満の銀ナノワイヤを含む場合は、式（２．１）：
    ＳＲ ＝ −６２．４Ｘ ＋ ３０８ 式（２．１）
    に従って算出されるものと等しいかもしくはそれ未満の、または、
    （ｂ）前記フィルムが前記フィルムの１００重量部あたりＸ₁重量部超の銀ナノワイヤを含む場合は、式（２．２）：
    ＳＲ ＝ −２．８Ｘ ＋ Ｂ₁ 式（２．２）
    に従って算出されるものと等しいかもしくはそれ未満の、
    シート抵抗を示し、
    ここで：
    ＳＲは、シート抵抗であり、単位スクエアあたりのオームで表され、
    Ｘは、前記フィルム中の銀ナノワイヤの量であり、前記フィルムの１００重量部あたりの前記銀ナノワイヤの重量部として表され、
    Ｘ₁は、（１０５０／前記銀ナノワイヤの平均アスペクト比）と等しい数であり、
    Ｂ₁は、１７５である、
    請求項１３に記載のポリマーフィルム。
21. 前記フィルムが、５０％と等しいかもしくはそれより大きい、５５０ｎｍにおける光学的透過率を示す、請求項１３に記載のポリマーフィルム。
22. 前記フィルムが、７５％と等しいかもしくはそれより大きい、５５０ｎｍにおける光学的透過率を示す、請求項１３に記載のポリマーフィルム。
23. 前記フィルムが、式（３）：
    Ｔ ＝ −０．６６Ｘ ＋ Ｂ₂ 式（３）
    に従って算出されるものと等しいかもしくはそれより大きい、５５０ｎｍにおける光学的透過率を示し、
    ここで：
    Ｔは、光学的透過率であり、パーセント（％）として表され、
    Ｘは、前記フィルム中に含有される銀ナノワイヤの量であり、前記フィルムの１００重量部あたりの前記銀ナノワイヤの重量部として表され、および、
    Ｂ₂は、５０である、
    請求項１３に記載のポリマーフィルム。
24. 前記フィルムが、基材上に支持されている、請求項１３に記載のポリマーフィルム。
25. （ｉ）導電性ポリマー、および、
    （ｉｉ）カーボンナノファイバーのネットワーク、
    の混合物を含む、ポリマーフィルム。
26. （ａ）液体キャリア、
    （ｂ）前記液体キャリア中に溶解または分散された導電性ポリマー、および、
    （ｃ）前記液体キャリア中に分散された異方性導電性ナノ構造、
    を含むポリマー組成物。
27. 前記導電性ポリマーが、ポリアニリンポリマーと、ポリチオフェンポリマーおよびポリマー酸ドーパントの混合物を含む、請求項２６に記載のポリマー組成物。
28. 前記ポリチオフェンポリマーが、構造（Ｉ．ａ）に従うモノマーユニットであって：
    ここで：
    Ｒ¹³の各々の存在は、独立して、Ｈ、アルキル、ヒドロキシ、ヘテロアルキル、アルケニル、ヘテロアルケニル、ヒドロキシアルキル、アミドスルホネート、ベンジル、カルボキシレート、エーテル、エーテルカルボキシレート、エーテルスルホネート、エステルスルホネート、またはウレタンであり、および、
    ｍ’は、２または３である、
    モノマーユニットを、前記ポリマーの１分子あたり２つ以上含み、ならびに前記ポリマー酸ドーパントが、ポリ（（スチレンスルホネート）を含む、請求項２７に記載のポリマー組成物。
29. 前記異方性導電性ナノ構造が、約１０から約１５０ｎｍの平均直径および約５から約１５０μｍの平均長さを有する銀ナノワイヤを含む、請求項２６に記載のポリマー組成物。
30. 前記銀ナノワイヤが、５ｎｍから６０ｎｍの平均直径、および１００超の平均アスペクト比を有する、請求項２６に記載のポリマー組成物。
31. 組成物が、前記銀ナノワイヤの１００重量部に対して、１重量部未満のビニルピロリドンポリマーを含む、請求項２６に記載のポリマー組成物。
32. 前記異方性導電性ナノ構造が、カーボンナノファイバーを含む、請求項２６に記載のポリマー組成物。
33. （１）ポリマー組成物の層の形成であって、前記ポリマー組成物は、
    （ａ）液体キャリア、
    （ｂ）前記液体キャリア中に溶解または分散された１つ以上の導電性ポリマー、および、
    （ｃ）前記液体キャリア中に分散された異方性導電性ナノ構造、
    を含む、形成、ならびに、
    （２）前記層からの前記液体キャリアの除去、
    を含む、ポリマーフィルムを作製するための方法。
34. 前記異方性導電性ナノ構造が、銀ナノワイヤを含む、請求項３３に記載の方法。
35. 前記異方性導電性ナノ構造が、カーボンナノファイバーを含む、請求項３３に記載の方法。
36. 請求項３３に記載の方法によって作製された、ポリマーフィルム。
37. （ａ）アノード、または組み合わせたアノードおよびバッファー層１０１、
    （ｂ）カソード層１０６、
    （ｃ）アノード層１０１とカソード層１０６との間に配置された電気活性層１０４、
    （ｄ）所望に応じて存在してよいバッファー層１０２、
    （ｅ）所望に応じて存在してよいホール輸送層１０５、および、
    （ｆ）所望に応じて存在してよい電子注入層１０５、
    を含み、ここで、前記アノード、または組み合わせたアノードおよびバッファー層１０１、前記カソード層１０６、ならびに、存在する場合は、バッファー層１０２のうちの少なくとも１つは、請求項１２に記載のポリマーフィルムを含む、電子デバイス。
38. （ａ）アノード、または組み合わせたアノードおよびバッファー層１０１、
    （ｂ）カソード層１０６、
    （ｃ）アノード層１０１とカソード層１０６との間に配置された電気活性層１０４、
    （ｄ）所望に応じて存在してよいバッファー層１０２、
    （ｅ）所望に応じて存在してよいホール輸送層１０５、および、
    （ｆ）所望に応じて存在してよい電子注入層１０５、
    を含み、ここで、前記アノード、または組み合わせたアノードおよびバッファー層１０１、前記カソード層１０６、ならびに、存在する場合は、バッファー層１０２のうちの少なくとも１つは、請求項３１に従って作製されたポリマーフィルムを含む、電子デバイス。