JP2017059323A - 絶縁電線及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】優れた耐クラック性及び絶縁性を有する絶縁層を備える絶縁電線を提供する。【解決手段】導体（Ａ）と、導体（Ａ）の外周に形成される絶縁層（Ｂ）とを備える絶縁電線であって、絶縁層（Ｂ）は、芳香族ポリエーテルケトン樹脂（Ｉ）及びフッ素樹脂（ＩＩ）を含み、芳香族ポリエーテルケトン樹脂（Ｉ）が連続相を形成しており、フッ素樹脂（ＩＩ）が分散相を形成しており、上記分散相のアスペクト比が４．５以上であることを特徴とする絶縁電線。【選択図】 図１

Description

本発明は、絶縁電線及びその製造方法に関する。

自動車、航空機、鉄道、家電、ＡＶ機器、産業機器、電気機器コイル、通信ケーブル、ロボットに使用される電線や、モーターに使用されるコイル用の巻き線には、優れた絶縁性とともに、導体と導体を被覆する絶縁層とが強固に接着していることが要求される。また、近年、高電圧・大電流化の動きが加速しており、部分放電による絶縁層の劣化を防止するため、比誘電率の低い絶縁層を有する電線やコイルが必要とされている。さらに、自動車に搭載されるモーターコイル用の巻き線には、高い耐熱性が求められている。

このような背景の下、電線の特性を向上させるため、種々の検討がなされており、例えば、下記のように、芳香族ポリエーテルケトン樹脂とフッ素樹脂とを用いて絶縁層を形成した電線が提案されている。

特許文献１には、導体（Ａ）と、前記導体（Ａ）の外周に形成される絶縁層（Ｂ）とを有する絶縁電線であって、絶縁層（Ｂ）が、芳香族ポリエーテルケトン樹脂（Ｉ）及びフッ素樹脂（ＩＩ）を含む樹脂組成物から形成され、フッ素樹脂（ＩＩ）は、テトラフルオロエチレン及び下記一般式（１）：
ＣＦ_２＝ＣＦ−Ｒｆ^１ （１）
（式中、Ｒｆ^１は、−ＣＦ_３または−ＯＲｆ^２を表す。Ｒｆ^２は、炭素数１〜５のパーフルオロアルキル基を表す。）で表されるパーフルオロエチレン性不飽和化合物の共重合体であり、芳香族ポリエーテルケトン樹脂（Ｉ）とフッ素樹脂（ＩＩ）との溶融粘度比（Ｉ）／（ＩＩ）が０．３〜５．０であることを特徴とする絶縁電線が記載されている。

特許文献２には、導体（Ａ）と、該導体（Ａ）の外周に形成される絶縁層（Ｂ）とを有する絶縁電線であって、該絶縁層（Ｂ）が樹脂組成物から形成される成形品からなり、該樹脂組成物が芳香族ポリエーテルケトン樹脂（Ｉ）及びフッ素樹脂（ＩＩ）を含む樹脂組成物であって、フッ素樹脂（ＩＩ）は、テトラフルオロエチレン及び下記一般式（１）：
ＣＦ_２＝ＣＦ−Ｒｆ^１ （１）
（式中、Ｒｆ^１は、−ＣＦ_３又は−ＯＲｆ^２を表す。Ｒｆ^２は、炭素数１〜５のパーフルオロアルキル基を表す。）で表されるパーフルオロエチレン性不飽和化合物の共重合体であり、フッ素樹脂（ＩＩ）が芳香族ポリエーテルケトン樹脂（Ｉ）中に粒子状に分散しており、芳香族ポリエーテルケトン樹脂（Ｉ）とフッ素樹脂（ＩＩ）との質量比（Ｉ）：（ＩＩ）が５０：５０〜１０：９０であることを特徴とする絶縁電線が記載されている。

特許文献３には、芯線と、該芯線の表面に形成された耐熱電線用被覆材料からなる被覆と、を有する電線であって、該耐熱電線用被覆材料は、溶融成形が可能な含フッ素共重合体（Ａ）と、非フッ素系熱可塑性樹脂（Ｂ１）とを（Ａ）／（Ｂ１）＝９９／１〜６０／４０（体積比）で含有する含フッ素共重合体組成物からなり、上記非フッ素系熱可塑性樹脂（Ｂ１）が、平均分散粒子径８μｍ以下の微粒子として上記含フッ素共重合体組成物中に含まれ、上記含フッ素共重合体組成物の２００℃での動的粘弾性率測定による貯蔵弾性率が、９０ＭＰａ以上であることを特徴とする電線が記載されている。

国際公開第２０１３／０８８９６８号 国際公開第２０１４／０２４６７１号 国際公開第２０１４／１８９０１７号

しかしながら、耐クラック性及び絶縁性がさらに優れる絶縁層を有する絶縁電線が望まれる。

本発明は、上記現状に鑑み、優れた耐クラック性及び絶縁性を有する絶縁層を備える絶縁電線を提供することを目的とする。

本発明者らは、絶縁層の分散相が非常に特徴的な形状を有する場合に、従来の絶縁電線の絶縁層よりも、優れた耐クラック性及び絶縁性を示すことを見出し、本発明を完成するに至った。

すなわち、本発明は、導体（Ａ）と、導体（Ａ）の外周に形成される絶縁層（Ｂ）とを備える絶縁電線であって、絶縁層（Ｂ）は、芳香族ポリエーテルケトン樹脂（Ｉ）及びフッ素樹脂（ＩＩ）を含み、芳香族ポリエーテルケトン樹脂（Ｉ）が連続相を形成しており、フッ素樹脂（ＩＩ）が分散相を形成しており、上記分散相のアスペクト比が４．５以上であることを特徴とする絶縁電線である。

上記絶縁電線の長手方向に直角な断面において観察される分散相の断面から算出される平均分散粒子径が３．０μｍ以下であることが好ましい。

絶縁層（Ｂ）は、３０〜９９質量％の芳香族ポリエーテルケトン樹脂（Ｉ）を含むことが好ましい。

芳香族ポリエーテルケトン樹脂（Ｉ）とフッ素樹脂（ＩＩ）との溶融粘度比（Ｉ）／（ＩＩ）が０．００２〜３．０であることが好ましい。

フッ素樹脂（ＩＩ）は、融点が２３０〜３２０℃であることが好ましい。

フッ素樹脂（ＩＩ）は、テトラフルオロエチレン及び下記一般式（１）：
ＣＦ_２＝ＣＦ−Ｒｆ^１ （１）
（式中、Ｒｆ^１は、−ＣＦ_３又は−ＯＲｆ^２を表す。Ｒｆ^２は、炭素数１〜５のパーフルオロアルキル基を表す。）で表されるパーフルオロエチレン性不飽和化合物の共重合体であることが好ましい。

芳香族ポリエーテルケトン樹脂（Ｉ）は、ポリエーテルエーテルケトンであることが好ましい。

絶縁層（Ｂ）は、芳香族ポリエーテルケトン樹脂（Ｉ）及びフッ素樹脂（ＩＩ）を含む樹脂組成物から形成されており、上記樹脂組成物は、メルトフローレートが０．１〜１００ｇ／１０分であることが好ましい。

絶縁層（Ｂ）は、厚さが５００μｍ以下であることが好ましい。

絶縁層（Ｂ）は、芳香族ポリエーテルケトン樹脂（Ｉ）及びフッ素樹脂（ＩＩ）を溶融押出成形することにより形成されることが好ましい。

本発明は、上述の絶縁電線を得るための製造方法であって、単軸押出機を使用して、芳香族ポリエーテルケトン樹脂（Ｉ）及びフッ素樹脂（ＩＩ）を導体（Ａ）上に押し出すことにより、導体（Ａ）上に絶縁層（Ｂ）を形成する被覆工程を含み、上記単軸押出機のシリンダー内に芳香族ポリエーテルケトン樹脂（Ｉ）及びフッ素樹脂（ＩＩ）が滞留する時間が３分超１２分以下であることを特徴とする製造方法でもある。

上記被覆工程において、ライン速度を８〜６０ｍ／分とすることが好ましい。

上記単軸押出機のシリンダーの温度を３５０℃超４３０℃以下とすることが好ましい。

上記単軸押出機のスクリューの回転数と上記単軸押出機のシリンダー径との積が８０超５００以下であることが好ましい。

上記単軸押出機のダイは、ダイ先端の平坦部の長さｌとダイ内径ｄの比ｌ／ｄが０．６０以上５．０以下であることが好ましい。

上記単軸押出機から吐出される芳香族ポリエーテルケトン樹脂（Ｉ）及びフッ素樹脂（ＩＩ）の合計の固体体積が１．０〜３０ｃｍ^３／分となるように上記単軸押出機のスクリューの回転数が選択されることが好ましい。

本発明の絶縁電線は、上記構成からなるので、絶縁層の耐クラック性及び絶縁性が優れている。

本発明の製造方法は、上記構成からなるので、優れた耐クラック性及び絶縁性を有する絶縁層を備える絶縁電線を製造することができる。

本発明の絶縁電線の一例である。

以下、本発明を具体的に説明する。

本発明の絶縁電線は、導体（Ａ）と、導体（Ａ）の外周に形成される絶縁層（Ｂ）とを備える。絶縁層（Ｂ）は、芳香族ポリエーテルケトン樹脂（Ｉ）及びフッ素樹脂（ＩＩ）を含み、芳香族ポリエーテルケトン樹脂（Ｉ）が連続相を形成しており、フッ素樹脂（ＩＩ）が分散相を形成している。本発明の絶縁電線は、上記分散相のアスペクト比が４．５以上である。

上記アスペクト比は、４．７以上が好ましく、５．０以上がさらに好ましく、２０以下が好ましく、１５以下がより好ましく、１３以下がさらに好ましく、１０以下が特に好ましい。

図１は、本発明の絶縁電線の長手方向に平行な断面の模式図である。図１の絶縁電線は、導体１と、導体１の外周に設けられた絶縁層２とを備えている。絶縁層２は、芳香族ポリエーテルケトン樹脂（Ｉ）から形成された連続相と、連続相中に形成された分散相３とから形成されている。分散相３は、略回転楕円体状の形状を有しており、上記絶縁電線の長手方向に平行な断面に略楕円形の断面を露出させている。各分散相の長軸方向は、絶縁層の長手方向におおよそ平行である。また、分散相３は、絶縁電線の長手方向に垂直な断面に略円形の断面を露出させている。本発明の絶縁電線は、分散相がフッ素樹脂（ＩＩ）から形成されており、かつ、分散相のアスペクト比が４．５以上であるところに特徴がある。

上記アスペクト比は、次の式により算出される。
アスペクト比＝（絶縁電線の長手方向に平行な断面において観察される分散相の断面から算出される、絶縁電線の長手方向の分散相の長さの平均値）／（絶縁電線の長手方向に直角な断面において観察される分散相の断面から算出される平均分散粒子径）

絶縁層（Ｂ）において、絶縁電線の長手方向に直角な断面において観察される分散相の断面から算出される平均分散粒子径が３．０μｍ以下であることが好ましい。上記平均分散粒子径は、３．０μｍ未満がより好ましく、１．５μｍ以下がさらに好ましく、１．０μｍ以下が尚さらに好ましく、０．５０μｍ以下が特に好ましく、０．３０μｍ以下が尚特に好ましく、０．２０μｍ以下が最も好ましい。上記平均分散粒子径の下限は特に限定されないが０．０１μｍであってよい。上記平均分散粒子径が上記の範囲にあると、絶縁層（Ｂ）の耐クラック性及び耐電圧特性が一層優れる。

絶縁層（Ｂ）において、絶縁電線の長手方向に平行な断面において観測される分散相の断面の数が、０．２０個／μｍ^２以上であることが好ましい。上記分散相の断面の数は、０．２５個／μｍ^２以上であることがより好ましく、０．３０個／μｍ^２以上であることがさらに好ましく、０．３５個／μｍ^２以上であることが特に好ましく、０．４０個／μｍ^２以上であることが最も好ましい。上限は、１．０個／μｍ^２であってよい。

上記分散相の平均分散粒子径及び数は、電子顕微鏡観察により求めることができる。絶縁層（Ｂ）の断面を観察するための試験片の作成方法としては、電子顕微鏡観察用試験片の作成方法として公知の方法を用いることができる。試験片作成方法としては、ミクロトームによる切削等が例示できる。なお、切削する前にあらかじめ絶縁層（Ｂ）をエポキシ樹脂等に包埋してもよい。顕微鏡としては、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）や走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）が例示できる。

絶縁層（Ｂ）は、芳香族ポリエーテルケトン樹脂（Ｉ）及びフッ素樹脂（ＩＩ）を含む。従って、絶縁層（Ｂ）は、耐熱性、力学的強度、及び、引張伸びにも優れている。

芳香族ポリエーテルケトン樹脂（Ｉ）は、アリーレン基とエーテル基［−Ｏ−］とカルボニル基［−Ｃ（＝Ｏ）−］とで構成された繰り返し単位を含んでいる限り特に制限されず、例えば、下記式（ａ１）〜（ａ５）のいずれかで表される繰り返し単位を含んでいる。
［−Ａｒ−Ｏ−Ａｒ−Ｃ（＝Ｏ）−］ （ａ１）
［−Ａｒ−Ｏ−Ａｒ−Ｃ（＝Ｏ）−Ａｒ−Ｃ（＝Ｏ）−］ （ａ２）
［−Ａｒ−Ｏ−Ａｒ−Ｏ−Ａｒ−Ｃ（＝Ｏ）−］ （ａ３）
［−Ａｒ−Ｏ−Ａｒ−Ｃ（＝Ｏ）−Ａｒ−Ｏ−Ａｒ−Ｃ（＝Ｏ）−Ａｒ−Ｃ（＝Ｏ）−］ （ａ４）
［−Ａｒ−Ｏ−Ａｒ−Ｏ−Ａｒ−Ｃ（＝Ｏ）−Ａｒ−Ｃ（＝Ｏ）−］ （ａ５）
（式中、Ａｒは置換基を有していてもよい２価の芳香族炭化水素環基を表す）

Ａｒで表される２価の芳香族炭化水素環基としては、例えば、フェニレン基（ｏ−、ｍ−、又はｐ−フェニレン基など）、ナフチレン基などの炭素数が６〜１０のアリーレン基、ビフェニレン基（２，２’−ビフェニレン基、３，３’−ビフェニレン基、４，４’−ビフェニレン基など）などのビアリーレン基（各アリーレン基の炭素数は６〜１０）、ｏ−、ｍ−又はｐ−ターフェニレン基などのターアリーレン基（各アリーレン基の炭素数は６〜１０）などが例示できる。これらの芳香族炭化水素環基は、置換基、例えば、ハロゲン原子、アルキル基（メチル基などの直鎖上又は分岐鎖状の炭素数１〜４のアルキル基など）、ハロアルキル基、ヒドロキシル基、アルコキシ基（メトキシ基などの直鎖状又は分岐鎖状の炭素数１〜４のアルコキシ基など）、メルカプト基、アルキルチオ基、カルボキシル基、スルホ基、アミノ基、Ｎ−置換アミノ基、シアノ基などを有していてもよい。なお、繰り返し単位（ａ１）〜（ａ５）において、各Ａｒの種類は、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。
好ましいＡｒは、フェニレン基（例えば、ｐ−フェニレン基）、ビフェニレン基（例えば、４，４’−ビフェニレン基）である。

繰り返し単位（ａ１）を有する樹脂としては、ポリエーテルケトン（例えば、Ｖｉｃｔｒｅｘ社製「ＰＥＥＫ−ＨＴ」）などが例示できる。繰り返し単位（ａ２）を有する樹脂としては、ポリエーテルケトンケトン（例えば、Ａｒｋｅｍａ＋Ｏｘｆｏｒｄ Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ Ｍａｔｅｒｉａｌ社製「ＰＥＫＫ」）などが例示できる。繰り返し単位（ａ３）を有する樹脂としては、ポリエーテルエーテルケトン（例えば、Ｖｉｃｔｒｅｘ社製「ＶＩＣＴＲＥＸ ＰＥＥＫ」、Ｅｖｏｎｉｋ社製「Ｖｅｓｔａｋｅｅｐ（登録商標）」、ダイセル・エボニック社製「Ｖｅｓｔａｋｅｅｐ−Ｊ」、Ｓｏｌｖａｙ Ｓｐｅｃｉａｌｉｔｙ Ｐｏｌｙｍｅｒｓ社製「ＫｅｔａＳｐｉｒｅ（登録商標）」）、ポリエーテル−ジフェニル−エーテル−フェニル−ケトン−フェニル（例えば、Ｓｏｌｖａｙ Ｓｐｅｃｉａｌｉｔｙ Ｐｏｌｙｍｅｒｓ社製「Ｋａｄｅｌ（登録商標）」）などが例示できる。繰り返し単位（ａ４）を有する樹脂としては、ポリエーテルケトンエーテルケトンケトン（例えば、Ｖｉｃｔｒｅｘ社製「ＶＩＣＴＲＥＸ ＳＴ」）などが例示できる。繰り返し単位（ａ５）を有する樹脂としては、ポリエーテルエーテルケトンケトンなどが例示できる。

アリーレン基とエーテル基とカルボニル基とで構成された繰り返し単位において、エーテルセグメント（Ｅ）とケトンセグメント（Ｋ）との割合は、例えば、Ｅ／Ｋ＝０．５〜３であり、好ましくは１〜２．５程度である。エーテルセグメントは分子鎖に柔軟性を付与し、ケトンセグメントは分子鎖に剛直性を付与するため、エーテルセグメントが多いほど結晶化速度は速く、最終的に到達可能な結晶化度も高くなり、ケトンセグメントが多いほどガラス転移温度及び融点が高くなる傾向にある。
これらの芳香族ポリエーテルケトン樹脂（Ｉ）は、単独で又は二種以上組み合わせて使用できる。

これらの芳香族ポリエーテルケトン樹脂（Ｉ）のうち、繰り返し単位（ａ１）〜（ａ３）のいずれかを有する芳香族ポリエーテルケトン樹脂が好ましい。例えば、芳香族ポリエーテルケトン樹脂（Ｉ）としては、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルケトンケトン及びポリエーテルケトンエーテルケトンケトンからなる群より選択される少なくとも１種の樹脂であることが好ましい。さらには、ポリエーテルケトン及びポリエーテルエーテルケトンからなる群より選択される少なくとも１種の樹脂がより好ましい。
特に、ガラス転移温度及び融点の高さと、結晶化速度の速さとのバランスに優れる点から、繰り返し単位（ａ３）を有する芳香族ポリエーテルケトン樹脂がさらに好ましく、ポリエーテルエーテルケトンが特に好ましい。

芳香族ポリエーテルケトン樹脂（Ｉ）は、６０ｓｅｃ^−１、３９０℃における溶融粘度が０．０１〜４．０ｋＮｓｍ^−２であることが好ましい。溶融粘度が上記範囲であることにより、加工特性が向上し、さらに、引張強度に優れた絶縁層（Ｂ）が得られる。溶融粘度の好ましい下限は０．０５ｋＮｓｍ^−２であり、より好ましくは０．１０ｋＮｓｍ^−２であり、さらに好ましくは０．１５ｋＮｓｍ^−２である。溶融粘度の好ましい上限は２．５ｋＮｓｍ^−２であり、より好ましくは１．５ｋＮｓｍ^−２であり、さらに好ましくは１．０ｋＮｓｍ^−２であり、特に好ましくは０．５ｋＮｓｍ^−２であり、最も好ましくは０．４ｋＮｓｍ^−２である。
芳香族ポリエーテルケトン樹脂（Ｉ）の溶融粘度は、ＡＳＴＭ Ｄ３８３５に準拠して測定する。

芳香族ポリエーテルケトン樹脂（Ｉ）は、ガラス転移温度が１３０℃以上であることが好ましい。より好ましくは、１３５℃以上であり、さらに好ましくは、１４０℃以上である。上記範囲のガラス転移温度であることによって、耐熱性に優れた樹脂組成物を得ることができる。上記ガラス転移温度は、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）装置によって測定される。

芳香族ポリエーテルケトン樹脂（Ｉ）は、融点が３００℃以上であることが好ましい。より好ましくは、３２０℃以上である。上記範囲の融点であることによって、絶縁層（Ｂ）の耐熱性を向上させることができる。上記融点は、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）装置によって測定される。

フッ素樹脂（ＩＩ）は、例えば、少なくとも１種の含フッ素エチレン性単量体に基づく重合単位を有する重合体である。フッ素樹脂（ＩＩ）は、溶融加工性のフッ素樹脂であることが好ましい。フッ素樹脂（ＩＩ）としては、１種を用いてもよいし、２種以上を用いてもよい。

フッ素樹脂（ＩＩ）としては、例えば、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）／ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）共重合体、ＴＦＥ／ＨＦＰ／パーフルオロ（アルキルビニルエーテル）（ＰＡＶＥ）共重合体、ＴＦＥ／ＰＡＶＥ共重合体〔ＰＦＡ〕、エチレン（Ｅｔ）／ＴＦＥ共重合体、Ｅｔ／ＴＦＥ／ＨＦＰ共重合体、ポリクロロトリフルオロエチレン〔ＰＣＴＦＥ〕、クロロトリフルオロエチレン（ＣＴＦＥ）／ＴＦＥ共重合体、ＣＴＦＥ／ＴＦＥ／ＰＡＶＥ共重合体、Ｅｔ／ＣＴＦＥ共重合体、ＴＦＥ／フッ化ビニリデン（ＶｄＦ）共重合体、ＶｄＦ／ＨＦＰ／ＴＦＥ共重合体、ＶｄＦ／ＨＦＰ共重合体、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶｄＦ）、ポリフッ化ビニル（ＰＶＦ）が挙げられる。また、溶融加工性であれば、低分子量のポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）を用いることも可能である。
上記ＰＡＶＥとしては、炭素数１〜６のアルキル基を有するものが好ましく、パーフルオロ（メチルビニルエーテル）、パーフルオロ（エチルビニルエーテル）、パーフルオロ（プロピルビニルエーテル）、パーフルオロ（ブチルビニルエーテル）等が挙げられる。

フッ素樹脂（ＩＩ）としては、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）及び下記の一般式（１）：
ＣＦ_２＝ＣＦ−Ｒｆ^１ （１）
（式中、Ｒｆ^１は、−ＣＦ_３又は−ＯＲｆ^２を表す。Ｒｆ^２は、炭素数１〜５のパーフルオロアルキル基を表す。）で表されるパーフルオロエチレン性不飽和化合物の共重合体であることがより好ましい。上記Ｒｆ^１が、−ＯＲｆ^２である場合、上記Ｒｆ^２は炭素数が１〜３のパーフルオロアルキル基であることが好ましい。フッ素樹脂（ＩＩ）を用いることによって、引張強度に優れた絶縁層（Ｂ）を得ることができる。

一般式（１）で表されるパーフルオロエチレン性不飽和化合物としては、耐クラック性、成形安定性、耐電圧特性等に一層優れた絶縁層（Ｂ）を得ることができることから、ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）、パーフルオロ（メチルビニルエーテル）（ＰＭＶＥ）、パーフルオロ（エチルビニルエーテル）（ＰＥＶＥ）及びパーフルオロ（プロピルビニルエーテル）（ＰＰＶＥ）からなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましく、ヘキサフルオロプロピレン及びパーフルオロ（プロピルビニルエーテル）からなる群より選択される少なくとも１種であることがより好ましい。
フッ素樹脂（ＩＩ）としては、ＴＦＥとＨＦＰとの共重合体、又は、ＴＦＥとＨＦＰとＰＰＶＥとの共重合体であることがさらに好ましい。

フッ素樹脂（ＩＩ）は、６０〜９９．５質量％のＴＦＥ及び０．５〜４０質量％の一般式（１）で表されるパーフルオロエチレン性不飽和化合物から構成されることが好ましい。フッ素樹脂（ＩＩ）を構成するＴＦＥの含有量の下限は、６８質量％がより好ましく、７２質量％がさらに好ましく、７７質量％が特に好ましく、８３質量％が殊さらに好ましい。フッ素樹脂（ＩＩ）を構成するＴＦＥの含有量の上限は、９８質量％がより好ましく、９７質量％がさらに好ましい。

また、フッ素樹脂（ＩＩ）を構成する一般式（１）で表されるパーフルオロエチレン性不飽和化合物の含有量の下限は、１．５質量％がより好ましく、２．５質量％がさらに好ましい。フッ素樹脂（ＩＩ）を構成する一般式（１）で表されるパーフルオロエチレン性不飽和化合物の含有量の上限は、３２質量％がより好ましく、２８質量％がさらに好ましく、２３質量％が特に好ましく、１７質量％が殊さらに好ましい。
フッ素樹脂（ＩＩ）は、ＴＦＥ及び一般式（１）で表されるパーフルオロエチレン性化合物のみからなる共重合体であることが好ましい。

フッ素樹脂（ＩＩ）は、６０ｓｅｃ^−１、３９０℃における溶融粘度が０．２〜４．０ｋＮｓｍ^−２であることが好ましい。溶融粘度が上記範囲であることにより、加工特性が向上し、耐クラック性、成形安定性、耐電圧特性等に一層優れた絶縁層（Ｂ）を得ることができる。溶融粘度のより好ましい下限は０．２５ｋＮｓｍ^−２であり、さらに好ましくは０．３０ｋＮｓｍ^−２であり、特に好ましくは０．３５ｋＮｓｍ^−２であり、最も好ましくは０．４０ｋＮｓｍ^−２である。溶融粘度のより好ましい上限は３．０ｋＮｓｍ^−２であり、さらに好ましくは２．０ｋＮｓｍ^−２であり、特に好ましくは１．５ｋＮｓｍ^−２である。
フッ素樹脂（ＩＩ）の溶融粘度は、ＡＳＴＭ Ｄ３８３５に準拠して測定する。

フッ素樹脂（ＩＩ）は、メルトフローレート（ＭＦＲ）が０．１〜１００ｇ／１０分であることが好ましく、０．５〜８０ｇ／１０分であることがより好ましく、０．５〜７０ｇ／１０分であることがさらに好ましい。ＭＦＲが上記範囲であることにより、耐クラック性に一層優れた絶縁層（Ｂ）を得ることができる。ＭＦＲのさらに好ましい下限は０．７ｇ／１０分であり、特に好ましい下限は１．０ｇ／１０分であり、殊さらに好ましい下限は１．５ｇ／１０分であり、最も好ましい下限は２．０ｇ／１０分である。ＭＦＲのさらに好ましい上限は６０ｇ／１０分であり、特に好ましい下限は５０ｇ／１０分であり、殊さらに好ましい下限は４５ｇ／１０分であり、最も好ましい上限は４０ｇ／１０分である。
フッ素樹脂（ＩＩ）のＭＦＲは、ＡＳＴＭ Ｄ１２３８に準拠し、メルトインデクサーを用いて測定する。測定温度・荷重等の設定値は、個別のフッ素樹脂の規格（例えばＡＳＴＭ Ｄ ２１１６）を参照して決定する。

フッ素樹脂（ＩＩ）の融点は特に限定されないが、成形する際に用いる芳香族ポリエーテルケトン樹脂（Ｉ）が溶融する温度で既にフッ素樹脂（ＩＩ）が溶融していることが成形において好ましいため、芳香族ポリエーテルケトン樹脂（Ｉ）の融点以下の温度であることが好ましく、融点未満の温度であることがより好ましい。例えば、フッ素樹脂（ＩＩ）の融点は、２３０〜３２０℃であることが好ましく、２４０〜３１０℃であることがより好ましく、２４０〜３０５℃であることがさらに好ましく、２４０〜３００℃であることが特に好ましい。フッ素樹脂（ＩＩ）の融点は、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）装置を用いて、１０℃／分の速度で昇温したときの融解熱曲線における極大値に対応する温度として求めたものである。

フッ素樹脂（ＩＩ）は、公知の方法によりフッ素ガス処理したものであってもよいし、アンモニア処理したものであってもよい。

絶縁層（Ｂ）は、３０〜９９質量％の芳香族ポリエーテルケトン（Ｉ）を含むことが好ましい。芳香族ポリエーテルケトン樹脂（Ｉ）の含有量は、８５質量％以下がより好ましく、７５質量％以下がさらに好ましく、６５質量％以下が尚さらに好ましく、５５質量％以下が特に好ましく、４５質量％以下が最も好ましい。また、芳香族ポリエーテルケトン樹脂（Ｉ）の含有量は、３２質量％以上がより好ましく、３４質量％以上がさらに好ましく、３５質量％以上が特に好ましく、３６質量％以上が最も好ましい。

絶縁層（Ｂ）は、芳香族ポリエーテルケトン樹脂（Ｉ）とフッ素樹脂（ＩＩ）との質量比（Ｉ）：（ＩＩ）が３０：７０〜９９：１であることが好ましい。フッ素樹脂（ＩＩ）の比率が高いほど電気特性に優れ、芳香族ポリエーテルケトン樹脂（Ｉ）の割合が高いほど機械特性に優れる。上記質量比としては、電気特性の観点より８５：１５以下がより好ましく、７５：２５以下がさらに好ましく、６５：３５以下が尚さらに好ましく、５５：４５以下が特に好ましく、４５：５５以下が最も好ましい。また、機械特性の観点より、上記質量比は３２：６８以上がより好ましく、３４：６６以上がさらに好ましく、３５：６５以上が特に好ましく、３６：６４以上が最も好ましい。

絶縁層（Ｂ）において、芳香族ポリエーテルケトン樹脂（Ｉ）とフッ素樹脂（ＩＩ）との溶融粘度比（Ｉ）／（ＩＩ）（芳香族ポリエーテルケトン樹脂（Ｉ）／フッ素樹脂（ＩＩ））が０．００２〜３．０であることが好ましい。溶融粘度比（Ｉ）／（ＩＩ）を上記範囲とすることで、耐クラック性、成形安定性、耐電圧特性等に一層優れた絶縁層（Ｂ）を得ることができる。溶融粘度比（Ｉ）／（ＩＩ）の下限は、０．０１がより好ましく、０．０３がさらに好ましく、０．０５が特に好ましく、０．１が最も好ましい。溶融粘度比（Ｉ）／（ＩＩ）の上限は、２．０がより好ましく、１．５がさらに好ましく、１．０が特に好ましく、０．８が殊さらに好ましく、０．５が最も好ましい。

絶縁層（Ｂ）は、芳香族ポリエーテルケトン樹脂（Ｉ）及びフッ素樹脂（ＩＩ）を含む樹脂組成物から形成されていることが好ましい。芳香族ポリエーテルケトン樹脂（Ｉ）がポリエーテルエーテルケトンであり、フッ素樹脂（ＩＩ）が融点が２３０〜３２０℃のフッ素樹脂である組み合わせがより好ましい。

上記樹脂組成物は、メルトフローレート（ＭＦＲ）が０．１〜１００ｇ／１０分であることが好ましい。上記ＭＦＲとしては、１〜９０ｇ／１０分がより好ましく、５〜７０ｇ／１０分がさらに好ましく、１０〜６０ｇ／１０分が特に好ましく、１５〜５０ｇ／１０分が最も好ましい。
上記ＭＦＲは、ＡＳＴＭ Ｄ１２３８に準拠し、メルトインデクサーを用いて、３８０℃、５０００ｇ荷重の条件下で測定する。

絶縁層（Ｂ）は、芳香族ポリエーテルケトン樹脂（Ｉ）及びフッ素樹脂（ＩＩ）を溶融押出成形することにより形成されるものであることが好ましい。芳香族ポリエーテルケトン樹脂（Ｉ）がポリエーテルエーテルケトンであり、フッ素樹脂（ＩＩ）が融点が２３０〜３２０℃のフッ素樹脂である組み合わせがより好ましい。

絶縁層（Ｂ）は、厚さが５００μｍ以下であることが好ましく、５００μｍを超える場合、電線の外形寸法が大きいため、配線スペースを大きくとる必要に迫られるおそれがある。このため、電線を設置する装置の小型化を妨げる、限られた配線スペースに設置することができない、などの不具合を生じるおそれがある。上記厚さは、２５０μｍ以下がより好ましく、１５０μｍ以下がさらに好ましく、１３０μｍ以下が特に好ましく、１００μｍ以下が最も好ましい。下限は特に設けないが、３０μｍ以上であってよく、５０μｍ以上であってもよい。

絶縁層（Ｂ）は、必要に応じて他の成分を含んでいてもよい。上記他の成分としては特に限定されないが、チタン酸カリウム等のウィスカ、ガラス繊維、アスベスト繊維、カーボン繊維、セラミック繊維、チタン酸カリウム繊維、アラミド繊維、その他の高強度繊維等の繊維状の強化材；炭酸カルシウム、タルク、マイカ、クレイ、カーボン粉末、グラファイト、ガラスビーズ等の無機充填材；着色剤；難燃剤；酸化防止剤等通常使用される無機又は有機の充填材；ミネラル、フレーク等の安定剤；シリコーンオイル、二硫化モリブデン等の潤滑剤；顔料；カーボンブラック等の導電剤；ゴム等の耐衝撃性向上剤；その他の添加剤等を用いることができる。

導体（Ａ）の形成材料としては、導電性が良好な材料であれば特に制限されず、例えば、銅、銅合金、すずめっき銅、ニッケルメッキ銅、銀メッキ銅、銅クラッドアルミニウム、アルミニウム、銀、金、亜鉛めっき鉄等が挙げられる。導体（Ａ）は、その形状に特に限定は無く、円形であっても平形であってもよい。また導体（Ａ）の構成は、単線であっても撚線であってもよい。導体（Ａ）の断面積は特に限定されないが、０．０５ｍｍ^２以上６０ｍｍ^２以下であってよい。

絶縁層（Ｂ）は、絶縁破壊電圧が９ｋＶｐ以上であってよい。また、絶縁層（Ｂ）は、部分放電開始電圧が７００Ｖｐ以上であってよい。上記絶縁破壊電圧及び上記部分放電開始電圧の測定方法は、後述するとおりである。

絶縁電線は導体（Ａ）および絶縁層（Ｂ）以外の構成要素を有していてもよい。たとえば、導体（Ａ）と絶縁層（Ｂ）の間に接着層を有していてもよいし、導体（Ａ）の上に形成された絶縁層（Ｂ）のさらに外側に保護層を有していてもよい。

本発明の絶縁電線は、電線被覆成形法により製造することができる。絶縁電線の製造方法としては、あらかじめフイルム状に成形した樹脂組成物を巻付けた後に加熱溶融させて固定させる横巻線方式や、押出機を用いて樹脂組成物を導体（Ａ）上に溶融押出する溶融押出し成形方式が例示できる。

本発明は、上述の絶縁電線を得るための製造方法であって、単軸押出機を使用して、芳香族ポリエーテルケトン樹脂（Ｉ）及びフッ素樹脂（ＩＩ）を導体（Ａ）上に押し出すことにより、導体（Ａ）上に絶縁層（Ｂ）を形成する被覆工程を含み、上記単軸押出機のシリンダー内に芳香族ポリエーテルケトン樹脂（Ｉ）及びフッ素樹脂（ＩＩ）が滞留する時間（押出機滞留時間）が３分超１２分以下である製造方法でもある。

上記製造方法では、上記単軸押出機を使用する。多軸押出機を使用すると、芳香族ポリエーテルケトン樹脂（Ｉ）及びフッ素樹脂（ＩＩ）に剪断力が負荷されすぎて、所望のアスペクト比を有する上記分散相を形成することができないおそれがある。

上記単軸押出機は、シリンダーと、上記シリンダー内に収容されたスクリューと、上記シリンダーの先端に取り付けられたダイヘッドと、上記シリンダーに樹脂を投入するためのホッパーとを備える。上記ダイヘッドには、溶融樹脂の出口流路を形成するためのダイ及びニップルが装着される。上記押出機は、シリンダー中部に副原料を添加するためのサイドフィード機構を備えていてもよい。導体（Ａ）および絶縁層（Ｂ）以外の構成要素を有する絶縁電線を製造する場合は、絶縁層（Ｂ）とその他の構成要素は同時に形成（同時押出）されてもよいし、逐次形成（タンデム押出）されてもよい。

押出機滞留時間は、３分を超え、１２分を超えない範囲が好ましい。この範囲を上回ると、所望のアスペクト比を有する上記分散相を形成することができない。この範囲を下回ると、所望の寸法の電線を得るための成形速度が速くなり、絶縁層にピンホール状の欠陥が生じるおそれが高まる。上記押出機滞留時間は、１０分を超えないことがより好ましく、９分を超えないことがさらに好ましく、８分を超えないことが特に好ましく、７分を超えないことが最も好ましい。

上記押出機滞留時間は、次の方法により確認できる。まず、ホッパー、シリンダー、ダイヘッド等の押出機の各部位にある全ての樹脂を押出機から取り除く。その後、予定する成形条件（シリンダー温度、ダイ温度、スクリュー回転数等）にて上記押出機の運転を開始し、上記押出機の運転が安定していることを確認の上、上記ホッパーに樹脂を投入する。上記投入の時から、上記ダイヘッドより上記樹脂が流出を開始する時までの時間を計測する。このときの経過時間を、「押出機滞留時間」とする。

絶縁層（Ｂ）は、溶融押出により形成されることが好ましい。絶縁層（Ｂ）の溶融押出に用いられる押出機への原料供給については、芳香族ポリエーテルケトン樹脂（Ｉ）とフッ素樹脂（ＩＩ）を所定の質量比で連続的に供給されてもよいし、公知の方法によりあらかじめ複合化された芳香族ポリエーテルケトン樹脂（Ｉ）とフッ素樹脂（ＩＩ）からなる樹脂組成物のペレットが供給されてもよい。均一な混合状態が得られやすいことから、あらかじめ複合化されたペレットが供給されることが好ましい。

上記押出機のシリンダー径は、８ｍｍを超え、５１ｍｍを超えない範囲が好ましい。８ｍｍを超えない場合、一定時間あたりに吐出できる樹脂の量が少ないため、経済的な電線生産速度を達成することができないおそれがある。５１ｍｍを超える場合、押出機滞留時間を望ましい範囲とする回転数を選択した場合、望ましい被覆厚の絶縁層を得るための成形速度が速くなり、絶縁層にピンホール状の欠陥が生じるおそれが高まる。ピンホール状欠陥を回避するためには成形速度を遅くする必要があるが、このとき低い回転数を選択する必要があり、この場合は望ましい押出機滞留時間で樹脂を吐出することができないおそれがある。シリンダー径は、４５ｍｍを超えない範囲がより好ましく、４０ｍｍを超えない範囲がさらに好ましく、３５ｍｍを超えない範囲が特に好ましく、３０ｍｍを超えない範囲が最も好ましい。シリンダー径は、１０ｍｍを超える範囲がより好ましく、１２ｍｍを超える範囲がさらに好ましく、１４ｍｍを超える範囲が特に好ましい。

上記押出機のシリンダー長Ｌとシリンダー径Ｄの比Ｌ／Ｄは、１８を超え、８０を超えない範囲であることが望ましい。Ｌ／Ｄがこの範囲を下回る場合、シリンダー内で樹脂の溶融が十分になされず、不均一な絶縁層となりやすい。Ｌ／Ｄがこの範囲を上回る場合、押出機滞留時間を好ましい範囲にするために、高いスクリュー回転数を選択する必要に迫られるおそれがある。スクリュー回転数が高いことから、望ましい被覆厚の絶縁層を得るための成形速度が速くなり、絶縁層にピンホール状の欠陥が生じるおそれが高まる。ピンホール状欠陥を回避するためには成形速度を遅くする必要があるが、このとき低い回転数を選択する必要があり、この場合は望ましい押出機滞留時間で樹脂を吐出することができないおそれがある。Ｌ／Ｄは、２０を超えることがより好ましく、２１を超えることが特に好ましい。またＬ／Ｄは、５０を超えないことがより好ましく、４０を超えないことがさらに好ましく、３０を超えないことが特に好ましい。

上記シリンダーの温度を３５０℃超４３０℃以下とすることが好ましい。この範囲を上回ると、絶縁層（Ｂ）中のフッ素樹脂（ＩＩ）のアスペクト比が４．５未満になり、耐クラック性や絶縁性が低下するおそれがある。この範囲を下回ると、樹脂の流動性が不足するため、絶縁層にピンホール状の欠陥が生じるおそれが高まる。上記シリンダーの温度は、４１０℃を超えないことがより好ましく、３９０℃を超えないことがさらに好ましく、３８５℃を超えないことが最も好ましい。上記シリンダーの温度は、３６０℃を超えることがより好ましく、３６５℃を超えることが最も好ましい。

上記スクリューの回転数と上記シリンダー径との積が８０超５００以下であることが好ましい。この範囲を下回る場合、押出機内滞留時間が好ましい範囲を超えるおそれがある。この範囲を上回る場合、望ましい被覆厚の電線を得るための成形速度が速くなり、絶縁層にピンホール状の欠陥が生じるおそれが高まる。スクリュー回転数とシリンダー径の積は、１２０を超えることがより好ましく、１８０を超えることが特に好ましい。スクリュー回転数とシリンダー径の積は、４００を超えないことがより好ましく、３５０を超えないことが特に好ましい。

上記ダイヘッドに装着されるダイは、ダイ先端の平坦部の長さｌとダイ内径ｄの比ｌ／ｄが０．６０以上５．０以下であることが好ましい。この範囲を下回る場合、絶縁層（Ｂ）中のフッ素樹脂（ＩＩ）のアスペクト比が４．５未満となるおそれがある。絶縁層（Ｂ）中のフッ素樹脂（ＩＩ）からなる粒子がダイ流入時に得るエネルギー弾性が十分に緩和される前に吐出されるため、フッ素樹脂（ＩＩ）からなる粒子の形状がエネルギー的に安定な球体に戻ろうとする力が働くためである。上記の範囲を上回る場合、溶融樹脂がダイ先端部にて受ける背圧が大きくなるために流動が妨げられ、押出機滞留時間が１２分を超えるおそれがある。ｌ／ｄは、０．７０以上がより好ましく、０．８０以上が特に好ましい。ｌ／ｄは、４．５以下がより好ましく、４．０以下が特に好ましい。

上記単軸押出機から吐出される芳香族ポリエーテルケトン樹脂（Ｉ）及びフッ素樹脂（ＩＩ）の合計の固体体積が１．０〜３０ｃｍ^３／分となるように上記スクリューの回転数が選択されることが好ましい。この範囲を下回る場合、押出機内滞留時間が好ましい範囲を超えるおそれがある。この範囲を上回る場合、望ましい被覆厚の電線を得るための成形速度が速くなり、絶縁層にピンホール状の欠陥が生じるおそれが高まる。吐出量は、１．５ｃｍ^３／分以上がより好ましく、２．０ｃｍ^３／分以上がさらに好ましい。吐出量は、２０ｃｍ^３／分以下がより好ましく、１５ｃｍ^３以下／分がさらに好ましい。

上記製造方法において、ライン速度を８〜６０ｍ／分とすることが好ましい。上記ライン速度は、１０ｍ／分以上がより好ましく、１５ｍ／分以上がさらに好ましい。上記ライン速度は、５５ｍ／分以下が好ましい。上記ライン速度が上記範囲に無い場合、所望のアスペクト比を有する上記分散相を形成できないおそれがある。上記ライン速度が高すぎると、絶縁層にピンホール状の欠陥が生じるおそれが高まる。上記ライン速度が低すぎると、良好な外観を有する絶縁層（Ｂ）が形成できないおそれがある。

上記製造方法は、耐クラック性及び絶縁性が一層優れた絶縁層（Ｂ）を形成できることから、被覆工程の前に、さらに、芳香族ポリエーテルケトン樹脂（Ｉ）及びフッ素樹脂（ＩＩ）を含む樹脂組成物を調製する調製工程を含むことが好ましい。

上記樹脂組成物を調製する方法は特に限定されず、２種以上の樹脂を混合するために通常用いられる配合ミル、バンバリーミキサー、加圧ニーダー、押出機等の混合機を用いて、通常の条件により行うことができる。フッ素樹脂（ＩＩ）の平均分散粒子径を小さくすることができることから、混合機としては二軸押出機が好ましく、特にＬ／Ｄの大きいスクリュー構成を有する二軸押出機が好ましい。二軸押出機のスクリュー構成はＬ／Ｄ＝２０以上が好ましく、より好ましくはＬ／Ｄ＝２５以上であり、さらに好ましくはＬ／Ｄ＝３０以上である。なお、Ｌ／Ｄは、スクリューの有効長さ（Ｌ）／スクリュー直径（Ｄ）である。

上記調製工程では、後の被覆工程を容易に実施できることから、上記樹脂組成物のペレットを調製することが好ましい。

上記樹脂組成物は、芳香族ポリエーテルケトン樹脂（Ｉ）及びフッ素樹脂（ＩＩ）を、溶融状態で混合することにより製造してもよい。芳香族ポリエーテルケトン樹脂（Ｉ）とフッ素樹脂（ＩＩ）とを充分に混練することによって、所望の分散状態を有する樹脂組成物を得ることができる。

上記樹脂組成物を製造する方法としては、例えば、芳香族ポリエーテルケトン樹脂（Ｉ）及びフッ素樹脂（ＩＩ）を適切な割合で混合機に投入し、所望により上記他の成分を添加し、樹脂（Ｉ）及び（ＩＩ）の融点以上で溶融混練することにより製造する方法等が好ましい。

上記溶融混練時の温度としては、用いる芳香族ポリエーテルケトン樹脂（Ｉ）、フッ素樹脂（ＩＩ）の種類等によって適宜設定すればよいが、例えば、３６０〜４００℃であることが好ましい。混練時間としては、通常、１分〜１時間である。

上記樹脂組成物において、絶縁層（Ｂ）の耐クラック性及び絶縁性が一層優れることから、フッ素樹脂（ＩＩ）が芳香族ポリエーテルケトン樹脂（Ｉ）中に粒子状に分散しており、フッ素樹脂（ＩＩ）の平均分散粒子径が３．０μｍ以下であることが好ましい。また、上記平均分散粒子径は、２．０μｍ以下がより好ましく、１．５μｍ以下がさらに好ましく、１．５μｍ未満が特に好ましい。下限は特に限定されないが０．１μｍであってよい。

上記樹脂組成物において、絶縁層（Ｂ）の耐クラック性及び絶縁性が一層優れることから、フッ素樹脂（ＩＩ）の最大分散粒子径が２０．０μｍ以下であることが好ましい。より好ましくは、１０．０μｍ以下である。

上記樹脂組成物におけるフッ素樹脂（ＩＩ）の平均分散粒子径及び最大分散粒子径は、上記樹脂組成物のストランドから切り出した切片の断面を共焦点レーザー顕微鏡にて顕微鏡観察を行ったり、透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）にて顕微鏡観察を行ったりして、得られた画像を光学解析装置にて二値化処理することにより求めることができる。

上記樹脂組成物は、絶縁層（Ｂ）の引張強度が優れることから、組成物中のナトリウムの量が上記組成物に対して１２０ｐｐｍ以下またはカルシウムの量が上記組成物に対して１５ｐｐｍ以下であることが好ましい。
上記樹脂組成物は、カルシウムの量が上記組成物に対して１５ｐｐｍ以下であることが好ましい。
また、上記樹脂組成物は、組成物中のナトリウムの量が上記組成物に対して１２０ｐｐｍ以下、かつカルシウムの量が上記組成物に対して１５ｐｐｍ以下であることも好ましい。
上記ナトリウムの量は、組成物に対して１００ｐｐｍ以下であることが好ましく、８０ｐｐｍ以下であることがより好ましく、５０ｐｐｍ以下であることが更に好ましく、４０ｐｐｍであることが特に好ましく、３０ｐｐｍ以下であることが殊更に好ましく、２０ｐｐｍ以下であることが最も好ましい。下限は０ｐｐｍであってよいが、０．５ｐｐｍであってもよい。
上記カルシウムの量は、組成物に対して１０ｐｐｍ以下であることが好ましく、８ｐｐｍ以下であることがより好ましく、６ｐｐｍ以下であることが更に好ましく、５ｐｐｍ以下であることが特に好ましく、４ｐｐｍ以下であることが最も好ましい。下限は０ｐｐｍであってよいが、０．５ｐｐｍであってもよい。

上記樹脂組成物に含まれるナトリウム及びカルシウムの量は、試料１ｇを６００℃で灰化したのち、残渣を塩酸に溶解し、その溶液についてＩＣＰ発光分析を行うことにより測定することができる。

特に、上記樹脂組成物を調製する際に、フッ素樹脂（ＩＩ）を芳香族ポリエーテルケトン樹脂（Ｉ）中に予め充分に分散させておき、上記樹脂組成物における高度な分散状態を損なうことのないように、単軸押出機を使用して、できるだけ短い時間で剪断力をあまりかけずに、シリンダー内で上記樹脂組成物を充分に溶融させ、比較的高い速度で導体（Ａ）を送り出しながら、比較的多量の上記樹脂組成物を導体（Ａ）上に押し出すと、所望のアスペクト比を有する上記分散相を含む絶縁層（Ｂ）を形成することが一層容易である。本発明者らが見出したこの知見に基づけば、当業者は、絶縁層（Ｂ）における上記分散相の上記アスペクト比を容易に調整可能である。

本発明の絶縁電線は、自動車、航空機、鉄道、家電、ＡＶ機器、産業機器、電気機器コイル、通信ケーブル、ロボット用電線等に好適に使用できる。また、コイルの巻き線（マグネットワイヤー）としても好適に使用でき、本発明の電線を使用すれば巻線加工での損傷を生じにくい。上記巻き線は、モーター、回転電機、圧縮機、変圧器（トランス）等に好適であり、高電圧、高電流及び高熱伝導率が要求され、高密度な巻線加工が必要となる、小型化・高出力化モーターでの使用にも充分に耐えうる特性を有する。また、配電、送電又は通信用の電線としても好適である。

つぎに本発明を実施例をあげて説明するが、本発明はかかる実施例のみに限定されるものではない。

実施例の各数値は以下の方法により測定した。

＜押出機滞留時間の測定＞
ホッパー、シリンダー、ダイヘッドの樹脂をすべて取り除いた上、成形を実施する運転条件（温度・スクリュー回転数）にて押出機を運転した。押出機の運転が安定していることを確認の上、ホッパーに樹脂を投入した。樹脂投入からダイヘッドより溶融樹脂が流出を開始するまでの経過時間を計測した。このときの経過時間を、「押出機滞留時間」とした。

＜電子顕微鏡による観察＞
絶縁層（Ｂ）の断面を観察するため、電子顕微鏡観察を行った。
絶縁層（Ｂ）の切片をエポキシ樹脂に包埋した試験片の作成は、次のように行った。無水ドデセニルコハク酸２．８２ｇ、無水メチルナディック酸０．３６ｇ、エポキシ樹脂（Ｑｕｅｔｏｌ−８１２）２．５４ｇをよく混ぜ合わせた後、架橋剤（ＤＭＰ３０）を二滴加えさらによく混ぜ合わせ、その後１時間室温で静置して硬化前のエポキシ樹脂液を得た。観察対象の電線より導体（Ａ）を取り除き、絶縁層（Ｂ）のみにしたものを５ｍｍ長に切り取り、これを樹脂型にセットした。樹脂型にエポキシ樹脂液を流し込んだ後、７０℃の電気炉で１５時間加熱することでエポキシ樹脂を硬化させ、エポキシ樹脂包埋サンプルを得た。

エポキシ樹脂に包埋した絶縁層（Ｂ）を−６０℃に冷却下にてミクロトームを用いて切削し、顕微鏡観察に適した切片を得た。このとき、切削により包埋切片表面に現れる部分が、観察する断面（絶縁電線の長手方向に垂直な断面、または、平行な断面）となるよう、切削方向を調整した。上記試験片のうち、顕微鏡観察を行う箇所は、絶縁層（Ｂ）の導体（Ａ）に接する側の表面から外表面に向かって、絶縁層（Ｂ）の厚さの７０％場所とした。上記試験片の上記箇所を、走査型電子顕微鏡を用いて観察倍率１００００倍で観察した。このとき、エネルギー分散型Ｘ線分光法を用いて、得られた顕微鏡画像の中でフッ素元素が多く検出される箇所を特定し、芳香族ポリエーテルケトン樹脂（Ｉ）からなる部分とフッ素樹脂（ＩＩ）からなる部分を、それぞれ特定した。

＜平均分散粒子径の算出＞
絶縁電線の長手方向に垂直な断面の顕微鏡画像を、画像解析ソフト（ＩｍａｇｅＪ）を用いて解析した。分散相を選択し、円相当径を求めた。分散相２０個分の円相当径を算出し、これを平均して平均分散粒子径とした。

＜分散相数の算出＞
絶縁電線の長手方向に平行な断面の顕微鏡画像を、画像解析ソフト（ＩｍａｇｅＪ）を用いて解析した。分散相とは、フッ素樹脂（ＩＩ）又は芳香族ポリエーテルケトン樹脂（Ｉ）からなる領域であり、かつ、画像の四方の端部のいずれにも接していない領域とした。画像は、倍率１００００倍で撮影して得られた画像であり、１２μｍ×９．０μｍの範囲を観察した長方形である。観察範囲全域において分散相の数を数え、観察範囲の面積で除して単位面積当たりの分散相数を算出した。

＜分散相の長手方向の長さの算出＞
絶縁電線の長手方向に平行な断面の顕微鏡画像を、画像解析ソフト（ＩｍａｇｅＪ）を用いて解析した。上記のように特定したそれぞれの分散相について、絶縁電線の長手方向の長さを求め、平均値を算出した。

＜アスペクト比の算出＞
上記分散相の長手方向の長さの平均値を、上記の平均分散粒子径で除した値を、アスペクト比とした。

＜耐クラック試験＞
電線を１５ｃｍにカットし、絶縁電線と同じ直径をもつ巻き付け棒に１回／秒を超えない速さで１０回巻き付けた。巻き付け後、１回／秒を超えない速さで巻き戻した。巻き戻し操作の後、絶縁層の剥離や割れ等の異常の有無を確認した。実施例１つにつき５本の試験を行い、異常が生じた本数を記録した。

＜絶縁破壊試験＞
絶縁破壊試験はＪＩＳ Ｃ ３２１６−５に準拠し、株式会社安田精機製作所 絶縁破壊試験器Ｎｏ．２０４を用いて測定した。２０ｃｍにカットした絶縁電線の末端から７．５ｃｍの部分に１×２ｃｍの銅箔テープを巻きつけ、末端１ｃｍの絶縁層を剥がし導体を露出させ、試料とした。試験機の電極の片方を銅箔テープ部に、もう片方を端部の導体露出部に接続した。測定時の雰囲気は室温２５℃、相対湿度５０％とした。昇圧速度は５００Ｖｐ／秒とした。実施例１つにつき試料５本を測定し、その平均値を絶縁破壊電圧とした。
実測により得られた絶縁破壊電圧の値を、絶縁層（Ｂ）の厚さが１００μｍである場合の値に換算した。換算にあたっては、絶縁破壊電圧は絶縁層（Ｂ）の厚さに比例するものとした。すなわち、実測により得られた絶縁破壊電圧の値に（１００／ｔ）を乗じた値を絶縁破壊電圧の換算値とした。ただしｔは絶縁層（Ｂ）の厚さ（μｍ）を表す。

＜部分放電開始電圧測定＞
部分放電開始電圧は、総研電気株式会社 部分放電測定器ＤＡＣ−ＰＤ−７を用いて測定した。電線を２０ｃｍにカットし、末端から７．５ｃｍの部分に１×２ｃｍの銅箔テープを巻き付け、末端１ｃｍの部分の絶縁層をワイヤーストリッパーで剥がし導体を露出させ、試料とした。試験機の電極の片方を銅箔テープ部に、もう片方を端部の導体露出部に接続した。測定時の雰囲気は室温２５℃、相対湿度５０％とした。昇圧速度は１４Ｖｐ／秒、部分放電検出しきい値は１０ｐＣとした。同一サンプルについて連続６回の測定を行い、２〜６回目の平均値を当該サンプルの部分放電開始電圧とした。
絶縁層（Ｂ）の厚さが異なる実施例どうしを比較するため、Ｄａｋｉｎの式：ＰＤＩＶ（Ｖｒｍｓ）＝１６３×（ｔ／ε_ｒ）^０．４６を参考にした測定値の換算を行った。ただしｔは絶縁層（Ｂ）の厚さ（μｍ）、ε_ｒは絶縁層（Ｂ）の比誘電率を表す。上記Ｄａｋｉｎの式によれば、材料が同一、すなわち誘電率が同一の場合の部分放電開始電圧は、絶縁層の厚さの０．４６乗に比例する。この関係を用いて、実測により得られた部分放電開始電圧の値に（１００／ｔ）^０．４６を乗じた値を部分放電開始電圧の換算値とした。

＜樹脂組成物の製造方法＞
芳香族ポリエーテルケトン樹脂（Ｉ）及びフッ素樹脂（ＩＩ）を表に示す割合（質量部）で予備混合を行い、二軸押出機（φ１５ｍｍ、Ｌ／Ｄ＝６０）を使用して、シリンダー温度３７５℃、スクリュー回転数５００ｒｐｍの条件下で溶融混練した。押出機より吐出されたストランドをペレタイザーを用いて細断し、樹脂組成物のペレットを製造した。

実施例および比較例では、下記の材料を用いた。
芳香族ポリエーテルケトン樹脂（Ｉ）：ポリエーテルエーテルケトン（溶融粘度；０．３１ｋＮｓｍ^−２）
フッ素樹脂（ＩＩ−１）：テトラフルオロエチレン／ヘキサフルオロプロピレン／パーフルオロ（プロピルビニルエーテル）共重合体（溶融粘度；１．１０ｋＮｓｍ^−２、融点２５５℃）
フッ素樹脂（ＩＩ−２）：テトラフルオロエチレン／ヘキサフルオロプロピレン／パーフルオロ（プロピルビニルエーテル）共重合体（溶融粘度；０．５５ｋＮｓｍ^−２、融点２５５℃）
フッ素樹脂（ＩＩ−３）：テトラフルオロエチレン／ヘキサフルオロプロピレン共重合体（溶融粘度；２．２３ｋＮｓｍ^−２、融点２６５℃）

（実施例１）
芳香族ポリエーテルケトン樹脂（Ｉ）４０質量部およびフッ素樹脂（ＩＩ−１）６０質量部を、二軸押出機（φ１５ｍｍ、Ｌ／Ｄ＝６０）を使用して、シリンダー温度３９０℃、スクリュー回転数３００ｒｐｍの条件下で溶融混練し、ＭＦＲ２９ｇ／１０分の樹脂組成物を製造した。
絶縁層（Ｂ）の押出に用いた単軸押出機は、シリンダー径２０ｍｍ、Ｌ／Ｄ＝２４、ダイ内径３．５ｍｍ、ダイｌ／ｄ＝０．８６、ニップル外径２．３ｍｍとした。上記単軸押出機をシリンダー温度３８０℃、スクリュー回転数１２ｒｐｍにて運転し、ホッパーより上記手順により得られた樹脂組成物を供給した。吐出された溶融樹脂組成物により、導体（Ａ）（直径０．５ｍｍ、断面積０．２０ｍｍ^２、軟銅線単線）上に厚さ１００μｍの絶縁層（Ｂ）を形成し、絶縁電線を得た。このときのライン速度は１８ｍ／分とした。

（実施例２〜１０、比較例１〜７）
使用する芳香族ポリエーテルケトン樹脂（Ｉ）およびフッ素樹脂（ＩＩ）の種類および量、絶縁層（Ｂ）の押出に用いる単軸押出機の装置および運転条件、導体（Ａ）の形状、絶縁層（Ｂ）の厚さ、ライン速度を表の通りに変更した他は、実施例１と同様の方法にて絶縁電線を得た。

結果を表に示す。

Claims (16)

1. 導体（Ａ）と、導体（Ａ）の外周に形成される絶縁層（Ｂ）とを備える絶縁電線であって、
   絶縁層（Ｂ）は、芳香族ポリエーテルケトン樹脂（Ｉ）及びフッ素樹脂（ＩＩ）を含み、芳香族ポリエーテルケトン樹脂（Ｉ）が連続相を形成しており、フッ素樹脂（ＩＩ）が分散相を形成しており、前記分散相のアスペクト比が４．５以上である
   ことを特徴とする絶縁電線。
2. 絶縁電線の長手方向に直角な断面において観察される分散相の断面から算出される平均分散粒子径が３．０μｍ以下である請求項１記載の絶縁電線。
3. 絶縁層（Ｂ）は、３０〜９９質量％の芳香族ポリエーテルケトン樹脂（Ｉ）を含む請求項１又は２記載の絶縁電線。
4. 芳香族ポリエーテルケトン樹脂（Ｉ）とフッ素樹脂（ＩＩ）との溶融粘度比（Ｉ）／（ＩＩ）が０．００２〜３．０である請求項１、２又は３記載の絶縁電線。
5. フッ素樹脂（ＩＩ）は、融点が２３０〜３２０℃である請求項１、２、３又は４記載の絶縁電線。
6. フッ素樹脂（ＩＩ）は、テトラフルオロエチレン及び下記一般式（１）：
   ＣＦ_２＝ＣＦ−Ｒｆ^１ （１）
   （式中、Ｒｆ^１は、−ＣＦ_３又は−ＯＲｆ^２を表す。Ｒｆ^２は、炭素数１〜５のパーフルオロアルキル基を表す。）で表されるパーフルオロエチレン性不飽和化合物の共重合体である請求項１、２、３、４又は５記載の絶縁電線。
7. 芳香族ポリエーテルケトン樹脂（Ｉ）は、ポリエーテルエーテルケトンである請求項１、２、３、４、５又は６記載の絶縁電線。
8. 絶縁層（Ｂ）は、芳香族ポリエーテルケトン樹脂（Ｉ）及びフッ素樹脂（ＩＩ）を含む樹脂組成物から形成されており、前記樹脂組成物は、メルトフローレートが０．１〜１００ｇ／１０分である請求項１、２、３、４、５、６又は７記載の絶縁電線。
9. 絶縁層（Ｂ）は、厚さが５００μｍ以下である請求項１、２、３、４、５、６、７又は８記載の絶縁電線。
10. 絶縁層（Ｂ）は、芳香族ポリエーテルケトン樹脂（Ｉ）及びフッ素樹脂（ＩＩ）を溶融押出成形することにより形成される請求項１、２、３、４、５、６、７、８又は９記載の絶縁電線。
11. 請求項１、２、３、４、５、６、７、８、９又は１０記載の絶縁電線を得るための製造方法であって、
    単軸押出機を使用して、芳香族ポリエーテルケトン樹脂（Ｉ）及びフッ素樹脂（ＩＩ）を導体（Ａ）上に押し出すことにより、導体（Ａ）上に絶縁層（Ｂ）を形成する被覆工程を含み、
    前記単軸押出機のシリンダー内に芳香族ポリエーテルケトン樹脂（Ｉ）及びフッ素樹脂（ＩＩ）が滞留する時間が３分超１２分以下であることを特徴とする製造方法。
12. ライン速度を８〜６０ｍ／分とする請求項１１記載の製造方法。
13. 単軸押出機のシリンダーの温度を３５０℃超４３０℃以下とする請求項１１又は１２記載の製造方法。
14. 単軸押出機のスクリューの回転数と単軸押出機のシリンダー径との積が８０超５００以下である請求項１１、１２又は１３記載の製造方法。
15. 単軸押出機のダイは、ダイ先端の平坦部の長さｌとダイ内径ｄの比ｌ／ｄが０．６０以上５．０以下である請求項１１、１２、１３又は１４記載の製造方法。
16. 単軸押出機から吐出される芳香族ポリエーテルケトン樹脂（Ｉ）及びフッ素樹脂（ＩＩ）の合計の固体体積が１．０〜３０ｃｍ^３／分となるように単軸押出機のスクリューの回転数が選択される請求項１１、１２、１３，１４又は１５記載の製造方法。

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