JP2017057755A - 電磁弁駆動装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】回路又はインジェクタに個体差を生じたとしてもインジェクタへの通電電流を適切に調整できるようにした電磁弁駆動装置を提供する。
【解決手段】メモリ6は、インジェクタ3の印加電圧に基づいてインジェクタ3を駆動する系を近似モデル化した近似式M[t]を記憶する。マイコン2は、メモリ6に記憶された端子1bの電圧V[t]の近似式M[t]に基づいて特徴点P1を特定する。マイコン2は、特定された特徴点P1に応じて電磁弁を閉弁するためのインジェクタ3への通電指示値を補正する。この結果、ECU1内の回路、又は、インジェクタ3に個体差を生じたとしても、インジェクタ3の駆動制御を適切に行うことができる。
【選択図】図1
【解決手段】メモリ6は、インジェクタ3の印加電圧に基づいてインジェクタ3を駆動する系を近似モデル化した近似式M[t]を記憶する。マイコン2は、メモリ6に記憶された端子1bの電圧V[t]の近似式M[t]に基づいて特徴点P1を特定する。マイコン2は、特定された特徴点P1に応じて電磁弁を閉弁するためのインジェクタ3への通電指示値を補正する。この結果、ECU1内の回路、又は、インジェクタ3に個体差を生じたとしても、インジェクタ3の駆動制御を適切に行うことができる。
【選択図】図1
Description
本発明は、電磁弁駆動装置に関する。
この種の電磁弁駆動装置は電磁弁を駆動して燃料を噴射制御する(例えば特許文献1参照)。特許文献1記載の技術によれば、燃料噴射制御装置は、閉弁検出部を備える。この閉弁検出部は、インジェクタのコイルに誘起される電圧またはコイルに流れる電流の波形から変曲点を検出することに応じて燃料噴射弁の閉弁を検出している。そして、補正量演算部は、検出された開弁時期に基づいて補正量を演算している。補正部は、補正量に基づいて給電期間を補正している。
発明者は、インジェクタへの印加電圧の変化を利用して次回以降のインジェクタへの通電電流を調整する技術を開発している。しかし、インジェクタの印加電圧の変化はわずかであり、回路又はインジェクタの個体差に応じてバラつきを生じやすく、この影響を調整可能にすることが望まれている。
本発明の目的は、回路又はインジェクタに個体差を生じたとしてもインジェクタへの通電電流を適切に調整できるようにした電磁弁駆動装置を提供することにある。
請求項1記載の発明は、インジェクタ(3)を駆動することで電磁弁を開弁/閉弁する電磁弁駆動装置を対象としている。この請求項1記載の発明によれば、記憶部(6)はインジェクタ(3)のコイル(3a)への通電電流又はコイル(3a)に係る電圧に基づいてインジェクタ(3)を駆動する系を近似モデル化した近似モデル(M[t],M[n,t])を記憶する。特徴点特定部(11)は、インジェクタ(3)への通電電流又は電圧が記憶部(6)に記憶された近似モデル(M[t],M[n,t])に基づく通電電流又は電圧に基づいて特徴点(P1)を特定する。補正処理部(10)は、特徴点特定部(11)により特定された特徴点に応じて電磁弁を閉弁するためのインジェクタへの通電電流を補正する。特徴点特定部(11)が特定する特徴点(P1)は回路又はインジェクタの個体差に応じて変化するため、補正処理部(10)が特徴点特定部(11)により特定された特徴点(P1)に応じてインジェクタ(3)への通電電流を調整すれば、インジェクタ(3)への通電電流を回路又はインジェクタ(3)の個体差に応じて調整できる。これにより、回路又はインジェクタに個体差を生じたとしてもインジェクタ(3)への通電電流を適切に調整できる。
以下、電磁弁駆動装置の幾つかの実施形態について図面を参照しながら説明する。以下に説明する各実施形態において、同一又は類似の動作を行う構成については、同一又は類似の符号を付して必要に応じて説明を省略する。
(第1実施形態)
図1は電磁弁駆動装置の電気的構成例を概略的なブロック図により示す。本実施形態では、説明を簡略化するため1気筒分の電磁弁駆動装置の説明を行うが、2気筒分以上の電磁弁駆動装置に適用することもできる。
図1は電磁弁駆動装置の電気的構成例を概略的なブロック図により示す。本実施形態では、説明を簡略化するため1気筒分の電磁弁駆動装置の説明を行うが、2気筒分以上の電磁弁駆動装置に適用することもできる。
電磁弁駆動装置としての電子制御装置(以下、ECU:Electronic Control Unit)1は、通電指示値に応じて噴射パルス、及び、駆動設定値を出力するマイクロコンピュータ(以下、マイコンと略す)2と、マイコン2から噴射パルス及び駆動設定値を受付けてインジェクタ3を駆動制御する制御IC4とを備える。これらのマイコン2及び制御IC4は電気的に接続されている。マイコン2は、CPU5、メモリ6、及び、A/D変換部7を備える。メモリ6は、例えばRAM、ROM、EEPROMなどにより記憶部として構成される。
マイコン2は、メモリ6に予め記憶されているプログラムをCPU5が実行することで電磁弁駆動装置を実現する。CPU5は、プログラムを実行することで、噴射パルス・駆動電流設定値生成部(以下、生成部と略す)8、補正部9としての機能を備える。補正部9は、補正処理部としての補正ロジック部10、特徴点特定部としての比較部11、近似モデル生成部12、としての機能を備える。制御IC4は、ロジック部13、電流制御部14、駆動部15、16、及び、ゲイン部17a、17bとしての電気的構成ブロックを備える。
インジェクタ3は、例えば磁性体、及び、磁性体に近接したソレノイドコイル3a、バネ(図示せず)等を内蔵する電磁式であり、例えばバネの弾性力、付勢力を補助的に利用して電磁弁を開弁/閉弁する。ECU1は、ソレノイドコイル3aへの通電/断電に応じて電磁弁を開弁/閉弁する。インジェクタ3は、例えばソレノイドコイル3aに通電されることで磁性体がバネの弾性力に逆らって動作し始めることで電磁弁を開弁開始するように設けられる。ソレノイドコイル3aは、電気的にはECU1のハイサイド型の出力端子1aとロウサイド側の出力端子1bとの間に接続されている。
ECU1は、マイコン2及び制御IC4の他に、昇圧電源部18、放電スイッチ19、定電流スイッチ20、気筒選択スイッチ21、を主要部品として備え、その他、ダイオードD1〜D3、ツェナーダイオードZD1、コンデンサC1、C2、抵抗R1、R2などの周辺回路を備える。ECU1には例えばバッテリ電源電圧による電源電圧VBが供給されている。
昇圧電源部18は、ECU1に供給された電源電圧VBを昇圧し、放電スイッチ19の一端子に印加する。放電スイッチ19は、例えばPチャネル型のMOSトランジスタにより構成され、制御IC4のロジック部13及び駆動部15の駆動制御に基づいてオンオフされるスイッチであり、昇圧電源部18の出力とハイサイド側の出力端子1aとの間に接続されている。この放電スイッチ19は、噴射パルスに基づく通電開始タイミングからインジェクタ3の通電電流のピークとなる駆動設定値までオンされ、放電スイッチ19がオンされると昇圧電源部18の昇圧電圧をインジェクタ3のソレノイドコイル3aに印加する。
定電流スイッチ20は、例えばNチャネル型のMOSトランジスタにより構成され、制御IC4のロジック部13及び駆動部16の駆動制御に基づいてオンオフされるスイッチであり、電源電圧VBの供給端子とハイサイド側の出力端子1aとの間に接続されている。この定電流スイッチ20は、前記した放電スイッチ19を通じて昇圧電圧がインジェクタ3に印加し印加停止された後、インジェクタ3に定電流を印加するために用いられる。
気筒選択スイッチ21は、例えばNチャネル型のMOSトランジスタにより構成され、制御IC4のロジック部13の駆動制御に基づいてオンオフされ、インジェクタ3のロウサイド側の出力端子1bとグランドとの間に接続されている。気筒選択スイッチ21は、ロジック部13によりオン制御されると該当する気筒に対応したソレノイドコイル3aへの通電が有効化される。
ダイオードD1は、定電流スイッチ20とハイサイド側の出力端子1aとの間に接続されており、昇圧電圧の逆流保護を図るために用いられる。また、ハイサイド側の出力端子1aとグランドとの間にはダイオードD2、抵抗R1、コンデンサC1が並列接続されており、ハイサイド側の出力端子1aのノイズ除去などの用途に用いられる。また、ロウサイド側の出力端子1bとグランドとの間にはコンデンサC2が接続されており、このコンデンサC2によりノイズ除去が図られている。さらに、気筒選択スイッチ21を構成するNチャネル型のMOSトランジスタのドレインゲート間には、ダイオードD3及びツェナーダイオードZD1が互いに逆方向接続されており、これにより気筒選択スイッチ21の保護が図られている。
インジェクタ3のソレノイドコイル3aの通電経路には、電流検出用の抵抗R2が接続されている。この抵抗R2は、例えば気筒選択スイッチ21の下流側、すなわちグランド側に接続されており、インジェクタ3のソレノイドコイル3aの通電電流を検出する。抵抗R2の検出電圧は、制御IC4のゲイン部17aに入力されている。制御IC4のゲイン部17aは、電流検出用の抵抗R2による検出電圧を増幅し電流制御部14に出力する。他方、制御IC4のゲイン部17bは、端子1bの電圧を入力して増幅しマイコン2内のA/D変換部7に出力する。
さて、マイコン2の内部のA/D変換部7は、ゲイン部17bの出力電圧をA/D変換処理し、補正部9に出力する。補正部9は、A/D変換部7のA/D変換結果に応じて生成部8に通電指示値をフィードバック出力する。このとき、補正部9の近似モデル生成部12はA/D変換部7のA/D変換結果に基づいて近似式M[t]による近似モデルを生成し、比較部11がこの近似式M[t]とメモリ6に記憶されるインジェクタ3の印加電圧と照合して比較する。この近似式M[t]は、インジェクタ3を駆動する系を近似モデル化した近似モデルである。
比較部11は、近似モデル生成部12による近似式M[t]と端子電圧との差異を算出し、この差異に基づくパラメータ(例えば後述の時間値t4)をメモリ6に格納すると共に補正ロジック部10に出力する。補正部9の補正ロジック部10は、この比較部11の比較結果となるパラメータに基づいて通電指示値を補正し、補正された通電指示値を生成部8に出力する。
生成部8は、補正部9により補正された通電指示値に基づいて、噴射パルスの開始/終了タイミング、ピーク電流設定値による駆動設定値、の少なくとも一つ又は全部を調整する。生成部8は、噴射パルスを制御IC4に出力すると共に、駆動設定値をピーク電流設定値として制御IC4に出力する。
制御IC4のロジック部13は、マイコン2の生成部8から噴射パルスを受付ける。制御IC4の電流制御部14は、マイコン2の生成部8から与えられる駆動設定値、及び、ゲイン部17aの出力信号に基づいて、ロジック部13に電流制御信号を出力する。ロジック部13は、生成部8から受付けられた噴射パルス、及び、電流制御部14により出力される電流制御信号に基づいて、駆動部15、16を通じて放電スイッチ19、定電流スイッチ20をオンオフ制御すると共に、気筒選択スイッチ21をオンオフ制御する。
図2は制御IC4に噴射パルスが与えられたときのインジェクタ3の通電電流の時間変化を示しており、図3はインジェクタ3を構成する磁性体のリフト挙動の大きさと、インジェクタの端子1bの電圧波形と、実端子電圧と近似モデルに基づくインジェクタ3の端子電圧との差を示している。なお、図3に示す磁性体のリフト挙動の大きさは、電磁弁が閉弁している場合を最小値とし、開弁している場合を最小値よりも大きな所定の最大値となるように示している。
図2に示すように、マイコン2が噴射パルスをアクティブレベル(例えば「H」)として制御IC4に出力すると、制御IC4は、まず放電スイッチ19をオンすることで昇圧電圧をインジェクタ3に印加する(図2のta〜tb)。そして、電流制御部14が、生成部8から入力された駆動設定値に基づいてインジェクタ3の通電電流のピーク電流を検出すると(図2のtb)、放電スイッチ19をオフ制御し、定電流スイッチ20をオンオフ制御する(図2のtb〜tc)。この定電流制御は、タイミングtcにおいて噴射パルスがノンアクティブレベル(例えば「L」)とされるまで繰り返される。これにより、インジェクタ3を通電制御できる。
本実施形態では、電磁弁が閉弁するタイミングをインジェクタ3の端子1bの電圧に基づいて推定することを特徴の一つとしている。閉弁タイミングを正確に推定できれば、回路又はインジェクタの個体差が存在したとしても閉弁タイミングを均一化できるためである。
本形態では、電磁弁が完全に開弁されている時点から完全に閉弁されるまでの間に磁性体の挙動による電圧変化が顕著に現れることを利用する。すなわちこの電圧変化が実際の回路による静的な近似モデルに基づくインジェクタ3の端子電圧の電圧変化から逸脱することを利用して電磁弁の閉弁タイミングを判定する。
以下、この詳細について説明する。まず、メモリ6には近似式M[t]が予め記憶されている。この近似式M[t]は、ECU1の内部の回路、インジェクタ3、ECU1内の配線等による構成要素、及び、インジェクタ3の端子電圧に基づいて定義される式を示すものであり、例えばインジェクタ3を構成する磁性体の挙動変化に基づく特性変化は考慮されていない。例えば近似モデルM[t]の一例を下記の(1)式に示す。
気筒選択スイッチ21をオンからオフしたときに端子1bに生じるクランプ電圧をVとし、ECU1の内部抵抗及びインジェクタ3並びに配線の抵抗値をRとし、ECU1の内部容量及び端子1bに直接接続される電気容量をCとし、収束する整定電圧をVoffsetとし、クランプ電圧Vが低下するタイミングからの経過時間をtとしたとき、(1)式のように回路の過渡応答特性について時間tを変数として記述できる。
ECU1は、メモリ6に(1)式が記憶されている状態で図4に示す処理を例えば車両走行中に実行する。例えば車両走行中に、マイコン2は、ステップS1において、インジェクタ3への通電開始からフライバック電圧が収束するまでの端子電圧V[t]をゲイン部17b、及び、A/D変換部7を用いて検出し、デジタル値としてメモリ6に保存、記憶させる。図3に示すように、タイミングta〜tcにおいて、制御IC4が気筒選択スイッチ21をオンしているときには、端子電圧V[t]は概ね0Vとなる。
また、制御IC4が気筒選択スイッチ21をオフすることにより端子電圧V[t]はフライバック電圧を生じて急激に上昇する。そして、端子1bの電圧V[t]はツェナーダイオードZD1の作用に応じてクランプ電圧Vにおいて上昇停止し、その後、タイミングt1以降においてコンデンサC1、C2、抵抗R1等の放電作用に応じて低下する。なお、端子電圧V[t]は回路動作に応じて低下すると共に、インジェクタ3を構成する磁性体のリフト挙動に応じても変化する。マイコン2が、ステップS1において端子電圧V[t]をメモリ6に保存する期間は、図3中の通電開始タイミングta〜フライバック電圧の収束タイミングt6の期間である。
そして、マイコン2は、気筒選択スイッチ21をオフ制御したタイミングt=t0から時間T0経過後のクランプ電圧Vが放電し始めるタイミングt1を始点とし、このタイミングt1からその後に予め定められるタイミングt2を終点とした電圧V[t1]〜V[t2]を用いて、ステップS2において、近似モデル生成部12により近似モデルの近似式M[t]の係数X1+X2、Y1+Y2、Z1+Z2を算出する。ここで、例えば最小二乗法を用いて係数を求めると良い。なお、これらのタイミングt1、t2はECU1の製造時又は設計時に予め定められるが、タイミングt1の設定方法は端子電圧V[t]がクランプ電圧Vより所定だけ低下し始めたタイミングをマイコン2により検出することで設定しても良いし、その他、タイミングt=t0から所定時間T0を計測して設定しても良い。
このときの期間t1〜t2は、端子電圧V[t]が低下し始めたとしても磁性体の挙動による電圧変化がない又は少なくなっている期間であり、電磁弁が完全に開弁していると見做すことが可能な期間となる。所定の期間t1〜t2の端子電圧V[t]を用いて近似することで、特に回路に依存する構成要素の個体差の影響を近似モデル(インピーダンス、インダクタンス)により極力正確にモデル化できる。また、この手法を用いると、インジェクタ3の磁性体の移動に伴う磁束変化の影響が反映されないが、この近似式M[t]を基準として、インジェクタ3のソレノイドコイル3aの端子1bの電圧V[t]をパラメータとすることで、磁性体の移動による磁束変化の影響を顕著に検出できる。
この後、マイコン2は、ステップS3において初期設定を行う。この初期設定では、マイコン2は変数t=t3に設定し、定数tsmp=サンプリング時間とする。この後、マイコン2は、ステップS4において比較部11により近似式M[t]から電圧V[t]を減算した差A[t]を算出する。そしてマイコン2は、ステップS5においてこの差A[t]の微分値B[t]を算出する。そしてマイコン2は、ステップS6においてこの微分値B[t]が予め設定された所定レベルとなる0を下回るか否かを判定する。ここで、図3に示すように、微分値B[t]が例えば0となる時点は差A[t]が最大値となるタイミングt4であり、例えば磁性体のリフト挙動が終了したと見做すタイミングである。
マイコン2は、比較部11により微分値B[t]が0を下回らないと判定された場合には、ステップS7において変数tにサンプリング時間tsmpを加算し、ステップS6の条件を満たすまで繰り返す。そして、マイコン2の比較部11は、微分値B[t]が0を下回ると判定したときに、この時間tのタイミングを特徴点P1と見做し、ステップS8において時間tを時間値t4として格納する。マイコン2の補正ロジック部10は、ステップS9において時間値t4に基づいて通電指示値を補正する。そして、生成部8はこの補正された後の通電指示値に応じて噴射パルス、駆動設定値をロジック部13、電流制御部14に出力する。これにより、補正制御を終了する。
この時間値t4における特徴点P1は、図3に示すように、端子1bの電圧V[t]が、インジェクタ3内の磁性体の移動に応じて近似式M[t]から逸脱した最大となるタイミングを示している。マイコン2がこの特徴点P1を導出して特定することでこの特徴点P1を磁性体の移動停止タイミングと見做し、これにより閉弁タイミングと見做すことができる。この特徴点P1は、例えば差A[t]が最大値となる変曲点と考慮すると良い。
例えば、微分値B[t]が0を下回るタイミングが予め定められた標準タイミングより速いときには、マイコン2は電磁弁の閉弁タイミングも速いと見做し、この閉弁タイミングを遅くするため、次回又はそれ以降の噴射パルスをノンアクティブレベルにするタイミングを前回のタイミングより遅くすると良い。逆に、微分値B[t]が0を下回るタイミングが予め定められた標準タイミングよりも遅いときには、マイコン2は電磁弁の閉弁タイミングも遅いと見做し、この閉弁タイミングを速くするため、次回又はそれ以降の噴射パルスをノンアクティブレベルにするタイミングを前回のタイミングよりも速くすると良い。
マイコン2が、噴射パルスをノンアクティブレベルにするタイミングを調整してインジェクタ3への通電電流を調整する形態を示したが、制御IC4が、マイコン2から入力される噴射パルスに応じて気筒選択スイッチ21をオフ制御するタイミングを直接調整しても良い。
マイコン2が、前述の制御を行い、通電指示値(例えば、噴射パルスをノンアクティブレベルとする指示タイミング)を補正することで、電磁弁の閉弁タイミングのバラつきを補正できる。すなわち、この閉弁タイミングの補正制御処理を、次回の噴射タイミングの噴射パルスに反映させるようにフィードバックすれば、噴射タイミングを高精度に制御できる。
以上説明したように、本実施形態によれば、メモリ6には近似式M[t]が記憶されており、マイコン2の比較部11は、メモリ6に記憶された端子1bの電圧V[t]の近似式M[t]に基づいて特徴点P1を特定し、補正ロジック部10が特徴点P1に応じてインジェクタ3の電磁弁を閉弁するためのインジェクタ3への通電指示値を補正する。この結果、ECU1内の回路、又は、インジェクタ3に個体差を生じたとしても、インジェクタ3の駆動制御を適切に行うことができる。なお、微分値B[t]が0となるタイミングを特徴点P1と見做した形態を示したが、端子電圧V[t]が所定レベルを超えて変化するタイミングを特徴点P1と見做すことができれば、この手法に限られることなく他の方法を用いることができる。
マイコン2が、インジェクタ3内の磁性体の移動による磁束変化の影響を顕著に検出可能な特徴点P1を比較部11により特定することで、この特徴点P1に応じて電磁弁の閉弁タイミングを見做し特定することができる。
(第2実施形態)
図5は第2実施形態の追加説明図を示している。第1実施形態では、メモリ6に近似モデルとしての近似式M[t]を記憶させた形態を示したが、第2実施形態では、この近似式M[t]に代わる近似マップM[n,t]を近似モデルとして記憶させる形態を示す。図5は図4に対応した動作を概略的に示すフローチャートである。本実施形態では、第1実施形態で説明した近似式M[t]の係数(例えば(1)式の係数X1、X2、Y1、Y2、Z1、Z2)に対応する変数nを予め設定した近似マップM[n,t]を用意し、メモリ6に記憶させる。
図5は第2実施形態の追加説明図を示している。第1実施形態では、メモリ6に近似モデルとしての近似式M[t]を記憶させた形態を示したが、第2実施形態では、この近似式M[t]に代わる近似マップM[n,t]を近似モデルとして記憶させる形態を示す。図5は図4に対応した動作を概略的に示すフローチャートである。本実施形態では、第1実施形態で説明した近似式M[t]の係数(例えば(1)式の係数X1、X2、Y1、Y2、Z1、Z2)に対応する変数nを予め設定した近似マップM[n,t]を用意し、メモリ6に記憶させる。
さらに具体的に説明すれば、近似マップM[n,t]は、ECU1の構成要素(回路、インジェクタ、配線等)及びインジェクタ3のソレノイドコイル3aの近似モデルの近似式M[t]に基づき予め設定されるもので、時間tを変数としたインジェクタ3のソレノイドコイル3aの端子電圧V[t]の近似マップであり、前述の構成要素の個体差(インピーダンスやインダクタンス)を考慮して、n=0から所定値まで複数設定されている。
ECU1は、この近似マップM[n,t]がメモリ6に記憶されている状態で図5に示す処理を例えば車両走行中に実行する。なお、図5には図4と同一処理については同一符号を付しており前述実施形態と同一部分については必要に応じて説明を省略する。例えば車両走行中に、マイコン2は、ステップS1においてインジェクタ3への通電開始から停止までの端子1bの電圧を検出してメモリ6に記憶、保存させ、ステップS2aにおいてタイミングt1からt2までの電圧V[t1]〜V[t2]を用いて適切な近似マップM[n,t]を特定する。例えば、近似モデル生成部12は、近似マップM[n,t]のnを変化させて当該近似マップM[n,t]の特性と端子電圧V[t]の特性とを例えば最小2乗法を用いて照合し、何れのnの近似マップM[n,t]が電圧V[t]と近いか決定することで近似マップM[n,t]を特定する。
マイコン2は、ステップS3において初期設定を行い、ステップS4aにおいて比較部11により近似マップM[n,t]から端子電圧V[t]を減算した差A[t]を算出する。そしてマイコン2は、ステップS5においてこの差A[t]の微分値B[t]が予め設定された所定レベルとなる0を下回るか否かを判定する。
マイコン2の比較部11は、微分値B[t]が0を下回ると判定したときに、この時間tのタイミングを特徴点P1と見做し、ステップS8において時間tを時間値t4として格納する。そして、マイコン2の補正ロジック部10は、ステップS9において時間値t4に基づいて通電指示値を補正する。そして、生成部8はこの補正された後の通電指示値に応じて噴射パルス、駆動設定値をロジック部13、電流制御部14に出力する。これにより、補正制御を終了する。
以上説明したように、本実施形態においても前述実施形態と同様の作用効果を奏する。また、予め用意された近似マップM[n,t]の中から選定して近似できるため、誤設定を極力回避できると共に近似マップM[n,t]の算出のための複雑な演算を不要にできる。
(第3実施形態)
図6は第3実施形態の追加説明図を示している。第3実施形態では、例えばECU1を製造するときに、第1実施形態で説明した近似式M[t]の数式について予め工程学習する形態を示す。図6は、ECU1の製品製造時に近似式M[t]を学習するための処理動作を概略的に示している。
図6は第3実施形態の追加説明図を示している。第3実施形態では、例えばECU1を製造するときに、第1実施形態で説明した近似式M[t]の数式について予め工程学習する形態を示す。図6は、ECU1の製品製造時に近似式M[t]を学習するための処理動作を概略的に示している。
ECU1の製品製造時には、内部回路構成、配線レイアウトが決定され、その後、部品を全て組付けする。ECU1の完成後には製品テストが行われる。このECU1の製品テストを行うときには、インジェクタ3として標準となるマスタインジェクタを用いると共に、さらにその他の標準的な周辺部品を用いると共に標準的な測定環境を用いてテストが行われる。図6に示すように、このテスト時に、マイコン2は制御IC4からインジェクタ3に通電し、ステップT1において端子1bの電圧V[t]を検出しメモリ6に保存させる。
そして、マイコン2は、製造時又は設計時に予め定められた期間t1〜t2の端子電圧V[t1]〜V[t2]を用いて、ステップT2において近似モデル生成部12により近似式M[t]を設定する。そしてマイコン2は、ステップT3においてこの近似式M[t]を内部のメモリ6に保存する。この結果、製品テスト時に検出された電圧V[t]に基づいて、基本的な近似式M[t]を(1)式の係数X1、Y1、Z1と合わせて予めメモリ6に保存させることができる。ここでX2、Y2、Z2は暫定的に0に設定される。
この基本的な近似式M[t]は、マスタインジェクタなどの標準的な部品を用いると共に標準的な測定環境を用いて設定された近似式であるため、実際に組付けされたインジェクタ3を用いたときには、このインジェクタ3の個体差、配線、環境温度等の実環境に応じて、適切な近似式M[t]の係数が異なることが想定される。
このECU1の製品出荷後には、実際に組付けられたインジェクタ3に電流を流し当該インジェクタ3を駆動することになるが、このときの近似式M[t]における(1)式の係数X2、Y2、Z2を、この実使用時のインジェクタ3の端子1bの電圧に基づいて調整する。この調整分は(1)式の係数X2、Y2、Z2に対応する。
本実施形態によれば、予め近似式M[t]を、係数X1、Y1、Z1と合わせてECU1の製品出荷時に設定し、その後、インジェクタ3の個体差、電源電圧、温度などの実環境に適合するように近似式M[t]の係数X2、Y2、Z2を微調整できる。この結果、ECU1の製品出荷時には、ECU1を構成する電気的要素(例えば抵抗の抵抗値など)のバラつきの影響を吸収でき、近似式M[t]の精度を向上でき、実使用時における誤設定を防止できる。特に予め近似式M[t]を初期段階からある程度定めているため、近似式M[t]を実環境に適合させてパラメータを収束させるための時間を極力短くできる。また、実使用時にこれらの近似式M[t]を高精度に補正できる。
(第4実施形態)
図7は第4実施形態の追加説明図を示している。この第4実施形態ではECU1を製造するときに、第2実施形態で説明した近似マップM[n,t]について工程学習する形態を示す。図7は、製品製造時に近似マップM[n,t]を学習するための処理動作を概略的に示す。
図7は第4実施形態の追加説明図を示している。この第4実施形態ではECU1を製造するときに、第2実施形態で説明した近似マップM[n,t]について工程学習する形態を示す。図7は、製品製造時に近似マップM[n,t]を学習するための処理動作を概略的に示す。
第3実施形態と同様であるが、図7に示すように、ECU1の製品テスト時には、マイコン2が制御IC4からインジェクタ3のソレノイドコイル3aに通電し、ステップT1においてこの端子1bの電圧を検出しメモリ6に保存させる。このときマイコン2は、製造時又は設計時に予め定められた期間t1〜t2の端子電圧V[t1]〜V[t2]を用いて、ステップT2において近似モデル生成部12により近似式M[t]を設定する。そして、マイコン2はこの近似式M[t]に基づいて、ステップT4において個体差を考慮して複数の近似マップM[n,t]を設定し、ステップT5においてメモリ6に保存させる。
コンデンサC1、C2、抵抗R1、ダイオードD1〜D3及びZD1は、例えば電源電圧VBや環境温度などに応じてその値が変化するが、値nはこの電源電圧VBや環境温度に依存して変化する回路パラメータを考慮したものであり、この回路パラメータを変化させた近似マップM[n,t]をメモリ6に保存させる。この結果、製品テスト時に検出されたインジェクタ3の端子1bの電圧に基づいて、基本的な近似マップM[n,t]を予めメモリ6に保存させることができる。
この基本的な近似マップM[n,t]は、ECU1の外部にマスタインジェクタ、マスタ回路などの標準的な部品を用い、予め定められた電源電圧VBや環境温度などのパラメータを用いて測定された近似マップである。このため、実際に車両に組付けされたインジェクタ3を用いるときには、このインジェクタ3の個体差に応じた適切な近似マップM[n,t]を選定することで、より適切な近似マップM[n,t]の値nを選定できる。
このECU1の製品出荷後には、ECU1は実際に組付けられたインジェクタ3に電流を流して当該インジェクタ3を駆動することになるが、実使用時のインジェクタ3の端子1bの電圧V[t]に基づいて近似マップM[n,t]のnを設定することで近似マップM[n,t]を設定する。
このように、近似マップM[n,t]を製品出荷時にメモリ6に記憶させることで、その後、実使用時の電源電圧、温度などに適合した近似マップM[n,t]の値nを設定できる。この結果、ECU1の製品出荷時には、ECU1を構成する電気的要素(例えば、ダイオードD1〜D3の順方向電圧Vf、ツェナーダイオードZD1のツェナー電圧、抵抗R1、R2の抵抗値など)のバラつきの影響を吸収でき、近似マップM[n,t]の近似精度を向上でき、実使用時における誤設定を防止できる。特に近似マップM[n,t]は初期段階からある程度予め定められているため、近似マップM[n,t]を実環境に適合させてパラメータを収束させるための時間を極力短くできる。
(他の実施形態)
本発明は、上記説明した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の実施形態に適用可能である。例えば以下に示す変形又は拡張が可能である。
本発明は、上記説明した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の実施形態に適用可能である。例えば以下に示す変形又は拡張が可能である。
前述実施形態では、電磁弁が開弁していると予め定められる第1所定期間t1〜t2における近似モデルM[t]、M[n,t]がメモリ6に記憶される形態を示したが、第2所定期間t5〜t6における端子1bの電圧V[t]を補助的に記憶させてこの期間t5〜t6の電圧V[t]を用いて近似式M[t]の係数X1、X2、Y1、Y2、Z1、Z2を算出したり、近似マップM[n,t]の値nを設定したりしても良い。
この期間t5〜t6は、図3に示すように磁性体のリフト挙動が最小値(すなわち閉弁状態)となっている期間であり、電磁弁が閉弁していることが想定される期間であるものの、この期間t5〜t6は端子1bの電圧V[t]が徐々に変化している期間である。この期間t5〜t6におけるインジェクタ3の端子1bの電圧V[t]の波形は、電磁弁が閉弁していることが想定されることから、回路に基づく近似モデルM[t]、M[n,t]に適合する。このため、マイコン2は、この期間t5〜t6における端子1bの電圧V[t]の波形を補助的に用いて、近似式M[t]の係数X1、X2、Y1、Y2、Z1、Z2や、近似マップM[n,t]の値nを定めるようにしても良い。
「コイルに係る電圧」として、端子1bの電圧を適用した形態を示し、端子1bの電圧V[t]の近似式M[t]、近似マップM[n,t]を用いた形態を示しているが、インジェクタ3への通電電流の近似式、近似マップなどの近似モデルを用いても良い。
前述実施形態では、説明の簡略化のため、1気筒分のインジェクタを表記して説明を行ったが、2気筒以上の場合においても同様の内容を実施できる。
図面中、1は電子制御装置(ECU、電磁弁駆動装置)、2はマイクロコンピュータ、3はインジェクタ、3aはソレノイドコイル(コイル)、6はメモリ(記憶部)、10は補正ロジック部(補正処理部)、11は比較部(特徴点特定部)、M[t]は近似式(近似モデル)、M[n,t]は近似マップ(近似モデル)、を示す。
Claims (8)
- コイル(3a)を備えるインジェクタ(3)を駆動することで電磁弁を開弁/閉弁する電磁弁駆動装置であって、
前記インジェクタのコイルの通電電流又はコイルに係る電圧に基づいて前記インジェクタを駆動する系をモデル化した近似モデル(M[t],M[n,t])を記憶する記憶部(6)と、
前記インジェクタの通電電流又は電圧が前記記憶部に記憶された前記近似モデルに基づく通電電流又は電圧に基づいて特徴点(P1)を特定する特徴点特定部(11)と、
前記特徴点特定部により特定された特徴点に応じて前記電磁弁を閉弁するための前記インジェクタへの通電指示値を補正する補正処理部(10)と、
を備える電磁弁駆動装置。 - 請求項1記載の電磁弁駆動装置において、
前記特徴点特定部は、特定された特徴点に応じて電磁弁の閉弁タイミングを見做し特定する電磁弁駆動装置。 - 請求項1または2記載の電磁弁駆動装置において、
前記記憶部は、前記近似モデル(M[t])を、前記インジェクタへの通電電流又は電圧の近似式(M[t])を用いて定義された状態で記憶する電磁弁駆動装置。 - 請求項3記載の電磁弁駆動装置において、
前記記憶部は、前記近似式について時間(t)を変数として記憶する電磁弁駆動装置。 - 請求項1記載の電磁弁駆動装置において、
前記記憶部は、前記近似モデル(M[n,t])を、前記インジェクタへの通電電流又は電圧のパラメータに応じた近似マップ(M[n,t])を用いて記憶する電磁弁駆動装置。 - 請求項5記載の電磁弁駆動装置において、
前記記憶部は、前記近似マップについて時間(t)を変数として記憶する電磁弁駆動装置。 - 請求項1から6の何れか一項に記載の電磁弁駆動装置において、
前記記憶部は、前記電磁弁が開弁していると予め定められる所定期間(t1〜t2)における前記近似モデルを記憶する電磁弁駆動装置。 - 請求項1から6の何れか一項に記載の電磁弁駆動装置において、
前記記憶部は、前記電磁弁が開弁していると予め定められる第1所定期間(t1〜t2)と前記電磁弁が閉弁していると予め定められる第2所定期間(t5〜t6)とにおける前記近似モデルを記憶する電磁弁駆動装置。
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