JP2017055533A - 電子制御装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】モータを制御する電子制御装置であって、中点がステータコイルに接続されるハイサイドスイッチ素子とローサイドスイッチ素子、これら2種類のスイッチ素子の温度を個別に検出する温度センサ、温度信号を処理する処理部を有する半導体ユニットと、2種類のスイッチ素子で構成されたインバータと界磁巻線への通電を制御する制御部と、を有する。制御部は、処理信号の示す温度が正常動作上限温度よりも低い場合、界磁巻線のPWM制御のパルス幅を処理信号の示す温度に応じずに決定し、温度が正常動作上限温度以上の場合、界磁巻線のPWM制御のパルス幅を温度に応じて低減し、温度が禁止温度以上の場合、界磁巻線への通電を止める。
【選択図】図6
Description
直列接続され、その中点が固定子のステータコイル(206)に接続されるハイサイドスイッチ素子(21,23)とローサイドスイッチ素子(22,24)、ハイサイドスイッチ素子とローサイドスイッチ素子それぞれの温度を個別に検出する複数の温度センサ(21a〜24a)、および、複数の温度センサから出力された温度信号を処理し、処理した処理信号を出力する処理部(25)を有する半導体ユニット(20)と、
複数の直列接続されたハイサイドスイッチ素子とローサイドスイッチ素子によって構成されたインバータ(21〜24)、および、回転子の有する界磁巻線(205)への通電それぞれを制御する制御部(10,30)と、を有し、
制御部は、回転トルクの発生要求、若しくは、発電要求に基づいて、界磁巻線への通電をPWM制御しつつ、回転子の回転位相にも基づいてインバータをPWM制御しており、
インバータが正常に動作する上限の温度を正常動作上限温度、正常動作上限温度よりも高く、インバータの動作を禁止する温度を禁止温度とすると、
制御部は、
処理信号の示す温度が正常動作上限温度よりも低い場合、界磁巻線のPWM制御のパルス幅を処理信号の示す温度に応じずに決定し、
処理信号の示す温度が正常動作上限温度以上であり、禁止温度よりも低い場合、界磁巻線のPWM制御のパルス幅を処理信号の示す温度に応じて低減し、
処理信号の示す温度が禁止温度以上の場合、界磁巻線への通電を止める。
処理信号の示す温度が正常動作上限温度よりも低い場合、ローサイドスイッチ素子のPWM制御のキャリア周波数を一定に保ち、
処理信号の示す温度が正常動作上限温度以上であり、禁止温度よりも低い場合、ローサイドスイッチ素子のPWM制御のキャリア周波数を処理信号の示す温度に応じて低下させ、
処理信号の示す温度が禁止温度以上の場合、インバータの制御を止める。
(第1実施形態)
図1〜図6に基づいて本実施形態に係る電子制御装置を説明する。図1では電子制御装置100の他に、モータ200、上位ECU300、および、内燃機関400も図示している。また図2では樹脂部27によって覆われた部位が不明りょうとなることを避けるために樹脂部27を透明で示し、その外形輪郭線のみを示している。そして図2では温度センサ21a〜24aを模式的にブロックとして図示している。さらに図2では、煩雑となることを避けるため、スイッチ素子21〜24と金属フレーム26とを電気的に接続するワイヤ28の図示を省略している。
次に、本発明の第2実施形態を図8〜図11に基づいて説明する。第2実施形態に係る電子制御装置は上記した実施形態によるものと共通点が多い。そのため以下においては共通部分の説明を省略し、異なる部分を重点的に説明する。また以下においては上記した実施形態で示した要素と同一の要素には同一の符号を付与する。
次に、本発明の第3実施形態を図12および図13に基づいて説明する。第3実施形態に係る電子制御装置は上記した実施形態によるものと共通点が多い。そのため以下においては共通部分の説明を省略し、異なる部分を重点的に説明する。また以下においては上記した実施形態で示した要素と同一の要素には同一の符号を付与する。
次に、本発明の第4実施形態を図14に基づいて説明する。第4実施形態に係る電子制御装置は上記した実施形態によるものと共通点が多い。そのため以下においては共通部分の説明を省略し、異なる部分を重点的に説明する。また以下においては上記した実施形態で示した要素と同一の要素には同一の符号を付与する。
各実施形態では電子制御装置100がアイドルストップ車両に搭載された例を示した。しかしながら上記例に限定されず、電子制御装置100はアイドルストップを行わない車両に搭載されてもよい。なお上記の車両としては、具体的には、エンジン自動車やハイブリッド自動車がある。
Claims (16)
- 内燃機関(400)のクランクシャフト(410)に連動して回転するシャフト(201)、前記シャフトに設けられた回転子(202)、および、前記回転子の周囲に設けられた固定子(203)を備えたモータ(200)を制御する電子制御装置であって、
直列接続され、その中点が前記固定子のステータコイル(206)に接続されるハイサイドスイッチ素子(21,23)とローサイドスイッチ素子(22,24)、前記ハイサイドスイッチ素子と前記ローサイドスイッチ素子それぞれの温度を個別に検出する複数の温度センサ(21a〜24a)、および、複数の前記温度センサから出力された温度信号を処理し、処理した処理信号を出力する処理部(25)を有する半導体ユニット(20)と、
複数の直列接続された前記ハイサイドスイッチ素子と前記ローサイドスイッチ素子によって構成されたインバータ(21〜24)、および、前記回転子の有する界磁巻線(205)への通電それぞれを制御する制御部(10,30)と、を有し、
前記制御部は、回転トルクの発生要求、若しくは、発電要求に基づいて、前記界磁巻線への通電をPWM制御しつつ、前記回転子の回転位相にも基づいて前記インバータをPWM制御しており、
前記インバータが正常に動作する上限の温度を正常動作上限温度、前記正常動作上限温度よりも高く、前記インバータの動作を禁止する温度を禁止温度とすると、
前記制御部は、
前記処理信号の示す温度が前記正常動作上限温度よりも低い場合、前記界磁巻線のPWM制御のパルス幅を前記処理信号の示す温度に応じずに決定し、
前記処理信号の示す温度が前記正常動作上限温度以上であり、前記禁止温度よりも低い場合、前記界磁巻線のPWM制御のパルス幅を前記処理信号の示す温度に応じて低減し、
前記処理信号の示す温度が前記禁止温度以上の場合、前記界磁巻線への通電を止める電子制御装置。 - 前記制御部は、
前記処理信号の示す温度が前記正常動作上限温度よりも低い場合、前記ローサイドスイッチ素子のPWM制御のキャリア周波数を一定に保ち、
前記処理信号の示す温度が前記正常動作上限温度以上であり、前記禁止温度よりも低い場合、前記ローサイドスイッチ素子のPWM制御のキャリア周波数を前記処理信号の示す温度に応じて低下させ、
前記処理信号の示す温度が前記禁止温度以上の場合、前記インバータの制御を止める請求項1に記載の電子制御装置。 - 前記制御部は、
前記処理信号の示す温度が前記正常動作上限温度よりも低い場合、前記ローサイドスイッチ素子のPWM制御のパルス幅を前記回転トルクの発生要求、および、前記発電要求のいずれかに応じて決定し、
前記処理信号の示す温度が前記正常動作上限温度以上であり、前記禁止温度よりも低い場合、前記ローサイドスイッチ素子のPWM制御のパルス幅を前記回転トルクの発生要求、および、前記発電要求のいずれかに応じて決定し、その決定した前記パルス幅を前記処理信号の示す温度に応じて低める請求項2に記載の電子制御装置。 - 前記処理部は、複数の前記温度センサそれぞれから出力される複数の前記温度信号を、前記温度信号の電圧レベルに応じた所定の離散値に変換し、前記離散値に応じたデューティによって温度を表すデジタル信号に変換した前記処理信号を前記制御部に出力する請求項1〜3いずれか1項に記載の電子制御装置。
- 前記処理部は、複数の前記温度センサそれぞれから出力される複数の前記温度信号の中から最も温度の高い前記温度信号を選択し、それを変換した前記処理信号を1つの出力端子(20o)を介して前記制御部に出力する請求項4に記載の電子制御装置。
- 前記処理部は、複数の前記温度センサそれぞれから出力される複数の前記温度信号を順番に処理して前記処理信号を生成し、その生成した複数の前記温度信号それぞれに対応する前記処理信号を1つの出力端子(20o)を介して前記制御部に出力する請求項4に記載の電子制御装置。
- 前記処理部は、複数の前記温度信号の示す温度のうちの少なくとも1つが前記禁止温度以上の場合、前記制御部に前記インバータの制御の停止要求信号を出力する請求項5または請求項6に記載の電子制御装置。
- 前記制御部は、前記停止要求信号を受け取ると、前記インバータの制御を止める請求項7に記載の電子制御装置。
- 前記処理部は、複数の前記温度信号の示す温度のうちの少なくとも1つが前記禁止温度以上の場合、前記ハイサイドスイッチ素子および前記ローサイドスイッチ素子それぞれを強制的にオフ状態にする請求項5〜8いずれか1項に記載の電子制御装置。
- 前記モータには、前記モータと前記半導体ユニットを冷却する内部冷却装置(61)が取り付けられており、
前記内部冷却装置の駆動を制御する冷却駆動回路部(60)を有し、
前記制御部は、前記処理信号の示す温度が前記正常動作上限温度以上の場合、前記冷却駆動回路部に前記内部冷却装置による前記モータの強制冷却要求を出力する請求項1〜9いずれか1項に記載の電子制御装置。 - 前記制御部と外部電子制御装置(300)とが通信するための通信回路部(40)を有する請求項1〜10いずれか1項に記載の電子制御装置。
- 前記外部電子制御装置は、外部冷却装置(301)を制御しており、
前記制御部は、前記処理信号の示す温度が前記正常動作上限温度以上の場合、前記外部電子制御装置に前記外部冷却装置による前記半導体ユニットの強制冷却要求を出力する請求項11に記載の電子制御装置。 - 前記制御部は、前記正常動作上限温度を100%、前記正常動作上限温度よりも温度の低い正常動作下限温度を0%とする温度負荷率を算出し、前記温度負荷率を前記外部電子制御装置に通知する請求項11または請求項12に記載の電子制御装置。
- 前記制御部は、前記処理信号の示す温度が前記正常動作上限温度よりも高くなった場合に、前記処理信号の示す温度に応じた前記モータで発電することのできる量を示す発電量制限値を算出し、前記発電量制限値を前記外部電子制御装置に通知する請求項11〜13いずれか1項に記載の電子制御装置。
- 前記外部電子制御装置はアイドルストップを制御しており、
前記制御部は、前記処理信号の示す温度が前記禁止温度以上となった場合に、アイドルストップの禁止を前記外部電子制御装置に通知する請求項11〜14いずれか1項に記載の電子制御装置。 - 前記半導体ユニットは、前記ハイサイドスイッチ素子、前記ローサイドスイッチ素子、前記温度センサ、および、前記処理部の他に、前記ハイサイドスイッチ素子、前記ローサイドスイッチ素子、前記温度センサ、および、前記処理部それぞれを搭載する金属フレーム(26)と、前記ハイサイドスイッチ素子、前記ローサイドスイッチ素子、前記温度センサ、前記処理部、および、前記金属フレームそれぞれを被覆する樹脂部(27)と、を有する請求項1〜15いずれか1項に記載の電子制御装置。
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