JP2017055113A - 太陽電池モジュール及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は、太陽電池モジュールに関するものである。【解決手段】本発明の一例に従う太陽電池モジュールは、半導体基板、半導体基板の後面に互いに異なる極性を有する第１電極及び第２電極が第１方向に長く形成される複数の太陽電池と、半導体基板の後面に第１方向と交差する第２方向に長く配置され、かつ第１電極または第２電極のうち、いずれか１つのセル電極に導電性接着剤を通じて接続し、他の１つのセル電極とは絶縁層により絶縁される複数の導電性配線とを含み、導電性接着剤はいずれか１つのセル電極に接続する第１接着層と、第１接着層上に位置し、複数の導電性配線に接続する第２接着層を含む。【選択図】図１

Description

本発明は、太陽電池モジュール及びその製造方法に関する。

最近、石油や石炭などの既存のエネルギー資源の枯渇が予測されるにつれて、これらに代える代替エネルギーに対する関心が高まり、これによって太陽エネルギーから電気エネルギーを生産する太陽電池が注目を受けている。

一般的な太陽電池はｐ型とｎ型のように互いに異なる導電性タイプ（conductive type）によりｐ−ｎ接合を形成する半導体部、そして互いに異なる導電性タイプの半導体部に各々連結された電極を備える。

このような太陽電池に光が入射されれば、半導体部で複数の電子−正孔対が生成され、生成された電子−正孔対は電荷である電子と正孔に各々分離されて、電子はｎ型の半導体部側に移動し、正孔はｐ型の半導体部側に移動する。移動した電子と正孔は各々ｎ型の半導体部とｐ型の半導体部に連結された互いに異なる電極により収集され、この電極を電線により連結することによって電力を得る。

このような太陽電池は、複数個がインターコネクタにより互いに連結されてモジュールに形成できる。

一方、このような太陽電池のうち、電極が全て後面に接続される後面コンタクト太陽電池は、半導体基板の後面に位置した電極に金属配線が接続できる。

しかしながら、金属配線を太陽電池の後面に接続する時、金属配線と半導体基板の熱膨張係数の差によって、金属配線と半導体基板の後面に位置する電極との間が正しく接続できず、断線される問題点があった。

併せて、このような断線は金属配線の長手方向の両端部でその発生頻度がより大きく発生する問題点があった。

本発明は、信頼性が向上した太陽電池モジュール及びその製造方法を提供することをその目的とする。

本発明の一例に従う太陽電池モジュールは、半導体基板、半導体基板の後面に互いに異なる極性を有する第１電極及び第２電極が第１方向に長く形成される複数の太陽電池と、半導体基板の後面に第１方向と交差する第２方向に長く配置され、かつ第１電極または第２電極のうち、いずれか１つのセル電極に導電性接着剤を通じて接続し、他の１つのセル電極とは絶縁層により絶縁される複数の導電性配線と、を含み、導電性接着剤はいずれか１つのセル電極に接続する第１接着層と、第１接着層上に位置し、複数の導電性配線に接続する第２接着層を含む。

ここで、第１接着層の融点と第２接着層の融点とは互いに異なることがある。一例として、第２接着層の融点は第１接着層の融点より低いことがある。

ここで、第１接着層と導電性配線との間に位置する第２接着層の厚さは第１接着層の厚さより小さいことがある。

併せて、第１接着層はＳｎ、ＳｎＡｇＣｕ、ＳｎＰｂ、ＳｎＢｉＣｕＣｏ、ＳｎＢｉＡｇ、ＳｎＰｂＡｇ、またはＳｎＡｇのうち、少なくとも１つの材質を含むソルダーペースト形態に形成され、第２接着層はＳｎＢｉまたはＳｎＩｎのうち、少なくとも１つの材質を含むソルダーペースト形態に形成できる。

併せて、複数の導電性配線は第１電極に接続される第１導電性配線及び第２電極に接続される第２導電性配線を含み、第１接着層は第１導電性配線と第１電極とが交差する複数の交点、及び第２導電性配線と第２電極とが交差する複数の交点毎に位置して互いに離隔できる。

また、第２接着層は第１接着層の各々毎に位置することができる。

または、第２接着層のうちの少なくとも一部は、第２接着層の第２方向長さが第１接着層の第２方向長さより長いロングパターンで形成できる。

より具体的には、複数の太陽電池の各々に含まれた半導体基板の後面は、中央領域と中央領域から第２方向の両側縁部に位置するエッジ領域を含み、第２接着層のうち、ロングパターンはエッジ領域に位置するか、または第２接着層は全体がロングパターンで形成されて、半導体基板の後面に全体的に位置することができる。

また、エッジ領域で、ロングパターンのうち、第１導電性配線と重畳するロングパターンの第２方向長さまたは位置は、第２導電性配線と重畳するロングパターンの第２方向長さまたは位置と異なることがある。

ここで、ロングパターンの第２接着層は第１接着層及び絶縁層と重畳できる。

併せて、半導体基板のエッジ領域で、ロングパターンを有する第２接着層の第２方向長さは第２方向に互いに隣接した２つの交点の両端部の距離より大きく、半導体基板の第２方向の最大長さの１０％以内でありうる。

また、半導体基板のエッジ領域は、第１導電性配線が突出する半導体基板の第１側面に隣接した第１エッジ領域、及び第１側面の反対側に位置し、第２導電性配線が突出する第２側面に隣接した第２エッジ領域を含むことができる。

ここで、第１エッジ領域で、第１導電性配線と重畳するロングパターンの第２方向長さは、第１エッジ領域で第２導電性配線と重畳するロングパターンの第２方向長さより長いことがある。

併せて、第１エッジ領域で第１導電性配線と重畳するロングパターンの第２方向長さは、第２エッジ領域で第１導電性配線と重畳するロングパターンの第２方向長さより長いことがある。

また、第２エッジ領域で第２導電性配線と重畳するロングパターンの第２方向長さは、第２エッジ領域で第１導電性配線と重畳するロングパターンの第２方向長さより長いことがある。

また、第２エッジ領域で第２導電性配線と重畳するロングパターンの第２方向長さは、第１エッジ領域で第２導電性配線と重畳するロングパターンの第２方向長さより長いことがある。

また、半導体基板の両側エッジ領域で複数の第１電極は第２方向に長く形成され、第２導電性配線と重畳する領域で離隔する複数の第１フィンガー電極と、第１導電性配線と重畳する領域で複数の第１フィンガー電極を第２方向に連結する第１連結電極を含み、複数の第２電極は第２方向に長く形成され、第１導電性配線と重畳する領域で離隔する複数の第２フィンガー電極と、第２導電性配線と重畳する領域で複数の第２フィンガー電極を第２方向に連結する第２連結電極を含むことができる。

このような第１及び第２連結電極の各々は、第１及び第２エッジ領域のうち、第１及び第２導電性配線の各々と重畳する領域の内でジグザグ形態に形成できる。

また、両側エッジ領域で第１電極は第１導電性配線と重畳する領域の内で第１フィンガー電極から第２方向に突出した第１分岐電極をさらに含み、第２電極は第２導電性配線と重畳する領域の内で第２フィンガー電極から第２方向に突出した第２分岐電極をさらに含むことができる。

また、複数の太陽電池のうち、互いに隣接して配置される第１及び第２太陽電池の間に第２方向と交差する第１方向に長く配置され、第１及び第２太陽電池を第２方向に直列連結するために、第１太陽電池に接続した複数の第１導電性配線と第２太陽電池に接続した複数の第２導電性配線が共通に接続されるインターコネクタとを含むことができる。

また、本発明の一例に従う太陽電池モジュールの製造方法は、半導体基板の後面に互いに異なる極性を有する第１電極と第２電極が第１方向に長く形成される複数の太陽電池を用意するステップと、第１電極または第２電極のうち、いずれか１つのセル電極の上に第１接着層を形成し、他の１つのセル電極の上に絶縁層を形成するステップと、第１接着層の上に第１接着層より融点の低い第２接着層を塗布するステップと、第１方向と交差する第２方向に第１及び第２接着層及び絶縁層と重畳するように導電性配線を配置するステップと、第２導電性接着層を導電性配線に接着させるために複数の太陽電池を前面透明基板と後面シートとの間に配置した状態で熱と圧力を伴うラミネーションを遂行するステップと、を含む。

ここで、ラミネーションの工程温度は第２接着層の融点より高く、第１接着層の融点より低いことがある。

併せて、第２接着層塗布ステップで、第２接着層のうち、少なくとも半導体基板のエッジ領域に位置した第２接着層は、第２方向長さが第１接着層の第２方向長さより長いロングパターンで形成できる。

また、エッジ領域で、第１導電性配線と重畳するロングパターンの第２方向長さや位置は、第２導電性配線と重畳するロングパターンの第２方向長さや位置と異なるように形成できる。

本発明に従う太陽電池モジュール及びその製造方法は、第１及び第２導電性配線と第１及び第２電極との間を接続させる第１導電性接着剤が融点の互いに異なる第１及び第２接着層で備えられるようにして、第１及び第２導電性配線と第１及び第２電極との間の物理的接着力をより向上させることができる。

また、本発明は半導体基板の第１及び第２領域で第１導電性接着剤の長さを互いに異なるようにして、第１及び第２導電性配線と第１及び第２電極との間の物理的接着力をより向上させることができる。

本発明の一例に従う太陽電池モジュールの前面全体平面形態を説明するための図である。 図１で、第２方向（ｘ）に互いに隣接して、インターコネクタ３００により連結された第１及び第２太陽電池Ｃ１、Ｃ２の断面を概略的に示す一例である。 図１に図示された第１及び第２太陽電池Ｃ１、Ｃ２の直列連結構造を具体的に説明するための図である。 図１に図示された第１及び第２太陽電池Ｃ１、Ｃ２の直列連結構造を具体的に説明するための図である。 図１に図示された第１及び第２太陽電池Ｃ１、Ｃ２の直列連結構造を具体的に説明するための図である。 本発明に適用される太陽電池の一例を説明するための図である。 本発明に適用される太陽電池の一例を説明するための図である。 本発明に適用される太陽電池の一例を説明するための図である。 本発明の第１導電性接着剤２５１に対する第１実施形態を説明するための図である。 本発明の第１導電性接着剤２５１に対する第１実施形態を説明するための図である。 本発明の第１導電性接着剤２５１に対する第１実施形態を説明するための図である。 本発明の第１導電性接着剤２５１に対する第２実施形態を説明するための図である。 本発明の第１導電性接着剤２５１に対する第２実施形態を説明するための図である。 本発明の第１導電性接着剤２５１に対する第３実施形態を説明するための図である。 本発明の第１導電性接着剤２５１に対する第３実施形態を説明するための図である。 本発明の第１導電性接着剤２５１に対する第３実施形態を説明するための図である。 本発明の第１導電性接着剤２５１に対する第３実施形態を説明するための図である。 本発明の第１導電性接着剤２５１に対する第３実施形態を説明するための図である。 本発明の第１導電性接着剤２５１に対する第３実施形態を説明するための図である。 本発明の第１導電性接着剤２５１に対する第３実施形態を説明するための図である。 本発明の第１導電性接着剤２５１に対する第３実施形態を説明するための図である。 本発明の第１導電性接着剤２５１に対する第３実施形態を説明するための図である。 本発明の効果に対して説明するための図である。 半導体基板１１０の両側エッジ領域（Ａ２）に位置した第１導電性接着剤２５１に対する変更例を説明するための図である。 半導体基板１１０のエッジ領域（Ａ２）で第１及び第２電極１４０のパターンの多様な変更例を説明するための図である。 半導体基板１１０のエッジ領域（Ａ２）で第１及び第２電極１４０のパターンの多様な変更例を説明するための図である。 本発明の一例に従う太陽電池モジュールの製造方法である。

以下、添付した図面を参考にして本発明の実施形態に対して本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者が容易に実施することができるように詳細に説明する。しかしながら、本発明は種々の相異する形態に具現されることができ、ここで説明する実施形態に限定されるものではない。そして、図面で本発明を明確に説明するために説明と関係ない部分は省略し、明細書の全体を通じて類似の部分に対しては類似の図面符号を付けた。

図面において、多数の層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の“上に”あるという時、これは他の部分の“真上に”ある場合だけでなく、その中間に他の部分がある場合も含む。反対に、ある部分が他の部分の“真上に”あるという時には、中間に他の部分がないことを意味する。また、ある部分が他の部分の上に“全体的”に形成されているという時には、他の部分の全体面に形成されているものだけでなく、縁部の一部には形成されていないことを意味する。

以下、前面ということは、直射光が入射される半導体基板の一面であり、後面ということは、直射光が入射されないか、または、直射光でない反射光が入射できる半導体基板の反対面でありうる。

併せて、以下で、セルストリングということは、複数の太陽電池が互いに直列連結された構造や形態を意味する。

また、ある構成部分の厚さや幅が他の構成部分の厚さや幅と同一であるという意味は工程誤差を含んで、１０％の範囲内で同一であることを意味する。

図１は本発明の一例に従う太陽電池モジュールの前面全体平面形態を説明するための図であり、図２は図１で第２方向（ｘ）に互いに隣接して、インターコネクタ３００により連結された第１及び第２太陽電池Ｃ１、Ｃ２の断面を概略的に示す一例である。

図１及び図２に示すように、本発明の一例に従う太陽電池モジュールは、複数の太陽電池及び複数の第１及び第２導電性配線２００を含む。

併せて、これに加えて、複数の太陽電池を第２方向（ｘ）に互いに直列連結するインターコネクタ３００、複数の太陽電池が互いに直列連結されたセルストリングをカプセル化する前面透明基板１０、充填材２０、３０、後面シート４０、及びフレーム５０をさらに備えることができる。

ここで、複数の太陽電池は、図１に示すように、各々が第２方向（ｘ）に長く配列され、半導体基板１１０と、半導体基板１１０の後面に複数の第１電極１４１及び第２電極１４２を備えることができる。このような複数の太陽電池に対しては図６以下でより具体的に説明する。

複数の第１及び第２導電性配線２００は、図１及び図２に示すように、複数の太陽電池の各々の後面に接続できる。

このように、複数の第１及び第２導電性配線２００が接続された複数の太陽電池は、図１及び図２に示すように、インターコネクタ３００により第２方向（ｘ）に直列連結できる。

一例に、インターコネクタ３００は複数の太陽電池のうち、第２方向（ｘ）に互いに隣接して配置される第１太陽電池Ｃ１と第２太陽電池Ｃ２とを互いに直列連結することができる。

この際、図２に示すように、第１太陽電池Ｃ１に接続された複数の第１導電性配線２１０の前面と第２太陽電池Ｃ２に接続された複数の第２導電性配線２２０の前面がインターコネクタ３００の後面に接続されることができ、これによって、複数の太陽電池が直列連結されるセルストリングが形成できる。

このようなセルストリングは、図２に示すように、前面透明基板１０と後面シート４０との間に配置された状態で熱圧着されてラミネーティングできる。

一例に、複数の太陽電池は前面透明基板１０と後面シート４０との間に配置され、ＥＶＡシートのように透明な充填材２０、３０が複数の太陽電池の全体の前面及び後面に配置された状態で、熱と圧力が同時に加えられるラミネーション工程により一体化してカプセル化できる。

併せて、図１に示すように、ラミネーション工程によりカプセル化された前面透明基板１０、後面シート４０、及び充填材２０、３０は、フレーム５０により縁部が固定されて保護できる。

併せて、セルストリングの各々は第２方向（ｘ）に長く位置し、第１方向（ｙ）に離隔して配列されることができ、このような複数のセルストリングは第１方向（ｙ）に長く伸びているバーシングバー３１０により第１方向（ｙ）に直列連結できる。

ここで、前面透明基板１０は透過率が高く、破損防止機能に優れる強化ガラスなどで形成できる。

後面シート４０は太陽電池Ｃ１、Ｃ２の後面から湿気が侵入することを防止して太陽電池を外部環境から保護することができる。このような後面シート４０は、水分と酸素侵入を防止する層、化学的腐食を防止する層のような多層構造を有することができる。

このような後面シート４０は、ＦＰ（fluoropolymer）／ＰＥ（polyester）／ＦＰ（fluoropolymer）のような絶縁物質の薄いシートからなるが、他の絶縁物質からなる絶縁シートでありうる。

このようなラミネーション工程は、前面透明基板１０と太陽電池との間、及び太陽電池と後面シート４０との間にシート形態の充填材２０、３０が配置された状態で進行できる。

ここで、充填材２０、３０の材質は絶縁層２５２の材質と異なる材質で形成されることができ、湿気の侵入による腐食を防止し、太陽電池Ｃ１、Ｃ２を衝撃から保護し、このために衝撃を吸収することができるエチレンビニールアセテート（ＥＶＡ：ethylene vinyl acetate）のような物質で形成できる。

したがって、前面透明基板１０と太陽電池との間、及び太陽電池と後面基板との間に配置された面形状の充填材２０、３０は、ラミネーション工程中に熱と圧力により軟化及び硬化できる。

以下、図１及び図２に図示された太陽電池モジュールで、複数の太陽電池が第１及び第２導電性配線２００及びインターコネクタ３００により直列連結される構造をより具体的に説明する。

図３から図５は、図１に図示された第１及び第２太陽電池Ｃ１、Ｃ２の直列連結構造を具体的に説明するための図である。

ここで、図３は図１から第２方向（ｘ）に互いに隣接して、インターコネクタ３００により連結された第１及び第２太陽電池Ｃ１、Ｃ２の前面を示す一例であり、図４は図３に図示された第１及び第２太陽電池Ｃ１、Ｃ２の後面を示す一例であり、図５は図３及び図４でＸ１−Ｘ１ラインに従う断面を示すものである。

図３から図４に示すように、本発明に従う太陽電池モジュールで、第１及び第２導電性配線２００は、第１及び第２太陽電池Ｃ１、Ｃ２に備えられた半導体基板１１０の後面に接続できる。

ここで、第１及び第２太陽電池Ｃ１、Ｃ２は、第２方向（ｘ）に離隔して配列されることができ、図４に示すように、第１及び第２太陽電池Ｃ１、Ｃ２の各々は少なくとも半導体基板１１０及び半導体基板１１０の後面に互いに離隔して第２方向（ｘ）と交差する第１方向（ｙ）に長く伸びて形成される複数の第１電極１４１及び複数の第２電極１４２を備えることができる。

併せて、複数の第１及び第２導電性配線２００は、第１及び第２太陽電池Ｃ１、Ｃ２の配列方向である第２方向（ｘ）に長く伸びて配置され、第１及び第２太陽電池Ｃ１、Ｃ２の各々に接続できる。

このような複数の第１及び第２導電性配線２００は、第１及び第２太陽電池Ｃ１、Ｃ２の各々に備えられた複数の第１電極１４１に交差及び重畳して接続される複数の第１導電性配線２１０と、複数の第２電極１４２に交差及び重畳して接続される複数の第２導電性配線２２０とを含むことができる。

より具体的に、複数の太陽電池Ｃ１、Ｃ２の各々で複数の第１導電性配線２１０は第１電極１４１と交差する複数の交点で導電性材質の第１導電性接着剤２５１を通じて第１電極１４１に接続され、第２電極１４２と交差する複数の交点で絶縁性材質の絶縁層２５２により第２電極１４２と絶縁できる。

ここで、絶縁層２５２は絶縁性材質であれば何でも構わず、一例に、エポキシ系列の樹脂、ポリイミド、ポリエチレン、アクリル系列の樹脂、またはシリコン系列の樹脂のうち、いずれか１つの絶縁性材質が使用できる。

併せて、複数の太陽電池Ｃ１、Ｃ２の各々で複数の第２導電性配線２２０は第２電極１４２と交差する複数の交点で第２電極１４２に第１導電性接着剤２５１を通じて接続され、第１電極１４１と交差する複数の交点で絶縁層２５２により第１電極１４１と絶縁できる。

このような第１及び第２導電性配線２００は導電性金属材質で形成され、かつ金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、またはアルミニウム（Ａｌ）のうち、いずれか１つを含む導電性コアと、コア２０１の表面をコーティングし、錫（Ｓｎ）または錫（Ｓｎ）を含む合金を含む導電性コーティング層を含むことができる。

好ましい一例に、コアは銅（Ｃｕ）で形成されることができ、コーティング層は錫（Ｓｎ）を含む合金であるＳｎＢｉＡｇで形成できる。

このような第１導電性配線２１０の両端のうち、インターコネクタ３００と接続する一端は半導体基板１１０の第１側面の外に突出することができ、第２導電性配線２２０の両端のうち、インターコネクタ３００と接続する一端は半導体基板１１０の第２側面の外に突出できる。

ここで、第１側面は導電性配線２００と交差し、第１方向（ｙ）と並んでいる半導体基板１１０のいずれか一側面を意味し、第２側面は半導体基板１１０で第１側面の反対側の側面を意味することができる。

したがって、第１導電性配線２１０の一端及び第２導電性配線２２０の一端は、各々半導体基板の投影領域の外に突出することができ、第１導電性配線２１０の他端及び第２導電性配線２２０の他端は半導体基板の投影領域の内に位置することができる。

ここで、複数の第１及び第２導電性配線２００は断面が円形を有する導電性ワイヤー形態、または幅が厚さより大きいリボン形態を有することができる。

ここで、図４及び図５に図示された第１及び第２導電性配線２００の各々の線幅は、導電性配線の線抵抗を十分に低く維持しながら、製造コストが最小になるように考慮して、０．５ｍｍ〜２．５ｍｍに形成されることができ、第１導電性配線２１０と第２導電性配線２２０との間隔は第１及び第２導電性配線２００の総個数を考慮して、太陽電池モジュールの短絡電流が毀損されないように４ｍｍ〜６．５ｍｍに形成できる。

このように、第１及び第２導電性配線２００の各々が１つの太陽電池に接続される個数は１０個〜２０個でありうる。したがって、第１及び第２導電性配線２００が１つの太陽電池に接続される総個数の和は２０個〜４０個でありうる。

ここで、第１導電性接着剤２５１は導電性金属材質で形成されることができ、ソルダーペースト（solder paste）、エポキシソルダーペースト（epoxy solder paste）、または導電性ペースト（Conductive paste）のうち、いずれか１つの形態に形成できる。

ここで、ソルダーペースト層は錫（Ｓｎ）または錫（Ｓｎ）を含む合金で形成され、エポキシソルダーペースト層はエポキシに錫（Ｓｎ）または錫（Ｓｎ）を含む合金で形成できる。

このような第１導電性接着剤の構造に対しては、図１５以下でより具体的に説明する。

ここで、絶縁層２５２は、図４に示すように、第１導電性配線２１０と第２電極１４２とが交差する複数の交点、及び第２導電性配線２２０と第１電極１４１とが交差する複数の交点で、第１導電性配線２１０と第２電極１４２との間、及び第２導電性配線２２０と第１電極１４１との間に各々位置することができる。

併せて、第１導電性配線２１０と第２電極１４２とが交差する複数の交点、及び第２導電性配線２２０と第１電極１４１とが交差する複数の交点の各々に位置した絶縁層２５２は各々互いに離隔できる。

このような絶縁層２５２は絶縁性材質であれば何でも構わず、一例に、エポキシ系列、ポリイミド、ポリエチレン、アクリル系列、またはシリコン系列のうち、いずれか１つの絶縁性材質が使用できる。

このような複数の第１及び第２導電性配線２００は、各々の一端がインターコネクタ３００に連結されて、複数の太陽電池を互いに直列連結することができる。

より具体的に、インターコネクタ３００は第１太陽電池Ｃ１と第２太陽電池Ｃ２との間に位置し、第１方向（ｙ）に長く伸びていることができる。

ここで、図３及び図４に示すように、太陽電池を平面から見た時、インターコネクタ３００は第１太陽電池Ｃ１の半導体基板１１０及び第２太陽電池Ｃ２の半導体基板１１０と離隔して配置できる。

併せて、このようなインターコネクタ３００に第１太陽電池Ｃ１の第１電極１４１に接続された第１導電性配線２１０の一端と第２太陽電池Ｃ２の第２電極１４２に接続された第２導電性配線２２０の一端が共通に接続されて、第１及び第２太陽電池Ｃ１、Ｃ２は第２方向（ｘ）に互いに直列連結できる。

より具体的には、図５に示すように、第１及び第２太陽電池Ｃ１、Ｃ２が第２方向（ｘ）に配列された状態で、第１及び第２太陽電池Ｃ１、Ｃ２は第１及び第２導電性配線２００とインターコネクタ３００により第２方向（ｘ）に長く伸びて直列連結される１つのストリングを形成することができる。

ここで、一例として、図５に示すように、第１及び第２導電性配線２００の各々の一端はインターコネクタ３００と重畳して、第２導電性接着剤３５０を通じてインターコネクタ３００に接着できる。

ここで、第１及び第２導電性配線２００とインターコネクタ３００とを互いに接着させる第２導電性接着剤３５０は、錫（Ｓｎ）または錫（Ｓｎ）を含む合金を含む金属材質で形成できる。

より具体的には、第２導電性接着剤３５０は、（１）錫（Ｓｎ）または錫（Ｓｎ）を含む合金を含むソルダーペースト（solder paste）形態に形成されるか、（２）エポキシに錫（Ｓｎ）または錫（Ｓｎ）を含む合金が含まれたエポキシソルダーペースト（epoxy solder paste）または導電性ペースト（Conductive paste）形態に形成できる。

このような構造を有する太陽電池モジュールは、別途のインターコネクタ３００を備えるので、複数個の太陽電池のうち、第１及び第２導電性配線２００と第１及び第２電極２００との間に接続不良が発生した太陽電池がある場合、インターコネクタ３００と複数の第１及び第２導電性配線２００との間の接続を解除して、該当太陽電池のみより容易に取り替えることができる。

今までは本発明に従う太陽電池モジュールで、互いに隣接した任意の第１及び第２太陽電池Ｃ１、Ｃ２の各々の後面に第１及び第２導電性配線２００が接続され、第１及び第２太陽電池Ｃ１、Ｃ２がインターコネクタ３００に直列連結される構造を説明した。

以下、このような第１及び第２太陽電池Ｃ１、Ｃ２に適用可能な太陽電池の具体的な構造について説明する。

図６から図８は本発明に適用される太陽電池の一例を説明するための図であって、図６は本発明に適用される太陽電池の一例を示す一部斜視図であり、図７は図６に図示された太陽電池の第２方向（ｘ）の断面を図示したものであり、図８は半導体基板の後面に形成された第１及び第２電極２００のパターンを図示したものである。

図６及び図７に示すように、本発明に従う太陽電池の一例は、反射防止膜１３０、半導体基板１１０、トンネル層１８０、第１半導体部１２１、第２半導体部１７２、真性半導体部１５０、パッシベーション層１９０、複数の第１電極１４１及び複数の第２電極１４２を備えることができる。

ここで、反射防止膜１３０、トンネル層１８０、及びパッシベーション層１９０は省略されることもできるが、備えられた場合、太陽電池の効率がより向上されるので、以下では備えられた場合を一例として説明する。

半導体基板１１０は、第１導電性タイプまたは第２導電性タイプの不純物がドーピングされる単結晶シリコン、多結晶シリコンのうち、少なくともいずれか１つで形成できる。一例として、半導体基板１１０は単結晶シリコンウエハーで形成できる。

ここで、半導体基板１１０に含まれた第１導電性タイプの不純物または第２導電性タイプの不純物はｎ型またはｐ型導電性タイプのうち、いずれか１つでありうる。

半導体基板１１０がｐ型の導電性タイプを有する場合、硼素（Ｂ）、ガリウム、インジウムなどの３価元素の不純物が半導体基板１１０にドーピング（doping）される。しかしながら、半導体基板１１０がｎ型の導電性タイプを有する場合、燐（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）などの５価元素の不純物が半導体基板１１０にドーピングできる。

以下、このような半導体基板１１０の含まれた不純物が第２導電性タイプの不純物で、かつｎ型の場合を一例として説明する。しかしながら、必ずこれに限定されるものではない。

このような半導体基板１１０の前面に複数の凹凸面を有することができる。これによって、半導体基板１１０の前面の上に位置した第１半導体部１２１も凹凸面を有することができる。

これによって、半導体基板１１０の前面で反射される光量が減少して半導体基板１１０の内部に入射される光量が増加することができる。

反射防止膜１３０は、外部から半導体基板１１０の前面に入射される光の反射を最小化するために、半導体基板１１０の前面の上に位置し、アルミニウム酸化膜（ＡｌＯｘ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）、シリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）、及びシリコン酸化窒化膜（ＳｉＯｘＮｙ）のうち、少なくとも１つで形成できる。

トンネル層１８０は半導体基板１１０の後面の全体に直接接触して配置され、誘電体材質を含むことができる。したがって、トンネル層１８０は図６及び図７に示すように、半導体基板１１０で生成されるキャリアを通過させることができる。

このようなトンネル層１８０は半導体基板１１０で生成されたキャリアを通過させ、半導体基板１１０の後面に対するパッシベーション機能を遂行することができる。

併せて、トンネル層１８０は６００℃以上の高温工程にも耐久性の強いＳｉＣｘまたはＳｉＯｘで形成される誘電体材質で形成できる。

第１半導体部１２１は、図６及び図７に示すように、半導体基板１１０の後面に配置され、かつ一例に、トンネル層１８０の後面の一部に直接接触して配置できる。

併せて、このような第１半導体部１２１は半導体基板１１０の後面に第１方向（ｙ）に長く配置され、第２導電性タイプと反対である第１導電性タイプを有する多結晶シリコン材質で形成できる。

ここで、第１半導体部１２１は第１導電性タイプの不純物がドーピングされることができ、半導体基板１１０に含まれた不純物が第２導電性タイプの不純物の場合、第１半導体部１２１はトンネル層１８０を挟んで半導体基板１１０とｐ−ｎ接合を形成することができる。

各第１半導体部１２１は半導体基板１１０とｐ−ｎ接合を形成するので、第１半導体部１２１はｐ型の導電性タイプを有することができ、複数の第１半導体部１２１がｐ型の導電性タイプを有する場合、第１半導体部１２１には３価元素の不純物がドーピングできる。

第２半導体部１７２は、半導体基板１１０の後面に第１半導体部１２１と並んでいる第１方向（ｙ）に長く伸びて配置され、一例に、トンネル層１８０の後面の中で前述した第１半導体部１２１の各々と離隔した一部の領域に直接接触して形成できる。

このような第２半導体部１７２は、第２導電性タイプの不純物が半導体基板１１０より高濃度でドーピングされる多結晶シリコン材質で形成できる。したがって、例えば、半導体基板１１０が第２導電性タイプの不純物であるｎ型タイプの不純物でドーピングされる場合、複数の第２半導体部１７２はｎ＋の不純物領域でありうる。

このような第２半導体部１７２は、半導体基板１１０と第２半導体部１７２との不純物濃度差による電位障壁により電子の移動方向である第２半導体部１７２側への正孔の移動を妨害する一方、第２半導体部１７２側へのキャリア（例、電子）の移動を容易にすることができる。

したがって、第２半導体部１７２及びその付近または第１及び第２電極２００で電子と正孔との再結合により失われる電荷の量を減少させ、電子の移動を加速化させて第２半導体部１７２への電子移動量を増加させることができる。

今までの図６から図７では、半導体基板１１０が第２導電性タイプの不純物である場合を一例として説明しながら、第１半導体部１２１がエミッタ部としての役割をし、第２半導体部１７２が後面電界部としての役割をする場合を一例として説明した。

しかしながら、これとは異なり、半導体基板１１０が第１導電性タイプの不純物を含有する場合、第１半導体部１２１が後面電界部としての役割をし、第２半導体部１７２がエミッタ部としての役割をすることもできる。

併せて、図６及び図７では、第１半導体部１２１及び第２半導体部１７２がトンネル層１８０の後面に多結晶シリコン材質で形成された場合を一例として説明した。

しかしながら、これとは異なり、トンネル層１８０が省略された場合、第１半導体部１２１及び第２半導体部１７２は半導体基板１１０の後面内に不純物が拡散されてドーピングされることができ、このような場合、第１半導体部１２１及び第２半導体部１７２は半導体基板１１０と同一な単結晶シリコン材質で形成できる。

真性半導体部１５０は、図６から図７に示すように、第１半導体部１２１と第２半導体部１７２との間に露出したトンネル層１８０の後面に形成されることができ、このような真性半導体部１５０は第１半導体部１２１及び第２半導体部１７２とは異なり、第１導電性タイプの不純物または第２導電性タイプの不純物がドーピングされない真性多結晶シリコン層で形成できる。

併せて、図６及び図７に示すように、真性半導体部１５０の両側面の各々は、第１半導体部１２１の側面及び第２半導体部１７２の側面に直接接触される構造を有することができる。

パッシベーション層１９０は、第１半導体部１２１、第２半導体部１７２、及び真性半導体部１５０に形成される多結晶シリコン材質の層の後面に形成されたダングリングボンド（dangling bond）による欠陥を除去して、半導体基板１１０から生成されたキャリアがダングリングボンド（dangling bond）により再結合して消滅することを防止する役割をすることができる。

複数の第１電極１４１は、図８に示すように、第１半導体部１２１に接続し、第１方向（ｙ）に長く伸びて形成できる。このような第１電極１４１は、第１半導体部１２１側に移動したキャリア、例えば正孔を収集することができる。

複数の第２電極１４２は第２半導体部１７２に接続し、第１電極１４１と並んで第１方向（ｙ）に長く伸びて形成できる。このような第２電極１４２は、第２半導体部１７２側に移動したキャリア、例えば、電子を収集することができる。

このような第１電極１４１及び第２電極１４２は第１方向（ｙ）に長く形成され、第２方向（ｘ）に離隔できる。併せて、図８に示すように、第１電極１４１及び第２電極１４２は第２方向（ｘ）に交互に配置できる。

このような構造で製造された本発明に従う太陽電池において、第１電極１４１を通じて収集された正孔及び第２電極１４２を通じて収集された電子は、外部の回路装置を通じて外部装置の電力に利用できる。

本発明に従う太陽電池モジュールに適用された太陽電池は図６及び図７のみに限定されるものでなく、太陽電池に備えられる第１及び第２電極２００が半導体基板１１０の後面のみに形成される点を除いて、他の構成要素はいくらでも変更可能である。

例えば、本発明の太陽電池モジュールには第１電極１４１の一部及び第１半導体部１２１が半導体基板１１０の前面に位置し、第１電極１４１の一部が半導体基板１１０に形成されたホールを通じて半導体基板１１０の後面に形成された第１電極１４１の残りの一部と連結されるＭＷＴタイプの太陽電池も適用可能である。

一方、本発明では第１導電性接着剤２５１は融点が互いに異なる第１接着層２５１ａ及び第２接着層２５１ｂを含んで構成できる。これに対し、より具体的に説明すると、次の通りである。

図９から図１１は、本発明の第１導電性接着剤２５１に対する第１実施形態を説明するための図である。

ここで、図９は第１導電性接着剤２５１に対し、より具体的に説明するために、図５に図示された太陽電池モジュールの断面の一部を拡大図示したものであり、図１０は第１及び第２電極が形成された半導体基板１１０の後面に第１接着層２５１ａ及び絶縁層２５２が形成された一例を簡略に図示したものであり、図１１は図１０のように第１接着層２５１ａ及び絶縁層２５２が形成された半導体基板１１０の後面に第２接着層２５１ｂが塗布された一例を図示したものである。

図９から図１１では前述した内容と重複する内容に対しては省略し、異なる部分を中心に説明する。

本発明に従う太陽電池モジュールでは、いずれか１つの太陽電池で第１導電性接着剤２５１は、図９に示すように、第１電極１４１と第１導電性配線２１０との間、または第２電極１４２と第２導電性配線２２０との間に位置することができる。

絶縁層２５２は、第１電極１４１と第２導電性配線２２０との間、または第２電極１４２と第１導電性配線２１０との間に位置することができる。

ここで、図９に示すように、第１導電性接着剤２５１は、一例として、導電性配線２００と交差するいずれか１つのセル電極の上に位置することができ、絶縁層２５２は他の１つのセル電極の上だけでなく、周囲の半導体基板１１０後面の上にも位置することができる。

したがって、絶縁層２５２は電気的接続を希望しない導電性配線２００といずれか１つのセル電極を完全に絶縁させることができる。

ここで、第１導電性接着剤２５１は、図９に示すように、融点が互いに異なる第１接着層２５１ａ及び第２接着層２５１ｂを含んで構成できる。

併せて、第１接着層２５１ａはセル電極１４１または１４２と導電性配線２００との間に位置し、かつセル電極１４１または１４２に直接接着して位置することができる。

即ち、第１接着層２５１ａは第１導電性配線２１０と第１電極１４１とが交差する複数の交点、及び第２導電性配線２２０と前記第２電極１４２とが交差する複数の交点毎に位置することができる。

併せて、第１接着層２５１ａは第１導電性配線２１０と第１電極１４１とが交差する複数の交点の間、及び第２導電性配線２２０と前記第２電極１４２とが交差する複数の交点の間で第２方向（ｘ）に離隔できる。

また、第２接着層２５１ｂは第１接着層２５１ａの上に位置して、複数の導電性配線２００に接続することができる。

即ち、第２接着層２５１ｂは第１接着層２５１ａと導電性配線２００との間に位置し、かつ第１接着層２５１ａと導電性配線２００に直接接着して位置することができる。

このような第２接着層２５１ｂは（ｃａｓｅ １）全体がショートパターン（short pattern）２５１ｂＳで形成されるか、（ｃａｓｅ ２）全体がロングパターン（long pattern）２５１ｂＬで形成されるか、または（ｃａｓｅ ３）第２接着層２５１ｂのうちの一部はショートパターン２５１ｂＳで形成され、第２接着層２５１ｂのうちの残りの一部はロングパターン２５１ｂＬで形成できる。

ここで、ショートパターン２５１ｂＳは第２接着層２５１ｂが第１接着層２５１ａの各々毎に位置し、第２方向（ｘ）の長さが相対的に短くて、各交点の間で離隔するパターンを意味する。

併せて、ロングパターン２５１ｂＬは第２接着層２５１ｂが第１接着層２５１ａ及び絶縁層に重畳して位置し、第１接着層２５１ａの第２方向（ｘ）の長さより第２方向（ｘ）に一層長く形成されて、各交点の間で離隔せず、延びるパターンを意味する。

ここで、ｃａｓｅ １に対しては図９から図１１で説明し、ｃａｓｅ ２に対しては図１２及び図１３で説明し、ｃａｓｅ ３に対しては図１４から図２４で説明する。

したがって、図９から図１１では第２接着層２５１ｂの全体がショートパターン２５１ｂＳのみで形成されるので、ショートパターン２５１ｂＳのみ図示し、図１２及び図１３では第２接着層２５１ｂの全体がロングパターン２５１ｂＬのみで形成されるので、ロングパターン２５１ｂＬのみ図示した。

以下の図９から図１１では、第２接着層２５１ｂがショートパターン２５１ｂＳで形成された場合を前提にして説明する。

ここで、第２接着層２５１ｂは第１接着層２５１ａと異なる材質を有し、第２接着層２５１ｂの融点は第１接着層２５１ａの融点と異なることがある。

より具体的には、ここで、第１接着層２５１ａの融点は複数の太陽電池をモジュール化させるラミネーション工程の第１温度より高く、第２接着層２５１ｂの融点はラミネーション工程の第１温度と等しいか低いことがある。

一例に、第１接着層２５１ａの融点はラミネーション工程の温度範囲である１６０℃〜１７０℃の間のうちのいずれか１つの第１温度より高く、第２接着層２５１ｂの融点は１６０℃〜１７０℃の間のうちのいずれか１つの第１温度以下でありうる。

一例として、第１接着層の融点は１６０℃〜１７０℃の間の第１温度より高く、３００℃以下であり、第２接着層の融点は１１０℃以上で、第１温度より低いことがある。

これによって、ラミネーション工程のうち、第１接着層２５１ａは溶けないで、その形態を維持することができ、第２接着層２５１ｂのみ溶けて、いずれか１つのセル電極の上に接着された第１接着層２５１ａは導電性配線２００に接着させることができる。

このような本発明の第１導電性接着剤２５１の構造は、第２接着層２５１ｂが導電性配線２００と直接接触される部分に位置し、かつ第２接着層２５１ｂの融点を相対的に低くすることで、導電性配線２００を半導体基板１１０の後面に接着させるタビング工程を複数の太陽電池をモジュール化するラミネーション工程中に遂行されるようにして、太陽電池モジュールの工程をより単純化することができる。

したがって、相対的に低い温度（一例に、１６０℃〜１７０℃の間）で導電性配線２００を半導体基板１１０の後面に接続させるようにして、導電性配線２００の熱膨張ストレスを最小化することができ、熱膨張によって導電性配線２００が浮き上がって、一部の電極と電気的に接続されず、断線される太陽電池モジュールの不良を最小化することができる。

ここで、第１導電性接着剤２５１の第１接着層２５１ａ及び第２接着層２５１ｂは、錫（Ｓｎ）または錫（Ｓｎ）を含む合金を含む金属材質で形成できる。

併せて、このような第１導電性接着剤２５１は、錫（Ｓｎ）または錫（Ｓｎ）を含む合金を含むソルダーペースト（solder paste）、エポキシに錫（Ｓｎ）または錫（Ｓｎ）を含む合金が含まれたエポキシソルダーペースト（epoxy solder paste）、または導電性ペースト（Conductive paste）のうち、いずれか１つの形態に形成できる。

一例に、第１接着層２５１ａがソルダーペーストの形態に適用された場合、第１接着層２５１ａのソルダーペーストには、Ｓｎ、ＳｎＡｇＣｕ、ＳｎＰｂ、ＳｎＢｉＣｕＣｏ、ＳｎＢｉＡｇ、ＳｎＰｂＡｇ、またはＳｎＡｇのうち、少なくとも１つの金属材質を含むことができる。

併せて、第２接着層２５１ｂがソルダーペーストの形態に適用された場合、第２接着層２５１ｂのソルダーペーストにはＳｎＢｉまたはＳｎＩｎのうち、少なくとも１つの材質が含まれる。

または、第１接着層２５１ａがエポキシソルダーペーストの形態に適用された場合、第１接着層２５１ａのエポキシ樹脂内にＳｎ、ＳｎＡｇＣｕ、ＳｎＰｂ、ＳｎＢｉＣｕＣｏ、ＳｎＢｉＡｇ、ＳｎＰｂＡｇ、またはＳｎＡｇのうち、少なくとも１つの金属材質が含まれることができる。

併せて、第２接着層２５１ｂがエポキシソルダーペーストの形態に適用された場合、第２接着層２５１ｂのエポキシ樹脂内にＳｎＢｉまたはＳｎＩｎのうち、少なくとも１つの金属材質が含まれることができる。

図９から図１１に示すように、第２接着層２５１ｂの全体がショートパターン２５１ｂＳのみで形成される場合、第２接着層２５１ｂは第１接着層２５１ａの各々毎に位置して、導電性配線２００の長手方向である第２方向（ｘ）に離隔して配列できる。

即ち、ショートパターン２５１ｂＳで形成された第２接着層２５１ｂは、第１導電性配線２１０と第１電極１４１とが交差する複数の交点毎に位置し、第１導電性配線２１０と第１電極１４１とが交差する複数の交点の間の第１方向（ｘ）で互いに離隔できる。

併せて、ショートパターン２５１ｂＳで形成された第２接着層２５１ｂは、第２導電性配線２２０と第２電極１４２とが交差する複数の交点毎に位置し、第２導電性配線２２０と第２電極１４２とが交差する複数の交点の間で互いに離隔できる。

したがって、ショートパターン２５１ｂＳで形成された第２接着層２５１ｂが第２方向（ｘ）に配列された位置は、第１接着層２５１ａが第２方向（ｘ）に配列された位置と同一であり、ショートパターン２５１ｂＳで形成された第２接着層２５１ｂが絶縁層２５２の上には位置しないことがある。これに対しては、図１０及び図１１でより具体的に説明する。

ここで、図９に示すように、いずれか１つのセル電極と導電性配線２００との間に位置する第１導電性接着剤２５１の厚さ（Ｔ２５１）は、他の１つのセル電極と導電性配線２００との間に位置する絶縁層２５２の厚さ（Ｔ２５２）より大きく形成できる。

この際、一例として、第１電極１４１と第１導電性配線２１０との間に位置する第１導電性接着剤２５１の厚さ（Ｔ２５１）は、第２電極１４２と第１導電性配線２１０との間に位置する絶縁層２５２の厚さ（Ｔ２５２）より大きいことがあり、反対に、第２電極１４２と第２導電性配線２２０との間に位置する第１導電性接着剤２５１の厚さ（Ｔ２５１）は、第１電極１４１と第２導電性配線２２０との間に位置する絶縁層２５２の厚さ（Ｔ２５２）より大きいことがある。

一例として、第１導電性接着剤２５１の厚さ（Ｔ２５１）は１０μｍ〜１５０μｍの間に形成されることができ、絶縁層２５２の厚さ（Ｔ２５２）は第１導電性接着剤２５１の厚さ（Ｔ２５１）より小さな範囲の中で１μｍ〜５０μｍの間に形成できる。

ここで、絶縁層２５２の厚さ（Ｔ２５２）は導電性配線２００と他の１つのセル電極との間に位置する部分の厚さを意味する。

併せて、図９に示すように、各電極の上に位置した第１導電性接着剤２５１は導電性配線２００に接着され、いずれか１つのセル電極と導電性配線との間の間隔は第１導電性接着剤２５１の厚さ（Ｔ２５１）と同一であるので、絶縁層２５２と導電性配線２００との間は互いに一定間隔（ＤＰ）だけ離隔できる。

ここで、第１接着層２５１ａと導電性配線２００との間に位置する第２接着層２５１ｂの厚さ（Ｔ２５１Ｂ）は、第１接着層２５１ａの厚さ（Ｔ２５１Ａ）より小さいことがある。

第１接着層２５１ａの厚さ（Ｔ２５１Ａ）対比第２接着層２５１ｂの厚さ（Ｔ２５１Ｂ）の割合は１：１／１０〜１／２の間に形成されることができ、第１接着層２５１ａの厚さ（Ｔ２５１Ａ）は絶縁層２５２の厚さ（Ｔ２５２）より大きく形成できる。

一例に、第１接着層２５１ａの厚さ（Ｔ２５１Ａ）が絶縁層２５２の厚さ（Ｔ２５２）より大きい範囲の中で９μｍ〜１００μｍの間に形成される場合、第２接着層２５１ｂの厚さ（Ｔ２５１Ｂ）は第１接着層２５１ａの厚さ（Ｔ２５１Ａ）の１／１０〜１／２の間の範囲の中で１μｍ〜５０μｍ間に形成できる。

このように、本発明はラミネーション工程で溶けない第１接着層２５１ａの厚さ（Ｔ２５１Ａ）を絶縁層２５２の厚さ（Ｔ２５２）より相対的に大きくして、導電性配線２００が接続されなければならないいずれか１つのセル電極と接続されず、断線される不良を予め予防することができる。

併せて、第２接着層２５１ｂの厚さ（Ｔ２５１Ｂ）を第１接着層２５１ａの厚さ（Ｔ２５１Ａ）より格段に小さくして、ラミネーション工程で第２接着層２５１ｂが希望しない領域まで広がることを最小化することができる。

一例に、第２接着層２５１ｂが過度に厚い場合、ラミネーション工程中に溶けて絶縁されなければならない他の１つのセル電極のうち、絶縁層２５２が形成されない部分まで広く広がって、希望しない短絡が発生することがあるが、これを防止することができる。

ここで、図示してはいないが、第１及び第２電極１４１、Ｃ１４２の間の離隔した空間及び絶縁層２５２と導電性配線２００との間の離隔した空間には、ラミネーション工程中、太陽電池の前面と後面との間に外部の衝撃と湿気から太陽電池を保護するＥＶＡ（ethylene vinyl acetate）のような物質が詰まることができる。

併せて、第１及び第２導電性配線２１０、２２０の各々は、コア２０１及びコーティング層２０２を含むことができる。

ここで、コア２０１は銅（Ｃｕ）またはアルミニウム（Ａｌ）のうち、少なくとも１つの材質を含んで形成されることができ、コーティング層２０２は錫（Ｓｎ）を含んで形成できる。一例に、コーティング層２０２はＳｎＰｂ、ＳｎＡｇＣｕ、ＳｎＢｉＡｇ、ＳｎＢｉ、Ｓｎ、またはＳｎＡｇのうち、少なくとも１つを含んで形成できる。

ここで、コア２０１の厚さは５０μｍ〜２５０μｍの間であり、コーティング層２０２の厚さは１μｍ〜３０μｍの間でありうる。

このように、第１導電性接着剤２５１が第１接着層２５１ａと第２接着層２５１ｂを有するようにする太陽電池モジュールは、次に図示された図１０及び図１１に図示されたような方法により形成できる。

本発明に従う太陽電池モジュールを製造する方法の一例は、半導体基板１１０の後面に第１接着層２５１ａと絶縁層２５２を形成するステップ、第２接着層２５１ｂを塗布するステップ、導電性配線２００を配置するステップ、及びラミネーションステップを遂行するステップを含む。

ここで、半導体基板１１０の後面に第１接着層２５１ａ及び絶縁層２５２を形成するステップでは、互いに異なる極性を有する第１電極１４１及び第２電極１４２が第１方向（ｙ）に長く形成された半導体基板１１０の後面のうち、第１電極１４１または第２電極１４２のうち、いずれか１つのセル電極の上に第１接着層２５１ａが形成され、他の１つのセル電極の上に絶縁層２５２が形成できる。

一例として、図１０に示すように、半導体基板１１０の後面に第１及び第２電極が図１０のように第１方向（ｙ）に長く形成され、導電性配線２００がＡ２００の領域に沿って第２方向（ｘ）に長く配置される場合、複数の第１及び第２電極１４１、１４２のうち、導電性配線２００が配置されるＡ２００領域のうち、導電性配線２００と接続される部分の上には第１接着層２５１ａを形成し、導電性配線２００と絶縁される部分の上には絶縁層２５２を形成することができる。

この際、第１接着層２５１ａは融点が複数の太陽電池をモジュール化させるラミネーション工程の温度より高い材質が使われることができ、絶縁層２５２やはり融点がラミネーション工程の温度より高い材質が使われることができる。

以後、第１接着層２５１ａの上に第１接着層２５１ａより融点の低い第２接着層２５１ｂを塗布することができる。

この際、第２接着層２５１ｂは融点がラミネーション工程の温度と等しいか低い材質が利用できる。

併せて、このように第２接着層２５１ｂを塗布するステップで、第２接着層２５１ｂを第１接着層２５１ａが形成された部分の上に塗布し、かつ第２接着層２５１ｂは第２方向（ｘ）に離隔して塗布して、ショートパターン２５１ｂＳで形成できる。

このようにすることで、第２接着層２５１ｂの使用を最小化して費用を低減すると共に、ラミネーション工程中に第２接着層２５１ｂが不要な部分まで広く広がることを防止して、希望しない短絡を防止することができる。

以後、導電性配線２００を配置するステップでは、第２方向（ｘ）に第１及び第２導電性接着層及び絶縁層２５２と重畳するように導電性配線２００をＡ２００領域に配置し、ラミネーションを遂行するステップで熱と圧力を加えて第２接着層２５１ｂを導電性配線２００に接着させて、図１から図４に図示されたような太陽電池モジュールを形成することができる。この際、ラミネーション工程の温度は、一例に、１６０℃〜１７０℃の間でありうる。

このようなラミネーションを遂行するステップで、第１接着層２５１ａと第２接着層２５１ｂのうち、第２接着層２５１ｂのみ溶けて導電性配線２００に接着できる。これによって、希望しない短絡を防止して太陽電池モジュールの不良発生率を格段に減らすことができる。

併せて、ラミネーションを遂行するステップで、第１及び第２電極１４１、Ｃ１４２の間の離隔した空間、及び絶縁層２５２と導電性配線２００との間の離隔した空間にＥＶＡ（ethylene vinyl acetate）のような物質が詰まることができる。

今までは、第２接着層２５１ｂに対するｃａｓｅ １のように、第２接着層２５１ｂが第１接着層２５１ａの上に形成され、かつ第２方向（ｘ）に離隔したショートパターン２５１ｂＳで形成される場合を一例として説明した。

しかしながら、これとは異なり、第２接着層２５１ｂはｃａｓｅ ２のように、全体がロングパターン２５１ｂＬで形成できる。

したがって、ロング接着層２５１ｂＬで形成された第２接着層２５１ｂは、第２方向（ｘ）に離隔せず、スープライフ形態に長く連続形成できる。

これに対し、より具体的に説明すると、次の通りである。

図１２から図１３は、本発明の第１導電性接着剤２５１に対する第２実施形態を説明するための図である。

図１２から図１３では、先の図１から図１１で説明した内容と重複する内容に対しては省略し、異なる部分を中心に説明する。

第２接着層２５１ｂの全体は第１及び第２導電性配線２００の各々の長手方向である第２方向（ｘ）に長くストライプ形態に位置するロングパターン２５１ｂＬで形成できる。

即ち、各々の第２接着層２５１ｂは第１接着層２５１ａ及び絶縁層に重畳して位置し、第１接着層２５１ａの第２方向（ｘ）長さより第２方向（ｘ）に一層長く形成されて各交点の間で離隔せず、延びるロングパターン２５１ｂＬで形成できる。

したがって、図１２に示すように、ロングパターン２５１ｂＬで形成された第２接着層２５１ｂは、絶縁層２５２と導電性配線２００との間の離隔した空間にさらに位置することもできる。

このように、ロングパターン２５１ｂＬで形成された第２接着層２５１ｂが絶縁層２５２と導電性配線２００との間の離隔した空間にも位置するように形成する方法は、次の通りである。

まず、前述した図１０に示すように、半導体基板１１０の後面に第１接着層２５１ａと絶縁層２５２を形成した後、図１３に示すように、第２接着層２５１ｂを塗布するステップで、第２接着層２５１ｂを第１接着層２５１ａが形成された部分の上に塗布し、かつ第２接着層２５１ｂを第２方向（ｘ）に離隔せず、ストライプ形態に連続塗布することができる。

この際、第２接着層２５１ｂは第１及び第２電極の間に露出する半導体基板１１０の後面の上、及び絶縁層２５２の上に塗布されるロングパターン２５１ｂＬで形成できる。

以後、導電性配線２００を半導体基板１１０の後面の上に配置した状態でラミネーション工程を遂行すれば、図１２に示すように、第２接着層２５１ｂが絶縁層２５２と導電性配線２００との間の離隔した空間にさらに位置することができる。

この際、第２接着層２５１ｂの粘度を適切に調節して、ラミネーション工程中、第２接着層２５１ｂが過度に広く広がることを防止することができる。

これによって、太陽電池モジュールは耐久性がさらに向上できる。

一方、今までは第１導電性接着剤２５１が融点の互いに異なる第１接着層２５１ａと第２接着層２５１ｂを含んで構成された実施形態に対して説明しながら、第２接着層２５１ｂが半導体基板１１０の後面の全体で（ｃａｓｅ １）ショートパターン２５１ｂＳで形成されるか、（ｃａｓｅ ２）ロングパターン２５１ｂＬで形成された場合を一例として説明した。

しかしながら、ｃａｓｅ １とｃａｓｅ ２とが混合されたｃａｓｅ ３で形成されることも可能である。

即ち、以下では（ｃａｓｅ ３）第２接着層２５１ｂのうちの一部がショートパターン２５１ｂＳで形成され、第２接着層２５１ｂのうちの残りの一部はロングパターン２５１ｂＬで形成される場合に対して説明する。

この際、このような複数の太陽電池の各々の後面に第１及び第２導電性配線２００を接続させる第１導電性接着剤の長さは、半導体基板の後面の第１領域と第２領域で変わることができる。

ここで、半導体基板１１０の後面の第１領域（A１）は半導体基板１１０の中央領域（Ａ１）であり、第２領域（Ａ２）は半導体基板１１０の中央領域（Ａ１）から第２方向の両側縁部に位置するエッジ領域（Ａ２）でありうる。

したがって、以下では第１領域が半導体基板の中央領域、第２領域が半導体基板のエッジ領域の場合を一例として説明する。

これに対し、より具体的に説明すると、次の通りである。

図１４から図２２は、本発明の第１導電性接着剤２５１に対する第３実施形態を説明するための図である。

ここで、図１４は図８で前述した半導体基板１１０の中央領域（Ａ１）及びエッジ領域（Ａ２）を説明するための図である。

併せて、図１５は図１４で半導体基板１１０の中央領域（Ａ１）に位置する第１導電性接着剤の平面パターンの第１例を説明するためにＫ１領域を拡大した図であって、図１５の（ａ）はＫ１領域の平面図であり、図１５の（ｂ）はＫ１領域で第１導電性接着剤２５１の断面構造を説明するために、Ｋ１領域の第２方向（ｘ）の断面を示す図である。

また、図１６は半導体基板１１０の中央領域（Ａ１）に位置した第１導電性接着剤の平面パターンをより具体的に説明するために、Ｋ１領域をより拡大した図である。

また、図１７は図１４で半導体基板１１０の中央領域（Ａ１）に位置する第１導電性接着剤の平面パターンの第２例を説明するための図である。

また、図１８は図１４で半導体基板１１０の両側エッジ領域（Ａ２）を説明するために、Ｋ２領域とＫ３領域を拡大した図である。

ここで、図１８の（ａ）は半導体基板１１０の第１側面１１０Ｓ１と隣接した第１エッジ領域（Ａ２）であるＫ２の平面図であり、図１８の（ｂ）は半導体基板１１０の第２側面１１０Ｓ２と隣接した第２エッジ領域（Ａ２）であるＫ３の平面図である。

併せて、図１８の（ｃ）はＫ２領域及びＫ３領域で第１導電性接着剤２５１の断面構造を説明するために、Ｋ２領域及びＫ３領域の第２方向（ｘ）の断面を示す図である。

併せて、図１９は半導体基板１１０のエッジ領域（Ａ２）のうち、隅部分である疑似領域（pseudo area）を説明するために、Ｋ４領域を拡大した図である。

また、図２０は半導体基板の後面に位置した第２接着層の平面パターンの第１例を図示したものである。

併せて、図２１は半導体基板１１０の後面に位置する第２接着層２５１ｂの平面パターンの第２例を図示したものであり、図２２は半導体基板１１０の後面に位置する第２接着層２５１ｂの平面パターンの第３例を図示したものである。

併せて、図２０から図２２では半導体基板の後面に位置した第２接着層の平面パターンと第１及び第２導電性配線のみを図示し、残りの構成要素に対する図示は省略した。

図１４に示すように、複数の太陽電池の各々に含まれた半導体基板１１０の後面は中央領域（Ａ１）及びエッジ領域（Ａ２）を含むことができる。

ここで、半導体基板１１０の後面のエッジ領域（Ａ２）は、中央領域（Ａ１）の第２方向（ｘ）の両側縁部に位置した領域を意味する。

即ち、図１４に示すように、エッジ領域（Ａ２）は中央領域（Ａ１）を中心に第１及び第２導電性配線２００の長手方向と同一な方向である第２方向（ｘ）の両側に位置した半導体基板１１０の両側の第１及び第２側面１１０Ｓ１、１１０Ｓ２に隣接して位置する領域でありうる。

併せて、図１４はエッジ領域（Ａ２）を半導体基板１１０の第２方向（ｘ）の両側縁部に一直線の点線で表示したが、これは中央領域（Ａ１）とエッジ領域（Ａ２）を概念的に説明するための一例であり、中央領域（Ａ１）とエッジ領域（Ａ２）が必ず一直線に区分されるものではない。

このような半導体基板１１０の後面中央領域（Ａ１）及び両側エッジ領域（Ａ２）には複数の第１及び第２電極１４０と複数の第１及び第２導電性配線２００とが互いに交差して重畳する複数の交点が位置することができる。

このような複数の交点には第１電極１４１と第１導電性配線との間、及び第２電極１４２と第２導電性配線との間の電気的接続のために、図４から図５で説明したように、第１導電性接着剤２５１が位置することができる。

ここで、半導体基板１１０の後面のうち、第１領域（Ａ１）に位置する第１導電性接着剤２５１のうち、少なくとも一部の第２方向長さは第２領域（Ａ２）に位置する第１導電性接着剤２５１のうち、少なくとも一部の第２方向長さと異なることがある。

一例に、エッジ領域（Ａ２）に位置した第１導電性接着剤２５１のうちの少なくとも一部の第２方向長さ（Ｌ２５１ｂＬ）は、中央領域（Ａ１）に位置した第１導電性接着剤２５１のうちの少なくとも一部の第２方向長さ（Ｌ２５１ｂＳ）より長いことがある。

より具体的に、半導体基板１１０の中央領域（Ａ１）に位置した第１導電性接着剤２５１は、図１５及び図１６に示すように、複数の交点に各々離隔して位置することができる。

即ち、図１５の（ａ）及び（ｂ）に示すように、半導体基板１１０の中央領域（Ａ１）に位置した第１導電性接着剤２５１は、第１導電性配線２１０と第１電極１４１とが互いに交差する複数の交点、及び第２導電性配線２２０と第２電極１４２とが互いに交差する複数の交点毎に位置することができる。

併せて、各交点に位置する第１導電性接着剤２５１は、第２方向（ｘ）に互いに離隔して位置することができる。

即ち、第１導電性接着剤２５１は第１導電性配線２１０と第１電極１４１とが互いに交差する複数の交点の間で離隔し、第２導電性配線２２０と第２電極１４２とが互いに交差する複数の交点の間で離隔できる。

併せて、第１導電性配線２１０と第２電極１４２とが互いに交差する複数の交点、及び第２導電性配線２２０と第１電極１４１とが互いに交差する複数の交点の各々には絶縁層２５２が位置することができる。

ここで、各交点に位置する絶縁層２５２は第２方向（ｘ）に互いに離隔して位置し、このような絶縁層２５２が第１導電性配線２１０と第２電極１４２との間、及び第２導電性配線２２０と第１電極１４１との間を各々絶縁することができる。

ここで、電極１４０を覆う絶縁層２５２の厚さは、電極１４０と導電性配線２００との間の間隔より小さいことがある。

これによって、図１５の（ｂ）に示すように、絶縁層２５２と導電性配線２００との間の空間には充填材（３）が位置することができる。

この際、半導体基板１１０の中央領域（Ａ１）に位置した第１導電性接着剤２５１の第２方向長さ（Ｌ２５１ｂＳ）は、図１５及び図１６に示すように、電極１４０の線幅より大きいことがあるが、等しいか小さなものも可能である。

仮に、中央領域（Ａ１）に位置した第１導電性接着剤２５１の第２方向長さ（Ｌ２５１ｂＳ）が電極１４０の線幅より大きく形成される場合でも、隣接した電極１４０と短絡されない範囲でありうる。

より具体的には、中央領域（Ａ１）に位置した第１導電性接着剤２５１の第２方向長さ（Ｌ２５１ｂＳ）は、電極１４０線幅の０．８倍乃至２倍でありうる。

一例に、仮に第１及び第２電極１４０の線幅（Ｗ１４０）が０．３ｍｍ〜０．５ｍｍ、第１電極１４１と第２電極１４２との間隔が０．３ｍｍ〜０．６ｍｍに形成される場合、中央領域（Ａ１）に位置した第１導電性接着剤２５１の第２方向長さ（Ｌ２５１ｂＳ）は０．２ｍｍ〜１ｍｍ以下に形成できる。

また、半導体基板１１０の両側の第１及び第２エッジ領域（Ａ２）で、第１導電性接着剤２５１は複数の交点のうち、少なくとも２つ以上の交点に位置し、かつ第１及び第２導電性配線２００の長手方向である第２方向（ｘ）に沿って連続して長く位置することができる。

即ち、より具体的には、図１８の（ａ）及び（ｂ）に示すように、半導体基板１１０の第１及び第２側面１１０Ｓ１、１１０Ｓ２の各々に隣接して位置したエッジ領域（Ａ２）に位置した第１導電性接着剤２５１は、複数の交点のうち、少なくとも互いに隣接した２つ以上の交点に重畳して第２方向（ｘ）に沿って連続して長く位置することができる。

ここで、少なくとも２つ以上の交点という意味は、第１及び第２導電性配線２００のうち、いずれか１つの導電性配線２００に沿って第２方向（ｘ）に連続して位置する第１電極１４１との交点、及び第２電極１４２との交点を意味する。

したがって、一例に、エッジ領域（Ａ２）に位置した第１導電性接着剤２５１は、第１導電性配線２１０に沿って第２方向（ｘ）に連続して位置する少なくとも２つの第１電極１４１との交点、及び第２電極１４２との交点に重畳して、第２方向（ｘ）に連続して長く位置することができる。

併せて、半導体基板１１０の両側のエッジ領域（Ａ２）でも第１導電性配線２１０と第２電極１４２との間、及び第２導電性配線２２０と第１電極１４１との間は絶縁層２５２により互いに絶縁できる。

ここで、半導体基板１１０のエッジ領域（Ａ２）に位置する第１導電性接着剤２５１の第２方向長さ（Ｌ２５１ｂＬ）は、第２方向（ｘ）に互いに隣接した２つの交点の両端距離（Ｄ）より大きく、半導体基板１１０の第２方向最大長さ（１１０Ｌｘ）の１０％以内でありうる。

ここで、図１８の（ｃ）に示すように、第２方向（ｘ）に互いに隣接した２つの交点の両端距離（Ｄ）は、ある導電性配線２００に沿って第２方向（ｘ）に第１電極１４１との交点及び第２電極１４２との交点が連続して位置する場合、第１電極１４１との交点の端部から第２電極１４２との交点の端部までの最大距離を意味する。

一例に、半導体基板１１０の第２方向最大長さ（１１０Ｌｘ）が１５６ｍｍ、第１及び第２電極１４０の線幅が０．３ｍｍ〜０．５ｍｍ、第１電極１４１と第１電極１４１との間隔が０．３ｍｍ〜０．６ｍｍに形成される場合、半導体基板１１０のエッジ領域（Ａ２）に位置した第１導電性接着剤２５１の第２方向長さ（Ｌ２５１ｂＬ）は、一例として、１．２ｍｍ〜１５．６ｍｍに形成できる。

より好ましくは、半導体基板１１０のエッジ領域（Ａ２）に位置した第１導電性接着の第２方向長さ（Ｌ２５１ｂＬ）は、５ｍｍ〜１３ｍｍに形成できる。

ここで、半導体基板１１０のエッジ領域（Ａ２）に位置した第１導電性接着剤２５１は、第２方向（ｘ）に配列される交点のうち、少なくとも２つ以上１５個以下の交点と重畳して、第２方向（ｘ）に長く形成できる。

ここで、絶縁層２５２は第１導電性配線２１０と第２電極１４２とが互いに交差する複数の交点、及び第２導電性配線２２０と第１電極１４１とが互いに交差する複数の交点毎に各々離隔して位置し、かつ図１８の（ｃ）に示すように、絶縁層２５２の厚さが電極１４０と導電性配線２００との間の間隔より小さく形成できる。

したがって、エッジ領域（Ａ２）に位置した第１導電性接着剤２５１が前述したように第２方向（ｘ）に沿って長く延びて位置する場合、図１８の（ｃ）に示すように、第１導電性接着剤２５１は第２方向（ｘ）に隣接した絶縁層２５２に重畳できる。

したがって、図１８の（ｃ）に示すように、エッジ領域（Ａ２）に位置して、第２方向（ｘ）に長く延びる第１導電性接着剤２５１は、絶縁層２５２と導電性配線２００との間の空間に位置することができる。

このように、本発明に従う太陽電池モジュールは、両側エッジ領域（Ａ２）に位置した第１導電性接着剤２５１の第２方向長さ（Ｌ２５１ｂＬ）を中央領域（Ａ１）に位置した第１導電性接着剤２５１の第２方向長さ（Ｌ２５１ｂＳ）より長く形成して、半導体基板１１０の両側エッジ領域（Ａ２）で、第１及び第２導電性配線２００と第１及び第２電極１４０との間の物理的接着力をより向上させることができ、接触抵抗をより改善させることができる。

これによって、本発明は両側エッジ領域（Ａ２）で第１及び第２導電性配線２００の断線をより確実に防止することができる。

一方、このように第１及び第２領域（Ａ１、Ａ２）に位置する第１導電性接着剤２５１のうち、少なくともある一領域に位置する第１導電性接着剤２５１は、融点が互いに異なる第１接着層２５１ａ及び第２接着層２５１ｂで具備できる。

このような第１導電性接着剤２５１の構造に対し、より具体的に説明すると、次の通りである。

図１５、図１６、及び図１８に示すように、半導体基板１１０の後面中央領域（Ａ１）及び両側エッジ領域（Ａ２）で、第１導電性接着剤２５１は第１接着層２５１ａ及び第２接着層２５１ｂを備えることができる。

ここで、第２接着層２５１ｂは先の図９から図１１で説明したように、ショートパターン２５１ｂＳ及びロングパターン２５１ｂＬを含んで形成できる。

ここで、図１５の（ｂ）及び図１８の（ｃ）に示すように、第１接着層２５１ａは第１及び第２電極１４１、１４２の各々と第１及び第２導電性配線２１０、２２０の各々の間に位置し、かつ第１及び第２電極１４１、１４２の上に接触することができる。

第２接着層２５１ｂは第１及び第２導電性配線２１０、２２０と第１接着層２５１ａとの間に位置することができる。即ち、第２接着層２５１ｂは第１接着層２５１ａの上に位置して、第１及び第２導電性配線２１０、２２０と接触することができる。

したがって、電極１４０の上に位置する第１及び第２接着層２５１ａ、２５１ｂの各厚さの和は、電極１４０と導電性配線２００との間隔と同一であり、電極１４０の上に位置する絶縁層２５２の厚さは第１及び第２接着層２５１ａ、２５１ｂの各厚さの和より小さいことがある。

このような第２接着層２５１ｂは、第１接着層２５１ａより融点が低いことがある。

このように、第２接着層２５１ｂが導電性配線２００と直接接触するようにすることによって、導電性配線２００を半導体基板１１０の後面に接続させる熱処理工程の温度を相対的に低くすることができるので、導電性配線２００の熱膨張率をより低くすることができる。

ここで、半導体基板１１０の中央領域（Ａ１）とエッジ領域（Ａ２）で、第２接着層２５１ｂのパターン構造は互いに変えることができる。

一例として、図１４に図示された半導体基板１１０の後面全体領域のうち、エッジ領域（Ａ２）に位置した第２接着層２５１ｂはロングパターン２５１ｂＬで形成され、中央領域（Ａ１）に位置した第２接着層２５１ｂはショートパターン２５１ｂＳで形成できる。

したがって、半導体基板１１０の両側エッジ領域（Ａ２）に位置し、ロングパターン２５１ｂＬで形成された第２接着層２５１ｂの各々の第２方向長さ（Ｌ２５１ｂＬ）は中央領域（Ａ１）に位置し、ショートパターン２５１ｂＳで形成された第２接着層２５１ｂの各々の第２方向（ｘ）の長さ（Ｌ２５１ｂＳ）より長いことがある。

即ち、図１５の（ａ）及び（ｂ）に示すように、半導体基板１１０の中央領域（Ａ１）で第２接着層２５１ｂは第１及び第２導電性配線２１０、２２０と重畳した複数の交点の各々に位置し、かつ第２方向（ｘ）に離隔するショートパターン２５１ｂＳで形成できる。

併せて、半導体基板１１０のエッジ領域（Ａ２）に位置した第２接着層２５１ｂは、図１８に示すように、複数の交点に重畳して第１及び第２導電性配線２１０、２２０の長手方向である第２方向（ｘ）に沿って連続して長く位置するロングパターン２５１ｂＬで形成できる。

より具体的には、半導体基板１１０の中央領域（Ａ１）で、第１及び第２接着層２５１ａ、２５１ｂは、図１５及び１６に示すように、複数の第１及び第２電極１４１、１４２と複数の第１及び第２導電性配線２１０、２２０とが互いに交差する複数の交点に各々離隔して位置することができる。

ここで、図１５の（ｂ）に示すように、第１接着層２５１ａは電極１４０の上に直ぐ接続されることができ、ショートパターン２５１ｂＳで形成された第２接着層２５１ｂは第１接着層２５１ａを覆うように形成されることができ、導電性配線２００はショートパターン２５１ｂＳで形成された第２接着層２５１ｂと直接接続できる。

ここで、図１６に示すように、第１接着層２５１ａの第２方向長さ（Ｌ２５１ａ）は電極１４０の線幅（Ｗ１４０）より小さいことがある。

併せて、半導体基板１１０の中央領域（Ａ１）に位置して、ショートパターン２５１ｂＳで形成された第２接着層２５１ｂの第２方向長さ（Ｌ２５１ｂＳ）は、半導体基板１１０の中央領域（Ａ１）に位置した第１接着層２５１ａの第２方向長さ（Ｌ２５１ａ）より大きく、両側に隣接した２つの絶縁層２５２の間の間隔より小さいことがある。

併せて、第１接着層２５１ａの第１方向幅（Ｗ２５１ａ）は導電性配線２００の線幅（Ｗ２００）より大きく、絶縁層２５２の第１方向幅（Ｗ２５２）より小さいことがある。

また、ショートパターン２５１ｂＳで形成された第２接着層２５１ｂの第１方向幅（Ｗ２５１ｂＳ）は導電性配線２００の線幅（Ｗ２００）より小さいことがあるが、導電性配線線幅（Ｗ２００）の０．８倍より大きいことがある。

これによって、半導体基板１１０の中央領域（Ａ１）でショートパターン２５１ｂＳで形成された第２接着層２５１ｂは、複数の交点に離隔して位置し、かつ第２接着層２５１ｂの第２方向長さ（Ｌ２５１ｂＳ）を極大化して、導電性配線と電極との間の物理的接着力及び接続抵抗を極大化することができる。

しかしながら、図１５、図１６では半導体基板１１０の後面中央領域（Ａ１）に位置した第１導電性接着剤２５１が第１接着層２５１ａと第２接着層２５１ｂを備える場合を一例に説明したが、これに必ず限定されるものではない。

即ち、他の一例として、半導体基板１１０の後面中央領域（Ａ１）に位置した第１導電性接着剤２５１は、図１７の（ａ）及び（ｂ）に示すように、ショートパターン２５１ｂＳで形成された第２接着層２５１ｂが省略され、第１接着層２５１ａのみ備えることもできる。

このように、第１導電性接着剤２５１が第１接着層２５１ａのみ備えた場合、第１接着層２５１ａの厚さを除外した第１接着層２５１ａの第２方向長さ（Ｌ２５１ａ）及び第１方向幅（Ｗ２５１ａ）は、先の図１６で説明したものと同一でありうる。

図１７に示すように、第１導電性接着剤２５１は第２接着層２５１ｂが省略され、第１接着層２５１ａのみで電極１４０と導電性配線２００とを互いに電気的に接続するので、第１接着層２５１ａの厚さが絶縁層２５２の厚さより大きく、電極１４０と導電性配線２００との間の間隔と同一でありうる。

以外に、図１７に図示された第１導電性接着剤２５１の残りの部分は図１５及び図１６で説明したものと同一であるので省略する。

また、図１８の（ａ）から（ｃ）に示すように、半導体基板１１０のエッジ領域（Ａ２）に位置して、ロングパターン２５１ｂＬで形成された第２接着層２５１ｂは、複数の交点のうち、少なくとも２つ以上の交点に重畳して第１及び第２導電性配線２１０、２２０の長手方向である第２方向（ｘ）に沿って連続して長く位置することができる。

より具体的には、図１８の（ｃ）に示すように、このようないずれか１つの導電性配線２００と第１接着層２５１ａとの間に位置し、ロングパターン２５１ｂＬで形成された第２接着層２５１ｂは第２方向（ｘ）に長く延びて、いずれか１つの導電性配線２００と絶縁層２５２との間まで延びることができる。

したがって、ロングパターン２５１ｂＬで形成された第２接着層２５１ｂは第１接着層２５１ａ及び絶縁層２５２と重畳できる。

ここで、半導体基板１１０のエッジ領域（Ａ２）に位置し、ロングパターン２５１ｂＬで形成された第２接着層２５１ｂの第２方向長さ（Ｌ２５１ｂＬ）は、半導体基板１１０の中央領域（Ａ１）及びエッジ領域（Ａ２）に位置した第１接着層２５１ａの第２方向長さ（Ｌ２５１ａ）より長いことがある。

より具体的に、ロングパターン２５１ｂＬで形成された第２接着層２５１ｂの第２方向長さ（Ｌ２５１ｂＬ）は第２方向（ｘ）に互いに隣接した２つの交点の両端距離（Ｄ）より大きく、半導体基板１１０の第２方向の最大長さ（１１０Ｌｘ）の１０％以内でありうる。

したがって、ロングパターン２５１ｂＬで形成された第２接着層２５１ｂの各々は、第２方向（ｘ）に互いに離隔した第１接着層２５１ａと重畳できる。

併せて、半導体基板１１０のエッジ領域（Ａ２）に位置し、ロングパターン２５１ｂＬで形成された第２接着層２５１ｂの厚さは、半導体基板１１０のエッジ領域（Ａ２）に位置した第１接着層２５１ａの厚さより小さいことがある。

即ち、図１８の（ｃ）に示すように、導電性配線２００と電極１４０とが互いに交差する交点に位置する第１接着層２５１ａの厚さは、第１接着層２５１ａと導電性配線２００との間に位置するロングパターン２５１ｂＬで形成された第２接着層２５１ｂの厚さより大きいことがある。

また、ロングパターン２５１ｂＬで形成された第２接着層２５１ｂの線幅はショートパターン２５１ｂＳで形成された第２接着層２５１ｂの線幅と同一でありうる。

また、半導体基板１１０の中央領域（Ａ１）に位置した第１接着層２５１ａの第２方向長さ（Ｌ２５１ａ）は、半導体基板１１０のエッジ領域（Ａ２）に位置した第１接着層２５１ａの第２方向長さ（Ｌ２５１ａ）と同一でありうる。

併せて、仮に、第１接着層２５１ａが図１７のように形成された場合、半導体基板１１０の中央領域（Ａ１）に位置した第１接着層２５１ａの厚さは、半導体基板１１０のエッジ領域（Ａ２）に位置した第１接着層２５１ａの厚さより大きいことがある。

しかしながら、仮に、第１接着層２５１ａが図１５及び図１６のように形成された場合、半導体基板１１０の中央領域（Ａ１）に位置した第１接着層２５１ａの厚さは半導体基板１１０のエッジ領域（Ａ２）に位置した第１接着層２５１ａの厚さと同一でありうる。

また、図１８の（ａ）のように、半導体基板１１０の第１側面１１０Ｓ１に隣接した第１エッジ領域（Ａ２）では第１導電性配線２１０が半導体基板１１０の投影領域の外に突出することができ、第２導電性配線２２０の端部は半導体基板１１０の投影領域の内に位置することができる。

ここで、図１８の（ａ）のように、半導体基板１１０の第１側面１１０Ｓ１に隣接した第１エッジ領域（Ａ２）で、ロングパターン２５１ｂＬで形成された第２接着層２５１ｂのうち、第１導電性配線２１０と重畳するロングパターン２５１ｂＬの第２方向（ｘ）の端部は、第２導電性配線２２０と重畳するロングパターン２５１ｂＬの第２方向（ｘ）端部より半導体基板１１０の第１側面１１０Ｓ１に一層近く位置することができる。

また、図１８の（ｂ）のように、半導体基板１１０の第２側面１１０Ｓ２に隣接した第２エッジ領域（Ａ２）では第２導電性配線２２０が半導体基板１１０の投影領域の外に突出することができ、第１導電性配線２１０の端部は半導体基板１１０の投影領域の内に位置することができる。

ここで、図１８の（ｂ）のように、半導体基板１１０の第２側面１１０Ｓ２に隣接した第２エッジ領域（Ａ２）で、第２導電性配線２２０と重畳するロングパターン２５１ｂＬの第２方向（ｘ）の端部は、第１導電性配線２１０と重畳するロングパターン２５１ｂＬの第２方向（ｘ）の端部より半導体基板１１０の第２側面１１０Ｓ２に一層近く位置することができる。

これによって、半導体基板１１０の両側エッジ領域（Ａ２）で半導体基板１１０の投影領域の外に突出する第１及び第２導電性配線２００が半導体基板１１０に一層確実に物理的に接着されるようにすることができる。

ここで、第２接着層２５１ｂの融点は第１接着層２５１ａより低いことがある。

ここで、第１接着層２５１ａの融点は１６０℃〜１７０℃の間の第１温度より高く、３００℃以下であり、第２接着層２５１ｂの融点は１１０℃以上で、第１温度より低いことがある。

併せて、図１４のＫ４領域に示すように、半導体基板１１０のエッジ領域（Ａ２）のうち、隅部分である疑似領域（pseudo area：ＡＰＳ）に位置する第１導電性接着剤２５１の第２方向長さ（Ｌ２５１ｂＬ２）も中央領域（Ａ１）に位置した第１導電性接着剤２５１の第２方向長さ（Ｌ２５１ａ）より長いことがある。

この際、半導体基板１１０の疑似領域（ＡＰＳ）に位置する第１導電性接着剤２５１やはり、先の図１８で説明したように、第１接着層２５１ａ及び第２接着層２５１ｂを含むことができる。

併せて、半導体基板１１０の疑似領域（ＡＰＳ）に位置する第１導電性接着剤２５１の第２方向長さ（Ｌ２５１ｂＬ２）は、疑似領域の以外のエッジ領域（Ａ２）に位置する第１導電性接着剤２５１の第２方向長さ（Ｌ２５１ｂＬ１）と等しいか短いことがある。

このように、エッジ領域（Ａ２）に位置する第１導電性接着剤２５１の第２方向長さ（Ｌ２５１ｂＬ１、Ｌ２５１ｂＬ２）を中央領域（Ａ１）に位置する第１導電性接着剤２５１の第２方向長さ（Ｌ２５１ａ）より大きくする場合、第１及び第２導電性配線２００のうち、半導体基板１１０のエッジ領域（Ａ２）に接続される部分の応力と変形率を格段に減少して、前述したような第１及び第２導電性配線２００の断線を防止し、最小化することができる。

今までは第１領域（Ａ１）に位置する第１導電性接着剤２５１のうちの少なくとも一部の第２方向長さが第２領域（Ａ２）に位置する第１導電性接着剤２５１のうちの少なくとも一部の第２方向長さと異なる場合に対して、図１５から図２０を一例として説明した。

即ち、第１導電性接着剤２５１が第１接着層２５１ａ及び第２接着層２５１ｂを備え、第１接着層２５１ａは中央領域（Ａ１）とエッジ領域（Ａ２）で各交点毎に離隔して備えられ、図２０に示すように、第２接着層２５１ｂは中央領域（Ａ１）ではショートパターン２５１ｂＳで備えられ、エッジ領域（Ａ１）ではロングパターン２５１ｂＬで具備できる。

したがって、エッジ領域（Ａ２）に位置したロングパターン２５１ｂＬの第２接着層２５１ｂの第２方向長さ（Ｌ２５１ｂＬ）が中央領域（Ａ１）に位置したショートパターン２５１ｂＳの第２接着層２５１ｂの第２方向長さ（Ｌ２５１ｂＳ）より長く形成できる。

これによって、エッジ領域（Ａ２）に位置した第１導電性接着剤２５１の第２方向長さ（Ｌ２５１ｂＬ）が中央領域（Ａ１）に位置した第１導電性接着剤２５１の第２方向長さ（Ｌ２５１ｂＳ）より長く形成できる。しかしながら、必ずこれに限定されるものではない。

即ち、図２１に示すように、エッジ領域（Ａ２）に位置した第２接着層２５１ｂはショートパターン２５１ｂＳで形成され、中央領域（Ａ１）に位置した第２接着層２５１ｂはショートパターン２５１ｂＳとロングパターン２５１ｂＬとが混合されて形成されることも可能である。

また、図２０と図２１とを混合して、図２２に示すように、第２接着層２５１ｂが形成されることも可能である。

即ち、第２接着層２５１ｂは中央領域（Ａ１）ではショートパターン２５１ｂＳとロングパターン２５１ｂＬとが混合されて備えられ、エッジ領域（Ａ１）ではロングパターン２５１ｂＬで形成されることも可能である。

併せて、第１領域（Ａ１）に位置する第１導電性接着剤２５１のうちの少なくとも一部の第２方向長さが第２領域（Ａ２）に位置する第１導電性接着剤２５１のうちの少なくとも一部の第２方向長さと異なる場合に対し、第１導電性接着剤２５１が第１接着層２５１ａ及び第２接着層２５１ｂを備えて、第２接着層２５１ｂの長さが第１領域（Ａ１）及び第２領域（Ａ２）で互いに異なる場合を一例として説明した。

しかしながら、第１導電性接着剤２５１が複数の第１及び第２接着層２５１ａ、２５１ｂで構成されず、例えば第１接着層２５１ａのみ備えた場合にも図１５から図２２が同様に適用できる。

図２３は、本発明の効果に対して説明するための図である。

ここで、図２３の（ａ）は、半導体基板１１０の中央領域（Ａ１）とエッジ領域（Ａ２）に位置した第１導電性接着剤２５１が第２方向（ｘ）に配列された複数の交点毎に各々離隔して位置する場合、第１及び第２導電性配線２００の応力（Shear Stress）と変形率（Plastic Strain）を図示したものである。

図２３の（ｂ）は、図１４から図１９で説明したように、半導体基板１１０のエッジ領域（Ａ２）に位置した第１導電性接着剤２５１が第２方向（ｘ）に連続した少なくとも２つ以上の交点に重畳して長く形成された場合、第１及び第２導電性配線２００の応力と変形率を図示したものである。

ここで、第１及び第２導電性配線２００の応力はラミネーション工程のような熱処理工程により第１及び第２導電性配線２００を半導体基板１１０の後面に接続した状態で第１及び第２導電性配線２００が第２方向（ｘ）に受ける熱膨張ストレスを意味する。

また、第１及び第２導電性配線２００の変形率はラミネーション工程のような熱処理工程中、熱膨張ストレスにより第１及び第２導電性配線２００が変形される程度を意味する。

併せて、図２３の（ａ）及び（ｂ）の各々のグラフで、ｘ軸方向の数字は第１及び第２導電性配線２００と重畳する複数の交点に対する識別番号を意味する。

したがって、図２３の（ｂ）では半導体基板１１０の両側エッジ領域（Ａ２）で第１導電性接着剤２５１が第２方向（ｘ）に連続した少なくとも５個の交点に重畳して長く形成された場合を一例として図示したものである。

図２３の（ａ）では第１及び第２導電性配線２００のうち、半導体基板１１０の両側エッジ領域（Ａ２）で第１及び第２導電性配線２００が受ける応力と変形率は半導体基板１１０の中央領域（Ａ１）で第１及び第２導電性配線２００が受ける応力と変形率より相対的に格段に増加することが分かる。

しかしながら、図２３の（ｂ）ではエッジ領域（Ａ２）に位置した第１導電性接着剤２５１の第２方向長さ（Ｌ２５１b）が中央領域（Ａ１）に位置した第１導電性接着剤２５１の第２方向長さ（Ｌ２５１ａ）より長くなって、第１及び第２導電性配線２００のうち、半導体基板１１０の両側エッジ領域（Ａ２）で第１及び第２導電性配線２００が受ける応力と変形率は、半導体基板１１０の中央領域（Ａ１）で第１及び第２導電性配線２００が受ける応力と変形率より相対的を減少することが分かる。

このように、本願発明はエッジ領域（Ａ２）に位置した第１導電性接着剤２５１の第２方向長さ（Ｌ２５１ｂ）を中央領域（Ａ１）に位置した第１導電性接着剤２５１の第２方向長さ（Ｌ２５１ａ）より長く形成することによって、半導体基板１１０の両側エッジ領域（Ａ２）で第１及び第２導電性配線２００が受ける応力と変形率を減少させて、第１及び第２導電性配線２００の断線を防止することができる。

このように、前述した半導体基板１１０の両側エッジ領域（Ａ２）で第１及び第２導電性配線２００が受ける応力と変形率の減少を十分に確保し、第１導電性接着剤２５１に対する製造コストを最小化するために、エッジ領域（Ａ２）に位置した第１導電性接着剤２５１の第２方向長さ（Ｌ２５１ｂ）は第１及び第２導電性配線２００の端部が半導体基板１１０の側面の外に突出するか否かによって変わることができる。

これに対し、より具体的に説明すると、次の通りである。

図２４は、半導体基板１１０の両側エッジ領域（Ａ２）に位置した第１導電性接着剤２５１に対する変更例を説明するための図である。

図２４では理解の便宜のために、半導体基板１１０の中央領域（Ａ１）に対する具体的な図示は省略し、半導体基板１１０の両側エッジ領域（Ａ２）でも半導体基板１１０の後面で第１及び第２導電性配線２００と第１導電性接着剤２５１の第２接着層２５１ｂを除外した残りの構成部分に対する図示は省略した。

図２４に示すように、第１導電性配線２１０の一端は半導体基板１１０の第１側面１１０Ｓ１の外に突出し、他端は第２エッジ領域（Ａ２）の内に位置することができ、第２導電性配線２２０の一端は第１側面１１０Ｓ１の反対側に位置する半導体基板１１０の第２側面１１０Ｓ２の外に突出し、他端は第１エッジ領域（Ａ２）に位置することができる。

ここで、導電性配線２００がエッジ領域（Ａ２）で半導体基板１１０の側面の外に突出する場合、導電性配線２００の長さが相対的に一層長くなって、導電性配線２００の熱膨張長さがより大きくなることがあり、熱膨張ストレスが相対的に一層増加することがある。

したがって、エッジ領域（Ａ２）で半導体基板１１０の側面の外に突出する導電性配線２００と重畳する第１導電性接着剤２５１は長さが相対的に一層長く形成できる。

併せて、半導体基板１１０の側面の外に突出せず、端部がエッジ領域（Ａ２）の内に位置する導電性配線２００と重畳する第１導電性接着剤２５１は長さが相対的に一層短く形成できる。

より具体的には、疑似領域（ＡＰＳ）を除外した第１エッジ領域（Ａ２）で第１導電性配線２１０と重畳するロングパターン２５１ｂＬの第２方向長さ（Ｌ１１）は、第２導電性配線２２０と重畳するロングパターン２５１ｂＬの第２方向長さ（Ｌ２１）より長く形成することができる。

併せて、疑似領域（ＡＰＳ）を除外した第１エッジ領域（Ａ２）で第１導電性配線２１０と重畳するロングパターン２５１ｂＬの第２方向長さ（Ｌ１１）は、第２エッジ領域（Ａ２）で第１導電性配線２１０と重畳するロングパターン２５１ｂＬの第２方向長さ（Ｌ１２）より長いことがある。

また、疑似領域（ＡＰＳ）を除外した第２エッジ領域（Ａ２）で第２導電性配線２２０と重畳するロングパターン２５１ｂＬの第２方向長さ（Ｌ２２）は、第２エッジ領域（Ａ２）で第１導電性配線２１０と重畳するロングパターン２５１ｂＬの第２方向長さ（Ｌ１２）より長いことがある。

併せて、疑似領域（ＡＰＳ）を除外した第２エッジ領域（Ａ２）で第２導電性配線２２０と重畳するロングパターン２５１ｂＬの第２方向長さ（Ｌ２２）は、第１エッジ領域（Ａ２）で第２導電性配線２２０と重畳するロングパターン２５１ｂＬの第２方向長さ（Ｌ２１）より長いことがある。

これによって、本発明は第１導電性接着剤２５１の使用を最小化しながら、第１及び第２導電性配線２００の接続抵抗と物理的接着力をより向上させることができる。

併せて、前述したように、第１及び第２導電性配線２００の物理的接着力及び接続抵抗をより向上させるために、以前はエッジ領域（Ａ２）で第１導電性接着剤２５１の長さを相対的に一層長くする場合を一例として説明した。

しかしながら、以下ではエッジ領域（Ａ２）で第１及び第２電極１４０のパターンを変更して第１及び第２導電性配線２００の物理的接着力及び接続抵抗をより向上させる一例に対して説明する。

図２５及び図２６は、半導体基板１１０のエッジ領域（Ａ２）で第１及び第２導電性配線２００の物理的接着力及び接続抵抗をより向上させるための第１及び第２電極１４０のパターンの多様な変更例を説明するための図である。

図２５に示すように、半導体基板１１０の中央領域（Ａ１）で複数の第１及び第２電極１４１、１４２の各々は第１方向（ｙ）のみに長く形成され、第２方向（ｘ）に離隔して配列できる。

しかしながら、半導体基板１１０の両側エッジ領域（Ａ２）で複数の第１電極１４１は複数の第１フィンガー電極１４１Ｆ及び第１連結電極１４１Ｃを含み、複数の第２電極１４２は複数の第２フィンガー電極１４２Ｆ及び第２連結電極１４２Ｃを含むことができる。

ここで、複数の第１フィンガー電極１４１Ｆの各々は第２方向（ｘ）に長く形成されるが、第２導電性配線２２０と重畳する部分で離隔することができ、第１連結電極１４１Ｃは第１導電性配線２１０と重畳する領域の内に位置して複数の第１フィンガー電極１４１Ｆを第２方向（ｘ）に連結することができる。

併せて、第２フィンガー電極１４２Ｆは第２方向（ｘ）に長く形成され、第１導電性配線２１０と重畳する領域で離隔することができ、第２連結電極１４２Ｃは第２導電性配線２２０と重畳する領域で複数の第２フィンガー電極１４２Ｆを第２方向（ｘ）に連結することができる。

併せて、第１及び第２連結電極１４０の各々は第１及び第２エッジ領域（Ａ２）のうち、第１及び第２導電性配線２００の各々と重畳する領域の内でジグザグ形態に形成できる。

図２５に示すように、半導体基板１１０のエッジ領域（Ａ２）で第１及び第２電極１４１、１４２が複数の第１及び第２フィンガー電極１４１Ｆ、１４２Ｆと第１及び第２連結電極１４１Ｃ、１４２Ｃを含んで形成され、希望しない導電性配線との短絡を防止するために、第１及び第２フィンガー電極１４１Ｆ、１４２Ｆが該当導電性配線と重畳または連結されないようにすることによって、エッジ領域（Ａ２）で図１８の（Ｃ）に図示された絶縁層２５２を使用しないことができ、第１導電性接着剤２５１のみ使用することができる。

これによって、半導体基板１１０のエッジ領域（Ａ２）で第１導電性配線２１０と第１電極１４１との間の接続領域と第２導電性配線２２０と第２電極１４２との間の接続領域を一層拡大して、エッジ領域（Ａ２）で導電性配線の物理的接着力を一層向上させることができる。

併せて、図２６に示すように、両側エッジ領域（Ａ２）で、第１電極１４１は第１導電性配線２１０と重畳する領域の内で第１フィンガー電極１４１Ｆから第２方向（ｘ）に突出した第１分岐電極１４１Ｂをさらに含み、第２電極１４２は第２導電性配線２２０と重畳する領域の内で第２フィンガー電極１４２Ｆから第２方向（ｘ）に突出した第２分岐電極１４２Ｂをさらに含むことができる。

これによって、半導体基板１１０の両側エッジ領域（Ａ２）で第１導電性配線２１０と第１電極１４１との間、及び第２導電性配線２２０と第２電極１４２との間の物理的接着力及び接続抵抗を一層向上させることができる。

今までは本発明に従う太陽電池モジュールの構造に対して主に説明したが、以下では前述したような太陽電池モジュールを製造する製造方法の一例に対して簡略に説明する。

図２７に示すように、本発明の一例に従う太陽電池モジュールの製造方法は、複数の太陽電池を用意するステップ（Ｓ１）、第１接着層と絶縁層を形成するステップ（Ｓ２）、第２接着層を塗布するステップ（Ｓ３）、導電性配線を配置するステップ（Ｓ４）、及びラミネーションステップ（Ｓ５）を含むことができる。

ここで、複数の太陽電池を用意するステップ（Ｓ１）では、半導体基板１１０の後面に互いに異なる極性を有する第１電極１４１と第２電極１４２が第１方向（ｙ）に長く形成された太陽電池を用意することができる。

第１接着層２５１ａと絶縁層２５２を形成するステップ（Ｓ２）では、図１０に示すように、第１電極１４１または第２電極１４２のうち、いずれか１つのセル電極の上に第１接着層２５１ａを形成し、他の１つのセル電極の上に絶縁層２５２を形成することができる。

ここで、セル電極の上に形成された第１接着層２５１ａと絶縁層２５２は乾燥及び硬化された状態でありうる。

また、第２接着層２５１ｂを塗布するステップ（Ｓ３）では、第１接着層２５１ａの上に第１接着層２５１ａより融点の低い第２接着層２５１ｂを塗布した後、乾燥することができる。

このような第２接着層２５１ｂの塗布のステップで、第２接着層２５１ｂは前述したｃａｓｅ １、ｃａｓｅ ２、ｃａｓｅ ３のように、ショートパターン２５１ｂＳまたはロングパターン２５１ｂＬで塗布できる。

一例に、第２接着層２５１ｂのうち、少なくとも半導体基板１１０のエッジ領域（Ａ２）に位置した第２接着層２５１ｂは、第２方向（ｘ）長さが第１接着層２５１ａの第２方向（ｘ）長さより長いロングパターン２５１ｂＬで形成できる。

ここで、半導体基板１１０のエッジ領域で、第１導電性配線２１０と重畳するロングパターン２５１ｂＬの第２方向（ｘ）長さや位置は、第２導電性配線２２０と重畳するロングパターン２５１ｂＬの第２方向（ｘ）の長さや位置と異なるように形成できる。

即ち、図１８に示すように、エッジ領域で半導体基板１１０の第１側面１１０Ｓ１または第２側面１１０Ｓ２と隣接した第１導電性配線２１０と重畳するロングパターン２５１ｂＬの端部位置は、第２導電性配線２２０と重畳するロングパターン２５１ｂＬの端部位置と異なるように形成できる。

または、図２４に示すように、半導体基板１１０のエッジ領域で、第１導電性配線２１０と重畳するロングパターン２５１ｂＬの第２方向（ｘ）の長さは、第２導電性配線２２０と重畳するロングパターン２５１ｂＬの第２方向（ｘ）の長さと異なるように形成できる。

導電性配線配置ステップ（Ｓ４）では、第１方向（ｙ）と交差する第２方向（ｘ）に第１及び第２接着層２５１ａ、２５１ｂ及び絶縁層２５２と重畳するように導電性配線２００を配置することができる。

導電性配線配置ステップ（Ｓ４）の以後、導電性配線２００が付着された複数の太陽電池を第２方向（ｙ）に配列した後、互いに隣接した２つの太陽電池のうち、第１太陽電池Ｃ１の第１導電性配線２１０と第２太陽電池Ｃ２の第２導電性配線２２０をインターコネクタ３００に共通に接続させることができる。

これによって、第１太陽電池Ｃ１及び第２太陽電池Ｃ２がインターコネクタ３００により第２方向（ｙ）に直列連結できる。

しかしながら、導電性配線２００がまだ半導体基板１１０の第１及び第２電極１４１、１４２に電気的に接続された状態でないことがある。

以後、ラミネーションステップ（Ｓ５）では、第２接着層２５１ｂを導電性配線２００に接着させるために、複数の太陽電池を前面透明基板１０と後面シート４０との間に配置した状態で熱と圧力を伴うラミネーションを遂行することができる。

より具体的に、ラミネーションステップ（Ｓ５）では、前面透明基板１０の上にシート形態の充填材２０が配置された状態で、導電性配線２００が後面に配置された複数の太陽電池が充填材２０の上に配置され、導電性配線２００が配置された太陽電池の後面の上にシート形態の充填材３０と後面シート４０が順次に配置された状態で遂行できる。

このようなラミネーションの工程温度は第２接着層２５１ｂの融点より高く、第１接着層２５１ａの融点より低いことがある。

これによって、ラミネーション工程時、第２接着層２５１ｂのみ溶融されて、第１接着層２５１ａ及び導電性配線に物理的及び電気的に接続できる。

併せて、導電性配線２００の熱膨張を最小化し、ラミネーション工程時、第２接着層２５１ｂのみ溶けて導電性配線に接着されるので、太陽電池モジュールの不良発生率を格段に減らすことができる。

以上、本発明の好ましい実施形態に対して詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されるものではなく、次の請求範囲で定義している本発明の基本概念を用いた当業者の種々の変形及び改良形態も本発明の権利範囲に属するものである。

Claims (25)

1. 半導体基板、前記半導体基板の後面に互いに異なる極性を有する第１電極及び第２電極が第１方向に長く形成される複数の太陽電池と、
   前記半導体基板の後面に前記第１方向と交差する第２方向に長く配置され、かつ前記第１電極または前記第２電極のうち、いずれか１つのセル電極に導電性接着剤を通じて接続し、他の１つのセル電極とは絶縁層により絶縁される複数の導電性配線とを含み、
   前記導電性接着剤は前記いずれか１つのセル電極に接続する第１接着層と、前記第１接着層上に位置し、前記複数の導電性配線に接続する第２接着層を含む、太陽電池モジュール。
2. 前記第１接着層の融点と前記第２接着層の融点とは互いに異なる、請求項１に記載の太陽電池モジュール。
3. 前記第２接着層の融点は第１接着層の融点より低い、請求項１に記載の太陽電池モジュール。
4. 前記第１接着層と前記導電性配線との間に位置する前記第２接着層の厚さは、前記第１接着層の厚さより薄い、請求項１に記載の太陽電池モジュール。
5. 前記第１接着層は、Ｓｎ、ＳｎＡｇＣｕ、ＳｎＰｂ、ＳｎＢｉＣｕＣｏ、ＳｎＢｉＡｇ、ＳｎＰｂＡｇ、またはＳｎＡｇのうち、少なくとも１つの材質を含む前記ソルダーペースト形態に形成され、
   前記第２接着層は、ＳｎＢｉまたはＳｎＩｎのうち、少なくとも１つの材質を含む前記ソルダーペースト形態に形成される、請求項１に記載の太陽電池モジュール。
6. 前記複数の導電性配線は、前記第１電極に接続される第１導電性配線と前記第２電極に接続される第２導電性配線を含み、
   前記第１接着層は、前記第１導電性配線と前記第１電極とが交差する複数の交点、及び前記第２導電性配線と前記第２電極とが交差する複数の交点毎に位置して互いに離隔する、請求項１に記載の太陽電池モジュール。
7. 前記第２接着層は、前記第１接着層の各々毎に位置する、請求項６に記載の太陽電池モジュール。
8. 前記第２接着層のうちの少なくとも一部は、前記第２接着層の前記第２方向長さが前記第１接着層の前記第２方向長さより長いロングパターンで形成される、請求項６に記載の太陽電池モジュール。
9. 前記複数の太陽電池の各々に含まれた半導体基板の後面は、中央領域と前記中央領域から前記第２方向両側縁部に位置するエッジ領域を含み、
   前記第２接着層のうちの前記ロングパターンは前記エッジ領域に位置するか、または、前記第２接着層は全体が前記ロングパターンで形成されて、前記半導体基板の後面に全体的に位置する、請求項８に記載の太陽電池モジュール。
10. 前記エッジ領域で、前記ロングパターンのうち、前記第１導電性配線と重畳する前記ロングパターンの前記第２方向長さまたは位置は、前記第２導電性配線と重畳する前記ロングパターンの前記第２方向長さまたは位置と異なる、請求項９に記載の太陽電池モジュール。
11. 前記ロングパターンの第２接着層は、前記第１接着層及び前記絶縁層と重畳する、請求項９に記載の太陽電池モジュール。
12. 前記半導体基板の前記エッジ領域で、前記ロングパターンを有する第２接着層の第２方向長さは、前記第２方向に互いに隣接した２つの交点の両端距離より大きく、前記半導体基板の第２方向最大長さの１０％以内である、請求項９に記載の太陽電池モジュール。
13. 前記半導体基板のエッジ領域は、
    前記第１導電性配線が突出する前記半導体基板の第１側面に隣接した第１エッジ領域と、
    前記第１側面の反対側に位置し、前記第２導電性配線が突出する第２側面に隣接した第２エッジ領域と、
    を含む、請求項９に記載の太陽電池モジュール。
14. 前記第１エッジ領域で、前記第１導電性配線と重畳するロングパターンの前記第２方向長さは、前記第１エッジ領域で前記第２導電性配線と重畳するロングパターンの前記第２方向長さより長い、請求項１３に記載の太陽電池モジュール。
15. 前記第１エッジ領域で前記第１導電性配線と重畳する前記ロングパターンの前記第２方向長さは、前記第２エッジ領域で前記第１導電性配線と重畳する前記ロングパターンの前記第２方向長さより長い、請求項１３に記載の太陽電池モジュール。
16. 前記第２エッジ領域で前記第２導電性配線と重畳する前記ロングパターンの前記第２方向長さは、前記第２エッジ領域で前記第１導電性配線と重畳する前記ロングパターンの前記第２方向長さより長い、請求項１３に記載の太陽電池モジュール。
17. 前記第２エッジ領域で前記第２導電性配線と重畳する前記ロングパターンの前記第２方向長さは、前記第１エッジ領域で前記第２導電性配線と重畳する前記ロングパターンの前記第２方向長さより長い、請求項１３に記載の太陽電池モジュール。
18. 前記半導体基板の両側エッジ領域で、
    前記複数の第１電極は、
    前記第２方向に長く形成され、前記第２導電性配線と重畳する領域で離隔する複数の第１フィンガー電極と、
    前記第１導電性配線と重畳する領域で前記複数の第１フィンガー電極を前記第２方向に連結する第１連結電極とを含み、
    前記複数の第２電極は、
    前記第２方向に長く形成され、前記第１導電性配線と重畳する領域で離隔する複数の第２フィンガー電極と、
    前記第２導電性配線と重畳する領域で前記複数の第２フィンガー電極を前記第２方向に連結する第２連結電極と、
    を含む、請求項９に記載の太陽電池モジュール。
19. 前記第１及び第２連結電極の各々は、前記第１及び第２エッジ領域のうち、前記第１及び第２導電性配線の各々と重畳する領域の内でジグザグ形態に形成される、請求項１８に記載の太陽電池モジュール。
20. 前記両側エッジ領域で、
    前記第１電極は前記第１導電性配線と重畳する領域の内で前記第１フィンガー電極から前記第２方向に突出した第１分岐電極をさらに含み、
    前記第２電極は前記第２導電性配線と重畳する領域の内で前記第２フィンガー電極から前記第２方向に突出した第２分岐電極をさらに含む、請求項９に記載の太陽電池モジュール。
21. 前記複数の太陽電池のうち、互いに隣接して配置される第１及び第２太陽電池の間に前記第２方向と交差する第１方向に長く配置され、
    前記第１及び第２太陽電池を前記第２方向に直列連結するために、前記第１太陽電池に接続された前記複数の第１導電性配線と前記第２太陽電池に接続された前記複数の第２導電性配線が共通に接続されるインターコネクタを含む、請求項６に記載の太陽電池モジュール。
22. 半導体基板の後面に互いに異なる極性を有する第１電極及び第２電極が第１方向に長く形成される複数の太陽電池を用意するステップと、
    前記第１電極または前記第２電極のうち、いずれか１つのセル電極の上に第１接着層を形成し、他の１つのセル電極の上に絶縁層を形成するステップと、
    前記第１接着層の上に前記第１接着層より融点の低い第２接着層を塗布するステップと、
    前記第１方向と交差する第２方向に前記第１及び第２接着層及び前記絶縁層と重畳するように導電性配線を配置するステップと、
    前記第２導電性接着層を前記導電性配線に接着させるために前記複数の太陽電池を前面透明基板と後面シートとの間に配置した状態で熱と圧力を伴うラミネーションを遂行するステップと、
    を含む、太陽電池モジュールの製造方法。
23. 前記ラミネーションの工程温度は前記第２接着層の融点より高く、前記第１接着層の融点より低い、請求項２２に記載の太陽電池モジュールの製造方法。
24. 前記第２接着層塗布ステップで、前記第２接着層のうち、少なくとも前記半導体基板のエッジ領域に位置した第２接着層は、前記第２方向長さが前記第１接着層の前記第２方向長さより長いロングパターンで形成される、請求項２２に記載の太陽電池モジュールの製造方法。
25. 前記エッジ領域で、前記第１導電性配線と重畳するロングパターンの前記第２方向長さや位置は、前記第２導電性配線と重畳するロングパターンの前記第２方向長さや位置と異なるように形成される、請求項２４に記載の太陽電池モジュールの製造方法。