JP2005268466A - 光起電力装置 - Google Patents

Abstract

【課題】遮光損失が大幅に増大するのを抑制しながら、集電極の光電変換部からの剥離を抑制することが可能な光起電力装置を提供する。
【解決手段】この光起電力装置は、光電変換部１と、光電変換部１の上面に取り付けられ、銅線からなる集電極２と、集電極２を光電変換部１の上面に対して接着するための導電性の接着層３とを備え、接着層３は、集電極２の端部を光電変換部１の上面に対して接着する端部接着層３ａと、集電極２の端部以外の部分を光電変換部１の上面に対して接着する中間部接着層３ｂとを含み、端部接着層３ａの幅は、中間部接着層３ｂの幅よりも大きい。
【選択図】図１

Description

本発明は、光起電力装置に関し、特に、光電変換部の主表面に金属線からなる集電極が接着層によって接着された光起電力装置に関する。

従来、光電変換部の主表面に金属線からなる集電極が接着層によって接着された光起電力装置が種々知られている（たとえば、特許文献１参照）。

図１３は、従来の一例による光起電力装置の構成を示した上面図である。図１４は、図１３に示した従来の一例による光起電力装置の５００−５００線に沿った断面図である。

図１３を参照して、従来の一例による光起電力装置では、光電変換部１０１の上面上に金属線からなる集電極１０２が導電性の接着層１０３により接着されている。この集電極１０２および接着層１０３は、光電変換部１０１の上面上に互いに平行な方向へ延びるように、所定の間隔を隔てて複数設けられている。また、集電極１０２は、５０μｍの直径を有するとともに、接着層１０３は、６０μｍの幅を有している。また、光電変換部１０１の上面上には、集電極１０２および接着層１０３の延びる方向に対して直交する方向に延びるように、２つのバスバー電極１０４が所定の間隔を隔てて形成されている。

また、光電変換部１０１では、図１４に示すように、ｎ型単結晶シリコン基板１０５の上面上に、実質的に真性のｉ型非晶質シリコン層１０６と、ｐ型非晶質シリコン層１０７と、透明導電膜１０８とが順次形成されている。この透明導電膜１０８の上面上に、上記の接着層１０３を介して集電極１０２が接着されているとともに、バスバー電極１０４（図１３参照）が形成されている。また、ｎ型単結晶シリコン基板１０５の下面上には、実質的に真性のｉ型非晶質シリコン層１０９と、ｎ型非晶質シリコン層１１０と、透明導電膜１１１とが順次形成されている。また、透明導電膜１１１の下面上には、所定の間隔を隔てて互いに平行な方向に延びるように形成された複数のフィンガー電極部１１２ａと、フィンガー電極部１１２ａにより収集された電流を集合させるバスバー電極部（図示せず）とからなる裏面電極１１２が形成されている。
特開平３−６８６７号公報

しかしながら、図１３に示した従来の光起電力装置では、接着層１０３の幅（６０μｍ）が、集電極１０２の直径（５０μｍ）よりも若干大きいだけであるので、光電変換部１０１の上面に対する接着層１０３の接着面積が小さくなることにより、接着層１０３の光電変換部１０１に対する接着強度が小さくなる場合があるという不都合がある。その結果、集電極１０２が、光電変換部１０１から剥離するのを抑制するのが困難であるという問題点がある。

そこで、上記の問題点を解消するために、集電極１０２の延びる方向の全体にわたって形成された接着層１０３の幅を大きくすることにより、接着層１０３の光電変換部１０１の上面に対する接着面積を増加させることによって、接着層１０３の接着強度を大きくすることも考えられる。しかしながら、この場合には、接着層１０３によって遮光される面積が大幅に増加するので、接着層１０３による遮光損失が大幅に増大するという問題点がある。

この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の１つの目的は、遮光損失が大幅に増大するのを抑制しながら、集電極の光電変換部からの剥離を抑制することが可能な光起電力装置を提供することである。

課題を解決するための手段および発明の効果

上記目的を達成するために、この発明の第１の局面における光起電力装置は、光電変換部と、光電変換部の主表面に取り付けられ、金属線からなる集電極と、集電極を光電変換部の主表面に対して接着するための導電性の接着層とを備え、接着層は、集電極の端部を光電変換部の主表面に対して接着するための第１接着層と、集電極の端部以外の部分を光電変換部の主表面に対して接着するための導電性の第２接着層とを含み、第１接着層の幅および上端部の高さの少なくとも一方は、第２接着層の対応する幅および上端部の高さよりも大きい。

この第１の局面による光起電力装置では、上記のように、第１接着層の幅および上端部の高さの少なくとも一方を第２接着層の対応する幅および上端部の高さよりも大きくすることによって、第１接着層の光電変換部の上面に対する接着面積、および、第１接着層と集電極の端部との接着面積の少なくとも一方を大きくすることができるので、第１接着層による集電極の端部の接着強度を大きくすることができる。これにより、光電変換部からの剥離の起点となりやすい集電極の端部の剥離を、第１接着層によって抑制することができる。このため、集電極の光電変換部からの剥離を抑制することができる。また、集電極の光電変換部からの剥離を抑制するために、集電極の端部に対応する第１接着層のみの幅および厚みの少なくとも一方を大きくすればよいので、集電極の剥離を抑制するために、第１接着層および第２接着層の全体の幅を大きくする場合と異なり、遮光面積が大幅に増加するのを抑制することができる。これらの結果、遮光損失が大幅に増大するのを抑制しながら、集電極の光電変換部からの剥離を抑制することができる。

上記第１の局面による光起電力装置において、好ましくは、第１接着層の上端部の高さは、集電極の上端部の高さよりも大きい。このように構成すれば、第１接着層と集電極の端部との接着面積を容易に大きくすることができるので、第１接着層による集電極の端部の接着強度を容易に大きくすることができる。また、第１接着層の上端部の高さを集電極の上端部の高さよりも大きくすることによって、集電極を接着層によって光電変換部の主表面に接着した後、光電変換部の主表面にスクリーン印刷法によりバスバー電極を形成する場合にも、スクリーン印刷に用いるスクリーン版を光電変換部の上方から被せる際に、スクリーン版が第１接着層の上端部に当接するので、集電極の上端部がスクリーン版に衝突するのを抑制することができる。これにより、集電極の上端部によってスクリーン版が損傷するのを抑制することができる。

この場合において、好ましくは、第１接着層は、集電極の端部の周面を覆うように形成されている。このように構成すれば、第１接着層と集電極の端部との接着面積をより大きくすることができるので、第１接着層による集電極の端部の接着強度をより大きくすることができる。

上記第１の局面による光起電力装置において、好ましくは、第１接着層は、第２接着層よりも優れた光透過性を有する。このように構成すれば、第１接着層の幅を第２接着層の幅よりも大きくすることにより、集電極の端部において第１接着層により遮光される面積が増大する場合にも、第１接着層による遮光損失が増大するのを抑制することができる。

上記第１の局面による光起電力装置において、好ましくは、第１接着層は、第２接着層よりも大きな接着強度を有する接着剤を含む。このように構成すれば、集電極の端部に設けられる大きな接着強度を有する第１接着層によって、光電変換部から集電極の端部が剥離するのをより確実に抑制することができる。

上記第１の局面による光起電力装置において、好ましくは、第１接着層は、集電極の両方の端部に対応して２つ設けられ、２つの第１接着層は、集電極の両方の端部を光電変換部の主表面に対して接着している。このように構成すれば、集電極の両方の端部の光電変換部からの剥離を抑制することができるので、集電極が光電変換部から剥離するのをより確実に抑制することができる。

上記第１の局面による光起電力装置において、好ましくは、集電極は、複数設けられ、集電極の端部以外の第２接着層に対応する領域に、集電極の延びる方向と交差する方向に延びるように設けられ、複数の集電極を互いに接続するバスバー電極をさらに備えている。このように構成すれば、複数の集電極が集電極の端部以外の領域で、バスバー電極によって互いに接続された構成を有する光起電力装置において、遮光損失が大幅に増大するのを抑制しながら、集電極の光電変換部からの剥離を抑制することができる。

上記第１の局面による光起電力装置において、好ましくは、光電変換部は、半導体層と、半導体層上に形成されるとともに、集電極の端部に対応する領域に設けられた開口部を有する透明導電膜とを含み、半導体層の主表面は、開口部内に露出されており、第１接着層は、開口部内に露出された半導体層の主表面に対して集電極の端部を接着している。このように構成すれば、第１接着層と半導体層との接着強度は、第１接着層と透明導電膜との接着強度に比べて大きいので、第１接着層を透明導電膜上に形成する場合に比べて、第１接着層が剥離しにくくなる。すなわち、半導体層の表面に形成される自然酸化膜は、透明導電膜に比べて親水性が高いので、半導体層と第１接着層との接着強度が高くなると考えられ、その結果、第１接着層が剥離しにくくなると考えられる。これにより、第１接着層により接着される集電極の端部が、光電変換部から剥離するのをより確実に抑制することができる。

この発明の第２の局面における光起電力装置は、光電変換部と、光電変換部の主表面に取り付けられ、金属線からなる集電極と、集電極を光電変換部の主表面に対して接着するための導電性の接着層とを備え、接着層は、集電極の端部を光電変換部の主表面に対して接着するための第１接着層と、集電極の端部以外の部分を光電変換部の主表面に対して接着するための導電性の第２接着層とを含み、第１接着層の光電変換部の主表面および集電極の表面の少なくとも一方に対する接着面積は、第２接着層の光電変換部の主表面および集電極の表面に対する接着面積よりも大きい。

この第２の局面による光起電力装置では、上記のように、第１接着層の光電変換部の主表面および集電極の表面の少なくとも一方に対する接着面積を、第２接着層の光電変換部の主表面および集電極の表面に対する接着面積よりも大きくすることによって、第１接着層による集電極の端部の接着強度を大きくすることができる。これにより、光電変換部からの剥離の起点となりやすい集電極の端部の剥離を、第１接着層によって抑制することができる。このため、集電極の光電変換部からの剥離を抑制することができる。また、集電極の光電変換部からの剥離を抑制するために、集電極の端部に対応する第１接着層のみの光電変換部の主表面および集電極の表面の少なくとも一方に対する接着面積を大きくすればよいので、集電極の剥離を抑制するために、第１接着層および第２接着層の全体の光電変換部の主表面に対する接着面積を大きくする場合と異なり、遮光面積が大幅に増加するのを抑制することができる。これらの結果、遮光損失が大幅に増大するのを抑制しながら、集電極の光電変換部からの剥離を抑制することができる。

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。

（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態による光起電力装置の構成を示した上面図である。図２は、図１に示した第１実施形態による光起電力装置の接着層の構成を示した上面図である。図３は、図１に示した第１実施形態による光起電力装置の１００−１００線に沿った断面図である。図４は、図１に示した第１実施形態による光起電力装置の１５０−１５０線に沿った断面図である。図５は、図１に示した第１実施形態による光起電力装置の２００−２００線に沿った断面図である。まず、図１〜図５を参照して、本発明の第１実施形態による光起電力装置の構成について説明する。

第１実施形態による光起電力装置では、図１に示すように、光電変換部１の上面上に約５０μｍの直径を有する銅線（金属線）からなる集電極２が、エポキシ系の熱硬化型の導電性ペースト（銀（Ａｇ）ペースト）からなる導電性の接着層３により接着されている。この集電極２および接着層３は、互いに平行な方向へ延びるように、光電変換部１の上面上に所定の間隔を隔てて複数設けられている。

ここで、第１実施形態では、図２に示すように、接着層３は、集電極２の両端部を光電変換部１の上面に対して接着する端部接着層３ａと、集電極２の両端部間の中間部分を光電変換部１の上面に対して接着する中間部接着層３ｂとによって構成されている。なお、この端部接着層３ａは、本発明の「第１接着層」の一例であり、中間部接着層３ｂは、本発明の「第２接着層」の一例である。また、端部接着層３ａは、図２および図３に示すように、約８０μｍ〜約２００μｍの幅と、約１０μｍの厚みとを有するように構成されている。また、中間部接着層３ｂは、図２および図４に示すように、約６０μｍの幅と、約１０μｍの厚みとを有するように構成されている。すなわち、端部接着層３ａの幅は、中間部接着層３ｂの幅よりも大きくなるように構成されている。

また、第１実施形態では、図１に示すように、光電変換部１の中間部接着層３ｂに対応する領域上に、集電極２の延びる方向に対して直交する方向に延びるように、２つのバスバー電極４が所定の間隔を隔てて形成されている。このバスバー電極４は、エポキシ系の熱硬化型の導電性ペースト（銀（Ａｇ）ペースト）からなるとともに、約１．５ｍｍの幅を有している。また、集電極２および中間部接着層３ｂと、バスバー電極４とが交差する領域では、図５に示すように、集電極２と中間部接着層３ｂとを覆うように、バスバー電極４が形成されている。このバスバー電極４により、複数の集電極２が互いに接続されている。

また、光電変換部１では、図３〜図５に示すように、約１Ω・ｃｍの抵抗率と約３００μｍの厚みとを有するとともに、（１００）面を有するｎ型単結晶シリコン基板５の上面上に、約５ｎｍの厚みを有する実質的に真性のｉ型非晶質シリコン層６が形成されている。また、ｉ型非晶質シリコン層６上には、約５ｎｍの厚みを有するｐ型非晶質シリコン層７と、約８０ｎｍ〜約１００ｎｍの厚みを有する透明導電膜８とが順次形成されている。また、透明導電膜８は、約５質量％のＳｎＯ_２を含有するＩｎＯ_２からなるＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）膜によって構成されている。

また、ｎ型単結晶シリコン基板５の下面上には、約５ｎｍの厚みを有する実質的に真性のｉ型非晶質シリコン層９と、約５ｎｍの厚みを有するｎ型非晶質シリコン層１０と、約８０ｎｍ〜約１００ｎｍの厚みを有する透明導電膜１１とが順次形成されている。また、透明導電膜１１の下面上には、所定の間隔を隔てて互いに平行な方向に延びるように形成された複数のフィンガー電極部１２ａと、フィンガー電極部１２ａにより収集された電流を集合させるバスバー電極部（図示せず）とからなる裏面電極１２が形成されている。

図６は、光電変換部上に転写された導電性ペーストに銅線（集電極）を接触させる際に用いる集電極貼付け装置の構成を示した斜視図である。次に、図１〜図６を参照して、本発明の第１実施形態による光起電力装置の製造プロセスについて説明する。

まず、約１Ω・ｃｍの抵抗率と約３００μｍの厚みとを有するとともに、（１００）面を有するｎ型単結晶シリコン基板５（図３参照）を洗浄することにより不純物を除去する。そして、ＲＦプラズマＣＶＤ法を用いて、周波数：約１３．５６ＭＨｚ、形成温度：約１００℃〜約３００℃、反応圧力：約５Ｐａ〜約１００Ｐａ、ＲＦパワー：約１ｍＷ／ｃｍ^２〜約５００ｍＷ／ｃｍ^２の条件下で、ｎ型単結晶シリコン基板５上に、約５ｎｍの厚みを有するｉ型非晶質シリコン層６と、約５ｎｍの厚みを有するｐ型非晶質シリコン層７とを順次形成する。なお、ｐ型非晶質シリコン層７を形成する際のｐ型ドーパントとしては、３族元素であるＢ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎが挙げられる。ｐ型非晶質シリコン層７の形成時に、ＳｉＨ_４（シラン）ガスなどの原料ガスに、上記したｐ型ドーパントの少なくとも１つを含む化合物ガスを混合することによって、ｐ型非晶質シリコン層７を形成することが可能である。

次に、上記ｉ型非晶質シリコン層６およびｐ型非晶質シリコン層７と同様のプロセスにより、ｎ型単結晶シリコン基板５の下面上に約５ｎｍの厚みを有するｉ型非晶質シリコン層９と、約５ｎｍの厚みを有するｎ型非晶質シリコン層１０とを順次形成する。なお、ｎ型非晶質シリコン層１０を形成する際のｎ型ドーパントとしては、５族元素であるＰ、Ｎ、Ａｓ、Ｓｂが挙げられる。ｎ型非晶質シリコン層１０の形成時に、原料ガスに上記したｎ型ドーパントの少なくとも１つを含む化合物ガスを混合することによって、ｎ型非晶質シリコン層１０を形成することが可能である。

次に、スパッタリング法を用いて、ｐ型非晶質シリコン層７およびｎ型非晶質シリコン層１０の各々の上に、ＩＴＯ膜からなる透明導電膜８および１１をそれぞれ形成する。この透明導電膜８および１１の形成時には、ＳｎＯ_２粉末を約５質量％含むＩｎ_２Ｏ_３粉末の焼結体からなるターゲットを、スパッタリング装置（図示せず）のチャンバ（図示せず）内のカソード（図示せず）に設置する。この場合、ＳｎＯ_２粉末の量を変化させることにより、ＩＴＯ膜中のＳｎ量を変化させることが可能である。Ｉｎに対するＳｎの量は、約１質量％〜約１０質量％が好ましい。

そして、ｐ型非晶質シリコン層７およびｎ型非晶質シリコン層１０が形成されたｎ型単結晶シリコン基板５をカソードと平行に対向配置する。そして、チャンバ（図示せず）を真空排気した後、加熱ヒータ（図示せず）を用いて、基板温度が約２００℃になるまで加熱する。そして、基板温度を約２００℃にした状態で、ＡｒガスとＯ_２ガスとの混合ガスを流して圧力を約０．４Ｐａ〜約１．３Ｐａに保持するとともに、カソードに約０．５ｋＷ〜約２ｋＷのＤＣ電力を投入することにより放電を開始する。このようにして、透明導電膜８および１１をそれぞれｐ型非晶質シリコン層７の上面上およびｎ型非晶質シリコン層１０の下面上の各々に約８０ｎｍ〜約１００ｎｍの厚みになるまで形成する。

次に、第１実施形態では、スクリーン印刷法を用いて、透明導電膜８の上面上の所定領域に接着層３を構成するエポキシ系の熱硬化型の導電性ペースト（銀（Ａｇ）ペースト）を転写する。この際、端部接着層３ａが約８０μｍ〜約２００μｍの幅と、約５００μｍの長さと、約１０μｍの厚みとを有するとともに、中間部接着層３ｂが約６０μｍの幅と、約１０μｍの厚みとを有するように、接着層３を構成する導電性ペーストを転写する。また、この接着層３を構成する導電性ペーストは、透明導電膜８上に所定の間隔を隔てて、複数形成する。

次に、図６に示すような集電極貼付け装置１３の固定台１４上に、接着層３を構成する導電性ペーストが転写された光電変換部１を固定する。そして、銅線１５が巻かれたボビン１６から所定の長さの銅線１５を引き出した後、配列機構１７により、銅線１５を所定の間隔に配列する。この銅線１５の間隔は、光電変換部１上の導電性ペーストからなる複数の接着層３の各々の間隔と同じ間隔に設定する。そして、銅線１５の一方端側を一方の固定機構１８ａで挟むことにより固定する。そして、銅線１５が直線状になるように張力を付与しながら、銅線１５の他方端側をもう一方の固定機構１８ｂで挟むことにより固定する。その後、固定機構１８ａおよび１８ｂと一体の支持枠１９を固定台１４上の光電変換部１に嵌め合わせることにより、光電変換部１上の導電性ペーストからなる接着層３に対して位置を合わせながら銅線１５を接触させる。この後、この状態を保持しながら、ランプヒータにより約２００℃で約３０分間加熱することにより、導電性ペーストからなる接着層３を硬化させる。これにより、接着層３により銅線１５からなる集電極２が光電変換部１の透明導電膜８上に接着される。

次に、図１に示すように、スクリーン印刷法を用いて、光電変換部１上の端部接着層３ａが設けられた側の両端部から約２５ｍｍ内側の位置に、集電極２および接着層３の延びる方向に対して直交する方向に延びるように、２つの導電性ペーストを所定の間隔を隔てて転写する。なお、この導電性ペーストとしては、エポキシ系の熱硬化型の導電性ペースト（銀（Ａｇ）ペースト）を用いる。この後、加熱炉内で約２００℃で約１時間加熱することにより導電性ペーストを硬化させる。これにより、光電変換部１上の中間部接着層３ｂに対応する領域に、複数の集電極２を互いに接続するバスバー電極４が形成される。なお、このバスバー電極４が集電極２および中間部接着層３ｂと交差する位置では、図５に示すように、集電極２および中間部接着層３ｂ上を覆うようにバスバー電極４が形成される。

最後に、スクリーン印刷法を用いて、エポキシ系の熱硬化型の導電性ペースト（銀（Ａｇ）ペースト）を裏面側の透明導電膜１１の所定領域上に転写した後、加熱炉内で加熱することにより導電性ペーストを硬化させて裏面電極１２を形成する。これにより、透明導電膜１１の下面上に所定の間隔を隔てて互いに平行に延びるように形成された複数のフィンガー電極部１２ａと、フィンガー電極部１２ａにより収集された電流を集合させるバスバー電極部（図示せず）とからなる裏面電極１２が形成される。このようにして、図１に示した第１実施形態による光起電力装置が作製される。

第１実施形態では、上記のように、接着層３の端部接着層３ａの幅を中間部接着層３ｂの幅よりも大きくすることによって、端部接着層３ａの光電変換部１の上面に対する接着面積を大きくすることができるので、端部接着層３ａによる集電極２の端部の接着強度を大きくすることができる。これにより、光電変換部１からの剥離の起点となりやすい集電極２の端部の剥離を端部接着層３ａによって抑制することができる。このため、集電極２の光電変換部１からの剥離を抑制することができる。また、集電極２の光電変換部１からの剥離を抑制するために、集電極２の端部に対応する端部接着層３ａのみの幅を大きくしているので、集電極２の剥離を抑制するために、端部接着層３ａおよび中間部接着層３ｂからなる接着層３の全体の幅を大きくする場合と異なり、遮光面積が大幅に増加するのを抑制することができる。これらの結果、遮光損失が大幅に増大するのを抑制しながら、集電極２の光電変換部１からの剥離を抑制することができる。

また、第１実施形態では、端部接着層３ａを集電極２の両方の端部に対応して２つ設けるとともに、２つの端部接着層３ａにより集電極２の両方の端部を光電変換部１の上面に対して接着することによって、集電極２の両方の端部の光電変換部１からの剥離を抑制することができるので、集電極２が光電変換部１から剥離するのをより確実に抑制することができる。

次に、上記した第１実施形態による効果を確認するために行った実験（実施例１）について説明する。この実験では、接着層の端部接着層の幅を変化させて実施例１−１〜１−３および比較例１−１による光起電力装置を作製するとともに、その作製した光起電力装置について集電極の剥離強度を測定した。

（実施例１−１）
この実施例１−１では、スクリーン印刷法を用いて、光電変換部の表面側の透明導電膜上に、端部接着層の幅が１００μｍになるとともに、中間部接着層の幅が６０μｍになるように、接着層を構成する導電性ペーストを転写した。その後、導電性ペーストからなる接着層を硬化させることにより、銅線からなる集電極を表面側の透明導電膜上に接着した。そして、端部接着層から外側に５ｃｍの位置で、集電極を切断した。これ以外は、上記第１実施形態と同様にして、実施例１−１による光起電力装置を作製した。

（実施例１−２）
この実施例１−２では、光電変換部の表面側の透明導電膜上に、端部接着層の幅が１５０μｍになるとともに、中間部接着層の幅が６０μｍになるように、接着層を構成する導電性ペーストを転写した。これ以外は、上記実施例１−１と同様にして、実施例１−２による光起電力装置を作製した。

（実施例１−３）
この実施例１−３では、光電変換部の表面側の透明導電膜上に、端部接着層の幅が２００μｍになるとともに、中間部接着層の幅が６０μｍになるように、接着層を構成する導電性ペーストを転写した。これ以外は、上記実施例１−１と同様にして、実施例１−３による光起電力装置を作製した。

（比較例１−１）
この比較例１−１では、上記した従来の一例による光起電力装置（図１３参照）と同様に構成した。具体的には、光電変換部の表面側の透明導電膜上に、端部接着層および中間部接着層の幅が、共に６０μｍになるように、接着層を構成する導電性ペーストを転写した。これ以外は、上記実施例１−１と同様にして、比較例１−１による光起電力装置を作製した。

次に、上記のようにして作製した実施例１−１〜実施例１−３および比較例１−１による光起電力装置について、集電極の剥離強度を測定した。具体的には、図７に示すように、光電変換部１を固定するとともに、５ｃｍの長さを有する集電極２の一方の端部を光電変換部１の上面に対して垂直な方向に折り曲げた後、その折り曲げた端部を測定装置２１のクリップ２２で挟んだ。その後、集電極２を上方へ引張ることにより、集電極２が光電変換部１から剥離する際のピーク強度を測定装置２１で測定した。このようにして、集電極の剥離強度を測定した。以下の表１に、その測定結果を示す。なお、この表１には、端部接着層の幅が６０μｍの比較例１による剥離強度で規格化した規格化剥離強度を示している。

上記表１の結果から、実施例１−１〜１−３の規格化剥離強度（実施例１−１：１．２、実施例１−２：１．４、実施例１−３：１．７）は、従来構造による比較例１−１の規格化剥離強度（比較例１−１：１）に比べて大きいことがわかる。すなわち、実施例１−１〜１−３では、比較例１−１に比べて、集電極の剥離を抑制できることがわかった。これは、従来構造による比較例１−１の端部接着層の幅（６０μｍ）に比べて、実施例１−１〜１−３による端部接着層の幅（実施例１−１：１００μｍ、実施例１−２：１５０μｍ、実施例１−３：２００μｍ）が大きいことにより、実施例１−１〜１−３による端部接着層の接着強度が、比較例１−１による端部接着層の接着強度に比べて大きくなったことによると考えられる。これにより、集電極の剥離を抑制するために、端部接着層の幅を大きくすることが好ましいことが判明した。

また、上記表１の結果から、端部接着層の幅が６０μｍから２００μｍへ徐々に増加するのに応じて、規格化剥離強度も１から１．７へ徐々に増加することもわかった。これにより、接着層の端部接着層の幅を増加させるのに対応して、集電極の剥離をより抑制できることが判明した。

次に、端部接着層の幅を６０μｍから２００μｍへ増加させた場合において、光電変換部に光が入射しない無効領域（遮光領域）の面積の増加率を計算した。なお、以下の計算において、光電変換部のサイズは、１００ｍｍ×１００ｍｍとする。また、光電変換部上に集電極（接着層）は５０個設けられているとともに、バスバー電極は２つ設けられているとする。また、接着層の長さは９８ｍｍとするとともに、端部接着層の長さは０．５ｍｍとする。また、中間部接着層の幅は６０μｍとする。また、バスバー電極の長さは９８ｍｍとするとともに、幅は１．５ｍｍとする。

まず、以下の式（１）に示すように、光電変換部の面積（セル面積）を算出した。

光電変換部の面積＝１００ｍｍ×１００ｍｍ＝１０^４ｍｍ^２・・・（１）
次に、以下の式（２）に示すように、端部接着層の幅が６０μｍの場合の接着層およびバスバー電極によって遮光される領域の面積（無効領域の面積）を算出した。

無効領域の面積＝接着層の面積＋バスバー電極の面積−接着層とバスバー電極との重なり部分の面積・・・（２）
ここで、接着層の面積は、接着層が６０μｍ（０．０６ｍｍ）の幅と９８ｍｍの長さとを有するとともに、光電変換部上に５０個設けられていることにより、以下の式（３）に示すように算出される。

接着層の面積＝０．０６ｍｍ×９８ｍｍ×５０個＝２９４ｍｍ^２・・・（３）
また、バスバー電極の面積は、バスバー電極が１．５ｍｍの幅および９８ｍｍの長さを有するとともに、光電変換部上に２つ設けられていることにより、以下の式（４）に示すように算出される。

バスバー電極の面積＝１．５ｍｍ×９８ｍｍ×２個＝２９４ｍｍ^２・・・（４）
また、接着層とバスバー電極との重なり部分は、１つの接着層毎に２箇所存在するので、５０個の接着層で合計１００箇所存在する。これにより、接着層とバスバー電極との重なり部分の面積は、以下の式（５）に示すように算出される。

接着層とバスバー電極との重なり部分の面積-＝０．０６ｍｍ×１．５ｍｍ×１００箇所＝９ｍｍ^２・・・（５）
したがって、無効領域の面積は、上記式（２）、（３）、（４）および（５）から、以下の式（６）に示すように算出される。

無効領域の面積＝２９４ｍｍ^２＋２９４ｍｍ^２−９ｍｍ^２＝５７９ｍｍ^２・・・（６）
また、上記式（１）および（６）から、光電変換部に光が入射される有効領域（受光領域）の面積は、以下の式（７）に示すように算出される。

有効領域の面積＝光電変換部の面積−無効領域の面積＝１０^４ｍｍ^２−５７９ｍｍ^２＝９．４２１×１０^３ｍｍ^２・・・（７）
また、端部接着層の幅を６０μｍから２００μｍに増加させた場合の無効領域の増加分の面積は、以下の式（８）に示すように算出される。

無効領域の増加分の面積＝端部接着層の幅の増加分×端部接着層の長さ×端部接着層の数＝（０．２ｍｍ−０．６ｍｍ）×０．５ｍｍ×１００箇所＝７ｍｍ^２・・・（８）
したがって、上記式（７）および（８）から、有効領域の面積に対する無効領域の面積の増加率は、以下の式（９）に示すように算出される。

無効領域の面積の増加率＝７ｍｍ^２／（９．４２１×１０^３ｍｍ^２）＝７．４３０２×１０^−４≒０．０７％・・・（９）
上記の式（９）から、接着層の端部接着層の幅を６０μｍから２００μｍへ増加させた場合の光電変換部の無効領域の増加率は、０．０７％程度であるので、この場合には、大きな遮光損失は発生しないと考えられる。

上記した集電極の剥離強度の測定結果および無効領域（遮光領域）の増加率の算出結果から、接着層の端部接着層の幅のみを６０μｍから２００μｍまで増加させた場合には、遮光損失を大幅に増加させることなく、集電極の剥離を抑制することができることが判明した。

（第２実施形態）
図８は、本発明の第２実施形態による光起電力装置の構成を説明するための断面図である。なお、図８には、第２実施形態による光起電力装置の端部接着層に対応する領域の断面が示されている。図８を参照して、本発明の第２実施形態による光起電力装置の構成について説明する。

第２実施形態による光起電力装置では、上記第１実施形態による光起電力装置と異なり、接着層３３の端部接着層３３ａの上端部の高さが、集電極２の上端部の高さよりも大きくなるように構成されている。具体的には、接着層３３の端部接着層３３ａは、透明導電膜８の上面から上端部までの高さが約１００μｍになるように構成されている。これにより、約５０μｍの直径を有する集電極２の上端部の高さよりも、端部接着層３３ａの上端部の高さが大きくなるように構成されている。また、端部接着層３３ａは、約２００μｍの幅を有するように構成されており、集電極２の端部の周面を覆うように形成されている。第２実施形態による光起電力装置の上記以外の構成は、上記第１実施形態による光起電力装置の構成と同様である。

次に、第２実施形態による光起電力装置の製造プロセスについて説明する。この第２実施形態では、スクリーン印刷法を用いて、光電変換部１の表側の透明導電膜８上に、端部接着層３３ａが約１０μｍの厚みと約２００μｍの幅とを有するとともに、中間部接着層３ｂ（図２参照）が約１０μｍの厚みと約６０μｍの幅とを有するように、接着層３３を構成するエポキシ系の熱硬化型の導電性ペースト（銀（Ａｇ）ペースト）を転写する。そして、その導電性ペーストからなる接着層３３に対して銅線からなる集電極２を接触させた状態で、ディスペンサを用いて、端部接着層３３ａに接触する集電極２の端部のみを覆うように、上記の導電性ペーストをさらに塗布する。この後、導電性ペーストからなる接着層３３を加熱することにより硬化させる。これにより、接着層３３により集電極２が光電変換部１の透明導電膜８上に接着される。このようにして、端部接着層３３ａの上端部の高さが集電極２の上端部の高さよりも大きくなるように、接着層３３が形成される。第２実施形態による光起電力装置の上記以外の製造プロセスは、上記第１実施形態による光起電力装置の製造プロセスと同様である。

第２実施形態では、上記のように、端部接着層３３ａの上端部の高さを集電極２の上端部の高さよりも大きくすることによって、端部接着層３３ａを集電極２の端部の周面を覆うように形成することができるので、端部接着層３３ａと集電極２の端部との接着面積をより大きくすることができる。これにより、端部接着層３３ａによる集電極２の端部の接着強度をより大きくすることができる。

また、第２実施形態では、図９に示すように、集電極２を接着層３３によって接着した後、光電変換部１の上面にスクリーン印刷法によりバスバー電極４（図１参照）を形成する工程において、スクリーン印刷に用いるスクリーン版２３を光電変換部１の上方から被せる際に、スクリーン版２３が端部接着層３３ａの上端部に当接する。これにより、集電極２の先端が端部接着層３３ａから突出するとともに、上方にわずかに浮き上がっている場合にも、集電極２の先端がスクリーン版２３に衝突するのを抑制することができる。その結果、集電極２の先端によってスクリーン版２３が損傷するのを抑制することができる。

第２実施形態による上記以外の効果は、上記第１実施形態による効果と同様である。

（第３実施形態）
図１０は、本発明の第３実施形態による光起電力装置の構成を示した上面図である。図１１は、図１０に示した第３実施形態による光起電力装置の２５０−２５０線に沿った断面図である。次に、図１０および図１１を参照して、本発明の第３実施形態による光起電力装置の構成について説明する。

第３実施形態による光起電力装置では、図１０および図１１に示すように、上記第１実施形態による光起電力装置と異なり、透明導電膜８の集電極２の両端部に対応する領域に、平面的に見て矩形状の開口部８ａが設けられているとともに、その開口部８ａ内にｐ型非晶質シリコン層７の上面が露出されている。なお、このｐ型非晶質シリコン層７は、本発明の「半導体層」の一例である。そして、開口部８ａ内に露出されたｐ型非晶質シリコン層７の上面に対して、集電極２の端部が接着層３の端部接着層３ａにより接着されている。なお、開口部８ａ内に露出されたｐ型非晶質シリコン層７の上面には、透明導電膜８よりも親水性の高い自然酸化膜が形成されているので、その上面に形成される接着層３の端部接着層３ａの接着強度は、透明導電膜８上に形成される場合の接着強度よりも大きくなっていると考えられる。第３実施形態による光起電力装置の上記以外の構造は、上記第１実施形態による光起電力装置の構造と同様である。

次に、図１０および図１１を参照して、第３実施形態による光起電力装置の製造プロセスについて説明する。第３実施形態では、ｎ型単結晶シリコン基板５の上面上にｉ型非晶質シリコン層６およびｐ型非晶質シリコン層７を順次形成した後、ｎ型単結晶シリコン基板５の下面上にｉ型非晶質シリコン層９およびｎ型非晶質シリコン層１０を順次形成する。その後、第３実施形態では、メタルマスクを用いて、ｐ型非晶質シリコン層７の上面上に、平面的に見て矩形状の開口部８ａを有する透明導電膜８を形成する。そして、この開口部８ａ内に露出されたｐ型非晶質シリコン層７の上面上に端部接着層３ａが位置するように接着層３を形成する。第３実施形態による光起電力装置の上記以外の製造プロセスは、上記第１実施形態による光起電力装置の製造プロセスと同様である。

第３実施形態では、上記のように、透明導電膜８の開口部８ａ内に露出されたｐ型非晶質シリコン層７の上面に対して端部接着層３ａにより集電極２の端部を接着することによって、端部接着層３ａとｐ型非晶質シリコン層７との接着強度は、端部接着層３ａと透明導電膜８との接着強度に比べて大きいので、端部接着層３ａを透明導電膜８上に形成する場合に比べて、端部接着層３ａが剥離しにくくなる。これにより、端部接着層３ａにより接着される集電極２の端部が、光電変換部１から剥離するのをより確実に抑制することができる。

第３実施形態による上記以外の効果は、上記第１実施形態による効果と同様である。

次に、上記した第３実施形態による効果を確認するために行った実験（実施例２）について説明する。この実験では、接着層の端部接着層をｐ型非晶質シリコン層上または透明導電膜上に形成することにより実施例２−１、２−２および比較例２−１による光起電力装置を作製するとともに、その作製した光起電力装置について集電極の剥離強度を測定した。

（実施例２−１）
この実施例２−１では、上記実施例１−３と同様にして、実施例２−１による光起電力装置を作製した。すなわち、光電変換部の表面側の透明導電膜上に、端部接着層の幅が２００μｍになるとともに、中間部接着層の幅が６０μｍになるように、接着層を形成した。そして、その接着層により集電極を透明導電膜上に接着した。

（実施例２−２）
この実施例２−２では、メタルマスクを用いて、ｐ型非晶質シリコン層の上面上に、平面的に見て矩形状の開口部を有する透明導電膜を形成した。そして、この開口部内に露出されたｐ型非晶質シリコン層の上面上に２００μｍの幅を有する端部接着層を形成した。これ以外は、上記実施例２−１と同様にして実施例２−２による光起電力装置を作製した。

（比較例２−１）
この比較例２−１では、上記比較例１−１と同様にして、比較例２−１による光起電力装置を作製した。

次に、上記のようにして作製した光起電力装置について、集電極の剥離強度を測定した。この集電極の剥離強度の測定は、上記実施例１による剥離強度の測定と同様にして行った。その測定結果を以下の表２に示す。なお、この表２には、比較例２−１による剥離強度で規格化した規格化剥離強度を示している。

上記表２の結果から、実施例２−１による規格化剥離強度（１．７）は、従来構造による比較例１−１の規格化剥離強度（１）に比べて大きいとともに、実施例２−２による規格化剥離強度（２．５）は、実施例２−１による規格化剥離強度（１．７）よりもさらに大きいことがわかる。すなわち、実施例２−１では、比較例２−１よりも集電極の剥離を抑制できるとともに、実施例２−２では、さらに集電極の剥離を抑制できることがわかった。これは、従来構造による比較例２−１の端部接着層の幅（６０μｍ）に比べて、実施例２−１および２−２による端部接着層の幅（２００μｍ）を大きくしたことに加えて、実施例２−２では、端部接着層をｐ型非晶質シリコン層上に形成したことにより、端部接着層の接着強度が大きくなったことによると考えられる。これにより、集電極の剥離をより抑制するために、端部接着層をｐ型非晶質シリコン層上に形成するのが好ましいことが判明した。

なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。

たとえば、上記実施形態では、２つの端部接着層により、集電極の両方の端部を光電変換部の主表面に対して接着する例について説明したが、本発明はこれに限らず、１つの端部接着層により、集電極の一方の端部のみを光電変換部の主表面に対して接着してもよい。

また、上記第２実施形態では、端部接着層の上端部の高さを集電極の上端部の高さよりも大きくするとともに、端部接着層の幅（約１００μ〜約２００μｍ）を中間部接着層の幅（約６０μｍ）よりも大きくすることにより、端部接着層が集電極の端部の周面を覆うように構成したが、本発明はこれに限らず、図１２に示すように、端部接着層３ａの上端部の高さを集電極２の上端部の高さよりも大きくするとともに、端部接着層３ａの幅を中間部接着層（図示せず）の幅（６０μｍ）と同じにすることにより、端部接着層３ａが集電極２の端部の周面を覆うように構成してもよい。この場合にも、集電極２の端部と端部接着層３ａとの接着面積を大きくすることができるので、集電極２の光電変換部１からの剥離を抑制することができる。また、端部接着層３ａの幅が従来構造による構成（図１３および図１４参照）と同様に、中間部接着層（図示せず）の幅と同じであるので、遮光損失も増大しない。

また、上記実施形態では、ｎ型単結晶シリコン基板上にｉ型非晶質シリコン層を介してｐ型非晶質シリコン層を形成した光起電力装置を例にとって説明したが、本発明はこれに限らず、単結晶シリコン系、多結晶シリコン系、薄膜シリコン系、化合物半導体系、色素増感系、有機系などの種々の光起電力装置について本発明を適用することができる。

また、上記実施形態では、接着層、バスバー電極および裏面電極の材料として、エポキシ系の熱硬化型の導電性ペーストを用いたが、本発明はこれに限らず、接着層、バスバー電極および裏面電極の材料として、エポキシ系以外の樹脂材料を含む導電性ペーストを用いてもよい。たとえば、ポリエステル系、アクリル系、ポリビニル系、ポリウレタン系およびフェノール系などの樹脂材料を含む導電性ペーストを用いてもよい。ただし、この場合には、各樹脂に適応した硬化条件を用いることによって導電性ペーストを硬化させる。

また、上記実施形態では、端部接着層と中間部接着層とを同じ材料の導電性ペーストを用いて形成したが、本発明はこれに限らず、端部接着層と中間部接着層とを異なる材料の接着剤を用いて形成してもよい。たとえば、端部接着層に中間部接着層よりも高い接着強度を有する接着剤を用いてもよい。このように構成すれば、端部接着層の接着強度をより向上させることができるので、集電極の光電変換部からの剥離をより確実に抑制することができる。また、端部接着層に中間部接着層よりも優れた光透過性を有する接着剤を用いてもよい。この場合には、上記実施形態のように端部接着層の幅を中間部接着層の幅よりも大きくすることにより、端部接着層によって遮光される面積が増大する場合にも、端部接着層による遮光損失が大幅に増大するのを抑制することができる。また、導電性を有さない接着剤を用いて端部接着層を形成してもよい。

また、上記実施形態では、スクリーン印刷法により、１回の工程で導電性ペーストを光電変換部上に転写したが、本発明はこれに限らず、上記以外の種々の方法により、光電変換部上に導電性ペーストを塗布してもよい。たとえば、端部接着層のみをディスペンサを用いて塗布することなどにより、複数回の工程で導電性ペーストを塗布してもよい。また、光電変換部側に導電性ペーストを塗布せずに、予め適当な長さに引き伸ばされた導電性ペーストを金属線（集電極）側に塗布するようにしてもよい。また、金属線（集電極）には、所定量の導電性ペーストを塗布するとともに、光電変換部上には、端部接着層のみに導電性ペーストを塗布するなどの方法により、金属線（集電極）側と光電変換部側とのそれぞれに塗布するようにしてもよい。また、導電性ペーストを必ずしも金属線（集電極）と光電変換部の透明導電膜との全ての接触部分に塗布する必要はない。たとえば、所定の間隔を隔ててドット状に導電性ペーストを塗布してもよい。

また、上記実施形態では、集電極として約５０μｍの直径を有する円形の断面の銅線を用いたが、本発明はこれに限らず、集電極として種々の構成の金属線を用いることができる。たとえば、約５０μｍ以外の直径を有する金属線や、矩形などの円形以外の断面形状を有する金属線や、銅線以外の金属や合金などからなる金属線や、表面の一部または全部に金属または合金のメッキを施した金属線などを集電極として用いることができる。また、集電極を配置する数および間隔についても、種々の構成を適用することができる。

また、上記実施形態では、約１．５ｍｍの幅を有する２本のバスバー電極をそれぞれ光電変換部の両側の端部から約２５ｍｍの位置に互いに平行な方向に延びるように形成したが、本発明はこれに限らず、バスバー電極の数、幅および形成位置として上記以外の種々の構成を適用することができる。

また、上記実施形態では、バスバー電極と集電極とが交差する領域において、バスバー電極が集電極上を覆うように構成したが、本発明はこれに限らず、バスバー電極と集電極とが電気的に接続されていれば、集電極の上面の少なくとも一部が露出されるように、バスバー電極を設けてもよい。

また、上記実施形態では、裏面電極を光電変換部の表面側の接着層を形成した後に形成したが、本発明はこれに限らず、透明導電膜を形成した後、接着層を形成する前に裏面電極を形成してもよい。また、接着層に集電極を接触させた後に裏面電極を形成してもよい。

また、上記実施形態では、導電性ペースト（銀（Ａｇ）ペースト）を加熱して硬化させることにより裏面電極を形成しているが、本発明はこれに限らず、上記以外の方法により裏面電極を形成してもよい。たとえば、Ａｌなどを蒸着することにより裏面電極を形成したり、表面側の集電極と同様に、金属線を接着層により接着することによって裏面電極を形成してもよい。

また、上記実施形態では、裏面側の透明導電膜の下面上にバスバー電極部とフィンガー電極部とからなる裏面電極を形成したが、本発明はこれに限らず、裏面側の透明導電膜の下面上の全体を覆うように裏面電極を形成してもよい。

また、上記第３実施形態では、透明導電膜に矩形状の開口部を形成したが、本発明はこれに限らず、透明導電膜に形成する開口部の形状は、矩形状以外の他の形状であってもよい。端部接着層を透明導電膜の下側に形成された半導体層に接触させることが可能であれば、開口部がどのような形状であっても上記第３実施形態と同様の効果を得ることができる。また、透明導電膜の集電極の一方の端部に対応する領域のみに開口部を形成して、その開口部を介して端部接着層により半導体層と集電極とを接着するようにしてもよい。

また、上記実施形態では、半導体材料として、シリコン（Ｓｉ）を用いたが、本発明はこれに限らず、ＳｉＧｅ、ＳｉＧｅＣ、ＳｉＣ、ＳｉＮ、ＳｉＧｅＮ、ＳｉＳｎ、ＳｉＳｎＮ、ＳｉＳｎＯ、ＳｉＯ、Ｇｅ、ＧｅＣ、ＧｅＮのうちのいずれかの半導体を用いてもよい。この場合、これらの半導体は、結晶質、または、水素およびフッ素の少なくともいずれか一方を含む非晶質または微結晶であってもよい。

また、上記実施形態では、透明導電膜を構成する材料として、Ｓｎをドープした酸化インジウム（ＩＴＯ）を用いたが、本発明はこれに限らず、ＩＴＯ膜以外の材料からなる透明導電膜を用いてもよい。たとえば、Ｚｎ、Ａｓ、Ｃａ、Ｃｕ、Ｆ、Ｇｅ、Ｍｇ、Ｓ、ＳｉおよびＴｅの少なくとも１つを化合物粉末として適量、酸化インジウム粉末（Ｉｎ_２Ｏ_３）に混ぜて焼結することにより作製したターゲットを用いて形成した透明導電膜を用いてもよい。

また、上記実施形態では、ＲＦプラズマＣＶＤ法を用いて非晶質シリコン層を形成したが、本発明はこれに限らず、蒸着法、スパッタリング法、マイクロ波プラズマＣＶＤ法、ＥＣＲ法、熱ＣＶＤ法、ＬＰＣＶＤ（減圧ＣＶＤ）法など他の方法を用いて、非晶質シリコン層を形成してもよい。

また、上記実施形態では、透明導電膜を構成するＩＴＯ膜のスパッタリング時に、Ａｒガスを用いたが、本発明はこれに限らず、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｋｒ、Ｘｅの他の不活性ガスまたはこれらの混合気体を用いることも可能である。

また、上記実施形態では、スパッタリング時の放電動作を、ＤＣ電力を用いて行ったが、本発明はこれに限らず、パルス変調ＤＣ放電や、ＲＦ放電、ＶＨＦ放電、マイクロ波放電などを用いてもよい。

本発明の第１実施形態による光起電力装置の構成を示した上面図である。 図１に示した第１実施形態による光起電力装置の接着層の構成を示した上面図である。 図１に示した第１実施形態による光起電力装置の１００−１００線に沿った断面図である。 図１に示した第１実施形態による光起電力装置の１５０−１５０線に沿った断面図である。 図１に示した第１実施形態による光起電力装置の２００−２００線に沿った断面図である。 光電変換部上に転写された導電性ペーストに銅線（集電極）を接触させる際に用いる集電極貼付け装置の構成を示した斜視図である。 集電極の剥離強度を測定する方法を説明するための模式図である。 本発明の第２実施形態による光起電力装置の構成を説明するための断面図である。 本発明の第２実施形態による光起電力装置の効果について説明するための図である。 本発明の第３実施形態による光起電力装置の構成を示した上面図である。 図１０に示した第３実施形態による光起電力装置の２５０−２５０線に沿った断面図である。 本発明の変形例による光起電力装置の端部接着層の構成を示した断面図である。 従来の一例による光起電力装置の構成を示した上面図である。 図１３に示した従来の一例による光起電力装置の５００−５００線に沿った断面図である。

符号の説明

１ 光電変換部
２ 集電極
３、３３ 接着層
３ａ、３３ａ 端部接着層（第１接着層）
３ｂ 中間部接着層（第２接着層）
４ バスバー電極
７ ｐ型非晶質シリコン層（半導体層）
８ 透明導電膜
８ａ 開口部

Claims (9)

1. 光電変換部と、
   前記光電変換部の主表面に取り付けられ、金属線からなる集電極と、
   前記集電極を前記光電変換部の主表面に対して接着するための導電性の接着層とを備え、
   前記接着層は、前記集電極の端部を前記光電変換部の主表面に対して接着するための第１接着層と、前記集電極の端部以外の部分を前記光電変換部の主表面に対して接着するための導電性の第２接着層とを含み、
   前記第１接着層の幅および上端部の高さの少なくとも一方は、前記第２接着層の対応する幅および上端部の高さよりも大きい、光起電力装置。
2. 前記第１接着層の上端部の高さは、前記集電極の上端部の高さよりも大きい、請求項１に記載の光起電力装置。
3. 前記第１接着層は、前記集電極の端部の周面を覆うように形成されている、請求項２に記載の光起電力装置。
4. 前記第１接着層は、前記第２接着層よりも優れた光透過性を有する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の光起電力装置。
5. 前記第１接着層は、前記第２接着層よりも大きな接着強度を有する接着剤を含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の光起電力装置。
6. 前記第１接着層は、前記集電極の両方の端部に対応して２つ設けられ、
   前記２つの第１接着層は、前記集電極の両方の端部を前記光電変換部の主表面に対して接着している、請求項１〜５のいずれか１項に記載の光起電力装置。
7. 前記集電極は、複数設けられ、
   前記集電極の端部以外の前記第２接着層に対応する領域に、前記集電極の延びる方向と交差する方向に延びるように設けられ、複数の前記集電極を互いに接続するバスバー電極をさらに備えた、請求項１〜６のいずれか１項に記載の光起電力装置。
8. 前記光電変換部は、半導体層と、前記半導体層上に形成されるとともに、前記集電極の端部に対応する領域に設けられた開口部を有する透明導電膜とを含み、
   前記半導体層の主表面は、前記開口部内に露出されており、
   前記第１接着層は、前記開口部内に露出された前記半導体層の主表面に対して前記集電極の端部を接着している、請求項１〜７のいずれか１項に記載の光起電力装置。
9. 光電変換部と、
   前記光電変換部の主表面に取り付けられ、金属線からなる集電極と、
   前記集電極を前記光電変換部の主表面に対して接着するための導電性の接着層とを備え、
   前記接着層は、前記集電極の端部を前記光電変換部の主表面に対して接着するための第１接着層と、前記集電極の端部以外の部分を前記光電変換部の主表面に対して接着するための導電性の第２接着層とを含み、
   前記第１接着層の前記光電変換部の主表面および前記集電極の表面の少なくとも一方に対する接着面積は、前記第２接着層の前記光電変換部の主表面および前記集電極の表面に対する接着面積よりも大きい、光起電力装置。

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