JP2017054562A - 半導体記憶装置 - Google Patents
半導体記憶装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017054562A JP2017054562A JP2015176422A JP2015176422A JP2017054562A JP 2017054562 A JP2017054562 A JP 2017054562A JP 2015176422 A JP2015176422 A JP 2015176422A JP 2015176422 A JP2015176422 A JP 2015176422A JP 2017054562 A JP2017054562 A JP 2017054562A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- memory cell
- threshold
- read operation
- memory device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/26—Sensing or reading circuits; Data output circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/08—Address circuits; Decoders; Word-line control circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/56—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency
- G11C11/5621—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency using charge storage in a floating gate
- G11C11/5642—Sensing or reading circuits; Data output circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/04—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
- G11C16/0483—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS comprising cells having several storage transistors connected in series
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/10—Programming or data input circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
- G11C16/3404—Convergence or correction of memory cell threshold voltages; Repair or recovery of overerased or overprogrammed cells
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
- G11C16/3436—Arrangements for verifying correct programming or erasure
- G11C16/3454—Arrangements for verifying correct programming or for detecting overprogrammed cells
- G11C16/3459—Circuits or methods to verify correct programming of nonvolatile memory cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02D—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
- Y02D10/00—Energy efficient computing, e.g. low power processors, power management or thermal management
Abstract
【解決手段】半導体記憶装置1は、データを保持可能なメモリセルと、メモリセルのゲートに電気的に接続されたワード線WLと、メモリセルの一端に電気的に接続されたソース線CELSRCと、を備え、メモリセルの読み出し動作において、ソース線CELSRCには、第1閾値の判定時に第1電圧が印加され、第2閾値の判定時に前記第1電圧と異なる第2電圧が印加される。
【選択図】図7
Description
第1実施形態に係る半導体記憶装置1は、複数のメモリセルを含む。各メモリセルには、例えば多値のデータを記憶できる。本実施形態の半導体記憶装置は、あるページ(詳細は後述する)に対する読み出し動作で、ワード線の電圧を落とすことなく、ある電圧に保持したまま、ソース線の電圧を変化させる。
[1−1−1]全体構成
図1を用いて、半導体記憶装置1の全体構成について説明する。半導体記憶装置1は、メモリセルアレイ10、ロウデコーダ11、センスアンプモジュール12、入出力回路13、データ入出力バッファ14、アドレスデコーダ15、カラムセレクタ16、制御回路(シーケンサ)17、電圧生成回路18、及びステータスレジスタ19を備えている。
図2を用いて、メモリセルアレイ10の回路構成について説明する。
まず、メモリセルアレイ10の備えるブロックBLKの構成について説明する。メモリセルアレイ10は、j個(jは1以上の自然数)のブロックBLKを備えている。図2では、ブロックBLK0のみ詳細を図示し、他のブロックBLKもブロックBLK0と同様の構成を有している。
図2を用いて、センスアンプモジュール12の構成について説明する。センスアンプモジュール12は、複数のセンスアンプ部SA及びデータラッチDLを備えている。1つのセンスアンプ部SA及び1つのデータラッチDLは、1ビットのデータに対応している。
図4を用いて、メモリセルトランジスタMTの閾値電圧分布について説明する。図4の縦軸はメモリセルトランジスタMTの数を示し、横軸は閾値電圧Vthを示している。
[1−2−1]ABL方式のセンス方法
図5を用いて、ABL方式のセンス方法について説明する。ABL方式のセンス方法は、全てのビット線BLを用いて読み出し動作を行う。
第1実施形態に係る半導体記憶装置1は、多値データが記憶されたメモリセルのデータを読み出す場合、複数の読み出し電圧を用いて連続で読み出し動作を行う場合がある。半導体記憶装置1は、メモリセルに複数の読み出し電圧を印加するために、ワード線WLに印加する電圧を変化させる方法(方法1)と、ソース線CELSRCに印加する電圧を変化させる方法(方法2)を用いることができる。以下に、読み出し電圧VAを用いたデータの判定(AR動作)、読み出し電圧VCを用いたデータの判定(CR動作)を連続して行う場合を例に説明する。
時刻t0において、ロウデコーダ11は、選択ワード線WL_selの電圧をVAに、非選択ワード線WL_usel及び選択ゲート線SGD、SGSの電圧をVREADに、ソース線CELSRC及び非選択セレクトゲート線USGD、USGSの電圧をVSRCにする。VSRCは、読み出し動作時にソース線CELSRCに印加される電圧であり、読み出し方法、及び判定する閾値電圧に応じて種々変更が可能である。センスアンプモジュール12は、ビット線BLの充電を行い、ビット線BLの電圧は、VBLになる。
時刻t2において、ロウデコーダ11は、選択ワード線WL_selの電圧をVCにする。このとき、選択ワード線WL_selの電圧は、VAからVCに、ΔACだけステップアップしている。
時刻t0において、ロウデコーダ11は、選択ワード線WL_selの電圧をVAに、非選択ワード線WL_usel及び選択ゲート線SGD、SGSの電圧をVREADに、ソース線CELSRC及び非選択セレクトゲート線USGD、USGSの電圧をVSRCにする。センスアンプモジュール12は、ビット線BLの充電を行い、ビット線BLの電圧は、VBLになる。
時刻t2において、ロウデコーダ11は、ソース線CELSRC、及び非選択セレクトゲート線USGD、USGSの電圧をΔVCだけステップダウンする。このとき、VA−(VSRC−ΔAC)は、VC−VSRCと等しい。これにより、選択メモリセルの制御ゲート及びチャネルの間の電圧差は、図6で説明したCR動作と同じ状態になっている。非選択セレクトゲート線USGD、USGSに印加する電圧は、ソース線CELSRCに合わせることで、動作速度を向上させている。
半導体記憶装置において、多値が記憶されたメモリセルのデータを連続で読み出す場合、図6に示すように、選択ワード線WLに印加する電圧をステップアップさせることによって読み出しデータを判定する。しかし、微細化に伴うワード線の配線抵抗の増加によって、ワード線による遅延が大きくなり、動作が遅くなってしまう場合がある。
第2実施形態に係る半導体記憶装置1は、ビット線シールド方式で読み出し動作を行う。第1実施形態とは、読み出し動作の方式が異なる。以下に、第1実施形態と異なる点のみ説明する。
[2−1−1]ビット線シールド方式のセンス方法
図8を用いて、ビット線シールド方式のセンス方法について説明する。ビット線シールド方式のセンス方法は、例えば半分のビット線BLを選択して読み出し動作を行う。
第2実施形態に係る半導体記憶装置1は、第1実施形態と同様に、方法1及び方法2の読み出し方法を用いることができる。以下に、AR動作及びCR動作を連続して行う場合を例に説明する。
第2実施形態に係る半導体記憶装置1によれば、ソース線CELSRCの電圧をステップダウンさせることによって、第1実施形態と同様の効果を得ることができる。
第3実施形態に係る半導体記憶装置1は、複数の読み出しコマンドによって、第1実施形態に係る読み出し動作、及び第2実施形態に係る読み出し動作を使い分ける。
第4実施形態に係る半導体記憶装置1は、データを記憶したメモリセルの閾値電圧がシフトした場合に、読み出し電圧の最適値を探索する第2読み出し動作に対して、第2実施形態の読み出し動作を適用する。以下に、第1〜第3実施形態と異なる点のみ説明する。
図13を用いて、メモリセルトランジスタMTの閾値電圧のシフトについて説明する。メモリセルトランジスタMTは、例えば書き込み後のプログラムディスターブ、及び読み出し後のリードディスターブの影響を受ける。この影響を受けると、メモリセルトランジスタMTの閾値電圧は、例えば図13に示すように負側にシフトする場合がある。
次に、第2読み出し動作について説明する。
メモリセルトランジスタMTの閾値電圧分布を探索する読み出し動作である。第2読み出し動作には、シールド読み出し方式が用いられる。第2読み出し動作では、読み出し電圧を一定量ずつ変化させ、各読み出し電圧を用いてデータを読み出す。シーケンサ17は、各閾値電圧分布に対応した読み出し電圧を中心にした探索領域を設け、各読み出し電圧毎に第2読み出し動作を実行することが多い。そして、この探索領域内において、エラービット数の最も少ない電圧に基づき、読み出し電圧の最適値が決定され、この最適値を用いてシフトリードが実行される。
第4実施形態に係る半導体記憶装置1は、読み出し電圧の最適値を探索する第2読み出し動作に対して、第2実施形態に係る読み出し動作を適用する。これにより、第4実施形態に係る半導体記憶装置1は、第2読み出し動作の速度を高速化することができる。
第5実施形態に係る半導体記憶装置1は、QPW方式を用いた書き込み動作において、選択メモリセルのベリファイに第1実施形態及び第2実施形態に係る読み出し動作を適用する。以下に、第1〜第4実施形態と異なる点のみ説明する。
図15を用いて、半導体記憶装置1においてQPW方式について説明する。書き込み動作においてQPW(Quick pass write)方式を用いると、書き込みを行ったメモリセルの閾値電圧分布の幅を狭めることができる。
図16を用いて、半導体記憶装置1においてQPW方式を用いた書き込み動作の詳細について説明する。図16には、1回のベリファイ動作及びプログラム動作を示している。
時刻t0において、ロウデコーダ11は、選択ワード線WL_selの電圧をベリファイ読み出し電圧VRにする。VRは、VHより高く設定される。
時刻t3において、センスアンプモジュール12は、データラッチDLに保持された選択メモリセルの閾値電圧を確認した結果に応じて、ビット線BLに電圧を印加する。ロウデコーダ11は、選択ワード線WL_selの電圧をVPGMにする。これにより、選択メモリセルには、接続されたビット線BLの電圧に応じて、書き込みが行われる。また、ロウデコーダ11は、非選択ワード線WL_uselの電圧をプログラムパス電圧VPASSにする。VPASSは、VPGMより小さく、VPASSが制御ゲート電極に印加されたメモリセルトランジスタMTはオン状態になる。これにより、非選択ワード線WL_uselに接続されたメモリセルトランジスタMTを書き込み禁止とすることができる。また、ロウデコーダ11は、ソース線CELSRCの電圧をVDDにする。
第5実施形態に係る半導体記憶装置1は、QPW方式を用いた書き込み動作において、
選択メモリセルのベリファイ動作を、ソース線CELSRCをステップダウンさせることにより行う。これにより、第1及び第2実施形態と同様に、ベリファイ動作の時間を短縮することができ、半導体記憶装置1の書き込み速度を向上することができる。
第6実施形態は、メモリセルが積層された構造を有する半導体記憶装置1に対して第1〜第5実施形態を適用する。以下に、第1〜第5実施形態と異なる点のみ説明する。
図17を用いて、メモリセルアレイ10の回路構成について説明する。図17には、一つのブロックBLKを示している。
第6実施形態は、メモリセルが積層された構造を有する半導体記憶装置1に対して、第1〜第5実施形態の動作を適用する。第6実施形態の半導体記憶装置1においては、ソース線CELSRCのCR時定数が、ワード線WLのCR時定数より1/4〜1/10程度小さく、メモリセルが平面に設けられた半導体記憶装置よりもソース線CELSRC及びワード線WL間のCR時定数の差が大きい。その結果、第6実施形態に係る半導体記憶装置1は、動作を高速化することができ、その効果は、メモリセルが平面に設けられた半導体記憶装置に第1〜第5実施形態を適用する場合よりも大きくなる。
上記実施形態に係る半導体記憶装置は、閾値に応じて第1データ≪閾値電圧分布E、図4≫と第2データ≪閾値電圧分布A、図4≫とを保持可能なメモリセルトランジスタ≪MT≫と、メモリセルトランジスタのゲートに接続されたワード線≪WL≫と、メモリセルトランジスタの一端に電気的に接続されたソース線≪CELSRC≫とを備える。そして、前記メモリセルの読み出し動作において、ソース線には、第1閾値の判定時に第1電圧≪VSRC、図14≫が印加され、第2閾値の判定時に第1電圧と異なる第2電圧≪VSRC−Δsearch、図14≫が印加される。
(1)読み出し動作では、Aレベルの読み出し動作に選択されたワード線に印加される電圧は、例えば0V〜0.55Vの間である。これに限定されることなく、0.1V〜0.24、0.21V〜0.31V、0.31V〜0.4V、0.4V〜0.5V、0.5V〜0.55Vのいずれかの間にしてもよい。
(2)書き込み動作は、上述したとおりプログラム動作とベリファイ動作を含む。書き込み動作では、プログラム動作時に選択されたワード線に最初に印加される電圧は、例えば13.7V〜14.3Vの間である。これに限定されることなく、例えば13.7V〜14.0V、14.0V〜14.6Vのいずれかの間としてもよい。
(3)消去動作では、半導体基板上部に形成され、かつ、上記メモリセルが上方に配置されたウェルに最初に印加する電圧は、例えば12V〜13.6Vの間である。この場合に限定されることなく、例えば13.6V〜14.8V、14.8V〜19.0V、19.0V〜19.8V、19.8V〜21Vの間であってもよい。
(4)メモリセルの構造は、半導体基板(シリコン基板)上に膜厚が4〜10nmのトンネル絶縁膜を介して配置された電荷蓄積層を有している。この電荷蓄積層は膜厚が2〜3nmのSiN、又はSiON等の絶縁膜と膜厚が3〜8nmのポリシリコンとの積層構造にすることができる。また、ポリシリコンにはRu等の金属が添加されていてもよい。電荷蓄積層の上には絶縁膜を有している。この絶縁膜は、例えば、膜厚が3〜10nmの下層High−k膜と膜厚が3〜10nmの上層High−k膜に挟まれた膜厚が4〜10nmのシリコン酸化膜を有している。High−k膜はHfO等が挙げられる。また、シリコン酸化膜の膜厚はHigh−k膜の膜厚よりも厚くすることができる。絶縁膜上には膜厚が3〜10nmの材料を介して膜厚が30nm〜70nmの制御電極が形成されている。ここで材料はTaO等の金属酸化膜、TaN等の金属窒化膜である。制御電極にはW等を用いることができる。
また、メモリセル間にはエアギャップを形成することができる。
Claims (9)
- データを保持可能なメモリセルと、
前記メモリセルのゲートに電気的に接続されたワード線と、
前記メモリセルの一端に電気的に接続されたソース線と、
を備え、
前記メモリセルの読み出し動作において、前記ソース線には、第1閾値の判定時に第1電圧が印加され、第2閾値の判定時に前記第1電圧と異なる第2電圧が印加される
ことを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記ワード線には、前記第1閾値及び前記第2閾値の判定時に第3電圧が印加されることを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。
- 前記判定結果においてエラービットが少ない方の電圧に基づいて再度前記読み出し動作を実行すること特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。
- 前記メモリセルの他端に電気的に接続されたビット線をさらに備え、
書き込み動作において、前記ビット線には、前記第1閾値及び前記第2閾値の判定結果がフェイルの場合、第3電圧が印加され、前記第1閾値及び前記第2閾値の一方の判定結果がパス、他方の判定結果がフェイルの場合、前記第3電圧より高い第4電圧が印加され、前記第1閾値及び前記第2閾値の判定結果がパスの場合、前記第4電圧より高い第5電圧が印加されることを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。 - 前記読み出し動作は、第1読み出し動作と第2読み出し動作を含み、
前記第1読み出し動作において、前記判定時の前記ソース線に前記第1または第2電圧が印加され、
前記第2読み出し動作では、前記第1閾値の判定時に前記ワード線に第3電圧が印加され、前記第2閾値の判定時に前記ワード線に前記第3電圧と異なる第4電圧が印加され、前記ソース線には、前記第1閾値及び前記第2閾値の判定時に前記第1電圧が印加されることを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。 - コマンドに応じて読み出し動作を実行する制御回路を備え、
前記制御回路は、第1コマンドを受けた場合に前記第1読み出し動作を実行し、第2コマンドを受けた場合に前記第2読み出し動作を実行することを特徴とする請求項5に記載の半導体記憶装置。 - 前記第1読み出し動作は、前記第2読み出し動作よりも処理時間が短いことを特徴とする請求項5に記載の半導体記憶装置。
- 前記第1閾値より前記第2閾値が高い場合、前記第1電圧より前記第2電圧の方が低く、前記第1閾値より前記第2閾値が低い、前記第1電圧より前記第2電圧の方が高いことを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。
- 前記メモリセルの一端に接続された第1選択トランジスタと、
前記ソース線及び前記メモリセル間に接続された第2選択トランジスタと、
前記第1選択トランジスタのゲートに接続された第1選択線と、
前記第2選択トランジスタのゲートに接続された第2選択線と、
をさらに備え、
前記読み出し動作において、非選択の第1選択線及び第2選択線には、前記ソース線と略同じ電圧が印加されることを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015176422A JP2017054562A (ja) | 2015-09-08 | 2015-09-08 | 半導体記憶装置 |
CN202010037409.6A CN111243646B (zh) | 2015-09-08 | 2016-03-11 | 半导体存储装置 |
TW105107650A TWI628657B (zh) | 2015-09-08 | 2016-03-11 | Semiconductor memory device |
CN201610141767.5A CN106504786B (zh) | 2015-09-08 | 2016-03-11 | 半导体存储装置 |
US15/174,114 US9672929B2 (en) | 2015-09-08 | 2016-06-06 | Semiconductor memory in which source line voltage is applied during a read operation |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015176422A JP2017054562A (ja) | 2015-09-08 | 2015-09-08 | 半導体記憶装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017054562A true JP2017054562A (ja) | 2017-03-16 |
Family
ID=58189470
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015176422A Pending JP2017054562A (ja) | 2015-09-08 | 2015-09-08 | 半導体記憶装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9672929B2 (ja) |
JP (1) | JP2017054562A (ja) |
CN (2) | CN106504786B (ja) |
TW (1) | TWI628657B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10685689B2 (en) | 2018-09-06 | 2020-06-16 | Toshiba Memory Corporation | Semiconductor memory device |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10032509B2 (en) * | 2015-03-30 | 2018-07-24 | Toshiba Memory Corporation | Semiconductor memory device including variable resistance element |
US10096356B2 (en) * | 2015-12-04 | 2018-10-09 | Toshiba Memory Corporation | Method of operation of non-volatile memory device |
WO2018055733A1 (ja) * | 2016-09-23 | 2018-03-29 | 東芝メモリ株式会社 | 記憶装置 |
JP6779819B2 (ja) * | 2017-03-22 | 2020-11-04 | キオクシア株式会社 | 半導体記憶装置 |
JP2018160295A (ja) * | 2017-03-22 | 2018-10-11 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体記憶装置 |
JP2019053796A (ja) * | 2017-09-14 | 2019-04-04 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体記憶装置 |
JP2020047354A (ja) * | 2018-09-20 | 2020-03-26 | キオクシア株式会社 | 半導体記憶装置 |
JP2020071892A (ja) * | 2018-10-31 | 2020-05-07 | キオクシア株式会社 | 半導体記憶装置 |
KR102564566B1 (ko) | 2018-11-02 | 2023-08-11 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 장치 및 그 동작 방법 |
JP2020095768A (ja) * | 2018-12-14 | 2020-06-18 | キオクシア株式会社 | 半導体記憶装置 |
US10685723B1 (en) * | 2018-12-20 | 2020-06-16 | Sandisk Technologies Llc | Reducing read disturb in two-tier memory device by modifying duration of channel discharge based on selected word line |
JP2021012752A (ja) * | 2019-07-08 | 2021-02-04 | キオクシア株式会社 | 半導体記憶装置 |
CN110364209A (zh) * | 2019-08-21 | 2019-10-22 | 本征信息技术(上海)有限公司 | 多层单元nand闪存的一种操作方法 |
JP2021034090A (ja) | 2019-08-28 | 2021-03-01 | キオクシア株式会社 | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2021140847A (ja) * | 2020-03-05 | 2021-09-16 | キオクシア株式会社 | 半導体記憶装置 |
US11721397B2 (en) * | 2020-12-28 | 2023-08-08 | Sandisk Technologies Llc | Power saving and fast read sequence for non-volatile memory |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007299438A (ja) * | 2006-04-27 | 2007-11-15 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
JP2011123993A (ja) * | 2011-02-02 | 2011-06-23 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
JP2012133832A (ja) * | 2010-12-20 | 2012-07-12 | Samsung Yokohama Research Institute Co Ltd | 不揮発性半導体記憶装置、及び読み出し電圧検出方法 |
US20120257453A1 (en) * | 2011-04-06 | 2012-10-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nonvolatile semiconductor memory device |
JP2014186777A (ja) * | 2013-03-22 | 2014-10-02 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100323553B1 (ko) * | 1997-02-03 | 2002-03-08 | 니시무로 타이죠 | 데이타오기입방지능력이있는비휘발성반도체메모리 |
JP4786171B2 (ja) * | 2004-12-10 | 2011-10-05 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
US7170784B2 (en) * | 2005-04-01 | 2007-01-30 | Sandisk Corporation | Non-volatile memory and method with control gate compensation for source line bias errors |
JP4908149B2 (ja) * | 2006-10-18 | 2012-04-04 | 株式会社東芝 | Nand型フラッシュメモリ |
US7663932B2 (en) * | 2007-12-27 | 2010-02-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nonvolatile semiconductor memory device |
JP5127439B2 (ja) * | 2007-12-28 | 2013-01-23 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
KR101775660B1 (ko) * | 2011-09-29 | 2017-09-07 | 삼성전자주식회사 | 워드 라인 전압의 변화없이 상이한 문턱 전압들을 갖는 메모리 셀들을 읽는 방법 및 그것을 이용한 불 휘발성 메모리 장치 |
JP5755596B2 (ja) * | 2012-04-23 | 2015-07-29 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
CN109584933B (zh) * | 2012-08-29 | 2023-07-25 | 瑞萨电子株式会社 | 半导体器件 |
-
2015
- 2015-09-08 JP JP2015176422A patent/JP2017054562A/ja active Pending
-
2016
- 2016-03-11 CN CN201610141767.5A patent/CN106504786B/zh active Active
- 2016-03-11 CN CN202010037409.6A patent/CN111243646B/zh active Active
- 2016-03-11 TW TW105107650A patent/TWI628657B/zh active
- 2016-06-06 US US15/174,114 patent/US9672929B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007299438A (ja) * | 2006-04-27 | 2007-11-15 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
JP2012133832A (ja) * | 2010-12-20 | 2012-07-12 | Samsung Yokohama Research Institute Co Ltd | 不揮発性半導体記憶装置、及び読み出し電圧検出方法 |
JP2011123993A (ja) * | 2011-02-02 | 2011-06-23 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
US20120257453A1 (en) * | 2011-04-06 | 2012-10-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nonvolatile semiconductor memory device |
JP2012221522A (ja) * | 2011-04-06 | 2012-11-12 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2014186777A (ja) * | 2013-03-22 | 2014-10-02 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10685689B2 (en) | 2018-09-06 | 2020-06-16 | Toshiba Memory Corporation | Semiconductor memory device |
US11335388B2 (en) | 2018-09-06 | 2022-05-17 | Kioxia Corporation | Semiconductor memory device including memory string and plurality of select transistors and method including a write operation |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN111243646B (zh) | 2023-06-13 |
TW201711042A (zh) | 2017-03-16 |
CN106504786B (zh) | 2020-02-11 |
US20170069394A1 (en) | 2017-03-09 |
US9672929B2 (en) | 2017-06-06 |
CN111243646A (zh) | 2020-06-05 |
CN106504786A (zh) | 2017-03-15 |
TWI628657B (zh) | 2018-07-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN106504786B (zh) | 半导体存储装置 | |
US10418104B2 (en) | Semiconductor memory device | |
US10672487B2 (en) | Semiconductor memory device | |
JP6490018B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
US11651817B2 (en) | Semiconductor memory device | |
US10276242B2 (en) | Semiconductor memory device | |
JP6659478B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
JP6290124B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
US10153045B2 (en) | Semiconductor memory device | |
JP6470146B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
JP6313244B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
US9640265B1 (en) | Semiconductor memory device | |
US20170337969A1 (en) | Semiconductor memory device and memory system | |
US10014064B2 (en) | Non-volatile semiconductor storage device | |
JP6437421B2 (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20170525 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170802 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180531 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180619 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180730 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20180831 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20190122 |