JP2017041616A - 化合物半導体素子 - Google Patents
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Abstract
【課題】Ｓi半導体に比べて化合物半導体は切断面にチッピングやクラックが発生し易く切断が困難である。スクライブラインを広く設定する必要があり、半導体素子の取り個数が少なくなってしまうという課題あった。半導体素子の取り個数を、少なくすることなく、ダイシング工程でのチッピングやクラックの発生を低減し、高信頼性の化合物半導体素子を提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板と、Ｓｉ基板の上面に形成されるＧａＮ層と、ＧａＮ層の上面に形成される酸化膜と、酸化膜の上面に形成される保護膜と、を備えた化合物半導体素子において、酸化膜の端面に、べベルカット部を有することを特徴とする。
【選択図】図１
【解決手段】Ｓｉ基板と、Ｓｉ基板の上面に形成されるＧａＮ層と、ＧａＮ層の上面に形成される酸化膜と、酸化膜の上面に形成される保護膜と、を備えた化合物半導体素子において、酸化膜の端面に、べベルカット部を有することを特徴とする。
【選択図】図１
Description
本発明は、化合物半導体に関する。
半導体素子を製造する場合、Ｓｉ半導体あるいはＳｉＣなどの化合物半導体のバルク単結晶から切り出された半導体ウェハに対して、各種の半導体プロセスが適用され、個々の半導体素子が製造される。
半導体ウェハから個々の半導体素子に個片化するためのダイシング工程では、Ｓi半導体に比べて化合物半導体は切断面にチッピングやクラックが発生し易く切断が困難である。このため、レーザー法を用いてハーフカット溝を設け、溝に沿ってダイヤモンドからなる刃物を有する円盤状の刃（ダイシングブレード）の回転運動により、ウェハを切断することが知られている。（例えば、特許文献１参照）
半導体ウェハから個々の半導体素子に個片化するためのダイシング工程では、Ｓi半導体に比べて化合物半導体は切断面にチッピングやクラックが発生し易く切断が困難である。このため、レーザー法を用いてハーフカット溝を設け、溝に沿ってダイヤモンドからなる刃物を有する円盤状の刃（ダイシングブレード）の回転運動により、ウェハを切断することが知られている。（例えば、特許文献１参照）
レーザー法を用いた従来技術では、レーザーにより発生した熱で加工屑付着や溶着が発生するため、スクライブラインを広く設定する必要があり、半導体素子の取り個数が少なくなってしまうという課題あった。
従って、本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、半導体素子の取り個数を、少なくすることなく、ダイシング工程でのチッピングやクラックの発生を低減し、高信頼性の化合物半導体素子を得ることを目的とする。
上述の課題を解決するために、本発明は以下に掲げる構成とした。
Ｓｉ基板と、Ｓｉ基板の上面に形成されるＧａＮ層と、ＧａＮ層の上面に形成される酸化膜と、酸化膜の上面に形成される保護膜と、を備えた化合物半導体素子において、酸化膜の端面に、べベルカット部を有することを特徴とする。
本発明は、以上のように構成されているので、半導体素子の取り個数を、少なくすることなく、ダイシング工程でのチッピングやクラックの発生を低減し、高信頼性の化合物半導体素子を得ることができる。
以下、本発明を実施するための形態について、図を参照して詳細に説明する。なお以下の図面の記載において、同一または類似の部分には、同一または類似の符号で表している。但し、図面は模式的なものであり、寸法関係の比率等は現実のものとは異なる。したがって、具体的な寸法等は以下の説明を照らし合わせて判断するべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
また、以下に示す実施の形態は、この発明の技術的思想を具体化するための例示であって、この発明の実施の形態は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものではない。この発明の実施の形態は、要旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施できる。
また、以下に示す実施の形態は、この発明の技術的思想を具体化するための例示であって、この発明の実施の形態は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものではない。この発明の実施の形態は、要旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施できる。
以下、図面を参照して本発明の実施例１に係る化合物半導体素子を説明する。図１は、本発明の実施例１に係る化合物半導体素子の端部概念拡大図である。
図１に示すように、化合物半導体素子１００は、Ｓｉ基板１、ＧａＮ層２、酸化膜３、保護膜４から成っている。
Ｓｉ基板１は、ＦＺ法やＣＺ法で作成された窒化物半導体膜を、エピタキシャル成長させるための基板である。不純物が混入せず、高純度かつ高抵抗であることが望ましい。
ＧａＮ層２は、バッファ層に例えばＧａＮ層とアルミニウムナイトライド（ＡｌＮ）層とを交互に複数積層した積層膜が使用される。バンドギャップがシリコンよりも3倍広き、高耐圧、高速スイッチング、高温動作、大電流密度化に有効である。
酸化膜３は、電気的な絶縁、半導体装置内部への水分侵入を防止する。本実施例ではアモルファス構造の酸化膜としている。
酸化膜３の端面は、例えばダイシングブレードの切削により、べベルカット加工される。
酸化膜３の端面は、例えばダイシングブレードの切削により、べベルカット加工される。
保護膜４は、電気的な絶縁、半導体装置内部への水分侵入を防止する。例えば、ポリイミドに感光性を持たせて電極部分を開口する。
以上により、化合物半導体素子１００が完成する。
以上により、化合物半導体素子１００が完成する。
次に、上述の実施例１に係る化合物半導体素子１００の効果を説明する。
本発明の実施例１に係る化合物半導体素子は、請求項１によれば、酸化膜の端面にべベルカット部を有するため、ダイシング時の酸化膜のダメージがＧａＮ層に伝播することを抑えることができる。よって、ＧａＮ層までチッピングやクラックの発生を抑えた、高信頼性の化合物半導体素子を得ることができる。
本発明の実施例１に係る化合物半導体素子は、請求項１によれば、酸化膜の端面にべベルカット部を有するため、ダイシング時の酸化膜のダメージがＧａＮ層に伝播することを抑えることができる。よって、ＧａＮ層までチッピングやクラックの発生を抑えた、高信頼性の化合物半導体素子を得ることができる。
上述のように、本発明を実施するための形態を記載したが、この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例が可能であることは明らかである。
１、Ｓｉ基板
２、ＧａＮ層
３、酸化膜
３１、べベルカット部
４、保護膜
１００、化合物半導体素子
２、ＧａＮ層
３、酸化膜
３１、べベルカット部
４、保護膜
１００、化合物半導体素子
Claims (1)
- Ｓｉ基板と、前記Ｓｉ基板の上面に形成されるＧａＮ層と、前記ＧａＮ層の上面に形成される酸化膜と、前記酸化膜の上面に形成される保護膜と、を備えた化合物半導体素子において、前記酸化膜の端面に、べベルカット部を有することを特徴とする化合物半導体素子。
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| JP2015164221A JP2017041616A (ja) | 2015-08-21 | 2015-08-21 | 化合物半導体素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2015164221A JP2017041616A (ja) | 2015-08-21 | 2015-08-21 | 化合物半導体素子 |
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| JP2017041616A true JP2017041616A (ja) | 2017-02-23 |
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ID=58206646
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015164221A Pending JP2017041616A (ja) | 2015-08-21 | 2015-08-21 | 化合物半導体素子 |
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| JP (1) | JP2017041616A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10600899B2 (en) | 2018-07-18 | 2020-03-24 | Sanken Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005191436A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Renesas Technology Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2011192954A (ja) * | 2010-02-22 | 2011-09-29 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体ウェハ、及び半導体装置の製造方法 |
| JP2015103752A (ja) * | 2013-11-27 | 2015-06-04 | 株式会社東京精密 | ダイシング装置及びその切削方法 |
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2015
- 2015-08-21 JP JP2015164221A patent/JP2017041616A/ja active Pending
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