JP2014203953A - 半導体素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】生産性が高く、基板の劈開による剥がれや割れ等の損傷を抑制することができる半導体素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】この半導体素子の製造方法は、第1及び第2の主面1a、1bを(−201)面又は(101)面とするGa2O3ウエハ基板110に複数の発光素子10を形成した半導体ウエハ1を準備し、Ga2O3ウエハ基板110の第2の主面1b側に剥離可能な接合剤4で第1の支持板5Aを接合し、Ga2O3ウエハ基板110の第1の主面1a側に剥離可能な接合剤4で第2の支持板5Bを接合して積層体100を形成し、積層体100の第2の支持板5B側からダイシングブレード6で第1の支持板5Aの途中まで達する溝111を形成してGa2O3ウエハ基板110を切断して複数の発光素子10を素子単位に分割する。【選択図】図3
Description
本発明は、酸化ガリウムからなる基板を用いた半導体素子及びその製造方法に関する。
従来、GaN系半導体を用いた青色や短波長領域の発光素子が知られている。このような発光素子の下地基板として、例えばサファイア基板やSiC基板が用いられている。しかし、サファイア基板は、導電性を有しないため、発光素子の電極構造が水平型となる構造上の制約を有している。また、SiC基板は、単結晶ウエハの結晶性が悪く、単結晶の垂直方向に貫通するいわゆるマイクロパイプ欠陥が存在するため、マイクロパイプ欠陥を避けてn型層及びp型層を形成して切り出さなければならない等という問題がある。
そこで、III−V族系化合物半導体の発光領域の全波長範囲、特に紫外領域で光透過性を有し、GaNに対する格子不整合が比較的小さく、また良質なバルク単結晶が得られるという特性から、青色や短波長領域の発光素子材料としてGa2O3基板を用いることが提案されている(例えば、特許文献1参照)。
しかし、このGa2O3基板、特にβ−Ga2O3基板は、劈開性の大なる特性を有しており、発光素子の製造工程においてウエハから素子をダイシング等によって切り出す際に基板が劈開方向に剥離してしまうため、素子化が難しいという問題がある。
このため、基板の劈開による剥離を防いで素子単位に分割する発光素子の製造方法が提案されている(例えば、特許文献2参照。)。この特許文献2には、酸化ガリウム(Ga2O3)からなる基板上に発光素子を作り込んだ半導体ウエハを形成し、半導体ウエハの表方向からダイシングブレードで溝入れを行い、半導体ウエハの表裏を反転してダイシングブレードで溝入れを行って発光素子を個々に分割する第1の方法と、第1の厚さを有するダイシングブレードで半導体ウエハの表方向から溝入れを行い、第1の厚さよりも薄い第2の厚さを有するダイシングブレードで半導体ウエハの表方向から残りの部分を切断する第2の方法とが開示されている。
しかし、特許文献2に開示された第1及び第2の方法によると、基板を厚さ方向に切断するのに2回に分けて行っており、工程数が多くなり、生産性が低いという問題がある。また、図7に示すように、ダイシングブレード200が基板201を抜け出るときに基板の劈開方向に沿って斜め割れや剥がれが生じやすいという問題がある。
したがって、本発明の目的は、生産性が高く、基板の劈開による剥がれや斜め割れ等の損傷を抑制することができる半導体素子及びその製造方法を提供することにある。
本発明の一態様は、上記目的を達成するため、互いに反対側に位置する一対の主面を所定の方位面とする酸化ガリウムからなる基板に複数の半導体素子を形成した半導体ウエハを準備し、前記基板の前記一対の主面のうち一方の主面側に剥離可能な接合剤で第1の支持板を接合して積層体を形成し、前記基板の前記一対の主面のうち他方の主面側からダイシングブレードで前記基板を切断して前記複数の半導体素子を素子単位に分割する半導体素子の製造方法を提供する。
本発明の一態様は、上記目的を達成するため、主面を(−201)面又は(101)面とする酸化ガリウムからなり、側面がダイシングブレードによる半導体ウエハの切断によって形成された基板と、前記基板の前記主面上に形成された半導体層とを備えた半導体素子を提供する。
本発明によれば、生産性が高く、基板の劈開による剥がれや斜め割れ等の損傷を抑制することができる。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、各図中、実質的に同一の機能を有する構成要素については、同一の符号を付してその重複した説明を省略する。
[実施の形態]
図1は、本発明の実施の形態に係る発光素子の断面図である。この発光素子10は、半導体素子の一例であり、酸化ガリウム(Ga2O3)からなる基板であって、互いに反対側に位置する第1の主面1a及び第2の主面1bを有するGa2O3基板11と、Ga2O3基板11の第1の主面1aに図示しないAlNバッファ層を介して形成されたGaN系半導体層12と、GaN系半導体層12上に形成されたAu等からなるp側電極13と、Ga2O3基板11の第2の主面1bに形成されたAl等からなるn側電極14とを有する。
図1は、本発明の実施の形態に係る発光素子の断面図である。この発光素子10は、半導体素子の一例であり、酸化ガリウム(Ga2O3)からなる基板であって、互いに反対側に位置する第1の主面1a及び第2の主面1bを有するGa2O3基板11と、Ga2O3基板11の第1の主面1aに図示しないAlNバッファ層を介して形成されたGaN系半導体層12と、GaN系半導体層12上に形成されたAu等からなるp側電極13と、Ga2O3基板11の第2の主面1bに形成されたAl等からなるn側電極14とを有する。
(Ga2O3基板)
本実施の形態では、Ga2O3基板11の第1の主面1a及び第2の主面1bの面方位を(−201)面としているが、この面方位に限定されない。例えば、(101)面、(100)面でもよい。Ga2O3基板11は、例えば100〜200μmの厚さを有する。
本実施の形態では、Ga2O3基板11の第1の主面1a及び第2の主面1bの面方位を(−201)面としているが、この面方位に限定されない。例えば、(101)面、(100)面でもよい。Ga2O3基板11は、例えば100〜200μmの厚さを有する。
このGa2O3基板11は、β−Ga2O3を基本とするが、Cu、Ag、Zn、Cd、Al、In、Si、Ge及びSnからなる群から選ばれる1種以上を添加したGaを主成分とした酸化物で構成してもよい。より具体的には、例えば(AlxInyGa(1−x−y))2O3(ただし、0≦x<1、0≦y<1、0≦x+y<1)で表わされるガリウム酸化物を用いることができる。
また、Ga2O3基板11は、酸素欠陥により、又はSiやSn等の不純物がドーピングされることにより、n型の導電型を有する。
上記のGa2O3基板11は、例えばEFG(Edge-defined Film-fed Growth)法又はFZ(Floating Zone)法によって製造されたバルク状のGa2O3を所望の寸法に切り出し、その表面に機械的研磨又は化学的研磨を施し、さらに有機洗浄及び酸洗浄を行ったものを用いることができる。
(GaN系半導体層)
GaN系半導体層12は、AlNバッファ層上に形成されたSiドープのn型GaN層と、n型GaN層上に形成され、InGaN/GaNの多重量子井戸構造を有する活性層としてのMQW(Multiple-Quantum Well)層と、MQW層上に形成されたMgドープのp型GaN層とを備えて構成されている。GaN系半導体層におけるGaN系は、GaとNを構成要素に含むことを示す。
GaN系半導体層12は、AlNバッファ層上に形成されたSiドープのn型GaN層と、n型GaN層上に形成され、InGaN/GaNの多重量子井戸構造を有する活性層としてのMQW(Multiple-Quantum Well)層と、MQW層上に形成されたMgドープのp型GaN層とを備えて構成されている。GaN系半導体層におけるGaN系は、GaとNを構成要素に含むことを示す。
(本実施の形態の製造方法)
次に、発光素子10の製造方法の一例について図2〜図5を参照して説明する。
次に、発光素子10の製造方法の一例について図2〜図5を参照して説明する。
(1)Ga2O3ウエハ基板の準備
図2(a)は、本実施の形態に係る半導体ウエハの斜視図、図2(b)は、図2(a)の半導体ウエハの発光素子の部分を示す断面図である。図2に示すように、酸化ガリウム(Ga2O3)からなる基板であって、互いに反対側に位置し面方位を(−201)面とする第1及び第2の主面1a、1bを有する円盤状のGa2O3ウエハ基板110を準備する。
図2(a)は、本実施の形態に係る半導体ウエハの斜視図、図2(b)は、図2(a)の半導体ウエハの発光素子の部分を示す断面図である。図2に示すように、酸化ガリウム(Ga2O3)からなる基板であって、互いに反対側に位置し面方位を(−201)面とする第1及び第2の主面1a、1bを有する円盤状のGa2O3ウエハ基板110を準備する。
(2)発光素子の形成
図2に示すように、Ga2O3ウエハ基板110に複数の発光素子10を互いに直交する行方向x及び列方向yにマトリクス状に形成する。すなわち、MOCVD(Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy)法等を用いて、Ga2O3ウエハ基板110の第1の主面1a上にAlNバッファ層を形成し、AlNバッファ層上にGaN系半導体層12をエピタキシャル成長させて形成する。そして、GaN系半導体層12上にp側電極13を形成し、Ga2O3ウエハ基板110の第2の主面1b上にn側電極14を形成する。なお、行方向xは、劈開性が強い方向、y方向は劈開性が弱い方向としてもよい。
図2に示すように、Ga2O3ウエハ基板110に複数の発光素子10を互いに直交する行方向x及び列方向yにマトリクス状に形成する。すなわち、MOCVD(Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy)法等を用いて、Ga2O3ウエハ基板110の第1の主面1a上にAlNバッファ層を形成し、AlNバッファ層上にGaN系半導体層12をエピタキシャル成長させて形成する。そして、GaN系半導体層12上にp側電極13を形成し、Ga2O3ウエハ基板110の第2の主面1b上にn側電極14を形成する。なお、行方向xは、劈開性が強い方向、y方向は劈開性が弱い方向としてもよい。
(3)半導体ウエハの積層体化
図3は、本実施の形態に係る積層体の断面図である。まず、半導体ウエハ1の第2主面1b側に剥離可能な接合剤4によって第1の支持板5Aを接合し、半導体ウエハ1の第1の主面1a側に剥離可能な接合剤4によって第2の支持板5Bを接合して、積層体100を形成して半導体ウエハ1を積層体化する。
図3は、本実施の形態に係る積層体の断面図である。まず、半導体ウエハ1の第2主面1b側に剥離可能な接合剤4によって第1の支持板5Aを接合し、半導体ウエハ1の第1の主面1a側に剥離可能な接合剤4によって第2の支持板5Bを接合して、積層体100を形成して半導体ウエハ1を積層体化する。
第1及び第2の支持板5A、5Bとして、例えばSiC基板、ガラス基板等を用いることができる。第2の支持板5Bは、ダイシング位置の位置決めのためには、透光性を有する材料が好ましく、表面は乱反射を避けるために研磨面とするのが好ましい。第1及び第2の支持板5A、5Bとして、SiC基板を用いる場合は、(100)面を半導体ウエハ1に接合される面とするのが好ましい。これにより行方向x及び列方向yの切断で剥がれ等の発生を抑制することができる。
第1の支持板5Aは、半導体ウエハ1よりも高い剛性を有するのが好ましい。そのために第1の支持板5Aは、半導体ウエハ1よりも厚い厚さを有するのが好ましい。なお、第1の支持板5Aは、半導体ウエハ1の厚さと等しいか、半導体ウエハ1の厚さよりも薄い厚さを有するものでもよい。また、第1の支持板5Aは、直径が大きくなるに従い、厚さは厚い方が良く、直径2〜4インチであれば、厚さは200〜400μmが好ましく、直径4〜6インチであれば、厚さは400〜600μmが好ましく、直径6インチ以上であれば、厚さは600μm以上が好ましい。
第2の支持板5Bは、第1の支持板5Aほど厚くする必要はなく、半導体ウエハ1の厚さと等しいか、半導体ウエハ1の厚さよりも薄い厚さあるいは厚い厚さを有するものでよい。こうすることで、ダイシングブレードの刃を短くでき、ダイシングブレードの幅も狭くすることができる。また、第2の支持板5Bは、例えば直径によらず80〜120μmの厚さとしてもよく、第1の支持板5Aの厚さと等しい厚さを有するものでもよい。
接合剤4として、例えば溶剤又は加熱で溶融するワックス、加熱で溶融する熱可塑性接着剤、光又は熱で剥離が可能な粘着剤等を用いることができる。
(4)積層体のダイシングフレームへの装着
図4は、図3に示す積層体100をダイシングテープ上に配置した状態を示す斜視図である。次に、環状のダイシングフレーム2の裏面にダイシングテープ3を貼着し、積層体100の第1の支持板5Aをダイシングテープ3上に貼着する。
図4は、図3に示す積層体100をダイシングテープ上に配置した状態を示す斜視図である。次に、環状のダイシングフレーム2の裏面にダイシングテープ3を貼着し、積層体100の第1の支持板5Aをダイシングテープ3上に貼着する。
(5)ダイシング工程
図5は、本実施の形態に係るダイシング工程を示す要部断面図である。薄肉円盤状を有するダイシングブレード6を用いて積層体100を第2の支持板5B側から列方向yに沿って溝入れを行う。ダイシングブレード6の幅としては、例えば、30〜40μmが好ましい。本実施の形態では、ダイシングブレード6の幅を20μmとする。また、ダイシングブレード6として、例えばダイヤモンド砥粒を砥粒層に有するダイヤモンドブレードを用いてもよい。溝111の深さは、第1の支持板5Aの途中までとする。なお、溝111の深さは第1の支持板5Aと半導体ウエハ1との間の接合剤4の途中までとしてもよい。また、溝111は、第1の支持板5Aを厚さ全てを切断する深さ、又はダイシングテープ3に達する深さでもよい。
図5は、本実施の形態に係るダイシング工程を示す要部断面図である。薄肉円盤状を有するダイシングブレード6を用いて積層体100を第2の支持板5B側から列方向yに沿って溝入れを行う。ダイシングブレード6の幅としては、例えば、30〜40μmが好ましい。本実施の形態では、ダイシングブレード6の幅を20μmとする。また、ダイシングブレード6として、例えばダイヤモンド砥粒を砥粒層に有するダイヤモンドブレードを用いてもよい。溝111の深さは、第1の支持板5Aの途中までとする。なお、溝111の深さは第1の支持板5Aと半導体ウエハ1との間の接合剤4の途中までとしてもよい。また、溝111は、第1の支持板5Aを厚さ全てを切断する深さ、又はダイシングテープ3に達する深さでもよい。
次に、ダイシングフレーム2の向きを90°変えて前述したのと同様に、ダイシングブレード6を用いて積層体100を第2の支持板5B側から行方向xに沿って溝入れを行う。
溝入れが終了したら、積層体100をダイシングテープ3から剥がし、半導体ウエハ1から第1及び第2の支持板5A、5Bを剥がす。接合剤4に溶剤で溶融するワックスを用いた場合には、溶剤でワックスを溶融させて第1及び第2の支持板5A、5Bを剥がす。これにより、図1に示す発光素子1が得られる。
(実施の形態の効果)
本実施の形態によれば、以下の効果を奏する。
(a)半導体ウエハ1を積層体化することにより、剛性が大きくなり、その結果、ダイシングの際の撓みが小さくなり、劈開による剥がれや斜め割れ等の損傷を抑制することができる。
(b)量産に必要な加工品質(チッピング長さ10μm以下)と、5mm/sec以上の加工速度が可能になり、1回で基板の厚さ全てを切断して素子単位に分割しているので、生産性が高くなる。
(c)レーザ加工では、切断面にデブリ(気化した基板材料の再付着物)や熱的変質層の形成により、表面粗さが大きくなり、光取り出し効率が著しく低下するという問題があるが、本実施の形態によれば、ダイヤモンドブレードによる切断加工を採用しているので、表面粗さが小さくなり、光取り出し効率の低下を抑制することができる。
本実施の形態によれば、以下の効果を奏する。
(a)半導体ウエハ1を積層体化することにより、剛性が大きくなり、その結果、ダイシングの際の撓みが小さくなり、劈開による剥がれや斜め割れ等の損傷を抑制することができる。
(b)量産に必要な加工品質(チッピング長さ10μm以下)と、5mm/sec以上の加工速度が可能になり、1回で基板の厚さ全てを切断して素子単位に分割しているので、生産性が高くなる。
(c)レーザ加工では、切断面にデブリ(気化した基板材料の再付着物)や熱的変質層の形成により、表面粗さが大きくなり、光取り出し効率が著しく低下するという問題があるが、本実施の形態によれば、ダイヤモンドブレードによる切断加工を採用しているので、表面粗さが小さくなり、光取り出し効率の低下を抑制することができる。
[変形例]
図6(a)、(b)、(c)は、本実施の形態の変形例に係る積層体の断面図である。図6(a)は、上記実施の形態で用いた上側の第2の支持板5Bを用いずに積層体100を形成し、その積層体100をダイシングテープ3上に貼着してダイシングを行うものである。本変形例によれば、第1の支持板5Aだけでも剛性が大きくなり、上記実施の形態と同様の効果を奏する。
図6(a)、(b)、(c)は、本実施の形態の変形例に係る積層体の断面図である。図6(a)は、上記実施の形態で用いた上側の第2の支持板5Bを用いずに積層体100を形成し、その積層体100をダイシングテープ3上に貼着してダイシングを行うものである。本変形例によれば、第1の支持板5Aだけでも剛性が大きくなり、上記実施の形態と同様の効果を奏する。
図6(b)は、本実施の形態の積層体100をダイシングテープ3上に貼着せずにダイシングテープ3よりも剛性の高いステンレス鋼等の金属からなるステージ7上に貼着したものである。図6(c)は、図6(a)の積層体100をダイシングテープ3上に貼着せずに上記ステージ7上に貼着したものである。これらの方法によっても、上記実施の形態と同様の効果を奏する。ステージ7は、ダイシングブレードを逃げるための溝が形成されたものを用いてもよい。
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されず、発明の要旨を変更しない範囲内で種々に変形可能である。例えば、上記実施の形態で説明した製造方法のステップの入れ替え、追加、削除等は発明の要旨を変更しない範囲で可能である。
また、上記実施の形態では、発光素子として垂直型について説明したが、本発明は水平型にも適用可能である。また、上記実施の形態では、半導体素子として発光素子について説明したが、本発明は、レーザ、トランジスタ等の半導体素子にも適用可能である。また、上記実施の形態では、第2の支持板5Bが接合された第1の主面1a側から溝入れを行ったが、第1の支持板5Aが接合された第2の主面1b側から溝入れを行ってもよい。また、上記実施の形態では、Ga2O3ウエハ基板の厚さ全てを1回の溝入れで切断したが、複数回に分けて行ってもよい。
1…半導体ウエハ、1a…第1の主面、1b…第2の主面、2…ダイシングフレーム、3…ダイシングテープ、4…接合剤、5A…第1の支持板、5B…第2の支持板、6…ダイシングブレード、7…ステージ、10…発光素子、11…Ga2O3基板、12…GaN系半導体層、13…p側電極、14…n側電極、100…積層体、110…Ga2O3ウエハ基板、111…溝、x…行方向、y…列方向
Claims (8)
- 互いに反対側に位置する一対の主面を所定の方位面とする酸化ガリウムからなる基板に複数の半導体素子を形成した半導体ウエハを準備し、
前記基板の前記一対の主面のうち一方の主面側に剥離可能な接合剤で第1の支持板を接合して積層体を形成し、
前記基板の前記一対の主面のうち他方の主面側からダイシングブレードで前記基板を切断して前記複数の半導体素子を素子単位に分割する半導体素子の製造方法。 - 前記半導体ウエハの準備は、前記一対の主面を前記所定の方位面として(−201)面又は(101)面とする前記酸化ガリウムからなる基板を用いた請求項1に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記第1の支持板は、前記半導体ウエハよりも高い剛性を有する請求項1又は2に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記第1の支持板は、前記基板よりも厚い厚さを有する請求項1又は2に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記第1の支持板の接合は、前記基板の前記一対の主面のうち一方の主面側に剥離可能な接合剤で前記第1の支持板を接合するとともに、前記基板の前記一対の主面のうち他方の主面側に剥離可能な接合剤で前記第1の支持板よりも薄い厚さを有する第2の支持板を接合して積層体を形成するものであり、
前記素子単位の分割は、前記積層体の前記第2の支持板側からダイシングブレードで前記第2の支持板及び前記基板を切断して前記複数の半導体素子を素子単位に分割するものである請求項1又は2に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記支持板は、(100)面を前記半導体ウエハに接合される面とするSiC基板である請求項1乃至5のいずれか1項に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記素子単位の分割は、前記ダイシングブレードで前記基板を互いに直交する方向で切断して行う請求項6に記載の半導体素子の製造方法。
- 主面を(−201)面又は(101)面とする酸化ガリウムからなり、側面がダイシングブレードによる半導体ウエハの切断によって形成された基板と、
前記基板の前記主面上に形成された半導体層とを備えた半導体素子。
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