JP2017034583A - 光モジュール - Google Patents

光モジュール Download PDF

Info

Publication number
JP2017034583A
JP2017034583A JP2015154911A JP2015154911A JP2017034583A JP 2017034583 A JP2017034583 A JP 2017034583A JP 2015154911 A JP2015154911 A JP 2015154911A JP 2015154911 A JP2015154911 A JP 2015154911A JP 2017034583 A JP2017034583 A JP 2017034583A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
power supply
apd
optical module
self
zener diode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2015154911A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6528587B2 (ja
Inventor
洋平 見上
Yohei Mikami
洋平 見上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP2015154911A priority Critical patent/JP6528587B2/ja
Priority to US15/156,589 priority patent/US10205034B2/en
Priority to TW105115134A priority patent/TWI595801B/zh
Priority to KR1020160099216A priority patent/KR101911141B1/ko
Priority to CN201610639226.5A priority patent/CN106451393B/zh
Publication of JP2017034583A publication Critical patent/JP2017034583A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6528587B2 publication Critical patent/JP6528587B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H9/00—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection
    • H02H9/04—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/02016—Circuit arrangements of general character for the devices
    • H01L31/02019—Circuit arrangements of general character for the devices for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02027—Circuit arrangements of general character for the devices for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for devices working in avalanche mode
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/02—Details
    • G01J1/0295—Constructional arrangements for removing other types of optical noise or for performing calibration
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
    • G01J1/44—Electric circuits
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R19/00—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof
    • G01R19/165—Indicating that current or voltage is either above or below a predetermined value or within or outside a predetermined range of values
    • G01R19/16504—Indicating that current or voltage is either above or below a predetermined value or within or outside a predetermined range of values characterised by the components employed
    • G01R19/16523—Indicating that current or voltage is either above or below a predetermined value or within or outside a predetermined range of values characterised by the components employed using diodes, e.g. Zener diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
    • H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
    • H01L31/107—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier working in avalanche mode, e.g. avalanche photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
    • H04B10/40—Transceivers
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
    • H04B10/60—Receivers
    • H04B10/66—Non-coherent receivers, e.g. using direct detection
    • H04B10/69—Electrical arrangements in the receiver
    • H04B10/691—Arrangements for optimizing the photodetector in the receiver
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
    • G01J1/44—Electric circuits
    • G01J2001/4446—Type of detector
    • G01J2001/446—Photodiode
    • G01J2001/4466—Avalanche

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Optical Communication System (AREA)
  • Emergency Protection Circuit Devices (AREA)

Abstract

【課題】光の入射の有無に依存せず安定的なサージ耐性を実現することができる光モジュールを得る。
【解決手段】ＡＰＤ（Avalanche Photodiode）のカソードと電源端子Ｔｖ１の間に自己バイアス抵抗Ｒ１が接続されている。サージ対策用のツェナーダイオードＤ１のカソードが電源端子Ｔｖ１と自己バイアス抵抗Ｒ１の接続点に接続され、アノードが接地端子ＴＧＮＤに直接的に接続されている。接地端子ＴＧＮＤは電気的に接地される。ツェナーダイオードＤ１の降伏電圧Ｖｚは電源端子Ｔｖ１に印加される電源電圧Ｖａｐｄより大きい。
【選択図】図１

Description

本発明は、ＡＰＤ（Avalanche Photodiode）を備えた光通信用の光モジュールに関する。
従来の光モジュールでは、電源端子とＡＰＤのカソードの間に抵抗が接続され、抵抗とＡＰＤのカソードの接続点にサージ対策用のツェナーダイオードのカソードが接続されていた（例えば、特許文献１参照）。
特開平１０−７０７５０号公報
サージが入力された場合にＡＰＤのカソード電圧がツェナーダイオードの降伏電圧未満であると、ツェナーダイオードではなくＡＰＤにサージ電流が流れる。そして、強い光がＡＰＤに入射された場合は抵抗の電圧降下によりＡＰＤのカソード電圧が低下するため、ツェナーダイオードの降伏電圧との差が拡大してＡＰＤにサージ電流が流れやすくなるという問題があった。
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は光の入射の有無に依存せず安定的なサージ耐性を実現することができる光モジュールを得るものである。
本発明に係る光モジュールは、ＡＰＤ（Avalanche Photodiode）と、電源端子と、前記ＡＰＤのカソードと前記電源端子の間に接続された自己バイアス抵抗と、接地端子と、カソードが前記電源端子と前記自己バイアス抵抗の接続点に接続され、アノードが前記接地端子に直接的に接続されたサージ対策用のツェナーダイオードとを備えることを特徴とする。
本発明ではツェナーダイオードが電源端子に直接的に接続されており、自己バイアス抵抗の影響を受けないため、光の入射の有無に依存せず安定的なサージ耐性を実現することができる。
本発明の実施の形態１に係る光モジュールを示す図である。 本発明の実施の形態２に係る光モジュールを示す図である。 本発明の実施の形態３に係る光モジュールを示す図である。 本発明の実施の形態４に係る光モジュールを示す図である。
本発明の実施の形態に係る光モジュールについて図面を参照して説明する。同じ又は対応する構成要素には同じ符号を付し、説明の繰り返しを省略する場合がある。
実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１に係る光モジュールを示す図である。アバランシェフォトダイオードＡＰＤ（Avalanche Photodiode）のカソードと電源端子Ｔｖ１の間に自己バイアス抵抗Ｒ１が接続されている。従って、ＡＰＤと自己バイアス抵抗Ｒ１が直列に接続され、電源端子Ｔｖ１から自己バイアス抵抗Ｒ１を介してＡＰＤに電圧が供給される。
ＡＰＤのアノードにトランスインピーダンスアンプＴＩＡが接続されている。ＡＰＤに光が入射されるとＡＰＤに光電流が流れる。それをＴＩＡが増幅して差動出力を出力端子ＴＯＵＴＰ，ＴＯＵＴＮから出力する。
ノイズ除去用のコンデンサＣ１の一端がＡＰＤと自己バイアス抵抗Ｒ１の接続点に接続され、他端が接地端子ＴＧＮＤに接続されている。コンデンサＣ２の一端がＴＩＡと電源端子Ｔｖ２の接続点に接続され、他端が接地端子ＴＧＮＤに接続されている。
サージ対策用のツェナーダイオードＤ１のカソードが電源端子Ｔｖ１と自己バイアス抵抗Ｒ１の接続点に接続され、アノードが接地端子ＴＧＮＤに直接的に接続されている。即ち、ツェナーダイオードＤ１のアノードと接地端子ＴＧＮＤの間にはスイッチなどの他の回路素子が接続されておらず、両者は配線のみにより電気的に接続されている。
接地端子ＴＧＮＤは光モジュール外部の配線を介して接地される。電源端子Ｔｖ１には光モジュール外部の電源により電源電圧Ｖａｐｄ（８５Ｖ）が印加される。電源端子Ｔｖ２には光モジュール外部の電源により電源電圧Ｖｃｃが印加される。ツェナーダイオードＤ１の降伏電圧Ｖｚが電源電圧Ｖａｐｄより大きくなるように降伏電圧Ｖｚと電源電圧Ｖａｐｄが設定されている（Ｖｚ＞Ｖａｐｄ）。
これにより、本実施の形態では、光モジュールにツェナーダイオードＤ１の降伏電圧Ｖｚを超えるサージが加わった場合に、電源端子Ｔｖ１からツェナーダイオードＤ１側にサージ電流が流れてＡＰＤを保護することができる。また、ツェナーダイオードＤ１が電源端子Ｔｖ１に直接的に接続されているため、自己バイアス抵抗Ｒ１の影響を受けず、ＡＰＤに光電流が流れてもＶａｐｄ−Ｖｚが一定に保たれる。従って、ＡＰＤに光電流が流れた場合でも流れていない場合と同等のサージ耐性を実現できる。即ち、光の入射の有無に依存せず安定的なサージ耐性を実現することができる。また、自己バイアス抵抗Ｒ１を光モジュールに内蔵するため、光送受信機側の回路を小型化できる。
なお、光モジュール外部からのサージ電圧がＶａｐｄ以上Ｖｚ未満の場合、ツェナーダイオードＤ１側に電流が流れずにＡＰＤにサージ電流が流れるため、ＶａｐｄとＶｚはできるだけ近い値にするのが望ましい。
実施の形態２．
図２は、本発明の実施の形態２に係る光モジュールを示す図である。本実施の形態ではノイズ除去用のコンデンサＣ１は、一端が電源端子Ｔｖ１と自己バイアス抵抗Ｒ１の接続点に接続され、他端が接地端子ＴＧＮＤに接続され、ツェナーダイオードＤ１に並列に接続されている。その他の構成は実施の形態１と同様であり、実施の形態１と同様の効果を得ることができる。
ここで、実施の形態１では立ち上がり時間の短い光が入力した際に光電流が急激に変動し自己バイアス抵抗Ｒ１における電圧降下量も急激に変動する。これにより、コンデンサＣ１と自己バイアス抵抗Ｒ１の接続部の電圧が変動することによりコンデンサＣ１に蓄えられた電荷がＡＰＤに向かって急激に流れ、ＡＰＤが故障する可能性がある。
一方、本実施の形態ではコンデンサＣ１を電源端子Ｔｖ１に直接的に接続することにより、自己バイアス抵抗Ｒ１における電圧降下量の変動の影響を受けない。従って、ＡＰＤに光が入射されてもＡＰＤに向かう過渡的な電流が発生しないため、ＡＰＤの故障を防ぐことができる。
実施の形態３．
図３は、本発明の実施の形態３に係る光モジュールを示す図である。本実施の形態ではツェナーダイオードＤ１の代わりに、互いに直列に接続された複数のツェナーダイオードＤ＿１〜Ｄ＿ｎ（ｎは２以上の任意の整数）を用いている。その他の構成は実施の形態１と同様である。複数のツェナーダイオードＤ＿１〜Ｄ＿ｎの降伏電圧を合計した値Ｖｚ＿１＋Ｖｚ＿２…＋Ｖｚ＿ｎは電源電圧Ｖａｐｄより大きいが、電源電圧Ｖａｐｄに可能な限り近づけることで安定的なサージ耐性を得る。
実施の形態４．
図４は、本発明の実施の形態４に係る光モジュールを示す図である。本実施の形態ではツェナーダイオードＤ１の代わりに、互いに直列に接続された複数のツェナーダイオードＤ＿１〜Ｄ＿ｎ（ｎは２以上の任意の整数）を用いている。その他の構成は実施の形態２と同様である。複数のツェナーダイオードＤ＿１〜Ｄ＿ｎの降伏電圧を合計した値Ｖｚ＿１＋Ｖｚ＿２…＋Ｖｚ＿ｎは電源電圧Ｖａｐｄより大きいが、電源電圧Ｖａｐｄに可能な限り近づけることで安定的なサージ耐性を得る。
ＡＰＤ アバランシェフォトダイオード、Ｃ１ コンデンサ、Ｄ１，Ｄ＿１〜Ｄ＿ｎ ツェナーダイオード、Ｒ１ 自己バイアス抵抗、ＴＧＮＤ 接地端子、Ｔｖ１ 電源端子

Claims (5)

  1. ＡＰＤ（Avalanche Photodiode）と、
    電源端子と、
    前記ＡＰＤのカソードと前記電源端子の間に接続された自己バイアス抵抗と、
    接地端子と、
    カソードが前記電源端子と前記自己バイアス抵抗の接続点に接続され、アノードが前記接地端子に直接的に接続されたサージ対策用のツェナーダイオードとを備えることを特徴とする光モジュール。
  2. 前記接地端子は接地され、
    前記ツェナーダイオードの降伏電圧は前記電源端子に印加される電源電圧より大きいことを特徴とする請求項１に記載の光モジュール。
  3. 一端が前記ＡＰＤと前記自己バイアス抵抗の接続点に接続され、他端が前記接地端子に接続されたノイズ除去用のコンデンサを更に備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の光モジュール。
  4. 一端が前記電源端子と前記自己バイアス抵抗の接続点に接続され、他端が前記接地端子に接続され、前記ツェナーダイオードに並列に接続されたノイズ除去用のコンデンサを更に備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の光モジュール。
  5. 前記ツェナーダイオードは互いに直列に接続された複数のツェナーダイオードを有することを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の光モジュール。
JP2015154911A 2015-08-05 2015-08-05 光モジュール Active JP6528587B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015154911A JP6528587B2 (ja) 2015-08-05 2015-08-05 光モジュール
US15/156,589 US10205034B2 (en) 2015-08-05 2016-05-17 Optical module
TW105115134A TWI595801B (zh) 2015-08-05 2016-05-17 光模組
KR1020160099216A KR101911141B1 (ko) 2015-08-05 2016-08-04 광 모듈
CN201610639226.5A CN106451393B (zh) 2015-08-05 2016-08-05 光模块

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015154911A JP6528587B2 (ja) 2015-08-05 2015-08-05 光モジュール

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017034583A true JP2017034583A (ja) 2017-02-09
JP6528587B2 JP6528587B2 (ja) 2019-06-12

Family

ID=57988988

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015154911A Active JP6528587B2 (ja) 2015-08-05 2015-08-05 光モジュール

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10205034B2 (ja)
JP (1) JP6528587B2 (ja)
KR (1) KR101911141B1 (ja)
CN (1) CN106451393B (ja)
TW (1) TWI595801B (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018142581A (ja) * 2017-02-27 2018-09-13 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法、半導体装置
CN110299945A (zh) * 2017-04-06 2019-10-01 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 一种光模块

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112219330A (zh) * 2018-12-07 2021-01-12 深圳市大疆创新科技有限公司 一种激光接收电路及测距装置、移动平台
CN112117743B (zh) * 2020-10-12 2022-08-30 武汉海达数云技术有限公司 Apd保护电路和激光扫描仪

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59230307A (ja) * 1983-06-14 1984-12-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光受信装置
JPH06314815A (ja) * 1993-04-28 1994-11-08 Ando Electric Co Ltd Ａｐｄバイアス回路
JP2007013952A (ja) * 2005-06-27 2007-01-18 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte Ltd 静電気放電保護回路及び方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6017051B2 (ja) * 1978-11-20 1985-04-30 東京光学機械株式会社 アバランシェ・ダイオ−ドの温度補償方法
JPH01240002A (ja) * 1988-03-19 1989-09-25 Fujitsu Ltd アバランシェフォトダイオードの逆バイアス回路
JPH0575355A (ja) * 1991-09-10 1993-03-26 Hitachi Ltd アバランシエホトダイオードのバイアス回路
JPH07245540A (ja) 1994-01-12 1995-09-19 Fujitsu Ltd 光ディジタル通信用の光受信装置
DE69731438T2 (de) * 1996-07-31 2005-11-24 Matsushita Electric Works, Ltd., Kadoma Elektromagnet-Ansteuervorrichtung
JPH11275755A (ja) 1998-03-19 1999-10-08 Fujitsu Ltd アバランシェフォトダイオード保護回路を有する光受信回路
JP3766950B2 (ja) 1999-02-19 2006-04-19 富士通株式会社 Ａｐｄバイアス回路
US20030117121A1 (en) * 2001-12-20 2003-06-26 Prescott Daniel C. High-side current-sense circuit for precision application
TWI223932B (en) * 2003-08-12 2004-11-11 Pacific Electric Wire & Cable Photocurrent monitoring circuit of optical receiver
CN1834829A (zh) * 2005-03-17 2006-09-20 金德奎 微功率待机控制装置与方法
KR20070033521A (ko) * 2005-09-21 2007-03-27 주식회사 현대오토넷 이·엠·에스 대책회로
US7755021B2 (en) * 2008-02-15 2010-07-13 Tyco Electronics Corporation Non-toxic photo cells and photosensors including the same
US7847512B2 (en) * 2008-03-20 2010-12-07 Min Carroll Solar powered DC load system
JP2012119069A (ja) * 2010-11-29 2012-06-21 Funai Electric Co Ltd ＬＥＤ（ＬｉｇｈｔＥｍｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄｅ）点灯回路および液晶表示装置
CN102752921B (zh) * 2012-06-21 2014-07-09 叶选锋 一种光控开关
JP6241243B2 (ja) 2013-12-09 2017-12-06 三菱電機株式会社 Ａｐｄ回路

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59230307A (ja) * 1983-06-14 1984-12-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光受信装置
JPH06314815A (ja) * 1993-04-28 1994-11-08 Ando Electric Co Ltd Ａｐｄバイアス回路
JP2007013952A (ja) * 2005-06-27 2007-01-18 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte Ltd 静電気放電保護回路及び方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018142581A (ja) * 2017-02-27 2018-09-13 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法、半導体装置
CN110299945A (zh) * 2017-04-06 2019-10-01 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 一种光模块
CN110299945B (zh) * 2017-04-06 2022-05-17 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 一种光模块

Also Published As

Publication number Publication date
JP6528587B2 (ja) 2019-06-12
TWI595801B (zh) 2017-08-11
CN106451393A (zh) 2017-02-22
KR101911141B1 (ko) 2018-10-23
KR20170017780A (ko) 2017-02-15
CN106451393B (zh) 2019-03-15
US10205034B2 (en) 2019-02-12
TW201711517A (zh) 2017-03-16
US20170040467A1 (en) 2017-02-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6324638B2 (ja) 光受信器、光終端装置および光通信システム
JP6528587B2 (ja) 光モジュール
JP6013390B2 (ja) リカバリ時間が短い光受信器
JP6426406B2 (ja) 光受信回路および光結合装置
JP5459424B2 (ja) 光受信回路用信号増幅器
JP6271372B2 (ja) 光受信回路および光結合装置
JP2007013952A (ja) 静電気放電保護回路及び方法
JP5566934B2 (ja) 電圧出力回路、及びアクティブケーブル
CN102185647A (zh) 一种光电流监控装置
US9667143B2 (en) Power conversion circuit and electronic device with the same
JP6241243B2 (ja) Ａｐｄ回路
CN108204859B (zh) 光电检测电路和光电检测装置
US20130181771A1 (en) Light receiving circuit and photo-coupling type insulated circuit
US20150001380A1 (en) Light receiving circuit
CN210404735U (zh) 一种apd保护电路
JP2005072925A (ja) 光電流・電圧変換回路
JP5592856B2 (ja) 光受信回路
KR102098700B1 (ko) 개선된 동적 범위와 노이즈 특성을 가지는 포토 센싱 장치
JP2006115255A (ja) 演算増幅器
US11444581B2 (en) Integrated circuit and light receiver
JP2013251587A (ja) 容量性負荷バイアス回路
JP2019106676A (ja) 光受信回路
JP2005217468A (ja) 光電流・電圧変換回路
JP2010287947A (ja) Ａｐｄバイアス電圧制御回路
KR100437760B1 (ko) 수광 소자의 안정화 회로

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180202

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20181108

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20181120

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20181205

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190416

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190429

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6528587

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250