JP2017034288A - 半導体ウエハ - Google Patents
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Abstract
Description
図1〜図13を参照して、第一実施形態に係る側面入射型のフォトダイオードの製造過程について説明する。図1〜図13は、第一実施形態に係る側面入射型のフォトダイオードの製造過程を説明するための図である。
図19〜図29を参照して、第二実施形態に係る側面入射型のフォトダイオードの製造過程について説明する。図19〜図29は、第二実施形態に係る側面入射型のフォトダイオードの製造過程を説明するための図である。
Claims (3)
- 複数の素子形成領域を含み且つ互いに対向する第一及び第二主面を有すると共に、前記第一主面側に第一導電型の基板領域が位置している、側面入射型のフォトダイオードを得るための半導体ウエハであって、
前記複数の素子形成領域それぞれの前記基板領域の前記第一主面側に形成された第一導電型の不純物添加層と、
前記複数の素子形成領域それぞれの前記基板領域の前記第一主面側に形成された第二導電型の不純物添加層と、
前記半導体ウエハの前記第一主面側に、前記不純物添加層毎に対応して形成された電極と、を備え、
前記複数の素子形成領域のうち隣り合う素子形成領域同士の境界となる位置に、前記第一主面から前記半導体ウエハの厚み方向に延びる溝が形成されており、前記素子形成領域の側面が前記溝に露出し、前記溝に露出した前記素子形成領域の前記側面がエッチング面であり、
露出した前記素子形成領域の前記側面上に、絶縁膜が形成されている。 - 請求項1に記載の半導体ウエハであって、
前記溝が、前記複数の素子形成領域のうち第一方向で隣り合う素子形成領域同士の境界となる位置に、前記第一方向に直交する方向に延びるように形成されており、
前記複数の素子形成領域のうち前記第一方向に交差する第二方向で隣り合う素子形成領域同士の境界となる位置には、溝が形成されていない。 - 請求項2に記載の半導体ウエハであって、
前記溝は、対応する前記素子形成領域毎に、物理的に離間して形成されている。
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