JP2019169677A - ハイブリッド型素子およびその製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の第1の実施形態に係るハイブリッド型素子100の構成を示す斜視図である。ハイブリッド型素子100は、第1の基板群110、第2の基板120、および第1、第2の基板間にアンダーフィル140を有する。アンダーフィル140は、第1の基板群110間にも充填されている。図2Eに示すように、ハイブリッド型素子100は、第1の基板群110と第2の基板120が導電性の接合部130によってフリップチップ接合された構成である。第1の基板群110および第2の基板120は、典型的には回路基板等である。接合部130は、第1の基板111と第2の基板120にそれぞれ形成された回路部(機能部)の間の電気的な接続を行う。 第1の基板111は例えば化合物半導体基板であり、基板上に、赤外線を検出する光センサ回路(ラインセンサ)が搭載されている。化合物半導体基板の長辺が、一画素を単位とする単位素子毎に分割されて第1の基板群110になっている。また第2の基板120には例えばSi CMOS回路で構成された読み出し回路が搭載されている。検出しようとする赤外線は第1の基板111の光センサ回路のある側と反対側から入射させ、光センサ回路で光電変換して得た電気信号を、接合部130を通して読み出し回路に読み出す。
図4は、本発明の第2の実施形態に係るハイブリッド型素子200の構成を示す斜視図である。ハイブリッド型素子200は、第1の基板群210、第2の基板220、および第1、第2の基板間にアンダーフィル240を有する点は第1の実施形態と同じであるが、本実施形態では第1の基板211のフリップチップ接合側の表面にパッシベーション膜213でカバーされている点が異なる。パッシベーション膜には絶縁膜例えばSiO2等を用いる。アンダーフィル240は第1の基板群210間にも充填されている。つまり切れ込み部150は第1の基板側から見てパッシベーション膜213、アンダーフィル140がこの順に形成されている。図5Eの280は充填材でありアンダーフィルの突出部である。図5Eに示すように、ハイブリッド型素子200は、第1の基板群210と第2の基板220が接合部230によってフリップチップ接合された構成である。第1の基板群210および第2の基板220は、典型的には回路基板等である。接合部230は、第1の基板211と第2の基板220にそれぞれ形成された回路部(機能部)の間の電気的な接続を行う。
第一の基板群の基板間には、裏面研磨(エッチングによる裏面除去も含む)前に作製した溝(切れ込み部)に充填されていた樹脂やパッシベーション膜が突き出している。
また充填材に用いる樹脂よりもパッシベーション膜に用いる絶縁膜の方が化学的に安定なことが多いので、パッシベーション膜を形成した方が基板除去の際の選択性が大きくなる。
図7は、本発明の第3の実施形態に係るハイブリッド型素子300の構成を示す斜視図である。ハイブリッド型素子300は、第1の基板群310、第2の基板320、および第1、第2の基板間にアンダーフィル340を有する点は第1、第2の実施形態と同じであるが、本実施形態では一つの単位素子に画素を複数備えている点が異なる。アンダーフィル340は、第1の基板群310間にも充填されている。図8Eに示すように、ハイブリッド型素子300は、第1の基板群310と第2の基板320が接合部330によってフリップチップ接合された構成である。第1の基板群310および第2の基板320は、典型的には回路基板等である。接合部330は、第1の基板311と第2の基板320にそれぞれ形成された回路部(機能部)の間の電気的な接続を行う。第1の基板群310は、1方向に複数の基板に分割されている。
第2の基板320の平面形状も長辺と短辺を持つ矩形とする。図7,9から分かるように長辺、短辺とも第1の基板311より寸法が大きい。図8Aに示すように第1の基板311には素子と素子の間全てに、短辺と平行に、基板を横断する切れ込み部350を設けておく。また基板の厚み方向には切れ込み部350は基板の途中まで形成する。第1の基板311には短辺方向に素子と素子の間に基板を横断する切れ込み部350を設けておく。
そして、図8Bに示すように、第1の基板311に、単位素子毎に、切れ込み部を入れた側に金属材料からなる接合部330を形成し、図8Cに示すように第1の基板311と第2の基板320を接合する。次いで図8Dに示すように、第1の基板311と第2の基板320の空隙には充填材としてアンダーフィル340を注入し、機械的強度を上げる。
図11は、本発明の第4の実施形態に係るハイブリッド型素子400の構成を示す斜視図である。ハイブリッド型素子400は、第1の基板群410、第2の基板420、および第1、第2の基板間にアンダーフィル440を有する点及び1つの単位素子内に画素が複数形成されている点は第3の実施形態と同じであるが、本実施形態では切れ込み部を第1の基板の短辺方向と平行な方向だけでなく、長辺方向と平行な方向にも形成している点が異なる。アンダーフィル440は、第1の基板群410間にも充填されている。図12Eに示すように、ハイブリッド型素子400は、第1の基板群410と第2の基板420が接合部430によってフリップチップ接合された構成である。第1の基板群410および第2の基板420は、典型的には回路基板等である。接合部430は、第1の基板群410と第2の基板420にそれぞれ形成された回路部(機能部)の間の電気的な接続を行う。
図15は、本発明の第5の実施形態に係るハイブリッド型赤外線受光素子500の構成を示す斜視図である。本実施形態では受光素子部の外周を囲むように基準電位部562が設けてある点が他の実施形態と異なる。ハイブリッド型赤外線受光素子500は、受光機能を持つ第1の基板群510、読み出し回路機能を持つ第2の基板520、および熱硬化樹脂540を有する。熱硬化樹脂540は、第1の基板群510間にも充填され、両側に隣接する基板表面から突き出ている。図16Eに示すように、ハイブリッド型赤外線受光素子500は、第1の基板群510と第2の基板520が接合部530によってフリップチップ接合された構成である。接合部530は、第1の基板群510と第2の基板520にそれぞれ形成された受光素子部と回路部の間の電気的な接続を行う。図17に第1の基板511のフリップ実装面を示す。第1の基板511には一方向に並んだ切れ込み部550が設けられている。また、平面に複数の受光画素部561が整列し、その外周を囲むよう、GND電位の基準電位部562が設けてある。接合部が比較的破断しやすい外周部に基準電位部562を用意することで、実装後の画素欠陥増大を抑制している。同じ機能を持つ基準電位部を外周部に複数置いておけば、そのうちのいくつかが基板の破断で機能しなくなっても他の基準電位部で基準電位を受光素子部に供給できる。
図19A〜図19Eは本発明の第6の実施形態のハイブリッド型素子の製造方法について順を追って説明する断面図である。
このようにすると、冷却時に割れにくいハイブリッド型素子を得ることができる。
次に実際に本発明の素子を実現した例について、図1に示す斜視図を用いて説明する。ハイブリッド型素子100は、第1の基板群110、第2の基板120、およびアンダーフィル140から構成されている。第1の基板群110には所定の機能を有するデバイスが形成されている。本説明では光センサの一例である半導体光受光素子を例に取って説明する。光受光素子としては特に種類は問わない。例えばSi吸収層を有して構成されるフォトディテクタ、InGaAs光吸収層を有するフォトディテクタ、量子井戸や量子ドット等の量子ナノ構造から成る光吸収層を有する光受光素子でも良い。つまり光受光素子としては特に制限は無く、Si基板上に形成されていても良いし、GaAsやInP等の化合物半導体基板上に形成されていても良い。また、量子ナノ構造としては、InAsやInGaAsから成る量子ドットや、InGaAs/GaAsSbタイプII型超格子等システムの要望に応じて任意の光受光素子を使用することができる。
(他の実施形態)
上述の実施形態はリニアセンサで説明したが、画素を基板上に2次元アレイ状に形成し、それぞれの画素からの信号を別々に読み出せばアレイセンサとなる。ラインセンサに比べてチップの平面形状が正方形に近づくので、冷却時に割れにくくはなるが、本発明を適用すればより割れにくくなる。
(付記1) 複数の素子が形成された第1の基板の前記素子と素子の間の第1の基板に切れ込み部を設け、導電性を持つ接合部で第2の基板と接合し、前記第1、第2の基板の間の空隙を充填材で埋め、前記第1の基板を、前記第2の基板と接合している側と反対側から、前記切れ込み部が現れるまで除去して分割された第1の基板群にするハイブリッド型素子の製造方法。
(付記2) 前記第1の切れ込み部は素子分離用を兼ねている付記1に記載のハイブリッド型素子の製造方法。
(付記3) 前記複数の素子は共通の電極を有して形成され、前記第1の切れ込み部は前記素子の前記共通電極を貫通して形成する付記1または2に記載のハイブリッド型素子の製造方法。
(付記4) 前記第1、第2の基板の間の空隙を充填材で埋める際に、前記第1の切れ込み部にも前記充填材を充填し、前記第1の基板の除去の際、前記第1の切れ込み部に形成された前記充填材が前記第1の基板の他の表面から突出するまで行う付記1から3のいずれか一項に記載のハイブリッド型素子の製造方法。
(付記5) 前記第1の基板の、前記第2の基板と接合する側の表面にパッシベーション膜を形成しておき、前記第1の基板の除去の際、前記第1の切れ込み部に形成された前記パッシベーション膜が前記第1の基板の他の表面から突出するまで行う付記1から3のいずれか一項に記載のハイブリッド型素子の製造方法。
(付記6) 前記第1の基板群はそれぞれ前記素子を複数備えている付記1から5のいずれか一項に記載のハイブリッド型素子の製造方法。
(付記7) 前記第1の切れ込み部と交わる方向に第2の切れ込み部を形成する付記1から6のいずれか一項に記載のハイブリッド型素子の製造方法。
(付記8) 前記短辺と平行な方向に切れ込み部を設けた後、前記第1の基板を前記長辺と平行な方向に切断し、その後前記接合部で第2の基板と接合する付記1から7のいずれか一項に記載のハイブリッド型素子の製造方法。
(付記9) 複数の素子が形成された第1の基板が複数の基板に分割された第1の基板群と、第2の基板と、前記第1の基板群と前記第2の基板を電気的に接合する接合部と、前記第1の基板群と前記第2の基板と前記接合部との間の空隙を封止する充填材と、を有し、前記第1の基板群それぞれに特定の機能を持たせたハイブリッド型素子。
(付記10) 前記素子に基準電位を与える電極を第1の基板の外周に複数設けた付記9に記載のハイブリッド型素子。
(付記11) 前記第1の基板には光センサ回路が搭載され、前記第2の基板には前記光センサ回路からの信号を読み出す読み出し回路が搭載されている付記10に記載のハイブリッド型素子。
(付記12) 前記光センサ回路はラインセンサである付記11に記載のハイブリッド型素子。
110、210、310、410、510 第1の基板群
111、211、311、411、911 第1の基板
120、220、320、420、520、920 第2の基板
130、230、330、430、530、930 接合部
140、240、340、440 アンダーフィル
150、250、350、450、 切れ込み部
160、260、360、460 単位素子
280、940 充填材
500 ハイブリッド型赤外線受光素子
540 熱硬化樹脂
550 切れ込み部
561 受光画素部
562 基準電位部
600 ハイブリッド型イメージセンサ
610 第1の半導体基板
620 第2の半導体基板
630 インジウムバンプ
645 コンタクト電極
950 第1の切れ込み部
Claims (10)
- 複数の素子が形成された第1の基板の前記素子と素子の間の第1の基板に第1の切れ込み部を設け、導電性を持つ接合部で第2の基板と接合し、前記第1、第2の基板の間の空隙を充填材で埋め、前記第1の基板を、前記第2の基板と接合している側と反対側から、前記第1の切れ込み部が現れるまで除去して分割された第1の基板群にするハイブリッド型素子の製造方法。
- 前記第1の切れ込み部は素子分離用を兼ねている請求項1に記載のハイブリッド型素子の製造方法。
- 前記複数の素子は共通の電極を有して形成され、前記第1の切れ込み部は前記素子の前記共通の電極を貫通して形成する請求項1または2に記載のハイブリッド型素子の製造方法。
- 前記第1、第2の基板の間の空隙を充填材で埋める際に、前記第1の切れ込み部にも前記充填材を充填し、前記第1の基板の除去の際、前記第1の切れ込み部に形成された前記充填材が前記第1の基板の他の表面から突出するまで行う請求項1から3のいずれか一項に記載のハイブリッド型素子の製造方法。
- 前記第1の基板の、前記第2の基板と接合する側の表面にパッシベーション膜を形成しておき、前記第1の基板の除去の際、前記第1の切れ込み部に形成された前記パッシベーション膜が前記第1の基板の他の表面から突出するまで行う請求項1から3のいずれか一項に記載のハイブリッド型素子の製造方法。
- 前記第1の基板群はそれぞれ前記素子を複数備えている請求項1から5のいずれか一項に記載のハイブリッド型素子の製造方法。
- 前記第1の切れ込み部と交わる方向に第2の切れ込み部を形成する請求項1から6のいずれか一項に記載のハイブリッド型素子の製造方法。
- 前記第1の切れ込み部を設けた後、前記第1の基板を前記第1の切れ込み部と交わる方向に切断し、その後前記接合部で前記第2の基板と接合する請求項1から7のいずれか一項に記載のハイブリッド型素子の製造方法。
- 複数の素子が形成された第1の基板が複数の基板に分割された第1の基板群と、第2の基板と、前記第1の基板群と前記第2の基板を電気的に接合する接合部と、前記第1の基板群と前記第2の基板と前記接合部との間の空隙を封止する充填材と、を有し、前記第1の基板群それぞれに特定の機能を持たせたハイブリッド型素子。
- 前記素子に基準電位を与える電極を第1の基板の外周に複数設けた請求項9に記載のハイブリッド型素子。
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