JP2017022422A - スクライブ方法及びスクライブ装置 - Google Patents
スクライブ方法及びスクライブ装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017022422A JP2017022422A JP2016213394A JP2016213394A JP2017022422A JP 2017022422 A JP2017022422 A JP 2017022422A JP 2016213394 A JP2016213394 A JP 2016213394A JP 2016213394 A JP2016213394 A JP 2016213394A JP 2017022422 A JP2017022422 A JP 2017022422A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- scribing
- angle
- cutting edge
- sic substrate
- scribe
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
Description
12 オリフラ
20,21,22,24 スクライビングホイール
Claims (5)
- SiC基板をスクライブするスクライブ方法であって、
SiC基板の結晶軸に対して垂直な方向にスクライブする際に刃先の稜線に対する左右の刃先角度を異ならせ、結晶軸から見て高い位置にある刃先角度を大きく、他方を小さくしたスクライビングホイールを用いてスクライブするスクライブ方法。 - 前記スクライビングホイールは、所定の間隔で円周上に切欠きが形成された高浸透刃先である請求項1記載のスクライブ方法。
- 前記スクライビングホイールの円周上の切欠きは、刃先の鋭角側の切欠き角度を大きくするようにした請求項2記載のスクライブ方法。
- オフ角が形成されたSiC基板をスクライブするためのスクライブ装置であって、刃先の稜線に対する左右の刃先角度を異ならせたスクライビングホイールを取付けられたスクライブヘッドとを備えたスクライブ装置。
- 請求項1〜3のいずれか1項記載のスクライブ方法に使用される請求項4記載のスクライブ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016213394A JP6244431B2 (ja) | 2016-10-31 | 2016-10-31 | スクライブ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016213394A JP6244431B2 (ja) | 2016-10-31 | 2016-10-31 | スクライブ装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013055346A Division JP6056575B2 (ja) | 2013-03-18 | 2013-03-18 | スクライブ方法及びスクライブ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017022422A true JP2017022422A (ja) | 2017-01-26 |
JP6244431B2 JP6244431B2 (ja) | 2017-12-06 |
Family
ID=57888644
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016213394A Expired - Fee Related JP6244431B2 (ja) | 2016-10-31 | 2016-10-31 | スクライブ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6244431B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10658465B2 (en) | 2017-08-04 | 2020-05-19 | Fuji Electric Co., Ltd. | Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device |
WO2023058509A1 (ja) * | 2021-10-08 | 2023-04-13 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | SiC半導体装置 |
WO2023139902A1 (ja) * | 2022-01-21 | 2023-07-27 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 半導体装置および半導体装置の実装方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53110953U (ja) * | 1977-02-14 | 1978-09-05 | ||
JP2002252185A (ja) * | 2001-02-23 | 2002-09-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒化物半導体チップの製造方法 |
JP2010118573A (ja) * | 2008-11-14 | 2010-05-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2010173905A (ja) * | 2009-01-30 | 2010-08-12 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd | カッター及びそれを用いた脆性材料基板の分断方法 |
-
2016
- 2016-10-31 JP JP2016213394A patent/JP6244431B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53110953U (ja) * | 1977-02-14 | 1978-09-05 | ||
JP2002252185A (ja) * | 2001-02-23 | 2002-09-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒化物半導体チップの製造方法 |
JP2010118573A (ja) * | 2008-11-14 | 2010-05-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2010173905A (ja) * | 2009-01-30 | 2010-08-12 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd | カッター及びそれを用いた脆性材料基板の分断方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10658465B2 (en) | 2017-08-04 | 2020-05-19 | Fuji Electric Co., Ltd. | Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device |
WO2023058509A1 (ja) * | 2021-10-08 | 2023-04-13 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | SiC半導体装置 |
WO2023139902A1 (ja) * | 2022-01-21 | 2023-07-27 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 半導体装置および半導体装置の実装方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6244431B2 (ja) | 2017-12-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5119463B2 (ja) | 発光素子及びその製造方法 | |
WO2013176089A1 (ja) | 加工対象物切断方法、加工対象物、及び、半導体素子 | |
JP6244431B2 (ja) | スクライブ装置 | |
JP5123996B2 (ja) | 溝付きカッターホイール | |
JP6519638B2 (ja) | 脆性基板の製造方法 | |
JP2016207908A (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法および炭化珪素半導体装置 | |
US20190035684A1 (en) | Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device | |
TW201316392A (zh) | 半導體基板之分斷方法 | |
TWI286392B (en) | Method for production of semiconductor chip | |
JP6455166B2 (ja) | 半導体ウエハおよび半導体チップの製造方法 | |
JP2009206221A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP6056575B2 (ja) | スクライブ方法及びスクライブ装置 | |
JP6217382B2 (ja) | 基板分割方法 | |
KR102587182B1 (ko) | 판상물의 가공 방법 | |
JP6230112B2 (ja) | ウェハの製造方法およびウェハの製造装置 | |
JP6555354B2 (ja) | 脆性基板の分断方法 | |
JP7209513B2 (ja) | 半導体チップの製造方法および半導体ウェハ | |
JP6288260B2 (ja) | 脆性基板の分断方法 | |
JP2014086446A (ja) | SiCウェハの切断方法 | |
JP2005088455A (ja) | ダイヤモンドスクライバー | |
KR20210049875A (ko) | GaN 기판의 분단 방법 | |
JP5989422B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
TW201825418A (zh) | 切刀輪 | |
EP4312253A1 (en) | Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device | |
JP2018113288A (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20161031 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170627 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170629 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170810 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20171018 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20171113 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6244431 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |