JP2018113288A - 炭化珪素半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】品質の安定した半導体チップを得ることができる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】まず、１段目の切削工程において、ブレード１１により、スクライブライン３に沿って炭化珪素ウエハ１を第１主面１ａ（Ｓｉ面）側から切削し、炭化珪素ウエハ１の第１主面１ａから所定の切削深さｄ１で切削溝４を形成する。切削溝４の深さｄ１は、炭化珪素ウエハ１の厚さｔ１よりも浅い。次に、２段目の切削工程において、ブレード１１により切削溝４の深さｄ１’を深くして、炭化珪素ウエハ１の第２主面１ｂ（Ｃ面）を切削し、スクライブライン３における炭化珪素ウエハ１の切り残し部をなくす。このとき、１段目の切削工程において炭化珪素ウエハ１のＳｉ面をダウンカットで切削し、２段目の切削工程において炭化珪素ウエハ１のＣ面をアップカットで切削する。これにより、炭化珪素ウエハ１が複数の半導体チップに分離される。【選択図】図１Ａ

Description

この発明は、炭化珪素半導体装置の製造方法に関する。

従来、ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ：集積回路）チップ等の半導体チップを製造するにあたって、半導体ウエハに複数の半導体チップを作り込んだ後に、当該半導体ウエハをダイシング（切断）することが一般的である。ダイシングとは、略矩形状の平面形状の半導体チップの４辺をなすスクライブライン（切り代）に沿って、例えばブレード（刃）を用いて半導体ウエハを切り分けて個々のチップ状に分離して個片化することである。

従来のダイシング方法について説明する。図７は、従来のダイシング時の半導体ウエハの状態を示す断面図である。図７では、ブレード１１１の、切削溝１０４の内部に位置する部分（炭化珪素ウエハ１０１と重なる部分）を破線で示す。図８は、従来のダイシング後の半導体ウエハの切削溝の状態を示す断面図である。図８には、ダイシング後の半導体ウエハ１０１の切削溝１０４付近の断面構造を示す。図８は、図７の半導体ウエハ１０１の進行方向Ｘと直交する方向Ｙに平行で、かつ半導体ウエハ１０１の主面１０１ａ，１０１ｂと直交する断面における半導体ウエハ１０１の断面構造である。

図７，８に示すように、半導体ウエハ１０１の第２主面１０１ｂをステージ（不図示）等に保持し、ブレード１１１により半導体ウエハ１０１の第１主面１０１ａ側から半導体ウエハ１０１を切削する。ブレード１１１は、所定の深さｄ１０１の切削溝１０４が形成されるまで同じ回転方向Ｒに回転させる。図７には、ブレード１１１の回転方向を例えば半導体ウエハ１０１の進行方向Ｘに対して、ブレード１１１の後方１１２でブレード１１１が炭化珪素ウエハ１０１に近づく回転方向Ｒに制御したダウンカットとした場合を示す。

ブレード１１１がスクライブライン１０３に沿って移動するように、半導体ウエハ１０１を進行方向Ｘに移動させる。ブレード１１１は、深さ方向Ｚに半導体ウエハ１０１を貫通する。このため、ブレード１１１がスクライブライン１０３に沿って１回移動しただけで、当該スクライブライン１０３において半導体ウエハ１０１が分離される。ブレード１１１による切削溝１０４の深さｄ１０１は、半導体ウエハ１０１の厚さｔ１０１と同じである。図８の符号１０２は、半導体ウエハ１０１の第１主面１０１ａ上の絶縁膜や電極層等の素子構造である。

切削溝１０４は、炭化珪素ウエハ１０１の第１主面１０１ａの開口幅ｗ１０１を第２主面１０１ｂへ向かうにしたがって狭くした略台形状の断面形状となる（ｗ１０１＞ｗ１０２）。符号ｗ１０２は、切削溝１０４の、炭化珪素ウエハ１０１の第２主面１０１ｂの開口幅である。上述した従来のダイシング方法では、ブレード１１１の回転方向Ｒおよび回転速度（回転数）や、半導体ウエハ１０１の送り速度等の条件を一定とし、１段（１回）の切削工程で半導体ウエハ１０１の厚さｔ１０１分の深さｄ１０１の切削溝１０４を形成し、半導体ウエハ１０１を複数の半導体チップに分離している。

シリコン（Ｓｉ）からなる半導体ウエハ（以下、シリコンウエハとする）は、炭化珪素（ＳｉＣ）からなる半導体ウエハ（以下、炭化珪素ウエハとする）に比べて切断しやすい。このため、例えば半導体ウエハ１０１がシリコンウエハである場合、上述したように１段の切削工程でシリコンウエハをダイシングしたとしても、シリコンウエハの加工品質への悪影響は小さく、所望の素子性能が得られる。しかしながら、炭化珪素ウエハは切削困難な材料であるため、１段の切削工程で炭化珪素ウエハを切削した場合、炭化珪素ウエハの加工品質に悪影響が及ぶ。その理由は、次の通りである。

炭化珪素には（０００１）面、いわゆるＳｉ面と、（０００−１）面、いわゆるＣ面と、が存在する。このため、炭化珪素ウエハは、その両主面にそれぞれＳｉ面およびＣ面が露出し、各主面で硬度や結晶性が異なっている。このため、炭化珪素ウエハのＳｉ面におもて面素子構造を形成したデバイスと、Ｃ面におもて面素子構造を形成したデバイスと、では、同じ条件でダイシングを行った場合に、切削溝１０４の幅ｗ１０１，ｗ１０２のばらつきやチップ端部１０５のチッピング（欠け）等が生じ、半導体チップの形状や外観品質が異なってしまう。

そこで、ダイシングによる半導体チップの品質への悪影響を所定の規格内に抑えるために、ダイシングの条件を限定することになるが、そのトレードオフとしてブレードの回転速度を小さくしてダイシング速度を下げなければならない。このため、スループットが低下するという新たな問題が生じる。また、炭化珪素ウエハの従来のダイシングの別の方法として、半導体ウエハや半導体チップのチッピング等のダメージを減少させる方法が提案されている（例えば、下記特許文献１，２参照。）。

下記特許文献１では、まず、第１ブレードで炭化珪素ウエハの第２主面上の電極層を貫通する深さの切削溝を形成する。その後、当該切削溝の開口幅よりも幅の狭い第２ブレードで当該切削溝をさらに深くして炭化珪素ウエハの残りの部分を切断している（第００２２〜００２３段落、第２，３図）。すなわち、電極層を切削する第１ブレードと、半導体ウエハを切断する第２ブレードと、の２つブレードを用いて半導体ウエハを個々のチップ状に分離している。

下記特許文献１では、電極層を切削する第１ブレードで半導体ウエハの第２主面側から第１主面に達しない浅い深さで切削溝を形成することで、第１ブレードの目詰まりや目潰れによって炭化珪素ウエハの第１主面にチッピングが生じることを防止している。その後、切削溝の開口幅よりも幅の狭い第２ブレードを用いることで、炭化珪素ウエハの、すでに切削溝が形成されている第２主面にチッピングが生じることを防止している（第００２７〜００２８段落）。

下記特許文献２では、１段の切削工程で炭化珪素ウエハを個々のチップ状に切断している。このとき、炭化珪素ウエハの進行方向に対し、ブレードの後方でブレードが炭化珪素ウエハから遠ざかる回転方向にブレードを回転させて炭化珪素ウエハをＳｉ面から切断（アップカット）している（第００２０段落、第４図）。または、炭化珪素ウエハの進行方向に対し、ブレードの後方でブレードが炭化珪素ウエハに近づく回転方向にブレードを回転させて炭化珪素ウエハをＣ面から切削（ダウンカット）している（第００２２段落、第６図）。また、ブレードの回転数を３００００ｒｐｍ（ｒｅｖｏｌｕｔｉｏｎ ｐｅｒ ｍｉｎｕｔｅ：回転毎分）としている（第００２５段落）。

特開２０１３−１６１９４４号公報 特開２０１４−０１３８１２号公報

上述したように炭化珪素ウエハをダイシングするにあたって、半導体チップの品質維持とスループットの向上とはトレードオフの関係にある。このため、一般的には、半導体チップの品質が悪化する前に、所定の頻度でブレードのドレス（目立て）を行ってブレード表面をリセットしてブレードの目詰まりや目潰れを解消させてから、炭化珪素ウエハをダイシングしている。しかしながら、半導体チップの品質への悪影響を所定の規格内に抑えるだけであり、半導体チップの品質変動そのものをなくすことはできない。

この発明は、上述した従来技術による問題点を解消するため、品質の安定した半導体チップを得ることができる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。

上述した課題を解決し、本発明の目的を達成するため、この発明にかかる炭化珪素半導体装置の製造方法は、炭化珪素からなる半導体基板を切断して当該半導体基板から複数の半導体チップを切り出す炭化珪素半導体装置の製造方法であって、次の特徴を有する。まず、前記半導体基板を当該半導体基板の第１主面に平行な方向へ移動させながら、中心軸を固定された第１ブレードにより前記半導体基板を第１主面から切削し、前記半導体基板の第１主面から前記半導体基板の厚さ未満の深さの切削溝を形成する第１切削工程を行う。次に、前記半導体基板を当該半導体基板の第１主面に平行な方向へ移動させながら、中心軸を固定された第２ブレードにより前記切削溝の深さを深くして前記半導体基板の第２主面に達する深さで前記半導体基板を切削し、前記半導体基板を前記切削溝の部分で切断する第２切削工程を行う。前記半導体基板は第１主面がＳｉ面で第２主面がＣ面である。前記第１切削工程では、前記半導体基板の前記第１主面に平行な方向に対し、前記第１ブレードの後方で当該第１ブレードが前記半導体基板に近づく回転方向に当該第１ブレードを回転させる。かつ、前記第２切削工程では、前記半導体基板の前記第１主面に平行な方向に対し、前記第２ブレードの後方で当該第２ブレードが前記半導体基板から遠ざかる回転方向に当該第２ブレードを回転させる。

また、上述した課題を解決し、本発明の目的を達成するため、この発明にかかる炭化珪素半導体装置の製造方法は、炭化珪素からなる半導体基板を切断して当該半導体基板から複数の半導体チップを切り出す炭化珪素半導体装置の製造方法であって、次の特徴を有する。まず、前記半導体基板を当該半導体基板の第１主面に平行な方向へ移動させながら、中心軸を固定された第１ブレードにより前記半導体基板を第１主面から切削し、前記半導体基板の第１主面から前記半導体基板の厚さ未満の深さの切削溝を形成する第１切削工程を行う。次に、前記半導体基板を当該半導体基板の第１主面に平行な方向へ移動させながら、中心軸を固定された第２ブレードにより前記切削溝の深さを深くして前記半導体基板の第２主面に達する深さで前記半導体基板を切削し、前記半導体基板を前記切削溝の部分で切断する第２切削工程を行う。前記半導体基板は第１主面がＣ面で第２主面がＳｉ面である。前記第１切削工程では、前記半導体基板の前記第１主面に平行な方向に対し、前記第１ブレードの後方で当該第１ブレードが前記半導体基板から遠ざかる回転方向に当該第１ブレードを回転させる。前記第２切削工程では、前記半導体基板の前記第１主面に平行な方向に対し、前記第２ブレードの後方で当該第２ブレードが前記半導体基板に近づく回転方向に当該第２ブレードを回転させる。

また、この発明にかかる炭化珪素半導体装置の製造方法は、上述した発明において、前記第２切削工程では、前記半導体基板の前記第１主面に平行な方向を、前記第１切削工程時と同じ前記第１主面に平行な方向とし、前記第２ブレードの回転方向を、前記第１ブレードの回転方向と逆の回転方向にすることを特徴とする。

また、この発明にかかる炭化珪素半導体装置の製造方法は、上述した発明において、前記第２切削工程では、前記第２ブレードの回転方向を、前記第１ブレードの回転方向と同じ回転方向とし、前記半導体基板の前記第１主面に平行な方向を、前記第１切削工程における前記半導体基板の前記第１主面に平行な方向と反対方向にすることを特徴とする。

また、この発明にかかる炭化珪素半導体装置の製造方法は、上述した発明において、前記第２切削工程では、前記半導体基板を第１主面に平行に１８０度回転させて、前記半導体基板の結晶方向に対する前記半導体基板の前記第１主面に平行な方向を、前記第１切削工程時と同じ前記第１主面に平行な方向にすることを特徴とする。

また、この発明にかかる炭化珪素半導体装置の製造方法は、上述した発明において、前記第２ブレードの刃幅は、前記第１ブレードの刃幅と等しいことを特徴とする。

また、この発明にかかる炭化珪素半導体装置の製造方法は、上述した発明において、前記第２ブレードとして、前記第１ブレードを用いることを特徴とする。

また、この発明にかかる炭化珪素半導体装置の製造方法は、上述した発明において、前記第２ブレードの刃幅は、前記第１ブレードの刃幅よりも狭いことを特徴とする。

また、この発明にかかる炭化珪素半導体装置の製造方法は、上述した発明において、前記第１ブレードの回転数を５０００ｒｐｍ以上６００００ｒｐｍ以下とすることを特徴とする。

また、この発明にかかる炭化珪素半導体装置の製造方法は、上述した発明において、前記第２ブレードの回転数を５０００ｒｐｍ以上６００００ｒｐｍ以下とすることを特徴とする。

また、この発明にかかる炭化珪素半導体装置の製造方法は、上述した発明において、前記第１切削工程では、前記切削溝を形成した箇所に残る前記半導体基板の厚さを１０μｍ以上３５０μｍ以下とすることを特徴とする。

本発明にかかる炭化珪素半導体装置の製造方法によれば、ブレードの表面状態が一定に保たれるため、半導体チップのチッピングを無くすまたは抑制することができる、もしくは、半導体チップのチッピングサイズを許容範囲内に抑えることができる。これにより、品質の安定した半導体チップを得ることができるという効果を奏する。

実施の形態にかかる炭化珪素半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。 実施の形態にかかる炭化珪素半導体装置の製造途中の状態の別の一例を示す断面図である。 実施の形態にかかる炭化珪素半導体装置の製造途中の状態の別の一例を示す断面図である。 実施の形態にかかる炭化珪素半導体装置の製造途中の状態の別の一例を示す断面図である。 実施の形態にかかる炭化珪素半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。 実施の形態にかかる炭化珪素半導体装置の製造途中の状態の別の一例を示す断面図である。 ダイシング時の炭化珪素ウエハの進行方向を示す平面図である。 ダイシング時の炭化珪素ウエハの進行方向を示す平面図である。 ブレードの回転数とチップ裏面端部のチッピングサイズとの関係を示す特性図である。 チップ裏面端部のチッピング発生率を示す特性図である。 従来のダイシング時の半導体ウエハの状態を示す断面図である。 従来のダイシング後の半導体ウエハの切削溝の状態を示す断面図である。

以下に添付図面を参照して、この発明にかかる炭化珪素半導体装置の製造方法の好適な実施の形態を詳細に説明する。本明細書および添付図面においては、ｎまたはｐを冠記した層や領域では、それぞれ電子または正孔が多数キャリアであることを意味する。また、ｎやｐに付す＋および−は、それぞれそれが付されていない層や領域よりも高不純物濃度および低不純物濃度であることを意味する。なお、以下の実施の形態の説明および添付図面において、同様の構成には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。また、本明細書では、ミラー指数の表記において、“−”はその直後の指数につくバーを意味しており、指数の前に“−”を付けることで負の指数を表している。

（実施の形態）
実施の形態にかかる炭化珪素半導体装置の構造方法について説明する。図１Ａ，３Ａは、実施の形態にかかる炭化珪素半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。図１Ｂ，２Ａ，２Ｂ，３Ｂは、実施の形態にかかる炭化珪素半導体装置の製造途中の状態の別の一例を示す断面図である。図１Ａ，１Ｂ，２Ａ，２Ｂには、炭化珪素（ＳｉＣ）からなる半導体ウエハ（炭化珪素ウエハ）１のダイシング時の状態を示す。図３Ａ，３Ｂには、ダイシング後の炭化珪素ウエハ１の切削溝４付近の断面構造を示す。図４Ａ，４Ｂは、ダイシング時の炭化珪素ウエハの進行方向を示す平面図である。

まず、炭化珪素ウエハ１の第１主面１ａの、個々の半導体チップとなる有効領域にそれぞれ所定のデバイスの回路パターンを形成する。所定のデバイスとは、１チップに作製可能なデバイスであればよく、例えば、ＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：絶縁ゲート型電界効果トランジスタ）やショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ：Ｓｃｈｏｔｔｋｙ Ｂａｒｒｉｅｒ Ｄｉｏｄｅ）等である。

具体的には、炭化珪素ウエハ１の第１主面１ａ上にデバイスの各半導体領域や層間絶縁膜やおもて面電極などのおもて面素子構造２を形成し、第２主面１ｂに裏面電極（不図示）を形成する（図３Ａ，３Ｂ参照）。また、炭化珪素ウエハ１の第１主面１ａには、隣り合う半導体チップのおもて面素子構造２間に、例えば略矩形状の平面形状の半導体チップの４辺をなすスクライブライン（切り代）３が各半導体チップを囲む格子状のレイアウト（不図示）に形成される。すなわち、炭化珪素ウエハ１の第１主面１ａに平行で、かつ互いに直交する方向Ｘ，Ｙにそれぞれ平行なスクライブライン３が形成される。

次に、炭化珪素ウエハ１の第２主面１ｂに、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ：Ｐｏｌｙｖｉｎｙｌ ｃｈｌｏｒｉｄｅ）やポリオレフィン（ＰＯ：ｐｏｌｙｏｌｅｆｉｎ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ：Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）などを基材として用いたダイシングテープ（粘着テープ）を貼り付ける。そして、当該ダイシングテープを介して炭化珪素ウエハ１をダイシングフレームに固定する。

次に、ダイシングフレームに固定された炭化珪素ウエハ１を、第２主面１ｂを下側（ステージ側）にしてダイシング装置（不図示）のステージに載置する。ダイシング装置のステージは、炭化珪素ウエハ１を載置する面に、炭化珪素ウエハ１を吸着して保持する機構を備える。炭化珪素ウエハ１は、ダイシングテープ越しにダイシング装置のステージに吸着され固定される。また、ダイシング装置のステージは、ブレード１１に対して、炭化珪素ウエハ１を第１主面１ａに平行な方向Ｘ，Ｙに移動可能であり、かつ炭化珪素ウエハ１を第１主面１ａに平行に回転可能な機構を備える。

ダイシング装置のブレード（刃）１１は中心軸を固定され、所定の回転方向Ｒ，Ｒ’で回転し、かつ炭化珪素ウエハ１へ下降する機構を備える。また、ダイシング装置のブレード１１は、炭化珪素ウエハ１の切削深さｄ１，ｄ１’を一定に保つために、炭化珪素ウエハ１の第１主面１ａに対するブレード１１の高さを測定して自動調整可能な機構を備える。炭化珪素ウエハ１は、第１主面１ａがブレード１１の切削深さ方向（炭化珪素ウエハ１の第１主面１ａから第２主面１ｂへ向かう深さ方向）Ｚと直交するように配置される。

次に、ブレード１１により炭化珪素ウエハ１を第１主面１ａ側からダイシング（切断）して個々のチップ状に個片化する。具体的には、炭化珪素ウエハ１を載置したステージを可動し、炭化珪素ウエハ１の第１主面１ａに平行な方向Ｘ，Ｙに移動させる。これにより、所定の回転方向Ｒ，Ｒ’に回転したブレード１１に炭化珪素ウエハ１が接触し、ステージが炭化珪素ウエハ１の第１主面１ａに平行な方向に移動することで炭化珪素ウエハ１が第１主面１ａから切削される。

図１Ａ，１Ｂ，２Ａ，２Ｂ，４Ａ，４Ｂには、Ｘ，Ｘ’方向に平行なスクライブライン３に沿って炭化珪素ウエハ１を切削する状態を示す。すなわち、Ｘ，Ｘ’方向が炭化珪素ウエハ１の進行方向（以下、炭化珪素ウエハ１の進行方向Ｘ，Ｘ’とする）である。ここで、炭化珪素ウエハ１の進行方向はステージが移動する炭化珪素ウエハ１の第１主面１ａに平行な方向を示す。図３Ａ，３Ｂには、図１Ａ，１Ｂ，２Ａ，２Ｂの炭化珪素ウエハ１の進行方向Ｘ，Ｘ’と直交する方向Ｙに平行で、かつ炭化珪素ウエハ１の主面１ａ，１ｂと直交する断面を示す。Ｙ方向に平行なスクライブライン３に沿って炭化珪素ウエハ１を切削する場合には、炭化珪素ウエハ１を第１主面１ａに平行に９０度回転させた後に、後述する２段の切削工程を行えばよい。

また、ブレード１１による炭化珪素ウエハ１の上記切削工程は２段（２回）連続で行い、当該２段の切削工程で炭化珪素ウエハ１の切削溝４の深さ（切り込み量）ｄ１，ｄ１’を段階的に深くして、切削溝４の部分で炭化珪素ウエハ１を分離する。この２段の切削工程で得られる炭化珪素ウエハ１の総切削深さ（すなわち切削溝４の最終的な深さ）ｄ１’は、炭化珪素ウエハ１の厚さｔ１以上となる（ｔ１≦ｄ１’＝ｄ１＋ｄ２）。２段目の切削工程におけるブレード１１の切削深さは、ダイシングテープに切り込みが入る程度であってもよい。

ブレード１１の回転方向Ｒ，Ｒ’および回転速度（回転数）や、炭化珪素ウエハ１の進行方向Ｘ，Ｘ’、炭化珪素ウエハ１の送り速度、ブレード１１の刃幅等の切削条件は２段の各切削工程それぞれで最適化され、半導体チップの品質向上が図られる。炭化珪素ウエハ１の送り速度とは、中心軸を固定したブレード１１を、炭化珪素ウエハ１の第１主面１ａ上を一端から他端まで直線状に移動させるために（図４Ａ，４Ｂ参照）、炭化珪素ウエハ１を移動させる際の速度である。炭化珪素ウエハ１の送り速度は、炭化珪素ウエハ１の切削深さｄ１，ｄ２に基づいて設定される。

また、各切削工程の切削条件は、各切削工程でブレード１１により切削する炭化珪素ウエハ１の主面１ａ，１ｂの結晶面に応じて調整する。具体的には、１段目の切削工程においては、ブレード１１は、炭化珪素ウエハ１の第１主面１ａ側を切削した後、炭化珪素ウエハ１の所定の切削深さｄ１に達する。このため、１段目の切削工程の切削条件は、炭化珪素ウエハ１の第１主面１ａの結晶面に応じて調整される。一方、２段目の切削工程においては、ブレード１１は、炭化珪素ウエハ１の所定の切削深さｄ１の位置から炭化珪素ウエハ１の第２主面１ｂに達する程度にさらに深い所定の切削深さｄ２だけ降下して炭化珪素ウエハ１の第２主面１ｂを切削する。このため、２段目の切削工程の切削条件は、炭化珪素ウエハ１の第２主面１ｂの結晶面に応じて調整される。

より具体的には、図１Ａ，１Ｂ，２Ａ，２Ｂの左図に示すように、まず、ブレード１１により、スクライブライン３に沿って炭化珪素ウエハ１を第１主面１ａ側から切削する（１段目の切削工程）。これにより、炭化珪素ウエハ１の第１主面１ａから所定の切削深さｄ１で、炭化珪素ウエハ１の進行方向Ｘに平行な直線状に切削溝４（図３Ａ，３Ｂ参照）が形成される。１段目の切削工程においては、炭化珪素ウエハ１の切削深さｄ１を炭化珪素ウエハ１の厚さｔ１よりも浅くする。この１段目の切削工程を連続して繰り返し行って例えば炭化珪素ウエハ１上のすべてのスクライブライン３にそれぞれ切削溝４を形成してから後述する２段目の切削工程を行ってもよい。または、１段目の切削工程と、後述する２段目の切削工程と、を交互に行ってもよい。

図１Ａ，１Ｂ，２Ａ，２Ｂにおいて、炭化珪素ウエハ１の第１主面１ａ側の薄いハッチング部分１ｃは、１段目の切削工程で切削溝４が形成された部分である。炭化珪素ウエハ１の第２主面１ｂ側の濃いハッチング部分１ｄは、炭化珪素ウエハ１の、１段目の切削工程でスクライブライン３に切り残した部分（以下、切り残し部とする）である。また、図１Ａ，１Ｂ，２Ａ，２Ｂにおいては、ブレード１１の、切削溝４の内部に位置する部分（炭化珪素ウエハ１と重なる部分）を破線で示す。１段目の切削工程における炭化珪素ウエハ１の切り残し部の厚さｔ２は、例えば、炭化珪素ウエハ１の厚さｔ１が８０μｍ以上５５０μｍ以下程度の場合、１０μｍ以上３５０μｍ以下程度である。図３Ａ，３Ｂでは、炭化珪素ウエハ１のうち、１，２段目の切削工程の後に残る部分（すなわち半導体チップ）をハッチングで示す。

次に、図１Ａ，１Ｂ，２Ａ，２Ｂの右図に示すように、ブレード１１により、炭化珪素ウエハ１の切り残し部の厚さｔ２以上の切削深さｄ２で、炭化珪素ウエハ１の切り残し部を貫通するように炭化珪素ウエハ１を切削し、切削溝４の深さｄ１’を深くする（２段目の切削工程）。すなわち、炭化珪素ウエハ１の厚さｔ１以上の深さｄ１’ の切削溝４を２段の切削工程（１，２段目の切削工程）で段階的に形成する。これにより、各切削溝４で炭化珪素ウエハ１が個々の半導体チップに分割され切り出される。このように、炭化珪素ウエハ１に対して２段の切削工程を行うにあたって、次のように２段の切削工程それぞれにおけるブレード１１の回転方向Ｒ，Ｒ’を制御する（図１Ａ）。または、次のように２段の切削工程それぞれにおける炭化珪素ウエハ１の進行方向Ｘ，Ｘ’を制御する（図１Ｂ）。

例えば、炭化珪素ウエハ１の第１主面１ａを（０００１）面、いわゆるＳｉ面とし、第２主面１ｂを（０００−１）面、いわゆるＣ面としたとする。すなわち、炭化珪素ウエハ１のＳｉ面におもて面素子構造２を形成したデバイス（以下、Ｓｉ面デバイスとする）であるとする。この場合、１段目の切削工程は、炭化珪素ウエハ１の進行方向Ｘに対し、ブレード１１の後方１２でブレード１１が炭化珪素ウエハ１に近づく回転方向Ｒに回転するようにブレード１１を制御したダウンカットとする。ダウンカットによる炭化珪素ウエハ１の切削においては、炭化珪素ウエハ１の進行方向Ｘに対し、ブレード１１の前方１３から切削屑が排出される。一方、２段目の切削工程は、炭化珪素ウエハ１の進行方向Ｘに対し、ブレード１１の後方１２でブレード１１が炭化珪素ウエハ１から遠ざかる回転方向に回転するようにブレード１１を制御したアップカットとする。アップカットによる炭化珪素ウエハ１の切削においては、炭化珪素ウエハ１の進行方向Ｘに対し、ブレード１１の後方１２から切削屑が排出される。

すなわち、１段目の切削工程において炭化珪素ウエハ１のＳｉ面（第１主面１ａ）がダウンカットで切削され、２段目の切削工程において炭化珪素ウエハ１のＣ面（第２主面１ｂ）がアップカットで切削される。２段目の切削工程をアップカットとするにあたって、炭化珪素ウエハ１の進行方向を１段目の切削工程時と同じ進行方向Ｘとし、ブレード１１を１段目の切削工程時のブレード１１の回転方向Ｒと逆の回転方向Ｒ’に回転させる（図１Ａ：回転方向制御）。または、ブレード１１の回転方向を１段目の切削工程時と同じ回転方向Ｒとし、炭化珪素ウエハ１を１段目の切削工程時における炭化珪素ウエハ１の進行方向Ｘと反対の進行方向Ｘ’に移動させる（図１Ｂ：ウエハ進行方向制御）。

また、図２Ａ，２Ｂに示すように、例えば、炭化珪素ウエハ１の第１主面１ａをＣ面とし、第２主面１ｂをＳｉ面としたとする。すなわち、炭化珪素ウエハ１のＣ面におもて面素子構造２を形成したデバイス（以下、Ｃ面デバイスとする）であるとする。この場合、１段目の切削工程は、炭化珪素ウエハ１の進行方向Ｘに対し、ブレード１１の後方１２でブレード１１が炭化珪素ウエハ１から遠ざかる回転方向Ｒに回転するようにブレード１１を制御したアップカットとする。一方、２段目の切削工程においては、炭化珪素ウエハ１の進行方向Ｘに対し、ブレード１１の後方１２でブレード１１が炭化珪素ウエハ１に近づく回転方向に回転するようにブレード１１を制御したダウンカットとする。

すなわち、１段目の切削工程において炭化珪素ウエハ１のＣ面（第１主面１ａ）がアップカットで切削され、２段目の切削工程において炭化珪素ウエハ１のＳｉ面（第２主面１ｂ）がダウンカットで切削される。２段目の切削工程をダウンカットにするにあたって、炭化珪素ウエハ１の進行方向を１段目の切削工程時と同じ進行方向Ｘとし、ブレード１１を１段目の切削工程時のブレード１１の回転方向Ｒと逆の回転方向Ｒ’に回転させる（図２Ａ：回転方向制御）。または、ブレード１１の回転方向を１段目の切削工程時と同じ回転方向Ｒとし、炭化珪素ウエハ１を１段目の切削工程時における炭化珪素ウエハ１の進行方向Ｘと反対の進行方向Ｘ’に移動させる（図２Ｂ：ウエハ進行方向制御）。

また、回転方向制御およびウエハ進行方向制御のいずれにおいても、炭化珪素ウエハ１の結晶方向に対するブレード１１による切削方向（すなわち炭化珪素ウエハ１の進行方向Ｘ）を、１，２段目の切削工程で同じにする。具体的には、図４Ａに示すように、回転方向制御とする場合、１，２段目の切削工程とで炭化珪素ウエハ１の進行方向Ｘを変えないため、炭化珪素ウエハ１を第１主面１ａ側から見た配置は変更しない。すなわち、炭化珪素ウエハ１を主面１ａ側から見た配置を変えなくても、炭化珪素ウエハ１の結晶方向に対するブレード１１による切削方向を、１，２段目の切削工程で合わせることができる。

一方、図４Ｂに示すように、ウエハ進行方向制御とする場合、上述したように１，２段目の切削工程とで炭化珪素ウエハ１を反対の進行方向Ｘ，Ｘ’に移動させている。このため、１段目の切削工程の後、例えばオリエンテーションフラット１ｅを基準として、炭化珪素ウエハ１を第１主面１ａ側から見た配置を第１主面１ａに平行に１８０度回転させてから２段目の切削工程を行う。これにより、炭化珪素ウエハ１の結晶方向に対するブレード１１による切削方向を、１，２段目の切削工程で合わせることができる。

ウエハ進行方向制御とする場合、例えば、１段目の切削工程を連続して繰り返し行ってすべてのスクライブライン３に切削溝４を形成した後に、炭化珪素ウエハ１を第１主面１ａに平行に１８０度回転させる。そして、２段目の切削工程を連続して繰り返し行い、すべての切削溝４の深さｄ１’を深くしてもよい（右方向矢印）。または、１段目の切削工程と、炭化珪素ウエハ１を第１主面１ａに平行に１８０度回転させる工程と、２段目の切削工程と、を１組とする工程を繰り返し行って、各スクライブライン３に順に最終的な深さｄ１’の切削溝４を形成してもよい（両方向矢印）。

図４Ａ，４Ｂには、オリエンテーションフラット１ｅに平行なスクライブライン３で炭化珪素ウエハ１をダイシングする場合を示す。オリエンテーションフラット１ｅと直交するスクライブライン３で炭化珪素ウエハ１をダイシングする場合を図示省略するが、この場合においても、上述したように、炭化珪素ウエハ１の結晶方向とブレード１１による切削方向とを合わせて、２段の切削工程で炭化珪素ウエハ１をダイシングすればよい。

ブレード１１の回転数は、例えば５０００ｒｐｍ以上６００００ｒｐｍ以下程度であり、好ましくは１００００ｒｐｍ以上５７５００ｒｐｍ以下程度であることがよい。ブレード１１の回転数を上記範囲内とすることで、半導体チップのチッピング（欠け）不良を低減（すなわちチッピングサイズが許容範囲内にある良品チップを増加）させることができるとともに、ブレード１１の割れを抑制することができる。また、１，２段目の切削工程ともにブレード１１の回転速度（回転数）および炭化珪素ウエハ１の送り速度を同じ条件とすることで、ブレード１１の割れが生じにくくなる。

半導体チップのおもて面側のチッピングサイズの許容範囲は、スクライブライン３を超えない範囲である。すなわち、チップおもて面端部５ａが欠けることでチップおもて面端部５ａ付近に生じた形状変形部分（不図示）の、チップおもて面端部５ａからチップ中央部へ向かう方向の幅ｗ３が炭化珪素ウエハ１の第１主面１ａに平行な方向Ｘ，Ｙにおもて面素子構造２に達しない範囲であればよい。半導体チップのおもて面とは、炭化珪素ウエハ１の第１主面１ａである。チップおもて面端部５ａとは、切削溝４の側壁と炭化珪素ウエハ１の第１主面１ａとの交線である。

半導体チップの裏面側のチッピングサイズの許容範囲は、炭化珪素ウエハ１の第２主面１ｂの裏面電極の性能に悪影響を及ぼさない範囲である。半導体チップの裏面側のチッピングは組立工程時に半導体チップにかかる熱により半導体チップにクラックが生じる原因となり、例えば温度サイクル試験等で検証する半導体チップの信頼性を低下させる。温度サイクル試験とは、一般的に半導体チップを搭載したデバイスを保存温度範囲の上限温度と下限温度とに繰り返しさらして、半導体チップに生じるクラックおよび特性変動などの耐性を測定する試験である。このため、半導体チップの裏面側のチッピングサイズは可能な限り小さいことが好ましい。

具体的には、チップ裏面端部５ｂが欠けることでチップ裏面端部５ｂ付近に生じた形状変形部分（不図示）の、チップ裏面端部５ｂからチップ中央部へ向かう方向の幅ｗ４が例えば２００μｍ以下がよく、好ましくは１００μｍ以下であることがよい。半導体チップの裏面とは、炭化珪素ウエハ１の第２主面１ｂである。チップ裏面端部５ｂとは、切削溝４の側壁と炭化珪素ウエハ１の第２主面１ｂとの交線である。

また、ブレード１１の軸受けの機構は、軸受タイプであってもよいし、エアスピンドルタイプであってもよい。ブレード１１の軸受けの機構は、例えば、ブレード１１の寿命や、ランニングコスト（消耗品費、維持費など）、メンテナンス頻度、剛性等を考慮して選択すればよい。

軸受タイプのブレード１１は、ボールベアリングでスピンドル（回転軸）１１ａを回転させることでブレード１１を回転させる機構を備える。軸受タイプのブレード１１は、スピンドル１１ａにブレード１１が接合されているため、エアスピンドルタイプと比べて回転速度が遅い。また、軸受タイプのブレード１１は、ボールベアリングの摩耗によりランニングコストやメンテナンス（オーバーホール）頻度が増大するが、スピンドル１１ａにブレード１１が接合されているため、剛性が高い。

また、軸受タイプのブレード１１は、ブレード１１の種類を種々選択可能であり、エアスピンドルタイプに比べてブレード１１の摩耗代を多く取ることができる。このため、軸受タイプのブレード１１は、エアスピンドルタイプに比べて、１枚のブレード１１でダイシング可能な炭化珪素ウエハ１の枚数が多い。軸受タイプのブレード１１を用いる場合、ブレード１１の回転数は、例えば８０００ｒｐｍ以上１５０００ｒｐｍ以下程度であることが好ましい。

エアスピンドルタイプのブレード１１は、ブレード１１を空気で浮かせて回転させる機構を備える。エアスピンドルタイプのブレード１１は、スピンドル１１ａと接触しない状態で回転するため、軸受タイプと比べて振動に弱く、剛性が低いが、軸受タイプよりも高速回転可能である。エアスピンドルタイプのブレード１１を用いる場合、ブレード１１の回転数は、例えば４００００ｒｐｍ以上５７５００ｒｐｍ以下程度であることが好ましい。

ブレード１１には、例えばダイヤモンドカッター等の砥石を用いてもよい。また、ブレード１１は、スピンドル１１ａを１本（１スピンドル）または２本（２スピンドル）とし、１段目の切削工程で形成した深さｄ１の切削溝４を、２段目の切削工程で切り込み量を変えてさらに深さｄ２分だけ切削して処理完了する制御機構を備える。また、ブレード１１は、炭化珪素ウエハ１の主面１ａ，１ｂに対して刃先の突出量が一定となるように自動制御される。このため、炭化珪素ウエハ１の面内において切削溝４の深さｄ１，ｄ２は一定に保たれる。また、ブレード１１の刃幅は、１，２段目の切削工程ともに同じであってもよいし、２段目の切削工程で用いるブレード１１の刃幅を１段目の切削工程で用いるブレード１１の刃幅よりも狭くしてもよい。

ブレード１１が１スピンドルの場合、例えば２段の切削工程に共通の１つのブレード１１が用いられ、１，２段目の切削工程ともにブレード１１の刃幅が同じとなる。１，２段目の切削工程ともにブレード１１の刃幅が同じである場合、図３Ａに示すように、切削溝４は、炭化珪素ウエハ１の第１主面１ａから第２主面１ｂへ向かうにしたがって開口幅を狭くした略台形状の断面形状となる。すなわち、切削溝４は、ブレード１１の刃幅に応じた上底の開口幅（第１主面１ａの開口幅）ｗ１および下底の開口幅（第２主面１ｂの開口幅）ｗ２をもつ略台形状の断面形状となる。切削溝４は、炭化珪素ウエハ１の第１主面１ａで最も開口幅（上底の開口幅）ｗ１が広く、第２主面１ｂで最も開口幅（下底の開口幅）ｗ２が狭い。切削溝４の側壁（すなわち半導体チップの側面）には、２段の切削工程に共通のブレード１１の先端形状に応じた傾斜が形成される。

ブレード１１が２スピンドルの場合、２段の切削工程それぞれで異なるブレード１１を用いるため、２段目の切削工程で用いるブレード１１の刃幅を１段目の切削工程で用いるブレード１１の刃幅よりも狭くしてもよい。この場合、図３Ｂに示すように、切削溝４は、炭化珪素ウエハ１の第１主面１ａ側から深さｄ１の位置において、側壁に２つのブレード１１の刃幅差による段差（以下、側壁段差とする）４ａが形成される。切削溝４は、炭化珪素ウエハ１の第１主面１ａから側壁段差４ａまでの部分で、１段目の切削工程で用いるブレード１１の刃幅に応じた上底および下底の開口幅ｗ１，ｗ１１をもつ略台形状の断面形状となる。かつ、切削溝４は、側壁段差４ａから炭化珪素ウエハ１の第２主面１ｂまでの部分で、炭化珪素ウエハ１の第１主面１ａから側壁段差４ａまでの部分の開口部に連続して、当該開口部よりも狭い上底および下底の開口幅ｗ１２，ｗ２をもつ略台形状の断面形状となる。

次に、ダイシング装置からダイシングフレームを取り外し、一般的な方法によりダイシングテープから半導体チップを剥離（ピックアップ）することで、炭化珪素半導体装置チップが完成する。

以上、説明したように、実施の形態によれば、ブレードによる炭化珪素ウエハの切削工程を２段連続で行い、当該２段の切削工程で炭化珪素ウエハの切削溝の深さを段階的に深くして炭化珪素ウエハを切断する。このとき、炭化珪素ウエハのＳｉ面をダウンカットで切削し、炭化珪素ウエハのＣ面をアップカットで切削することで、ブレードの割れが抑制され、ブレードの表面状態が一定に保たれる。これにより、半導体チップのチッピングを無くすまたは抑制することができる、もしくは、チッピングサイズを許容範囲内に抑えることができる。したがって、品質の安定した半導体チップを得ることができる。

（実施例１）
次に、チップ裏面端部５ｂのチッピングサイズ（チップ裏面端部５ｂのチッピングの幅ｗ４）について検証した。図５は、ブレードの回転数とチップ裏面端部のチッピングサイズとの関係を示す特性図である。上述した実施の形態にかかる半導体装置の製造方法にしたがって、ブレード１１の回転数を３５０００ｒｐｍ〜５５０００ｒｐｍの範囲で種々変更して炭化珪素ウエハ１をダイシングした。ブレード１１の軸受けの機構は、エアスピンドルタイプとした。切断した複数の半導体チップにおいて、チップ裏面端部５ｂのチッピングの幅ｗ４を測定した結果を図５に示す。

図５に示す結果より、チップ裏面端部５ｂのチッピングの幅ｗ４は、回転数を３５０００ｒｐｍ〜５５０００ｒｐｍの範囲において、最大（Ｍａｘ．）で７０μｍ以下程度になり、最小（Ｍｉｎ．）で３０μｍ以下程度になることが確認された。チップ裏面端部５ｂのチッピングの幅ｗ４の平均値は、ほぼ４０μｍ以下程度になった。すなわち、チップ裏面端部５ｂのチッピングサイズを許容範囲内に抑えることができる。この図５の結果は、炭化珪素ウエハ１の第１主面１ａがＳｉ面およびＣ面のいずれであっても（すなわち図１Ａ，１Ｂ，２Ａ，２Ｂのいずれの切削工程であっても）同様に得られることが発明者により確認されている。

また、図示省略するがブレード１１の回転数が３５０００ｒｐｍ未満である場合や、５５０００ｒｐｍを超える場合においても、図５と同程度の結果が得られることが発明者により確認されている。また、図示省略するがブレード１１の軸受けの機構が軸受タイプである場合においても、ブレード１１の回転数を８０００ｒｐｍ以上１５０００ｒｐｍ以下程度とすることで、図５と同程度の結果が得られることが発明者によるシミュレーションにより確認されている。また、図示省略するが、チップおもて面端部５ａのチッピングサイズ（チップおもて面端部５ａのチッピングの幅ｗ３）も許容範囲内に抑えることができた。

（実施例２）
次に、チップ裏面端部５ｂのチッピング発生率を検証した。図６は、チップ裏面端部のチッピング発生率を示す特性図である。実施例１の複数の試料（半導体チップ）のうち、ブレード１１の回転数を４００００ｒｐｍ〜５００００ｒｐｍの範囲とした１枚の炭化珪素ウエハ１をダイシングして切り出した複数の半導体チップについて、チップ裏面端部５ｂのチッピング発生率を算出した（以下、実施例２とする）。その結果を、チップ裏面端部５ｂのチッピングサイズごとに分けて棒グラフで図６に示す。図６の注釈中の数値はチップ裏面端部５ｂのチッピングサイズである。

また、比較として、従来のダイシング方法（図７，８参照）を用いて、炭化珪素ウエハ１０１をダイシングして複数の半導体チップを切り出した。この従来のダイシング方法による炭化珪素ウエハ１０１のダイシングは、９枚の炭化珪素ウエハ１０１に対して行った（以下、従来例１〜９とする）。これら従来例１〜９について、複数の半導体チップのチップ裏面端部５ｂのチッピング発生率を算出した結果も図６に示す。従来例１〜９のダイシング条件は、炭化珪素ウエハ１０１をダイシングするための切削工程を１段とした以外は実施例２と同様である。

図６に示す結果より、従来例１〜９では、チップ裏面端部のチッピングサイズが１００μｍ以上となる半導体チップも存在することが確認された。それに対して、実施例２においては、すべての半導体チップにおいて、チップ裏面端部５ｂのチッピングサイズが５０μｍ未満であることが確認された。また、実施例２においては、チップ裏面端部のチッピングサイズが５０μｍ未満となる半導体チップ数が従来例１〜９よりも少ないことが確認された。すなわち、実施例２は、従来例１〜９よりも複数の半導体チップをほぼ同じ品質で安定して得ることができることがわかる。

以上において本発明は、上述した実施の形態に限らず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。例えば、上述したブレードによる炭化珪素ウエハをダイシングに超音波振動を併用して、ブレードに超音波振動を加えることで炭化珪素ウエハの加工負担を軽減させた構成としてもよい。また、炭化珪素ウエハは、炭化珪素からなる出発基板上に炭化珪素層をエピタキシャル成長させたエピタキシャルウエハであってもよい。

以上のように、本発明にかかる炭化珪素半導体装置の製造方法は、炭化珪素基板（半導体ウエハ）を用いて作製（製造）される半導体装置に有用である。

１ 炭化珪素ウエハ
１ａ 炭化珪素ウエハの第１主面（おもて面）
１ｂ 炭化珪素ウエハの第２主面（裏面）
１ｃ 炭化珪素ウエハの、１段目の切削工程で切削溝が形成される第１主面側の部分
１ｄ 炭化珪素ウエハの、１段目の切削工程の切り残し部
１ｅ 炭化珪素ウエハのオリエンテーションフラット
２ おもて面素子構造
３ スクライブライン
４ 切削溝
４ａ 切削溝の側壁段差
５ａ チップおもて面端部
５ｂ チップ裏面端部
１１ ブレード
１１ａ スピンドル
１２ 炭化珪素ウエハの進行方向に対するブレードの後方
１３ 炭化珪素ウエハの進行方向に対するブレードの前方
ｄ１ 炭化珪素ウエハ１の切削深さ（１段目の切削工程後の切削溝の深さ）
ｄ２ 炭化珪素ウエハ１の切削深さ
ｄ１’ 切削溝の最終的な深さ（２段目の切削工程後の切削溝の深さ）
Ｒ、Ｒ’ ブレードの回転方向
ｔ１ 炭化珪素ウエハの厚さ
ｔ２ 炭化珪素ウエハの、１段目の切削工程の切り残し部の厚さ
ｗ１，ｗ２，ｗ１１，ｗ１２ 切削溝の開口幅
ｗ３ チップおもて面端部のチッピングサイズ（チッピングの幅）
ｗ４ チップ裏面端部のチッピングサイズ（チッピングの幅）
Ｘ，Ｙ 炭化珪素ウエハの主面に平行な方向（炭化珪素ウエハの進行方向）
Ｚ ブレードの切削深さ方向

Claims (14)

1. 炭化珪素からなる半導体基板を切断して当該半導体基板から複数の半導体チップを切り出す炭化珪素半導体装置の製造方法であって、
   前記半導体基板を当該半導体基板の第１主面に平行な方向へ移動させながら、中心軸を固定された第１ブレードにより前記半導体基板を第１主面から切削し、前記半導体基板の第１主面から前記半導体基板の厚さ未満の深さの切削溝を形成する第１切削工程と、
   前記半導体基板を当該半導体基板の第１主面に平行な方向へ移動させながら、中心軸を固定された第２ブレードにより前記切削溝の深さを深くして前記半導体基板の第２主面に達する深さで前記半導体基板を切削し、前記半導体基板を前記切削溝の部分で切断する第２切削工程と、
   を含み、
   前記半導体基板は第１主面がＳｉ面で第２主面がＣ面であり、
   前記第１切削工程では、前記半導体基板の前記第１主面に平行な方向に対し、前記第１ブレードの後方で当該第１ブレードが前記半導体基板に近づく回転方向に当該第１ブレードを回転させ、
   前記第２切削工程では、前記半導体基板の前記第１主面に平行な方向に対し、前記第２ブレードの後方で当該第２ブレードが前記半導体基板から遠ざかる回転方向に当該第２ブレードを回転させることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
2. 前記第２切削工程では、
   前記半導体基板の前記第１主面に平行な方向を、前記第１切削工程時と同じ前記第１主面に平行な方向とし、
   前記第２ブレードの回転方向を、前記第１ブレードの回転方向と逆の回転方向にすることを特徴とする請求項１に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
3. 前記第２切削工程では、
   前記第２ブレードの回転方向を、前記第１ブレードの回転方向と同じ回転方向とし、
   前記半導体基板の前記第１主面に平行な方向を、前記第１切削工程における前記半導体基板の前記第１主面に平行な方向と反対方向にすることを特徴とする請求項１に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
4. 前記第２切削工程では、
   前記半導体基板を第１主面に平行に１８０度回転させて、前記半導体基板の結晶方向に対する前記半導体基板の前記第１主面に平行な方向を、前記第１切削工程時と同じ前記第１主面に平行な方向にすることを特徴とする請求項３に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
5. 炭化珪素からなる半導体基板を切断して当該半導体基板から複数の半導体チップを切り出す炭化珪素半導体装置の製造方法であって、
   前記半導体基板を当該半導体基板の第１主面に平行な方向へ移動させながら、中心軸を固定された第１ブレードにより前記半導体基板を第１主面から切削し、前記半導体基板の第１主面から前記半導体基板の厚さ未満の深さの切削溝を形成する第１切削工程と、
   前記半導体基板を当該半導体基板の第１主面に平行な方向へ移動させながら、中心軸を固定された第２ブレードにより前記切削溝の深さを深くして前記半導体基板の第２主面に達する深さで前記半導体基板を切削し、前記半導体基板を前記切削溝の部分で切断する第２切削工程と、
   を含み、
   前記半導体基板は第１主面がＣ面で第２主面がＳｉ面であり、
   前記第１切削工程では、前記半導体基板の前記第１主面に平行な方向に対し、前記第１ブレードの後方で当該第１ブレードが前記半導体基板から遠ざかる回転方向に当該第１ブレードを回転させ、
   前記第２切削工程では、前記半導体基板の前記第１主面に平行な方向に対し、前記第２ブレードの後方で当該第２ブレードが前記半導体基板に近づく回転方向に当該第２ブレードを回転させることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
6. 前記第２切削工程では、
   前記半導体基板の前記第１主面に平行な方向を、前記第１切削工程時と同じ前記第１主面に平行な方向とし、
   前記第２ブレードの回転方向を、前記第１ブレードの回転方向と逆の回転方向にすることを特徴とする請求項５に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
7. 前記第２切削工程では、
   前記第２ブレードの回転方向を、前記第１ブレードの回転方向と同じ回転方向とし、
   前記半導体基板の前記第１主面に平行な方向を、前記第１切削工程における前記半導体基板の前記第１主面に平行な方向と反対方向にすることを特徴とする請求項５に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
8. 前記第２切削工程では、
   前記半導体基板を第１主面に平行に１８０度回転させて、前記半導体基板の結晶方向に対する前記半導体基板の前記第１主面に平行な方向を、前記第１切削工程時と同じ前記第１主面に平行な方向にすることを特徴とする請求項７に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
9. 前記第２ブレードの刃幅は、前記第１ブレードの刃幅と等しいことを特徴とする請求項１〜８のいずれか一つに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
10. 前記第２ブレードとして、前記第１ブレードを用いることを特徴とする請求項１〜９のいずれか一つに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
11. 前記第２ブレードの刃幅は、前記第１ブレードの刃幅よりも狭いことを特徴とする請求項１〜８のいずれか一つに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
12. 前記第１ブレードの回転数を５０００ｒｐｍ以上６００００ｒｐｍ以下とすることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか一つに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
13. 前記第２ブレードの回転数を５０００ｒｐｍ以上６００００ｒｐｍ以下とすることを特徴とする請求項１〜１２のいずれか一つに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
14. 前記第１切削工程では、前記切削溝を形成した箇所に残る前記半導体基板の厚さを１０μｍ以上３５０μｍ以下とすることを特徴とする請求項１〜１３のいずれか一つに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。

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