JP2017017862A - 電力変換装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】冷却性能の向上を図ることができる電力変換装置の提供。【解決手段】電力変換装置は、電力変換用の半導体素子321U,321L,322U,322Lが内蔵され、外周面に冷却用フィン343が形成された半導体モジュール300と、半導体モジュール300が挿入される挿入口201aを有する冷媒流路201が形成された流路形成体200と、を備え、冷媒流路201aの側壁には、挿入口201aから流路底部201bへと順にテーパ面211とテーパ面221とが形成され、テーパ面221は、挿入口201aから遠ざかるほど外周面との距離が小さくなるように傾斜したテーパ面であり、テーパ面211は、挿入口201aから遠ざかるほど外周面との距離が大きくなるように傾斜したテーパ面であり、テーパ面211とテーパ面221とが接続する分割面240は、外周面の冷却用フィン343が形成された領域に対向している。【選択図】図5
Description
本発明は、冷却機能を備えた電力変換装置に関する。
冷却機能を備えた電力変換装置としては、例えば、特許文献1に記載のような電力変換装置が知られている。特許文献1に記載の電力変換装置では、電力変換用の半導体チップが収納された半導体モジュールを流路形成体の冷媒流路中に配置する構成が採用されている。
流路形成体は、アルミニウムを使用し製法はダイカストを用いるのが一般的である。特許文献1に記載の電力変換装置では、流路形成体に形成された挿入部に冷却フィンが形成された半導体モジュールを挿入する構成とされている。挿入部は冷媒流路の一部を構成しており、半導体モジュールの外周面と挿入部の側壁(流路側壁)との間を流れる。ダイカストは、金属製の金型に溶融したアルミニウムを高圧で射出し、冷却後に金型から製品を取り出す製法である。そのため、製品を取り出す際に金型と製品を分離し易いように、型の抜き方向に平行な面にテーパを付けている。上述した、挿入部の場合には、半導体モジュールの挿入方向に平行な面に抜きテーパが形成されることになる。
ところで、半導体モジュールの冷却フィンが対向する挿入部の側壁がテーパ面であると、流路面積が大きくなって流速が低下するので、冷却性能の低下が避けられない。そのため、テーパ面を加工して平行面とすることによりクリアランスを均一化することも考えられるが、機械加工が追加で必要となるためコストアップの要因となる。
本発明による電力変換装置は、電力変換用の回路部品が内蔵され、外周面に冷却フィンが形成された回路部品封止体と、前記回路部品封止体が挿入される挿入口を有する冷媒流路が形成された流路形成体と、を備え、前記冷媒流路の前記外周面と対向する側壁には、前記挿入口から流路底部へと順に第1テーパ面と第2テーパ面とが形成され、前記第1テーパ面および第2テーパ面の一方は、前記挿入口から遠ざかるほど前記外周面との距離が小さくなるように傾斜したテーパ面であり、前記第1テーパ面および第2テーパ面の他方は、前記挿入口から遠ざかるほど前記外周面との距離が大きくなるように傾斜したテーパ面であり、前記第1テーパ面と前記第2テーパ面とが接続する境界は、前記外周面の前記冷却フィンが形成された領域に対向している。
本発明によれば、回路部品封止体と冷媒流路の側壁とのクリアランスをより小さくすることができ、回路部品封止体に内蔵された回路部品に対する冷却性能の向上を図ることができる。
以下、図を参照して本発明を実施するための形態について説明する。図1〜3は、本発明による電力変換装置の一実施の形態を示す図である。図1は、電力変換装置100の外観斜視図である。図2は、電力変換装置100の分解斜視図である。図3は、図1のA1−A1断面図である。
本実施の形態の電力変換装置100は、2つのモータを同時に駆動することができる。電力変換装置100は、複数の半導体モジュール300(300a〜300)が配置されている流路形成体200と、流路形成体200の上部に設けられた回路ケース20と、回路ケース20の上部に設けられた上カバー21を備えている。半導体モジュール300には、電力変換回路(インバータ回路)を構成する半導体素子が収納されている。半導体モジュール300の詳細については後述する。
上カバー21の内部には、モータを制御するための信号を形成するための、モータコントロール基板10が収納されている。モータコントロール基板10には、信号コネクタ11を介して電力変換装置100の動作を制御するための信号が入力される。モータコントロール基板10は、回路ケース20の上面に固定される。
回路ケース20の下部空間には、ゲートコントロール基板25a,25bやモールドバスバー30等、強電部を構成する部品が配置される。回路ケース20は、強電部からのノイズをモータコントロール基板10へ伝えないようにするための、遮蔽部材として機能する。モールドバスバー30は、直流電流の正極、負極用のバスバーおよび変換された交流電流用のバスバーを、絶縁用の樹脂で封止及び固定したものである。モールドバスバー30には、半導体モジュール300によって変換された交流電流の電流値を測定するための、電流センサ35a,35bが設けられている。
流路形成体200は、上下に分割された上側ケース200aと下側ケース200bとで構成される。流路形成体200には、半導体モジュール300を冷却するための冷媒(例えば、冷却水)が流れる冷媒流路が形成されている。上側ケース200aには、半導体モジュール300に供給される直流電流を平滑化するためのコンデンサー31が収納される。
図1,3において、流路形成体200の図示右側の側面には、不図示のバッテリからの直流電流を電力変換装置へ入力するための導線40a,40bが設けられている。流路形成体200の図示左側の側面には、電力変換装置100において直流電流から変換された交流電流を不図示のモータへ出力するための導線41a〜41cが設けられている。同様に、流路形成体200の図示右側の側面には、電力変換装置100で直流電流を交流に変換した電流を不図示の他のモータへ出力するための導線42a〜42cが設けられている。
下側ケース200bの図示手前側の側面には、冷媒を流路形成体200内に取込むためのパイプ250が設けられている。図4は、下側ケース200bの水平断面を示す断面図である。パイプ250が設けられている側面と反対側の側面には、冷媒を流路形成体200から排出するためのパイプ251が設けられている。なお、パイプ251から冷媒を導入し、パイプ250から冷媒を排出するようにしても良い。
下側ケース200bには、パイプ251から流入した冷媒が流れる冷媒流路201が形成されている。蛇行するように形成された冷媒流路201の出口には、上述したパイプ251が設けられている。下側ケース200bの上部に接続される上側ケース200aの流路形成部202(図3参照)にも、下側ケース200bの冷媒流路201に対向するように同様の冷媒流路が形成されており、上側ケース200aと下側ケース200bとが接続されることで、一体化された一つの冷媒流路が形成される。なお、一体化された冷媒流路も図1に示すように符号201で表すことにする。
図3に示すように、上側ケース200aの流路形成部202には、半導体モジュール300を冷媒流路201に挿入するための開口部203が複数形成されている。図1に示すように、開口部203から半導体モジュール300を挿入すると、半導体モジュール300に設けられたシール部材204によって、半導体モジュール300と開口部203との隙間が封止される。その結果、冷媒流路201が密閉される。図4の収容空間205には、コンデンサー31が収納される。
図5は、本実施の形態における冷媒流路201の断面形状の一例を説明する図である。図5は、図4のA1−A1断面を示したものであって、冷媒流路201の半導体モジュール300が挿入される部分(挿入部B)の断面図である。後述するように、半導体モジュール300は、筒状を成すモジュールケース301の内部に半導体素子を収納したものである。本実施の形態では、モジュールケース301の上側にはインバータ回路を構成する上アーム側のIGBT321Uおよび下アーム側のIGBT321Lが収納されている。一方、モジュールケース301の下側には、上アーム側のダイオード322Uおよび下アーム側のダイオード322Lが収納されている。これらの半導体素子等とモジュールケース301との隙間には、モジュールケース301に収納された半導体素子等を固定および絶縁するための封止樹脂331が充填されている。
モジュールケース301の上端部分には、シール部材204が装着されるシール装着部301aが設けられている。上述したように、シール部材204は、シール装着部301aと開口部203の内壁との隙間を封止する。モジュールケース301の外周面であって、冷媒流路201の側壁と対向する外周面(図示左右の外周面)には複数の冷却用フィン343が形成されている。冷媒は冷媒流路201を紙面に垂直な方向に流れるので、冷却用フィン343は、そのような冷媒の流れに対して効果的に熱交換が行えるような形状に設定されている。符号240で示すラインは、上側ケース200aと下側ケース200bとの接続面、すなわち流路形成体200の分割面を示している。
半導体モジュール300は、冷媒流路201の挿入口201aから流路底部201bの方向に挿入される。本実施の形態では、少なくとも半導体モジュール300が挿入される挿入部Bの冷媒流路201の側壁が、以下に説明するようなテーパ面となっている。
先ず、流路形成体200を上側ケース200aと下側ケース200bとに分割する場合、分割面240の上下位置が図5に示すような位置となるように、上側ケース200aおよび下側ケース200bに分割する。すなわち、半導体モジュール300が挿入部Bに挿入された状態において、上下に分かれたIGBT321U,321Lの配置領域とダイオード322U,322Lの配置領域との間(図5の符号Cで示す範囲)に分割面240が位置するように、流路形成体200の分割が設定される。
上側ケース200aの冷媒流路201の側壁は、挿入口201aから挿入方向に遠ざかるほど冷却用フィン343が形成された外周面(後述する放熱ベース344の面)との距離が大きくなるように傾斜したテーパ面211を構成している。一方、下側ケース200bの冷媒流路201の側壁は、挿入口201aから遠ざかるほど冷却用フィン343が形成された外周面との距離が小さくなるように傾斜したテーパ面221を構成している。これらのテーパ面211,221の傾斜は、ダイカスト製法における抜きテーパに起因するものである。図5に示すような冷却用フィン343が形成された半導体モジュール300を冷媒で冷却する場合、冷却用フィン343の部分を流れる冷媒の流速が速い方が、冷却性能が高くなる。そのため、冷却用フィン343の先端と流路側壁との間の隙間(以下では、クリアランス部と呼ぶ)を可能な限り小さくするのが好ましい。
図6は、従来の流路形状の一例(比較例)を示したものである。図6に示す構成では、冷媒流路231は、流路形成体230の上側ケース230aのみに形成されている。冷媒流路231は、上側ケース230aを上下に貫通するように形成されている。図6に示す例では、冷媒流路231の側壁は、挿入口201aから挿入方向に遠ざかるほど冷却用フィン343が形成された外周面との距離が大きくなるように傾斜したテーパ面231aとなっている。もちろん、製造時の抜き方向が逆であれば、冷媒流路231の側壁は、挿入口201aから挿入方向に遠ざかるほど冷却用フィン343が形成された外周面との距離が小さくなるように傾斜したテーパ面となる。冷媒流路231の下側開口は、平板状の下側ケース230bによって塞がれる。この場合、分割面240は、モジュールケース301の冷却用フィン343が形成された外周面よりも、図示下側に位置することになる。
図7は、図5,6に示す冷媒流路201,231の形状、すなわち、テーパ面211,221,231aの形状を比較する図である。なお、図7には、テーパ面211からテーパ面221に切り替わる分割面240も合わせて示した。冷媒流路201,231を比較した場合、図7に示すように分割面240より下側における形状が異なっている。テーパ面221は、挿入口201aから挿入方向に遠ざかるほど冷却用フィン343が形成された外周面との距離が小さくなるようなテーパ面である。一方、テーパ面231aは、挿入口201aから挿入方向に遠ざかるほど冷却用フィン343が形成された外周面との距離が大きくなるようなテーパ面である。
よって、冷媒流路231に比べて冷媒流路201の方が、図7のハッチングを施した三角形Sの面積分だけ流路断面積、すなわち、流路側壁と半導体モジュール300との間のクリアランス部の流路断面積が小さくなる。その結果、冷却用フィン343を流れる冷媒の流速は冷媒流路201の方が速くなり、半導体モジュール300に対する冷却性能の向上を図ることができる。そのため、図5に示す流路形成体200(200a,200b)においては、冷却性能向上のために従来行われていた抜きテーパの追加工を省略することが可能となる。
また、図5に示すようにテーパ面211,221を形成した場合、クリアランス部の流路断面積は分割面240のところで最も大きく、分割面240から遠ざかるにつれて小さくなる。そのため、分割面240を避けて、冷却対象であるIGBT321U,321Lおよびダイオード322U,322Lを配置するのが好ましい。すなわち、半導体モジュール300における半導体素子(IGBT321U,321Lおよびダイオード322U,322L)の配置領域は、半導体モジュール300が挿入部Bに挿入された状態において、テーパ面211,221の境界である分割面240と対向しない領域に設定されるのが好ましい。
図5に示す例では、クリアランス部の形状が分割面240に関してほぼ上下対象に形成されている。そのため、半導体モジュール300とテーパ面211との間の冷媒の流れ方と、半導体モジュール300とテーパ面221との間の冷媒の流れ方とはほぼ同一となる。よって、分割面240の上下に配置された半導体素子の冷却状態はほぼ同一となり、複数の半導体素子に対して偏りのない冷却を行うことができる。このように、本実施の形態では複数の半導体素子に対して偏り無く冷却を行うことが可能となり、冷却状態が悪い半導体素子側に合わせて出力を抑えるというような状況を避けることができる。
一方、図6に示す例では、クリアランス部の流路断面積は図示下側ほど大きいので、IGBT321U,321Lの冷却状態に比べて、ダイオード322U,322Lの冷却状態は悪くなる。
図8、9は、半導体モジュール300の詳細を説明する図である。図8は、半導体モジュール300の外観斜視図である。前述したモジュールケース301は、シール装着部301aが設けられた枠体342の表裏面305に、冷却用フィン343が形成された放熱ベース344を接合したものである。接合には、FSW(Friction Stir Welding)やろう付け等が用いられる。モジュールケース301の上端からは、正極端子311,負極端子312,交流端子313,信号端子314が情報に突出している。
正極端子311は、バッテリからの電流を入出力するための端子である。負極端子312は、バッテリからの電流を入出力するための端子である。交流端子313は、モータへの電流を入出力するための端子である。信号端子314は、ゲートコントロール基板25a,25bに設けられたドライバ回路からの信号を受ける端子である。正極端子311の一部、負極端子312の一部は、封止樹脂331によって封止されている。
図9は、モジュールケース301内に封止される回路体330の分解斜視図である。回路体330には、上述した半導体素子(IGBT321U,321Lおよびダイオード322U,322L)が含まれる。上アーム側のIGBT321Uおよびダイオード322Uは、正極導体板334に保持されている。IGBT321Uおよびダイオード322Uは、はんだ360により正極導体板334に接合される。正極導体板334には正極端子311が形成されている。下アーム側のIGBT321Lおよびダイオード322Lは、はんだ360により第2中間導体板336に保持されている。IGBT321Lおよびダイオード322Lは、はんだ360により第2中間導体板336に接合される。第2中間導体板336には交流端子313が形成されている。
第2中間導体板336に対しては、IGBT321L及びダイオード322Lを介して負極導体板337が対向配置される。負極導体板337には、中間負極端子316が一体に形成されている。中間負極端子316は、はんだ362によって負極端子312に接合される。正極導体板334に対しては、IGBT321U及びダイオード322Uを介して第1中間導体板335が対向配置される。第1中間導体板335は、はんだ361によって第2中間導体板336に接合される。信号端子314の信号は、ボンディングワイヤ363によってIGBT321U,321Lに伝達される。
(変形例)
図10は、図5に示した流路形成体200(200a,200b)の変形例を示す図であり、図5の場合と同様の断面図である。図10に示す半導体モジュール300の場合、モジュールケース301内の中央部分に、半導体素子(IGBT321U,321Lおよびダイオード322U,322L)が配置されている。
図10は、図5に示した流路形成体200(200a,200b)の変形例を示す図であり、図5の場合と同様の断面図である。図10に示す半導体モジュール300の場合、モジュールケース301内の中央部分に、半導体素子(IGBT321U,321Lおよびダイオード322U,322L)が配置されている。
図11は、図10の半導体モジュール300の回路体330を示す分解斜視図である。図11に示す回路体330においては、正極導体板334の上下方向の中央領域に、上アーム側の半導体素子であるIGBT321Uおよびダイオード322Uが保持されている。同様に、第2中間導体板336の上下方向の中央領域に、下アーム側の半導体素子であるIGBT321Lおよびダイオード322Lが保持されている。その他の構成は、図9に示した回路体330と同様である。
図10に示す流路形成体210は、上側ケース…210aと、下側ケース210bと、下蓋210cとから成る。流路形成体210には、半導体モジュール300が挿入され、挿入された半導体モジュール300を冷却する冷媒流路224が形成されている。流路形成体210の場合には、下側ケース210bの下部に下蓋210cが固定されることで、冷媒流路224の下側開口が閉じられる。そのため、下蓋210cの上面が流路底部211bを構成している。上側ケース210aの流路側壁は、挿入口211aから遠ざかるほど冷却用フィン343が形成された外周面との距離が小さくなるように傾斜したテーパ面213となっている。下側ケース210bの流路側壁は、挿入口211aから遠ざかるほど冷却用フィン343が形成された外周面との距離が大きくなるように傾斜したテーパ面223となっている。
上述した図5の流路形成体200の場合、上側ケース200aの抜き方向は図示下側(挿入方向)で、下側ケース200bの抜き方向は図示上側(挿入方向に対して反対方向)である。そのため、上側ケース200aの抜きテーパ(テーパ面211)は下側に拡がるようなテーパとなり、下側ケース200bの抜きテーパ(テーパ面221)は上側に拡がるようなテーパとなる。一方、図10に示す流路形成体210の場合には、上側ケース210aの抜き方向は図示上側(挿入方向に対して反対方向)で、下側ケース210bの抜き方向は図示下側(挿入方向)である。その結果、上側ケース210aの抜きテーパ(テーパ面213)は上側に拡がるようなテーパとなり、下側ケース210bの抜きテーパ(テーパ面223)は下側に拡がるようなテーパとなる。
半導体モジュール300が冷媒流路224に挿入された状態では、モジュールケース301に内蔵された半導体素子(IGBT321U,321Lおよびダイオード322U,322L)は、分割面240と対向する領域に配置されている。変形例の場合には、流路側壁とモジュールケース301との距離は分割面240の部分が最も小さく、分割面240から上下に遠ざかるほど流路側壁とモジュールケース301との距離は大きくなる。その結果、冷媒流速は分割面240の位置で最も速くなり、分割面240の位置において冷却性能が最も高くなる。そのため、変形例のようなテーパ面213,223が設けられている場合には、冷却性能が最も高くなる分割面240と対向する領域に、半導体素子(IGBT321U,321Lおよびダイオード322U,322L)を配置するようにした。
以上説明したように、本実施の形態の電力変換装置では、以下のような作用効果を奏する。
(1)電力変換装置100は、例えば図5に示すように、電力変換用の回路部品である半導体素子(IGBT321U,321Lおよびダイオード322U,322L)が内蔵され、外周面に冷却用フィン343が形成された回路部品封止体である半導体モジュール300と、半導体モジュール300が挿入される挿入口201aを有する冷媒流路201が形成された流路形成体200と、を備える。冷媒流路201の前記外周面と対向する側壁には、挿入口201aから流路底部201bへと順に第1テーパ面(テーパ面211)と第2テーパ面(テーパ面221)とが形成され、第1テーパ面および第2テーパ面の一方であるテーパ面221は、挿入口201aから遠ざかるほど冷却用フィン343が形成された外周面(放熱ベース344の面)との距離が小さくなるように傾斜したテーパ面であり、第1テーパ面および第2テーパ面の他方であるテーパ面211は、挿入口201aから遠ざかるほど外周面との距離が大きくなるように傾斜したテーパ面である。そして、第1テーパ面と第2テーパ面とが接続する境界である分割面240は、外周面の冷却用フィン343が形成された領域に対向している。
(1)電力変換装置100は、例えば図5に示すように、電力変換用の回路部品である半導体素子(IGBT321U,321Lおよびダイオード322U,322L)が内蔵され、外周面に冷却用フィン343が形成された回路部品封止体である半導体モジュール300と、半導体モジュール300が挿入される挿入口201aを有する冷媒流路201が形成された流路形成体200と、を備える。冷媒流路201の前記外周面と対向する側壁には、挿入口201aから流路底部201bへと順に第1テーパ面(テーパ面211)と第2テーパ面(テーパ面221)とが形成され、第1テーパ面および第2テーパ面の一方であるテーパ面221は、挿入口201aから遠ざかるほど冷却用フィン343が形成された外周面(放熱ベース344の面)との距離が小さくなるように傾斜したテーパ面であり、第1テーパ面および第2テーパ面の他方であるテーパ面211は、挿入口201aから遠ざかるほど外周面との距離が大きくなるように傾斜したテーパ面である。そして、第1テーパ面と第2テーパ面とが接続する境界である分割面240は、外周面の冷却用フィン343が形成された領域に対向している。
すなわち、図5に示すように第1テーパ面が挿入口201aから遠ざかるほど外周面との距離が大きくなるテーパ面211の場合には、分割面240の位置から流路底部201bに近づくにつれて(すなわち、挿入口201aから遠ざかるにつれて)、第2テーパ面であるテーパ面221は外周面との距離が小さくなる。一方、図10のように第1テーパ面が挿入口211aから遠ざかるほど外周面との距離が小さくなるテーパ面213の場合には、分割面240の位置から流路底部211bに近づくにつれて(すなわち、挿入口201aから遠ざかるにつれて)、第2テーパ面であるテーパ面223は外周面との距離が大きくなる。その結果、図6のように流路側壁が一つのテーパ面231aから成る場合に比べて、冷媒流路断面積をより小さくすることができる。それにより冷媒流速が速くなるので、従来よりも冷却性能を高めることができる。また、冷却性能向上のために抜きテーパを追加工する必要もない。
(2)図5に示すように、第1テーパ面が挿入口201aから遠ざかるほど外周面との距離が大きくなるように傾斜したテーパ面211であり、第2テーパ面が挿入口201aから遠ざかるほど外周面との距離が小さくなるように傾斜したテーパ面221である場合には、回路部品封止体である半導体モジュール300における回路部品としての半導体素子の配置領域は、半導体モジュール300が挿入部Bに挿入された状態において境界(分割面240)と対向しない領域に設定するのが好ましい。この場合、分割面240から遠ざかるほど外周面と冷媒流路の側壁との距離が小さくなって、冷媒の流速は分割面240から遠ざかるほど速くなる。その結果、分割面240から遠ざかるほど冷却性能が高くなるので、回路部品の配置領域を分割面240と対向しない領域に設定するのが良い。
(3)さらに、回路部品封止体である半導体モジュール300に複数の半導体素子(回路部品)が内蔵される場合に、図5のように、複数の半導体素子の少なくとも一つを第1テーパ面であるテーパ面211と対向する配置領域に配置し、その他の半導体素子を第2テーパ面であるテーパ面221と対向する配置領域に配置するのが好ましい。このような構成とすることで、複数の半導体素子に対する冷却状態の偏りを防止することができる。
(4)また、図10に示すように、第1テーパ面が挿入口211aから遠ざかるほど外周面との距離が小さくなるように傾斜したテーパ面213であり、第2テーパ面が挿入口211aから遠ざかるほど外周面との距離が大きくなるように傾斜したテーパ面223である場合には、回路部品封止体である半導体モジュール300における回路部品(半導体素子)の配置領域は、半導体モジュール300が挿入口211aに挿入された状態において側壁の境界である分割面240と対向する領域に設定されるのが好ましい。この場合、分割面240から遠ざかるほど外周面と冷媒流路の側壁との距離が大きくなって、冷媒の流速は分割面240から遠ざかるほど遅くなる。その結果、分割面240から遠ざかるほど冷却性能が低下するので、回路部品の配置領域を冷却性能の最も高い分割面240と対向する領域に設定されるのが良い。
(5)さらに、図5に示すように、流路形成体200を第1テーパ面(テーパ面211)が形成された第1流路形成体部である上側ケース200aと、第2テーパ面(テーパ面221)が形成された第2流路形成体部である下側ケース200bとに分割するのが好ましい。このように流路形成体200を分割することで、製造時の抜きテーパを、容易にテーパ面211およびテーパ面221のようにすることができる。
上記では、種々の実施の形態および変形例を説明したが、本発明はこれらの内容に限定されるものではない。本発明の技術的思想の範囲内で考えられるその他の態様も本発明の範囲内に含まれる。例えば、上述した実施形態では、回路部品封止体に内蔵する回路部品を半導体素子(IGBT321U,321Lおよびダイオード322U,322L)としたが、例えば、キャパシタやリアクトル等を回路部品として内蔵するような場合にも本発明は適用できる。
100…電力変換装置、200,210,230…流路形成体、200a,210a…上側ケース、200b,210b…下側ケース、201,224,231…冷媒流路、201a,211a…挿入口、201b,211b…流路底部、211,213,221,223,231a…テーパ面、240…分割面、300…半導体モジュール、301…モジュールケース、321L,321U…IGBT、322L,322U…ダイオード
Claims (5)
- 電力変換用の回路部品が内蔵され、外周面に冷却フィンが形成された回路部品封止体と、
前記回路部品封止体が挿入される挿入口を有する冷媒流路が形成された流路形成体と、を備え、
前記冷媒流路の前記外周面と対向する側壁には、前記挿入口から流路底部へと順に第1テーパ面と第2テーパ面とが形成され、
前記第1テーパ面および第2テーパ面の一方は、前記挿入口から遠ざかるほど前記外周面との距離が小さくなるように傾斜したテーパ面であり、
前記第1テーパ面および第2テーパ面の他方は、前記挿入口から遠ざかるほど前記外周面との距離が大きくなるように傾斜したテーパ面であり、
前記第1テーパ面と前記第2テーパ面とが接続する境界は、前記外周面の前記冷却フィンが形成された領域に対向している、電力変換装置。 - 請求項1に記載の電力変換装置において、
前記第1テーパ面は前記挿入口から遠ざかるほど前記外周面との距離が大きくなるように傾斜したテーパ面であり、
前記第2テーパ面は前記挿入口から遠ざかるほど前記外周面との距離が小さくなるように傾斜したテーパ面であり、
前記回路部品封止体における前記回路部品の配置領域は、前記回路部品封止体が前記挿口に挿入された状態において前記境界と対向しない領域に設定されている、電力変換装置。 - 請求項2に記載の電力変換装置において、
前記回路部品封止体には複数の回路部品が内蔵され、
前記複数の回路部品の少なくとも一つは前記第1テーパ面と対向する前記配置領域に配置され、その他の回路部品は前記第2テーパ面と対向する前記配置領域に配置される、電力変換装置。 - 請求項1に記載の電力変換装置において、
前記第1テーパ面は前記挿入口から遠ざかるほど前記外周面との距離が小さくなるように傾斜したテーパ面であり、
前記第2テーパ面は前記挿入口から遠ざかるほど前記外周面との距離が大きくなるように傾斜したテーパ面であり、
前記回路部品封止体における前記回路部品の配置領域は、前記回路部品封止体が前記挿入口に挿入された状態において前記側壁の前記境界と対向する領域に設定されている、電力変換装置。 - 請求項2乃至4のいずれか一項に記載の電力変換装置において、
前記流路形成体は、前記第1テーパ面が形成された第1流路形成体部と、前記第2テーパ面が形成された第2流路形成体部とに分割されている、電力変換装置。
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