JP2016526794A - 多層バリスタデバイスの製造方法および多層バリスタデバイス - Google Patents
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Abstract
Description
2 : 表面パッシベーション部
3 : 内部電極
4 : 銅電極層
5 : さらなる電極層
6 : 外側の電極層
7,8 : 端面
9 : バリスタ層
10 : 外部電極
100 : 多層バリスタデバイス
Claims (14)
- 多層バリスタデバイス(100)を製造するための方法であって、
前記多層バリスタデバイス(100)用の、複数の内部電極(3)を備えた基体(1)を準備するステップと、
前記基体(1)に1つの銅電極層(4)用の出発材料を、当該出発材料が少なくとも1つの内部電極(3)と直接結合するように設けるステップと、
前記銅電極層(4)を形成するために、前記出発材料を1つの保護ガス雰囲気下で熱処理するステップと、
前記多層バリスタデバイス(100)を完成するステップと、
を備えることを特徴とする方法。 - 前記基体(1)が前記熱処理の際に前記保護ガスに曝露され、前記基体(1)は1つの表面パッシベーション部(2)を備え、
前記表面パッシベーション部は、前記出発材料の前記熱処理の際に、前記保護ガスの前記基体(1)への拡散に対する拡散バリヤとして機能する、
ことを特徴とする、請求項1に記載の方法。 - 前記出発材料は、銅を含有するペーストであり、前記熱処理によって脱炭され、あるいは前記基体(1)内で焼成されることを特徴とする、請求項1または2に記載の方法。
- 前記出発材料は570℃より低い温度で熱処理されることを特徴とする、請求項1乃至3のいずれか1項に記載の方法。
- 前記出発材料は400℃より高い温度で熱処理されることを特徴とする、請求項1乃至4のいずれか1項に記載の方法。
- 前記保護ガスは窒素または希ガスを含むことを特徴とする、請求項1乃至5のいずれか1項に記載の方法。
- 前記保護ガス雰囲気は、300ppm未満の酸素成分を含むことを特徴とする、請求項1乃至6のいずれか1項に記載の方法。
- 前記熱処理の後に前記銅電極層(4)上に、当該銅電極層(4)と共に前記多層バリスタデバイス(100)の1つの外部電極(10)を形成するために、少なくとももう1つの電極層(5)が堆積されることを特徴とする、請求項1乃至7のいずれか1項に記載の方法。
- 1つの銅電極層(4)を有する1つの領域を備えた1つの外部電極(10)を有する多層バリスタデバイス(100)であって、
前記銅電極層(4)は、前記多層バリスタデバイス(100)の複数の内部電極(3)と直接電気的に導通して結合されており、
前記銅電極層(4)は、0.1原子%未満の酸素を含む、
ことを特徴とする多層バリスタデバイス。 - 1つの表面パッシベーション部(2)を備え、当該表面パッシベーション部は、前記銅電極層(4)が前記内部電極(複数)(3)と直接電気的に導通して結合されている1つの領域で途切れていることを特徴とする、請求項9に記載の多層バリスタデバイス。
- 前記多層バリスタデバイス(100)のバリスタ電圧と、前記銅電極層が銀電極層に置き換えられている1つの比較デバイスのバリスタ電圧との差は、約10%であるかまたはこれより小さくなっていることを特徴とする、請求項9または10に記載の多層バリスタデバイス。
- 前記多層バリスタデバイス(100)のバリスタ電流と、前記銅電極層が銀電極層に置き換えられている1つの比較デバイスのバリスタ電流との差は、他の条件が同じ場合、約20 %であるかまたはこれより小さくなっていることを特徴とする、請求項9乃至11のいずれか1項に記載の多層バリスタデバイス。
- 前記外部電極は、たとえば1つのNi層を含む1つの領域(5)を備えることを特徴とする、請求項9乃至12のいずれか1項に記載の多層バリスタデバイス。
- 前記外部電極は、たとえば1つのSn層を含む1つの領域(6)を備えることを特徴とする、請求項9乃至13のいずれか1項に記載の多層バリスタデバイス。
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