JP2016526283A

JP2016526283A - 可変磁束密度構成要素によって同調可能なインダクタ

Info

Publication number: JP2016526283A
Application number: JP2016512915A
Authority: JP
Inventors: デイク・ディー・キム; カンホ・イ; デイヴィッド・エフ・ベルディ; マリオ・フランシスコ・ヴェレズ; ジョンヘ・キム; ジェ−シュン・ラン; チャンハン・ユン; ニランジャン・スニル・ムダカッテ; ロバート・ピー・ミクルカ
Original assignee: クアルコム，インコーポレイテッド
Priority date: 2013-05-06
Filing date: 2014-04-22
Publication date: 2016-09-01
Anticipated expiration: 2034-04-22
Also published as: CN105190798A; JP6339667B2; CN105190798B; US20140327508A1; EP2994924A1; WO2014182444A1

Abstract

可変磁束密度構成要素によって同調可能なインダクタを開示する。特定のデバイスがインダクタを備える。このデバイスは、インダクタに電流が印加されたときにインダクタの磁界に作用するように位置付けされた可変磁束密度構成要素（ＶＭＦＤＣ）をさらに含む。

Description

関連技術の相互参照
本出願は、その内容全体が参照により本明細書に明確に組み込まれる、２０１３年５月６日に出願された、本願の譲受人が所有する米国非仮特許出願第１３／８８７，６３３号の優先権を主張する。

本開示は、可変磁束密度構成要素によって同調可能なインダクタに関する。

技術の進歩はより小型でより強力なコンピューティングデバイスをもたらした。たとえば現在、小型で、軽量で、ユーザが持ち運び容易な携帯型ワイヤレス電話機、携帯情報端末（ＰＤＡ）、およびページングデバイスなどのワイヤレスコンピューティングデバイスを含めて、様々な携帯型パーソナルコンピューティングデバイスが存在する。より具体的には、セルラー電話機やインターネットプロトコル（ＩＰ）電話機などの携帯型ワイヤレス電話機はワイヤレスネットワーク上で音声およびデータパケットを通信できる。さらに、多くのそのようなワイヤレス電話機はその内部に組み込まれる他の種類のデバイスを含む。たとえばワイヤレス電話機はデジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルレコーダ、およびオーディオファイルプレーヤをも含み得る。またそのようなワイヤレス電話機は、インターネットにアクセスするために使用できる、ウェブブラウザアプリケーションなどのソフトウェアアプリケーションを含む、実行可能命令を処理できる。これらのワイヤレス電話はかなりの計算能力を含み得る。

電子デバイスは、所望の機能を実現するための複数のインダクタを使用してよい。たとえば、モバイルフォンは、（たとえば、モバイルフォンが第１の通信チャネルを使用して送信を行うときに）インダクタを使用してモバイルフォンの回路とモバイルフォンのアンテナとの間のインピーダンス整合を容易にすることができる。モバイルフォンは、（たとえば、モバイルフォンが第２の通信チャネルを使用するときに）第２のインダクタを使用して回路とアンテナとの間のインピーダンス整合を容易にしてよい。電子デバイスにおいて複数のインダクタを使用すると必要な面積およびコストが増大する。

本開示は、インダクタと可変磁束密度構成要素（ＶＭＦＤＣ）とを含むシステムの実施形態を提供する。ＶＭＦＤＣは、インダクタの実効インダクタンスを制御し、インダクタを可変インダクタンスデバイスとして動作させることができる。ＶＭＦＤＣは、たとえば、制御可能な磁性粒子または選択的に構成可能なセルを含む磁気アレイを含んでよい。電子デバイス（たとえば、モバイルフォン）は、複数の個別のインダクタを使用して複数のインダクタンス値を実現するデバイスと比較して、より少ないインダクタを使用して所望の機能（たとえば、複数のインダクタンス値）を実現することができる。したがって、電子デバイスにおいてインダクタによって使用される面積を狭くすることができる。

特定の実施形態では、方法は、密封されたエンクロージャ内の磁性粒子の動きを選択的に制御してインダクタの第１の磁界を修正することを含む。第１の磁界を修正すると、インダクタの実効インダクタンスが変化する。

別の特定の実施形態では、方法は、磁気アレイの少なくとも１つのセルをインダクタの第１の磁界を制御するように選択的に構成することを含む。

別の特定の実施形態では、デバイスは、インダクタと、インダクタに電流が印加されたときにインダクタの磁界に作用するように位置付けられた可変磁束密度構成要素（ＶＭＦＤＣ）とを含む。ＶＭＦＤＣは、密封されたエンクロージャ内の磁性粒子を含むインダクタンス制御構成要素を含む。

別の特定の実施形態では、デバイスは、インダクタと、インダクタに電流が印加されたときにインダクタの磁界に作用するように位置付けられた可変磁束密度構成要素（ＶＭＦＤＣ）とを含む。ＶＭＦＤＣは磁気アレイを含む。

特定の実施形態では、方法は、密封されたエンクロージャ内の磁性粒子の動きを選択的に制御してインダクタの磁界を修正するための第１のステップを含む。この方法は、インダクタに電流を印加するための第２のステップをさらに含む。インダクタは、電流に応答して磁界を生成する。

別の特定の実施形態では、方法は、磁気アレイの少なくとも１つのセルをインダクタの磁界を制御するように構成するための第１のステップを含む。この方法は、インダクタに電流を印加するための第２のステップをさらに含む。インダクタは、電流に応答して磁界を生成する。

別の特定の実施形態では、デバイスは、エネルギーを蓄積するための手段を含む。デバイスは、制御信号に応答して、エネルギーを蓄積するための手段に電流が印加されたときにエネルギーを蓄積するための手段の磁界に制御可能に作用するための手段をさらに含む。制御可能に作用するための手段は、密封されたエンクロージャ内の磁性粒子の動きを制御するための手段を含む。

別の特定の実施形態では、デバイスは、エネルギーを蓄積するための手段を含む。デバイスは、制御信号に応答して、エネルギーを蓄積するための手段に電流が印加されたときにエネルギーを蓄積するための手段の磁界に制御可能に作用するための手段をさらに含む。制御可能に作用するための手段は、磁気アレイを制御するための手段を含む。

別の特定の実施形態では、非一時的コンピュータ可読媒体は、プロセッサによって実行されたときに、プロセッサに、密封されたエンクロージャ内の磁性粒子の動きを選択的に制御してインダクタの磁界を修正させる命令を含む。

別の特定の実施形態では、非一時的コンピュータ可読媒体は、プロセッサによって実行されたときに、プロセッサに、磁気アレイの少なくとも１つのセルをインダクタの磁界を制御するように選択的に構成させる命令を含む。

別の特定の実施形態では、方法は、半導体デバイスに対応する設計情報を含むデータファイルを受信することを含む。この方法は、設計情報に従って半導体デバイスを製造することをさらに含む。半導体デバイスはインダクタを備える。半導体デバイスは、インダクタに電流が印加されたときにインダクタの磁界に作用するように位置付けされたＶＭＦＤＣをさらに含む。ＶＭＦＤＣは、密封されたエンクロージャ内の磁性粒子を含むインダクタンス制御構成要素を含む。

別の特定の実施形態では、方法は、半導体デバイスに対応する設計情報を含むデータファイルを受信することを含む。この方法は、設計情報に従って半導体デバイスを製造することをさらに含む。半導体デバイスはインダクタを備える。半導体デバイスは、インダクタに電流が印加されたときにインダクタの磁界に作用するように位置付けされたＶＭＦＤＣをさらに含む。ＶＭＦＤＣは磁気アレイを含む。

開示される実装形態のうちの少なくとも１つによって実現される１つの特定の利点は、インダクタと可変磁束密度構成要素とを含むデバイスが、複数の個別のインダクタを使用して複数のインダクタンス値を実現するシステムと比較して、より少ないインダクタを使用して所望の機能（たとえば、複数のインダクタンス値）を実現できることである。したがって、デバイスにおいてインダクタによって使用される面積を狭くすることができる。

本開示の他の態様、利点、および特徴は、以下のセクション、すなわち、図面の簡単な説明、発明を実施するための形態、および特許請求の範囲を含む、本出願全体の検討後に明らかになろう。

インダクタと２つの可変磁束密度構成要素とを含む構造の特定の実施形態を示す図である。インダクタとインダクタンス制御構成要素とを含み、インダクタンス制御構成要素が第１の形態を有する構造の特定の実施形態の上面図である。インダクタンス制御構成要素が第１の形態を有する、図２の構造の側面図である。インダクタンス制御構成要素が第２の形態を有する、図２の構造の側面図である。インダクタと磁気アレイとを含み、第１のセルが第２の形態を有する構造の特定の実施形態の上面図である。第１のセルが第１の形態を有する、図５の構造の側面図である。第１のセルが第２の形態を有する、図５の構造の側面図である。インダクタの磁界を修正する方法の特定の例示的な実施形態のフローチャートである。インダクタの磁界を制御する方法の特定の例示的な実施形態のフローチャートである。インダクタと可変磁束密度構成要素とを含む通信デバイスのブロック図である。インダクタと可変磁束密度構成要素とを含む電子デバイスを製造するための製造プロセスのある特定の例示的な実施形態のデータ流れ図である。

図１を参照すると、システム１００の特定の例示的な実施形態が示されている。システム１００は、電子デバイス１１６と、インダクタ１０２（たとえば、平面状スパイラルインダクタまたは多層パワーインダクタ）と、少なくとも１つの可変磁束密度構成要素（ＶＭＦＤＣ）（たとえば、制御信号に応答して磁界を選択的に調整するように構成されてよい構成要素）（第１のＶＭＦＤＣ１０４など）と、コントローラ１０８と、アンテナ１１４とを含む。コントローラ１０８は、メモリ１１２に結合されたプロセッサ１１０を含んでもよい。インダクタ１０２は、アンテナ１１４が特定の通信チャネル上での通信に使用されるときにアンテナ１１４と電子デバイス１１６の別の回路または構成要素（コントローラ１０８など）との間のインピーダンス整合を容易にするために使用されてよい。インダクタ１０２は、マルチバンド電圧制御発振器（ＶＣＯ）の共振回路（ＬＣ回路）の一部またはモバイルフォンの無線周波数（ＲＦ）段における別の回路の一部であってよい。特定の実施形態では、インダクタ１０２は回路板の一部として含まれ、少なくとも１つのＶＭＦＤＣが回路板に結合または固定される（たとえば、１本または複数のねじを使用して締結される）。

特定の実施形態では、第１のＶＭＦＤＣ１０４は、インダクタ１０２に電流が印加されたときにインダクタ１０２の磁界（たとえば、第１の磁界）に作用するように位置付けられる。第１のＶＭＦＤＣ１０４は、インダクタ１０２の磁界を横断するように（たとえば、横切って）位置付けられてよく、インダクタ１０２の第１の側に配設されてよい。第１のＶＭＦＤＣ１０４は、特定の位置における磁界の強度を変化させることによって磁界に作用することのできる構成要素であってよい。プロセッサ１１０は、第１のＶＭＦＤＣ１０４に制御信号を印加することによって、メモリ１１２から受信された命令に応じて第１のＶＭＦＤＣ１０４の構成を調整するように構成されてよい。第１のＶＭＦＤＣ１０４が第１の形態であるとき、第１のＶＭＦＤＣ１０４はインダクタ１０２の磁界に（第１の方法で）作用し、インダクタ１０２の第１の実効インダクタンスを生成することができる。第１のＶＭＦＤＣ１０４が第２の形態であるとき、第１のＶＭＦＤＣ１０４はインダクタ１０２の磁界に（第２の方法で）作用し、インダクタ１０２の第２の実効インダクタンスを生成することができる。第２の実効インダクタンスは第１の実効インダクタンスとは異なる。その結果、第１のＶＭＦＤＣ１０４が第１の形態であるとき、インダクタ１０２は、アンテナ１１４が第１の通信チャネル上での（たとえば、第１の周波数範囲内での）通信に使用されるときにコントローラ１０８とアンテナ１１４との間のインピーダンス整合を容易にするのに使用されてよい。第１のＶＭＦＤＣ１０４が第２の形態であるとき、インダクタ１０２は、アンテナ１１４が第２の通信チャネル上での（たとえば、第１の周波数範囲とは異なる第２の周波数範囲内での）通信に使用されるときにコントローラ１０８とアンテナ１１４との間のインピーダンス整合を容易にするのに使用されてよい。システム１００では、ＶＭＦＤＣがインダクタの実効インダクタンスを増大させることがあることに起因してＶＭＦＤＣを使用しないシステムと比較して小形のインダクタが使用されてよい。

追加の実効インダクタンス値を生成するために第１のＶＭＦＤＣ１０４のさらなる構成が使用されてよい。電子デバイス１１６は、インダクタ１０２に電流が印加されたときにインダクタ１０２の磁界に作用するように位置付けされた第２のＶＭＦＤＣ１０６をさらに含んでよい。第２のＶＭＦＤＣ１０６は、インダクタ１０２の磁界を横断するように位置付けられてよく、インダクタ１０２において第１のＶＭＦＤＣ１０４と反対側に配設されてよい。第２のＶＭＦＤＣ１０６は、第１のＶＭＦＤＣ１０４とともに動作させられても、または第１のＶＭＦＤＣ１０４とは別個に動作させられてもよい。特定の実施形態では、第２のＶＭＦＤＣ１０６が第１のＶＭＦＤＣ１０４とともに動作させられるとき、電子デバイス１１６は、第１のＶＭＦＤＣ１０４または第２のＶＭＦＤＣ１０６が別個に作用することによって生成する実効インダクタンスよりも大きい実効インダクタンスをインダクタ１０２から生成するように構成されてよい。図１には２つのＶＭＦＤＣ（１０４、１０６）が示されているが、電子デバイス１１６は１つのＶＭＦＤＣを含んでもまたは２つ以上のＶＭＦＤＣを含んでもよい。

特定の実施形態では、１つまたは複数のインダクタパラメータが（たとえば、プロセッサ１１０によって）選択されてよい。インダクタ１０２の磁界は、（たとえば、プロセッサ１１０からの制御信号に応答して）１つまたは複数のインダクタパラメータに基づいて修正されてよい。特定の実施形態では、回路（たとえば、コントローラ１０８）が、アンテナ１１４に接続されてよい。（たとえば、第１のＶＭＦＤＣ１０４、第２のＶＭＦＤＣ１０６、またはその両方の構成を調整することによって）インダクタ１０２の磁界に作用すると、アンテナ１１４と回路との間のインピーダンス整合が容易になる。特定の実装形態では、インダクタ１０２は、回路と複数の別々のアンテナとの間のインピーダンス整合を容易にするのに使用されてよい。特定の実施形態では、システム１００またはシステム１００の各部（インダクタ１０２、第１のＶＭＦＤＣ１０４、第２のＶＭＦＤＣ１０６、またはそれらの組合せなど）が少なくとも１つの半導体ダイに集積されてよい。

システム１００を内蔵したデバイスは、インダクタ１０２を可変インダクタンスインダクタとして使用してデバイスの１つまたは複数の回路（たとえば、コントローラ１０８）に複数のインダクタンス値を与えるように構成されてよい。したがって、デバイスは、複数の個別のインダクタを使用して複数のインダクタンス値を実現するシステムと比較して、より少ないインダクタを使用して所望の機能（たとえば、複数のインダクタンス値）を実現することができる。したがって、インダクタによって使用されるデバイスの面積を狭くすることができる。特定の実施形態では、第１のＶＭＦＤＣ１０４および第２のＶＭＦＤＣ１０６は、インダクタ１０２を含む回路板に結合または固定される。回路板では、第１のＶＭＦＤＣ１０４および第２のＶＭＦＤＣ１０６に結合されることもまたは固定されることもない回路板と比較して、インダクタによって使用される面積を狭くすることができる。

図２を参照すると、システム２００の特定の例示的な実施形態が示されている。システム２００は、インダクタ２０２（たとえば、平面状スパイラルインダクタまたは多層パワーインダクタ）とインダクタンス制御構成要素２０４とを含む。インダクタ２０２は、図１のインダクタ１０２に対応し得る。インダクタンス制御構成要素２０４は、図１の第１の可変磁束密度構成要素（ＶＭＦＤＣ）１０４または第２のＶＭＦＤＣ１０６に対応し得る。特定の実施形態では、インダクタ２０２は回路板の一部として含まれ、インダクタンス制御構成要素２０４は、回路板に結合または固定される（たとえば、１本または複数のねじを使用して締結される）。

特定の実施形態では、インダクタ２０２は、第１のインダクタ端子２２０と第２のインダクタ端子２２２とを含む。第１のインダクタ端子２２０および第２のインダクタ端子２２２は、インダクタ２０２に電流を印加するのに使用されてよい。インダクタ２０２に電流が印加されると、インダクタ２０２は磁界（たとえば、第１の磁界）を生成する。

特定の実施形態では、インダクタンス制御構成要素２０４は、（図３および図４に示すように）インダクタ２０２によって生成される磁界を横断するように（たとえば、横切って）位置付けられる。特定の実施形態では、インダクタンス制御構成要素２０４は、第１の電極２０６と第２の電極２０８とを含む。インダクタンス制御構成要素２０４は、密封されたエンクロージャ２１４（たとえば、磁性粒子がエンクロージャから漏れるのを防止するエンクロージャ）内に配設された磁性粒子をさらに含んでよい。磁性粒子は、磁性粒子の動きを可能にするかまたは許容するゲルまたは流体内に配設されてよい。磁性粒子はイオン化されてよい。磁性粒子は、イオン化されたナノ粒子２１０とシェル粒子２１２とを含んでよい。特定の実施形態では、イオン化されたナノ粒子２１０は、ナノスケールＦｅ_３Ｏ_４コアを含み、シェル粒子２１２はＳｉＯ_２シェルを含む。ナノスケールＦｅ_３Ｏ_４コアのサイズは、約１０ｎｍであってもまたは約１０ｎｍよりも小さくてもよい。ＳｉＯ_２シェルのサイズは、約１０ｎｍから約１００ｎｍの範囲であってよい。

特定の実施形態では、インダクタ２０２に近接する磁性粒子の密度は、インダクタ２０２の磁界を調整するように制御可能である。インダクタンス制御構成要素２０４は、第１の電極入力２１６に結合された第１の電極２０６と、第２の電極入力２１８に結合された第２の電極２０８とを含んでよい。第１の電極入力２１６および第２の電極入力２１８を介して第１の電極２０６と第２の電極２０８との間に電位が印加されてよい。この電位によって、磁性粒子は電極に対してインダクタ２０２の磁界（たとえば、第１の磁界）を横断する方向に移動することができ、磁性粒子が特定の形態に（たとえば、一方の電極よりも他方の電極の近くに）配置される。

特定の実施形態では、磁性粒子は、特定の形態に整列されるときに、粒子が強磁性コアと同様に作用するようにインダクタ２０２の磁界に揃えられ得る。インダクタ２０２の磁界の磁界密度を、インダクタ２０２の実効インダクタンスを増大させるように磁性粒子の位置に集中させてよい。特定の実施形態では、磁性粒子は、第１の形態に配置されたときに（たとえば、図２に示すようにインダクタ２０２の中心に配置されたときに）、インダクタ２０２の磁界を第１の量だけ調整する。磁性粒子は、第２の形態に配置されたときに（たとえば、図４に示すように、第２の電極２０８の近くなど、インダクタ２０２の中心から離れた位置に配置されたときに）、インダクタ２０２の磁界を第２の量だけ調整する。第１の量は第２の量とは異なる。インダクタ２０２の磁界が第１の形態の磁性粒子によって調整されると、インダクタ２０２は第１の実効インダクタンスを生成することができる。インダクタ２０２の磁界が第２の形態の磁性粒子によって調整されると、インダクタ２０２は第１の実効インダクタンスとは異なる第２の実効インダクタンスを生成することができる。第１の形態は、インダクタ２０２の下方の特定の領域においてより高い磁性粒子密度を有してよく、第２の形態よりも高い実効インダクタンスを生成してよい。磁性粒子は、第１の電極２０６と第２の電極２０８との間に印加される電位を変更することによって第１の形態と第２の形態との間で切り替えられてよい。たとえば、第１の電極２０６と第２の電極２０８との間に電位を印加しないかまたは第１の電極２０６と第２の電極２０８との間に印加される電位の大きさを増減させることによって、他の形態が実現されてもよい。磁性粒子は、インダクタンス制御構成要素２０４内の渦電流を抑制するほど小さくてよい。渦電流は、特に高周波数において、磁性デバイス内でエネルギーを熱として散逸させることができる。したがって、磁性粒子を使用するデバイスは、より大きい磁性粒子を使用するデバイスまたはより高い密度に配列された磁性粒子を使用するデバイスと比較してより低い熱負荷を有し得る。

図３を参照すると、システム３００の特定の例示的な実施形態が示されている。インダクタ３００は、側面からみた図２のシステム２００に対応し得る。インダクタ２０２に電流が印加されると、インダクタ２０２は磁界を生成する。磁界線３３０は、インダクタンス制御構成要素２０４によって調整されるかまたはインダクタンス制御構成要素２０４の作用を受けた、インダクタ２０２の磁界の形状およびインダクタ２０２の磁界の相対密度を示す。磁界線３３０は、一定の縮尺では描かれておらず、例示のために使用されている。インダクタ２０２の磁界は、図３に示す磁界とは異なってよい。

図３に示す実装形態では、インダクタンス制御構成要素２０４の磁性粒子（たとえば、イオン化されたナノ粒子２１０およびシェル粒子２１２）は第１の形態に配置される。磁性粒子は、第１の形態に配置されたときに、インダクタ２０２の磁界を第１の量だけ調整するかまたはインダクタ２０２の磁界に第１の量だけ作用する。インダクタ２０２の磁界が第１の量だけ調整されるかまたは作用を受けると、磁界密度は、図４に関して説明するように、インダクタ２０２の磁界が第２の量だけ調整されるときと比較して、特定の領域３３２においてより高くなり得る。

図４を参照すると、システム４００の特定の実施形態が示されている。システム４００は、インダクタンス制御構成要素２０４が第２の形態である、側面からみた図２のシステム２００に対応し得る。磁界線３３０は、図３の磁界線３３０に対応し得、インダクタンス制御構成要素２０４によって調整されるかまたはインダクタンス制御構成要素２０４の作用を受けた、インダクタ２０２の磁界の形状およびインダクタ２０２の磁界の相対密度を示す。磁界線３３０は、一定の縮尺では描かれておらず、例示のために使用されている。インダクタ２０２の磁界は、図４に示す磁界とは異なってよい。

磁性粒子は、第２の形態に配置されたときに（図４におけるように）、インダクタ２０２の磁界を第２の量だけ調整するかまたはインダクタ２０２の磁界に第２の量だけ作用する。インダクタ２０２の磁界が第２の量だけ調整されるかまたは作用を受けると、磁界密度は、（図３の特定の領域３３２によって示されるように）インダクタ２０２の磁界が第１の量だけ調整されるときと比較して、特定の領域３３２においてより低くなり得る。たとえば、磁性粒子は、図３の磁界線３３０を図４の磁界線３３０と比較することによってわかるように、磁界線３３０を湾曲させるかまたは磁性粒子の方へ向かう方向により集中させることができる。

図２〜図４のシステム２００、３００、および４００を内蔵したデバイスは、インダクタ２０２を可変インダクタンスインダクタとして使用してデバイスの１つまたは複数の回路に複数のインダクタンス値を与えるように構成されてよい。したがって、デバイスは、複数の個別の固定値インダクタを使用して複数のインダクタンス値を実現するシステムと比較して、より少ないインダクタを使用して所望の機能（たとえば、複数のインダクタンス値）を実現することができる。したがって、インダクタによって使用されるデバイスの面積を狭くすることができる。

図５を参照すると、システム５００の特定の例示的な実施形態が示されている。システム５００は、インダクタ５０２（たとえば、平面状スパイラルインダクタまたは多層パワーインダクタ）と磁気アレイ５０４とを含む。インダクタ５０２は、図１のインダクタ１０２に対応し得る。磁気アレイ５０４は、図１の第１の可変磁束密度構成要素（ＶＭＦＤＣ）１０４または第２のＶＭＦＤＣ１０６に対応し得る。特定の実施形態では、インダクタ５０２は回路板の一部として含まれ、磁気アレイ５０４は、回路板に結合または固定される（たとえば、１本または複数のねじを使用して締結される）。別の実施形態では、インダクタ５０２と磁気アレイ５０４は、同じ集積回路パッケージのそれぞれ異なる層上に配設される。

特定の実施形態では、インダクタ５０２は、第１のインダクタ端子５２０と第２のインダクタ端子５２２とを含む。第１のインダクタ端子５２０および第２のインダクタ端子５２２は、インダクタ５０２に電流を印加するのに使用されてよい。インダクタ５０２に電流が印加されると、インダクタ５０２は磁界（たとえば、第１の磁界）を生成することができる。

特定の実施形態では、磁気アレイ５０４は、（図６および図７に示すように）インダクタ５０２の磁界を横断するように（たとえば、横切って）位置付けられる。特定の実施形態では、磁気アレイ５０４は、複数のセル（たとえば、第１のセル５０６および第２のセル５０８）を含む。図５には１６個のセルが示されているが、システム５００は、１６個よりも多いセルまたは１６個よりも少ないセルを含んでよい。磁気アレイ５０４の各セルは、セルに印加される電流に基づいて、磁気アレイ５０４の他のセルとは独立に、第１の形態と第２の形態との間で切替え可能になるように構成されてよい。磁気アレイ５０４の各セルは、磁気トンネル接合（ＭＴＪ）デバイスを含むことができる。特定の実施形態では、磁気アレイ５０４は、スピン転送トルク（ＳＴＴ）磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）アレイを含む。

磁気アレイ５０４の少なくとも１つのセル（たとえば、第２のセル５０８）が（図５に白丸で示されている）第１の形態を有するとき、少なくとも１つのセルの磁界（たとえば、第２の磁界）をインダクタ５０２の磁界（たとえば、第１の磁界）に揃えることができ、磁気アレイ５０４の第１の集合磁界（たとえば、磁気アレイ５０４の各セルの集合的な磁界）がインダクタ５０２の磁界を第１の量だけ調整するかまたはインダクタ５０２の磁界に第１の量だけ作用することができる。磁気アレイ５０４の少なくとも１つのセル（たとえば、第１のセル５０６）が（図５にクロスハッチングで示されている）第２の形態を有するとき、少なくとも１つのセルの磁界（たとえば、第３の磁界）をインダクタ５０２の磁界から独立させることができ、磁気アレイ５０４の第２の集合磁界がインダクタ５０２の磁界を第２の量だけ調整するかまたはインダクタ５０２の磁界に第２の量だけ作用することができる。第１の量は第２の量とは異なってよい。インダクタ５０２の磁界が第１の量だけ調整されると、インダクタ５０２は第１の実効インダクタンスを生成することができる。インダクタ５０２の磁界が第２の量だけ調整されると、インダクタ５０２は第１の実効インダクタンスとは異なる第２の実効インダクタンスを生成することができる。磁気アレイ５０４の任意のセルは、第１の形態を有するかまたは第２の形態を有するように構成されてよい。磁気アレイ５０４の各セルは、少なくとも２つの異なる状態（たとえば、平行磁気状態、反平行磁気状態、および遷移状態）の異なる磁気モーメントを生成するように制御されてよい。磁気アレイ５０４のセルは、インダクタ５０２の実効インダクタンスを選択するように制御されてよい。

図６を参照すると、システム６００の特定の例示的な実施形態が示されている。システム６００は、第１のセル５０６が第１の形態を有する、側面からみた図５のシステム５００に対応し得る。図６に示す磁気アレイ５０４のセルは、図５の磁気アレイ５０４のセルの１つの行に対応し得る。インダクタ５０２に電流が印加されると、インダクタ５０２は磁界を生成する。図６に示す磁界線６３０は、磁気アレイ５０４によって調整されるかまたは磁気アレイ５０４の作用を受けた、インダクタ５０２の磁界の形状およびインダクタ５０２の磁界の相対密度を示す。磁界線６３０は、一定の縮尺では描かれておらず、例示のために使用されている。インダクタ５０２の磁界は、図６に示す磁界とは異なってよい。

特定の実施形態では、磁気アレイ５０４の各セル（たとえば、第１のセル５０６および第２のセル５０８）は、第１の接触層６１０と、ピンド層６１２と、結合層６１４と、自由層６１６と、第２の接触層６１８とを含む。ピンド層６１２は、自由層６１６に対して固定された磁界（たとえば、ＮｉＦｅまたはＣｏ）を有する材料を含んでよい。たとえば、ピンド層６１２は、反強磁性層上に構成されてよい。ピンド層６１２は、自由層６１６よりもかなり厚くてよい。結合層６１４は、自由層６１６とピンド層６１２との間に配設されてよく、伝導性非磁性材料（たとえば、ＭｇＯ）を含んでよい。自由層６１６は、調整可能な磁界を支持する材料（たとえば、ＮｉＦｅまたはＣｏ）を含んでよい。たとえば、磁気トンネル接合（ＭＴＪ）セルの自由層６１６の磁化は、（たとえば、セルの高抵抗状態に対応する）並列形態と（セルの低抵抗状態に対応する）反並列形態との間で切り替えられてよい。ＭＴＪセルの自由層６１６の磁化は、分極されたスピン電流を自由層６１６に与えることによって切り替えられてよく、分極されたスピン電流は、交換結合を介して自由層６１６内の粒子のローカルスピンを回転させることができる。磁気アレイ５０４は、磁気アレイ５０４の少なくとも２つのセル間に絶縁層６２４をさらに含んでよい。絶縁層６２４は、少なくとも２つのセルの間の渦電流の流れを抑制することができる。渦電流は、特に高周波数において、磁性デバイスでエネルギーを熱として散逸させることができる。したがって、絶縁層６２４を使用するデバイスは、絶縁層を使用しないデバイスと比較して、より低い熱負荷を有してよい。

磁気アレイ５０４のセル（たとえば、第１のセル５０６および第２のセル５０８）の自由層６１６は、第１の不安定状態を有し、第２の安定状態を有し、第３の安定状態を有してよい。特定のセルの自由層６１６が第１の不安定状態を有するとき、特定のセルは第１の形態を有してよい。特定のセルの自由層６１６が第２の安定状態を有するかまたは第３の安定状態を有するとき、特定のセルは第２の形態を有してよい。特定の実施形態では、インダクタ５０２の磁界は、磁気アレイ５０４のセルの各々（第１のセル５０６および第２のセル５０８）の形態に基づいて制御可能に調整されるかまたは作用を受けてよい。

第１の接触層６１０は、第１の接触入力（たとえば、第１の接触入力６２０）に結合されてよく、第２の接触層６１８は第２の接触入力（たとえば、第２の接触入力６２２）に結合されてよい。図６および図７には第１の接触入力６２０および第２の接触入力６２２のみが示されているが、磁気アレイ５０４の各セルを独立に制御できるように磁気アレイ５０４の各セルに入力が関連付けられてよい。第１の接触入力６２０および第２の接触入力６２２を介して第１の接触層６１０と第２の接触層６１８との間に電位が印加されてよい。この電位は、セルの自由層６１６に形態を変化させることができる。したがって、この電位は、セルに印加される電流に基づいてセルを第１の形態と第２の形態との間で切り替えさせることができる。たとえば、特定の時間に、第１のセル５０６は、第１のセル５０６の自由層６１６が第２の安定状態を有する結果として第２の形態を有してよい。その後、第１のセル５０６の第１の接触層６１０と第２の接触層６１８との間に電位が印加されてよく、自由層６１６が第１の不安定状態に変化し、第１のセル５０６に第１の形態を有させることが可能になる。第１のセル５０６の第１の接触層６１０と第２の接触層６１８との間に電位を印加するのを停止した場合、自由層６１６が第３の安定状態をとり、第１のセル５０６に第２の形態を有させることが可能になる。

図６に示す実装形態では、第１のセル５０６は、第１のセル５０６の自由層６１６内の白丸またはクロスハッチングによって示されるように、第１の構成を有する。第１のセル５０６が第１の形態を有するとき、第１のセル５０６の磁界（たとえば、第２の磁界）をインダクタ５０２の磁界（たとえば、第１の磁界）に揃えることができ、磁気アレイ５０４の第１の集合磁界がインダクタ５０２の磁界を第１の量だけ調整するかまたはインダクタ５０２の磁界に第１の量だけ作用することができる。インダクタ５０２の磁界が第１の量だけ調整されるかまたは作用を受けると、インダクタの磁界の磁界密度は、図７に関して説明するように、インダクタ５０２の磁界が第２の量だけ調整されるときと比較して、特定の領域６３２において異なり得る。

図７を参照すると、システム７００の特定の実施形態が示されている。インダクタ７００は、側面からみた図５のシステム５００に対応し得る。図７に示す磁気アレイ５０４のセルは、図５のセルの１つの行に対応し得る。磁気アレイ５０４の層（たとえば、第１の接触層６１０、ピンド層６１２、結合層６１４、自由層６１６、および第２の接触層６１８）は、図６の磁気アレイ５０４の層に対応し得る。磁界線６３０は、図６の磁界線６３０に対応し得、磁気アレイ５０４によって調整されるかまたは磁気アレイ５０４の作用を受けた、インダクタ５０２の磁界の形状およびインダクタ５０２の磁界の相対密度を示す。磁界線６３０は、一定の縮尺では描かれておらず、例示のために使用されている。インダクタ５０２の磁界は、図７に示す磁界とは異なってよい。

図７に示す実装形態では、第１のセル５０６は、第１のセル５０６の自由層６１６内の白丸またはクロスハッチングによって示されるように、第２の構成を有する。第１のセル５０６が第２の形態を有するとき、第１のセル５０６の磁界をインダクタ５０２の磁界から独立させることができ、磁気アレイ５０４の集合磁界がインダクタ５０２の磁界を第２の量だけ調整するかまたはインダクタ５０２の磁界に第２の量だけ作用することができる。インダクタ５０２の磁界が第２の量だけ調整されるかまたは作用を受けると、磁界密度は、（（図６の特定の領域６３２によって示されるように）インダクタ５０２の磁界が第１の量だけ調整されるかまたは作用を受けるときと比較して）特定の領域６３２においてより低くなり得る。たとえば、磁気アレイ５０４のセルの形態は、図６の磁界線６３０を図７の磁界線６３０と比較することによってわかるように、磁界線６３０を湾曲させるかまたはセルから離れる方向により集中させることができる。

図５〜図７のシステム５００、６００、および７００を内蔵したデバイスは、インダクタ５０２を可変インダクタンスインダクタとして使用してデバイスの１つまたは複数の回路に複数のインダクタンス値を与えるように構成されてよい。したがって、デバイスは、複数の個別の固定値を使用して複数のインダクタンス値を実現するシステムと比較して、より少ないインダクタを使用して所望の機能（たとえば、複数のインダクタンス値）を実現することができる。したがって、インダクタによって使用されるデバイスの面積を狭くすることができる。

図８は、インダクタの磁界を修正する方法８００の特定の実施形態のフローチャートである。方法８００は、８０２において、密封されたエンクロージャ内の磁性粒子の動きを選択的に制御してインダクタの第１の磁界を修正することを含む。たとえば、図２を参照して説明するように、密封されたエンクロージャ２１４内で（たとえば、インダクタンス制御構成要素２０４に制御信号を印加することによって）インダクタンス制御構成要素２０４の磁性粒子２１０および２１２の動きを選択的に制御して、インダクタ２０２の磁界（たとえば、第１の磁界）を修正してよい。

方法８００は、８０４において、インダクタに電流を印加することをさらに含み、この場合、インダクタは電流に応答して第１の磁界を生成する。たとえば、第１のインダクタ端子２２０を介しかつ第２のインダクタ端子２２２を介して電流を印加してインダクタ２０２の磁界（たとえば、第１の磁界）を生成してよい。

図８の方法は、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）デバイス、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、処理ユニット、たとえば中央処理装置（ＣＰＵ）、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）、コントローラ、別のハードウェアデバイス、ファームウェアデバイス、またはそれらの任意の組合せによって実施され得る。一例として、図８の方法は、図１および図１０に関して説明するように、命令を実行するプロセッサによって実行され得るかまたは開始され得る。

方法８００は、デバイスが、インダクタを可変インダクタンスインダクタとして使用してデバイスの１つまたは複数の回路に複数のインダクタンス値を与えるのを可能にする。したがって、デバイスは、複数の個別の固定値インダクタを使用して複数のインダクタンス値を実現するシステムと比較して、より少ないインダクタを使用して所望の機能（たとえば、複数のインダクタンス値）を実現することができる。したがって、インダクタによって使用されるデバイスの面積を狭くすることができる。

図９は、インダクタの磁界を修正する方法９００の特定の実施形態を示すフローチャートである。方法９００は、９０２において、磁気アレイの少なくとも１つのセルをインダクタの第１の磁界を制御するように選択的に構成することを含む。たとえば、図５を参照して説明するように、第１のセル５０６は、インダクタ５０２の磁界（たとえば、第１の磁界）を修正するように（たとえば、第１のセル５０６に制御信号を印加することによって）第１の形態または第２の形態を有するように選択的に構成されてよい。磁気アレイの他のセルは、独立的にまたはグループとして制御可能であってよい。

方法９００は、９０４において、インダクタに電流を印加することをさらに含み、この場合、インダクタは電流に応答して第１の磁界を生成する。たとえば、第１のインダクタ端子５２０を介しかつ第２のインダクタ端子５２２を介して電流を印加してインダクタ５０２の磁界（たとえば、第１の磁界）を生成してよい。

図９の方法は、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）デバイス、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、処理ユニット、たとえば中央処理装置（ＣＰＵ）、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）、コントローラ、別のハードウェアデバイス、ファームウェアデバイス、またはそれらの任意の組合せによって実施され得る。一例として、図９の方法は、図１および図１０に関して説明するように、命令を実行するプロセッサによって実行され得るかまたは開始され得る。

方法９００は、デバイスが、インダクタを可変インダクタンスインダクタとして使用してデバイスの１つまたは複数の回路に複数のインダクタンス値を与えるのを可能にする。したがって、デバイスは、複数の個別の値インダクタを使用して複数のインダクタンス値を実現するシステムと比較して、より少ないインダクタを使用して所望の機能（たとえば、複数のインダクタンス値）を実現することができる。したがって、インダクタによって使用されるデバイスの面積を狭くすることができる。

図１０を参照すると、インダクタ１００２と可変磁束密度構成要素（ＶＭＦＤＣ）１００４とを含むモバイルデバイスの特定の例示的な実施形態のブロック図が示され、全体が１０００で示されている。通信デバイス１０００またはその構成要素は、移動局、アクセスポイント、セットトップボックス、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、携帯情報端末（ＰＤＡ）、固定ロケーションデータユニット、モバイルロケーションデータユニット、モバイルフォン、携帯電話、セルフォン、コンピュータ、ポータブルコンピュータ、デスクトップコンピュータ、タブレット、モニタ、コンピュータモニタ、テレビジョン、チューナ、ラジオ、衛星無線、ミュージックプレーヤ、デジタルミュージックプレーヤ、ポータブルミュージックプレーヤ、ビデオプレーヤ、デジタルビデオプレーヤ、デジタルビデオディスク（ＤＶＤ）プレーヤ、およびポータブルデジタルビデオプレーヤなどのデバイスを含むか、実装するか、またはデバイス内に含まれることができる。

デバイス１０００は、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）などのプロセッサ１０１０を含んでよい。プロセッサ１０１０は、メモリ１０３２（たとえば、非一時的コンピュータ可読媒体）に結合されてよい。

図１０はまた、プロセッサ１０１０およびディスプレイ１０２８に結合されたディスプレイコントローラ１０２６を示す。コーダ／デコーダ（コーデック）１０３４も、プロセッサ１０１０に結合することができる。スピーカ１０３６およびマイクロフォン１０３８は、コーデック１０３４に結合されてよい。ワイヤレスコントローラ１０４０は、プロセッサ１０１０に結合されてよく、インダクタ１００２とＶＭＦＤＣ１００４とを含むＲＦ段１００６にさらに結合されてよい。ＲＦ段１００６は、アンテナ１０４２に結合され得る。インダクタ１００２およびＶＭＦＤＣ１００４は、インダクタ１００２を使用して、インダクタ１００２に関連するモバイルデバイス１０００の１つまたは複数の回路に複数のインダクタンス値を与えることによって、モバイルデバイス１０００内に位置する回路の面積を狭くすることができる。インダクタ１００２は、図１のインダクタ１０２、図２のインダクタ２０２、または図５のインダクタ５０２に対応し得る。ＶＭＦＤＣは、図１の第１のＶＭＦＤＣ１０４、図１の第２のＶＭＦＤＣ１０６、図２のインダクタンス制御構成要素２０４、または図５の磁気アレイ５０４に対応し得る。他の実施形態では、インダクタ１００２およびＶＭＦＤＣ１００４は、モバイルデバイス１０００の他の構成要素に含まるかまたは他の構成要素に複数のインダクタンス値を与えるように構成されてよい。

特定の実施形態では、プロセッサ１０１０、ディスプレイコントローラ１０２６、メモリ１０３２、コーデック１０３４、およびワイヤレスコントローラ１０４０は、システムインパッケージデバイスまたはシステムオンチップデバイス１０２２に含まれる。入力デバイス１０３０および電源１０４４は、システムオンチップデバイス１０２２に結合されてよい。その上、特定の実施形態において、図１０に例示するように、ＲＦ段１００６、ディスプレイ１０２８、入力デバイス１０３０、スピーカ１０３６、マイクロフォン１０３８、アンテナ１０４２、および電源１０４４はシステムオンチップデバイス１０２２の外部に設けられる。しかしながら、ディスプレイ１０２８、入力デバイス１０３０、スピーカ１０３６、マイクロフォン１０３８、アンテナ１０４２、および電源１０４４の各々は、インターフェースまたはコントローラなどのシステムオンチップデバイス１０２２の構成要素に結合されてよい。ＲＦ段１００６は、システムオンチップデバイス１０２２内に含まれてよく、または別個の構成要素であってよい。

前述の実施形態に関連して、デバイスは、磁界にエネルギーを蓄積するための手段と、制御信号に応答して、エネルギーを蓄積するための手段に電流が印加されたときにエネルギーを蓄積するための手段の磁界に制御可能に作用するための手段とを含んでよい。磁界に作用するための手段は、密封されたエンクロージャ内の磁性粒子の動きを制御するための手段を含んでよい。エネルギーを蓄積するための手段は、図１のインダクタ１０２または図２のインダクタ端子２０２を含み得る。磁界に作用するための手段は、図１の第１のＶＭＦＤＣ１０４、図１の第２のＶＭＦＤＣ１０６、図２のインダクタンス制御構成要素２０４、またはそれらの任意の組合せを含んでよい。

前述の実施形態に関連して、デバイスは、磁界にエネルギーを蓄積するための手段と、制御信号に応答して、エネルギーを蓄積するための手段に電流が印加されたときにエネルギーを蓄積するための手段の磁界に制御可能に作用するための手段とを含んでよい。制御可能に作用するための手段は、磁気アレイを制御するための手段を含んでよい。エネルギーを蓄積するための手段は、図１のインダクタ１０２または図５のインダクタ５０２を含み得る。磁界に作用するための手段は、図１の第１のＶＭＦＤＣ１０４、図１の第２のＶＭＦＤＣ１０６、図５の磁気アレイ５０４、またはそれらの組合せを含んでよい。

前述の実施形態に関連して、非一時的コンピュータ可読媒体は、プロセッサによって実行されたときに、プロセッサに、密封されたエンクロージャ内の磁性粒子の動きを制御してインダクタの磁界を修正させる命令を記憶する。非一時的コンピュータ可読媒体は、図１のメモリ１１２に対応し得るかまたは図１０のメモリ１０３２に対応し得る。プロセッサは、図１のプロセッサ１１０に対応し得るかまたは図１０のプロセッサ１０１０に対応し得る。磁性粒子は、図２の磁性粒子２１０および２１２に対応し得る。密封されたエンクロージャは、図２の密封されたエンクロージャ２１４に対応し得る。インダクタ１００２は、図１のインダクタ１０２に対応し得るか、または図２のインダクタ２０２に対応し得るか、または図１０のインダクタ１００２に対応し得る。

前述の実施形態に関連して、非一時的コンピュータ可読媒体は、プロセッサによって実行されたときに、プロセッサに、磁気アレイの少なくとも１つのセルをインダクタの磁界を制御するように選択的に構成させる命令を記憶する。非一時的コンピュータ可読媒体は、図１のメモリ１１２に対応し得るかまたは図１０のメモリ１０３２に対応し得る。プロセッサは、図１のプロセッサ１１０に対応し得るかまたは図１０のプロセッサ１０１０に対応し得る。磁気アレイは、図５の磁気アレイ５０４に対応し得る。インダクタは、図１のインダクタ１０２に対応し得るか、または図２のインダクタ２０２に対応し得るか、または図１０のインダクタ１００２に対応し得る。

上記の開示したデバイスや機能性は、コンピュータ可読媒体上に記憶されるコンピュータファイル（たとえばＲＴＬ、ＧＤＳＩＩ、ＧＥＲＢＥＲなど）へ設計および構成してよい。一部のまたはすべてのそのようなファイルは、そのようなファイルに基づいてデバイスを製造するように製造ハンドラに供給されてよい。得られる製品としては、次いで半導体ダイに切断されて半導体チップへパッケージングされる半導体ウェハが含まれる。図１１をさらに参照しながら説明するように、半導体チップは、次いで電子デバイスに一体化される。

図１１を参照すると、電子デバイス製造プロセスの特定の例示的な実施形態が示され、全体が１１００と表される。図１１で、物理デバイス情報１１０２が、製造プロセス１１００において、研究用コンピュータ１１０６などにおいて受け取られる。物理デバイス情報１１０２は、（たとえば、図１のインダクタ１０２、図２のインダクタ２０２、または図５のインダクタ５０２に対応するインダクタに対応する）インダクタおよび（たとえば、図１の第１のＶＭＦＤＣ１０４、図２の第２のＶＭＦＤＣ１０６、図２のインダクタンス制御構成要素２０４、または図５の磁気アレイ５０４に対応する）可変磁束密度構成要素（ＶＭＦＤＣ）などの半導体デバイスの少なくとも１つの物理的特性を表す設計情報を含んでよい。たとえば物理デバイス情報１１０２は、研究コンピュータ１１０６に結合されるユーザインターフェース１１０４を介して入力される物理パラメータ、材料特性、および構造情報を含んでよい。研究コンピュータ１１０６は、メモリ１１１０などのコンピュータ可読媒体に結合される、１つまたは複数の処理コアなどのプロセッサ１１０８を含む。メモリ１１１０は、プロセッサ１１０８に物理デバイス情報１１０２をファイル形式に準拠して変換させ、ライブラリファイル１１１２を生成させるように実行可能であるコンピュータ可読命令を記憶してよい。

特定の実施形態において、ライブラリファイル１１１２は、変換された設計情報を含む少なくとも１つのデータファイルを含む。たとえば、ライブラリファイル１１１２は、（たとえば、図１のインダクタ１０２、図２のインダクタ２０２、または図５のインダクタ５０２に対応する）インダクタおよび（たとえば、図１の第１のＶＭＦＤＣ１０４、図１の第２のＶＭＦＤＣ１０６、図２のインダクタンス制御構成要素２０４、または図５の磁気アレイ５０４に対応する）ＶＭＦＤＣを含む半導体デバイスのライブラリを含んでもよく、このライブラリは、電子設計自動化（ＥＤＡ）ツール１１２０とともに用いるために提供される。

ライブラリファイル１１１２は、メモリ１１１８に結合される、１つまたは複数の処理コアなどのプロセッサ１１１６を含む設計コンピュータ１１１４で、ＥＤＡツール１１２０に関連して使用してよい。ＥＤＡツール１１２０は、設計コンピュータ１１１４のユーザが、ライブラリファイル１１１２を使用して、（たとえば、図１のインダクタ１０２、図２のインダクタ２０２、または図５のインダクタ５０２に対応する）インダクタと（たとえば、図１の第１のＶＭＦＤＣ１０４、図１の第２のＶＭＦＤＣ１０６、図２のインダクタンス制御構成要素２０４、または図５の磁気アレイ５０４に対応する）ＶＭＦＤＣとを含む回路を設計するのを可能にするためのメモリ１１１８におけるプロセッサ実行可能命令として記憶されてよい。たとえば設計コンピュータ１１１４のユーザは、回路設計情報１１２２を設計コンピュータ１１１４に結合されるユーザインターフェース１１２４を介して入力してよい。物理デバイス情報１１２２は、（たとえば、図１のインダクタ１０２、図２のインダクタ２０２、または図５のインダクタ５０２に対応するインダクタに対応する）インダクタおよび（たとえば、図１の第１のＶＭＦＤＣ１０４、図２の第２のＶＭＦＤＣ１０６、図２のインダクタンス制御構成要素２０４、または図５の磁気アレイ５０４に対応する）ＶＭＦＤＣなどの半導体デバイスの少なくとも１つの物理的特性を表す設計情報を含んでよい。例示として、回路設計性質としては、特定の回路および回路設計内の他の要素との関係の同定、位置情報、特徴サイズ情報、相互接続情報、または半導体デバイスの物理的性質を表す他の情報が含まれてよい。

設計用コンピュータ１１１４は、回路設計情報１１２２を含む設計情報をファイルフォーマットに準拠するように変換するように構成することができる。例示として、ファイル構成は、グラフィックデータシステム（ＧＤＳＩＩ）ファイル形式などの、平面の幾何学的形状、テキストラベル、および他の回路レイアウトに関する情報を階層形式で表すデータベースバイナリファイル形式を含んでよい。設計コンピュータ１１１４は、（たとえば、図１のインダクタ１０２、図２のインダクタ２０２、または図５のインダクタ５０２に対応する）インダクタおよび（たとえば、図１の第１のＶＭＦＤＣ１０４、図１の第２のＶＭＦＤＣ１０６、図２のインダクタンス制御構成要素２０４、または図５の磁気アレイ５０４に対応する）ＶＭＦＤＣを、他の回路または情報とともに表す情報を含むＧＤＳＩＩファイル１１２６などの、変換された設計情報を含むデータファイルを生成するように構成されてよい。例示のために、データファイルは、（たとえば、図１のインダクタ１０２、図２のインダクタ２０２、または図５のインダクタ５０２に対応する）インダクタおよび（たとえば、図１の第１のＶＭＦＤＣ１０４、図１の第２のＶＭＦＤＣ１０６、図２のインダクタンス制御構成要素２０４、または図５の磁気アレイ５０４に対応する）ＶＭＦＤＣを含み、追加の電子回路および構成要素をさらに含むシステムオンチップ（ＳＯＣ）に対応する情報を含んでよい。

ＧＤＳＩＩファイル１１２６は、（たとえば、図１のインダクタ１０２、図２のインダクタ２０２、または図５のインダクタ５０２に対応する）インダクタおよび（たとえば、図１の第１のＶＭＦＤＣ１０４、図１の第２のＶＭＦＤＣ１０６、図２のインダクタンス制御構成要素２０４、または図５の磁気アレイ５０４に対応する）ＶＭＦＤＣをＧＤＳＩＩファイル１１２６の変換された情報に従って製造するための製造プロセス１１２８において受信されてよい。たとえばデバイス製造プロセスは、ＧＤＳＩＩファイル１１２６を、代表的なマスク１１３２として図１１に例示するフォトリソグラフィ処理で使用されるマスクなどの、１つまたは複数のマスクを作成するマスク製造業者１１３０に提供することを含んでよい。マスク１１３２は、試験されて代表的なダイ１１３６などのダイに分離されてよい１つまたは複数のウェハ１１３４を生成するために製作プロセスの間に使用してよい。ダイ１１３６は、（たとえば、図１のインダクタ１０２、図２のインダクタ２０２、または図５のインダクタ５０２に対応するインダクタに対応する）インダクタと（たとえば、図１の第１のＶＭＦＤＣ１０４、図２の第２のＶＭＦＤＣ１０６、図２のインダクタンス制御構成要素２０４、または図５の磁気アレイ５０４に対応する）ＶＭＦＤＣとを含む回路を含む。

ダイ１１３６は、ダイ１１３６が代表的なパッケージ１１４０に組み込まれるパッケージングプロセス１１３８に提供されてよい。たとえばパッケージ１１４０は単一のダイ１１３６、またはシステムインパッケージ（ＳｉＰ）配置などの複数のダイを含んでよい。パッケージ１１４０は電子素子技術連合評議会（ＪＥＤＥＣ）規格などの１つまたは複数の規格または仕様に適合するように構成してよい。

パッケージ１１４０に関する情報は、コンピュータ１１４６で記憶されるコンポーネントライブラリを介するなどして様々な製品設計者に配布されてよい。コンピュータ１１４６は、メモリ１１５０に結合される、１つまたは複数の処理コアなどのプロセッサ１１４８を含んでよい。プリント回路基板（ＰＣＢ）ツールは、ユーザインターフェース１１４４を介してコンピュータ１１４６のユーザから受け取られたＰＣＢ設計情報１１４２を処理するために、メモリ１１５０においてプロセッサ実行可能命令として記憶され得る。ＰＣＢ設計情報１１４２は、パッケージングされた半導体デバイスの物理的な位置情報を含んでよく、パッケージングされた半導体デバイスは、（たとえば、図１のインダクタ１０２、図２のインダクタ２０２、または図５のインダクタ５０２に対応するインダクタに対応する）インダクタと（たとえば、図１の第１のＶＭＦＤＣ１０４、図２の第２のＶＭＦＤＣ１０６、図２のインダクタンス制御構成要素２０４、または図５の磁気アレイ５０４に対応する）ＶＭＦＤＣとを含むパッケージ１１４０に対応する。

コンピュータ１１４６は、ＰＣＢ設計情報１１４２を変換して、パッケージングされた半導体デバイスの回路基板上での物理的な位置情報とともに、配線およびビアのような電気的な接続のレイアウトを含むデータを有する、ＧＥＲＢＥＲファイル１１５２のようなデータファイルを生成するように構成されてもよく、パッケージングされた半導体デバイスは、（たとえば、図１のインダクタ１０２、図２のインダクタ２０２、または図５のインダクタ５０２に対応するインダクタに対応する）インダクタと（たとえば、図１の第１のＶＭＦＤＣ１０４、図２の第２のＶＭＦＤＣ１０６、図２のインダクタンス制御構成要素２０４、または図５の磁気アレイ５０４に対応する）ＶＭＦＤＣとを含むパッケージ１１４０に対応する。他の実施形態において、変換されたＰＣＢ設計情報によって生成されるデータファイルはＧＥＲＢＥＲ形式以外の形式を有してよい。

ＧＥＲＢＥＲファイル１１５２は、基板組立てプロセス１１５４で受け取られ、ＧＥＲＢＥＲファイル１１５２内に記憶された設計情報に従って製造される、代表的なＰＣＢ１１５６などのＰＣＢを作成するために使用され得る。たとえば、ＧＥＲＢＥＲファイル１１５２は、ＰＣＢ製造プロセスの様々なステップを実行するために、１つまたは複数の機械にアップロードされ得る。ＰＣＢ１１５６は、代表的なプリント回路アセンブリ（ＰＣＡ）１１５８を形成するために、パッケージ１１４０を含む電子構成要素を装着され得る。

ＰＣＡ１１５８は、製品製造プロセス１１６０において受け取られ、第１の代表的な電子デバイス１１６２および第２の代表的な電子デバイス１１６４のような、１つまたは複数の電子デバイスとして集積される。例示的かつ非限定的な例として、第１の代表的な電子デバイス１１６２、第２の代表的な電子デバイス１１６４、またはこれらの両方は、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、携帯情報端末（ＰＤＡ）、固定位置データユニット、およびコンピュータの群から選択されてよく、これらに、（たとえば、図１のインダクタ１０２、図２のインダクタ２０２、または図５のインダクタ５０２に対応するインダクタに対応する）インダクタと（たとえば、図１の第１のＶＭＦＤＣ１０４、図２の第２のＶＭＦＤＣ１０６、図２のインダクタンス制御構成要素２０４、または図５の磁気アレイ５０４に対応する）ＶＭＦＤＣが組み込まれる。別の例示的な非限定的な例として、電子デバイス１１６２および１１６４の１つまたは複数は、モバイル電話機などの遠隔ユニット、ハンドヘルドパーソナル通信システム（ＰＣＳ）ユニット、携帯情報端末などの携帯型データユニット、全地球側位システム（ＧＰＳ）対応デバイス、ナビゲーションデバイス、検針機器などの固定位置データユニット、またはデータもしくはコンピュータ命令を記憶もしくは取得する任意の他のデバイス、またはそれらの任意の組合せであってよい。図１１は、本開示の教示に従った遠隔ユニットを例示するが、本開示は、これらの例示されたユニットに限定されない。本開示の実施形態は、メモリおよびオンチップ回路を含む能動的な集積回路を含む、任意のデバイスにおいて適切に利用され得る。

（たとえば、図１のインダクタ１０２、図２のインダクタ２０２、または図５のインダクタ５０２に対応するインダクタに対応する）インダクタと（たとえば、図１の第１のＶＭＦＤＣ１０４、図２の第２のＶＭＦＤＣ１０６、図２のインダクタンス制御構成要素２０４、または図５の磁気アレイ５０４に対応する）ＶＭＦＤＣとを含むデバイスは、例示的な製造プロセス１１００において説明するように製造され、加工され、電子デバイスに組み込まれてよい。図１〜図１０に関して開示した実施形態の１つまたは複数の態様が、ライブラリファイル１１１２、ＧＤＳＩＩファイル１１２６、およびＧＥＲＢＥＲファイル１１５２内など様々な処理段階で含まれてよいのと同様に、研究コンピュータ１１０６のメモリ１１１０、設計コンピュータ１１１４のメモリ１１１８、コンピュータ１１４６のメモリ１１５０、基板組立てプロセス１１５４でなど様々な段階で使用される１つまたは複数の他のコンピュータまたはプロセッサ（図示せず）のメモリに記憶され、さらにマスク１１３２、ダイ１１３６、パッケージ１１４０、ＰＣＡ１１５８、プロトタイプ回路もしくはデバイス（図示せず）などの他の製品、またはそれらの任意の組合せなどの、１つまたは複数の他の物理的な実施形態に組み込まれてよい。図１〜図１０に関して様々な代表的な段階が描写されたが、他の実施形態では、より少ない段階が使用されるか、またはさらなる段階が含まれる場合がある。同様に、図１１のプロセス１１００は、製造プロセス１１００の様々な段階を実行する、単一のエンティティによって、または１つもしくは複数のエンティティによって実行され得る。

当業者は、本明細書に開示した実施形態に関連して説明した様々な例示的な論理ブロック、構成、モジュール、回路、およびアルゴリズムステップは、電子ハードウェア、プロセッサによって実行されるコンピュータソフトウェア、または両方の組合せとして実装されてよいことをさらに理解するであろう。様々な例示的な構成要素、ブロック、構成、モジュール、回路、およびステップを概してそれらの機能性の観点から上記に説明した。そのような機能性がハードウェアまたはプロセッサ実行可能命令として実装されるかはシステム全体に課される特定の用途および設計制約に依存する。当業者は説明した機能性を各特定の用途のために様々な方法で実装してよいが、そのような実装の決定は本開示の範囲からの逸脱を引き起こすと解釈されるべきではない。

本明細書に開示した実施形態に関連して説明した方法またはアルゴリズムのステップは、直接ハードウェアで、プロセッサによって実行されるソフトウェアモジュールで、またはその２つの組合せで具現化されてよい。ソフトウェアモジュールは、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、フラッシュメモリ、読取り専用メモリ（ＲＯＭ）、プログラマブル読取り専用メモリ（ＰＲＯＭ）、消去可能プログラマブル読取り専用メモリ（ＥＰＲＯＭ）、電気的消去可能プログラマブル読取り専用メモリ（ＥＥＰＲＯＭ）、レジスタ、ハードディスク、リムーバブルディスク、コンパクトディスク読取り専用メモリ（ＣＤ−ＲＯＭ）などのメモリに存在し得る。メモリは、当業者に知られている任意の形態の非一時的記憶媒体を含んでよい。例示的な記憶媒体（たとえば、メモリ）は、プロセッサが記憶媒体から情報を読取り、そこに情報を書き込めるようにプロセッサに結合される。代わりに、記憶媒体は、プロセッサと一体化されてもよい。プロセッサおよび記憶媒体は特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）に常駐してよい。ＡＳＩＣはコンピューティングデバイスまたはユーザ端末に常駐してよい。代替策では、プロセッサおよび記憶媒体は別個の構成要素としてコンピューティングデバイスまたはユーザ端末に常駐してよい。

開示した実施形態の先の説明は、当業者が開示した実施形態を作製または使用できるようにするために提供される。これらの実施形態への様々な変更は当業者には容易に明らかであろうし、本明細書に定めた原理は本開示の範囲から逸脱することなく他の実施形態に適用してよい。したがって、本開示は本明細書に示した実施形態に限定されることを意図するものではなく、以下の特許請求の範囲によって定めされる原理および新規な特徴と一致する可能限りの広範囲を与えられるべきである。

１００システム
１０２インダクタ
１０４第１のＶＭＦＤＣ
１０６第２のＶＭＦＤＣ
１０８コントローラ
１１０プロセッサ
１１２メモリ
１１４アンテナ
１１６電子デバイス
２００システム
２０２インダクタ
２０４インダクタンス制御構成要素
２０６第１の電極
２０８第２の電極
２１０磁性粒子
２１２シェル粒子
２１４密封されたエンクロージャ
２１６第１の電極入力
２１８第２の電極入力
２２０第１のインダクタ端子
２２２第２のインダクタ端子
３００システム
３３２特定の領域
４００システム
５００システム
５０２インダクタ
５０４磁気アレイ
５０６第１のセル
５２０第１のインダクタ端子
５２２第２のインダクタ端子
６００システム
６１０第１の接触層
６１２ピンド層
６１４結合層
６１６自由層
６１８第２の接触層
６２０第１の接触入力
６２２第２の接触入力
６２４絶縁層
６３０磁界線
６３２特定の領域
７００システム
１０００モバイルデバイス
１００２インダクタ
１００４ＶＭＦＤＣ
１００６ＲＦ段
１０１０プロセッサ
１０２６ディスプレイコントローラ
１０２８ディスプレイ
１０３０入力デバイス
１０３２メモリ
１０３４コーダ／デコーダ（コーデック）
１０３６スピーカ
１０３８マイクロフォン
１０４０ワイヤレスコントローラ
１０４２アンテナ
１０４４電源
１１００製造プロセス
１１０２物理デバイス情報
１１０４ユーザインターフェース
１１０６研究コンピュータ
１１０８プロセッサ
１１１０メモリ
１１１２ライブラリファイル
１１１４設計コンピュータ
１１１６プロセッサ
１１１８メモリ
１１２０ＥＤＡツール
１１２２回路設計情報
１１２４ユーザインターフェース
１１２６ＧＤＳＩＩファイル
１１２８製造プロセス
１１３０マスク製造業者
１１３２マスク
１１３４ウェハ
１１３６ダイ
１１３８パッケージングプロセス
１１４０パッケージ
１１４２ＰＣＢ設計情報
１１４４ユーザインターフェース
１１４６コンピュータ
１１４８プロセッサ
１１５０メモリ
１１５２ＧＥＲＢＥＲファイル
１１５４基板組立てプロセス
１１５６ＰＣＢ
１１５８ＰＣＡ
１１６０製品製造業者
１１６２第１の代表的な電子デバイス
１１６４第２の代表的な電子デバイス

Claims

密封されたエンクロージャ内の磁性粒子の動きを選択的に制御してインダクタの第１の磁界を修正するステップを含む方法。
前記磁性粒子はイオン化され、前記磁性粒子の前記動きは、前記磁性粒子を含むインダクタンス制御構成要素の電極に印加される電位を調整することによって制御される、請求項１に記載の方法。
前記電極は、前記インダクタの前記第１の磁界を横断するように位置付けられる、請求項２に記載の方法。
前記電位は、前記磁性粒子を前記電極に対して前記第１の磁界を横断する方向に移動させる、請求項２に記載の方法。
前記磁性粒子は、第１の形態に配置されたときに、前記第１の磁界を第１の量だけ調整し、
前記磁性粒子は、第２の形態に配置されたときに、前記第１の磁界を第２の量だけ調整し、
前記第１の量は前記第２の量とは異なる、請求項１に記載の方法。
前記磁性粒子の動きを選択的に制御するステップは、電子デバイスに組み込まれたプロセッサにおいて実行される、請求項１に記載の方法。
前記インダクタに電流を印加するステップをさらに含み、前記インダクタは前記電流に応答して前記第１の磁界を生成する、請求項１に記載の方法。
前記第１の磁界を修正すると、前記インダクタの実効インダクタンスが修正される、請求項１に記載の方法。
１つまたは複数のインダクタパラメータを選択するステップと、
前記１つまたは複数のインダクタパラメータに基づいて前記第１の磁界を修正するステップとをさらに含み、
前記第１の磁界を修正すると回路とアンテナとの間のインピーダンス整合が容易になる、請求項１に記載の方法。
磁気アレイの少なくとも１つのセルをインダクタの第１の磁界を制御するように選択的に構成するステップを含む方法。
前記インダクタに電流を印加するステップをさらに含み、前記インダクタは前記電流に応答して前記第１の磁界を生成する、請求項１０に記載の方法。
前記少なくとも１つのセルは第１の形態であり、前記少なくとも１つのセルの第２の磁界は前記第１の磁界に揃えられ、
前記少なくとも１つのセルは第２の形態であり、前記少なくとも１つのセルの第３の磁界は前記第１の磁界には依存しない、請求項１１に記載の方法。
前記少なくとも１つのセルが第１の形態を有するとき、前記磁気アレイの第１の集合磁界が前記第１の磁界を第１の量だけ調整し、
前記少なくとも１つのセルが第２の形態を有するとき、前記磁気アレイの第２の集合磁界が前記第１の磁界を第２の量だけ調整し、
前記第１の量は前記第２の量とは異なる、請求項１１に記載の方法。
前記少なくとも１つのセルは、自由層とピンド層とを含み、前記少なくとも１つのセルは、前記自由層の状態に基づいて前記第１の形態および前記第２の形態を有する、請求項１３に記載の方法。
前記少なくとも１つのセルが前記第１の形態であるとき、前記自由層は不安定状態であり、前記少なくとも１つのセルが第２の形態であるとき、前記自由層は安定状態である、請求項１４に記載の方法。
前記少なくとも１つのセルは磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）セルを備える、請求項１０に記載の方法。
磁気アレイは、前記少なくとも１つのセルを含み、前記第１の磁界を横断するように配置された複数のセルを備える、請求項１０に記載の方法。
前記第１の磁界を修正すると、前記インダクタの実効インダクタンスが修正される、請求項１０に記載の方法。
１つまたは複数のインダクタパラメータを選択するステップと、
前記１つまたは複数のインダクタパラメータに基づいて前記第１の磁界を制御するステップとを含み、
前記第１の磁界を制御すると回路とアンテナとの間のインピーダンス整合が容易になる、請求項１０に記載の方法。
前記少なくとも１つのセルを選択的に構成するステップは、電子デバイスに組み込まれたプロセッサによって開始される、請求項１０に記載の方法。
インダクタと、
前記インダクタに電流が印加されたときに前記インダクタの第１の磁界に作用するように位置付けられた第１の可変磁束密度構成要素であって、密封されたエンクロージャ内の磁性粒子を含むインダクタンス制御構成要素を備える第１の可変磁束密度構成要素とを備える装置。
前記第１の可変磁束密度構成要素は、前記第１の磁界を横断するように位置付けられる、請求項２１に記載の装置。
前記第１の可変磁束密度構成要素は、前記インダクタの第１の側に配設される、請求項２２に記載の装置。
前記第１の磁界を横断するように位置付けされ、前記インダクタにおいて前記第１の可変磁束密度構成要素とは反対側に配設された第２の可変磁束密度構成要素をさらに備える、請求項２３に記載の装置。
前記磁性粒子はイオン化され、前記インダクタンス制御構成要素は、電極間に電位が印加されたことに応答して前記磁性粒子を動かすように構成された電極を備える、請求項２１に記載の装置。
前記磁性粒子は、第１の形態に配置されたときに、前記第１の磁界を第１の量だけ調整し、
前記磁性粒子は、第２の形態に配置されたときに、前記第１の磁界を第２の量だけ調整し、
前記第１の量は前記第２の量とは異なる、請求項２１に記載の装置。
前記磁性粒子のうちの少なくとも１つは、鉄系化合物である、請求項２１に記載の装置。
前記磁性粒子のうちの少なくとも１つは、
ナノスケールＦｅ_３Ｏ_４コアと、
ＳｉＯ_２シェルとを備える、請求項２７に記載の装置。
前記第１の可変磁束密度構成要素に結合されたコントローラをさらに備え、前記コントローラは、前記第１の可変磁束密度構成要素に制御信号を印加することによって前記インダクタの実効インダクタンスを制御するように構成される、請求項２１に記載の装置。
アンテナと、
前記アンテナに結合された回路とを備え、前記第１の磁界に作用すると前記アンテナと前記回路との間のインピーダンス整合が容易になる、請求項２１に記載の装置。
前記第１の磁界は、選択されたインダクタパラメータに基づく作用を受ける、請求項３０に記載の装置。
少なくとも１つの半導体ダイに組み込まれる、請求項２１に記載の装置。
セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、携帯情報端末（ＰＤＡ）、固定位置データユニット、およびコンピュータの群から選択されるデバイスをさらに備え、前記デバイスに前記第１の可変磁束密度構成要素が組み込まれる、請求項２１に記載の装置。
インダクタと、
前記インダクタに電流が印加されたときに前記インダクタの第１の磁界に作用するように位置付けられた第１の可変磁束密度構成要素であって、磁気アレイを備える第１の可変磁束密度構成要素とを備える装置。
前記第１の可変磁束密度構成要素は、前記第１の磁界を横断するように位置付けられる、請求項３４に記載の装置。
前記第１の可変磁束密度構成要素は、前記インダクタの第１の側に配設される、請求項３５に記載の装置。
前記第１の磁界を横断するように位置付けされ、前記インダクタにおいて前記第１の可変磁束密度構成要素とは反対側に配設された第２の可変磁束密度構成要素をさらに備える、請求項３６に記載の装置。
前記磁気アレイの少なくとも１つのセルは、
自由層と、
ピンド層と、
前記自由層と前記ピンド層との間に配設された結合層とを備える、請求項３４に記載の装置。
前記磁気アレイの各セルは、磁気トンネル接合（ＭＴＪ）デバイスを備える、請求項３４に記載の装置。
前記磁気アレイの各セルは、前記磁気アレイの他のセルとは独立に第１の形態と第２の形態との間で切替え可能になるように構成される、請求項３４に記載の装置。
前記磁気アレイの少なくとも１つのセルが第１の形態を有するとき、前記少なくとも１つのセルの第２の磁界は前記インダクタの前記第１の磁界に揃えられ、
前記少なくとも１つのセルが第２の形態を有するとき、前記少なくとも１つのセルの第３の磁界は前記第１の磁界には依存しない、請求項３４に記載の装置。
前記磁気アレイの前記少なくとも１つのセルが第１の形態を有するとき、前記磁気アレイの第１の集合磁界が前記第１の磁界を第１の量だけ調整し、
前記少なくとも１つのセルが第２の形態を有するとき、前記磁気アレイの第２の集合磁界が前記第１の磁界を第２の量だけ調整し、
前記第１の量は前記第２の量とは異なる、請求項３４に記載の装置。
前記磁気アレイの各セルは、前記セルに印加される電流に基づいて第１の形態と第２の形態との間で切り替えられるように構成される、請求項３４に記載の装置。
前記磁気アレイは、スピン転送トルク（ＳＴＴ）磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）アレイを備える、請求項３４に記載の装置。
前記磁気アレイの少なくとも２つのセル間の絶縁層をさらに備え、前記絶縁層は、前記少なくとも２つのセル間の渦電流の流れを抑制する、請求項３４に記載の装置。
前記第１の可変磁束密度構成要素に結合されたコントローラをさらに備え、前記コントローラは、前記第１の可変磁束密度構成要素に制御信号を印加することによって前記インダクタの実効インダクタンスを制御するように構成される、請求項３４に記載の装置。
アンテナと、
前記アンテナに結合された回路とをさらに備え、前記第１の磁界に作用すると前記アンテナと前記回路との間のインピーダンス整合が容易になる、請求項３４に記載の装置。
前記第１の磁界は、選択されたインダクタパラメータに基づく作用を受ける、請求項３４に記載の装置。
少なくとも１つの半導体ダイに組み込まれる、請求項３４に記載の装置。
セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、携帯情報端末（ＰＤＡ）、固定位置データユニット、およびコンピュータの群から選択されるデバイスをさらに備え、前記デバイスに前記第１の可変磁束密度構成要素が組み込まれる、請求項３４に記載の装置。
密封されたエンクロージャ内の磁性粒子の動きを選択的に制御してインダクタの第１の磁界を修正するためのステップと、
前記インダクタに電流を印加するためのステップであって、前記インダクタは前記電流に応答して前記磁界を生成するステップとを含む方法。
動きを選択的に制御するための前記ステップおよび電流を印加するための前記ステップは、電子デバイスに組み込まれたプロセッサによって開始される、請求項５１に記載の方法。
磁気アレイの少なくとも１つのセルをインダクタの磁界を制御するように選択的に構成するためのステップと、
前記インダクタに電流を印加するためのステップであって、前記インダクタは前記電流に応答して前記磁界を生成するステップとを含む方法。
選択的に構成するための前記ステップおよび電流を印加するための前記ステップは、電子デバイスに組み込まれたプロセッサによって実行される、請求項５３に記載の方法。
エネルギーを磁界に蓄積するための手段と、
制御信号に応答して、エネルギーを蓄積するための前記手段に電流が印加されたときにエネルギーを蓄積するための前記手段の磁界に制御可能に作用するための手段であって、密封されたエンクロージャ内の磁性粒子の動きを制御するための手段を備える手段とを備える装置。
少なくとも１つの半導体ダイに組み込まれる、請求項５５に記載の装置。
セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、携帯情報端末（ＰＤＡ）、固定位置データユニット、およびコンピュータの群から選択されるデバイスをさらに備え、前記デバイスに、エネルギーを蓄積するための前記手段および制御可能に作用するための前記手段が組み込まれる、請求項５５に記載の装置。
エネルギーを磁界に蓄積するための手段と、
制御信号に応答して、エネルギーを蓄積するための前記手段に電流が印加されたときにエネルギーを蓄積するための前記手段の磁界に制御可能に作用するための手段であって、磁気アレイを制御するための手段を備える手段とを備える装置。
少なくとも１つの半導体ダイに組み込まれる、請求項５８に記載の装置。
セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、携帯情報端末（ＰＤＡ）、固定位置データユニット、およびコンピュータの群から選択されるデバイスをさらに備え、前記デバイスに、エネルギーを蓄積するための前記手段および制御可能に作用するための前記手段が組み込まれる、請求項５８に記載の装置。
命令を記憶する非一時的コンピュータ可読媒体であって、前記命令は、プロセッサによって実行されたときに、前記プロセッサに、
密封されたエンクロージャ内の磁性粒子の動きを選択的に制御してインダクタの第１の磁界を修正することを行わせる非一時的コンピュータ可読媒体。
セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、携帯情報端末（ＰＤＡ）、固定位置データユニット、およびコンピュータの群から選択されるデバイスをさらに備え、前記デバイスに、前記非一時的コンピュータ可読媒体が組み込まれる、請求項６１に記載の非一時的コンピュータ可読記憶媒体。
命令を記憶する非一時的コンピュータ可読媒体であって、前記命令は、プロセッサによって実行されたときに、前記プロセッサに、
磁気アレイの少なくとも１つのセルをインダクタの第１の磁界を制御するように選択的に構成することを行わせる非一時的コンピュータ可読媒体。
セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、携帯情報端末（ＰＤＡ）、固定位置データユニット、およびコンピュータの群から選択されるデバイスをさらに備え、前記デバイスに、前記非一時的コンピュータ可読媒体が組み込まれる、請求項６３に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
半導体デバイスに対応する設計情報を含むデータファイルを受信するステップと、
前記設計情報に従って前記半導体デバイスを製造するステップと
を含み、前記半導体デバイスは、
インダクタと、
前記インダクタに電流が印加されたときに前記インダクタの磁界に作用するように位置付けられた可変磁束密度構成要素であって、密封されたエンクロージャ内の磁性粒子を含むインダクタンス制御構成要素を備える可変磁束密度構成要素とを備える方法。
前記データファイルは、ＧＥＲＢＥＲフォーマットを有する、請求項６５に記載の方法。
前記データファイルは、ＧＤＳＩＩフォーマットを有する、請求項６５に記載の方法。
半導体デバイスに対応する設計情報を含むデータファイルを受信するステップと、
前記設計情報に従って前記半導体デバイスを製造するステップと
を含み、前記半導体デバイスは、
インダクタと、
前記インダクタに電流が印加されたときに前記インダクタの磁界に作用するように位置付けられた可変磁束密度構成要素であって、磁気アレイを備える可変磁束密度構成要素とを備える方法。
前記データファイルは、ＧＥＲＢＥＲフォーマットを有する、請求項６８に記載の方法。
前記データファイルは、ＧＤＳＩＩフォーマットを有する、請求項６８に記載の方法。