JP2016524722A5 - - Google Patents

Claims (12)

1. 光導波路と、
   前記光導波路内に配置され、ｐ型コンタクト端子を有する半導体材料のｐ型領域と、
   前記光導波路内に配置され、ｎ型コンタクト端子を有する半導体材料のｎ型領域と、
   を備え、
   前記光導波路に垂直な断面で見た場合に、前記ｎ型領域および前記ｐ型領域が非平面(non-planar)の接合界面(junction interface)を共有し、
   前記光変調器半導体デバイスが動作しているときに、前記非平面の接合界面が、前記光導波路における光学モードと前記非平面接合の間のオーバーラップを向上させる(enhance)ように構成されている、
   光変調器半導体デバイス。
2. 請求項１に記載の光変調器半導体デバイスであって、前記ｎ型領域及び前記ｐ型領域が、前記断面で見た場合に、前記非平面接合の長さを増加させるように構成されている、
   光変調器半導体デバイス。
3. 前記非平面の接合界面が凸面側および凹面側を有する湾曲面(curved surface)を備える、請求項１に記載の光変調器半導体デバイス。
4. 前記湾曲面が英文字「Ｕ」に似ている、請求項３に記載の光変調器半導体デバイス。
5. 請求項３に記載の光変調器半導体デバイスであって、前記湾曲面が、英文字「Ｃ」に似ている、光変調器半導体デバイス。
6. 請求項３に記載の光変調器半導体デバイスであって、前記湾曲面が、英文字「Ｓ」に似ている、光変調器半導体デバイス。
7. 前記ｐ型領域が前記非平面の接合界面の前記凹面側にあり、前記ｎ型領域が前記非平面の接合界面の前記凸面側にある、請求項３に記載の光変調器半導体デバイス。
8. 前記ｎ型領域が前記非平面の接合界面の前記凹面側にあり、前記ｐ型領域が前記非平面の接合界面の前記凸面側にある、請求項３に記載の光変調器半導体デバイス。
9. 前記半導体がシリコンである、請求項１に記載の光変調器半導体デバイス。
10. 前記ｐ型領域が、ホウ素でドープされた、請求項１に記載の光変調器半導体デバイス。
11. 前記ｎ型領域が、リンでドープされた、請求項１に記載の光変調器半導体デバイス。
12. 前記ｎ型領域が、ヒ素でドープされた、請求項１に記載の光変調器半導体デバイス。