JP2013238876A5 - - Google Patents

Claims (3)

1. 一端で入力光信号を受信し、対向する端で変調された光信号を出力するように構成された半導体平面光導波路コアと、
   前記半導体平面光導波路コアのＮ型領域に隣接するように配置されたＮ型にドープされた半導体接続パス、ならびに前記半導体平面光導波路コアのＰ型領域に隣接するように配置されたＰ型にドープされた半導体接続パスであって、前記Ｎ型領域が前記Ｎ型にドープされた半導体接続パスおよび前記Ｐ型領域の間に配置され、前記Ｐ型領域が前記Ｐ型にドープされた半導体接続パスおよび前記Ｎ型領域の間に配置され、前記Ｎ型およびＰ型にドープされた半導体接続パスが前記入力光信号の伝播方向に横切って前記半導体平面光導波路コアに電圧を印加することができる半導体接続パスと、
   を含む光変調器を備える装置であって、
   前記半導体平面光導波路コアが、前記半導体平面光導波路コア内の前記Ｎ型およびＰ型にドープされた領域に形成されたＰＮ接合部を含み、
   真性半導体層または絶縁層が、前記Ｎ型およびＰ型にドープされた半導体接続パスの少なくとも１つと前記半導体平面光導波路コアとの間に配置されている装置。
2. 前記真性半導体層または前記絶縁層が、前記Ｎ型およびＰ型にドープされた半導体接続パスの各々と前記半導体平面光導波路コアとの間に配置されている、請求項１に記載の装置。
3. 前記Ｎ型にドープされた半導体接続パスは、前記Ｎ型領域より高い濃度でＮ型にドープされ、
   前記Ｐ型にドープされた半導体接続パスは、前記Ｐ型領域より高い濃度でＰ型にドープされている、請求項１に記載の装置。