JP2016518792A - 低減されたカップリングを有する小型化に適したｈｆデバイス。 - Google Patents

Abstract

低減された電磁気的な内部カップリングを有し、かつこれによって小型化に適したＨＦデバイスＣが提供される。さらにこのようなデバイスを製造するための方法が提供される。このデバイスＣは、ラダー型パターンの１つの微小音響フィルタを１つのハウジングＨ内に備え、１つの第１のコイルセグメントＳ1および１つの第２のコイルセグメントＳ2を有する１つのダブルコイルを備える。これらの第１および第２のコイルセグメントＳ1，Ｓ2は、互いに反対向きになっている。これらの第１および第２のコイルセグメントＳ1，Ｓ2は、１つの層に配設されており、上記のダブルコイルＤＣＬは、上記のラダー型フィルタパターンの１つの並列分岐共鳴器の近傍に配設されている。【選択図】 図２

Description

本発明はＨＦデバイスに関し、このＨＦデバイスは、たとえば誘導性の電磁カップリングが低減されており、かつこれによって小型化に非常に適している。このような低減されたカップリングは、とりわけＨＦフィルタでは有利である。

ＨＦデバイスの小型化の継続したトレンドは、デバイスにおける回路部分の相互のカップリングに関して特に問題となっている。小型化された構造によって、これらの回路部分間の距離は小さくなる。これによって他の部分における一部の望ましくない信号成分が容易にカップリングされ得る。たとえば何の対策も無しにデュプレクサを小型化したとすると、絶縁が劣化しかねない。この絶縁のために、１つの臨界値からは、小型化はもはや可能でない。これは、そこではこのデュプレクサが絶縁に関する所定の仕様をもはや満たし得ないからである。

特許文献１から、クロストークを低減するために、デュプレクサのアンテナ接続端子と受信接続端子との間、または送信接続端子と受信接続端子との間に１つの静電容量素子を配設することが知られている。

特許文献２から送信接続端子での１つのコイルが知られている。ここでこのコイルは、そのフィルター構造的に隣接する共鳴器（複数）の近傍に配置されるように、基板上に配設されている。

特許文献３から、誘導カップリングの低減用のコイルパターンが知られている。ここでこのコイルは、そのコイル巻線の一部が他のコイルの一部を覆っている領域を備える。

特許文献４から、８の字の形状の電流ループを有する微小音響フィルタが知られている。

上記の特許文献は、電磁カップリングの低減のための方法を与えるものであるが、しかしながら技術的に実現するには比較的難しいものである。

米国特許出願公開第２０１１／０２５４６３９Ａ１号公報 国際公開公報２０１１／０９２８７９Ａ１号 米国特許公報第７１５１４３０Ｂ２号 国際公開公報２０１１／１０１３１４Ａ１号

したがって本発明の課題は、カップリングが低減されたＨＦデバイスを提供することであり、ここでこのデバイスは容易に製造することができるものである。 さらに本発明の課題は、このようなデバイスの製造方法を提供することである。

これらの課題は独立請求項に記載の発明により解決される。従属項は本発明の有利な実施例を提示する。

ＨＦデバイスは、１つのハウジングと、このハウジング内に配設されている、１つのラダー型フィルタパターンを有する１つの微小音響フィルタとを備える。ここでこのラダー型フィルタパターンは、少なくとも１つの直列分岐共鳴器と１つの並列分岐共鳴器とを備える。このデバイスはさらに、１つの第１のコイルセグメント（Spulensegment）と１つの第２のコイルセグメントとを有する、１つのダブルコイルを備える。このダブルコイルも、同様に上記のハウジング内に配設されている。第１のコイルセグメントは、第１の向きを有する１つの外側の巻回セグメント（Windungssegment）を備える。第２のコイルセグメントも同様に、１つの外側の巻回セグメントを備えるが、ただしこの巻回セグメントは、上記の第１の向きに反対方向の第２の向きを有する。これら２つの外側の巻回セグメントは、１つの接続点で結合されている。これら２つのコイルセグメントは、交差することなく１つの単一の層に配設されている。上記のダブルコイルは、上記の並列分岐共鳴器の近傍に配設されている。

上記の２つのコイルセグメントが反対方向であることは、これらのダブルコイルの近傍に配置されている少なくとも１つの領域における電磁気的カップリングを低減するように作用する。一般的にこのダブルコイルは、２つの領域におけるカップリングをも低減し、ここでこれらのコイルはこれらの領域の間のほぼ中央に配設されている。

ここで１つのコイルは１つの導体であり、たとえば磁場の生成に適した１つの巻線である。ここで上記の２つのコイルセグメントの各々は、１つの巻き数を有する１つのコイルを備える。ここでこの巻き数は、上記の導体がこのコイルセグメントの中心の周りを何回回っているかを表すものである。ここでこの巻き数は０より大きい整数であると見做してよい。しかしながらこの巻き数は整数に限定されるものでなく、むしろ有理数または実数の値であると見做してもよい。

微小音響フィルタを有するＨＦデバイスが微小化に適していることは自明である。これは微小フィルタ、たとえばＳＡＷデバイス（ＳＡＷ＝surface acoustic wave ＝ akustische Oberflaechenwelle），ＢＡＷデバイス（ＢＡＷ＝bulk acoustic wave ＝ akustische Volumenwelle），またはＧＢＡＷデバイス（ＧＢＡＷ＝guided bulk acoustic wave ＝ gefuehrte akustische Volumenwelle）は、小さなサイズで良好な絶縁特性を備えているからである。ダブルコイルは、このコイルの近傍の領域におけるカップリングを低減する位置にあることが知られている。さらにＨＦデバイス（複数）のあるデバイス、具体的には音響波で動作する小さなデバイスは、カップリングする信号にとりわけ敏感に反応し、このため特別な保護対策を必要とする。さらにこのダブルコイルは、とりわけ敏感なデバイスを保護するのに適している手段であることが知られている。このダブルコイルが上記の並列分岐共鳴器の近傍に配設されることにより、このダブルコイルは、このカップリングが低減された領域が感受性の１つの敏感なデバイスを有する少なくとも１つの領域と重なるように、容易に調整することができる。

ここでこのダブルコイル自体は、１つのインダクタンス素子となっており、これはフィルタ構造的には、たとえばインピーダンス素子またはＥＳＤ保護素子としていずれにしても必要とされているものである。この場合このダブルコイルは、まったく追加的な素子ではなく、この低減されたサイズという利点は、このコイルの配設によるものであって、このコイル自体が必要とするスペースによるものではない。

１つの実施形態においては、上記の２つのコイルセグメントの少なくとも１つはスパイラル形状に形成されている。これら両方のコイルセグメントがスパイラル形状に形成されていてもよい。この「スパイラル形状」とは、ここでは導体が１つの経路を辿り、この経路の距離が、たとえば電流方向で見て、ほぼこのコイルの中心の周りを延伸し、かつその距離が単調に増加または低下することを意味している。この経路に沿った距離は単に単調に増大または低下するのでなく、むしろ極めて単調に増大または低下してよい。

１つの実施形態においては、上記の２つのコイルセグメントの少なくとも１つは、１つのｍ角形の外形により、またはｎ個の直線状の導体切片から構成されている。ここでｍおよびｎは３以上であってよい。さらにこれらのコイルセグメントの少なくとも１つが湾曲した経路を備えてよい。したがってこの曲がりは単調に増大または低下し、または極めて単調に増大または低下してよい。

ここで上記のｍ角形の外形は、３，４，５，６，７，８，９，１０，１１，１２，またはこれ以上の角を備えてよい。上記の直線状の導体切片の数ｎは、実質的にこの外形の角の数ｍに巻き数を掛けたもので定義される。上記のコイルセグメントが、ｍ角形の外形を全く有していない場合、この直線状の導体切片の数は５〜８０であってよい。

さらに上記の２つのコイルセグメントを、直線状の導体切片（複数）から、および／または１つのｍ角形の外形を用いて構成することが可能である。

さらに１つのコイルセグメントまたは２つのコイルセグメントが、１つの湾曲した経路に沿って延在することが可能である。

１つの実施形態においては、上記の２つのコイルセグメントの少なくとも１つは、アスペクト比がほぼ１より小さいか，１に等しいか，または１より大きい。

ここでこのアスペクト比は、ほぼ１つの部分コイルの長さ／幅の比である。ここでこの長さは、上記のコイルセグメント（複数）の両方の中心を結んだ線に対して平行な方向で規定される。この幅はこれに垂直な方向で規定される。たとえば１つのコイルセグメントが、巻き数の多い、細い導体路および巻線間の狭い間隔の１つのスパイラルである場合、この大きな巻き数のアスペクト比はほぼ１に近づく。

上記の２つのコイルセグメントが同じアスペクト比または異なるアスペクト比を有することが可能である。１つのコイルセグメントが１より小さいアスペクト比を有し、もう１つのコイルセグメントが１より大きいアスペクト比を有することも可能である。

１より大きなアスペクト比では、より小さな幅の上記のダブルコイルが得られ、これにより、不利となり得るこのダブルコイルの他の回路素子との重なりを低減することができる。

１つの実施形態においては、上記の第１のコイルセグメントは、第１の拡がりを有し、これに対し上記の第２のコイルセグメントは、第２の拡がりを有する。ここでこの第２の拡がりは、第１の拡がりとほぼ等しいか、または大きいかまたは小さくてよい。ここでこの「拡がり」なる用語は、その内部に１つのコイルセグメントの全ての導体切片が延在する最も小さな領域を意味する。ここで上記の２つのコイルセグメントの拡がりの形状と大きさ、およびこれらの拡がりの内側のコイルの行路は、これらのコイルが生成することができる電磁場の形状と強度をほぼ決定する。以上のようにこれらの拡がりは、上記のダブルコイルによるカップリングがどの程度低減されるかを決定するために重要である。

１つの実施形態においては、上記の２つのコイルセグメントの双方の巻き数は、同じかまたは異なっている。これらの巻き数は、それぞれ互いに独立に、概ね０．２５〜１００で任意に選択されていてよい。

１つの実施形態においては、上記の第１のコイルセグメントは１つの中心を有し、かつ上記の第２のコイルセグメントは１つの中心を有する。これら２つの中心を通る接続線に垂直になっており、かつ上記の接続点を通って延在する軸は、この軸の回りの領域における電磁気的カップリングが低減された範囲を画定する。

たとえば上記の２つのコイルセグメントが対称またはほぼ対称に形成されている場合、この電磁気的カップリングが低減された範囲がダブルコーンであることが可能である。このダブルコーンの領域、すなわち一般的には電磁気的カップリングが低減された範囲においては、反対向きの誘導性カップリングの感受性のあるデバイス機能部が配設されている。

ここで上記のダブルコーンの領域は、実質的に、上記の２つのコイルセグメントによって生成された磁場が相互に補償し合っていることを特徴としており、これによりカップリングが低減された領域、すなわちダブルコーンが得られる。

とりわけ感受性のあるデバイス機能部、たとえば音響波で動作するフィルタにおけるＤＭＳパターン（ＤＭＳ＝Double Mode SAW，二重モードＳＡＷ）は、この領域に配設されていてよい。

１つの好ましい実施形態においては、上記のダブルコーンは、半開き角αのダブルコーンとなっており、ここでαは０°〜５０°である。特にこの半開き角αは４０°であってよい。

電子ＨＦデバイスの１つの製造方法においては、上記の２つのコイルセグメントが１つの共通な層に形成される。これは容易に可能であるが、これは上記のダブルコイルが１つの単一の層に配設されているからである。

本発明によるデバイスおよび／または方法の１つの実施形態においては、上記の共通な層は、２つ以上の重なって配設された層膜を備える。

このデバイスが１つのデュプレクサである場合、１つのバランス型に実装された受信出力への１つの送信フィルタのカップリングが低減されるように、上記のダブルコイルを上記のハウジングの中に配置することが可能である。

上記のダブルコイルは、上記の接続点を対称中心とする点対称であってよく、またはこの接続点を通る鏡面対称軸とする鏡面対称であってよい。しかしながらこのダブルコイルは非対称に形成されていてもよい。これよりたとえばコイルセグメント当たりの巻き数は異なっていてよい。

このダブルコイルの製造は、単層プロセスで可能である。

以下で本発明によるＨＦデバイスを、実施例および実施例に関連した概略図に参照してより詳細に説明する。

デバイスＣのハウジングＨの横断面を示す。 １つの並列共鳴器に対するダブルコイルの可能な配置を示す。 ダブルコイルがほぼ１のアスペクト比を有する、１つのデバイス Ｃを示す。 ダブルコイルが１より大きいアスペクト比を有する、１つのデバ イスＣを示す。 ダブルコイルの向きに対するダブルコーンの領域を示す。 ダブルコイルの１つの可能な実施形態を示す。 ダブルコイルの１つの代替の実施形態を示す。 ダブルコイルの１つの代替の実施形態を示す。 ダブルコイルの１つの代替の実施形態を示す。 ダブルコイルの１つの代替の実施形態を示す。 ダブルコイルの１つの代替の実施形態を示す。 ダブルコイルの１つの代替の実施形態を示す。 ５角形の外形を有する１つのコイルセグメントの１つの構成を 示す。 ダブルコイル有り／無しのデュプレクサの行列要素Ｓ₁₂，Ｓ₂₃ を示す。 ダブルコイル有り／無しのデュプレクサのＴＸ−ＲＸの絶縁を 示す。 より大きな周波数領域における行列要素Ｓ₁₂，Ｓ₂₃を示す。 より大きな周波数領域におけるデュプレクサの行列要素Ｓ₁₃（ ＴＸ−ＲＸの絶縁）を示す。 ＴＸ入力部での反射を示す。 ＴＸ入力部での周波数依存の入力インピーダンスを示す。 ＲＸ出力部での反射を示す。 ＲＸ出力部での周波数依存のインピーダンスを示す。 アンテナ接続端子での反射を示す。 アンテナ接続端子での周波数依存のインピーダンスを示す。

図１は１つのデバイスＣの横断面を示す。ハウジングＨ内にはデバイス素子（複数）ＣＣが配設されている。これらのデバイス素子ＣＣは、たとえば音響波で動作するフィルタ素子（複数）であってよい。微小化の継続的なトレンドによって、これらのデバイス素子ＣＣの間の距離は減少し、これによりカップリングはますます問題となっている。ここでこれらの素子ＣＣの１つは、上述のような１つのダブルコイルを含んでよく、またこれによってカップリングの低減された領域を実現することができ、これによってさらなる微小化が可能である。

図２は１つのラダー型フィルタ回路を有する１つのデバイスＣの１つの実施形態を示す。このラダー型フィルタ回路は、直列に接続されている２つの直列分岐共鳴器を備える。さらにこのフィルタ回路は、２つの並列共鳴器ＰＲを備え、これらはそれぞれ上記の直列分岐のグラウンドとの接続部であり得る。１つのダブルコイルＤＣＬは、１つの並列分岐共鳴器ＰＲの近傍に配設されており、かつ上記の２つの直列共鳴器ＳＲの右側が１つのダブルコーンの領域に配設されるように配置されている。ここでこのダブルコイルＤＣＬは、１つの第１のコイルセグメントＳ₁と１つの第２のコイルセグメントＳ₂とを備える。これら２つのコイルセグメントの向きは、電流の流れ方向に関し、互いに逆方向となっている。

図３は、１つのダブルコイルＤＣＬと１つのラダー型フィルタパターンとを有する、１つのデバイスＣを示す。このラダー型フィルタパターンは、５個の直列分岐共鳴器ＳＲおよび４個の並列分岐共鳴器ＰＲを備える。このダブルコイルＤＣＬは、最も下側の並列分岐共鳴器の近傍に配設されている。最も上側の直列共鳴器ＳＲと結合されて、１つのＤＭＳパターンが配設されている。ここでダブルコイルＤＣＬは、このＤＭＳパターンＤＭＳに対して、このＤＭＳパターンＤＭＳが、このコイルＤＣＬによってカップリングが低減される１つの領域にあるように、配設および配向される。ＤＭＳパターンは、具体的には１つのデュプレクサの１つのＲＸ出力と回路接続されていてよく、かつ受信信号を１つの低雑音増幅器に転送してよい。このため１つのＤＭＳパターンへの望ましくない信号のカップリングは、特に重大であろう。

ここでダブルコイルＤＣＬは、長さＬ₁および幅Ｗ₁を有する。ここでこの長さは、上記のコイルセグメント（複数）の中心を結んだ線の方向で規定される。この幅はこれに直角な方向で規定される。アスペクト比の定義には、このダブルコイルの長さの半分、すなわちほぼ１つのコイルセグメントの長さが用いられる。図３のダブルコイルのコイルセグメント（複数）は、ほぼ１のアスペクト比を有している。

図４は、デバイスＣの１つの実施形態を示し、ここでは上記のダブルコイルのコイルセグメント（複数）が１つの増大されたアスペクト比を有している。長さＬ２は、ほぼ図３のダブルコイルの長さに相当している。図４のダブルコイルの幅Ｗ₂は、図３のダブルコイルの幅Ｗ₁に対して低減されている。こうして増大されたアスペクト比となる。この結果並列分岐共鳴器ＰＲ₂との重なりは低減される。

図５は、ダブルコイルの配置に対するダブルコーンの配置を示す。コイルセグメント（複数）は、それぞれ１つの外側の巻線セグメントＥＸＴＳを備え、これらは１つの接続点ＣＰで互いに結合されている。ダブルコーンＤＣＮは、１つの対称軸Ｓを有し、これはコイルセグメント（複数）の中心（複数）を結ぶ線に対して直角になっている。このダブルコーンは、開き角２×４０°、すなわち半開き角４０°を有する。このダブルコーンにおいては、上記の電磁気的カップリング、具体的には誘導性カップリングが低減されている。このダブルコーンに配設されているデバイスは、ダブルコイルを通る電流による、低減された誘導性のクロストークを受ける。

図６はダブルコイルの１つの実施形態を示し、ここで下側のコイルセグメントは巻き数が２．５であり、また上側のコイルセグメントは巻き数が２．５である。

図７はダブルコイルの１つの実施形態を示し、ここで上側のコイルセグメントＳ₁は巻き数が２であり、また下側のコイルセグメントＳ₂は巻き数がほぼ０．７５である。

図８はダブルコイルの１つの実施形態を示し、ここで上側のコイルセグメントは巻き数が２．５であり、また下側のコイルセグメントは巻き数が２である。

図９はダブルコイルの１つの実施形態を示し、ここで上側のコイルセグメントＳ１と下側のコイルセグメントＳ２は、それぞれ僅かに０．２５を越える巻き数となっている。このダブルコイルは、入力あるいは出力ポートＰを介して他の回路素子と回路接続されていてよい。こうしてこのダブルコイルは、たとえば上記のラダー型フィルタパターンの１つの並列共鳴器と回路接続されていてよい。

図１０はダブルコイルの１つの実施形態を示し、ここで上側のコイルセグメントは巻き数が１．７５であり、また下側のコイルセグメントは巻き数が２．５である。

図１１はダブルコイルの１つの実施形態を示し、ここで上側のコイルセグメントも下側のコイルセグメントも巻き数が２である。

図１２はダブルコイルの１つの実施形態を示し、ここで上側のコイルセグメントは巻き数が２．１２５であり、また下側のコイルセグメントは巻き数が２．６２５である。

図１３は、５角形の外形を備え、１５個の直線状の導体セグメントを備える、１つのコイルセグメントの１つの実施形態を示す。ここで内側の、最も短い導体セグメントは、径方向に向いており、かつ巻き数には寄与しない。

合計すると、図１３のコイルセグメントの巻き数は２．８となる。

ここでは５角形であるが、上記のｍ角形の外形は対称的なｍ角形に基づいていてよい。しかしながらこの外形が非対称なｍ角形に基づいていてもよい。

図１４は、１つのデュプレクサの伝達関数の行列要素Ｓ₁₂の大きさを、ダブルコイル有りの場合（曲線１）と、従来の簡単なコイル（Einfachspule）の場合（曲線２）とに対し示す。曲線３および４は、受信フィルタの伝達関数Ｓ₂₃を示す。ここでダブルコイルを有するデュプレクサの曲線１は、ＴＸ通過帯域の外側、特に受信周波数領域において、顕著に改善された阻止効果を示す。伝達関数３および４は、受信フィルタの伝達関数にはほぼこのダブルコイルの影響が無いことを示している。

図１５は、ダブルコイル有り（曲線１）とダブルコイル無し（曲線２）のＴＸ−ＲＸの絶縁（行列要素Ｓ₁₃）を示す。ここでダブルコイルがある場合は、絶縁が顕著に改善されている。

図１６は図１４の曲線ではあるが、これより広い周波数領域で示したものである。通過帯域から遥かに離れた伝達関数の振る舞いがほぼ一定となるように、上記のコイルを設置することが可能である。

図１７は、図１５の曲線をより広い周波数領域に対して示す。

図１８は、１つのデュプレクサの接続端子での反射（行列要素Ｓ₁₁）を示す。ここで曲線１は、ダブルコイルを有する１つのデュプレクサの反射を示し、これに対し曲線２は、従来の簡単なコイルを有する１つのデュプレクサの反射を示している。

図１９は、送信接続端子の周波数依存のインピーダンスのスミスチャートを２つのデュプレクサに対し示したものであり、１つはダブルコイルを備えたもの、もう１つは従来の簡単なコイルを備えたものである。ここではこれらの特性インピーダンスは、殆ど差が無い。

図２０は、アンテナ接続端子の反射（行列要素Ｓ３３）を２つのデュプレクサに対して示したものであり、１つはダブルコイルを備えたもの、もう１つは従来の簡単なコイルを備えたものである。２つの曲線の振る舞いは、ほぼ同一であり、これよりダブルコイルはアンテナ入力での反射特性に影響を与えていない。

図２１は、図２０のデュプレクサに対する周波数依存のインピーダンスを示し、ここでも同様にコイルによるインピーダンスの変化は認められない。

図２２は、受信接続端子での反射を２つのデュプレクサに対して示したものであり、１つはダブルコイルを備えたもの、もう１つは従来の簡単なコイルを備えたものである。これらの曲線はほぼ一致しており、これよりダブルコイルは受信接続端子での反射に対し認識できるような影響を全く与えない。

図２３は、受信接続端子での周波数依存のインピーダンスを示し、１つはダブルコイルを備えたデュプレクサに対し、もう１つは簡単なコイルを備えたデュプレクサに対し示している。少なくともここで関連する周波数領域、すなわち５０Ωの周りの領域である、スミスチャートの中心においては、ダブルコイルに起因する差が全く認識されない。

本発明によるデバイスは上記の実施形態例の１つに限定されない。追加的な導体切片（複数），フィルタ（複数），インピーダンス素子，およびこれらの組合せを有するデバイスも同様に本発明による実施形態例となるものである。

１，２ ： 伝達関数Ｓ₁₂，Ｓ₂₃
１１，１２ ： 受信接続端子での反射
３，４ ： 伝達関数Ｓ₂₃
５，６ ： ＴＸ−ＲＸの絶縁Ｓ₁₃
７，８ ： 送信接続端子での反射
９，１０ ： アンテナ接続端子での反射
Ｃ ： ＨＦデバイス
ＣＣ ： デバイス素子
ＣＰ ： 接続点
ＤＣＬ ： ダブルコイル
ＤＣＮ ： ダブルコーン
ＤＭＳ ： ＤＭＳ（二重モードＳＡＷ，Double Mode SAW）パターン
ＥＸＴＳ ： 外側巻線セグメント
Ｈ ： ハウジング
Ｌ１，Ｌ２ ： ダブルコイルの長さ
Ｐ ： ダブルコイルの入力または出力ポート
ＰＲ ： 並列分岐共鳴器
ＰＲ２ ： 並列分岐共鳴器
Ｓ ： ダブルコイルの対称軸
Ｓ１，Ｓ２ ： 第１，第２のコイルセグメント
ＳＲ ： 直列分岐共鳴器
Ｗ₁，Ｗ₂ ： ダブルコイルの幅

Claims (11)

1. 電子ＨＦデバイス（Ｃ）であって、
   ハウジング（Ｈ）と、
   前記ハウジング内に１つの直列分岐共鳴器（ＳＲ）と１つの並列分岐共鳴器（ＰＲ）とを有する１つのラダー型フィルタパターンを有する１つの微小音響フィルタと、
   前記ハウジング（Ｈ）内に１つの第１のコイルセグメント（Ｓ₁）と１つの第２のコイルセグメント（Ｓ₂）とを有する１つのダブルコイル（ＤＣＬ）と、
   を備え、
   前記第１のコイルセグメント（Ｓ₁）は、第１の向きを有する１つの外側の巻回セグメント（ＥＸＴＳ）を備え、
   前記第２のコイルセグメント（Ｓ₂）は、反対方向の第２の向きを有する１つの外側の巻回セグメント（ＥＸＴＳ）を備え、
   前記第１および第２の巻回セグメント（Ｓ₁，Ｓ₂）は、１つの接続点（ＣＰ）に結合されており、
   前記第１および第２の巻回セグメント（Ｓ₁，Ｓ₂）は、交差することなく１つの単一の層に配設されており、
   前記ダブルコイル（ＤＣＬ）は、前記並列分岐共鳴器（ＰＲ）の近傍に配設されている、
   ことを特徴とする電子ＨＦデバイス。
2. 前記第１および第２のコイルセグメント（Ｓ₁，Ｓ₂）の少なくとも１つはスパイラル形状に形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の電子ＨＦデバイス。
3. 前記第１および第２のコイルセグメント（Ｓ₁，Ｓ₂）の少なくとも１つは、
   ｍが３以上の、ｍ角形の外形を有し、または
   ｎが３以上の、ｎ個の直線状の導体切片から構成されている、
   ことを特徴とする、請求項１または２に記載の電子ＨＦデバイス。
4. 前記第１および第２のコイルセグメント（Ｓ₁，Ｓ₂）の少なくとも１つは、ほぼ１より小さいか，１に等しいか，または１より大きいアスペクト比を有することを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の電子ＨＦデバイス。
5. 前記第１のコイルセグメント（Ｓ₁）は、第１の拡がりを有し、前記第２のコイルセグメント（Ｓ₂）は、第２の拡がりを有し、当該第２の拡がりは、前記第１の拡がりと異なるか、または前記第１の拡がりとほぼ等しいことを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の電子ＨＦデバイス。
6. 前記第１および第２のコイルセグメント（Ｓ₁，Ｓ₂）の双方の巻き数は、同じかまたは異なっていることを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の電子ＨＦデバイス。
7. 前記第１のコイルセグメント（Ｓ₁）は、１つの中心を有し、前記第２のコイルセグメントは１つの中心を有し、
   １つの電磁気的カップリングが低減された領域が、前記第１のコイルセグメントおよび前記第２のコイルセグメントの中心を結ぶ直線に対して垂直で、かつ前記接続点（ＣＰ）を通って延在する１つの軸（Ｓ）によって規定されており、
   １つの互いに誘導性カップリングに対し感受性のあるデバイス機能部が前記領域に配設されている、
   ことを特徴とする、請求項６に記載の電子ＨＦデバイス。
8. 前記電磁気的カップリングが低減された領域は、１つのダブルコーンとなっており、
   前記デバイス機能部は、前記ダブルコーンの領域に配設されている、
   ことを特徴とする、請求項７に記載の電子ＨＦデバイス。
9. 前記ダブルコーン（ＤＣＮ）は、５０°以下の半開き角αを有することを特徴とする、請求項８に記載の電子ＨＦデバイス。
10. 前記第１および第２のコイルセグメント（Ｓ₁，Ｓ₂）は、１つの共通な層に形成されることを特徴とする、請求項１に記載の電子ＨＦデバイスを製造するための方法。
11. 前記共通な層は、２つ以上の層膜の堆積によって形成されることを特徴とする、請求項１０に記載の方法。