JP2016514949A - ハイブリッド電圧レギュレータを提供するための装置、システム、及び方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本明細書は、米国特許法第119条(e)項の下で、2013年4月11日に出願された米国仮出願第61/810,998号、「SYSTEMS AND METHODS FOR PROVIDING A HYBRID VOLTAGE REGULATOR」と題され、参照により全体として本明細書に組み込まれる、先の出願日の利益を主張する。
本発明は、米国立科学財団(National Science Foundation、NSF)により授与された1248828に従う政府支援を受けてなされたものである。政府は本発明にある種の権利を有する。
によって計算され得、ここでPLは出力負荷106に送達される電力を示し、POはバックレギュレータ108の出力電力を示す。PLは以下PL=PO−PLOSSのように計算され得、ここでPLOSSは、電圧調整プロセス中の電力損失の量を含む。
のN:Mのいくつかの例は、1:1、2:1、3:1、3:2、4:1、4:3、5:1、5:2、5:3、5:4、6:5、7:1,7:2、7:3、7:4、7:5、7:6、または任意の他の適切な分数(比、割合)を含む。
降圧するように構成され、VTMP302は大部分においてVOUTよりも高い。N:Mレギュレータの効率が高いと仮定すると、出力負荷によって引き出される電力はN:Mレギュレータによって引き出される電力とおおよそ等量であり、これはフライングバックレギュレータによって提供される電力と等量である。したがって、周知の電力方程式である、電力は電圧に電流を乗じたものに等しい(P=VI)に基づき、フライングバックレギュレータ314によって提供される電流IL112はおおよそ
であり、ここでILOAD316は出力負荷で引き出される電流である。MがしばしばNよりも小さいため、フライングバックレギュレータ314はILOADの分数をN:Mレギュレータに提供するだけでよい。したがって、このレギュレータトポロジは、インダクタを通じて抵抗損失(IL、RMS 2R損失)をおおよそ(M/N)2に低減し得る。さらに、抵抗損失の低減は、変換率(M:N比)が大きくなるにつれて大きくなる。抵抗損失の低減は、電力は電圧に電流を乗じたものに等しい(P=VI)の観測によって達成される。固定量の電力が送達される場合、電力を少量の電流のみを送達することを可能にする高圧で提供することが望ましい。
に降圧することができない場合があり得る。その代わり、SCレギュレータは、VOUTとして、
を提供し得、ここでVDELTAは小さい値である。例えば、90nmプロセスにおいて、VDELTAは0〜200mVの範囲である。いくつかの場合において、VDELTAは、SCレギュレータの非理想的な特徴によって存在し得る。例えば、非理想的な特徴は、寄生容量を含み得る。しかしながら、しばしばVDELTAは出力電圧と比べて実質的に小さい場合があり得る。いくつかの場合において、SCレギュレータの効率は、
であるときに最も高くなり得る。
に近いときに最も高くなり得る。したがって、第1のフィードバックループ928は、出力電圧VOUTが
に近くなるようにステップダウンレギュレータ312を動作させるように構成される。同時に、第2のフィードバックループ930は、出力電圧VOUTが目標電圧に近くなるようにフライングスイッチドインダクタレギュレータ314を動作させるように構成される。
Claims (47)
- 電圧レギュレータであって、第1の電圧信号を受信し、かつ前記第1の電圧信号の少なくとも一部に基づいて最終電圧信号を提供するように構成され、
第1の電圧信号を受信するように構成された第1の入力端子、第2の電圧信号を受信するように構成された第2の入力端子、ならびに前記第1の電圧信号及び前記第2の電圧信号の少なくとも一部に基づいて中間電圧信号を提供するように構成された出力端子を有する、フライングスイッチドインダクタレギュレータと、
前記フライングスイッチドインダクタレギュレータの前記出力端子に連結される入力端子、出力端子、及び複数のキャパシタを備えるステップダウンレギュレータであって、前記ステップダウンレギュレータの前記入力端子で、前記フライングスイッチドインダクタレギュレータの前記出力端子から前記中間電圧信号を受信し、かつ前記複数のキャパシタの所定の構成を用いて、前記ステップダウンレギュレータの前記出力端子に前記最終電圧信号を提供するように構成される、ステップダウンレギュレータと、
入力端子、出力端子、フライングキャパシタ、及び複数のスイッチを備えるレベルシフトレギュレータであって、前記レベルシフトレギュレータの前記入力端子で、前記ステップダウンレギュレータの前記最終電圧信号を受信し、かつ前記レベルシフトレギュレータの前記出力端子で、前記ステップダウンレギュレータの前記最終電圧信号に基づいて前記第2の電圧信号を提供するように構成される、レベルシフトレギュレータと、を備える、前記電圧レギュレータ。 - 前記レベルシフトレギュレータが、前記複数のスイッチの構成を変更して、前記フライングスイッチドインダクタレギュレータの前記第1の入力端子及び前記第2の入力端子と並列となるように、前記フライングキャパシタを提供するように構成される、請求項1に記載の前記電圧レギュレータ。
- 前記レベルシフトレギュレータが、前記複数のスイッチの構成を変更して、前記ステップダウンレギュレータの前記出力端子及び接地と並列となるように、前記フライングキャパシタを提供するように構成される、請求項1に記載の前記電圧レギュレータ。
- 前記フライングスイッチドインダクタレギュレータが、100ピコヘンリー〜1マイクロヘンリーの範囲のインダクタンスを有するインダクタを備える、請求項1に記載の前記電圧レギュレータ。
- 前記ステップダウンレギュレータの前記複数のキャパシタのうちの少なくとも1つが、ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)製作プロセスを用いて製作される、請求項1に記載の前記電圧レギュレータ。
- 前記フライングスイッチドインダクタレギュレータが、タイムインターリーブ様式で並列に動作するように構成された複数のレギュレータを備える、請求項1に記載の前記電圧レギュレータ。
- 前記フライングスイッチドインダクタレギュレータが、第1のスイッチング周波数で動作するように構成され、前記ステップダウンレギュレータが、第2のスイッチング周波数で動作するように構成される、請求項1に記載の前記電圧レギュレータ。
- 前記ステップダウンレギュレータの前記最終電圧信号を調整するように構成された第1の制御ループと、前記フライングスイッチドインダクタレギュレータの前記中間電圧信号を調整するように構成された第2の制御ループと、をさらに備える、請求項1に記載の前記電圧レギュレータ。
- 前記ステップダウンレギュレータが高変換効率を提供する形態で動作するように、前記第1の制御ループが、ステップダウンレギュレータを動作させて、前記出力ノードで前記中間電圧信号の割合を提供するように構成される、請求項8に記載の前記電圧レギュレータ。
- 前記第1の制御ループが、ステップダウンレギュレータを動作させて、前記ステップダウンレギュレータの前記最終電圧信号を目標出力電圧の規定の誤差範囲内にさせるように構成される、請求項8に記載の前記電圧レギュレータ。
- 前記フライングスイッチドインダクタレギュレータの前記インダクタを除く、前記フライングスイッチドインダクタレギュレータ及び前記ステップダウンレギュレータが、単一のダイ内に提供される、請求項4に記載の前記電圧レギュレータ。
- 前記インダクタが、オンパッケージまたはオンボードの個別の構成要素として提供される、請求項11に記載の前記電圧レギュレータ。
- 電子システムであって、
請求項1に記載の電圧レギュレータと、
前記電圧レギュレータに連結された目標負荷システムと、を備え、前記電圧レギュレータ内の前記ステップダウンレギュレータの前記出力端子が前記目標負荷システムに連結される、電子システム。 - 前記目標負荷システムがバッテリを含み、前記電圧レギュレータがユニバーサルシリアルバスの電力線から前記第1の電圧信号を受信し、かつ前記最終電圧信号を前記バッテリに提供するように構成される、請求項13に記載の前記電子システム。
- 前記目標負荷システムがシステムオンチップ(SoC)を備え、前記SoC及び前記電圧レギュレータが単一のSoCパッケージ内にパッケージ化される、請求項13に記載の前記電子システム。
- 前記目標負荷システムがシステムオンチップ(SoC)を備え、前記SoC及び前記電圧レギュレータがプリント基板(PCB)上に提供される、請求項13に記載の前記電子システム。
- 電子システムであって、
請求項1に記載の電圧レギュレータを備え、前記電圧レギュレータが、前記電圧レギュレータ内の前記ステップダウンレギュレータの前記出力端子が入力電圧源に連結され、かつ前記フライングスイッチドインダクタレギュレータの前記第1の入力端子が前記電圧レギュレータの目標負荷に連結される逆方向に動作するように構成される、前記電子システム。 - 前記電圧レギュレータを逆方向に動作させる前記電子システムが、前記電圧レギュレータをステップアップレギュレータとして動作させるように構成される、請求項17に記載の前記電子システム。
- 前記ステップダウンレギュレータの前記出力端子がバッテリに連結され、前記フライングスイッチドインダクタレギュレータの前記第1の入力端子がユニバーサルシリアルバスの電力線に連結される、請求項18に記載の前記電子システム。
- フライングスイッチドインダクタレギュレータ及びステップダウンレギュレータを備える電圧レギュレータを用いて第1の電圧信号を最終電圧信号に変換する方法であって、
前記フライングスイッチドインダクタレギュレータの第1の入力端子で前記第1の電圧信号を受信し、前記フライングスイッチドインダクタレギュレータの第2の入力端子で第2の電圧信号を受信することと、
前記フライングスイッチドインダクタレギュレータの出力端子で、前記第1の電圧信号及び前記第2の電圧信号の少なくとも一部に基づいて中間電圧信号を提供することと、
前記ステップダウンレギュレータ内の複数のキャパシタの所定の構成を用いて、ステップダウンレギュレータの出力端子に、前記中間電圧信号に基づいて前記最終電圧信号を提供することと、
レベルシフトレギュレータの入力端子で前記最終電圧信号を受信し、かつ前記レベルシフトレギュレータを用いて、前記フライングスイッチドインダクタレギュレータの前記第2の入力端子に、前記最終電圧信号に基づいて決定された前記第2の電圧信号を提供して、前記ステップダウンレギュレータの前記出力端子と前記フライングスイッチドインダクタレギュレータの前記第2の入力端子との間にフィードバックパスを形成することと、を含む、前記方法。 - 前記レベルシフトレギュレータが、フライングキャパシタ及び複数のスイッチを備え、前記方法が、前記複数のスイッチの構成を修正することによって、前記フライングスイッチドインダクタレギュレータの前記第1の入力端子及び前記第2の入力端子と並列に前記フライングキャパシタを提供することを含む、請求項20に記載の前記方法。
- 前記レベルシフトレギュレータが、フライングキャパシタ及び複数のスイッチを備え、前記方法が、前記複数のスイッチの構成を修正することによって、前記ステップダウンレギュレータの前記出力端子及び接地と並列に前記フライングキャパシタを提供することをさらに含む、請求項20に記載の前記方法。
- 第1の電圧信号を受信し、かつ前記第1の電圧信号の少なくとも一部に基づいて第2の電圧信号を提供するように構成された電圧レギュレータであって、
インダクタを備える受信レギュレータであって、前記インダクタの第1の端子で前記第1の電圧信号を受信し、かつ前記第1の電圧信号の少なくとも一部に基づいて前記インダクタの第2の端子で中間電圧信号を提供するように構成される、受信レギュレータと、
複数の入力端子及び出力端子を備えるステップダウンレギュレータであって、前記複数の入力端子のうちの1つで、ある期間の一部の間、前記インダクタの前記第2の端子から前記中間電圧信号を受信し、かつ前記受信された中間電圧信号に基づいて、前記出力端子で前記第2の電圧信号を提供するように構成される、ステップダウンレギュレータと、を備える、前記電圧レギュレータ。 - 前記インダクタの前記第2の端子を前記複数の入力端子のうちの少なくとも1つに連結するように構成された複数のスイッチをさらに備える、請求項23に記載の前記電圧レギュレータ。
- 前記複数のスイッチのうちの第1のスイッチが、前記インダクタの前記第2の端子を前記複数の入力端子のうちの第1の入力端子に連結するように構成され、前記複数のスイッチのうちの第2のスイッチが、前記インダクタの前記第2の端子を前記複数の入力端子のうちの第2の入力端子に連結するように構成され、前記第1のスイッチ及び前記第2のスイッチが、時間多重様式でオンにされる、請求項24に記載の前記電圧レギュレータ。
- 前記ステップダウンレギュレータが、前記第1の入力端子の電圧を第1の量だけ低下させ、前記第2の入力端子の電圧を前記第1の量と異なる第2の量だけ低下させるように構成される、請求項25に記載の前記電圧レギュレータ。
- 前記第1のスイッチ及び前記第2のスイッチのデューティサイクルを制御して、前記電圧レギュレータの前記第2の電圧信号を制御するように構成されたコントローラをさらに備える、請求項26に記載の前記電圧レギュレータ。
- 前記ステップダウンレギュレータが、複数のスイッチドキャパシタレギュレータを含む、請求項26に記載の前記電圧レギュレータ。
- 前記受信レギュレータ及び前記複数のスイッチが、フライングスイッチドインダクタレギュレータを形成する、請求項24に記載の前記電圧レギュレータ。
- 前記ステップダウンレギュレータ及び前記複数のスイッチが、スイッチドキャパシタレギュレータを形成する、請求項24に記載の前記電圧レギュレータ。
- 前記受信レギュレータが、前記電圧レギュレータが最初に起動されたときに、前記インダクタを短絡して突入電流を低減させるように構成されたシャントスイッチをさらに備える、請求項23に記載の前記電圧レギュレータ。
- 前記受信レギュレータが、前記インダクタと直列の直列スイッチをさらに備え、前記直列スイッチが、前記電圧レギュレータが最初に起動されたときに、前記インダクタを前記第1のスイッチ及び前記第2のスイッチから分離して突入電流を低減させるように構成される、請求項25に記載の前記電圧レギュレータ。
- 前記電圧レギュレータが最初に起動されたときに、前記インダクタの前記第2の端子の電圧を上昇させて突入電流を低減させるように構成されたシャントレギュレータをさらに備える、請求項23に記載の前記電圧レギュレータ。
- 前記電圧レギュレータが最初に起動されたときに、前記ステップダウンレギュレータ内のノードのうちの1つの電圧を上昇させて突入電流を低減させるように構成されたシャントレギュレータをさらに備える、請求項23に記載の前記電圧レギュレータ。
- 前記ステップダウンレギュレータが少なくとも1つのキャパシタを備え、前記少なくとも1つのキャパシタがダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)製作プロセスを用いて製作される、請求項23に記載の前記電圧レギュレータ。
- 電子システムであって、
請求項23に記載の電圧レギュレータと、
前記電圧レギュレータに連結された目標負荷システムと、を備え、前記電圧レギュレータ内の前記スイッチドキャパシタレギュレータの前記出力端子が前記目標負荷システムに連結される、前記電子システム。 - 前記目標負荷システムがバッテリを含み、電圧レギュレータがユニバーサルシリアルバスの電力線から前記第1の電圧信号を受信し、かつ前記ユニバーサルシリアルバスの前記電力線を用いて前記第2の電圧信号を前記バッテリに提供して前記バッテリを充電するように構成される、請求項36に記載の前記電子システム。
- 電子システムであって、
請求項23に記載の電圧レギュレータであって、前記電圧レギュレータ内の前記スイッチドキャパシタレギュレータの前記出力端子が入力電圧源に連結され、かつ受信レギュレータ内の前記インダクタの前記第1の端子が前記電圧レギュレータの目標負荷に連結される逆方向に動作するように構成される、電圧レギュレータを備える、前記電子システム。 - 前記電圧レギュレータを逆方向に動作させる前記電子システムが、前記電圧レギュレータをステップアップレギュレータとして動作させるように構成される、請求項38に記載の前記電子システム。
- 前記電圧レギュレータ内の前記スイッチドキャパシタレギュレータの前記出力端子がバッテリに連結され、前記受信レギュレータの前記インダクタの前記第1の端子がユニバーサルシリアルバスの電力線に連結される、請求項39に記載の前記電子システム。
- 受信レギュレータ及びスイッチドキャパシタレギュレータを備える電圧レギュレータを用いて第1の電圧信号を第2の電圧信号に変換する方法であって、
前記受信レギュレータ内のインダクタの第1の端子で、前記第1の電圧信号を受信することと、
前記インダクタの第2の端子で、前記第1の電圧信号の少なくとも一部に基づいて中間電圧信号を提供することと、
前記インダクタの前記第2の端子を前記ステップダウンレギュレータの複数の入力端子のうちの1つに連結して、前記複数の入力端子のうちの前記1つに前記中間電圧信号を提供することと、
前記複数の入力端子のうちの前記1つで、前記ステップダウンレギュレータを用いて前記中間電圧信号を前記第2の電圧信号に変換することと、を含む、前記方法。 - 前記複数の入力端子のうちの1つが接地に連結される、請求項41の前記方法。
- 第1のスイッチを介して第1の持続時間、前記インダクタの前記第2の端子を前記複数の入力端子のうちの第1の入力端子に連結することと、第2のスイッチを介して第2の持続時間、前記インダクタの前記第2の端子を前記複数の入力端子のうちの第2の入力端子に連結することと、をさらに含む、請求項41の前記方法。
- 前記第1の持続時間と前記第2の持続時間の比率を制御して前記第2の電圧信号を制御することをさらに含む、請求項41の前記方法。
- 前記電圧レギュレータが最初に起動されたときに、シャントスイッチを用いて前記インダクタの前記第1の端子及び前記第2の端子を短絡して突入電流を低減させることをさらに含む、請求項41の前記方法。
- 前記電圧レギュレータが最初に起動されたときに、シャントレギュレータを用いて前記インダクタの前記第2の端子の電圧を上昇させて突入電流を低減させることをさらに含む、請求項41の前記方法。
- 前記電圧レギュレータ内の前記スイッチドキャパシタレギュレータの前記出力端子が入力電圧源に連結され、前記受信レギュレータ内の前記インダクタの前記第1の端子が前記電圧レギュレータの目標負荷に連結されて、前記電圧レギュレータを逆方向に動作させる、請求項41の前記方法。
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---|---|
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7388991B2 (ja) | 2020-07-22 | 2023-11-29 | 日清紡マイクロデバイス株式会社 | 定電流回路 |
Families Citing this family (48)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8212541B2 (en) * | 2008-05-08 | 2012-07-03 | Massachusetts Institute Of Technology | Power converter with capacitive energy transfer and fast dynamic response |
US10389235B2 (en) | 2011-05-05 | 2019-08-20 | Psemi Corporation | Power converter |
US10680515B2 (en) | 2011-05-05 | 2020-06-09 | Psemi Corporation | Power converters with modular stages |
US9882471B2 (en) | 2011-05-05 | 2018-01-30 | Peregrine Semiconductor Corporation | DC-DC converter with modular stages |
CN108964442A (zh) | 2011-05-05 | 2018-12-07 | 北极砂技术有限公司 | 用于电源转换的装置 |
US8619445B1 (en) | 2013-03-15 | 2013-12-31 | Arctic Sand Technologies, Inc. | Protection of switched capacitor power converter |
US9660520B2 (en) | 2013-04-09 | 2017-05-23 | Massachusetts Institute Of Technology | Method and apparatus to provide power conversion with high power factor |
US9673699B1 (en) | 2013-08-08 | 2017-06-06 | Iml International | Floating charge pump voltage converter |
US10840805B2 (en) | 2013-09-24 | 2020-11-17 | Eta Devices, Inc. | Integrated power supply and modulator for radio frequency power amplifiers |
US9755672B2 (en) | 2013-09-24 | 2017-09-05 | Eta Devices, Inc. | Integrated power supply and modulator for radio frequency power amplifiers |
WO2015069516A1 (en) | 2013-10-29 | 2015-05-14 | Massachusetts Institute Of Technology | Switched-capacitor split drive transformer power conversion circuit |
US9369183B2 (en) * | 2014-05-15 | 2016-06-14 | Qualcomm Incorporated | Systems and methods for measuring power and impedance in wireless power charging systems |
WO2016004427A1 (en) | 2014-07-03 | 2016-01-07 | Massachusetts Institute Of Technology | High-frequency, high-density power factor correction conversion for universal input grid interface |
WO2016138361A1 (en) * | 2015-02-27 | 2016-09-01 | President And Fellows Of Harvard College | Device and method for hybrid feedback control of a switch-capacitor multi-unit voltage regulator |
TW201644164A (zh) * | 2015-03-13 | 2016-12-16 | 亞提克聖德技術股份有限公司 | 具模組化級段之直流對直流轉換器 |
WO2016149063A1 (en) | 2015-03-13 | 2016-09-22 | Arctic Sand Technologies, Inc. | Dc-dc transformer with inductor for the facilitation of adiabatic inter-capacitor charge transport |
JP6512052B2 (ja) * | 2015-09-29 | 2019-05-15 | 新東工業株式会社 | テストシステム |
US9935076B1 (en) | 2015-09-30 | 2018-04-03 | Apple Inc. | Structure and method for fabricating a computing system with an integrated voltage regulator module |
US10833584B2 (en) | 2015-11-12 | 2020-11-10 | Empower Semiconductor, Inc. | Boot-strapping systems and techniques for circuits |
US10163557B2 (en) | 2015-12-17 | 2018-12-25 | Intel Corporation | Helical plated through-hole package inductor |
US10541603B2 (en) | 2016-04-18 | 2020-01-21 | Lion Semiconductor Inc. | Circuits for a hybrid switched capacitor converter |
CN113472194A (zh) * | 2016-04-18 | 2021-10-01 | 莱恩半导体股份有限公司 | 用于可重配置的dickson star开关式电容器电压调节器的装置、系统和方法 |
WO2017210279A1 (en) * | 2016-05-31 | 2017-12-07 | The Regents Of The University Of Colorado, A Body Corporate | Smart cable and methods thereof |
US9728359B1 (en) * | 2016-06-20 | 2017-08-08 | Lg Chem, Ltd. | Diagnostic system for a voltage regulator |
US11101674B2 (en) * | 2016-08-05 | 2021-08-24 | Avago Technologies International Sales Pte. Limited | Battery charging architectures |
KR102209450B1 (ko) * | 2016-09-26 | 2021-01-29 | 라이온 세미컨덕터 인크. | 입력 전압을 제어하도록 구성된 전압 레귤레이터 시스템 |
KR102582596B1 (ko) * | 2016-10-07 | 2023-09-25 | 삼성전자주식회사 | 배터리 충전 방법 및 전자 장치 |
US10340689B2 (en) * | 2016-10-21 | 2019-07-02 | Nxp B.V. | System and method for power management |
KR102214243B1 (ko) | 2016-11-01 | 2021-02-09 | 라이온 세미컨덕터 인크. | 전하 재활용 스위치드 커패시터 레귤레이터 |
US10649477B2 (en) * | 2017-05-18 | 2020-05-12 | Cypress Semiconductor Corporation | Programmable shunt regulator |
CN111371290A (zh) * | 2017-06-19 | 2020-07-03 | 华为技术有限公司 | 电源转换电路、充电装置及系统 |
US10523039B2 (en) * | 2017-08-11 | 2019-12-31 | Lion Semiconductor Inc. | Systems for battery charging using a wireless charging signal |
CN113890332A (zh) * | 2017-09-05 | 2022-01-04 | 莱恩半导体股份有限公司 | 用于混合开关式电容器转换器的电路 |
US11496045B2 (en) | 2018-08-10 | 2022-11-08 | The Regents Of The University Of Colorado, A Body Corporate | Multi-output hybrid converters |
US10666147B1 (en) * | 2018-11-14 | 2020-05-26 | Navitas Semiconductor, Inc. | Resonant converter control based on zero current detection |
US11418120B2 (en) * | 2018-12-26 | 2022-08-16 | Empower Semiconductor, Inc. | Deeply integrated voltage regulator architectures |
DE112019006475T5 (de) * | 2018-12-26 | 2021-09-30 | Empower Semiconductor, Inc. | Tief Integrierte Spannungsreglerarchitekturen |
EP3893371A4 (en) * | 2019-01-04 | 2021-12-01 | Huawei Technologies Co., Ltd. | DC-DC CONVERTER |
CN111725857B (zh) * | 2019-03-21 | 2022-02-15 | 东莞新能安科技有限公司 | 开关驱动电路及电池控制电路 |
US11601051B2 (en) * | 2019-06-18 | 2023-03-07 | Qualcomm Incorporated | Connection terminal pattern and layout for three-level buck regulator |
KR20210015332A (ko) | 2019-08-01 | 2021-02-10 | 삼성전자주식회사 | 시스템 온 칩 및 이를 포함하는 전자 장치 |
US11422617B2 (en) * | 2019-09-03 | 2022-08-23 | Dell Products L.P. | Systems and methods for providing peak current assistance to a voltage regulator using a switched capacitor converter |
US11476694B2 (en) | 2019-10-17 | 2022-10-18 | Samsung Electronics Co., Ltd | Electronic device including resonant charging circuit |
EP4018526A4 (en) | 2019-10-17 | 2022-10-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | ELECTRONIC DEVICE INCLUDING A RESONANCE CHARGING CIRCUIT |
US11270986B2 (en) | 2020-05-18 | 2022-03-08 | Analog Devices, Inc. | Package with overhang inductor |
TWI749634B (zh) * | 2020-07-13 | 2021-12-11 | 華邦電子股份有限公司 | 放電裝置 |
KR20220109927A (ko) * | 2021-01-29 | 2022-08-05 | 삼성전자주식회사 | 전력 변환을 위한 전자 장치 및 전력 변환 방법 |
US11601056B2 (en) | 2021-07-26 | 2023-03-07 | Dialog Semiconductor (Uk) Limited | Hybrid architecture for DC-DC conversion |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000124770A (ja) * | 1998-10-16 | 2000-04-28 | Texas Instr Japan Ltd | フィルタ回路 |
JP2004508788A (ja) * | 2000-08-31 | 2004-03-18 | ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ ユニバーシティ オブ イリノイ | 多出力の動的に調整されるチャージポンプ電力コンバータ |
JP2007336698A (ja) * | 2006-06-15 | 2007-12-27 | Mitsumi Electric Co Ltd | 2次電池の充放電回路および電池パック |
JP2010515419A (ja) * | 2006-12-30 | 2010-05-06 | アドバンスト・アナロジック・テクノロジーズ・インコーポレイテッド | 降圧誘導性スイッチングプリレギュレータと容量性スイッチングポストコンバータとを含む高効率dc/dc電圧コンバータ |
JP2011530269A (ja) * | 2008-07-31 | 2011-12-15 | アドバンスト・アナロジック・テクノロジーズ・インコーポレイテッド | 改善された過渡電流能力を有する昇圧dc/dc電圧コンバータ |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6055168A (en) | 1998-03-04 | 2000-04-25 | National Semiconductor Corporation | Capacitor DC-DC converter with PFM and gain hopping |
US5959853A (en) | 1998-08-24 | 1999-09-28 | Kos; Marek John | Closed-loop switched capacitor network power supply |
JP4105314B2 (ja) * | 1998-12-24 | 2008-06-25 | 富士通株式会社 | Dc−dcコンバータ回路および電池駆動型装置 |
JP3487780B2 (ja) | 1999-03-01 | 2004-01-19 | 株式会社岡村研究所 | 接続切り換え制御キャパシタ電源装置 |
US6411531B1 (en) * | 2000-11-21 | 2002-06-25 | Linear Technology Corporation | Charge pump DC/DC converters with reduced input noise |
JP3693599B2 (ja) | 2001-07-09 | 2005-09-07 | シャープ株式会社 | スイッチドキャパシタ型安定化電源装置 |
JP4704099B2 (ja) * | 2004-05-21 | 2011-06-15 | ローム株式会社 | 電源装置およびそれを用いた電子機器 |
CN100454736C (zh) | 2005-08-02 | 2009-01-21 | 蜜蜂工房半导体有限公司 | 电源装置 |
JP2007174744A (ja) * | 2005-12-19 | 2007-07-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | チャージポンプ回路及び電源装置 |
US7777459B2 (en) * | 2006-12-30 | 2010-08-17 | Advanced Analogic Technologies, Inc. | High-efficiency DC/DC voltage converter including capacitive switching pre-converter and down inductive switching post-regulator |
CN101647182B (zh) * | 2006-12-30 | 2013-01-30 | 先进模拟科技公司 | 包括升压电感式开关前置调节器和电容式开关后置转换器的高效dc/dc电压转换器 |
US8618788B2 (en) | 2007-03-30 | 2013-12-31 | Malay Trivedi | Dynamically adjusted multi-phase regulator |
JP2009017772A (ja) | 2007-06-06 | 2009-01-22 | Mitsubishi Electric Corp | Dc/dc電力変換装置 |
JP5143483B2 (ja) * | 2007-07-03 | 2013-02-13 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 昇圧回路、およびその昇圧回路を備える集積回路 |
EP2031745A1 (en) * | 2007-08-30 | 2009-03-04 | STMicroelectronics S.r.l. | Battery charge control circuit |
US7872886B2 (en) * | 2008-02-20 | 2011-01-18 | Virginia Tech Intellectual Properties, Inc. | Quasi-parallel voltage regulator |
US7990741B2 (en) * | 2008-07-16 | 2011-08-02 | Aptina Imaging Corporation | Comparator controlled charge pump for negative voltage booster |
DE102009020834A1 (de) * | 2009-05-11 | 2011-02-03 | Austriamicrosystems Ag | Spannungswandler und Verfahren zur Spannungswandlung |
US8276002B2 (en) * | 2009-11-23 | 2012-09-25 | International Business Machines Corporation | Power delivery in a heterogeneous 3-D stacked apparatus |
KR101615635B1 (ko) | 2010-03-15 | 2016-05-13 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 |
EP2493060A1 (en) | 2011-02-22 | 2012-08-29 | ST-Ericsson SA | Low ripple step-up/step-down converter |
CN108964442A (zh) | 2011-05-05 | 2018-12-07 | 北极砂技术有限公司 | 用于电源转换的装置 |
JP5740262B2 (ja) | 2011-09-15 | 2015-06-24 | 富士フイルム株式会社 | 撮像素子モジュール及びその電源回路 |
-
2014
- 2014-04-11 EP EP14729122.3A patent/EP2984743B1/en active Active
- 2014-04-11 US US14/250,970 patent/US9143032B2/en active Active
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Patent Citations (5)
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---|---|---|---|---|
JP2000124770A (ja) * | 1998-10-16 | 2000-04-28 | Texas Instr Japan Ltd | フィルタ回路 |
JP2004508788A (ja) * | 2000-08-31 | 2004-03-18 | ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ ユニバーシティ オブ イリノイ | 多出力の動的に調整されるチャージポンプ電力コンバータ |
JP2007336698A (ja) * | 2006-06-15 | 2007-12-27 | Mitsumi Electric Co Ltd | 2次電池の充放電回路および電池パック |
JP2010515419A (ja) * | 2006-12-30 | 2010-05-06 | アドバンスト・アナロジック・テクノロジーズ・インコーポレイテッド | 降圧誘導性スイッチングプリレギュレータと容量性スイッチングポストコンバータとを含む高効率dc/dc電圧コンバータ |
JP2011530269A (ja) * | 2008-07-31 | 2011-12-15 | アドバンスト・アナロジック・テクノロジーズ・インコーポレイテッド | 改善された過渡電流能力を有する昇圧dc/dc電圧コンバータ |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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