JP2016511738A5 - - Google Patents

Claims (8)

1. 成形ガラス品を形成する方法において、
   選ばれた成形ガラス品プロファイルをもつ金型面を有する金型上にガラス板を置く工程であって、前記ガラス板の第１のガラス領域が前記金型面の第１の金型面領域に対応し、前記ガラス板の第２のガラス領域が前記金型面の第２の金型面領域に対応するように、置く工程、
   前記第１のガラス領域及び前記第２のガラス領域を１０^１０.１ポアズと１０^９ポアズの間のガラス粘度まで加熱する工程、
   前記第２のガラス領域の前記ガラス粘度が前記第１のガラス領域の前記ガラス粘度より８ポアズ以上低くなるように、前記第２のガラス領域を１０^９.９ポアズ以下のガラス粘度まで局所加熱する工程、
   前記ガラス板を前記金型面と同形にするため、前記第２のガラス領域が１０^９.９ポアズ以下のガラス粘度にあるときに前記ガラス板に力を印加する工程、及び
   前記第２のガラス領域の前記局所加熱中、前記第１のガラス領域の前記ガラス粘度を１０^９.９ポアズより高いままにしておく温度勾配を前記金型面上に誘起するために前記第１の金型面領域を局所冷却する工程、
   を含むことを特徴とする方法。
2. 前記第１の金型面領域の前記局所冷却工程が、前記第２のガラス領域の前記局所加熱工程の少なくとも一部の間は前記第１のガラス領域の前記ガラス粘度が１０^１０.９ポアズ以上に維持され、前記局所冷却工程中に前記第１の金型面領域にかかる最大温度勾配が２０℃未満に維持されるような、局所冷却工程であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
3. 前記第２の金型面領域がベンドを含み、力を印加する前記工程が前記ベンドに配置された少なくとも１つの真空開口を介して前記第２のガラス領域において真空を発生させる工程を含み、前記真空を発生させる工程が第１の期間に第１の真空圧をもつ真空を発生させる工程及び、これに続く、第２の期間に第２の真空圧をもつ真空を発生させる工程を含み、前記第２の真空圧は前記第１の真空圧に比較して減じられることを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
4. １０^１０.１ポアズ以上のガラス粘度まで前記第１のガラス領域及び前記第２のガラス領域を加熱する前記工程が第１の炉または第１の組の炉ゾーンにおいて行われ、１０^９.９ポアズ以下のガラス粘度までの前記第２のガラス領域の局所加熱が、前記第１の炉または前記第１の組の炉ゾーンとは異なる、第２の炉または第２の組の炉ゾーンにおいて行われることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の方法。
5. 成形ガラス品を形成するためのシステムにおいて、
   第１の金型面領域及び第２の金型面領域を有する金型であって、前記第１の金型面領域は実質的に平坦な領域を有し、前記第２の金型面領域は少なくとも１つのベンド及び前記ベンドに配置された少なくとも１つの開口を有するものである金型、
   前記金型に結合され、前記第１の金型面領域の強制空冷のために構成された、冷却装置、
   前記金型に結合され、前記少なくとも１つの開口を介して前記第２の金型面領域と通じている、真空プレナム、
   前記第２の金型面領域に局所化された熱を供給するための、前記第２の金型面領域に対向して配置されたヒータアセンブリ、及び
   炉、
   を備え、
   前記金型、前記冷却装置、前記真空プレナム及び前記ヒータアセンブリが前記炉内に配置される、
   ことを特徴とするシステム。
6. 前記ヒータアセンブリが１０００℃から１４５０℃の範囲にあるヒータ温度を有する少なくとも１つの輻射ヒータを含むことを特徴とする請求項５に記載のシステム。
7. 前記ヒータアセンブリが２.０μｍから２.７μｍの範囲にあるピーク波長を有する少なくとも１つの輻射ヒータを含むことを特徴とする請求項５または６に記載のシステム。
8. 前記ヒータアセンブリが少なくとも１つの輻射ヒータ及び、前記少なくとも１つの輻射ヒータからの熱を前記第２の金型面領域に集中させるために配置された、反射器を含むことを特徴とする請求項５から７のいずれかに記載のシステム。