JP2016511550A5 - - Google Patents

Claims (21)

1. 非整数次コンデンサであって、
   第１の側、及び前記第１の側の反対側の第２の側を備える、厚さｔの誘電性ナノ複合材料層を備え、前記誘電性層は、誘電性ポリマー・マトリックスとともにマイクロコンデンサを形成するため、前記誘導性ポリマー・マトリックス内に分散する誘電性フィラー材料を含むポリマー・ナノ複合材料を備え；
   前記誘電性ナノ複合材料層の前記第１の側に結合した第１の電極層；
   前記誘電性ナノ複合材料層の前記第２の側に結合した第２の電極層；
   を備え、
   前記マイクロコンデンサは、前記誘電性層をとおして前記第１の電極層から前記第２の電極層に伝わる電子信号に複素インピーダンス位相角を注入するよう形成される、
   ことを特徴とする非整数次コンデンサ。
2. 前記導電性フィラー材料はグラフェンである、請求項１記載の非整数次コンデンサ。
3. 前記グラフェンは部分酸化グラフェンである、請求項２に記載の非整数次コンデンサ。
4. 前記グラフェンは完全未酸化グラフェンである、請求項３に記載の非整数次コンデンサ。
5. 前記グラフェンの前記材料重量パーセンテージは、前記誘電性ナノ複合材料層の全重量に基づき、約０．１％から１５％の間を含む、請求項２に記載の非整数次コンデンサ。
6. 前記第１の電極層及び前記第２の電極層は、導電性材料を含む、請求項１に記載の非整数次コンデンサ。
7. 前記第１の電極層は白金を含み、前記第２の電極層はアルミニウムを含む、請求項６に記載の非整数次コンデンサ。
8. 前記第１の電極層及び前記第２の電極層は、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳを含む、請求項６に記載の非整数次コンデンサ。
9. ０°から−９０°の間の複素インピーダンス位相角を含む、請求項１に記載の非整数次コンデンサ。
10. 前記電子信号の周波数に対してほぼ一定である損失正接を含む、請求項１に記載の非整数次コンデンサ。
11. 前記非整数次コンデンサは、１０ｋＨｚから２ＭＨｚの間の周波数に対し非整数的な挙動を呈する、請求項１に記載の非整数次コンデンサ。
12. プリント回路板に備えられる、請求項１に記載の非整数次コンデンサ。
13. 前記非整数次コンデンサは、通信回路の少なくとも一部分を構成する、請求項１２に記載の非整数次コンデンサ。
14. 前記非整数次コンデンサは、感知回路の少なくとも一部分を構成する、請求項１２に記載の非整数次コンデンサ。
15. 前記非整数次コンデンサは、制御回路の少なくとも一部分を構成する、請求項１２に記載の非整数次コンデンサ。
16. 集積回路に備えられる、請求項１に記載の非整数次コンデンサ。
17. 前記非整数次コンデンサは、通信回路の少なくとも一部分を構成する、請求項１６に記載の非整数次コンデンサ。
18. 電子デバイスに備えられる、請求項１に記載の非整数次コンデンサ。
19. 非整数次コンデンサを製造する方法であって、
    第１の電極層を得るステップ；
    ナノ複合材料層とともにマイクロコンデンサを形成するため、そして特定の複素インピーダンス位相角を達成するために、誘電性ナノ複合材料層のポリマー・ナノ複合材料中の誘電性フィラー材料の材料重量パーセンテージを選択するステップ；
    前記誘電性ナノ複合材料層を前記第１の電極層上に配置するステップ；及び
    前記誘電性ナノ複合材料層が前記第１の電極層と第２の電極層との間に配置されるように前記第２の電極層を前記誘電性ナノ複合材料層上に配置するステップを含む方法。
20. 請求項１に記載の非整数次コンデンサより電気信号上に選択遅延を課すために遅延回路を動作させる方法であって、
    誘電性ナノ複合材料層とともにマイクロコンデンサを形成するため、そして特定の複素インピーダンス位相角を達成するために、前記非整数次コンデンサの誘電性ナノ複合材料層のポリマー・ナノ複合材料中の誘電性フィラー材料の材料重量パーセンテージを選択するステップ；
    入力信号に反応する充電速度で第１の電圧まで前記非整数次コンデンサを充電するステップ；
    前記入力信号に反応する放電速度で第２の電圧まで前記非整数次コンデンサを放電するステップ；
    前記非整数次コンデンサの前記複素インピーダンス位相角の関数として遅延信号を生成するステップを含む方法。
21. 複素インピーダンス位相角は、前記誘電性ナノ複合材料層中の前記誘電性フィラー材料の少なくとも１つの材料重量パーセンテージに依存することを特徴とする、請求項１に記載の非整数次コンデンサ。