JP2016507896A5 - - Google Patents

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研磨方法の実施中には、スラリ構成要素１、スラリ構成要素２、及びスラリ構成要素３などの様々なスラリ構成要素は、分配器１１２によってパッド１０９に適用されることがある。分配器１１２は、スラリ構成要素を２つ以上のゾーン（例えば、ゾーン１０４、１０６、１０８）に供給することができる、任意の好適な内部構造を有してもよい。スラリ構成要素１、スラリ構成要素２、及びスラリ構成要素３は、例えば、スラリ構成要素サプライ１１４、１１６、１１８からそれぞれ受け取られる。これ以上又は以下の数のスラリ構成要素が提供されてもよい。分配器１１２へのスラリ構成要素の供給は、一又は複数の好適なポンプ又は他の流量制御機構１１５、１１５Ｒを有する分配システムによって実現されてもよい。本明細書で使用される「スラリ構成要素」は、一又は複数の指定された研磨機能を実行するように適合される処理媒体を意味する。幾つかの実施形態では、すすぎ液（例えば、脱イオン水）は、すすぎ液ソース１２３から供給され、２つ以上のゾーンの間、例えばゾーン１０４と１０６との間、或いは１０６と１０８との間、或いはゾーン１０４及び１０６とゾーン１０６及び１０８との間に挿入される。分配器１１２の任意の好適な構成は、すすぎ液ゾーンによるゾーン１０４、１０６、１０８の分離の実現に使用されてもよい。
他の実施形態では、分配器は、パッド１０９上の異なる空間位置に配置され得る各スラリ構成要素に対して、分離された分配器ヘッドから成ってもよい。すすぎ液（例えば、脱イオン水）は、排出口１２１Ａ〜１２１Ｃの一部又はすべてを経由して、或いは、すすぎ液用に個別設計によって分離された排出口を経由して供給されてもよい。すすぎ液は、ポンプ及び／又はバルブ（例えば流量制御機構１１５Ｒ、図１Ａ）によって、すすぎ液サプライ１２３から、各排出口１２１Ａ〜１２１Ｃの一部又はすべてに供給され得る。任意選択により、すすぎ液は、分配器１１２から分離された分配器ヘッド又は分離された排出口によって供給される。
基板ホルダ１２０の回転、及びパッド１０９の運動に加えて、ホルダ１２０は方向矢印１３２の方向に並進されてもよい。並進は、横軸方向（例えば矢印１３２で示されるような）に沿った前後の往復運動で、一般的にパッド１０９の線形運動に対して垂直であってもよい。並進は、任意の好適な並進モータ１３４、及び基板ホルダ１２０を支持体ビーム１３６に沿って前後に移動する駆動システム（図示せず）によって引き起こされてもよい。並進を実現するように適合された駆動システムは、ラックとピニオン、チェーンとスプロケット、ベルトとプーリー、ドライブとボールスクリュー、或いは他の好適な駆動機構であってもよい。他の実施形態では、軌道運動は好適な機構によって提供され得る。パッド１０９の回転、基板ホルダ１２０の回転及び並進（例えば、往復運動）、及びスラリ構成要素１、２及び３並びにすすぎ液１２３の分配流は、コントローラ１３８によって制御されてもよい。コントローラ１３８は、任意の好適なコンピュータであってもよく、このような運動及び機能を制御するように適合された駆動構成要素及び／又はフィードバック構成要素に結合されてもよい。
図４は、基板（例えば、基板１０１）の処理方法、及び特に、基板１０１（例えば、パターン形成された又はパターン形成されていないウエハ）の表面（例えば、表面又は裏側）の研磨方法に関する。方法４００は、４０２で基板ホルダ（例えば、基板ホルダ１２０、２２０）に基板を提供すること、４０４で可動式研磨パッド（例えば、研磨パッド１０９、２０９）を有する研磨プラットフォーム（例えば、研磨プラットフォーム１０２、２０２）を提供すること、及び４０６で研磨パッド上の２つ以上のゾーン（例えば、ゾーン１０４、１０６、１０８）に異なるスラリ構成要素を供給することを含む。研磨パッドは、線形移動式（例えばパッド１０９）又は回転移動式（例えばパッド２０９）となることがある。スラリ構成要素は、パッド１０９の上方又はパッド１０９の下方のゾーン（例えば、ゾーン１０４、１０６、１０８）に、（例えば、吸い上げ動作又は他の毛細管作用によって）分配されてもよい。
別の態様では、図１Ａ〜１Ｃ或いは２Ａ及び２Ｂのいずれかに記載されているように、基板研磨システムが提供される。基板研磨装置１００、２００は、基板１０１を保持するように適合された研磨ホルダ１２０、２２０、基板１０１に対して可動な研磨パッド１０９、２０９を有する研磨プラットフォーム１０２、２０２、並びに、酸化スラリ構成要素、材料除去スラリ構成要素、及び腐食防止スラリ構成要素からなる群から選択される、少なくとも２つの異なるスラリ構成要素を供給するように適合された分配システム、を含む。この態様では、２つ以上のスラリ構成要素は、パッド１０９、２０９の幅Ｗ又は直径Ｄの全体にわたって配置されたゾーンに分散されるのではなく、時系列的に順次供給される。
図６に示すように、スラリ構成要素は、パッド（例えば、パッド１０９、２０９）と基板１０１との間に、時系列的に分散されてもよい。第１の時間増分６５０では、第１のスラリ構成要素（例えば、酸化スラリ構成要素）が供給される。第２の時間増分６５１に対しては、第２のスラリ構成要素（例えば、材料除去スラリ構成要素）がこれに続く。第１及び第２のスラリ構成要素の化学組成は異なる。第３の時間増分６５２に対しては、第３のスラリ構成要素（例えば、腐食防止スラリ構成要素）の供給がこれに続き得る。これらの２つ以上の供給フェーズは（例えば、後続の時間増分６５３から６５５で）反復されてもよい。これらに加えて、又は代わりに、他のフェーズが実行されてもよい。３つ以上の供給手順は、１つの基板上で所望の回数だけ反復されてもよい。これは、上述のように、基板が移動パッド（例えば、パッド１０９、２０９）に対して往復運動及び回転される間に、実施されてもよい。これらの研磨フェーズが完了した後、パッド（例えば、パッド１０９、２０９）はすすぎフェーズを実行し、６５６でパッド（例えば、パッド１０９、２０９）にはすすぎ液（例えば、脱イオン水又は他の不活性溶液）が供給されてもよい。すすぎ液（例えば、脱イオン水）の分配は、最後に適用された化学物質を希釈するために使用されてもよい。次いで、方法５００は停止され、基板ホルダ（例えば、基板ホルダ１２０、２２０）には新しい基板が配置され、前述の方法５００は６５７から始まって第２の基板上で実装されてもよい。
具体的には、第１の時間増分６５０の間に、第１のスラリ構成要素（例えば、酸化スラリ構成要素）が供給されてもよい。この後には増分７０２ですすぎが続く。次いで、第３の時間増分６５２に対しては、第２のスラリ構成要素（例えば、材料除去スラリ構成要素）が分配され得る。この後には増分７０４で別のすすぎが続いてもよい。第１及び第２のスラリ構成要素の化学組成は異なる。増分７０４の間のこの第２のすすぎの後には、第５の時間増分６５４のために第３のスラリ構成要素（例えば、腐食防止スラリ構成要素）が続いてもよい。この後には増分７０６で別のすすぎが続いてもよい。この手順が完了した後、所望の材料除去を実現するため、同一基板１０１上で所望の回数反復されてもよく、或いは、基板ホルダ（例えば、１２０、２２０）に新しい基板が挿入され、方法７００による基板の研磨が新しい基板上で開始されてもよい。研磨プロセスの各フェーズに対して、時間は同じであってもよく、又は異なっていてもよい。
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Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140199840A1 (en) 2013-01-11 2014-07-17 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing apparatus and methods
US9962801B2 (en) * 2014-01-07 2018-05-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Systems and methods for performing chemical mechanical planarization
US20160027668A1 (en) * 2014-07-25 2016-01-28 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing apparatus and methods
US9944828B2 (en) 2014-10-21 2018-04-17 Cabot Microelectronics Corporation Slurry for chemical mechanical polishing of cobalt
EP3209815B1 (en) 2014-10-21 2021-12-29 CMC Materials, Inc. Corrosion inhibitors and related compositions and methods
US9688885B2 (en) 2014-10-21 2017-06-27 Cabot Microelectronics Corporation Cobalt polishing accelerators
TWI629325B (zh) 2014-10-21 2018-07-11 卡博特微電子公司 鈷凹陷控制劑
KR102493016B1 (ko) * 2015-12-31 2023-01-31 주식회사 케이씨텍 화학 기계적 연마장치 및 그 제어방법
US10875149B2 (en) * 2017-03-30 2020-12-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus and method for timed dispensing various slurry components
US11697183B2 (en) * 2018-07-26 2023-07-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Fabrication of a polishing pad for chemical mechanical polishing
US12017322B2 (en) * 2018-08-14 2024-06-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Chemical mechanical polishing method
US11437250B2 (en) * 2018-11-15 2022-09-06 Tokyo Electron Limited Processing system and platform for wet atomic layer etching using self-limiting and solubility-limited reactions
JP7152279B2 (ja) * 2018-11-30 2022-10-12 株式会社荏原製作所 研磨装置
JP1651619S (ja) * 2019-07-11 2020-01-27
JP1651618S (ja) * 2019-07-11 2020-01-27
JP1651623S (ja) * 2019-07-18 2020-01-27
US11693435B2 (en) * 2020-06-25 2023-07-04 Applied Materials, Inc. Ethercat liquid flow controller communication for substrate processing systems
US11915941B2 (en) 2021-02-11 2024-02-27 Tokyo Electron Limited Dynamically adjusted purge timing in wet atomic layer etching
US11802342B2 (en) 2021-10-19 2023-10-31 Tokyo Electron Limited Methods for wet atomic layer etching of ruthenium
US11866831B2 (en) 2021-11-09 2024-01-09 Tokyo Electron Limited Methods for wet atomic layer etching of copper

Family Cites Families (81)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5540810A (en) * 1992-12-11 1996-07-30 Micron Technology Inc. IC mechanical planarization process incorporating two slurry compositions for faster material removal times
US5329734A (en) 1993-04-30 1994-07-19 Motorola, Inc. Polishing pads used to chemical-mechanical polish a semiconductor substrate
JP3734289B2 (ja) * 1995-01-24 2006-01-11 株式会社荏原製作所 ポリッシング装置
JP3311203B2 (ja) * 1995-06-13 2002-08-05 株式会社東芝 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置、半導体ウェーハの化学的機械的ポリッシング方法
US5868608A (en) * 1996-08-13 1999-02-09 Lsi Logic Corporation Subsonic to supersonic and ultrasonic conditioning of a polishing pad in a chemical mechanical polishing apparatus
JP3672685B2 (ja) * 1996-11-29 2005-07-20 松下電器産業株式会社 研磨方法及び研磨装置
US6273806B1 (en) * 1997-05-15 2001-08-14 Applied Materials, Inc. Polishing pad having a grooved pattern for use in a chemical mechanical polishing apparatus
US6139406A (en) * 1997-06-24 2000-10-31 Applied Materials, Inc. Combined slurry dispenser and rinse arm and method of operation
US5899745A (en) 1997-07-03 1999-05-04 Motorola, Inc. Method of chemical mechanical polishing (CMP) using an underpad with different compression regions and polishing pad therefor
US5816900A (en) * 1997-07-17 1998-10-06 Lsi Logic Corporation Apparatus for polishing a substrate at radially varying polish rates
US5997392A (en) * 1997-07-22 1999-12-07 International Business Machines Corporation Slurry injection technique for chemical-mechanical polishing
JP3902724B2 (ja) * 1997-12-26 2007-04-11 株式会社荏原製作所 研磨装置
US6436228B1 (en) 1998-05-15 2002-08-20 Applied Materials, Inc. Substrate retainer
KR20000025003A (ko) 1998-10-07 2000-05-06 윤종용 반도체 기판의 화학 기계적 연마에 사용되는 연마 패드
JP2000176829A (ja) 1998-12-18 2000-06-27 Tdk Corp 研磨装置
US6395194B1 (en) * 1998-12-18 2002-05-28 Intersurface Dynamics Inc. Chemical mechanical polishing compositions, and process for the CMP removal of iridium thin using same
JP2000216120A (ja) * 1999-01-27 2000-08-04 Mitsubishi Electric Corp 研磨装置およびこれを用いた半導体装置の製造方法
US6429131B2 (en) * 1999-03-18 2002-08-06 Infineon Technologies Ag CMP uniformity
US6048256A (en) * 1999-04-06 2000-04-11 Lucent Technologies Inc. Apparatus and method for continuous delivery and conditioning of a polishing slurry
US6283840B1 (en) 1999-08-03 2001-09-04 Applied Materials, Inc. Cleaning and slurry distribution system assembly for use in chemical mechanical polishing apparatus
US6284092B1 (en) * 1999-08-06 2001-09-04 International Business Machines Corporation CMP slurry atomization slurry dispense system
US6348124B1 (en) * 1999-12-14 2002-02-19 Applied Materials, Inc. Delivery of polishing agents in a wafer processing system
US7041599B1 (en) 1999-12-21 2006-05-09 Applied Materials Inc. High through-put Cu CMP with significantly reduced erosion and dishing
US6248006B1 (en) * 2000-01-24 2001-06-19 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. CMP uniformity
US6979248B2 (en) * 2002-05-07 2005-12-27 Applied Materials, Inc. Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing
US6514863B1 (en) * 2000-02-25 2003-02-04 Vitesse Semiconductor Corporation Method and apparatus for slurry distribution profile control in chemical-mechanical planarization
US20030168169A1 (en) * 2000-08-03 2003-09-11 Akira Ishikawa Chemical-mechanical polishing apparatus, polishing pad and method for manufacturing semiconductor device
US6503129B1 (en) * 2000-10-06 2003-01-07 Lam Research Corporation Activated slurry CMP system and methods for implementing the same
US6726534B1 (en) * 2001-03-01 2004-04-27 Cabot Microelectronics Corporation Preequilibrium polishing method and system
US6398627B1 (en) * 2001-03-22 2002-06-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Slurry dispenser having multiple adjustable nozzles
US6572445B2 (en) * 2001-05-16 2003-06-03 Speedfam-Ipec Multizone slurry delivery for chemical mechanical polishing tool
US20030027505A1 (en) * 2001-08-02 2003-02-06 Applied Materials, Inc. Multiport polishing fluid delivery system
US7086933B2 (en) * 2002-04-22 2006-08-08 Applied Materials, Inc. Flexible polishing fluid delivery system
JP4057803B2 (ja) * 2001-09-11 2008-03-05 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
US7314402B2 (en) * 2001-11-15 2008-01-01 Speedfam-Ipec Corporation Method and apparatus for controlling slurry distribution
US6663472B2 (en) * 2002-02-01 2003-12-16 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Multiple step CMP polishing
US6858436B2 (en) * 2002-04-30 2005-02-22 Motorola, Inc. Near-field transform spectroscopy
US20040011462A1 (en) * 2002-06-28 2004-01-22 Lam Research Corporation Method and apparatus for applying differential removal rates to a surface of a substrate
US7166015B2 (en) * 2002-06-28 2007-01-23 Lam Research Corporation Apparatus and method for controlling fluid material composition on a polishing pad
TWI300026B (en) * 2002-08-02 2008-08-21 Applied Materials Inc Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing
US7040957B2 (en) * 2002-08-14 2006-05-09 Novellus Systems Inc. Platen and manifold for polishing workpieces
DE10261465B4 (de) * 2002-12-31 2013-03-21 Advanced Micro Devices, Inc. Anordnung zum chemisch-mechanischen Polieren mit einem verbesserten Konditionierwerkzeug
US6875086B2 (en) * 2003-01-10 2005-04-05 Intel Corporation Surface planarization
JP2004288727A (ja) * 2003-03-19 2004-10-14 Seiko Epson Corp Ｃｍｐ装置、ｃｍｐ研磨方法、半導体装置及びその製造方法
US6984166B2 (en) * 2003-08-01 2006-01-10 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Zone polishing using variable slurry solid content
US6872128B1 (en) * 2003-09-30 2005-03-29 Lam Research Corporation System, method and apparatus for applying liquid to a CMP polishing pad
US6929533B2 (en) 2003-10-08 2005-08-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Methods for enhancing within-wafer CMP uniformity
JP3917578B2 (ja) * 2003-10-30 2007-05-23 株式会社東芝 半導体装置の製造方法及び製造装置
US20050164603A1 (en) * 2004-01-22 2005-07-28 House Colby J. Pivotable slurry arm
US7040967B2 (en) * 2004-01-26 2006-05-09 Tbw Industries Inc. Multi-step, in-situ pad conditioning system and method for chemical mechanical planarization
JP2005217037A (ja) * 2004-01-28 2005-08-11 Asahi Sunac Corp 半導体ウェーハ用研磨パッドのコンディショニング方法
US20060021974A1 (en) * 2004-01-29 2006-02-02 Applied Materials, Inc. Method and composition for polishing a substrate
US7255771B2 (en) 2004-03-26 2007-08-14 Applied Materials, Inc. Multiple zone carrier head with flexible membrane
KR20050115526A (ko) * 2004-06-04 2005-12-08 삼성전자주식회사 연마 패드 어셈블리, 이를 갖는 웨이퍼 연마 장치 그리고이들을 이용한 웨이퍼 연마 방법
US20060025049A1 (en) * 2004-07-30 2006-02-02 Applied Materials, Inc. Spray slurry delivery system for polish performance improvement and cost reduction
WO2006022452A2 (en) * 2004-08-27 2006-03-02 Ebara Corporation Polishing apparatus and polishing method
US20060191871A1 (en) 2005-02-25 2006-08-31 Sheng-Yu Chen Cmp slurry delivery system and method of mixing slurry thereof
US7052374B1 (en) * 2005-03-01 2006-05-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Multipurpose slurry delivery arm for chemical mechanical polishing
JP2006261261A (ja) 2005-03-16 2006-09-28 Renesas Technology Corp 化学機械研磨装置および化学機械研磨方法
KR100727484B1 (ko) * 2005-07-28 2007-06-13 삼성전자주식회사 화학기계적 연마 장치 및 패드 컨디셔닝 방법
JP4787063B2 (ja) * 2005-12-09 2011-10-05 株式会社荏原製作所 研磨装置及び研磨方法
JP2007268678A (ja) * 2006-03-31 2007-10-18 Elpida Memory Inc 研磨装置及び研磨装置の制御方法
KR20070098321A (ko) 2006-03-31 2007-10-05 주식회사 하이닉스반도체 화학적 기계적 연마 장치
DE102006056623A1 (de) * 2006-11-30 2008-06-05 Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale Verfahren und System zum Steuern des chemisch-mechanischen Polierens durch steuerbares Bewegen eines Schleifmittelauslasses
US20090163114A1 (en) * 2007-12-19 2009-06-25 Advanced Technology Development Facility, Inc. Systems and Methods for Dynamic Slurry Blending and Control
US8128461B1 (en) * 2008-06-16 2012-03-06 Novellus Systems, Inc. Chemical mechanical polishing with multi-zone slurry delivery
US8414357B2 (en) * 2008-08-22 2013-04-09 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polisher having movable slurry dispensers and method
US8210900B2 (en) * 2008-10-31 2012-07-03 Applied Materials, Inc. Dishing and defect control of chemical mechanical polishing using real-time adjustable additive delivery
US8523639B2 (en) * 2008-10-31 2013-09-03 Applied Materials, Inc. Self cleaning and adjustable slurry delivery arm
US8277286B2 (en) * 2009-02-13 2012-10-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Slurry dispenser for chemical mechanical polishing (CMP) apparatus and method
US20100216373A1 (en) 2009-02-25 2010-08-26 Araca, Inc. Method for cmp uniformity control
JP5635957B2 (ja) * 2010-09-09 2014-12-03 日本碍子株式会社 被研磨物の研磨方法、及び研磨パッド
MY163201A (en) 2011-01-21 2017-08-15 Cabot Microelectronics Corp Silicon polishing compositions with improved psd performance
TWI548483B (zh) * 2011-07-19 2016-09-11 荏原製作所股份有限公司 研磨裝置及方法
KR101257336B1 (ko) * 2012-04-13 2013-04-23 유비머트리얼즈주식회사 연마용 슬러리 및 이를 이용한 기판 연마 방법
US20140199842A1 (en) 2013-01-11 2014-07-17 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing process and slurry containing silicon nanoparticles
US20140199840A1 (en) * 2013-01-11 2014-07-17 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing apparatus and methods
US20140315381A1 (en) 2013-04-19 2014-10-23 Applied Materials, Inc. Interconnect fabrication at an integrated semiconductor processing station
US20150021498A1 (en) 2013-07-17 2015-01-22 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing retaining ring methods and apparatus
US20160027668A1 (en) * 2014-07-25 2016-01-28 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing apparatus and methods
CN113103145B (zh) * 2015-10-30 2023-04-11 应用材料公司 形成具有期望ζ电位的抛光制品的设备与方法

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