JP2016506635A - メモリセルおよびメモリセルの形成方法 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (34)
- メモリセルの形成方法であって、
第一電極上に、互いに対して異なる組成の複数の層を堆積することと、
前記複数の層から組み合わせられた組成を有するスイッチング領域を形成するために、前記複数の層を一体化することと、
前記スイッチング領域上に第二電極を形成することと、
を含む、
ことを特徴とする方法。 - 前記複数の層は、ALD、CVD、およびPVDのうちの一つ以上を利用して形成される、
ことを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 前記複数の層は、ALDを利用して、0オングストロームから約20オングストローム以下の範囲内の厚さへと形成される、
ことを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 前記複数の層は、酸化ハフニウムおよび酸化シリコンを含む、
ことを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 前記複数の層は、酸化ハフニウムおよび酸化アルミニウムを含む、
ことを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 前記複数の層は、酸化アルミニウムおよび酸化シリコンを含む、
ことを特徴とする請求項1に記載の方法。 - メモリセルの形成方法であって、
0オングストロームから約20オングストローム以下の範囲内の厚さへの、第一電極上のスイッチング領域のうちの少なくとも一部の原子層堆積と、
前記スイッチング領域上の第二電極を形成することと、
を含む、
ことを特徴とする方法。 - 前記原子層堆積は、一つ以上の遷移金属を堆積する、
ことを特徴とする請求項7に記載の方法。 - 前記原子層堆積は、一つ以上の遷移金属と組み合わせられた酸素を含む材料を形成する、
ことを特徴とする請求項7に記載の方法。 - 前記原子層堆積は、一つ以上の金属と組み合わせられた窒素を含む材料を形成する、
ことを特徴とする請求項7に記載の方法。 - 前記原子層堆積は、一つ以上の非遷移元素を堆積し、前記非遷移元素は、金属、半金属、アルカリ土類元素、およびそれらの混合物から成る群から選択される、
ことを特徴とする請求項7に記載の方法。 - 前記原子層堆積は、一つ以上の非遷移元素と組み合わせられた酸素を含む材料を形成し、前記非遷移元素は、金属、半金属、アルカリ土類元素、およびそれらの混合物から成る群から選択される、
ことを特徴とする請求項7に記載の方法。 - 前記原子層堆積は、アルミニウム、ハフニウム、シリコン、チタンおよびジルコニウムのうちの一つ以上と組み合わせられた酸素を含む材料を形成する、
ことを特徴とする請求項7に記載の方法。 - 前記スイッチング領域上にイオンソース領域を形成することと、その後、前記イオンソース領域上に前記第二電極を形成することと、をさらに含む、
ことを特徴とする請求項7に記載の方法。 - 前記イオンソース領域は、アルミニウム、銅、銀およびテルルのうちの一つ以上を含む、
ことを特徴とする請求項14に記載の方法。 - 前記第一電極は窒化チタンを含み、
前記原子層堆積は、前記第一電極の前記窒化チタン上に酸化物を形成し、
前記スイッチング領域上に第一の材料を形成することであって、前記第一の材料はAlTeNを含み、記載された組成は、化学量論的ではなく、元素構成で記述されている、ことと、
前記第一の材料上に第二の材料を形成することであって、前記第二の材料はCuZrAlTeOを含み、記載された組成は、化学量論的ではなく、元素構成で記述されている、ことと、
前記第二の材料上に前記第二の電極を形成することと、
をさらに含む、
ことを特徴とする請求項7に記載の方法。 - 前記原子層堆積は、前記スイッチング領域の一部のみを形成する、
ことを特徴とする請求項7に記載の方法。 - 前記スイッチング領域は二つ以上の個別の部分を含む、
ことを特徴とする請求項17に記載の方法。 - メモリセルの形成方法であって、
第一電極上にスイッチング領域の第一部分を形成することと、
前記第一部分上に前記スイッチング領域の第二部分を形成することであって、前記第二部分は、0オングストロームから約20オングストローム以下の範囲内の厚さへと原子層堆積によって形成され、前記第一部分とは異なる組成である、ことと、
前記スイッチング領域上にイオンソース領域を形成することと、
前記イオンソース領域上に第二電極を形成することと、
を含む、
ことを特徴とする方法。 - 前記スイッチング領域は、約6オングストロームから約20オングストロームの範囲内の総厚を有する、
ことを特徴とする請求項19に記載の方法。 - 前記第二部分は、少なくとも一回の原子層堆積周期から合計5回以内の原子層堆積周期で形成される、
ことを特徴とする請求項19に記載の方法。 - 前記原子層堆積は、一つ以上の遷移金属を堆積する、
ことを特徴とする請求項19に記載の方法。 - 前記原子層堆積は、一つ以上の非遷移元素を堆積し、前記非遷移元素は、金属、半金属、アルカリ土類元素、およびそれらの混合物から成る群から選択される、
ことを特徴とする請求項19に記載の方法。 - 前記第二部分は、一つ以上の遷移金属と組み合わせられた酸素で構成され、
前記第一部分は、一つ以上の非遷移元素を組み合わせられた酸素で構成され、前記非遷移元素は、金属、半金属、アルカリ土類元素、およびそれらの混合物から成る群から選択される、
ことを特徴とする請求項19に記載の方法。 - 前記第二部分は、前記スイッチング領域の総厚の内、体積で少なくとも約50%である、
ことを特徴とする請求項19に記載の方法。 - 前記第二部分は、前記スイッチング領域の総厚のうち、体積で約50%未満である、
ことを特徴とする請求項19に記載の方法。 - 前記第二部分は、一つ以上の非遷移元素と組み合わせられた酸素で構成され、前記非遷移元素は、金属、半金属、アルカリ土類元素、およびそれらの混合物から成る群から選択され、
前記第一部分は、一つ以上の遷移金属と組み合わせられた酸素で構成される、
ことを特徴とする請求項19に記載の方法。 - 前記第二部分上に前記スイッチング領域の少なくとも一つの追加部分を形成することをさらに含む、
ことを特徴とする請求項19に記載の方法。 - 第一の個別部分と第二の個別部分とを含み、一対の電極間に配置されたスイッチング領域であって、前記第一の個別部分は、0オングストロームから約20オングストローム以下の範囲内の厚さを有し、前記メモリセルの高抵抗状態において、前記第一の個別部分に直接面する如何なる組成と共通の非酸素成分も有さない、スイッチング領域を含む、
ことを特徴とするメモリセル。 - 第一および第二の個別部分のうちの一方は他方よりも厚い、
ことを特徴とする請求項29に記載のメモリセル。 - 前記スイッチング領域の前記第一および第二の個別部分のうちの一方は、アルミニウム、ハフニウム、シリコン、チタンおよびジルコニウムのうちの一つ以上を含む、
ことを特徴とする請求項29に記載のメモリセル。 - 前記第一および第二の個別部分のうちの一方は、一つの単分子層よりも小さい厚さを有する、
ことを特徴とする請求項29に記載のメモリセル。 - 前記第一の個別部分は、一つ以上の遷移金属と組み合わせられた酸素で構成され、
前記第二の個別部分は、一つ以上の非遷移元素と組み合わせられた酸素で構成され、前記非遷移元素は、金属、半金属、アルカリ土類元素、およびそれらの混合物から成る群から選択される、
ことを特徴とする請求項29に記載のメモリセル。 - 前記第一の個別部分は、一つ以上の非遷移元素と組み合わせられた酸素で構成され、前記非遷移元素は、金属、半金属、アルカリ土類元素、およびそれらの混合物から成る群から選択され、
前記第二の個別部分は、一つ以上の遷移金属と組み合わせられた酸素で構成される、
ことを特徴とする請求項29に記載のメモリセル。
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