JP2016225401A - 半導体集積回路 - Google Patents
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Abstract
Description
図1に示されるように、本実施の形態に係る半導体集積回路10は、半導体基板(半導体チップ)12の主面中央部に回路部14を備えている。回路部14の周囲であって、半導体基板12の縁部に沿って、半導体基板12上には外部端子22が配置されている。本実施の形態において、外部端子22は入力信号用外部端子として形成されている。外部端子22は回路部14の初段回路16に配線24を介して電気的に接続されている。つまり、半導体集積回路10の外部から外部端子22に入力された信号は、配線24を介して、初段回路16に送られる。
図2に示されるように、半導体集積回路10の半導体基板12は、ここでは第1導電型としてのp型シリコン(Si)基板によって構成されている。半導体基板12の不純物密度は例えば1015 atoms/cm3 に設定され、比抵抗値は例えば8Ω・cm〜12Ω・cmに設定されている。
本実施の形態に係る半導体集積回路10は、図1及び図2に示されるように、npn型バイポーラトランジスタを含んで構成される保護素子30に加えて、トリガ素子32を備える。トリガ素子32のカソード領域(n型コレクタ領域42)は外部端子22に接続され、トリガ素子32のアノード領域(p型半導体領域48)は保護素子30(バイポーラトランジスタ)のベース領域44に接続され、かつ、トリガ素子32は逆方向に接続される。本実施の形態ではトリガ素子32としてダイオードが使用されるので、「逆方向に接続される」とは、正のサージ(過電流)の流れる方向に対して、ダイオードが順方向接続ではなく、「ブレークダウンが生じる逆方向接続に接続される」という意味で使用されている。トリガ素子32は、バイポーラトランジスタのコレクタ領域42とベース領域44とのpn接合J1に付加される接合容量よりも小さな接合容量が付加されるpn接合J2を有する。
本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において例えば以下の通り変形可能である。例えば、本発明は、回路部の最終段回路と、この最終段回路からの信号を外部に出力する出力信号用外部端子との接続途中に設けられた保護素子に適用可能である。また、本発明は、回路部の入出力回路と、この入出力回路に外部から信号が入力される、若しくはこの入出力回路からの信号を外部に出力する入出力信号用外部端子との接続途中に設けられた保護素子にも適用可能である。
12 半導体基板
14 回路部
22 外部端子
24、26、28 配線
30 保護素子
32 トリガ素子
42 コレクタ領域(一方の主電極領域、カソード領域)
44 ベース領域
46 エミッタ領域(他方の主電極領域)
48 半導体領域(アノード領域)
J1、J2 pn接合
Claims (3)
- 半導体基板に設けられた回路部と、
当該回路部に接続され、信号が入力又は出力される外部端子と、
前記回路部と前記外部端子との接続途中に一方の主電極領域が接続され、固定電位に他方の主電極領域が接続されるバイポーラトランジスタを含んで構成された保護素子と、
前記一方の主電極領域と前記バイポーラトランジスタのベース領域とのpn接合に付加される接合容量よりも小さな接合容量が付加されるpn接合を有し、前記外部端子に一方が接続され、前記ベース領域に他方が接続され、かつ、逆方向に接続されたトリガ素子と、
を備えた半導体集積回路。 - 前記トリガ素子は、前記一方の主電極領域によって形成されたカソード領域と、前記一方の主電極領域の主面部に形成され、前記ベース領域の接合深さよりも浅い接合深さを有し、前記一方の主電極領域に対して逆導電型のアノード領域とを有するダイオードを含んで構成されている請求項1に記載の半導体集積回路。
- 前記トリガ素子は、前記一方の主電極領域の比抵抗値よりも小さい比抵抗値を有する配線を介して、前記ベース領域に接続されている請求項1又は請求項2に記載の半導体集積回路。
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- 2015-05-28 JP JP2015108594A patent/JP6549905B2/ja active Active
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