JP2016218445A - 調光フィルムおよびその製造方法、ならびに調光素子 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、本発明の調光フィルムの一実施形態を表す模式的断面図である。本発明の調光フィルム1は、高分子フィルム基材10上に、調光層30および触媒層40を備える。調光層30は、触媒層40側に調光領域32を有し、高分子フィルム基材10側に酸化領域31を有する。
高分子フィルム基材10は、透明でも不透明でもよい。調光層が水素化された状態において、調光フィルムを光透過性とするために、高分子フィルム基材の材料としては透明プラスチック材料が好ましく用いられる。このようなプラスチック材料としては、ポリエチレンテレフタレート等のポリエステル、ポリオレフィン、ノルボルネン系等の環状ポリオレフィン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルフォン、ポリアリレート等が挙げられる。
調光層30は、水素化による透明状態と脱水素化による反射状態との間で状態が可逆的に変化するクロミック材料を含んでいれば、その材料は特に限定されない。調光層を構成する材料の具体例としては、Y,La,Gd,Sm等の希土類金属、希土類金属とマグネシウムの合金、Ca,Sr,Ba等のアルカリ土類金属とマグネシウムの合金、Ni,Mn,Co,Fe等の遷移金属とマグネシウムの合金等が挙げられる。なお、調光層30は、上記合金以外の元素を微量成分として含んでいてもよい。
触媒層40は、調光層30における水素化、脱水素化を促進する機能を有する。触媒層40により、反射状態から透明状態へのスイッチング(調光層の水素化)および透明状態から反射状態へのスイッチング(調光層の脱水素化)におけるスイッチング速度が高められる。
本発明の調光フィルムは、高分子フィルム基材10上に、調光層30および触媒層40以外の層を有していてもよい。例えば、図2に示す調光フィルム2のように、調光層30と触媒層40との間にバッファー層50を設けたり、触媒層40上に表面層70を設けてもよい。
高分子フィルム基材10上に、酸化領域31および調光領域32を有する調光層30、ならびに触媒層40を順に成膜することにより、調光フィルムを作製できる。調光層30を成膜後、触媒層40の成膜前にバッファー層を成膜すれば、バッファー層50を備える調光フィルムが得られる。
本発明の調光フィルムは、調光層の水素化と脱水素化により光の透過状態と反射状態をスイッチング可能な水素活性型調光素子に用いることができる。調光層の水素化および脱水素化を行う方法は特に限定されず、例えば、調光フィルムを水素雰囲気に曝して調光層の水素化を行い、調光フィルムを酸素雰囲気(空気)に曝して調光層を脱水素化する方法(ガスクロミック方式);および液体の電解質(電解液)または固体の電解質を用いて、調光層30の水素化および脱水素化を行う方法(エレクトロクロミック方式)が挙げられる。中でも、大面積の調光層を短時間でスイッチングが可能であることから、ガスクロミック方式が好ましい。
ロールトゥロールスパッタ装置内に、厚み188μmのポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム(三菱樹脂社製)のロールをセットし、スパッタ装置内を到達真空度が5×10−3Paとなるまで排気した。スパッタリングガスを導入しない状態で、スパッタ装置内でPETフィルムを搬送したところ、装置内圧力が4×10−2Paまで上昇した。これはPETフィルムに含まれる残存ガスが、スパッタ装置内に放出されたためである。
スパッタ製膜開始前の到達真空度を8×10−4Paとした以外は、実施例1と同様にして調光フィルムを作製した。
調光層の成膜条件を以下のように変更したこと以外は、実施例1と同様にして調光フィルムを作製した。Mg‐Y合金層の成膜において、まず、スパッタリングガスとしてアルゴンに対し酸素を5流量%導入した0.4Paの真空環境下で、Mg−Y合金層を25nm形成した。続けて、スパッタリングガスとしてアルゴンのみを導入し0.4Paの環境下でMg−Y合金層を40nm形成した。
Mg‐Y合金層の膜厚を20nmとしたこと以外は、実施例1と同様にして調光フィルムを作製した。
実施例および比較例の調光フィルムは、金属光沢の反射状態であった。調光フィルムを、アルゴンで4体積%に希釈した1気圧の水素ガス雰囲気下に曝すと、実施例1〜3の調光フィルムは、透明状態に変化することが目視にて確認できた(調光性能:○)。一方、比較例1の調光フィルムは、水素ガス雰囲気下に曝しても、透明状態に変化せず、調光性能を有していなかった(調光性能:×)。水素ガス雰囲気下で、実施例および比較例の調光フィルムの光透過率を測定した後、空気雰囲気下に戻して脱水素化を行い、再度光透過率を測定した。光透過率の測定には、光源として発光ダイオード(コーデンシ社製、EL−1KL3(ピーク波長:約940nm))を用い、受光素子としてフォトダイオード(コーデンシ社製、SP−1ML)を用いた。なお、波長940nmと可視光域である波長750nmにおける調光フィルムの透過率はほぼ同じである。水素化状態(透明状態)と脱水素化状態(反射状態)の光透過率の差を調光性能とした。
Arイオンエッチング銃を備える走査型X線光電子分光装置(「Quantum2000」、アルバック・ファイ社製)を用いて、デプスプロファイル測定を行い、調光層における酸素濃度分布を求めた。なお、デプスプロファイルの解析においては、調光層と触媒層との間に位置し、かつ、Pd元素濃度が触媒層内のPd元素濃度の最大値の半値となる位置を、触媒層と調光層との界面(調光層の始点);調光層と高分子フィルム基材との間に位置し、かつ、C元素濃度が高分子フィルム基材内のC元素濃度の最大値の半値となる位置を、調光層と高分子フィルム基材との界面(調光層の終点)であると定義した。デプスプロファイルにおける膜厚(深さ)は、珪素酸化物層のArイオンエッチングレートを基準として、エッチング時間を深さに換算することにより算出した。得られたデプスプロファイルから、調光層の高分子フィルム基材側における酸素濃度が50原子%以上の領域(酸化領域)の厚みを求めた。
10,12 高分子フィルム基材
30 調光層
31 酸化領域
32 調光領域
40 触媒層
50 バッファー層
70 表面層
100 複層ガラス
81,82 ガラス板
85 シール部材
86 雰囲気制御装置
90 接着剤層
Claims (9)
- 高分子フィルム基材上に、水素化による透明状態と脱水素化による反射状態との間で状態が可逆的に変化する調光層;ならびに前記調光層における水素化および脱水素化を促進する触媒層、をこの順に備え、
前記触媒層側から前記高分子フィルム基材側に向けて前記調光層をエッチングしながらX線電子分光法により測定した元素濃度の膜厚方向分布において、前記調光層は、前記触媒層側に酸素含有量が50原子%未満の調光領域を10nm以上の厚みで有し、かつ前記高分子フィルム基材側に酸素含有量が50原子%以上の酸化領域が存在する、調光フィルム。 - 前記調光層における前記酸化領域の厚みが2〜100nmである、請求項1に記載の調光フィルム。
- 前記調光層における前記酸化領域と前記調光領域とが、同一の金属元素組成を有する、請求項1または2に記載の調光フィルム。
- 前記調光層が、希土類金属、希土類金属とマグネシウムの合金、アルカリ土類金属とマグネシウムの合金、および遷移金属とマグネシウムの合金からなる群から選択される金属、またはこれらの金属の水素化物もしくは酸化物を含む薄膜である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の調光フィルム。
- 前記調光層において、前記酸化領域の厚みが、前記調光領域の厚みよりも小さい、請求項1〜4のいずれか1項に記載の調光フィルム。
- 請求項1〜5のいずれか1項に記載の調光フィルムを製造する方法であって、
ロールトゥロールスパッタにより、フィルム基材上に、酸化領域および調光領域を有する調光層ならびに触媒層が成膜される、調光フィルムの製造方法。 - 請求項1〜5のいずれか1項に記載の調光フィルムを備える調光素子。
- 複数の透明部材の間隙がガス充填室を構成し、前記ガス充填室内に前記調光フィルムを備える、請求項7に記載の調光素子。
- 前記ガス充填室内に水素を給排気可能に構成された雰囲気制御装置をさらに備える、請求項8に記載の調光素子。
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