JP2016213341A - 積層セラミックコンデンサの姿勢判別方法、積層セラミックコンデンサの姿勢判別装置、積層セラミックコンデンサ連の製造方法、および積層セラミックコンデンサ連 - Google Patents

積層セラミックコンデンサの姿勢判別方法、積層セラミックコンデンサの姿勢判別装置、積層セラミックコンデンサ連の製造方法、および積層セラミックコンデンサ連 Download PDF

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Abstract

【課題】積層セラミックコンデンサの第１の主面および第２の主面の向く方向を判別する。【解決手段】積層セラミックコンデンサを、磁気発生器３１の前および計測器３２の前を通過させる工程と、計測器３２の前を積層セラミックコンデンサが通過した時の磁束密度を計測する工程と、上記磁束密度を計測する工程にて計測された磁束密度に基づいた判定対象値と少なくとも１つの閾値との大小関係を判定することにより、第１の主面および第２の主面の向く方向を判別する姿勢判別工程とを備える。上記姿勢判別工程において、判定対象値が、第１閾値より低い場合に、第２の主面が計測器３２と向かい合っていると判別する。【選択図】図３

Description

本発明は、積層セラミックコンデンサの姿勢判別方法、積層セラミックコンデンサの姿勢判別装置、積層セラミックコンデンサ連の製造方法、および積層セラミックコンデンサ連に関する。
積層された、磁性材料を含有する内部電極層と誘電体セラミック層とを含む積層セラミックコンデンサ(以後、コンデンサと称する場合がある)には、基板に実装される際に、内部電極層が実装面に対して垂直の向きとなる方向と、平行の向きになる方向とがある。
コンデンサの外観から内部電極の積層方向を見分けることは難しい。特に、コンデンサがテーピング包装された後は、カバーフィルムを通してコンデンサの外観を見ることになるため、外観の差異を確認しづらく、内部電極の積層方向の判別は極めて困難である。
コンデンサの方向識別方法を開示した先行文献として、特開平７−１１５０３３号公報(特許文献１)、および、特開２０１４−１３０９１２号公報(特許文献２)がある。
特許文献１に記載されたコンデンサの方向識別方法においては、コンデンサに一定の磁場を加えて、コンデンサの磁化状態を計測し、磁化の強さによって内部電極層の方向を識別している。
特許文献２に記載されたコンデンサの方向識別方法においては、コンデンサを、磁気発生器と計測器との間を通過させ、少なくともコンデンサの通過時における磁束密度の変化を計測する。磁束密度の計測結果に基づいてコンデンサにおける内部電極層の積層方向を識別している。
内部電極層の積層方向の判別は、コンデンサにおいて積層方向に直交する主面と積層方向に沿って延びる側面との判別と言い換えてよい。主面には、第１外層が含む第１の主面と第２外層が含む第２の主面とがあり、従来のコンデンサにおいては、第１の主面と第２の主面とを判別する必要性はなかった。
特開平７−１１５０３３号公報 特開２０１４−１３０９１２号公報
近年、第１外層の厚さと第２外層の厚さとを異ならせたコンデンサが製造される場合がある。このコンデンサにおいては、基板に実装される前に、第１の主面および第２の主面の向く方向が判別されていることが好ましい。
上記の従来技術の方法においては、コンデンサの第１の主面および第２の主面の向く方向を判別することが困難であった。
本発明は上記の問題点に鑑みてなされたものであって、積層セラミックコンデンサの第１の主面および第２の主面の向く方向を判別できる、積層セラミックコンデンサの姿勢判別方法、積層セラミックコンデンサの姿勢判別装置、積層セラミックコンデンサ連の製造方法、および積層セラミックコンデンサ連を提供することを目的とする。
本発明に基づく積層セラミックコンデンサの姿勢判別方法は、第１の主面を含む第１外層と、第１外層より厚く、第２の主面を含む第２外層と、第１外層と第２外層との間にて交互に積層された複数の誘電体層と複数の内部電極層とを含む積層セラミックコンデンサにおける第１の主面および第２の主面の向く方向を判別する、積層セラミックコンデンサの姿勢判別方法である。積層セラミックコンデンサの姿勢判別方法は、積層セラミックコンデンサを、磁気発生器の前および計測器の前を通過させる工程と、計測器の前を積層セラミックコンデンサが通過した時の磁束密度を計測する工程と、上記磁束密度を計測する工程にて計測された磁束密度に基づいた判定対象値と少なくとも１つの閾値との大小関係を判定することにより、第１の主面および第２の主面の向く方向を判別する姿勢判別工程とを備える。上記姿勢判別工程において、判定対象値が、第１閾値より低い場合に、第２の主面が計測器と向かい合っていると判別する。
本発明の一形態においては、上記姿勢判別工程において、判定対象値が、第１閾値より高い第２閾値より低く、かつ、第１閾値より高い場合に、第１の主面が計測器と向かい合っていると判別する。
本発明の一形態においては、判定対象値は、上記磁束密度を計測する工程にて計測された磁束密度の累積値である。
本発明に基づく積層セラミックコンデンサの姿勢判別装置は、第１の主面を含む第１外層と、第１外層より厚く、第２の主面を含む第２外層と、第１外層と第２外層との間にて交互に積層された複数の誘電体層と複数の内部電極層とを含む積層セラミックコンデンサにおける第１の主面および第２の主面の向く方向を判別する、積層セラミックコンデンサの姿勢判別装置である。積層セラミックコンデンサの姿勢判別装置は、磁気発生器と、磁束密度を計測する計測器と、積層セラミックコンデンサを搬送して磁気発生器の前および計測器の前を通過させる搬送機構と、積層セラミックコンデンサが計測器の前を通過した時に計測器にて計測された磁束密度に基づいた判定対象値と少なくとも１つの閾値との大小関係を判定することにより、第１の主面および第２の主面の向く方向を判別する姿勢判別部とを備える。姿勢判別部は、判定対象値が、第１閾値より低い場合に、第２の主面が計測器と向かい合っていると判別する。
本発明の一形態においては、姿勢判別部は、判定対象値が、第１閾値より高い第２閾値より低く、かつ、第１閾値より高い場合に、第１の主面が計測器と向かい合っていると判別する。
本発明の一形態においては、判定対象値は、計測器にて計測された磁束密度の累積値である。
本発明に基づく積層セラミックコンデンサ連の製造方法は、第１の主面を含む第１外層と、第１外層より厚く、第２の主面を含む第２外層と、第１外層と第２外層との間にて交互に積層された複数の誘電体層と複数の内部電極層とを含む複数の積層セラミックコンデンサを備える積層セラミックコンデンサ連の製造方法である。積層セラミックコンデンサ連の製造方法は、複数の積層セラミックコンデンサを、磁気発生器の前および計測器の前を通過させる工程と、計測器の前を複数の積層セラミックコンデンサの各々が通過した時の磁束密度を計測する工程と、上記磁束密度を計測する工程にて計測された磁束密度に基づいた判定対象値と少なくとも１つの閾値との大小関係を判定することにより、第１の主面および第２の主面の向く方向を判別する姿勢判別工程とを備える。上記姿勢判別工程において、判定対象値が、第１閾値より低い場合に、第２の主面が計測器と向かい合っていると判別する。
本発明の一形態においては、積層セラミックコンデンサ連の製造方法は、複数の積層セラミックコンデンサの各々の第２の主面の向く方向を互いに揃える工程をさらに備える。
本発明の一形態においては、積層セラミックコンデンサ連の製造方法は、上記第２の主面の向く方向を互いに揃える工程の後、複数の積層セラミックコンデンサを１つずつ同じ姿勢でテープの複数の凹部に収容する工程をさらに備える。
本発明の一形態においては、積層セラミックコンデンサ連の製造方法は、上記磁束密度を計測する工程の前に、複数の積層セラミックコンデンサの各々の複数の内部電極層の積層方向を互いに揃える工程をさらに備える。
本発明の一形態においては、積層セラミックコンデンサ連の製造方法は、複数の積層セラミックコンデンサを製造する工程をさらに備える。上記複数の積層セラミックコンデンサを製造する工程において、第１外層を構成する誘電体層と、第２外層を構成する誘電体層とを実質的に同じセラミックス材料系で形成する。
本発明の一形態においては、上記複数の積層セラミックコンデンサを製造する工程において、複数の第１セラミックスシートを積層して第１外層を形成し、複数の第２セラミックスシートを積層して第２外層を形成する。複数の第１セラミックスシートと複数の第２セラミックスシートとは、共通のマザーセラミックシートから切り出される。
本発明に基づく積層セラミックコンデンサ連は、複数の積層セラミックコンデンサと、複数の積層セラミックコンデンサを１つずつ収容する複数の凹部を有するテープとを備える。複数の積層セラミックコンデンサの各々は、第１の主面を含む第１外層と、第１外層より厚く、第２の主面を含む第２外層と、第１外層と前記第２外層との間にて交互に積層された複数の誘電体層と複数の内部電極層とを含む。複数の凹部に収容された複数の積層セラミックコンデンサの各々の第２の主面の向く方向は、互いに揃えられている。
本発明の一形態においては、複数の積層セラミックコンデンサの各々が磁化されている。
本発明の一形態においては、複数の積層セラミックコンデンサの各々において、第２外層の厚さと第１外層の厚さとの差が３０μｍ以上である。
本発明の一形態においては、複数の積層セラミックコンデンサの各々において、第１外層を構成する誘電体層と、第２外層を構成する誘電体層とは、同じセラミックス材料系である。
本発明の一形態においては、複数の積層セラミックコンデンサの各々において、第１の主面と第２の主面との検出される色の分布が一部重なっている。
本発明の一形態においては、複数の積層セラミックコンデンサの各々において、第１外層を構成する誘電体層の材料となる第１セラミックスシートと、第２外層を構成する誘電体層の材料となる第２セラミックスシートとは、共通のマザーセラミックスシートから切り出されている。
本発明によれば、積層セラミックコンデンサの第１の主面および第２の主面の向く方向を判別できる。
本発明の実施形態１に係るコンデンサの外観を示す斜視図である。 図１のコンデンサをＩＩ−ＩＩ線矢印方向から見た断面図である。 本発明の実施形態１に係るコンデンサの姿勢判別装置の構成を示す側面図である。 本発明の実施形態１に係るコンデンサ連の構成を示す断面図である。 磁気発生器と計測器との間に、コンデンサが位置していない状態における磁力線を示す断面図である。 磁気発生器と計測器との間に、第１の主面が磁気発生器に向かい合い、第２の主面が計測器に向かい合っている第１姿勢のコンデンサが位置している状態における磁力線を示す断面図である。 磁気発生器と計測器との間に、第２の主面が磁気発生器に向かい合い、第１の主面が計測器に向かい合っている第２姿勢のコンデンサが位置している状態における磁力線を示す断面図である。 磁気発生器と計測器との間に、第１の側面が磁気発生器に向かい合い、第２の側面が計測器に向かい合っている第３姿勢のコンデンサが位置している状態における磁力線を示す断面図である。 磁気発生器と計測器との間に、第２の側面が磁気発生器に向かい合い、第１の側面が計測器に向かい合っている第４姿勢のコンデンサが位置している状態における磁力線を示す断面図である。 第１姿勢、第２姿勢、第３姿勢および第４姿勢の各々のコンデンサが計測器の前を通過した時の磁束密度の経時変化を示すグラフである。 第１姿勢、第２姿勢、第３姿勢および第４姿勢の各々のコンデンサが計測器の前を通過した時の磁束密度の累積値を示すグラフである。 実験例１においてサンプル１〜３の各々のコンデンサが計測器の前を通過した時の磁束密度の累積値を示すグラフである。 磁束密度の最大値を判定対象値としてコンデンサの姿勢を判別不可能な程度に、第１外層の厚さと第２外層の厚さとの差が小さい場合の、計測器による磁束密度の計測結果を示すグラフである。 磁束密度の最大値を判定対象値としてコンデンサの姿勢を判別可能な程度に、第１外層の厚さと第２外層の厚さとの差が大きい場合の、計測器による磁束密度の計測結果を示すグラフである。 本発明の実施形態２に係るコンデンサの姿勢判別装置の構成を示す平面図である。 本発明の実施形態２に係るコンデンサの姿勢判別装置の直線搬送機構の構成を示す平面図である。 本発明の実施形態３に係るコンデンサの姿勢判別装置の構成を示す平面図である。 本発明の実施形態３に係るコンデンサの姿勢判別装置の回転搬送機構の構成を示す拡大平面図である。 本発明の実施形態４に係るコンデンサの姿勢判別装置の構成を示す側面図である。
以下、本発明の各実施形態に係る、積層セラミックコンデンサの姿勢判別方法、積層セラミックコンデンサの姿勢判別装置、積層セラミックコンデンサ連の製造方法、および積層セラミックコンデンサ連について図を参照して説明する。以下の実施形態の説明においては、図中の同一または相当部分には同一符号を付して、その説明は繰り返さない。
(実施形態１)
まず、本発明の実施形態１に係るコンデンサの構成について説明する。図１は、本発明の実施形態１に係るコンデンサの外観を示す斜視図である。図２は、図１のコンデンサをＩＩ−ＩＩ線矢印方向から見た断面図である。
図１，２に示すように、コンデンサ１は、セラミック素体１０を備えている。セラミック素体１０は、略直方体状である。具体的には、セラミック素体１０は、正四角柱状である。セラミック素体１０は、第１および第２の主面１０ａ，１０ｂと、第１および第２の側面１０ｃ，１０ｄと、第１および第２の端面１０ｅ，１０ｆとを有する。
第１および第２の主面１０ａ，１０ｂの各々は、長さ方向Ｌおよび幅方向Ｗに沿って延びている。第１の主面１０ａと第２の主面１０ｂとは、互いに平行である。第１および第２の側面１０ｃ，１０ｄの各々は、長さ方向Ｌおよび高さ方向Ｈに沿って延びている。第１の側面１０ｃと第２の側面１０ｄとは、互いに平行である。第１および第２の端面１０ｅ，１０ｆの各々は、幅方向Ｗおよび高さ方向Ｈに沿って延びている。第１の端面１０ｅと第２の端面１０ｆとは、互いに平行である。
セラミック素体１０は、誘電体セラミックを主成分とする材料により構成されている。誘電体セラミックの具体例としては、たとえば、ＢａＴｉＯ3、ＣａＴｉＯ3、ＳｒＴｉＯ3、または、ＣａＺｒＯ3などが挙げられる。セラミック素体１０には、たとえば、Ｍｎ化合物、Ｍｇ化合物、Ｓｉ化合物、Ｃｏ化合物、Ｎｉ化合物、および、希土類化合物などの少なくとも１つの副成分が適宜添加されていてもよい。
なお、「略直方体」には、角部または稜線部が面取りされた直方体、および、角部または稜線部が丸められた直方体が含まれるものとする。
図２に示すように、セラミック素体１０は、誘電体層からなり、第１の主面１０ａを含む第１外層１５ａと、第１外層１５ａより厚い誘電体層からなり、第２の主面１０ｂを含む第２外層１５ｂと、第１外層１５ａと第２外層１５ｂとの間にて誘電体層と交互に積層された複数の内部電極層１１，１２とを含む。すなわち、第１外層１５ａの厚さＴ1と、第２外層１５ｂの厚さＴ2とは、Ｔ1＜Ｔ2の関係を満たす。
本実施形態においては、複数のコンデンサ１の各々において、第１外層１５ａを構成する誘電体層と、第２外層１５ｂを構成する誘電体層とは、実質的に同じセラミックス材料系である。実質的に同じセラミックス材料系とは、原料となるセラミックス材料の調合割合が実質的に同じであり、調合割合および加工工程のばらつきによるセラミックス組成のばらつきの範囲は、実質的に同じセラミックス材料系に含まれる。
具体的には、複数のコンデンサ１の各々において、第１外層１５ａを構成する誘電体層の材料となる第１セラミックスシートと、第２外層１５ｂを構成する誘電体層の材料となる第２セラミックスシートとは、共通のマザーセラミックスシートから切り出されている。すなわち、第１セラミックスシートと第２セラミックスシートとは、同じセラミック原料および添加剤を用い、同じ製造方法によって作製されたセラミックスシートである。第２セラミックスシートを第１セラミックスシートより多く積層することにより、第２外層１５ｂを第１外層１５ａより厚くすることができ、積層セラミックコンデンサを効率的に製造することができる。
よって、コンデンサ１の第１の主面１０ａと第２の主面１０ｂとは、色による判別が困難である。具体的には、複数のコンデンサ１の各々において、第１の主面１０ａと第２の主面１０ｂとの光学センサ(たとえば、カメラ)により検出される色の分布が少なくとも一部重なっている。すなわち、複数のコンデンサ１の各々において、第１の主面１０ａおよび第２の主面１０ｂをカメラで撮像して得た画像の処理によって、第１の主面１０ａと第２の主面１０ｂとを正確に判別することが困難である。このような場合であっても、本実施形態に係るコンデンサの姿勢判別方法を用いることで、第１の主面１０ａと第２の主面１０ｂとを判別することが可能となる。
本実施形態に係るコンデンサの姿勢判別方法においては、第１の主面１０ａと第２の主面１０ｂとの色の差異を利用する必要が無いことから、色の差異を設けるために第１外層１５ａを構成する誘電体層のセラミックス材料系と第２外層１５ｂを構成する誘電体層のセラミックス材料系とを別にする必要が無く、セラミックス材料系を別にすることによってコンデンサの電気的特性に悪影響が生じることを防止できる。
セラミック素体１０の内部において、内部電極層１１と内部電極層１２とは、高さ方向Ｈに沿って交互に積層されている。複数の内部電極層１１，１２の各々は、長さ方向Ｌおよび幅方向Ｗに平行に設けられている。高さ方向Ｈにおいて隣り合う内部電極層１１と内部電極層１２との間には、誘電体層１５が配置されている。すなわち、高さ方向Ｈにおいて隣り合う内部電極層１１と内部電極層１２とは、誘電体層１５を間に挟んで互いに対向している。
内部電極層１１は、第１の端面１０ｅに引き出されている。第１の端面１０ｅを覆うように、外部電極１３が設けられている。外部電極１３は、内部電極層１１と電気的に接続されている。内部電極層１２は、第２の端面１０ｆに引き出されている。第２の端面１０ｆを覆うように、外部電極１４が設けられている。外部電極１４は、内部電極層１２と電気的に接続されている。
内部電極層１１，１２は、Ｎｉなどの磁性材料により構成されている。外部電極１３，１４は、たとえば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕ、またはＡｇ−Ｐｄ合金などの適宜の導電材料により構成されている。
次に、本発明の実施形態１に係るコンデンサの姿勢判別装置の構成について説明する。図３は、本発明の実施形態１に係るコンデンサの姿勢判別装置の構成を示す側面図である。図４は、本発明の実施形態１に係るコンデンサ連の構成を示す断面図である。図４においては、後述する磁気発生器３１と計測器３２との間を通過している部分のコンデンサ連２を示している。
本発明の実施形態１に係るコンデンサの姿勢判別装置３は、コンデンサ１における第１の主面１０ａおよび第２の主面１０ｂの向く方向を判別する。図３，４に示すように、姿勢判別装置３は、磁気発生器３１と、計測器３２と、搬送機構３５と、姿勢判別部３６とを備える。磁気発生器３１は、永久磁石または電磁石で構成されている。
搬送機構３５は、磁気発生器３１の前および計測器３２の前を通過するようにコンデンサ１を搬送する。本実施形態においては、搬送機構３５は、磁気発生器３１と計測器３２との間を、コンデンサ連２を通過させることにより、磁気発生器３１の前および計測器３２の前を、コンデンサ１を通過させる。
具体的には、コンデンサ連２は、複数のコンデンサ１と、複数のコンデンサ１を１つずつ収容する複数の凹部２１ｈを有するテープ２０とを備える。テープ２０は、キャリアテープ２１とカバーテープ２２とから構成されている。キャリアテープ２１に複数の凹部２１ｈが設けられている。キャリアテープ２１にカバーテープ２２が貼り付けられることにより、複数の凹部２１ｈの各々が閉鎖される。
搬送機構３５は、コンデンサ連２を搬送するための、第１のロール３３および第２のロール３４を有する。第１のロール３３には、コンデンサ連２が予め巻き取られており、第１のロール３３から送り出されて磁気発生器３１と計測器３２との間を通過したコンデンサ連２が、第２のロール３４に巻き取られる。
計測器３２は、磁気発生器３１において発生した磁束の密度を計測可能なように配置されている。計測器３２は、磁気発生器３１から発生した磁束の密度を計測する。計測器３２は、少なくともコンデンサ１が計測器３２の前を通過した時に、磁束密度を計測する。
本実施形態においては、計測器３２は、１０ｋＨｚ以上１００ｋＨｚ以下程度の間隔で磁束密度を連続して計測し、コンデンサ１が計測器３２の前を通過する時の磁束密度の経時変化が捉えられる。
計測器３２は、ガウスメータまたはテスラメータなどの磁束密度計と磁気プローブとを有している。磁気プローブの先端部には、たとえば直径が０．７６ｍｍのホール素子を有する磁気センサが内蔵されている。計測器３２は、磁束密度の計測結果を、姿勢判別部３６に出力する。
姿勢判別部３６は、計測器３２にて計測された磁束密度に基づいた判定対象値と少なくとも１つの閾値との大小関係を判定することにより、第１の主面１０ａおよび第２の主面１０ｂの向く方向を判別する。姿勢判別部３６は、コンデンサ１の姿勢判別を、コンデンサ連２にて相互に間隔をおいて一列に配置された複数のコンデンサ１に対して順に行なう。
ここで、本実施形態に係るコンデンサの姿勢判別方法の原理について説明する。図５は、磁気発生器と計測器との間に、コンデンサが位置していない状態における磁力線を示す断面図である。図６は、磁気発生器と計測器との間に、第１の主面が磁気発生器に向かい合い、第２の主面が計測器に向かい合っている第１姿勢のコンデンサが位置している状態における磁力線を示す断面図である。図７は、磁気発生器と計測器との間に、第２の主面が磁気発生器に向かい合い、第１の主面が計測器に向かい合っている第２姿勢のコンデンサが位置している状態における磁力線を示す断面図である。図８は、磁気発生器と計測器との間に、第１の側面が磁気発生器に向かい合い、第２の側面が計測器に向かい合っている第３姿勢のコンデンサが位置している状態における磁力線を示す断面図である。図９は、磁気発生器と計測器との間に、第２の側面が磁気発生器に向かい合い、第１の側面が計測器に向かい合っている第４姿勢のコンデンサが位置している状態における磁力線を示す断面図である。
図５に示すように、磁気発生器３１と計測器３２との間にコンデンサ１が位置していない状態においては、計測器３２を通過する磁力線Ｌｍの間隔が最も広くなり、言い換えると、単位面積あたりの磁力線Ｌｍの本数が少なくなり、磁束密度は低くなる。
図６〜９に示すように、磁気発生器３１と計測器３２との間にコンデンサ１が位置している状態においては、コンデンサ１が位置していない状態よりも計測器３２を通過する磁力線Ｌｍの間隔が狭くなり、単位面積あたりの磁力線Ｌｍの本数が多くなる。
第１の主面１０ａが計測器３２に向かい合っている第２姿勢１ｂの状態においては、第２の主面１０ｂが計測器３２に向かい合っている第１姿勢１ａの状態よりも計測器３２を通過する磁力線Ｌｍの間隔が狭くなり、単位面積あたりの磁力線Ｌｍの本数が多くなる。
第１または第２の側面１０ｃ，１０ｄが計測器３２に向かい合っている第３または第４姿勢１ｃ，１ｄの状態においては、第１の主面１０ａが計測器３２に向かい合っている第２姿勢１ｂの状態よりも計測器３２を通過する磁力線Ｌｍの間隔が狭くなり、単位面積あたりの磁力線Ｌｍの本数が多くなる。
図１０は、第１姿勢、第２姿勢、第３姿勢および第４姿勢の各々のコンデンサが計測器の前を通過した時の磁束密度の経時変化を示すグラフである。図１０においては、縦軸に磁束密度、横軸に経過時間を示している。
図１０に示すように、計測器３２により計測される磁束密度の最大値は、第１姿勢１ａの状態で最も低く、次に第２姿勢１ｂの状態で低く、第３姿勢１ｃの状態および第４姿勢１ｄの状態で最も高い。
よって、第１姿勢１ａの状態における磁束密度の最大値と、第２姿勢１ｂの状態における磁束密度の最大値との間に、第１閾値を設定し、計測器３２により計測される磁束密度の最大値を判定対象値とすることにより、コンデンサ１が第１姿勢１ａの状態であるか否かの判別を行なうことが可能となる。すなわち、磁束密度の最大値が、第１閾値より低い場合に、コンデンサ１が第１姿勢１ａの状態であると判別することができる。
また、第２姿勢１ｂの状態における磁束密度の最大値と、第３姿勢１ｃの状態および第４姿勢１ｄにおける磁束密度の最大値との間に、第１閾値より高い第２閾値を設定し、計測器３２により計測される磁束密度の最大値を判定対象値とすることにより、コンデンサ１が第２姿勢１ｂの状態であるか否かの判別を行なうことが可能となる。すなわち、磁束密度の最大値が、第２閾値より低く、かつ、第１閾値より高い場合に、コンデンサ１が第２姿勢１ｂの状態であると判別することができる。
さらに、磁束密度の最大値が、第２閾値より高い場合は、コンデンサ１が第３姿勢１ｃの状態または第４姿勢１ｄであると判別することができる。
図１１は、第１姿勢、第２姿勢、第３姿勢および第４姿勢の各々のコンデンサが計測器の前を通過した時の磁束密度の累積値を示すグラフである。図１１においては、縦軸に磁束密度の累積値、横軸に経過時間を示している。
図１１に示すように、計測器３２により計測される磁束密度の累積値は、第１姿勢１ａの状態で最も低く、次に第２姿勢１ｂの状態で低く、第３姿勢１ｃの状態および第４姿勢１ｄの状態で最も高い。磁束密度の累積値の差は、磁束密度の最大値の差より大きい。
第１姿勢１ａの状態における磁束密度の累積値と、第２姿勢１ｂの状態における磁束密度の累積値との間に、第１閾値を設定し、計測器３２により計測される磁束密度の累積値を判定対象値とすることにより、コンデンサ１が第１姿勢１ａの状態であるか否かの判別を行なうことが可能となる。すなわち、磁束密度の累積値が、第１閾値より低い場合に、コンデンサ１が第１姿勢１ａの状態であると判別することができる。
また、第２姿勢１ｂの状態における磁束密度の累積値と、第３姿勢１ｃの状態および第４姿勢１ｄにおける磁束密度の累積値との間に、第１閾値より高い第２閾値を設定し、計測器３２により計測される磁束密度の累積値を判定対象値とすることにより、コンデンサ１が第２姿勢１ｂの状態であるか否かの判別を行なうことが可能となる。すなわち、磁束密度の累積値が、第２閾値より低く、かつ、第１閾値より高い場合に、コンデンサ１が第２姿勢１ｂの状態であると判別することができる。
さらに、磁束密度の累積値が、第２閾値より高い場合は、コンデンサ１が第３姿勢１ｃの状態または第４姿勢１ｄであると判別することができる。
磁束密度の累積値の差は、磁束密度の最大値の差より大きいため、磁束密度の累積値を判定対象値とすることにより、コンデンサ１の姿勢の判別精度を高めることができる。
たとえば、計測器３２により磁束密度を計測する際のコンデンサ１の位置がばらつくことにより、磁束密度の最大値がばらついた場合であっても、磁束密度の累積値を判定対象値とすることよって、コンデンサ１の姿勢を安定して判別することができる。
特に、内部電極層１１，１２の積層枚数が少ない場合には、磁束密度の最大値を判定対象値とするよりも、磁束密度の累積値を判定対象値として、コンデンサ１の姿勢を判別することが好ましい。具体的には、内部電極層１１，１２の積層枚数が１００枚以下である場合に、磁束密度の累積値を判定対象値としてコンデンサ１の姿勢を判別することが好ましい。
このように、本実施形態に係るコンデンサの姿勢判別装置３は、コンデンサ１の第１の主面１０ａおよび第２の主面１０ｂの向く方向を判別できる。その結果、姿勢の揃っていないコンデンサ１にマーキングを施して識別する、または、姿勢の揃っていないコンデンサ１を除外することができる。
ここで、第１外層１５ａの厚さと第２外層１５ｂの厚さとの差の大きさが、計測器３２により計測される磁束密度に与える影響を検証した実験例について説明する。
(実験例１)
まず、３種類のコンデンサのサンプル１〜３を作製した。サンプル１〜３に共通の条件として、コンデンサの外形の長さ方向Ｌの寸法を１．１５ｍｍ、幅方向Ｗの寸法を０．６５ｍｍ、第１外層の厚さを４０μｍ、内部電極層の積層枚数を４３０枚とした。第２外層の厚さを、サンプル１は１４０μｍ、サンプル２は２４０μｍ、サンプル３は３４０μｍとした。
図１２は、実験例１においてサンプル１〜３の各々のコンデンサが計測器の前を通過した時の磁束密度の累積値を示すグラフである。図１２においては、縦軸に磁束密度の累積値、横軸に経過時間を示している。
図１２において、サンプル１が第３姿勢１ｃの状態および第４姿勢１ｄの状態における磁束密度の累積値を実線Ａ、サンプル１が第２姿勢１ｂの状態における磁束密度の累積値を実線Ｂ、サンプル１が第１姿勢１ａの状態における磁束密度の累積値を実線Ｃ、サンプル２が第１姿勢１ａの状態における磁束密度の累積値を実線Ｄ、サンプル３が第１姿勢１ａの状態における磁束密度の累積値を実線Ｅで示している。
図１２に示すように、第１外層１５ａの厚さと第２外層１５ｂの厚さとの差が大きくなるに従って、第１姿勢１ａの状態における磁束密度の累積値と、第２姿勢１ｂの状態における磁束密度の累積値との差が大きくなった。よって、第１外層１５ａの厚さと第２外層１５ｂの厚さとの差が大きくなるに従って、コンデンサ１の姿勢の判別精度が向上することが確認できた。
次に、第１外層１５ａの厚さと第２外層１５ｂの厚さとの差の大きさが、計測器３２により計測される磁束密度の最大値に与える影響を検証した実験例について説明する。
(実験例２)
図１３は、磁束密度の最大値を判定対象値としてコンデンサの姿勢を判別不可能な程度に、第１外層の厚さと第２外層の厚さとの差が小さい場合の、計測器による磁束密度の計測結果を示すグラフである。図１４は、磁束密度の最大値を判定対象値としてコンデンサの姿勢を判別可能な程度に、第１外層の厚さと第２外層の厚さとの差が大きい場合の、計測器による磁束密度の計測結果を示すグラフである。図１３，１４においては、縦軸に計測頻度を示し、横軸に磁束密度の最大値を示す。
図１３に示すように、第１外層１５ａの厚さと第２外層１５ｂの厚さとの差が小さい場合、計測器により計測される、第１姿勢１ａの状態における磁束密度の最大値群と、第２姿勢１ｂの状態における磁束密度の最大値群との間に、明確な境界がなく、第１姿勢１ａの状態と第２姿勢１ｂの状態とを判別することができない。
図１４に示すように、第１外層１５ａの厚さと第２外層１５ｂの厚さとの差が十分に大きい場合、計測器により計測される、第１姿勢１ａの状態における磁束密度の最大値群と、第２姿勢１ｂの状態における磁束密度の最大値群とは、間隔Ｄを開けて明確に離れており、第１姿勢１ａの状態と第２姿勢１ｂの状態とを判別することができる。
実験例２においては、第１外層１５ａの厚さと第２外層１５ｂの厚さとの差を変えて、５種類のコンデンサのサンプル４〜８を作製した。サンプル４〜８に共通の条件として、コンデンサの外形の長さ方向Ｌの寸法を１．１５ｍｍ、幅方向Ｗの寸法を０．６５ｍｍ、第１外層の厚さを４０μｍ、内部電極層の積層枚数を４３０枚とした。
第１外層１５ａの厚さと第２外層１５ｂの厚さとの差を、サンプル４は５μｍ、サンプル５は２０μｍ、サンプル６は３０μｍ、サンプル７は６０μｍ、サンプル８は１００μｍとした。
計測器３２によって計測された、第１姿勢１ａの状態における磁束密度の最大値群と、第２姿勢１ｂの状態における磁束密度の最大値群との差は、サンプル４は０．２９ｍＴ、サンプル５は０．３７ｍＴ、サンプル６は０．４３ｍＴ、サンプル７は０．６０ｍＴ、サンプル８は０．８２ｍＴであった。
第１姿勢１ａの状態における磁束密度の最大値群と、第２姿勢１ｂの状態における磁束密度の最大値群とを判別するためには、繰り返し精度(±０．１ｍＴ)に同等のマージンを加えて、０．４ｍＴの差が必要である。すると、実験例２の結果から、第１外層１５ａの厚さと第２外層１５ｂの厚さとの差は、３０μｍ以上必要であることが確認できた。
なお、第１外層１５ａの厚さと第２外層１５ｂの厚さとの差が１８０μｍ以上である場合、コンデンサの製造工程におけるセラミックの焼成時に、第１外層１５ａおよび第２外層１５ｂの熱収縮のバランスが崩れて構造欠陥(クラック)が生じる可能性があることがわかった。
従って、構造欠陥(クラック)の発生を抑制しつつ、コンデンサ１の姿勢を判別可能とするためには、第１外層１５ａの厚さと第２外層１５ｂの厚さとの差が、３０μｍ以上１８０μｍ未満であることが好ましい。
なお、種々の評価の結果、誘電体層にチタン酸バリウムが含まれるコンデンサにおいて、第１外層１５ａの厚さと第２外層１５ｂの厚さとの差が３０μｍ以上にて姿勢の判別が可能となるのは、少なくとも以下の条件を満たす場合である。外形の長さ方向Ｌの寸法が１．０ｍｍ以上、かつ、幅方向Ｗの寸法が０．５ｍｍ以上であるコンデンサが、０．１μＦ以上の静電容量を有している。または、外形の長さ方向Ｌの寸法が０．６ｍｍ以上１．０ｍｍ未満、かつ、幅方向Ｗの寸法が０．３ｍｍ以上０．５ｍｍ未満であるコンデンサが、１μＦ以上の静電容量を有している。
(実施形態２)
以下、本発明の実施形態２に係るコンデンサの姿勢判別装置の構成について説明する。本実施形態に係るコンデンサの姿勢判別装置は、テープに包装される前のコンデンサ１の姿勢を判別する点が、主に実施形態１に係るコンデンサの姿勢判別装置３と異なるため、実施形態１に係るコンデンサの姿勢判別装置３と同様の構成については、同一の参照符号を付して、その説明を繰り返さない。
図１５は、本発明の実施形態２に係るコンデンサの姿勢判別装置の構成を示す平面図である。図１６は、本発明の実施形態２に係るコンデンサの姿勢判別装置の直線搬送機構の構成を示す平面図である。
図１５，１６に示すように、本発明の実施形態２に係るコンデンサの姿勢判別装置は、直線搬送機構５１と、回転搬送機構５２と、磁気発生器３１と、計測器３２と、姿勢判別部４０とを備える。
直線搬送機構５１には、ボールフィーダ５０が接続されている。ボールフィーダ５０には、複数のコンデンサ１が収容されている。ボールフィーダ５０が振動することにより、直線搬送機構５１にコンデンサ１が順次供給される。
直線搬送機構５１は、回転搬送機構５２に接続されている。直線搬送機構５１は、コンデンサ１を振動により回転搬送機構５２に搬送する。直線搬送機構５１の搬送経路には、搬送経路の幅が広くなっている幅広部５１ａと、互いに対向した２つの開口部５１ｂ，５１ｃが設けられている。
幅広部５１ａを挟むように、幅広部５１ａの両側方に１つずつ磁気発生器７０が配置されている。２つの磁気発生器７０は、互いの間に磁力を作用させることにより、コンデンサ１の積層方向を揃える機能を有する。積層方向の異なるコンデンサ１は、幅広部５１ａを通過する際に、磁気発生器７０が発生する磁力によって図１６中の矢印で示すように長さ方向Ｌを回転軸方向にして回転する。その結果、幅広部５１ａを通過したコンデンサ１の積層方向が揃えられる。
なお、コンデンサ１の積層方向を揃える方法は、磁力を利用する方法に限られず、たとえば、コンデンサ１の幅方向Ｗの寸法と高さ方向Ｈの寸法との違いを利用してコンデンサ１の積層方向を揃えてもよい。
直線搬送機構５１の搬送経路の、幅広部５１ａと２つの開口部５１ｂ，５１ｃとの間において、搬送経路を互いの間に挟むように磁気発生器３１と計測器３２とが配置されている。直線搬送機構５１は、磁気発生器３１の前を通過するようにコンデンサ１を搬送する。計測器３２は、磁束密度の計測結果を、姿勢判別部４０に出力する。
姿勢判別部４０は、開口部５１ｂの外側に配置され、開口部５１ｃに向けて空気を吹き付け可能に構成されている。姿勢判別部４０は、姿勢の異なるコンデンサ１が前を通過する際に、そのコンデンサ１に空気を吹き付けて開口部５１ｃから搬送経路の外に排出する。これにより、回転搬送機構５２に搬送されたコンデンサ１は、同じ姿勢に揃えられている。具体的には、複数のコンデンサ１の各々は、第２の主面１０ｂが鉛直方向下向きの姿勢で揃えられている。
なお、開口部５１ｃから排出されたコンデンサ１を、ボールフィーダ５０に再度投入してもよいし、長さ方向Ｌを回転軸方向にして１８０度回転させて同じ姿勢に揃えてから、直線搬送機構５１の搬送経路に戻してもよい。また、コンデンサ１を排出する方法は、コンデンサ１に空気を吹き付ける方法に限られず、重力または磁力を利用する方法でもよいし、ピックアップ機構を用いる方法でもよい。
回転搬送機構５２は、コンデンサ１がキャリアテープ２１の凹部２１ｈに収容されるように、コンデンサ１を搬送する。回転搬送機構５２は、中心軸Ｃを中心として回転する円板状の搬送テーブル５４を有する。
具体的には、円形のローターである搬送テーブル５４は、中心軸Ｃを中心として時計回りに回転する。搬送テーブル５４は、複数の収容部５４ａを備えている。複数の収容部５４ａは、搬送テーブル５４の外周に沿って相互に間隔をおいて一列に設けられている。
直線搬送機構５１と回転搬送機構５２との接続箇所となる搬送テーブル５４のポジションＰ１において、直線搬送機構５１から収容部５４ａにコンデンサ１が振り込まれる。収容部５４ａに振り込まれたコンデンサ１は、搬送テーブル５４が回転することにより、中心軸Ｃを中心として周方向に沿って搬送される。
コンデンサ１は、ポジションＰ１から、回転搬送機構５２とキャリアテープ２１の搬送経路との接続箇所となる搬送テーブル５４のポジションＰ３まで搬送される。ポジションＰ３において、回転搬送機構５２からキャリアテープ２１の凹部２１ｈにコンデンサ１が挿入される。
キャリアテープ２１の凹部２１ｈに収容されたコンデンサ１においては、凹部２１ｈの底と第２の主面１０ｂとが向かい合っている。このように、複数のコンデンサ１が１つずつ同じ姿勢でキャリアテープ２１の複数の凹部２１ｈに収容される。その結果、複数の凹部２１ｈに収容された複数のコンデンサ１の各々の第２の主面１０ｂの向く方向は、互いに揃えられている。また、本実施形態に係るコンデンサの姿勢判別装置において、姿勢を判別された複数のコンデンサ１の各々は磁化されている。この場合、複数のコンデンサ１の各々から発生する磁束が互いに同じ方向を向くので、凹部２１ｈ内に収容されているコンデンサ１の姿勢が変わりにくくなることが期待できる。
なお、コンデンサ１が磁化されているかどうかを判定するためには、まず初めにコンデンサ１から発生する磁束の密度を計測し、そのコンデンサ１を脱磁器で消磁した後で、再度磁束密度を計測し、１回目に計測された磁束密度と２回目に計測された磁束密度を比較する。２回の磁束密度の計測結果に有意差がある場合には、コンデンサ１が磁化されていたと判定する。
本実施形態に係るコンデンサの姿勢判別装置においても、コンデンサ１の第１の主面１０ａおよび第２の主面１０ｂの向く方向を判別できる。
なお、本実施形態に係るコンデンサの姿勢判別装置においては、コンデンサ１の積層方向を揃えるための磁気発生器７０を備えていたが、必ずしも磁気発生器７０を備えていなくてもよい。ただし、コンデンサの姿勢判別装置が磁気発生器７０を備えている方が、効率的に複数のコンデンサ１の各々の姿勢を揃えることができる。
(実施形態３)
以下、本発明の実施形態３に係るコンデンサの姿勢判別装置の構成について説明する。本実施形態に係るコンデンサの姿勢判別装置は、回転搬送機構５２に磁気発生器３１と計測器３２とが設けられている点が、主に実施形態２に係るコンデンサの姿勢判別装置と異なるため、実施形態２に係るコンデンサの姿勢判別装置と同様の構成については、同一の参照符号を付して、その説明を繰り返さない。
図１７は、本発明の実施形態３に係るコンデンサの姿勢判別装置の構成を示す平面図である。図１８は、本発明の実施形態３に係るコンデンサの姿勢判別装置の回転搬送機構の構成を示す拡大平面図である。
図１７，１８に示すように、本発明の実施形態３に係るコンデンサの姿勢判別装置は、直線搬送機構５１と、回転搬送機構５２と、磁気発生器３１と、計測器３２と、姿勢判別部４０とを備える。本実施形態においては、直線搬送機構５１は、回転搬送機構５２にコンデンサ１を搬送する機能のみ有している。
回転搬送機構５２の搬送経路において、ポジションＰ１とポジションＰ３との間に位置するポジションＰ２には、姿勢判別機構５５が設けられている。姿勢判別機構５５は、磁気発生器３１と計測器３２とを備えている。回転搬送機構５２の搬送経路を互いの間に挟むように磁気発生器３１と計測器３２とが配置されている。磁気発生器３１は搬送テーブル５４の上方に位置し、計測器３２は搬送テーブル５４の下方に位置している。
回転搬送機構５２は、磁気発生器３１の前を通過するようにコンデンサ１を搬送する。搬送テーブル５４は、一定の間隔をおいて回転運動と停止を繰り返す、いわゆる間歇動作をする。計測器３２は、磁束密度の計測結果を、姿勢判別部４０に出力する。
姿勢判別部４０は、回転搬送機構５２の搬送経路にて姿勢判別機構５５より下流側に位置し、搬送テーブル５４の停止時における収容部５４ａに対して搬送テーブル５４の内周側にて隣接している。姿勢判別部４０に隣接する収容部５４ａに対して搬送テーブル５４の外周側に、この収容部５４ａの開口と対向する排出部５２ｃが設けられている。姿勢判別部４０は、排出部５２ｃに向けて空気を吹き付け可能に構成されている。姿勢判別部４０は、姿勢の異なるコンデンサ１が前を通過する際に、そのコンデンサ１に空気を吹き付けて排出部５２ｃから搬送経路の外に排出する。これにより、搬送テーブル５４のポジションＰ３に搬送されたコンデンサ１は、同じ姿勢に揃えられている。具体的には、複数のコンデンサ１の各々は、第２の主面１０ｂが鉛直方向下向きの姿勢で揃えられている。
本実施形態に係るコンデンサの姿勢判別装置においても、コンデンサ１の第１の主面１０ａおよび第２の主面１０ｂの向く方向を判別できる。
(実施形態４)
以下、本発明の実施形態４に係るコンデンサの姿勢判別装置の構成について説明する。本実施形態に係るコンデンサの姿勢判別装置は、マウンターの移動経路に磁気発生器３１と計測器３２とが設けられている点が、主に実施形態１に係るコンデンサの姿勢判別装置と異なるため、実施形態１に係るコンデンサの姿勢判別装置と同様の構成については、同一の参照符号を付して、その説明を繰り返さない。
図１９は、本発明の実施形態４に係るコンデンサの姿勢判別装置の構成を示す側面図である。図１９に示すように、本発明の実施形態４に係るコンデンサの姿勢判別装置は、搬送機構であるマウンター６０と、磁気発生器３１と、計測器３２と、図示しない姿勢判別部とを備える。
マウンター６０は吸着ノズルを備え、キャリアテープ２１の凹部に収容されているコンデンサ１を１つずつ吸着ノズルによって取り出し、実装基板６１上に搬送する。マウンター６０は、磁気発生器３１の前を通過するようにコンデンサ１を搬送する。コンデンサ１は、磁気発生器３１と計測器３２との間を通過する。
本実施形態に係るコンデンサの姿勢判別装置においても、コンデンサ１の第１の主面１０ａおよび第２の主面１０ｂの向く方向を判別できる。その結果、姿勢の揃っていないコンデンサ１を除外することができる。
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
１ コンデンサ、１ａ 第１姿勢、１ｂ 第２姿勢、１ｃ 第３姿勢、１ｄ 第４姿勢、２ コンデンサ連、３ 姿勢判別装置、１０ セラミック素体、１０ａ 第１の主面、１０ａ 第２の主面、１０ｃ 第１の側面、１０ｃ 第２の側面、１０ｅ 第１の端面、１０ｅ 第２の端面、１０ｅ，１０ｆ 第２の端面、１１，１２ 内部電極層、１３，１４ 外部電極、１５ 誘電体層、１５ａ 第１外層、１５ｂ 第２外層、２０ テープ、２１ キャリアテープ、２１ｈ 凹部、２２ カバーテープ、３１，７０ 磁気発生器、３２ 計測器、３３ 第１のロール、３４ 第２のロール、３５ 搬送機構、３６，４０ 姿勢判別部、５０ ボールフィーダ、５１ 直線搬送機構、５１ａ 幅広部、５１ｂ，５１ｃ 開口部、５２ 回転搬送機構、５２ｃ 排出部、５４ 搬送テーブル、５４ａ 収容部、５５ 姿勢判別機構、６０ マウンター、６１ 実装基板、Ｌｍ 磁力線。

Claims (18)

  1. 第１の主面を含む第１外層と、
    前記第１外層より厚く、第２の主面を含む第２外層と、
    前記第１外層と前記第２外層との間にて交互に積層された複数の誘電体層と複数の内部電極層とを含む積層セラミックコンデンサにおける前記第１の主面および前記第２の主面の向く方向を判別する、積層セラミックコンデンサの姿勢判別方法であって、
    前記積層セラミックコンデンサを、磁気発生器の前および計測器の前を通過させる工程と、
    前記計測器の前を前記積層セラミックコンデンサが通過した時の磁束密度を計測する工程と、
    前記磁束密度を計測する工程にて計測された前記磁束密度に基づいた判定対象値と少なくとも１つの閾値との大小関係を判定することにより、前記第１の主面および前記第２の主面の向く方向を判別する姿勢判別工程とを備え、
    前記姿勢判別工程において、前記判定対象値が、第１閾値より低い場合に、前記第２の主面が前記計測器と向かい合っていると判別する、積層セラミックコンデンサの姿勢判別方法。
  2. 前記姿勢判別工程において、前記判定対象値が、前記第１閾値より高い第２閾値より低く、かつ、前記第１閾値より高い場合に、前記第１の主面が前記計測器と向かい合っていると判別する、請求項１に記載の積層セラミックコンデンサの姿勢判別方法。
  3. 前記判定対象値は、前記磁束密度を計測する工程にて計測された前記磁束密度の累積値である、請求項１または２に記載の積層セラミックコンデンサの姿勢判別方法。
  4. 第１の主面を含む第１外層と、
    前記第１外層より厚く、第２の主面を含む第２外層と、
    前記第１外層と前記第２外層との間にて交互に積層された複数の誘電体層と複数の内部電極層とを含む積層セラミックコンデンサにおける前記第１の主面および前記第２の主面の向く方向を判別する、積層セラミックコンデンサの姿勢判別装置であって、
    磁気発生器と、
    磁束密度を計測する計測器と、
    前記積層セラミックコンデンサを搬送して前記磁気発生器の前および前記計測器の前を通過させる搬送機構と、
    前記積層セラミックコンデンサが前記計測器の前を通過した時に前記計測器にて計測された磁束密度に基づいた判定対象値と少なくとも１つの閾値との大小関係を判定することにより、前記第１の主面および前記第２の主面の向く方向を判別する姿勢判別部とを備え、
    前記姿勢判別部は、前記判定対象値が、第１閾値より低い場合に、前記第２の主面が前記計測器と向かい合っていると判別する、積層セラミックコンデンサの姿勢判別装置。
  5. 前記姿勢判別部は、前記判定対象値が、前記第１閾値より高い第２閾値より低く、かつ、前記第１閾値より高い場合に、前記第１の主面が前記計測器と向かい合っていると判別する、請求項４に記載の積層セラミックコンデンサの姿勢判別装置。
  6. 前記判定対象値は、前記計測器にて計測された前記磁束密度の累積値である、請求項４または５に記載の積層セラミックコンデンサの姿勢判別装置。
  7. 第１の主面を含む第１外層と、
    前記第１外層より厚く、第２の主面を含む第２外層と、
    前記第１外層と前記第２外層との間にて交互に積層された複数の誘電体層と複数の内部電極層とを含む複数の積層セラミックコンデンサを備える積層セラミックコンデンサ連の製造方法であって、
    前記複数の積層セラミックコンデンサを、磁気発生器の前および計測器の前を通過させる工程と、
    前記計測器の前を前記複数の積層セラミックコンデンサの各々が通過した時の磁束密度を計測する工程と、
    前記磁束密度を計測する工程にて計測された前記磁束密度に基づいた判定対象値と少なくとも１つの閾値との大小関係を判定することにより、前記第１の主面および前記第２の主面の向く方向を判別する姿勢判別工程とを備え、
    前記姿勢判別工程において、前記判定対象値が、第１閾値より低い場合に、前記第２の主面が前記計測器と向かい合っていると判別する、積層セラミックコンデンサ連の製造方法。
  8. 前記複数の積層セラミックコンデンサの各々の前記第２の主面の向く方向を互いに揃える工程をさらに備える、請求項７に記載の積層セラミックコンデンサ連の製造方法。
  9. 前記第２の主面の向く方向を互いに揃える工程の後、前記複数の積層セラミックコンデンサを１つずつ同じ姿勢でテープの複数の凹部に収容する工程をさらに備える、請求項８に記載の積層セラミックコンデンサ連の製造方法。
  10. 前記磁束密度を計測する工程の前に、前記複数の積層セラミックコンデンサの各々の前記複数の内部電極層の積層方向を互いに揃える工程をさらに備える、請求項７から９のいずれか１項に記載の積層セラミックコンデンサ連の製造方法。
  11. 前記複数の積層セラミックコンデンサを製造する工程をさらに備え、 前記複数の積層セラミックコンデンサを製造する工程において、前記第１外層を構成する誘電体層と、前記第２外層を構成する誘電体層とを実質的に同じセラミックス材料系で形成する、請求項７から１０のいずれか１項に記載の積層セラミックコンデンサ連の製造方法。
  12. 前記複数の積層セラミックコンデンサを製造する工程において、複数の第１セラミックスシートを積層して前記第１外層を形成し、複数の第２セラミックスシートを積層して前記第２外層を形成し、
    前記複数の第１セラミックスシートと前記複数の第２セラミックスシートとは、共通のマザーセラミックシートから切り出される、請求項１１に記載の積層セラミックコンデンサ連の製造方法。
  13. 複数の積層セラミックコンデンサと、
    前記複数の積層セラミックコンデンサを１つずつ収容する複数の凹部を有するテープとを備え、
    前記複数の積層セラミックコンデンサの各々は、
    第１の主面を含む第１外層と、
    前記第１外層より厚く、第２の主面を含む第２外層と、
    前記第１外層と前記第２外層との間にて交互に積層された複数の誘電体層と複数の内部電極層とを含み、
    前記複数の凹部に収容された前記複数の積層セラミックコンデンサの各々の前記第２の主面の向く方向は、互いに揃えられている、積層セラミックコンデンサ連。
  14. 前記複数の積層セラミックコンデンサの各々が磁化されている、請求項１３に記載の積層セラミックコンデンサ連。
  15. 前記複数の積層セラミックコンデンサの各々において、前記第２外層の厚さと前記第１外層の厚さとの差が３０μｍ以上である、請求項１３または１４に記載の積層セラミックコンデンサ連。
  16. 前記複数の積層セラミックコンデンサの各々において、前記第１外層を構成する誘電体層と、前記第２外層を構成する誘電体層とは、同じセラミックス材料系である、請求項１３から１５のいずれか１項に記載の積層セラミックコンデンサ連。
  17. 前記複数の積層セラミックコンデンサの各々において、前記第１の主面と前記第２の主面との検出される色の分布が一部重なっている、請求項１３から１６のいずれか１項に記載の積層セラミックコンデンサ連。
  18. 前記複数の積層セラミックコンデンサの各々において、前記第１外層を構成する誘電体層の材料となる第１セラミックスシートと、前記第２外層を構成する誘電体層の材料となる第２セラミックスシートとは、共通のマザーセラミックスシートから切り出されている、請求項１３から１７のいずれか１項に記載の積層セラミックコンデンサ連。
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