JP2014130912A - 積層セラミックコンデンサの方向識別方法、積層セラミックコンデンサの方向識別装置及び積層セラミックコンデンサの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】積層セラミックコンデンサの方向を正確に識別できる方法を提供する。
【解決手段】磁気発生装置３１から発生する磁束密度を磁束密度計測器３２により計測しながら、積層セラミックコンデンサ１ｂを、磁気発生装置３１と磁束密度計測器３２との間を通過させ、少なくとも積層セラミックコンデンサ１ｂの通過時における磁束密度の変化を計測する。磁束密度の計測結果に基づいて積層セラミックコンデンサ１ｂにおける複数の内部電極１１，１２の積層方向を識別する。
【選択図】図１

Description

本発明は、積層セラミックコンデンサの方向識別方法、積層セラミックコンデンサの方向識別装置及び積層セラミックコンデンサの製造方法に関する。

積層セラミックコンデンサは、一の方向に沿って積層された複数の内部電極を有する。このため、積層セラミックコンデンサにおいては、内部電極の積層方向を識別したいという要望がある。しかしながら、例えば、積層セラミックコンデンサが正四角柱状であるような場合には、外観により積層セラミックコンデンサにおける内部電極の積層方向を識別することは困難である。

例えば特許文献１には、積層セラミックコンデンサにおける内部電極の積層方向を外観によらずに識別し得る方法が記載されている。具体的には、特許文献１には、内部電極層が引き出されていない一面に一定の磁場を加えて、積層セラミックコンデンサの磁束密度を計測し、磁化の強さによって内部電極層の方向を識別する方法が開示されている。この方法は、内部電極が磁束とほぼ平行（コンデンサとしては底面に対して内部電極が垂直方向）になる向きにコンデンサが配置された状態と、ほぼ垂直（コンデンサとしては底面に対して内部電極が水平方向）となる向きにコンデンサが配置された状態とで、計測される磁束密度が異なることを利用した方法である。

特開平７−１１５０３３号公報

しかしながら、内部電極の積層方向と磁束の方向とが平行である場合と、内部電極の積層方向と磁束の方向とが垂直である場合とで、計測される磁束密度の差は非常に小さい。また、計測される磁束密度は、磁石とセンサープローブ、コンデンサとの位置関係に大きく左右される。特に、小型の積層セラミックコンデンサでは計測される磁束密度に対する磁石とセンサープローブ、コンデンサとの位置関係が与える影響は甚大である。

このように、方向が異なる場合に計測される磁束密度の差が小さく、かつ、計測時のコンデンサの位置により計測される磁束密度が大きく異なるため、特許文献１に記載の方法では、積層セラミックコンデンサの方向を正確に識別することは困難である。

この問題についてより具体的に説明する。例えば、長さ寸法が１ｍｍで、幅寸法が０．５ｍｍで、高さ寸法が０．５ｍｍであり、静電容量が４．７μＦである積層セラミックコンデンサについて、ある測定条件で磁束密度を計測した場合を想定する。この積層セラミックコンデンサの、内部電極の積層方向が磁束の方向と平行な場合の最大磁束密度は、約５３．６ｍＴである。一方、この積層セラミックコンデンサの、内部電極の積層方向が磁束の方向と垂直な場合の最大磁束密度は、約５２．３ｍＴである。従って、この積層セラミックコンデンサでは、内部電極の積層方向と磁束の方向とが平行である場合と垂直である場合とで、磁束密度の最大値は１．３ｍＴのみ異なる。従って、内部電極の積層方向と磁束の方向とが平行である場合と垂直である場合との間の磁束密度の最大値の差は、内部電極の積層方向と磁束の方向とが平行である場合の磁束密度の最大値に対して僅か２．４％である。

また、積層セラミックコンデンサの計測位置が積層セラミックコンデンサの中心位置から０．３ｍｍずれたときの、内部電極の積層方向と磁束の方向とが平行である積層セラミックコンデンサの磁束密度は、約５２．３ｍＴとなり、内部電極の積層方向と磁束の方向とが垂直である場合の積層セラミックコンデンサの磁束密度の最大値（測定位置が積層セラミックコンデンサの中心位置である場合）とほぼ等しくなる。このことから、積層セラミックコンデンサの計測位置が０．３ｍｍ以上変化し得る場合には、積層セラミックコンデンサの方向識別が困難である。この問題は、積層セラミックコンデンサが小型化するほど、例えば長さ寸法が１ｍｍで、幅寸法が０．５ｍｍで、高さ寸法が０．５ｍｍの１００５サイズ以下であるほど、計測位置を中心位置に定めることが難しくなるため、顕著になる。

本発明の主な目的は、積層セラミックコンデンサの方向を正確に識別できる方法を提供することにある。

本発明に係る積層セラミックコンデンサの方向識別方法は、一の方向に沿って積層された複数の内部電極を備える積層セラミックコンデンサにおける複数の内部電極の積層方向を識別する方法である。磁気発生装置から発生する磁束密度を磁束密度計測器により計測しながら、積層セラミックコンデンサを、磁気発生装置と磁束密度計測器との間を通過させ、少なくとも積層セラミックコンデンサの通過時における磁束密度の変化を計測する。磁束密度の計測結果に基づいて積層セラミックコンデンサにおける複数の内部電極の積層方向を識別する。

本発明に係る積層セラミックコンデンサの方向識別方法のある特定の局面では、計測された磁束密度の変化から、磁束密度の最大値を算出し、当該磁束密度の最大値に基づいて積層セラミックコンデンサにおける複数の内部電極の積層方向を識別する。

本発明に係る積層セラミックコンデンサの方向識別方法の別の特定の局面では、積層セラミックコンデンサにおける複数の内部電極の積層方向と磁束の方向とが平行である場合の磁束密度の最大値の範囲である第１の範囲と、積層セラミックコンデンサにおける複数の内部電極の積層方向と磁束の方向とが垂直である場合の磁束密度の最大値の範囲である第２の範囲とを設定し、計測された磁束密度の最大値が第１または第２の範囲に属するか否かによって積層セラミックコンデンサにおける複数の内部電極の積層方向を識別する。

本発明に係る積層セラミックコンデンサの方向識別方法の他の特定の局面では、計測された磁束密度の変化から、積層セラミックコンデンサが磁気発生装置と磁束密度計測器との間を通過する直前または直後の磁束密度を算出し、当該通過直前の磁束密度に基づいて積層セラミックコンデンサにおける複数の内部電極の積層方向及び積層セラミックコンデンサの有無を識別する。

本発明に係る積層セラミックコンデンサの方向識別方法のさらに他の特定の局面では、間隔をおいて配列された複数の積層セラミックコンデンサに対して計測工程を順に行う。計測された磁束密度の変化から、積層セラミックコンデンサが磁気発生装置と磁束密度計測器との間を通過する直前及び直後の磁束密度を算出し、通過直前の磁束密度と通過直後の磁束密度との両方に基づいて積層セラミックコンデンサにおける複数の内部電極の積層方向及び積層セラミックコンデンサの有無を識別する。

本発明に係る積層セラミックコンデンサの方向識別方法のさらに別の特定の局面では、計測された磁束密度の変化から、磁束密度の最大値と、積層セラミックコンデンサが磁気発生装置と磁束密度計測器との間に至る直前の磁束密度との差を算出し、当該磁束密度差に基づいて積層セラミックコンデンサにおける複数の内部電極の積層方向を識別する。

本発明に係る積層セラミックコンデンサの方向識別方法のまた他の特定の局面では、計測された磁束密度の変化から、積層セラミックコンデンサが磁気発生装置と磁束密度計測器との間を通過する間における磁束密度の平均値を算出し、当該磁束密度の平均値に基づいて積層セラミックコンデンサにおける複数の内部電極の積層方向を識別する。

本発明に係る積層セラミックコンデンサの方向識別方法のまた別の特定の局面では、磁束密度の計測結果として、計測された磁束密度の移動平均をとることにより平滑化された磁束密度の変化結果を用いる。

本発明に係る積層セラミックコンデンサの方向識別方法のさらにまた他の特定の局面では、積層セラミックコンデンサを、磁気発生装置と磁束密度計測器との間を通過させる際に、積層セラミックコンデンサを回転させない。

本発明に係る積層セラミックコンデンサの方向識別方法のさらにまた別の特定の局面では、一の方向に沿って間隔をおいて設けられた複数の収容室のそれぞれに積層セラミックコンデンサが収容されたテーピング積層セラミックコンデンサ連を、一の方向に沿って磁気発生装置と磁束密度計測器との間を通過させ、複数の積層セラミックコンデンサに対して計測工程を順に行う。

本発明に係る積層セラミックコンデンサの方向識別方法のまたさらに他の特定の局面では、平面視において、収容室は、積層セラミックコンデンサよりも大きい。

本発明に係る積層セラミックコンデンサの方向識別装置は、一の方向に沿って積層された複数の内部電極を備える積層セラミックコンデンサにおける複数の内部電極の積層方向を識別する装置である。本発明に係る積層セラミックコンデンサの方向識別装置は、磁気発生装置と、磁束密度計測器と、搬送装置と、識別部とを備える。磁束密度計測器は、磁気発生装置から発生した磁束の密度を計測する。搬送装置は、磁気発生装置と磁束密度計測器との間を、積層セラミックコンデンサを通過させる。磁束密度計測器は、少なくとも積層セラミックコンデンサの通過時における磁束密度の変化を計測する。識別部は、磁束密度計測器から出力された磁束密度の計測結果に基づいて積層セラミックコンデンサにおける複数の内部電極の積層方向を識別する。

本発明に係る積層セラミックコンデンサの製造方法では、一の方向に沿って積層された複数の内部電極を備える積層セラミックコンデンサを作製する。積層セラミックコンデンサにおける複数の内部電極の積層方向を、上記本発明に係る方向識別方法により識別する。

本発明によれば、積層セラミックコンデンサの方向を正確に識別できる方法を提供することができる。

本発明の一実施形態における積層セラミックコンデンサの方向識別装置の模式的側面図である。 本発明の一実施形態におけるテーピング積層セラミックコンデンサ連の略図的断面図である。 本発明の一実施形態におけるテーピング積層セラミックコンデンサ連の略図的平面図である。 本発明の一実施形態における積層セラミックコンデンサの略図的斜視図である。 図４の線Ｖ−Ｖにおける略図的断面図である。 磁気発生装置と磁束密度計測器との間に積層セラミックコンデンサがない場合の磁力線の模式図である。 磁気発生装置と磁束密度計測器との間に、内部電極が磁束の方向に対して垂直（コンデンサとしては底面に対して内部電極が水平方向）となるように積層セラミックコンデンサが位置している場合の磁力線の模式図である。 磁気発生装置と磁束密度計測器との間に、内部電極が磁束の方向に対して水平（コンデンサとしては底面に対して内部電極が垂直方向）となるように積層セラミックコンデンサが位置している場合の磁力線の模式図である。 水平品、水平品、水平品の順番で列んでいた場合の磁束密度を表す模式的なグラフである。 垂直品、垂直品、垂直品の順番で列んでいた場合の磁束密度を表す模式的なグラフである。 水平品、垂直品、水平品の順番で列んでいた場合の磁束密度を表す模式的なグラフである。 垂直品、水平品、垂直品の順番で列んでいた場合の磁束密度を表す模式的なグラフである。 第１の積層セラミックコンデンサ方向識別方法を表すフローチャートである。 第２の積層セラミックコンデンサ方向識別方法を表すフローチャートである。 垂直品、水平品、水平品の順番で列んでいた場合の磁束密度を表す模式的なグラフである。 水平品、垂直品、垂直品の順番で列んでいた場合の磁束密度を表す模式的なグラフである。

以下、本発明を実施した好ましい形態の一例について説明する。但し、下記の実施形態は、単なる例示である。本発明は、下記の実施形態に何ら限定されない。

また、実施形態等において参照する各図面において、実質的に同一の機能を有する部材は同一の符号で参照することとする。また、実施形態等において参照する図面は、模式的に記載されたものである。図面に描画された物体の寸法の比率などは、現実の物体の寸法の比率などとは異なる場合がある。図面相互間においても、物体の寸法比率等が異なる場合がある。具体的な物体の寸法比率等は、以下の説明を参酌して判断されるべきである。

本実施形態では、図４及び図５に示す積層セラミックコンデンサ１の方向識別方法について説明する。まずは、識別対象となる積層セラミックコンデンサ１の構成について説明する。

（積層セラミックコンデンサ１の構成）
図４及び図５に示されるように、積層セラミックコンデンサ１は、セラミック素体１０を備えている。セラミック素体１０は、略直方体状である。具体的には、セラミック素体１０は、正四角柱状である。セラミック素体１０は、第１及び第２の主面１０ａ，１０ｂと、第１及び第２の側面１０ｃ，１０ｄと、第１及び第２の端面１０ｅ，１０ｆ（図５を参照）とを有する。第１及び第２の主面１０ａ，１０ｂは、それぞれ、長さ方向Ｌ及び幅方向Ｗに沿って延びている。第１の主面１０ａと第２の主面１０ｂとは、互いに平行である。第１及び第２の側面１０ｃ，１０ｄは、それぞれ、長さ方向Ｌ及び厚み方向Ｔに沿って延びている。第１の側面１０ｃと第２の側面１０ｄとは、互いに平行である。第１及び第２の端面１０ｅ，１０ｆは、それぞれ、幅方向Ｗ及び厚み方向Ｔに沿って延びている。第１の端面１０ｅと第２の端面１０ｆとは互いに平行である。

セラミック素体１０の長さ方向Ｌに沿った寸法は、０．４ｍｍ〜２．０ｍｍであることが好ましく、０．６ｍｍ〜１．０ｍｍであることがより好ましい。セラミック素体１０の幅方向Ｗに沿った寸法は、０．２ｍｍ〜１．２ｍｍであることが好ましく、０．３ｍｍ〜０．５ｍｍであることがより好ましい。セラミック素体１０の厚み方向Ｔに沿った寸法は、０．２ｍｍ〜１．２ｍｍであることが好ましく、０．３ｍｍ〜０．５ｍｍであることがより好ましい。長さ方向Ｌに沿った寸法が１．０ｍｍ以下で、幅方向Ｗおよび厚み方向Ｔに沿った寸法が０．５ｍｍ以下であるいわゆる１００５サイズ以下である方が好ましいのは、１００５サイズ以下の小型品の場合に特に磁束密度の測定位置が積層セラミックコンデンサの中心位置から変化しやすいからである。また、長さ方向Ｌに沿った寸法が０．６ｍｍ以上で、幅方向Ｗおよび厚み方向Ｔに沿った寸法が０．３ｍｍ以上であるいわゆる０６０３サイズ以上である方が好ましいのは、内部電極の密度が高いものの方が磁束密度による方向識別が行いやすいからである。同様の理由で、静電容量が１μＦ以上の積層セラミックコンデンサが本発明に適している。

セラミック素体１０は、例えば、誘電体セラミックを主成分とする材料により構成することができる。誘電体セラミックの具体例としては、例えば、ＢａＴｉＯ_３、ＣａＴｉＯ_３、ＳｒＴｉＯ_３、ＣａＺｒＯ_３などが挙げられる。セラミック素体１０には、例えば、Ｍｎ化合物、Ｍｇ化合物、Ｓｉ化合物、Ｃｏ化合物、Ｎｉ化合物、希土類化合物などの副成分を適宜添加してもよい。

なお、「略直方体」には、角部や稜線部が面取りされた直方体や、角部や稜線部が丸められた直方体が含まれるものとする。

図５に示されるように、セラミック素体１０の内部には、複数の内部電極１１，１２が設けられている。複数の内部電極１１，１２は、厚み方向Ｔに沿って積層されている。各内部電極１１，１２は、長さ方向Ｌ及び幅方向Ｗに平行に設けられている。セラミック素体１０の内部において、内部電極１１と内部電極１２とは、厚み方向Ｔに沿って交互に設けられている。厚み方向Ｔにおいて隣り合う内部電極１１，１２間には、セラミック部１５が配されている。すなわち、厚み方向Ｔにおいて隣り合う内部電極１１，１２は、セラミック部１５を介して対向している。

内部電極１１は、第１の端面１０ｅに引き出されている。第１の端面１０ｅの上には、外部電極１３が設けられている。外部電極１３は、内部電極１１と電気的に接続されている。

内部電極１２は、第２の端面１０ｆに引き出されている。第２の端面１０ｆの上には、外部電極１４が設けられている。外部電極１４は、内部電極１２と電気的に接続されている。

内部電極１１，１２は、Ｎｉなどの磁性材料により構成することができる。

外部電極１３，１４は、例えば、Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ａｕ，Ａｇ−Ｐｄ合金などの適宜の導電材料により構成することができる。

図２及び図３に示されるように、積層セラミックコンデンサ１は、テーピング積層セラミックコンデンサ連２を構成している。テーピング積層セラミックコンデンサ連２は、テーピング２０を有する。テーピング２０は、長手方向に沿って間隔をおいて設けられた直方体状の複数の収容室２１を有する。複数の収容室２１のそれぞれに積層セラミックコンデンサ１が収容されている。平面視において、収容室２１は、積層セラミックコンデンサ１よりも大きい。従って、収容室２１内において、積層セラミックコンデンサ１は、面方向に変位可能である。収容室２１内における積層セラミックコンデンサ１の位置が収容穴２１ごとに変化すれば、磁束密度計測における積層セラミックコンデンサの中心位置からの変化量も収容穴２１ごとに変化することになる。

なお、積層セラミックコンデンサ１は、図４に示すような２端子型の積層セラミックコンデンサの他に、側面電極を備える３端子ないし多端子型の積層セラミックコンデンサであってもよい。

（積層セラミックコンデンサ方向識別装置３の構成）
積層セラミックコンデンサ方向識別装置３（以下、単に「識別装置３」とする。）は、積層セラミックコンデンサ１における複数の内部電極１１，１２の積層方向を識別するための装置である。以下、本明細書において、「積層セラミックコンデンサ１における複数の内部電極１１，１２の積層方向」を、「積層セラミックコンデンサ１の方向」と記載する。

図１に示されるように、識別装置３は、磁気発生装置３１と、磁束密度計測器３２とを備える。磁束密度計測器３２は、磁気発生装置３１において発生した磁束密度を検出可能なように配置されている。磁束密度計測器３２は、磁気発生装置３１から発生した磁束密度を計測する。

識別装置３は、搬送装置３５をさらに備える。搬送装置３５は、磁気発生装置３１と磁束密度計測器３２との間を、積層セラミックコンデンサ１を通過させる。具体的には、搬送装置３５は、第１のロール３３と、第２のロール３４とを有する。第１のロール３３には、テーピング積層セラミックコンデンサ連２が巻き取られており、この第１のロール３３からテーピング積層セラミックコンデンサ連２が送り出される。磁気発生装置３１と、磁束密度計測器３２との間を通過したテーピング積層セラミックコンデンサ連２は、第２のロール３４により巻き取られる。

磁束密度計測器３２は、少なくとも積層セラミックコンデンサ１の通過時における磁束密度の変化を計測する。磁束密度計測器３２は、計測結果を、識別部３６に出力する。識別部３６は、磁束密度計測器３２から出力された磁束密度の計測結果に基づいて積層セラミックコンデンサ１の方向を識別する。識別部３６は、この積層セラミックコンデンサ１の方向識別をテーピング積層セラミックコンデンサ連２中に相互に間隔をおいて配された複数の積層セラミックコンデンサ１に対して順に行っていく。

積層セラミックコンデンサ１の製造に際しては、まず、積層セラミックコンデンサ１を作製する。次に、作製した積層セラミックコンデンサ１をテーピング２０内に収容し、テーピング積層セラミックコンデンサ連２を作製する。次に、テーピング積層セラミックコンデンサ連２に収容された積層セラミックコンデンサ１の方向を識別する。その結果、例えば、積層セラミックコンデンサの整列率を確認したり、積層セラミックコンデンサ１の方向が所望する方向とは異なる積層セラミックコンデンサ１が検出された場合は、その積層セラミックコンデンサ１にマーキングを施したり、除外したりする。

（方向識別方法）
次に、識別部３６が行う積層セラミックコンデンサ１の方向識別方法について説明する。

まず、本実施形態における方向識別方法の原理について、図６〜図８を参照しながら説明する。例えば、図６に示されるように、磁気発生装置３１と磁束密度計測器３２との間に積層セラミックコンデンサ１が位置していない状態のときは、磁束密度計測器３２を通過する磁力線Ｌの間隔が最も広くなり、言い換えると、単位面積あたりの磁力線Ｌの本数が少なくなり、磁束密度としては低い値となる。図７及び図８に示されるように、磁気発生装置３１と磁束密度計測器３２との間に積層セラミックコンデンサ１が位置している場合は、積層セラミックコンデンサ１が位置していない場合よりも磁束密度計測器３２を通過する磁力線Ｌの間隔が狭くなり、言い換えると単位面積あたりの磁力線Ｌの本数が多くなり、磁束密度としては高い値となる。なかでも、図８に示す内部電極１１，１２の積層方向が磁束の方向と平行（コンデンサとしては底面に対して内部電極が垂直方向）であるときのほうが、図７に示す垂直（コンデンサとしては底面に対して内部電極が水平方向）であるときよりも、磁束密度計測器３２を通過する磁力線Ｌの間隔が狭くなり、言い換えると単位面積あたりの磁力線Ｌの本数が多くなり、磁束密度としては高い値となる。従って、磁束密度計測器３２によって計測される磁束密度は、積層セラミックコンデンサ１の有無、積層セラミックコンデンサ１の方向によって変化する。本実施形態の識別方法では、この原理を用いて積層セラミックコンデンサ１の方向を識別する。すなわち、磁気発生装置３１から発生する磁束密度を磁束密度計測器３２により計測しながら、積層セラミックコンデンサ１を、磁気発生装置３１と磁束密度計測器３２との間を通過させ、少なくとも積層セラミックコンデンサ１の通過時における磁束密度の変化を計測する。そして、識別部３６は、その磁束密度の計測結果に基づいて積層セラミックコンデンサ１の方向を識別する。このように、本実施形態では、通過時における磁束密度の変化を計測するため、積層セラミックコンデンサ１を、磁気発生装置３１と磁束密度計測器３２との間を通過させる際に、積層セラミックコンデンサ１を回転させない。積層セラミックコンデンサ１を回転させずに通過させることで、回転に伴う計測位置の変化が生じるのを避けることができる。

次に、図９〜図１２に示す例を用いて、本実施形態の識別方法についてより詳細に説明する。なお、図９〜図１２において、横軸は、テーピング積層セラミックコンデンサ連２の延びる方向における磁束密度の計測位置座標を表している。図９〜図１２において、縦軸は、磁束密度計測器３２によって計測される磁束密度を表している。本実施形態では、識別部３６は、磁束密度計測器３２から出力された生の磁束密度データの移動平均をとることにより平滑化する。図９〜図１２に示されるグラフは、平滑化された後のデータである。本実施形態では、図９〜図１２に示されるような平滑化された後のデータを用いて積層セラミックコンデンサ１の方向の識別が行われる。

図９〜図１２に示す例では、積層セラミックコンデンサ１ａ、積層セラミックコンデンサ１ｂ及び積層セラミックコンデンサ１ｃが第２のロール３４側からこの順番で配列されている。従って、積層セラミックコンデンサ１ａ、積層セラミックコンデンサ１ｂ、積層セラミックコンデンサ１ｃの順番で、磁気発生装置３１と磁束密度計測器３２との間を通過する。ここでは、積層セラミックコンデンサ１ｂの方向を識別例について説明する。

なお、内部電極１１，１２の積層方向が磁束の方向と垂直であるものを「水平品」（積層セラミックコンデンサとしては底面に対して内部電極が水平方向であるため）とし、平行であるものを「垂直品」（積層セラミックコンデンサとしては底面に対して内部電極が垂直方向であるため）とする。

また、計測される磁束密度は、積層セラミックコンデンサ１ｂの方向性によって積層セラミックコンデンサ１ｂが位置している領域における磁束密度が変化するだけでなく、積層セラミックコンデンサ１ａ〜１ｃが位置していない領域においても通過前後の積層セラミックコンデンサ１ａ〜１ｃの方向に影響によって変化する。

図９に示す例では、積層セラミックコンデンサ１ａ〜１ｃは、すべて水平品である。図１０に示す例では、積層セラミックコンデンサ１ａ〜１ｃは、すべて、垂直品である。このため、積層セラミックコンデンサ１ａと積層セラミックコンデンサ１ｂとの中間において計測される磁束密度は、図９に示す積層セラミックコンデンサ１ａ、１ｂが共に水平品である例では、Ｄ０であるのに対して、図１０に示す積層セラミックコンデンサ１ａ、１ｂが共に垂直品である例では、Ｄ０よりも高いＤ２となる。また、積層セラミックコンデンサ１ｂが位置している領域において計測される磁束密度は、図９に示す積層セラミックコンデンサ１ｂが水平品である例では、Ｄ３であるのに対して、図１０に示す積層セラミックコンデンサ１ｂが垂直品である例では、Ｄ３よりも高いＤ４となる。

図１１に示す例では、積層セラミックコンデンサ１ａが水平品であり、積層セラミックコンデンサ１ｂが垂直品である。このため、積層セラミックコンデンサ１ａと積層セラミックコンデンサ１ｂとの中間において計測される磁束密度は、Ｄ０よりも高く、Ｄ２よりも低い、Ｄ１となる。積層セラミックコンデンサ１ｂが位置している領域において計測される磁束密度は、Ｄ４となる。

図１２に示す例では、積層セラミックコンデンサ１ａが垂直品であり、積層セラミックコンデンサ１ｂが水平品である。このため、積層セラミックコンデンサ１ａと積層セラミックコンデンサ１ｂとの中間において計測される磁束密度は、Ｄ０よりも高く、Ｄ２よりも低い、Ｄ１となる。積層セラミックコンデンサ１ｂが位置している領域において計測される磁束密度は、Ｄ３となる。

なお、一般的に、Ｄ２とＤ３の磁束密度の差は、Ｄ３とＤ４の磁束密度の差よりも小さくなる。

また、積層セラミックコンデンサ１ｂの中心位置における磁束密度と、積層セラミックコンデンサ１ｂの端部における磁束密度では大きな差が生じる。例えば、積層セラミックコンデンサ１ｂの端部における磁束密度は、積層セラミックコンデンサ１ｂの中心位置における磁束密度と、積層セラミックコンデンサ１ａと積層セラミックコンデンサ１ｂとの中間において計測される磁束密度との平均程度の磁束密度となる。

（第１の方向識別方法）
図１３は、第１の方向識別方法を示すフローチャートである。図１３に示されるように、第１の方向識別方法では、まず、ステップＳ１において、識別部３６は、磁束密度計測器３２から出力された計測結果から、磁束密度最大値を算出する。そして、ステップＳ２において、識別部３６は、磁束密度最大値に基づいて積層セラミックコンデンサ１ｂの方向を識別する。

前述のように、内部電極１１，１２の積層方向が磁束の方向と平行（垂直品）である場合に計測される磁束密度の最大値Ｄ４は、内部電極１１，１２の積層方向が磁束の方向と垂直（水平品）である場合に計測される磁束密度の最大値Ｄ３よりも大きい。このため、磁束密度最大値を参照することによって積層セラミックコンデンサ１ｂの方向を識別することができる。具体的には、複数の測定結果からＤ３，Ｄ４を設定し、個別の測定結果をＤ３，Ｄ４と比較してもよいし、予め、Ｄ３，Ｄ４を求めて設定しておき、計測された磁束密度最大値と、予め求めたＤ３，Ｄ４とを比較してもよい。その結果、磁束密度最大値がＤ４である場合は、垂直品、Ｄ３である場合は、水平品と判断することができる。

なお、実際上は、内部電極１１，１２の積層方向が磁束の方向と平行である場合に計測される磁束密度の最大値、垂直である場合に計測される最大値等は、すべて一定の値になるわけではなく、範囲を持っている。従って、Ｄ０〜Ｄ４は、それぞれ、すべて範囲を持っている。

(第２の方向識別方法)
図１４は、第２の積層セラミックコンデンサ方向識別方法を表すフローチャートである。図１４に示されるように、第２の方向識別方法では、まず、ステップＳ３において、積層セラミックコンデンサ１ｂが磁気発生装置３１と磁束密度計測器３２との間に至る直前の磁束密度（直前磁束密度）を算出する。次に、ステップＳ４において、識別部３６は、直前磁束密度に基づいて積層セラミックコンデンサ１ｂの方向を識別する。

前述のように、内部電極１１，１２の積層方向が磁束の方向と平行である場合に計測される直前磁束密度と、内部電極１１，１２の積層方向が磁束の方向と垂直である場合に計測される直前磁束密度とは相互に異なる。具体的には、これから通過する積層セラミックコンデンサ１ｂと、先に通過した積層セラミックコンデンサ１ａとの両方が水平品である場合、両方が垂直品である場合、一方が水平品で他方が垂直品である場合とで計測される直前磁束密度が異なる。従って、直前磁束密度を参照することによって積層セラミックコンデンサ１ｂの方向を識別することができる。具体的には、計測された直前磁束密度がＤ０である場合には、積層セラミックコンデンサ１ｂが水平品であると識別することができる。計測された直前磁束密度がＤ２である場合は、積層セラミックコンデンサ１ｂが垂直品であると識別することができる。計測された直前磁束密度がＤ１である場合は、先に通過した積層セラミックコンデンサ１ａと、これから通過する積層セラミックコンデンサ１ｂとのうちの一方が垂直品で他方が水平品であると識別できる。このため、これから通過する積層セラミックコンデンサ１ｂの方向を確実に識別するためには、他の識別方法をさらに行うことが好ましい。

例えば、積層セラミックコンデンサ１ｂが磁気発生装置３１と磁束密度計測器３２との間を通過した直後の磁束密度（直後磁束密度）をさらに算出し、直後磁束密度をさらに参照して積層セラミックコンデンサ１ｂの方向を識別してもよい。具体的には、図１５に示されるように、直前磁束密度がＤ１であり、直後磁束密度がＤ０である場合には、積層セラミックコンデンサ１ｂは水平品であると識別できる。図１６に示されるように、直前磁束密度がＤ１であり、直後磁束密度がＤ２である場合には、積層セラミックコンデンサ１ｂは、垂直品であると識別できる。直前磁束密度がＤ１であり、直後磁束密度がＤ１である場合には、積層セラミックコンデンサ１ｃが磁気発生装置３１と磁束密度計測器３２との間を通過した直後の磁束密度をさらに参照すればよい。このようにして、直後磁束密度がＤ０またはＤ２になるまで計測を行えば、積層セラミックコンデンサ１の方向を確定させることができる。

（第３の方向識別方法）
第３の識別方法では、まず、積層セラミックコンデンサ１ｂが磁気発生装置３１と磁束密度計測器３２との間を通過する際の磁束密度の最大値と、積層セラミックコンデンサ１ｂが磁気発生装置３１と磁束密度計測器３２との間に至る直前（または直後）の磁束密度の値の関係、例えば両者の値の差（磁束密度差）を算出する。そして、識別部３６は、磁束密度差に基づいて積層セラミックコンデンサ１ｂの方向を識別する。第３の方向識別方法は、水平品が位置している領域の磁束密度であるのか、積層セラミックコンデンサが位置していない領域の磁束密度であるのかを識別するために有効である。一般的に、水平品が位置している領域の磁束密度Ｄ３と、これから通過する積層セラミックコンデンサと、先に通過した積層セラミックコンデンサとの両方が垂直品である場合の中間の磁束密度Ｄ２とは、バラツキの範囲で見ると近接する場合があるからである。例えば、積層セラミックコンデンサが収容されていない収容室がある場合、そこに水平品が収容されているのか、何も収容されていないのか、を識別するためには、最大値や通過前後だけでなく、両者の関係（磁束密度が大きくなる方に変化すれば水平品、小さくなる方に変化するか変化しなければ何も収容されていない等）を考慮すれば、積層セラミックコンデンサの有無ないし方向を識別することができる。

（第４の方向識別方法）
第４の方向識別方法では、計測された磁束密度の変化から、積層セラミックコンデンサ１ｂが磁気発生装置３１と磁束密度計測器３２との間を通過する間における磁束密度の平均値を算出し、当該平均値に基づいて積層セラミックコンデンサ１ｂの方向を識別する。例えば、積層セラミックコンデンサ１ａ〜１ｃがすべて垂直品であった場合には、平均値が最も高くなり、すべて水平品であった場合には、平均値が最も低くなる。

勿論、上記第１〜第４の方向識別方向の２つ以上を組み合わせて行ってもよい。そうすることにより、識別精度を向上させることができる。

以上説明したように、本実施形態では、磁気発生装置３１から発生する磁束密度を磁束密度計測器３２により計測しながら、積層セラミックコンデンサ１ｂを磁気発生装置３１と磁束密度計測器３２との間を通過させ、少なくとも積層セラミックコンデンサ１ｂの通過時における磁束密度の変化を測定する。そして、この磁束密度の変化に基づいて積層セラミックコンデンサ１ｂの方向を識別する。このため、上述のように、積層セラミックコンデンサ１ｂにおける内部電極１１，１２の積層方向を高精度に識別することができる。例えば、収容室２１が積層セラミックコンデンサ１よりも大きく、積層セラミックコンデンサ１が変位するような場合であっても、積層セラミックコンデンサ１ｂにおける内部電極１１，１２の積層方向を高精度に識別することができる。

１，１ａ〜１ｃ…積層セラミックコンデンサ
２…テーピング積層セラミックコンデンサ連
３…積層セラミックコンデンサ方向識別装置
１０…セラミック素体
１０ａ…第１の主面
１０ｂ…第２の主面
１０ｃ…第１の側面
１０ｄ…第２の側面
１０ｅ…第１の端面
１０ｆ…第２の端面
１１，１２…内部電極
１３，１４…外部電極
１５…セラミック部
２０…テーピング
２１…収容室
３１…磁気発生装置
３２…磁束密度計測器
３３…第１のロール
３４…第２のロール
３５…搬送装置
３６…識別部

Claims (13)

1. 一の方向に沿って積層された複数の内部電極を備える積層セラミックコンデンサにおける前記複数の内部電極の積層方向を識別する方法であって、
   磁気発生装置から発生する磁束密度を磁束密度計測器により計測しながら、積層セラミックコンデンサを、前記磁気発生装置と前記磁束密度計測器との間を通過させ、少なくとも前記積層セラミックコンデンサの通過時における磁束密度の変化を計測する工程と、
   前記磁束密度の計測結果に基づいて前記積層セラミックコンデンサにおける前記複数の内部電極の積層方向を識別する工程と、
   を備える、積層セラミックコンデンサの方向識別方法。
2. 前記計測された磁束密度の変化から、磁束密度の最大値を算出し、当該磁束密度の最大値に基づいて前記積層セラミックコンデンサにおける前記複数の内部電極の積層方向を識別する、請求項１に記載の積層セラミックコンデンサの方向識別方法。
3. 積層セラミックコンデンサにおける前記複数の内部電極の積層方向と磁束の方向とが平行である場合の磁束密度の最大値の範囲である第１の範囲と、積層セラミックコンデンサにおける前記複数の内部電極の積層方向と磁束の方向とが垂直である場合の磁束密度の最大値の範囲である第２の範囲とを設定し、前記計測された磁束密度の最大値が前記第１または第２の範囲に属するか否かによって前記積層セラミックコンデンサにおける前記複数の内部電極の積層方向を識別する、請求項２に記載の積層セラミックコンデンサの方向識別方法。
4. 前記計測された磁束密度の変化から、前記積層セラミックコンデンサが前記磁気発生装置と前記磁束密度計測器との間を通過する直前または直後の磁束密度を算出し、当該通過直前の磁束密度に基づいて前記積層セラミックコンデンサにおける前記複数の内部電極の積層方向及び積層セラミックコンデンサの有無を識別する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の積層セラミックコンデンサの方向識別方法。
5. 間隔をおいて配列された複数の積層セラミックコンデンサに対して前記計測工程を順に行い、
   前記計測された磁束密度の変化から、前記積層セラミックコンデンサが前記磁気発生装置と前記磁束密度計測器との間を通過する直前及び直後の磁束密度を算出し、前記通過直前の磁束密度と前記通過直後の磁束密度との両方に基づいて前記積層セラミックコンデンサにおける前記複数の内部電極の積層方向及び積層セラミックコンデンサの有無を識別する、請求項４に記載の積層セラミックコンデンサの方向識別方法。
6. 前記計測された磁束密度の変化から、磁束密度の最大値と、前記積層セラミックコンデンサが前記磁気発生装置と前記磁束密度計測器との間に至る直前の磁束密度との差を算出し、当該磁束密度差に基づいて前記積層セラミックコンデンサにおける前記複数の内部電極の積層方向を識別する、請求項１〜５のいずれか一項に記載の積層セラミックコンデンサの方向識別方法。
7. 前記計測された磁束密度の変化から、前記積層セラミックコンデンサが前記磁気発生装置と前記磁束密度計測器との間を通過する間における磁束密度の平均値を算出し、当該磁束密度の平均値に基づいて前記積層セラミックコンデンサにおける前記複数の内部電極の積層方向を識別する、請求項１〜６のいずれか一項に記載の積層セラミックコンデンサの方向識別方法。
8. 前記磁束密度の計測結果として、前記計測された磁束密度の移動平均をとることにより平滑化された磁束密度の変化結果を用いる、請求項１〜７のいずれか一項に記載の積層セラミックコンデンサの方向識別方法。
9. 前記積層セラミックコンデンサを、前記磁気発生装置と前記磁束密度計測器との間を通過させる際に、前記積層セラミックコンデンサを回転させない、請求項１〜８のいずれか一項に記載の積層セラミックコンデンサの方向識別方法。
10. 一の方向に沿って間隔をおいて設けられた複数の収容室のそれぞれに積層セラミックコンデンサが収容されたテーピング積層セラミックコンデンサ連を、前記一の方向に沿って前記磁気発生装置と前記磁束密度計測器との間を通過させ、前記複数の積層セラミックコンデンサに対して前記計測工程を順に行う、請求項１〜９のいずれか一項に記載の積層セラミックコンデンサの方向識別方法。
11. 平面視において、前記収容室は、前記積層セラミックコンデンサよりも大きい、請求項１０に記載の積層セラミックコンデンサの方向識別方法。
12. 一の方向に沿って積層された複数の内部電極を備える積層セラミックコンデンサにおける前記複数の内部電極の積層方向を識別する装置であって、
    磁気発生装置と、
    前記磁気発生装置から発生した磁束の密度を計測する磁束密度計測器と、
    前記磁気発生装置と前記磁束密度計測器との間を、積層セラミックコンデンサを通過させる搬送装置と、
    識別部と、
    を備え、
    前記磁束密度計測器は、少なくとも前記積層セラミックコンデンサの通過時における磁束密度の変化を計測し、
    前記識別部は、前記磁束密度計測器から出力された前記磁束密度の計測結果に基づいて前記積層セラミックコンデンサにおける前記複数の内部電極の積層方向を識別する、積層セラミックコンデンサの方向識別装置。
13. 一の方向に沿って積層された複数の内部電極を備える積層セラミックコンデンサを作製する工程と、
    前記積層セラミックコンデンサにおける前記複数の内部電極の積層方向を、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の方法により識別する工程と、
    を備える、積層セラミックコンデンサの製造方法。

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