JP2016197748A - 発光素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】陽極202と陰極204の間に発光層213とキャリアの移動を制御する層214とを有し、キャリアの移動を制御する層214は第1の有機化合物と第2の有機化合物とを有して発光層213と陰極204の間に設けられており、第1の有機化合物は電子輸送性の有機化合物であり、第2の有機化合物は電子トラップ性の有機化合物であり、キャリアの移動を制御する層において第2の有機化合物よりも第1の有機化合物が多く含まれている発光素子。
【選択図】図1
Description
子機器に関する。
より詳しくは、寿命の長い電流励起型の発光素子に関する。またそれを用いた発光装置
、電子機器に関する。
開発が盛んに行われている。これら発光素子の基本的な構成は、一対の電極間に発光性の
物質を含む層を挟んだものである。この素子に電圧を印加することにより、発光性の物質
からの発光を得ることができる。
く、バックライトが不要である等の利点があり、フラットパネルディスプレイ素子として
好適であると考えられている。また、このような発光素子は、薄型軽量に作製できること
も大きな利点である。さらに非常に応答速度が速いことも特徴の一つである。
成することにより、面状の発光を容易に得ることができる。このことは、白熱電球やLE
Dに代表される点光源、あるいは蛍光灯に代表される線光源では得難い特色であるため、
照明等に応用できる面光源としての利用価値も高い。
るか、無機化合物であるかによって大別できるが、本発明は、発光性の物質に有機化合物
を用いるものである。
その場合、発光素子に電圧を印加することにより、一対の電極から電子および正孔がそ
れぞれ発光性の有機化合物を含む層に注入され、電流が流れる。そして、それらキャリア
(電子および正孔)が再結合することにより、発光性の有機化合物が励起状態を形成し、
その励起状態が基底状態に戻る際に発光する。
なお、有機化合物が形成する励起状態の種類としては、一重項励起状態と三重項励起状態
が可能であり、一重項励起状態からの発光が蛍光、三重項励起状態からの発光が燐光と呼
ばれている。
が多く、これらを克服するために素子構造の改良や材料開発等が行われている。
例えば、非特許文献1では、正孔ブロック層を設けることにより、燐光材料を用いた発
光素子を効率良く発光させている。
発光素子の寿命は短く、そのため発光素子のさらなる長寿命化が望まれている。
以上のようなことから、本発明は寿命の長い発光素子を提供することを課題とする。
また、寿命の長い発光装置および電子機器を提供することを課題とする。
を制御する層を設けることにより、キャリアバランスの経時変化を抑制できることを見出
した。またそれにより、寿命の長い発光素子が得られることを見出した。
アの移動を制御する層とを有し、前記キャリアの移動を制御する層は、第1の有機化合物
と、第2の有機化合物とを有し、前記キャリアの移動を制御する層は、前記発光層と前記
第2の電極の間に設けられており、前記第1の有機化合物は、電子輸送性の有機化合物で
あり、前記第2の有機化合物は、電子トラップ性の有機化合物であり、前記キャリアの移
動を制御する層において、前記第2の有機化合物よりも第1の有機化合物が多く含まれて
おり、前記第1の電極の電位が前記第2の電極の電位よりも高くなるように電圧を印加す
ることにより、前記発光層からの発光が得られることを特徴とする発光素子である。
0.3eV以上低い最低空軌道準位を有することが好ましい。さらに、発光層は、電子輸
送性であることが好ましい。例えば、発光層は、第3の有機化合物と第4の有機化合物と
を有し、第3の有機化合物は、第4の有機化合物よりも多く含まれており、第3の有機化
合物は電子輸送性であることが好ましい。また、第1の有機化合物と第3の有機化合物と
は異なる有機化合物であることが好ましい。
、第2の有機化合物は、0.1重量%〜5重量%、または0.1mol%〜5mol%の
濃度で前記キャリアの移動を制御する層に含まれていることが好ましい。これによって、
キャリアがトラップされる量を適切に制御することができる。
さらに、上記構成において、第2の有機化合物は、クマリン誘導体であることが好まし
い。
制御する層とを有し、前記キャリアの移動を制御する層は、第1の有機化合物と、第2の
有機化合物とを有し、前記キャリアの移動を制御する層は、前記発光層と第1の電極との
間に設けられており、前記第1の有機化合物は、正孔輸送性の有機化合物であり、
前記第2の有機化合物は、正孔トラップ性の有機化合物であり、前記キャリアの移動を
制御する層において、前記第2の有機化合物よりも第1の有機化合物が多く含まれており
、
前記第1の電極の電位が前記第2の電極の電位よりも高くなるように電圧を印加すること
により、前記発光層からの発光が得られることを特徴とする発光素子である。
より0.3eV以上高い最高被占有軌道準位を有することが好ましい。さらに、発光層は
、正孔輸送性であることが好ましい。例えば、発光層は、第3の有機化合物と第4の有機
化合物とを有し、第3の有機化合物は、第4の有機化合物よりも多く含まれており、第3
の有機化合物は正孔輸送性であることが好ましい。また、第1の有機化合物と第3の有機
化合物とは異なる有機化合物であることが好ましい。
l%の濃度で前記キャリアの移動を制御する層に含まれていることが好ましい。これによ
って、キャリアがトラップされる量を適切に制御することができる。
さらに、上記構成において、第1の有機化合物は、芳香族アミン化合物であることが好
ましい。
m以下であることが好ましい。すなわち、キャリア輸送性である第1の有機化合物が電子
輸送性あるいは正孔輸送性のいずれの場合においても、またキャリアトラップ性の化合物
が電子トラップ性あるいは正孔トッラプ性のいずれの場合においても、キャリアの移動を
制御する層の膜厚は、5nm以上20nm以下であることが好ましい。
さらに、それらのいずれの場合においても、キャリアの移動を制御する層と発光層とは
接するように設けられていることが好ましい。
細書中における発光装置とは、画像表示デバイス、発光デバイス、もしくは光源(照明装
置を含む)を含む。また、発光素子が形成されたパネルにコネクター、例えばFPC(Fl
exible printed circuit)もしくはTAB(Tape Automated Bonding)テープもしくはT
CP(Tape Carrier Package)が取り付けられたモジュール、TABテープやTCPの先
にプリント配線板が設けられたモジュール、または発光素子が形成された基板にCOG(
Chip On Glass)方式によりIC(集積回路)が直接実装されたモジュールも全て発光装
置に含むものとする。
る。したがって、本発明の電子機器は、表示部を有し、表示部は、上述した発光素子と発
光素子の発光を制御する制御手段とを備えたことを特徴とする。
は正孔輸送性)である第1の有機化合物と、キャリアトラップ性(すなわち電子トラップ
性又は正孔トッラプ性)ある第2の有機化合物とを、キャリアの移動を制御する層におい
て組み合わせて用いることを特徴とするものである。
その際におけるキャリアトラップ性とは、絶対的なものではなく、キャリア輸送性との
対比における相対的なものである。
すなわち、キャリアトラップ性とは、キャリアの移動を制御する層において使用されて
いる第1の有機化合物のキャリア輸送性を所定範囲で低減できるものである。
被占有軌道準位を目安とすることができ、それらを用いるのがよい。
例えば、第1の有機化合物が電子輸送性である場合には、電子トラップ性の第2の有機
化合物は、前記第1の有機化合物の最低空軌道準位より0.3eV以上低い最低空軌道準
位を有することが好ましい。
また、第1の有機化合物が正孔輸送性である場合には、正孔トラップ性の第2の有機化
合物は、前記第1の有機化合物の最高被占有軌道準位より0.3eV以上高い最高被占有
軌道準位を有することが好ましい。
経時変化を抑制することができる。よって、長寿命の発光素子を得ることができる。
さらに、本発明の発光素子を、発光装置および電子機器に適用することにより、発光効
率が高く、消費電力が低減された発光装置および電子機器を得ることができる。また、寿
命の長い発光装置および電子機器を得ることができる。
関し図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣
旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者
であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定し
て解釈されるものではない。
よって駆動されることが多いが、その場合、輝度劣化とは電流効率の低下である。そして
電流効率は、流れている電流に対する光の出力であるため、流れているキャリアのうちど
のくらいが発光層内において再結合に寄与しているか(キャリアバランス)、あるいは発
光層内で再結合したキャリアのうち(つまり励起子のうち)どのくらいが発光に寄与して
いるか(量子収率)に大きく左右される。
収率の経時劣化が大きなウェイトを占めていると考えられる。そのようなことから、本発
明では、キャリアバランスの経時的な変化に着目し、そのキャリアバランスの経時的な変
化を抑制することができる発光素子の開発に成功した。
本発明の発光素子の一態様について図1(A)を用いて以下に説明する。本実施の形態
では、キャリアの移動を制御する層として、電子の移動を制御する層を設けた発光素子に
ついて説明する。
すなわち、本発明では、キャリアの移動を制御する層を用いて、キャリアバランスの経
時変化を抑制し、発光素子を長寿命化するために、電極から離れた部位でキャリアの再結
合が行われるようにしたものである。
れたところに発光領域が形成されるように、つまり電極から離れた部位でキャリアの再結
合が行われるように、キャリア注入性の高い物質やキャリア輸送性の高い物質からなる層
を組み合わせて積層されたものである。
の電極202と第2の電極204との間に設けられたEL層203とから構成されている
。なお、本形態では第1の電極202は陽極として機能し、第2の電極204は陰極とし
て機能するものとして、以下説明をする。つまり、第1の電極202の方が第2の電極2
04よりも電位が高くなるように、第1の電極202と第2の電極204に電圧を印加し
たときに、発光が得られるものとして、以下説明をする。
、またはプラスチックなどを用いることができる。
なお、本発明の発光素子においては、基板201は、該発光素子を利用する製品である
発光装置あるいは電気機器中に残存するようにしてよいが、発光素子の作製工程において
支持体として機能するものであってもよく、その場合には最終製品中に残存しないことに
なる。
金、導電性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。具体的には、例
えば、酸化インジウム−酸化スズ(ITO:Indium Tin Oxide)、珪素若しくは酸化珪素
を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸化亜鉛(IZO:Indium Zin
c Oxide)、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム(IWZO)等が
挙げられる。
を応用して、インクジェット法、スピンコート法などにより作製しても構わない。例えば
、酸化インジウム−酸化亜鉛(IZO)は、酸化インジウムに対し1〜20wt%の酸化
亜鉛を加えたターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。また、
酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム(IWZO)は、酸化インジウ
ムに対し酸化タングステンを0.5〜5wt%、酸化亜鉛を0.1〜1wt%含有したタ
ーゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。この他、金(Au)、
白金(Pt)、ニッケル(Ni)、タングステン(W)、クロム(Cr)、モリブデン(
Mo)、鉄(Fe)、コバルト(Co)、銅(Cu)、パラジウム(Pd)、チタン(T
i)、または金属材料の窒化物(例えば、窒化チタン)等が挙げられる。
1の電極として、仕事関数の大小に関わらず、様々な金属、合金、電気伝導性化合物、お
よびこれらの混合物などを用いることができる。例えば、アルミニウム(Al)、銀(A
g)、アルミニウムを含む合金(AlSi)等を用いることができる。
なお、本明細書中において、複合とは、単に2つの材料を混合させるだけでなく、複数
の材料を混合することによって材料間での電荷の授受が行われ得る状態になることを言う
。
すなわちリチウム(Li)やセシウム(Cs)等のアルカリ金属、およびマグネシウム(
Mg)、カルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)等のアルカリ土類金属、およびこ
れらを含む合金(MgAg、AlLi)、ユーロピウム(Eu)、イッテルビウム(Yb
)等の希土類金属およびこれらを含む合金等を用いることもできる。アルカリ金属、アル
カリ土類金属、これらを含む合金の膜は、真空蒸着法を用いて形成することができる。ま
た、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を含む合金の膜はスパッタリング法により形成
することも可能である。また、銀ペーストなどをインクジェット法などにより成膜するこ
とも可能である。
、第5の層215、第6の層216を有しており、このEL層203において、第3の層
213は発光層、第4の層214はキャリアの移動を制御する層である。なお、本発明に
おいては、EL層203は、本実施の形態で示すキャリアの移動を制御する層と、発光層
とを有していればよく、その他の層積層構造については特に限定されない。例えば、正孔
注入層、正孔輸送層、発光層、キャリアの移動を制御する層、電子輸送層、電子注入層等
を適宜組み合わせて構成することができる。
ては、モリブデン酸化物やバナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、
マンガン酸化物等を用いることができる。
この他、低分子の有機化合物としては、フタロシアニン(略称:H2Pc)、銅(II)
フタロシアニン(略称:CuPc)、バナジルフタロシアニン(略称:VOPc)等のフ
タロシアニン系の化合物が挙げられる。
ルアミノ)トリフェニルアミン(略称:TDATA)、4,4’,4’’−トリス[N−
(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ]トリフェニルアミン(略称:MTDAT
A)、4,4’−ビス[N−(4−ジフェニルアミノフェニル)−N−フェニルアミノ]
ビフェニル(略称:DPAB)、4,4’−ビス(N−{4−[N’−(3−メチルフェ
ニル)−N’−フェニルアミノ]フェニル}−N−フェニルアミノ)ビフェニル(略称:
DNTPD)、1,3,5−トリス[N−(4−ジフェニルアミノフェニル)−N−フェ
ニルアミノ]ベンゼン(略称:DPA3B)、3−[N−(9−フェニルカルバゾール−
3−イル)−N−フェニルアミノ]−9−フェニルカルバゾール(略称:PCzPCA1
)、3,6−ビス[N−(9−フェニルカルバゾール−3−イル)−N−フェニルアミノ
]−9−フェニルカルバゾール(略称:PCzPCA2)、3−[N−(1−ナフチル)
−N−(9−フェニルカルバゾール−3−イル)アミノ]−9−フェニルカルバゾール(
略称:PCzPCN1)等の芳香族アミン化合物等が挙げられる。
た複合材料を用いることができる。なお、正孔輸送性の高い物質にアクセプター性物質を
含有させたものを用いることにより、電極の仕事関数に依らず電極を形成する材料を選ぶ
ことができる。つまり、第1の電極202として仕事関数の大きい材料だけでなく、仕事
関数の小さい材料を用いることができる。これらの複合材料は、正孔輸送性の高い物質と
アクセプター物質とを共蒸着することにより形成することができる。
香族炭化水素、高分子化合物(オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等)など、種々の化
合物を用いることができる。なお、複合材料に用いる有機化合物としては、正孔輸送性の
高い有機化合物であることが好ましい。具体的には、10-6cm2/Vs以上の正孔移動
度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれ
ば、これら以外のものを用いてもよい。以下では、複合材料に用いることのできる有機化
合物を具体的に列挙する。
A、DPAB、DNTPD、DPA3B、PCzPCA1、PCzPCA2、PCzPC
N1、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(略称
:NPBまたはα−NPD)、N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−N,N’−ジフ
ェニル−[1,1’−ビフェニル]−4,4’−ジアミン(略称:TPD)等の芳香族ア
ミン化合物や、4,4’−ジ(N−カルバゾリル)ビフェニル(略称:CBP)、1,3
,5−トリス[4−(N−カルバゾリル)フェニル]ベンゼン(略称:TCPB)、9−
[4−(10−フェニル−9−アントリル)フェニル]−9H−カルバゾール(略称:C
zPA)、1,4−ビス[4−(N−カルバゾリル)フェニル]−2,3,5,6−テト
ラフェニルベンゼン等のカルバゾール誘導体を挙げることができる。
−BuDNA)、2−tert−ブチル−9,10−ジ(1−ナフチル)アントラセン、
9,10−ビス(3,5−ジフェニルフェニル)アントラセン(略称:DPPA)、2−
tert−ブチル−9,10−ビス(4−フェニルフェニル)アントラセン(略称:t−
BuDBA)、9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン(略称:DNA)、9,10
−ジフェニルアントラセン(略称:DPAnth)、2−tert−ブチルアントラセン
(略称:t−BuAnth)、9,10−ビス(4−メチル−1−ナフチル)アントラセ
ン(略称:DMNA)、9,10−ビス[2−(1−ナフチル)フェニル]−2−ter
t−ブチル−アントラセン、9,10−ビス[2−(1−ナフチル)フェニル]アントラ
セン、2,3,6,7−テトラメチル−9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン等の
芳香族炭化水素化合物を挙げることができる。
、2,3,6,7−テトラメチル−9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン、9,9
’−ビアントリル、10,10’−ジフェニル−9,9’−ビアントリル、10,10’
−ビス(2−フェニルフェニル)−9,9’−ビアントリル、10,10’−ビス[(2
,3,4,5,6−ペンタフェニル)フェニル]−9,9’−ビアントリル、アントラセ
ン、テトラセン、ルブレン、ペリレン、2,5,8,11−テトラ(tert−ブチル)
ペリレン、ペンタセン、コロネン、4,4’−ビス(2,2−ジフェニルビニル)ビフェ
ニル(略称:DPVBi)、9,10−ビス[4−(2,2−ジフェニルビニル)フェニ
ル]アントラセン(略称:DPVPA)等の芳香族炭化水素化合物を挙げることができる
。
−テトラフルオロキノジメタン(略称:F4−TCNQ)、クロラニル等の有機化合物や
、遷移金属酸化物を挙げることができる。また、元素周期表における第4族乃至第8族に
属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、
酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レ
ニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定
であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。
等)を用いることができる。例えば、ポリ(N−ビニルカルバゾール)(略称:PVK)
、ポリ(4−ビニルトリフェニルアミン)(略称:PVTPA)、ポリ[N−(4−{N
’−[4−(4−ジフェニルアミノ)フェニル]フェニル−N’−フェニルアミノ}フェ
ニル)メタクリルアミド](略称:PTPDMA)、ポリ[N,N’−ビス(4−ブチル
フェニル)−N,N’−ビス(フェニル)ベンジジン](略称:Poly−TPD)など
の高分子化合物が挙げられる。また、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)/ポ
リ(スチレンスルホン酸)(PEDOT/PSS)、ポリアニリン/ポリ(スチレンスル
ホン酸)(PAni/PSS)等の酸を添加した高分子化合物を用いることができる。
なお、上述したPVK、PVTPA、PTPDMA、Poly−TPD等の高分子化合
物と、上述したアクセプター性物質を用いて複合材料を形成し、第1の層211として用
いてもよい。
ては、低分子の有機化合物としては、NPB(またはα−NPD)、TPD、4,4’−
ビス[N−(9,9−ジメチルフルオレン−2−イル)−N−フェニルアミノ]ビフェニ
ル(略称:DFLDPBi)、4,4’−ビス[N−(スピロ−9,9’−ビフルオレン
−2−イル)−N―フェニルアミノ]ビフェニル(略称:BSPB)などの芳香族アミン
化合物を用いることができる。ここに述べた物質は、主に10-6cm2/Vs以上の正孔
移動度を有する物質である。
以外のものを用いてもよい。なお、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層のものだけで
なく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。
また、第2の層212として、PVK、PVTPA、PTPDMA、Poly−TPD
などの高分子化合物を用いることもできる。
の材料を用いることができる。低分子の有機化合物としては、具体的には、青色系の発光
材料として、N,N’−ビス[4−(9H−カルバゾール−9−イル)フェニル]−N,
N’−ジフェニルスチルベン−4,4’−ジアミン(略称:YGA2S)、4−(9H−
カルバゾール−9−イル)−4’−(10−フェニル−9−アントリル)トリフェニルア
ミン(略称:YGAPA)などが挙げられる。
,9−ジフェニル−9H−カルバゾール−3−アミン(略称:2PCAPA)、N−[9
,10−ビス(1,1’−ビフェニル−2−イル)−2−アントリル]−N,9−ジフェ
ニル−9H−カルバゾール−3−アミン(略称:2PCABPhA)、N−(9,10−
ジフェニル−2−アントリル)−N,N’,N’−トリフェニル−1,4−フェニレンジ
アミン(略称:2DPAPA)、N−[9,10−ビス(1,1’−ビフェニル−2−イ
ル)−2−アントリル]−N,N’,N’−トリフェニル−1,4−フェニレンジアミン
(略称:2DPABPhA)、N−[9,10−ビス(1,1’−ビフェニル−2−イル
)]−N−[4−(9H−カルバゾール−9−イル)フェニル]−N−フェニルアントラ
セン−2−アミン(略称:2YGABPhA)、N,N,9−トリフェニルアントラセン
−9−アミン(略称:DPhAPhA)などが挙げられる。
4−イル)−6,11−ジフェニルテトラセン(略称:BPT)などが挙げられる。さら
に、赤色系の発光材料として、N,N,N’,N’−テトラキス(4−メチルフェニル)
テトラセン−5,11−ジアミン(略称:p−mPhTD)、7,13−ジフェニル−N
,N,N’,N’−テトラキス(4−メチルフェニル)アセナフト[1,2−a]フルオ
ランテン−3,10−ジアミン(略称:p−mPhAFD)などが挙げられる。また、ビ
ス[2−(2’−ベンゾ[4,5−α]チエニル)ピリジナトーN,C3']イリジウム(
III)アセチルアセトナート(略称:Ir(btp)2(acac))のような燐光材料を
用いることもできる。
する第2の電極との間に設けており、そのため、発光層は、電子輸送性であることが好ま
しい。発光層が電子輸送性の場合、従来では発光層内からの電子の突き抜けを防ぐため、
電子ブロック層を発光層の陽極側に設けていた。しかしながら、その電子ブロック機能が
経時的に劣化すると、再結合領域が電子ブロック層内(あるいは正孔輸送層内)にまで及
んでしまい、電流効率の低下(すなわち輝度劣化)が顕著となる。
他方本発明の場合は、逆に、発光層の手前(陰極側)において電子の移動を制御してい
るため、多少電子のバランス(正孔に対する移動度や電荷量等)が崩れたとしても、発光
層内における再結合の割合は変化しにくく、輝度が低下しにくいというメリットがある。
もよい。発光性の物質を分散させるための材料としては、各種のものを用いることができ
、発光性の物質よりも最低空軌道準位(LUMO準位)が高く、最高被占有軌道準位(H
OMO準位)が低い物質を用いることが好ましい。
する第2の電極との間に設けるため、発光層は、電子輸送性であることが好ましい。つま
り、正孔輸送性よりも電子輸送性の方が高いことが好ましい。よって、上述した発光性の
高い物質を分散させるための材料としては、電子輸送性の有機化合物であることが好まし
い。
リス(4−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III)(略称:Almq3)、ビス
(10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリナト)ベリリウム(II)(略称:BeBq2)、
ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(4−フェニルフェノラト)アルミニウム(III
)(略称:BAlq)、ビス(8−キノリノラト)亜鉛(II)(略称:Znq)、ビス[
2−(2−ベンゾオキサゾリル)フェノラト]亜鉛(II)(略称:ZnPBO)、ビス[
2−(2−ベンゾチアゾリル)フェノラト]亜鉛(II)(略称:ZnBTZ)などの金属
錯体を用いることができる。
,4−オキサジアゾール(略称:PBD)、1,3−ビス[5−(p−tert−ブチル
フェニル)−1,3,4−オキサジアゾール−2−イル]ベンゼン(略称:OXD−7)
、3−(4−ビフェニリル)−4−フェニル−5−(4−tert−ブチルフェニル)−
1,2,4−トリアゾール(略称:TAZ)、2,2’,2’’−(1,3,5−ベンゼ
ントリイル)トリス(1−フェニル−1H−ベンゾイミダゾール)(略称:TPBI)、
バソフェナントロリン(略称:BPhen)、バソキュプロイン(略称:BCP)などの
複素環化合物も用いることができる。
ル(略称:CzPA)、3,6−ジフェニル−9−[4−(10−フェニル−9−アント
リル)フェニル]−9H−カルバゾール(略称:DPCzPA)、9,10−ビス(3,
5−ジフェニルフェニル)アントラセン(略称:DPPA)、9,10−ジ(2−ナフチ
ル)アントラセン(略称:DNA)、2−tert−ブチル−9,10−ジ(2−ナフチ
ル)アントラセン(略称:t−BuDNA)、9,9’−ビアントリル(略称:BANT
)、9,9’−(スチルベン−3,3’−ジイル)ジフェナントレン(略称:DPNS)
、9,9’−(スチルベン−4,4’−ジイル)ジフェナントレン(略称:DPNS2)
、3,3’,3’’−(ベンゼン−1,3,5−トリイル)トリピレン(略称:TPB3
)などの縮合芳香族化合物を用いることができる。
晶化を抑制するためにルブレン等の結晶化を抑制する物質をさらに添加してもよい。さら
に、発光性の物質へのエネルギー移動をより効率良く行うためにNPB、あるいはAlq
等を添加してもよい。
また、発光性の高い物質を他の物質に分散させた構成とすることにより、第3の層21
3の結晶化を抑制することができる。さらに、発光性の高い物質の濃度が高いことによる
濃度消光を抑制することができる。
には、青色系の発光材料として、ポリ(9,9−ジオクチルフルオレン−2,7−ジイル
)(略称:POF)、ポリ[(9,9−ジオクチルフルオレン−2,7−ジイル)−co
−(2,5−ジメトキシベンゼン−1,4−ジイル)](略称:PF−DMOP)、ポリ
{(9,9−ジオクチルフルオレン−2,7−ジイル)−co−[N,N’−ジ−(p−
ブチルフェニル)−1,4−ジアミノベンゼン]}(略称:TAB−PFH)などが挙げ
られる。
、ポリ[(9,9−ジヘキシルフルオレン−2,7−ジイル)−alt−co−(ベンゾ
[2,1,3]チアジアゾール−4,7−ジイル)](略称:PFBT)、ポリ[(9,
9−ジオクチル−2,7−ジビニレンフルオレニレン)−alt−co−(2−メトキシ
−5−(2−エチルヘキシルオキシ)−1,4−フェニレン)]などが挙げられる。
ソキシ)−1,4−フェニレンビニレン](略称:MEH−PPV)、ポリ(3−ブチル
チオフェン−2,5−ジイル)、ポリ{[9,9−ジヘキシル−2,7−ビス(1−シア
ノビニレン)フルオレニレン]−alt−co−[2,5−ビス(N,N’−ジフェニル
アミノ)−1,4−フェニレン]}、ポリ{[2−メトキシ−5−(2−エチルヘキシロ
キシ)−1,4−ビス(1−シアノビニレンフェニレン)]−alt−co−[2,5−
ビス(N,N’−ジフェニルアミノ)−1,4−フェニレン]}(略称:CN−PPV−
DPD)などが挙げられる。
本発明の発光素子においては、このキャリアの移動を制御する層を有することが最大の
特徴であり、その制御する層は、キャリア輸送性の有機化合物である第1の有機化合物と
キャリアトラップ性の有機化合物である第1の有機化合物を含むものである。
そのキャリア輸送性の有機化合物には、電子輸送性の化合物と正孔輸送性の化合物があ
り、またキャリアトラップ性の有機化合物には電子トラップ性の化合物と正孔トラップ性
の化合物とがある。
りも多く含まれている。本実施の形態では、キャリアの移動を制御する層を、発光機能を
担う層、すなわち発光層よりも陰極として機能する第2の電極側に設ける場合について説
明する。つまり、発光機能を担う第3の層213と第2の電極204との間に設ける場合
について説明する。
発光機能を担う層よりも陰極として機能する第2の電極側に設ける場合、第1の有機化
合物は、電子輸送性を有する有機化合物であることが好ましい。つまり、第1の有機化合
物は、正孔輸送性よりも電子輸送性の方が高い物質であることが好ましい。
ることが好ましい。つまり、第2の有機化合物は、第1の有機化合物の最低空軌道準位(
LUMO準位)より0.3eV以上低い最低空軌道準位(LUMO準位)を有する有機化
合物であることが好ましい。
第2の有機化合物が含まれることにより、層全体としては、第1の有機化合物のみから
なる層よりも電子輸送速度が小さくなる。つまり、第2の有機化合物を添加することによ
り、キャリアの移動を制御することが可能となる。また、第2の有機化合物の濃度を制御
することにより、キャリアの移動速度を制御することが可能となる。
具体的には、第2の有機化合物の濃度は、0.1重量%〜5重量%、または、0.1m
ol%〜5mol%であることが好ましい。
ため、発光機能を担う層の発光色と第2の有機化合物の発光色とが同系色の発光色である
ことが好ましい。例えば、発光機能を担う層に含まれる有機化合物がYGA2SやYGA
PAのような青色系の発光を示す有機化合物である場合、第2の有機化合物はアクリドン
、クマリン102、クマリン6H、クマリン480D、クマリン30などの青色〜青緑色
の発光を示す物質であることが好ましい。これによって、第2の有機化合物が意に反して
発光した場合にも発光素子の色純度を保つことができる。
DPAPA、2DPABPhA、2YGABPhA、DPhAPhAのような緑色系の発
光色を示す有機化合物である場合、第2の有機化合物はN,N’−ジメチルキナクリドン
(略称:DMQd)、N,N’−ジフェニルキナクリドン(略称:DPQd)、9,18
−ジヒドロベンゾ[h]ベンゾ[7,8]キノ[2,3−b]アクリジン−7,16−ジ
オン(略称:DMNQd−1)、9,18−ジヒドロ−9,18−ジメチルベンゾ[h]
ベンゾ[7,8]キノ[2,3−b]アクリジン−7,16−ジオン(略称:DMNQd
−2)、クマリン30、クマリン6、クマリン545T、クマリン153などの青緑色〜
黄緑色の発光を示す物質であることが好ましい。
光を示す有機化合物である場合、第2の有機化合物はDMQd、(2−{2−[4−(9
H−カルバゾール−9−イル)フェニル]エテニル}−6−メチル−4H−ピラン−4−
イリデン)プロパンジニトリル(略称:DCMCz)などの黄緑色〜黄橙色の発光を示す
物質であることが好ましい。
ような赤色系の発光を示す有機化合物である場合、第2の有機化合物は(2−{2−[4
−(ジメチルアミノ)フェニル]エテニル}−6−メチル−4H−ピラン−4−イリデン
)プロパンジニトリル(略称:DCM1)、{2−メチル−6−[2−(2,3,6,7
−テトラヒドロ−1H,5H−ベンゾ[ij]キノリジン−9−イル)エテニル]−4H
−ピラン−4−イリデン}プロパンジニトリル(略称:DCM2)、{2−(1,1−ジ
メチルエチル)−6−[2−(2,3,6,7−テトラヒドロ−1,1,7,7−テトラ
メチル−1H,5H−ベンゾ[ij]キノリジン−9−イル)エテニル]−4H−ピラン
−4−イリデン}プロパンジニトリル(略称:DCJTB)、ナイルレッドなどの橙色〜
赤色の発光を示す物質であることが好ましい。
料であることが好ましい。例えば、発光材料が上述したIr(btp)2(acac)で
ある場合、Ir(btp)2(acac)は赤色発光を示すため、第2の有機化合物とし
て赤色の燐光材料である(アセチルアセトナト)ビス[2,3−ビス(4−フルオロフェ
ニル)キノキサリナト]イリジウム(III)(略称:Ir(Fdpq)2(acac))な
どを用いればよい。なお、上述した化合物は、発光素子に用いられる化合物の中でもLU
MO準位が低い化合物であり、後述する第1の有機化合物に添加することで良好な電子ト
ラップ性を示す。
、DMNQd−1、DMNQd2のようなキナクリドン誘導体が化学的に安定であるため
好ましい。すなわち、キナクリドン誘導体を適用することにより、特に発光素子を長寿命
化することができる。また、キナクリドン誘導体は緑色系の発光を示すため、本発明の発
光素子の素子構造は、緑色系の発光素子に対して特に有効である。緑色は、フルカラーデ
ィスプレイを作製する際には最も輝度が必要な色であるため、劣化が他の色に比して大き
くなってしまう場合があるが、本発明を適用することによりそれを改善することができる
。
である。つまり、正孔輸送性よりも電子輸送性の方が高い物質である。具体的には、Al
q、Almq3、BeBq2、BAlq、Znq、BAlq、ZnPBO、ZnBTZなど
の金属錯体、PBD、OXD−7、TAZ、TPBI、BPhen、BCPなどの複素環
化合物、CzPA、DPCzPA、DPPA、DNA、t−BuDNA、BANT、DP
NS、DPNS2、TPB3などの縮合芳香族化合物を用いることができる。
−3,5−ジイル)](略称:PF−Py)、ポリ[(9,9−ジオクチルフルオレン−
2,7−ジイル)−co−(2,2’−ビピリジン−6,6’−ジイル)](略称:PF
−BPy)などの高分子化合物を用いることができる。中でも電子に対して安定な金属錯
体であることが好ましい。
UMO準位より0.3eV以上低いことが好ましい。したがって、用いる第2の有機化合
物の種類に応じて、そのような条件を満たすように適宜第1の有機化合物を選択すればよ
い。例えば、後記する実施例に示すように、第2の有機化合物としてDPQdやクマリン
6を用いる場合、第1の有機化合物としてAlqを用いることで、上述の条件を満たすよ
うになる。
れる第2の有機化合物の発光色は同系色の発光色であることが好ましい。そのため、発光
性の高い物質の発光スペクトルのピーク値と第2の有機化合物の発光スペクトルのピーク
値との差は、30nm以内であることが好ましい。30nm以内であることにより、発光
性の高い物質の発光色と第2の有機化合物の発光色は、同系色の発光色となる。よって、
電圧等の変化により、第2の有機化合物が発光した場合にも、発光色の変化を抑制するこ
とができる。
の方が発光効率が高い場合は、実質的に発光性の高い物質の発光のみが得られるように、
第4の層214における第2の有機化合物の濃度を調節する(第2の有機化合物の発光が
抑制されるように、その濃度を若干低くする)ことが好ましい。この場合、発光性の高い
物質の発光色と第2の有機化合物の発光色は同系統の発光色である(すなわち、同程度の
エネルギーギャップを持つ)ため、発光性の高い物質から第2の有機化合物へのエネルギ
ー移動は生じにくく、高い発光効率が得られる。
リン30、クマリン6、クマリン545T、クマリン153などのクマリン誘導体である
ことが好ましい。クマリン誘導体は、電子トラップ性が弱いため、第1の有機化合物に添
加する濃度が比較的高くてもよい。つまり、濃度の調節がしやすく、所望の性質を有する
キャリアの移動を制御する層を得ることができる。また、クマリン誘導体は発光効率が高
いため、第2の有機化合物が発光した場合、発光素子全体の発光効率の低下を抑制するこ
とができる。
、第1の電極202から注入された正孔は、正孔注入性の高い物質が含まれる第1の層2
11、正孔輸送性の高い物質が含まれる第2の層212を通り、発光性の高い物質が含ま
れる第3の層213に注入される。一方、第2の電極204から注入された電子は、電子
注入性の高い物質が含まれる第6の層216、電子輸送性の高い物質が含まれる第5の層
215を通り、キャリアの移動を制御する層である第4の層214に注入される。キャリ
アの移動を制御する層に注入された電子は、電子トラップ性を有する第2の有機化合物に
より、電子の移動が遅くなる。遅くなった電子は、発光性の高い物質を含む第3の層21
3に注入され、正孔と再結合し、発光する。
3に注入された正孔は移動が遅くなる。また、第4の層214から第3の層213に注入
された電子は、第4の層214で移動が遅くなっているため、第3の層213でも移動が
遅い。よって、移動の遅い正孔と移動の遅い電子が第3の層213で再結合するため、再
結合確率が高くなり、発光効率が向上する。
ま第3の層213に注入され、第2の層212と第3の層213との界面付近まで達する
。そのため、発光領域は第2の層212と第3の層213との界面近傍に形成される。そ
の場合、電子が第2の層212にまで達してしまい、第2の層212を劣化させる恐れが
ある。また、経時的に第2の層212にまで達してしまう電子の量が増えていくと、経時
的に発光層内での再結合確率が低下していくことになるため、素子寿命の低下(輝度の経
時劣化)に繋がってしまう。
い物質が含まれる第6の層216、電子輸送性の高い物質が含まれる第5の層215を通
り、キャリアの移動を制御する層である第4の層214に注入される。ここで、第4の層
214は、電子輸送性を有する第1の有機化合物に、電子をトラップする機能を有する第
2の有機化合物を添加した構成となっている。したがって、第4の層214に注入された
電子は、その移動が遅くなり、第3の層213への電子注入が制御される。
との界面近傍で形成されたはずの発光領域が、本発明の発光素子においては、第3の層2
13から、第3の層213と第4の層214との界面付近にかけて形成されることになる
。したがって、電子が第2の層212にまで達してしまい、正孔輸送性の高い物質が含ま
れる第2の層212を劣化させる可能性が低くなる。また正孔に関しても、第4の層21
4が電子輸送性を有する第1の有機化合物を有しているため、正孔が第5の層215にま
で達して電子輸送性の高い物質が含まれる第5の層215を劣化させる可能性は低い。
用するのではなく、電子輸送性を有する有機化合物、すなわちキャリア輸送性の有機化合
物に、電子をトラップする機能を有する有機化合物、すなわちキャリアトップ性の有機化
合物を添加している点が重要である。このような構成とすることで、単に第3の層213
への電子注入を制御するだけではなく、その制御された電子注入量が経時的に変化するの
を抑制することができる。以上のことから本発明の発光素子は、発光素子において経時的
にキャリアバランスが悪化して再結合確率が低下していく現象を防ぐことができるため、
素子寿命の向上(輝度の経時劣化の抑制)に繋がる。
に発光領域が形成されていないため、正孔輸送層や電子輸送層に発光領域が近接すること
による劣化の影響を受けることがない。また、キャリアバランスの経時的な変化(特に電
子注入量の経時的変化)を抑制することができる。したがって、劣化が少なく、寿命の長
い発光素子を得ることができる。
213に含まれる発光性の高い物質の発光色とは、同系色の発光色であることが好ましい
。具体的には、第2の有機化合物の発光スペクトルのピーク値と発光性の高い物質の発光
スペクトルのピーク値との差は、30nm以内であることが好ましい。30nm以内であ
ることにより、第2の有機化合物の発光色と発光性の高い物質の発光色は、同系色の発光
色となる。よって、電圧等の変化により、第2の有機化合物が発光した場合にも、発光色
の変化を抑制することができる。ただし、必ずしも第2の有機化合物が発光する必要はな
い。
ぎる膜厚だと、キャリアの移動速度を低下させすぎてしまい、駆動電圧が高くなってしま
う。また、薄すぎる膜厚だと、キャリアの移動を制御する機能を実現しなくなってしまう
。よって、5nm以上20nm以下の膜厚であることが好ましい。
物として、Alq、Almq3、BeBq2、BAlq、ZnPBO、ZnBTZなどの金
属錯体を用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、PBD、OXD−7、TAZ
、TPBI、BPhen、BCPなどの複素環化合物も用いることができる。ここに述べ
た物質は、主に10-6cm2/Vs以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よ
りも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層として用いても構わ
ない。また、電子輸送層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層
したものとしてもよい。
9,9−ジヘキシルフルオレン−2,7−ジイル)−co−(ピリジン−3,5−ジイル
)](略称:PF−Py)、ポリ[(9,9−ジオクチルフルオレン−2,7−ジイル)
−co−(2,2’−ビピリジン−6,6’−ジイル)](略称:PF−BPy)などを
用いることができる。
質としては、フッ化リチウム(LiF)、フッ化セシウム(CsF)、フッ化カルシウム
(CaF2)等のようなアルカリ金属又はアルカリ土類金属又はそれらの化合物を用いる
ことができる。例えば、電子輸送性を有する物質からなる層中にアルカリ金属又はアルカ
リ土類金属又はそれらの化合物を含有させたもの、例えばAlq中にマグネシウム(Mg
)を含有させたもの等を用いることができる。なお、電子注入層として、電子輸送性を有
する物質からなる層中にアルカリ金属又はアルカリ土類金属を含有させたものを用いるこ
とにより、第2の電極204からの電子注入が効率良く行われるためより好ましい。
以下)金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる
。このような陰極材料の具体例としては、元素周期表の第1族または第2族に属する元素
、すなわちリチウム(Li)やセシウム(Cs)等のアルカリ金属、およびマグネシウム
(Mg)、カルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)等のアルカリ土類金属、および
これらを含む合金(MgAg、AlLi)、ユーロピウム(Eu)、イッテルビウム(Y
b)等の希土類金属およびこれらを含む合金等が挙げられる。アルカリ金属、アルカリ土
類金属、これらを含む合金の膜は、真空蒸着法を用いて形成することができる。また、ア
ルカリ金属またはアルカリ土類金属を含む合金の膜はスパッタリング法により形成するこ
とも可能である。また、銀ペーストなどをインクジェット法などにより成膜することも可
能である。
ある第6の層216を設けることにより、仕事関数の大小に関わらず、Al、Ag、IT
O、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ等様々な導電性材料を第
2の電極204として用いることができる。これら導電性材料は、スパッタリング法やイ
ンクジェット法、スピンコート法等を用いて成膜することが可能である。
ができる。例えば、真空蒸着法、インクジェット法またはスピンコート法など用いても構
わない。また各電極または各層ごとに異なる成膜方法を用いて形成しても構わない。
例えば、上述した材料のうち、高分子化合物を用いて湿式法でEL層を形成してもよい
。または、低分子の有機化合物を用いて湿式法で形成することもできる。また、低分子の
有機化合物を用いて真空蒸着法などの乾式法を用いてEL層を形成してもよい。
また、電極についても、ゾル−ゲル法を用いて湿式法で形成しても良いし、金属材料の
ペーストを用いて湿式法で形成してもよい。また、スパッタリング法や真空蒸着法などの
乾式法を用いて形成しても良い。
光層を塗り分ける場合には、発光層は湿式法により形成することが好ましい。発光層をイ
ンクジェット法を用いて形成することにより、大型基板であっても発光層の塗り分けが容
易となる。
法、第1の層を湿式法であるインクジェット法やスピンコート法、第2の層を乾式法であ
る真空蒸着法、第3の層を湿式法であるインクジェット法、第4の層を乾式法である共蒸
着法、第5の層および第6の層を乾式法である真空蒸着法、第2の電極を湿式法であるイ
ンクジェット法やスピンコート法を用いて形成してもよい。
法、第2の層を湿式法であるインクジェット法やスピンコート法、第3の層を湿式法であ
るインクジェット法、第4の層を湿式法であるインクジェット法やスピンコート法、第5
の層および第6の層を湿式法であるインクジェット法やスピンコート法、第2の電極を湿
式法であるインクジェット法やスピンコート法を用いて形成してもよい。なお、上記の方
法に限らず、湿式法と乾式法を適宜組み合わせればよい。
、第1の層および第2の層を湿式法であるインクジェット法やスピンコート法、発光層で
ある第3の層を湿式法であるインクジェット法、第4の層を乾式法である共蒸着法、第5
の層および第6の層を乾式法である真空蒸着法、第2の電極を乾式法である真空蒸着法で
形成することができる。
でを湿式法で形成し、第4の層から第2の電極までを乾式法で形成することができる。こ
の方法では、第1の層から第3の層までを大気圧で形成することができ、第3の層の塗り
分けも容易である。また、第4の層から第2の電極までは、真空一貫で形成することがで
きる。よって、工程を簡略化し、生産性を向上させることができる。
PEDOT/PSSは水溶性であるため、水溶液としてスピンコート法やインクジェット
法などにより、成膜することができる。第2の層は設けず、第1の層上に発光層として第
3の層を設ける。発光層は、すでに形成されている第1の層(PEDOT/PSS)が溶
解しない溶媒(トルエン、ドデシルベンゼン、あるいはドデシルベンゼンとテトラリンと
の混合溶媒など)に、発光性の物質を溶かした溶液を用いてインクジェット法を用いて形
成することができる。次に、第3の層上に第4の層を形成するが、第4の層を湿式法で形
成する場合には、すでに形成されている第1の層および第3の層が溶解しない溶媒を用い
て形成しなくてはならない。その場合、溶媒の選択肢が狭まるため、乾式法を用いて形成
する方が容易である。よって、第4の層から第2の電極までを乾式法である真空蒸着法を
用いて真空一貫で形成することにより、工程を簡略化することができる。
法であるスパッタリングまたは真空蒸着法、第6の層から第5の層を乾式法である真空蒸
着法、第4の層を乾式法である共蒸着法、第3の層を湿式法であるインクジェット法、第
2の層および第1の層を湿式法であるインクジェット法やスピンコート法、第1の電極を
湿式法であるインクジェット法やスピンコート法により形成することができる。この方法
では、第2の電極から第4の層までを乾式法により真空一貫で形成し、第3の層から第1
の電極までを大気圧で形成することができる。よって、工程を簡略化し、生産性を向上さ
せることができる。
との間に生じた電位差により電流が流れ、EL層203において正孔と電子とが再結合し
、発光するものである。
発光は、第1の電極202または第2の電極204のいずれか一方または両方を通って
外部に取り出される。従って、第1の電極202または第2の電極204のいずれか一方
または両方は、透光性を有する電極である。
光は第1の電極202を通って基板側から取り出される。また、第2の電極204のみが
透光性を有する電極である場合、図3(B)に示すように、発光は第2の電極204を通
って基板と逆側から取り出される。第1の電極202および第2の電極204がいずれも
透光性を有する電極である場合、図3(C)に示すように、発光は第1の電極202およ
び第2の電極204を通って、基板側および基板と逆側の両方から取り出される。
のには限定されない。発光領域と金属とが近接することによって生じる消光を防ぐように
、第1の電極202および第2の電極204から離れた部位に正孔と電子とが再結合する
発光領域を設けた構成であり、キャリアの移動を制御する層を有する構成であれば、上記
以外のものでもよい。
送性の高い物質、電子注入性の高い物質、正孔注入性の高い物質、バイポーラ性(電子及
び正孔の輸送性の高い物質)の物質等から成る層と、本実施の形態で示すキャリアの移動
を制御する層および発光層を適宜組み合わせて構成すればよい。
であるため、発光層よりも陰極として機能する電極側に設けることが好ましい。
例えば、図1(B)に示すように、発光機能を担う第3の層213と、キャリアの移動
を制御する層である第4の層214との間に、電子輸送性の高い物質を含む第7の層21
7を設けてもよい。
ましい。キャリアの移動を制御する層を発光層と接するように設けることにより、発光層
への電子注入を直接制御できるため、発光層内におけるキャリアバランスの経時変化をよ
り抑制することができ、素子寿命向上に関してより大きな効果が得られる。また、電子輸
送性の高い物質を含む第7の層217を設けることがないので、プロセス的にも簡便とな
る。
移動を制御する層に含まれる第1の有機化合物と、発光層に多く含まれている有機化合物
とは、異なる有機化合物であることが好ましい。特に、発光層の構成が、発光性の高い物
質を分散させる物質(第3の有機化合物)と、発光性の高い物質(第4の有機化合物)と
を含む場合、第3の有機化合物と、第1の有機化合物とは、異なる有機化合物であること
が好ましい。このような構成により、キャリアの移動を制御する層から発光層へのキャリ
ア(本実施の形態においては電子)の移動が、第1の有機化合物と第3の有機化合物との
間においても抑制され、キャリアの移動を制御する層を設ける効果がより高くなる。
204、EL層203、陽極として機能する第1の電極202とが順に積層された構成と
なっている。EL層203は、第1の層211、第2の層212、第3の層213、第4
の層214、第5の層215、第6の層216を有する。第4の層214は、第3の層2
13よりも陰極として機能する第2の電極側に設けられている。
している。一基板上にこのような発光素子を複数作製することで、パッシブマトリクス型
の発光装置を作製することができる。また、ガラス、プラスチックなどからなる基板上に
、例えば、薄膜トランジスタ(TFT)を形成し、TFTと電気的に接続された発光素子
を作製してもよい。これにより、TFTによって発光素子の駆動を制御するアクティブマ
トリクス型の発光装置を作製できる。
でもよいし、逆スタガ型のTFTでもよい。また、TFT基板に形成される駆動用回路に
ついても、N型およびP型のTFTからなるものでもよいし、若しくはN型のTFTまた
はP型のTFTのいずれか一方からのみなるものであってもよい。また、TFTに用いら
れる半導体膜の結晶性についても特に限定されない。非晶質半導体膜を用いてもよいし、
結晶性半導体膜を用いてもよい。
御する層は、2種類以上の物質を含むため、物質の組み合わせや混合比、膜厚などを制御
することにより、キャリアバランスを精密に制御することが可能である。
さらに、物質の組み合わせや混合比、膜厚などの制御でキャリアバランスを制御するこ
とが可能であるので、従来よりも容易にキャリアバランスの制御が可能となる。つまり、
用いる材料そのものの物性を変化させなくても、混合比や膜厚等により、キャリアの移動
を制御することができる。
、発光素子の発光効率を向上させることができる。
さらに、キャリアの移動を制御する層を用いることにより、過剰の電子が注入されるこ
とや、発光層を突き抜けて正孔輸送層や正孔注入層へ電子が達することを抑制することが
できる。正孔輸送層や正孔注入層へ電子が達してしまうと、発光層内で再結合する確率が
低下してしまい(すなわちキャリアバランスが崩れてしまい)、経時的な発光効率の低下
を招いてしまう。つまり、発光素子の寿命が短くなってしまう。
を用いることにより、過剰の電子が注入されることや、発光層を突き抜けて正孔輸送層や
正孔注入層へ電子が達することを抑制し、経時的な発光効率の低下を抑制することができ
る。つまり、長寿命の発光素子を得ることができる。
さらに詳述すれば、キャリアの移動を制御する層に含まれる2種類以上の物質のうち、
第1の有機化合物よりも少なく含まれている第2の有機化合物を用いてキャリアの移動を
制御している。よって、キャリアの移動を制御する層に含まれている成分のうち少ない成
分でキャリアの移動を制御することが可能である。その結果、経時劣化しにくく、発光素
子の長寿命化を実現することができる。
変化が起きにくい。例えば、単一物質により形成された層でキャリアの移動を制御する場
合には、部分的なモルフォロジーの変化や、部分的な結晶化により、層全体のバランスが
変化してしまう。そのため、経時劣化しやすい。しかし、本実施の形態で示すように、キ
ャリアの移動を制御する層に含まれている成分のうち少ない成分でキャリアの移動を制御
することにより、モルフォロジーの変化や結晶化、凝集等の影響が小さくなり、経時劣化
が起きにくい。よって、経時的な発光効率の低下が起こりにくい長寿命の発光素子を得る
ことができる。
能する第2の電極との間に設ける構成は、電子過多の発光素子に適用すると特に有効であ
る。例えば、発光層が、電子輸送性であり、第2の電極から注入された電子が発光層を突
き抜けてしまう割合が経時的に増加していく恐れがあるような場合において本実施の形態
で示した構成を適用すると特に有効である。
なお、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることが可能である。
本実施の形態は、実施の形態1とは異なる本発明の発光素子の一態様であり、それにつ
いて図5(A)を用いて説明する。本実施の形態は、キャリアの移動を制御する層として
、正孔の移動を制御する層を設けた発光素子であり、それについて説明する。
本発明の発光素子は、一対の電極間に複数の層を有する。当該複数の層は、電極から離
れたところに発光領域が形成されるように、つまり電極から離れた部位でキャリアの再結
合が行われるように、キャリア注入性の高い物質やキャリア輸送性の高い物質からなる層
を組み合わせて積層されたものである。
の電極402と第2の電極404との間に設けられたEL層403とから構成されている
。なお、本形態では第1の電極402は陽極として機能し、第2の電極404は陰極とし
て機能するものとして、以下説明をする。つまり、第1の電極402の方が第2の電極4
04よりも電位が高くなるように、第1の電極402と第2の電極404に電圧を印加し
たときに、発光が得られるものとして、以下説明をする。
第1の電極402としては、仕事関数の大きい(具体的には4.0eV以上)金属、合
金、導電性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましく、実施の形態1で
示したものと同様なものを用いることができる。
、第5の層415、第6の層416を有している。なお、EL層403は、実施の形態1
と同様に本実施の形態で示すキャリアの移動を制御する層と、発光層とを有していればよ
く、その他の層積層構造については特に限定されない。例えば、正孔注入層、正孔輸送層
、発光層、キャリアの移動を制御する層、電子輸送層、電子注入層等を適宜組み合わせて
構成することができる。
と同様なものを用いることができる。
第2の層412は、正孔輸送性の高い物質を含む層であり、実施の形態1で示したもの
と同様なものを用いることができる。
上の物質を含む。第3の層413において、第1の有機化合物は、第2の有機化合物より
も多く含まれている。本実施の形態では、キャリアの移動を制御する層を、発光機能を担
う層よりも陽極として機能する第1の電極側に設ける場合について説明する。つまり、発
光機能を担う第4の層414と第1の電極402との間に設ける場合について説明する。
発光機能を担う層よりも陽極として機能する第1の電極側に設ける場合、第1の有機化
合物は、正孔輸送性を有する有機化合物であることが好ましい。つまり、第1の有機化合
物は、電子輸送性よりも正孔輸送性の方が高い物質であることが好ましい。
好ましい。つまり、第2の有機化合物は、第1の有機化合物の最高被占有道準位(HOM
O準位)より0.3eV以上高い最高被占有道準位(HOMO準位)を有する有機化合物
であることが好ましい。第2の有機化合物が含まれることにより、層全体としては、第1
の有機化合物のみからなる層よりも電子輸送速度が小さくなる。つまり、第2の有機化合
物を添加することにより、キャリアの移動を制御することが可能となる。また、第2の有
機化合物の濃度を制御することにより、キャリアの移動速度を制御することが可能となる
。
具体的には、第2の有機化合物の濃度は、0.1重量%〜5重量%、または0.1mo
l%〜5mol%であることが好ましい。
2−フェニルピリジナト−N,C2')イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:
Ir(ppy)2(acac))、(アセチルアセトナト)ビス(10−(2−ピリジル
)フェノキサジナト)イリジウム(III)(略称:Ir(ppx)2(acac))、トリ
ス(2−フェニルピリジナト−N,C2')イリジウム(III)(略称:Ir(ppy)3)
、ビス[2−(2’−ベンゾ[4,5−α]チエニル)ピリジナトーN,C3']イリジウ
ム(III)アセチルアセトナート(略称:Ir(btp)2(acac))、N,N’’−
(2−tert−ブチルアントラセン−9,10−ジイルジ−4,1−フェニレン)ビス
[N,N’,N’−トリフェニル−1,4−フェニレンジアミン](略称:DPABPA
)などが挙げられる。
あり、後述する第1の有機化合物に添加することで良好な正孔トラップ性を示す。第2の
有機化合物は、発光してもよいが、その場合には、発光素子の色純度を保つため、発光機
能を担う層の発光色と第2の有機化合物の発光色とが同系色の発光色であることが好まし
い。
である。つまり、電子輸送性よりも正孔輸送性の方が高い物質である。具体的には、9,
10−ジフェニルアントラセン(略称:DPAnth)、6,12−ジメトキシ−5,1
1−ジフェニルクリセンのような縮合芳香族炭化水素が挙げられる。
]−9H−カルバゾール−3−アミン(略称:CzA1PA)、4−(10−フェニル−
9−アントリル)トリフェニルアミン(略称:DPhPA)、N,9−ジフェニル−N−
[4−(10−フェニル−9−アントリル)フェニル]−9H−カルバゾール−3−アミ
ン(略称:PCAPA)、N,9−ジフェニル−N−{4−[4−(10−フェニル−9
−アントリル)フェニル]フェニル}−9H−カルバゾール−3−アミン(略称:PCA
PBA)、N−(9,10−ジフェニル−2−アントリル)−N,9−ジフェニル−9H
−カルバゾール−3−アミン(略称:2PCAPA)、NPB(またはα−NPD)、T
PD、DFLDPBi、BSPB、2,3−ビス{4−[N−(4−ビフェニリル)−N
−フェニルアミノ]フェニル}キノキサリン(略称:BPAPQ)などの芳香族アミン化
合物等が挙げられる。さらに、PVK、PVTPA、PTPDMA、Poly−TPDな
どの高分子化合物を用いることもできる。
先に述べたように、本実施の形態2においては、第2の有機化合物は正孔トラップ性の化
合物であることが必要であり、そのためにはHOMO準位は、第1の有機化合物のHOM
O準位より0.3eV以上高いことが好ましい。したがって、用いる第2の有機化合物の
種類に応じて、そのような条件を満たすように適宜第1の有機化合物を選択すればよい。
れる第2の有機化合物の発光色は同系色の発光色であることが好ましいため、発光性の高
い物質の発光スペクトルのピーク値と第2の有機化合物の発光スペクトルのピーク値との
差は、30nm以内であることが好ましい。30nm以内であることにより、発光性の高
い物質の発光色と第2の有機化合物の発光色は、同系色の発光色となる。よって、電圧等
の変化により、第2の有機化合物が意に反して発光した場合にも、発光色の変化を抑制す
ることができる。
の方が発光効率が高い場合は、実質的に発光性の高い物質の発光のみが得られるように、
第3の層413における第2の有機化合物の濃度を調節する(第2の有機化合物の発光が
抑制されるように、その濃度を若干低くする)ことが好ましい。この場合、発光性の高い
物質の発光色と第2の有機化合物の発光色は同系統の発光色である(すなわち、同程度の
エネルギーギャップを持つ)ため、発光性の高い物質から第2の有機化合物へのエネルギ
ー移動は生じにくく、高い発光効率が得られる。
、第2の電極404から注入された電子は、電子注入性の高い物質が含まれる第6の層4
16、電子輸送性の高い物質が含まれる第5の層415を通り、発光性の高い物質が含ま
れる第4の層414に注入される。一方、第1の電極402から注入された正孔は、正孔
注入性の高い物質が含まれる第1の層411、正孔輸送性の高い物質が含まれる第2の層
412を通り、キャリアの移動を制御する層である第3の層413に注入される。キャリ
アの移動を制御する層に注入された正孔は、正孔トラップ性を有する第2の有機化合物に
より、正孔の移動が遅くなる。遅くなった正孔は、発光性の高い物質を含む第4の層41
4に注入され、正孔と再結合し、発光する。
4に注入された電子は移動が遅くなる。また、第3の層413から第4の層414に注入
された正孔は、第3の層413で移動が遅くなっているため、第4の層414でも移動が
遅い。よって、移動の遅い正孔と移動の遅い電子が第4の層414で再結合するため、再
結合確率が高くなり、発光効率が向上する。
ま第4の層414に注入され、第4の層414と第5の層415との界面付近まで達する
。そのため、発光領域は第4の層414と第5の層415との界面近傍に形成される。そ
の場合、正孔が第5の層415にまで達してしまい、第5の層415を劣化させる恐れが
ある。また、経時的に第5の層415にまで達してしまう正孔の量が増えていくと、経時
的に発光層内での再結合確率が低下していくことになるため、素子寿命の低下(輝度の経
時劣化)に繋がってしまう。
い物質が含まれる第1の層411、正孔輸送性の高い物質が含まれる第2の層412を通
り、キャリアの移動を制御する層である第3の層413に注入される。ここで、第3の層
413は、正孔輸送性を有する第1の有機化合物に、正孔をトラップする機能を有する第
2の有機化合物を添加した構成となっている。したがって、第3の層413に注入された
正孔は、その移動が遅くなり、第4の層414への正孔注入が制御される。
との界面近傍で形成されたはずの発光領域が、本発明の発光素子においては、第4の層4
14から第4の層414と第3の層413との界面付近にかけて形成されることになる。
したがって、本発明の発光素子においては、正孔が第5の層415にまで達してしまい、
電子輸送性の高い物質が含まれる第5の層415を劣化させる可能性が低くなる。また電
子に関しても、第3の層413が正孔輸送性を有する第1の有機化合物を有しているため
、電子が第2の層412にまで達して正孔輸送性の高い物質が含まれる第2の層412を
劣化させる可能性は低い。
用するのではなく、正孔輸送性を有する有機化合物に正孔をトラップする機能を有する有
機化合物を添加している点が重要である。このような構成とすることで、単に第4の層4
14への正孔注入を制御するだけではなく、その制御された正孔注入量が経時的に変化す
るのを抑制することができる。以上のことから本発明の発光素子は、発光素子において経
時的にキャリアバランスが悪化して再結合確率が低下していく現象を防ぐことができるた
め、素子寿命の向上(輝度の経時劣化の抑制)に繋がる。
に発光領域が形成されていないため、正孔輸送層や電子輸送層に発光領域が近接すること
による劣化の影響を受けることがない。また、キャリアバランスの経時的な変化(特に電
子注入量の経時的変化)を抑制することができる。したがって、劣化が少なく、寿命の長
い発光素子を得ることができる。
れる発光性の高い物質の発光色とは、同系色の発光色であることが好ましい。具体的には
、第2の有機化合物の発光スペクトルのピーク値と発光性の高い物質の発光スペクトルの
ピーク値との差は、30nm以内であることが好ましい。30nm以内であることにより
、第2の有機化合物の発光色と発光性の高い物質の発光色は、同系色の発光色となる。よ
って、電圧等の変化により、第2の有機化合物が意に反して発光した場合にも、発光色の
変化を抑制することができる。
m以下であることが好ましい。厚すぎる膜厚だと、キャリアの移動速度を低下させすぎて
しまい、駆動電圧が高くなってしまう。また、薄すぎる膜厚だと、キャリアの移動を制御
する機能を実現しなくなってしまう。よって、5nm以上20nm以下の膜厚であること
が好ましい。
第4の層414は、発光性の高い物質を含む層であり、実施の形態1で示した発光性の
高い物質を用いることができる。また、(アセチルアセトナト)ビス[2,3−ビス(4
−フルオロフェニル)キノキサリナト]イリジウム(III)(略称:Ir(Fdpq)2(
acac))のような燐光材料を用いることもできる。
合物としては、Ir(ppy)2(acac)、Ir(ppx)2(acac)、Ir(p
py)3、Ir(btp)2(acac)のような燐光材料が好ましい。例えば、Ir(F
dpq)2(acac)は赤色発光を示すため、第3の層413における第2の有機化合
物としては同系色の赤色発光を示すIr(btp)2(acac)を用いることが好まし
い。また、発光層としては、実施の形態1で示したように、発光性の高い物質を他の物質
に分散させた構成としてもよい。
する第1の電極との間に設けるため、発光層は、正孔輸送性であることが好ましい。つま
り、電子輸送性よりも正孔輸送性の方が高いことが好ましい。発光層が正孔輸送性の場合
、従来では発光層内からの正孔の突き抜けを防ぐため、正孔ブロック層を発光層の陰極側
に設けていた。しかしながら、その正孔ブロック機能が経時的に劣化すると、再結合領域
が正孔ブロック層内(あるいは電子輸送層内)にまで及んでしまい、電流効率の低下(す
なわち輝度劣化)が顕著となる。他方、本発明の場合は、逆に、発光層の手前(陽極側)
において正孔の移動を制御しているため、多少正孔のバランス(電子に対する移動度や電
荷量等)が崩れたとしても、発光層内における再結合の割合は変化しにくく、輝度が低下
しにくいというメリットがある。
孔輸送性の有機化合物であることが好ましい。具体的には、DPAnth、6,12−ジ
メトキシ−5,11−ジフェニルクリセンのような縮合芳香族炭化水素や、CzA1PA
、DPhPA、PCAPA、PCAPBA、2PCAPA、NPB(またはα−NPD)
、TPD、DFLDPBi、BSPBなどの芳香族アミン化合物を用いることができる。
と同様なものを用いることができる。
第6の層416は、電子注入性の高い物質を含む層であり、実施の形態1で示したもの
と同様なものを用いることができる。
ができる。例えば、真空蒸着法、インクジェット法またはスピンコート法など用いても構
わない。また各電極または各層ごとに異なる成膜方法を用いて形成しても構わない。
例えば、上述した材料のうち、高分子化合物を用いて湿式法でEL層を形成してもよい
。または、低分子の有機化合物を用いて湿式法で形成することもできる。また、低分子の
有機化合物を用いて真空蒸着法などの乾式法を用いてEL層を形成してもよい。
また、電極についても、ゾル−ゲル法を用いて湿式法で形成しても良いし、金属材料の
ペーストを用いて湿式法で形成してもよい。また、スパッタリング法や真空蒸着法などの
乾式法を用いて形成しても良い。
光層を塗り分ける場合には、発光層は湿式法により形成することが好ましい。発光層をイ
ンクジェット法を用いて形成することにより、大型基板であっても発光層の塗り分けが容
易となる。
法、第1の層を湿式法であるインクジェット法やスピンコート法、第2の層を乾式法であ
る真空蒸着法、第3の層を湿式法であるインクジェット法、第4の層を乾式法である共蒸
着法、第5の層および第6の層を乾式法である真空蒸着法、第2の電極を湿式法であるイ
ンクジェット法やスピンコート法を用いて形成してもよい。
法、第2の層を湿式法であるインクジェット法やスピンコート法、第3の層を湿式法であ
るインクジェット法、第4の層を湿式法であるインクジェット法やスピンコート法、第5
の層および第6の層を湿式法であるインクジェット法やスピンコート法、第2の電極を湿
式法であるインクジェット法やスピンコート法を用いて形成してもよい。なお、上記の方
法に限らず、湿式法と乾式法を適宜組み合わせればよい。
るスパッタリング法、第1の層および第2の層を乾式法である真空蒸着法、第3の層を乾
式法である共蒸着法、発光層である第4の層を湿式法であるインクジェット法、第5の層
を湿式法であるインクジェット法やスピンコート法、第6の層を設けず、第2の電極を湿
式法であるインクジェット法やスピンコート法により形成することができる。
を湿式法で形成することができる。この方法では、第1の電極から第3の層までを真空一
貫で形成することができ、第4の層から第2の電極までを大気圧中で形成することができ
る。また、第4の層の塗り分けも容易である。よって、工程を簡略化し、生産性を向上さ
せることができる。
法であるインクジェット法やスピンコート法、第6の層から第5の層を湿式法であるイン
クジェット法やスピンコート法、第4の層を湿式法であるインクジェット法、第3の層を
乾式法である共蒸着法、第2の層および第1の層を乾式法である真空蒸着法、第1の電極
を乾式法である真空蒸着法により形成することができる。この方法では、第2の電極から
第4の層までを大気圧中で形成し、第3の層から第1の電極までを乾式法により真空一貫
で形成することができる。よって、工程を簡略化し、生産性を向上させることができる。
との間に生じた電位差により電流が流れ、EL層403において正孔と電子とが再結合し
、発光するものである。
発光は、第1の電極402または第2の電極404のいずれか一方または両方を通って
外部に取り出される。従って、第1の電極402または第2の電極404のいずれか一方
または両方は、透光性を有する電極である。
光は第1の電極402を通って基板側から取り出される。また、第2の電極404のみが
透光性を有する電極である場合、図7(B)に示すように、発光は第2の電極404を通
って基板と逆側から取り出される。第1の電極402および第2の電極404がいずれも
透光性を有する電極である場合、図7(C)に示すように、発光は第1の電極402およ
び第2の電極404を通って、基板側および基板と逆側の両方から取り出される。
のには限定されない。すなわち、本発明及び本実施の形態においては、発光領域と金属と
が近接することによって生じる消光を防ぐように、第1の電極402および第2の電極4
04から離れた部位に正孔と電子とが再結合する発光領域を設けた構成であり、キャリア
の移動を制御する層を有する構成であれば、上記以外のものでもよい。
送性の高い物質、電子注入性の高い物質、正孔注入性の高い物質、バイポーラ性(電子及
び正孔の輸送性の高い物質)の物質等から成る層と、本実施の形態で示すキャリアの移動
を制御する層および発光層を適宜組み合わせて構成すればよい。
であるため、発光層よりも陽極として機能する電極側に設けることが好ましい。
例えば、図5(B)に示すように、発光機能を担う第4の層414と、キャリアの移動
を制御する層である第3の層413との間に、正孔輸送性の高い物質を含む第7の層41
7を設けてもよい。
ましい。キャリアの移動を制御する層を発光層と接するように設けることにより、発光層
への正孔注入を直接制御できるため、発光層内におけるキャリアバランスの経時変化をよ
り抑制することができ、素子寿命向上に関してより大きな効果が得られる。また、正孔輸
送性の高い物質を含む第7の層を設けることがないので、プロセス的にも簡便となる。
移動を制御する層に含まれる第1の有機化合物と、発光層に多く含まれている有機化合物
とは、異なる有機化合物であることが好ましい。特に、発光層の構成が、発光性の高い物
質を分散させる物質(第3の有機化合物)と、発光性の高い物質(第4の有機化合物)と
を含む場合、第3の有機化合物と、第1の有機化合物とは、異なる有機化合物であること
が好ましい。このような構成により、キャリア(本実施の形態においては正孔)の移動が
、第1の有機化合物と第3の有機化合物との間においても抑制され、キャリアの移動を制
御する層を設ける効果がより高くなる。
404、EL層403、陽極として機能する第1の電極402とが順に積層された構成と
なっている。EL層403は、第1の層411、第2の層412、第3の層413、第4
の層414、第5の層415、第6の層416を有する。第3の層413は、第4の層4
14よりも陽極として機能する第1の電極側に設けられている。
御する層は、2種類以上の物質を含むため、物質の組み合わせや混合比や膜厚などを制御
することにより、キャリアバランスを精密に制御することが可能である。
また、物質の組み合わせや混合比、膜厚などの制御でキャリアバランスを制御すること
が可能であるから、従来よりも容易にキャリアバランスの制御が可能となる。つまり、用
いる材料そのものの物性を変化させなくても、混合比や膜厚等を制御することにより、キ
ャリアの移動を制御することができる。
、発光素子の発光効率を向上させることができる。
さらに、キャリアの移動を制御する層を用いることにより、過剰の正孔が注入されるこ
とや、発光層を突き抜けて電子輸送層や電子注入層へ正孔が達することを抑制することが
できる。電子輸送層や電子注入層へ正孔が達してしまうと、発光層内で再結合する確率が
低下してしまい(すなわちキャリアバランスが崩れてしまい)、経時的な発光効率の低下
を招いてしまう。つまり、発光素子の寿命が短くなってしまう。
、過剰の正孔が注入されることや、発光層を突き抜けて電子輸送層や電子注入層へ正孔が
達することを抑制し、発光効率の低下を抑制することができる。つまり、長寿命の発光素
子を得ることができる。
合物よりも少なく含まれている第2の有機化合物を用いてキャリアの移動を制御している
。よって、キャリアの移動を制御する層に含まれている成分のうち少ない成分でキャリア
の移動を制御することが可能であるから、経時劣化しにくく、発光素子の長寿命化を実現
することができる。つまり、単一物質によりキャリアバランスを制御する場合に比べ、キ
ャリアバランスの変化が起きにくい。
モルフォロジーの変化や、部分的な結晶化により、層全体のバランスが変化してしまう。
そのため、経時劣化しやすい。しかし、本実施の形態で示すように、キャリアの移動を制
御する層に含まれている成分のうち少ない成分でキャリアの移動を制御することにより、
モルフォロジーの変化や結晶化、凝集等の影響が小さくなり、経時劣化が起きにくい。よ
って、経時的な発光効率の低下が起こりにくい長寿命の発光素子を得ることができる。
能する第1の電極との間に設ける構成は、正孔過多の発光素子に適用すると特に有効であ
る。例えば、発光層が正孔輸送性であり、第1の電極から注入された正孔が発光層を突き
抜けてしまう割合が経時的に増加していく恐れがあるような場合において、本実施の形態
で示した構成を適用すると特に有効である。
、発光層と陽極として機能する第1の電極との間に、正孔の移動を制御する層を設け、発
光層と陰極として機能する第2の電極との間に、電子の移動を制御する層を設けてもよい
。
すなわち、このようにすることにより、発光層の両側に、キャリアの移動を制御する層
を設けることもでき、発光層の両側において、電極から離れた部位でキャリアの再結合が
行われるようになり、より好ましい。
その結果、発光層の両側において、キャリアの移動を制御することにより、より一層モ
ルフォロジーの変化や結晶化、凝集等の影響が小さくなり、経時劣化が起きにくく、経時
的な発光効率の低下が起こりにくい長寿命の発光素子を得ることができる。
本実施の形態は、本発明に係る複数の発光ユニットを積層した構成の発光素子の態様を
示すものであり、それについて、図9を参照して説明する。この発光素子は、第1の電極
と第2の電極との間に、複数の発光ユニットを有する積層型発光素子である。発光ユニッ
トとしては、実施の形態1で示したEL層203や実施の形態2で示したEL層403と
同様な構成を用いることができる。つまり、実施の形態1や実施の形態2で示した発光素
子は、1つの発光ユニットを有する発光素子であり、本実施の形態では、複数の発光ユニ
ットを有する発光素子について説明する。
511と第2の発光ユニット512が積層されており、第1の発光ユニット511と第2
の発光ユニット512との間には電荷発生層513が設けられている。第1の電極501
と第2の電極502は実施の形態1と同様なものを適用することができる。また、第1の
発光ユニット511と第2の発光ユニット512は同じ構成であっても異なる構成であっ
てもよく、その構成は実施の形態1及び実施の形態2と同様なものを適用することができ
る。
化合物と金属酸化物の複合材料は、実施の形態1で示した複合材料であり、有機化合物と
バナジウム酸化物やモリブデン酸化物やタングステン酸化物等の金属酸化物を含む。有機
化合物としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化
合物(オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等)など、種々の化合物を用いることができ
る。なお、有機化合物としては、正孔輸送性有機化合物として正孔移動度が10-6cm2
/Vs以上であるものを適用することが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い
物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。有機化合物と金属酸化物の複合材料は
、キャリア注入性、キャリア輸送性に優れているため、低電圧駆動、低電流駆動を実現す
ることができる。
を組み合わせて形成してもよい。例えば、有機化合物と金属酸化物の複合材料を含む層と
、電子供与性物質の中から選ばれた一の化合物と電子輸送性の高い化合物とを含む層とを
組み合わせて形成してもよい。また、有機化合物と金属酸化物の複合材料を含む層と、透
明導電膜とを組み合わせて形成してもよい。
荷発生層513は、第1の電極501と第2の電極502に電圧を印加したときに、一方
の発光ユニットに電子を注入し、他方の発光ユニットに正孔を注入するものであれば良い
。例えば、図9において、第1の電極の電位の方が第2の電極の電位よりも高くなるよう
に電圧を印加した場合、電荷発生層513は、第1の発光ユニット511に電子を注入し
、第2の発光ユニット512に正孔を注入するものであればよい。
上の発光ユニットを積層した発光素子についても、同様に適用することが可能である。本
実施の形態に係る発光素子のように、一対の電極間に複数の発光ユニットを電荷発生層で
仕切って配置することで、電流密度を低く保ったまま、高輝度領域での長寿命素子を実現
できる。また、照明を応用例とした場合は、電極材料の抵抗による電圧降下を小さくでき
るので、大面積での均一発光が可能となる。また、低電圧駆動が可能で消費電力が低い発
光装置を実現することができる。
て、所望の色の発光を得ることができる。例えば、2つの発光ユニットを有する発光素子
において、第1の発光ユニットの発光色と第2の発光ユニットの発光色を補色の関係にな
るようにすることで、発光素子全体として白色発光する発光素子を得ることも可能である
。なお、補色とは、混合すると無彩色になる色同士の関係をいう。つまり。補色の関係に
ある色を発光する物質の発光を混合すると、白色発光を得ることができる。また、3つの
発光ユニットを有する発光素子の場合でも同様であり、例えば、第1の発光ユニットの発
光色が赤色であり、第2の発光ユニットの発光色が緑色であり、第3の発光ユニットの発
光色が青色である場合、発光素子全体としては、白色発光を得ることができる。
なお、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることが可能である。
本実施の形態は、本発明の発光素子を有する発光装置を示すものであり、それについて
説明する。
本実施の形態では、画素部に本発明の発光素子を有する発光装置について図10を用い
て説明する。なお、図10(A)は、発光装置を示す上面図、図10(B)は図10(A
)をA−A’およびB−B’で切断した断面図である。
点線で示された601は駆動回路部(ソース側駆動回路)、602は画素部、603は
駆動回路部(ゲート側駆動回路)である。さらに、604は封止基板、605はシール材
であり、シール材605で囲まれた内側は、空間607になっている。
力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるFPC(フレキシブルプ
リントサーキット)609からビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号
等を受け取る。なお、ここではFPCしか図示されていないが、このFPCにはプリント
配線基板(PWB)が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光
装置本体だけでなく、それにFPCもしくはPWBが取り付けられた状態をも含むものと
する。
路部及び画素部が形成されているが、ここでは、駆動回路部であるソース側駆動回路60
1と、画素部602中の一つの画素が示されている。
なお、ソース側駆動回路601はNチャネル型TFT623とPチャネル型TFT62
4とを組み合わせたCMOS回路が形成される。また、駆動回路は、種々のCMOS回路
、PMOS回路もしくはNMOS回路で形成しても良い。また、本実施の形態では、画素
部と同一の基板上に駆動回路を形成したドライバ一体型を示すが、必ずしもその必要はな
く、駆動回路を画素部と同一の基板上ではなく外部に形成することもできる。
ドレインに電気的に接続された第1の電極613とを含む複数の画素により形成される。
なお、第1の電極613の端部を覆って絶縁物614が形成されている。ここでは、ポジ
型の感光性アクリル樹脂膜を用いることにより形成する。
する曲面が形成されるようにする。例えば、絶縁物614の材料としてポジ型の感光性ア
クリルを用いた場合、絶縁物614の上端部のみに曲率半径(0.2μm〜3μm)を有
する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物614として、光の照射によってエッ
チャントに不溶解性となるネガ型、或いは光の照射によってエッチャントに溶解性となる
ポジ型のいずれも使用することができる。
ている。ここで、第1の電極613に用いる材料としては、さまざまな金属、合金、電気
伝導性化合物、およびこれらの混合物を用いることができる。第1の電極を陽極として用
いる場合には、その中でも、仕事関数の大きい(仕事関数4.0eV以上)金属、合金、
電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。
チタン膜、クロム膜、タングステン膜、Zn膜、Pt膜などの単層膜の他、窒化チタンと
アルミニウムを主成分とする膜との積層膜、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする
膜と窒化チタン膜との3層構造等の積層膜を用いることができる。なお、積層構造とする
と、配線としての抵抗も低く、良好なオーミックコンタクトがとれ、さらに陽極として機
能させることができる。
法等の種々の方法によって形成される。EL層616は、実施の形態1及び実施の形態2
で示したキャリアの移動を制御する層および発光層を有している。また、EL層616を
構成する他の材料としては、低分子化合物、または高分子化合物(オリゴマー、デンドリ
マーを含む)であっても良い。また、EL層に用いる材料としては、有機化合物だけでな
く、無機化合物を用いてもよい。
合物、およびこれらの混合物を用いることができる。第2の電極を陰極として用いる場合
には、その中でも、仕事関数の小さい(仕事関数3.8eV以下)金属、合金、電気伝導
性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。例えば、元素周期表の第
1族または第2族に属する元素、すなわちリチウム(Li)やセシウム(Cs)等のアル
カリ金属、およびマグネシウム(Mg)、カルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)
等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金(MgAg、AlLi)等が挙げられる
。
617として、膜厚を薄くした金属薄膜と、透明導電膜(酸化インジウム−酸化スズ(I
TO)、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−
酸化亜鉛(IZO)、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム(IWZ
O)等)との積層を用いることも可能である。
04と貼り合わされており、それにより、素子基板610、封止基板604、およびシー
ル材605で囲まれた空間607に発光素子618が備えられた構造になっている。なお
、空間607には、充填材が充填されており、不活性気体(窒素やアルゴン等)が充填さ
れる場合の他、シール材605で充填される場合もある。
はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板604
に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、FRP(Fiberglass-Reinforced Plasti
cs)、PVF(ポリビニルフロライド)、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラス
チック基板を用いることができる。
このようにして得られる本発明の発光装置は、長寿命の発光素子を有しているため、長
寿命である。
また、本発明の発光素子は発光効率の高い発光素子であるため、高輝度の発光が可能で
あり、消費電力が低減された発光装置を得ることができる。
クティブマトリクス型の発光装置について示しており、それに関し説明した。しかし、本
発明の発光素子は、トランジスタ等の駆動用の素子を特に設けずに発光素子を駆動させる
パッシブマトリクス型の発光装置とすることもでき、その場合の構造について図11に図
示する。その図11には、本発明を適用して作製したパッシブマトリクス型の発光装置に
ついて斜視図および断面図を示す。なお、図11(A)は、発光装置を示す斜視図、図1
1(B)は図11(A)をX−Yで切断した断面図である。図11において、基板951
上には、電極952と電極956との間にはEL層955が設けられている。電極952
の端部は絶縁層953で覆われている。
基板面に近くなるに伴って、一方の側壁と他方の側壁との間隔が狭くなっていくような傾
斜を有する。つまり、隔壁層954の短辺方向の断面は、台形状であり、底辺(絶縁層9
53の面方向と同様の方向を向き、絶縁層953と接する辺)の方が上辺(絶縁層953
の面方向と同様の方向を向き、絶縁層953と接しない辺)よりも短い。このように、隔
壁層954を設けることで、静電気等に起因した発光素子の不良を防ぐことが出来る。ま
た、パッシブマトリクス型の発光装置においても、寿命の長い本発明の発光素子を含むこ
とによって、寿命の長い発光装置を得ることができる。また、発光効率が高い本発明の発
光素子を含むことによって、消費電力の低減された発光装置を得ることができる。
本実施の形態は、実施の形態4に示す発光装置をその一部に含む本発明の電子機器を示
すものであり、それについて説明する。本発明の電子機器は、実施の形態1ないし実施の
形態3で示した発光素子を有し、寿命の長い表示部を有する。また、発光効率の高い発光
素子を有するため、消費電力の低減された表示部を得ることができる。
、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置(カーオーディオ、
オーディオコンポ等)、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末(モバイルコンピュー
タ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等)、記録媒体を備えた画像再生装置(具
体的にはDigital Versatile Disc(DVD)等の記録媒体を再生し、その画像を表示しう
る表示装置を備えた装置)などが挙げられる。これらの電子機器の具体例を図12に示す
。
部9103、スピーカー部9104、ビデオ入力端子9105等を含む。このテレビ装置
において、表示部9103は、実施の形態1ないし実施の形態3で説明したものと同様の
発光素子をマトリクス状に配列して構成されている。当該発光素子は、寿命が長いという
特徴を有している。その発光素子で構成される表示部9103も同様の特徴を有するため
、このテレビ装置は寿命が長いという特徴を有している。つまり、長時間の使用に耐えう
るテレビ装置を提供することができる。また、発光効率が高い発光素子を有するため、消
費電力の低減された表示部を有するテレビ装置を得ることができる。
部9203、キーボード9204、外部接続ポート9205、ポインティングデバイス9
206等を含む。このコンピュータにおいて、表示部9203は、実施の形態1ないし実
施の形態3で説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して構成されている。
当該発光素子は、寿命が長いという特徴を有している。その発光素子で構成される表示部
9203も同様の特徴を有するため、このコンピュータは寿命が長いという特徴を有して
いる。つまり、長時間の使用に耐えうるコンピュータを提供することができる。また、発
光効率が高い発光素子を有するため、消費電力の低減された表示部を有するコンピュータ
を得ることができる。
403、音声入力部9404、音声出力部9405、操作キー9406、外部接続ポート
9407、アンテナ9408等を含む。この携帯電話において、表示部9403は、実施
の形態1ないし実施の形態3で説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して
構成されている。当該発光素子は、寿命が長いという特徴を有している。その発光素子で
構成される表示部9403も同様の特徴を有するため、この携帯電話は寿命が長いという
特徴を有している。つまり、長時間の使用に耐えうる携帯電話を提供することができる。
また、発光効率が高い発光素子を有するため、消費電力の低減された表示部を有する携帯
電話を得ることができる。
03、外部接続ポート9504、リモコン受信部9505、受像部9506、バッテリー
9507、音声入力部9508、操作キー9509、接眼部9510等を含む。このカメ
ラにおいて、表示部9502は、実施の形態1ないし実施の形態3で説明したものと同様
の発光素子をマトリクス状に配列して構成されている。当該発光素子は、寿命が長いとい
う特徴を有している。その発光素子で構成される表示部9502も同様の特徴を有するた
め、このカメラは寿命が長いという特徴を有している。つまり、長時間の使用に耐えうる
カメラを提供することができる。また、発光効率が高い発光素子を有するため、消費電力
の低減された表示部を有するカメラを得ることができる。
の電子機器に適用することが可能である。本発明の発光装置を用いることにより、長時間
の使用に耐えうる、寿命の長い表示部を有する電子機器を提供することが可能となる。ま
た、消費電力の低減された表示部を有する電子機器を得ることができる。
照明装置として用いる一態様を、図13を用いて説明する。
図13は、本発明の発光装置をバックライトとして用いた液晶表示装置の一例である。
図13に示した液晶表示装置は、筐体901、液晶層902、バックライト903、筐体
904を有し、液晶層902は、ドライバIC905と接続されている。また、バックラ
イト903は、本発明の発光装置が用いられおり、端子906により、電流が供給されて
いる。
バックライトが得られる。また、本発明の発光装置は、面発光の照明装置であり大面積化
も可能であるため、バックライトの大面積化が可能であり、液晶表示装置の大面積化も可
能になる。さらに、本発明の発光装置は薄型で低消費電力であるため、表示装置の薄型化
、低消費電力化も可能となる。また、発光効率の高い発光素子を有しているため、高輝度
の発光が可能な発光装置を得ることができる。また、本発明の発光装置は長寿命であるた
め、寿命の長い液晶表示装置を得ることができる。
である。図14に示す電気スタンドは、筐体2001と、光源2002を有し、光源20
02として、本発明の発光装置が用いられている。本発明の発光装置は長寿命であるため
、電気スタンドも長寿命である。
図15は、本発明を適用した発光装置を、室内の照明装置3001として用いた例であ
る。本発明の発光装置は大面積化も可能であるため、大面積の照明装置として用いること
ができる。また、本発明の発光装置は、長寿命であるため、長寿命の照明装置として用い
ることが可能となる。
に、図12(A)で説明したような、本発明に係るテレビ装置3002を設置して公共放
送や映画を鑑賞することができる。このような場合、両装置は長寿命であるので、照明装
置やテレビ装置の買い換え回数を減らすことができ、環境への負荷を低減することができ
る。
素子の特性について具体的に説明する。また、特性については測定結果を示す図を用いて
具体的に説明する。なお、実施例1で用いる有機化合物の構造式を以下に示す。
まず、ガラス基板2201上に、酸化珪素を含む酸化インジウム−酸化スズをスパッタ
リング法にて成膜し、第1の電極2202を形成した。なお、その膜厚は110nmとし
、電極面積は2mm×2mmとした。
続いて、第1の電極2202が形成された面が下方となるように、第1の電極2202
が形成された基板を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、10-4Pa程度
まで減圧した。
ニルアミノ]ビフェニル(略称:NPB)と酸化モリブデン(VI)とを共蒸着することに
より、複合材料を含む層2211を形成した。その膜厚は50nmとし、NPBと酸化モ
リブデン(VI)の比率は、重量比で4:1=(NPB:酸化モリブデン)となるように蒸
着レートを調節した。なお、共蒸着法とは、一つの処理室内で複数の蒸発源から同時に蒸
着を行う蒸着法である。
フェニルアミノ]ビフェニル(略称:NPB)を10nmの膜厚となるように成膜し、正
孔輸送層2212を形成した。
その後、正孔輸送層2212上に、発光層2213を形成した。その際には、9−[4
−(10−フェニル−9−アントリル)フェニル]−9H−カルバゾール(略称:CzP
A)とN−(9,10−ジフェニル−2−アントリル)−N,9−ジフェニル−9H−カ
ルバゾール−3−アミン(略称:2PCAPA)とを共蒸着することにより、発光層22
13を30nmの膜厚で形成した。ここで、CzPAと2PCAPAとの重量比は、1:
0.05(=CzPA:2PCAPA)となるように蒸着レートを調節した。
称:Alq)とN,N’−ジフェニルキナクリドン(略称:DPQd)とを共蒸着するこ
とにより、キャリアの移動を制御する層2214を10nmの膜厚で形成した。ここで、
AlqとDPQdとの重量比は、1:0.003(=Alq:DPQd)となるように蒸
着レートを調節した。
リス(8−キノリノラト)アルミニウム(III)(略称:Alq)を30nmの膜厚とな
るように成膜し、電子輸送層2215を形成した。
その後、電子輸送層2215上に、フッ化リチウム(LiF)を1nmの膜厚となるよ
うに成膜することにより、電子注入層2216を形成した。
最後に、抵抗加熱による蒸着法を用い、アルミニウムを200nmの膜厚となるように
成膜することにより、第2の電極2204を形成し、発光素子1を作製した。
、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、これらの発光素子の動作
特性について測定を行った。なお、測定は室温(25℃に保たれた雰囲気)で行った。
発光素子1の電流密度−輝度特性を図17に示す。また、電圧−輝度特性を図18に示
す。また、輝度−電流効率特性を図19に示す。また、1mAの電流を流したときの発光
スペクトルを図20に示す。
続点灯試験を行った結果を図21に示す(縦軸は、5000cd/m2を100%とした
時の相対輝度である)。
発光素子1は、輝度5000cd/m2のときのCIE色度座標が(x=0.30、y
=0.64)であり、2PCAPAに由来する緑色の発光を示した。また、輝度5000
cd/m2のときの電流効率は14cd/Aであり、駆動電圧は8.1Vであった。
さらに、発光素子1に関し、初期輝度を5000cd/m2として、定電流駆動による
連続点灯試験を行った結果、740時間後でも初期輝度の93%の輝度を保っており、長
寿命な発光素子であることがわかった。
次に、比較のため、上述した発光素子1のキャリアの移動を制御する層2214を設け
ない構成の比較発光素子2を作製した。作製方法を以下に示す。まず、ガラス基板上に、
酸化珪素を含む酸化インジウム−酸化スズをスパッタリング法にて成膜し、第1の電極を
形成した。なお、その膜厚は110nmとし、電極面積は2mm×2mmとした。
真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、10-4Pa程度まで減圧した後、第
1の電極上に、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニ
ル(略称:NPB)と酸化モリブデン(VI)とを共蒸着することにより、複合材料を含む
層を形成した。その膜厚は50nmとし、NPBと酸化モリブデン(VI)の比率は、重量
比で4:1=(NPB:酸化モリブデン)となるように蒸着レートを調節した。
−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:NPB)を10nmの膜厚となるように成膜し、
正孔輸送層を形成した。
その後、正孔輸送層上に、発光層を形成した。その際には9−[4−(10−フェニル
−9−アントリル)フェニル]−9H−カルバゾール(略称:CzPA)とN−(9,1
0−ジフェニル−2−アントリル)−N,9−ジフェニル−9H−カルバゾール−3−ア
ミン(略称:2PCAPA)とを共蒸着することにより、発光層を40nmの膜厚で形成
した。ここで、CzPAと2PCAPAとの重量比は、1:0.05(=CzPA:2P
CAPA)となるように蒸着レートを調節した。
ミニウム(III)(略称:Alq)を30nmの膜厚となるように成膜し、電子輸送層を
形成した。つまり、発光素子1とは異なり、キャリアの移動を制御する層を設けず、発光
層上に電子輸送層を形成した。
その後、電子輸送層上に、フッ化リチウム(LiF)を1nmの膜厚となるように成膜
することにより、電子注入層を形成した。
最後に、抵抗加熱による蒸着法を用い、アルミニウムを200nmの膜厚となるように
成膜することにより、第2の電極を形成し、比較発光素子2を作製した。
光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、比較発光素子2の動作特性に
ついて測定を行った。なお、測定は室温(25℃に保たれた雰囲気)で行った。
比較発光素子2は、輝度5000cd/m2のときのCIE色度座標は(x=0.29
、y=0.62)、電流効率が13cd/Aであり、発光素子1と同様、2PCAPAに
由来する緑色の発光を示した。
を行った結果、図21に示す通り、740時間後には初期輝度の73%にまで輝度が低下
しており、発光素子1よりも寿命が短かった。
よって、本発明を適用することにより、長寿命な発光素子が得られることがわかった。
素子の特性について具体的に説明する。また、特性については測定結果を示す図を用いて
具体的に説明する。実施例2で用いる有機化合物の構造式を以下に示す。なお、実施例1
で既に示した有機化合物については省略する。
まず、ガラス基板2201上に、酸化珪素を含む酸化インジウム−酸化スズをスパッタ
リング法にて成膜し、第1の電極2202を形成した。なお、その膜厚は110nmとし
、電極面積は2mm×2mmとした。
その後、第1の電極2202が形成された面が下方となるように、第1の電極2202
が形成された基板を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、10-4Pa程度
まで減圧した
ルアミノ]ビフェニル(略称:NPB)と酸化モリブデン(VI)とを共蒸着することによ
り、複合材料を含む層2211を形成した。その膜厚は50nmとし、NPBと酸化モリ
ブデン(VI)の比率は、重量比で4:1=(NPB:酸化モリブデン)となるように蒸着
レートを調節した。
続いて、抵抗加熱を用いた蒸着法により、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N
−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:NPB)を10nmの膜厚となるように成膜し、
正孔輸送層2212を形成した。
10−フェニル−9−アントリル)フェニル]−9H−カルバゾール(略称:CzPA)
とN−(9,10−ジフェニル−2−アントリル)−N,9−ジフェニル−9H−カルバ
ゾール−3−アミン(略称:2PCAPA)とを共蒸着することにより、発光層2213
を30nmの膜厚で形成した。ここで、CzPAと2PCAPAとの重量比は、1:0.
05(=CzPA:2PCAPA)となるように蒸着レートを調節した。
称:Alq)とN,N’−ジフェニルキナクリドン(略称:DPQd)とを共蒸着するこ
とにより、キャリアの移動を制御する層2214を10nmの膜厚で形成した。ここで、
AlqとDPQdとの重量比は、1:0.005(=Alq:DPQd)となるように蒸
着レートを調節した。
フェナントロリン(略称:BPhen)を30nmの膜厚となるように成膜し、電子輸送
層2215を形成した。
電子輸送層2215上に、フッ化リチウム(LiF)を1nmの膜厚となるように成膜
することにより、電子注入層2216を形成した。
最後に、抵抗加熱による蒸着法を用い、アルミニウムを200nmの膜厚となるように
成膜することにより、第2の電極2204を形成し、発光素子3を作製した。
、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、これらの発光素子の動作
特性について測定を行った。なお、測定は室温(25℃に保たれた雰囲気)で行った。発
光素子3の電流密度−輝度特性を図22に示す。また、電圧−輝度特性を図23に示す。
また、輝度−電流効率特性を図24に示す。また、1mAの電流を流したときの発光スペ
クトルを図25に示す。
続点灯試験を行った結果を図26に示す(縦軸は、5000cd/m2を100%とした
時の相対輝度である)。
発光素子3は、輝度5000cd/m2のときのCIE色度座標が(x=0.30、y
=0.63)であり、2PCAPAに由来する緑色の発光を示した。また、輝度5000
cd/m2のときの電流効率は13cd/Aであり、駆動電圧は5.5Vであった。
さらに、発光素子3に関し、初期輝度を5000cd/m2として、定電流駆動による
連続点灯試験を行った結果、570時間後でも初期輝度の88%の輝度を保っており、長
寿命な発光素子であることがわかった。
まず、ガラス基板2201上に、酸化珪素を含む酸化インジウム−酸化スズをスパッタ
リング法にて成膜し、第1の電極2202を形成した。なお、その膜厚は110nmとし
、電極面積は2mm×2mmとした。
続いて、第1の電極2202が形成された面が下方となるように、第1の電極2202
が形成された基板を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、10-4Pa程度
まで減圧した。
ニルアミノ]ビフェニル(略称:NPB)と酸化モリブデン(VI)とを共蒸着することに
より、複合材料を含む層2211を形成した。その膜厚は50nmとし、NPBと酸化モ
リブデン(VI)の比率は、重量比で4:1=(NPB:酸化モリブデン)となるように蒸
着レートを調節した。
その後、抵抗加熱を用いた蒸着法により、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N
−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:NPB)を10nmの膜厚となるように成膜し、
正孔輸送層2212を形成した。
(10−フェニル−9−アントリル)フェニル]−9H−カルバゾール(略称:CzPA
)とN−(9,10−ジフェニル−2−アントリル)−N,9−ジフェニル−9H−カル
バゾール−3−アミン(略称:2PCAPA)とを共蒸着することにより、発光層221
3を30nmの膜厚で形成した。ここで、CzPAと2PCAPAとの重量比は、1:0
.05(=CzPA:2PCAPA)となるように蒸着レートを調節した。
称:Alq)と9,18−ジヒドロ−9,18−ジメチルベンゾ[h]ベンゾ[7,8]
キノ[2,3−b]アクリジン−7,16−ジオン(略称:DMNQd−2)とを共蒸着
することにより、キャリアの移動を制御する層2214を10nmの膜厚で形成した。こ
こで、AlqとDMNQd−2との重量比は、1:0.005(=Alq:DMNQd−
2)となるように蒸着レートを調節した。
フェナントロリン(略称:BPhen)を30nmの膜厚となるように成膜し、電子輸送
層2215を形成した。
電子輸送層2215上に、フッ化リチウム(LiF)を1nmの膜厚となるように成膜
することにより、電子注入層2216を形成した。
最後に、抵抗加熱による蒸着法を用い、アルミニウムを200nmの膜厚となるように
成膜することにより、第2の電極2204を形成し、発光素子4を作製した。
、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、これらの発光素子の動作
特性について測定を行った。なお、測定は室温(25℃に保たれた雰囲気)で行った。
発光素子4の電流密度−輝度特性は図27に示す。また、電圧−輝度特性は図28に示
す。また、輝度−電流効率特性は図29に示す。また、1mAの電流を流したときの発光
スペクトルは図30に示す。
続点灯試験を行った結果を図26に示す(縦軸は、5000cd/m2を100%とした
時の相対輝度である)。
発光素子4は、輝度5000cd/m2のときのCIE色度座標が(x=0.30、y
=0.64)であり、2PCAPAに由来する緑色の発光を示した。また、輝度5000
cd/m2のときの電流効率は17cd/Aであり、駆動電圧は4.2Vであった。
さらに、発光素子4に関し、初期輝度を5000cd/m2として、定電流駆動による
連続点灯試験を行った結果、570時間後でも初期輝度の87%の輝度を保っており、長
寿命な発光素子であることがわかった。
まず、ガラス基板2201上に、酸化珪素を含む酸化インジウム−酸化スズをスパッタ
リング法にて成膜し、第1の電極2202を形成した。なお、その膜厚は110nmとし
、電極面積は2mm×2mmとした。
その後、第1の電極2202が形成された面が下方となるように、第1の電極2202
が形成された基板を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、10-4Pa程度
まで減圧した。
ルアミノ]ビフェニル(略称:NPB)と酸化モリブデン(VI)とを共蒸着することによ
り、複合材料を含む層2211を形成した。その膜厚は50nmとし、NPBと酸化モリ
ブデン(VI)の比率は、重量比で4:1=(NPB:酸化モリブデン)となるように蒸着
レートを調節した。
その後、抵抗加熱を用いた蒸着法により、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N
−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:NPB)を10nmの膜厚となるように成膜し、
正孔輸送層2212を形成した。
(10−フェニル−9−アントリル)フェニル]−9H−カルバゾール(略称:CzPA
)とN−(9,10−ジフェニル−2−アントリル)−N,9−ジフェニル−9H−カル
バゾール−3−アミン(略称:2PCAPA)とを共蒸着することにより、発光層221
3を30nmの膜厚で形成した。ここで、CzPAと2PCAPAとの重量比は、1:0
.05(=CzPA:2PCAPA)となるように蒸着レートを調節した。
称:Alq)とクマリン6(Coumarin6)とを共蒸着することにより、キャリアの移動を
制御する層2214を10nmの膜厚で形成した。ここで、Alqとクマリン6との重量
比は、1:0.01(=Alq:クマリン6)となるように蒸着レートを調節した。
フェナントロリン(略称:BPhen)を30nmの膜厚となるように成膜し、電子輸送
層2215を形成した。
電子輸送層2215上に、フッ化リチウム(LiF)を1nmの膜厚となるように成膜
することにより、電子注入層2216を形成した。
最後に、抵抗加熱による蒸着法を用い、アルミニウムを200nmの膜厚となるように
成膜することにより、第2の電極2204を形成し、発光素子5を作製した。
、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、これらの発光素子の動作
特性について測定を行った。なお、測定は室温(25℃に保たれた雰囲気)で行った。
発光素子5の電流密度−輝度特性を図31に示す。また、電圧−輝度特性を図32に示
す。また、輝度−電流効率特性を図33に示す。また、1mAの電流を流したときの発光
スペクトルを図34に示す。
連続点灯試験を行った結果を図26に示す(縦軸は、5000cd/m2を100%とし
た時の相対輝度である)。
発光素子5は、輝度5000cd/m2のときのCIE色度座標が(x=0.30、y
=0.63)であり、2PCAPAに由来する緑色の発光を示した。また、輝度5000
cd/m2のときの電流効率は16cd/Aであり、駆動電圧は4.5Vであった。
さらに、発光素子5に関し、初期輝度を5000cd/m2として、定電流駆動による
連続点灯試験を行った結果、150時間後でも初期輝度の93%の輝度を保っており、長
寿命な発光素子であることがわかった。
次に、比較のため、上述した発光素子3ないし発光素子5のキャリアの移動を制御する
層2214において、電子トラップ性の有機化合物を含まないようにした(すなわちAl
qのみを用いて2214を形成した)以外は発光素子3ないし発光素子5と同様にして、
比較発光素子6を作製した。作製方法を以下に示す。まず、ガラス基板上に、酸化珪素を
含む酸化インジウム−酸化スズをスパッタリング法にて成膜し、第1の電極を形成した。
なお、その膜厚は110nmとし、電極面積は2mm×2mmとした。
真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、10-4Pa程度まで減圧した後、第
1の電極上に、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニ
ル(略称:NPB)と酸化モリブデン(VI)とを共蒸着することにより、複合材料を含む
層を形成した。その膜厚は50nmとし、NPBと酸化モリブデン(VI)の比率は、重量
比で4:1=(NPB:酸化モリブデン)となるように蒸着レートを調節した。
フェニルアミノ]ビフェニル(略称:NPB)を10nmの膜厚となるように成膜し、正
孔輸送層を形成した。
その後、正孔輸送層上に、発光層を形成した。その際には、9−[4−(10−フェニ
ル−9−アントリル)フェニル]−9H−カルバゾール(略称:CzPA)とN−(9,
10−ジフェニル−2−アントリル)−N,9−ジフェニル−9H−カルバゾール−3−
アミン(略称:2PCAPA)とを共蒸着することにより、発光層を30nmの膜厚で形
成した。ここで、CzPAと2PCAPAとの重量比は、1:0.05(=CzPA:2
PCAPA)となるように蒸着レートを調節した。
q)を10nmの膜厚で形成した。つまり、発光素子3ないし発光素子5とは異なり、A
lqのみからなる層を形成した。
その後抵抗加熱による蒸着法を用いて、Alqのみからなる層上にバソフェナントロリ
ン(略称:BPhen)を30nmの膜厚となるように成膜し、電子輸送層を形成した。
さらに、電子輸送層上に、フッ化リチウム(LiF)を1nmの膜厚となるように成膜
することにより、電子注入層を形成した。
成膜することにより、第2の電極を形成し、比較発光素子6を作製した。
以上により得られた比較発光素子6を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発
光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、比較発光素子6の動作特性に
ついて測定を行った。なお、測定は室温(25℃に保たれた雰囲気)で行った。
、y=0.64)、電流効率が18cd/Aであり、発光素子3ないし発光素子5と同様
、2PCAPAに由来する緑色の発光を示した。しかしながら、初期輝度を5000cd
/m2として、定電流駆動による連続点灯試験を行った結果、図26に示す通り、260
時間後には初期輝度の75%にまで輝度が低下しており、発光素子3ないし発光素子5よ
りも寿命が短かった。
以上のことから、本発明を適用することにより、長寿命な発光素子が得られることがわ
かった。
子5においてキャリアの移動を制御する層に用いた、トリス(8−キノリノラト)アルミ
ニウム(III)(略称:Alq)、N,N’−ジフェニルキナクリドン(略称:DPQd
)及びクマリン6の還元反応特性について、サイクリックボルタンメトリ(CV)測定に
よって調べた。また、その測定から、Alq、DPQd、クマリン6のLUMO準位を求
めた。なお測定には、電気化学アナライザー(ビー・エー・エス(株)製、型番:ALS
モデル600Aまたは600C)を用いた。
ルドリッチ製、99.8%、カタログ番号;22705−6)を用い、支持電解質である
過塩素酸テトラ−n−ブチルアンモニウム(n−Bu4NClO4)((株)東京化成製、
カタログ番号;T0836)を100mmol/Lの濃度となるように溶解させ、さらに
測定対象を1mmol/Lの濃度となるように溶解させて調製した。また、作用電極とし
ては白金電極(ビー・エー・エス(株)製、PTE白金電極)を、補助電極としては白金
電極(ビー・エー・エス(株)製、VC−3用Ptカウンター電極(5cm))を、参照
電極としてはAg/Ag+電極(ビー・エー・エス(株)製、RE5非水溶媒系参照電極
)をそれぞれ用いた。なお、測定は室温(20〜25℃)で行った。
まず、本実施例3で用いる参照電極(Ag/Ag+電極)の真空準位に対するポテンシ
ャルエネルギー(eV)を算出した。つまり、Ag/Ag+電極のフェルミ準位を算出し
た。メタノール中におけるフェロセンの酸化還元電位は、標準水素電極に対して+0.6
10[V vs. SHE]であることが知られている(参考文献;Christian R.Goldsm
ith et al., J.Am.Chem.Soc., Vol.124, No.1,83-96, 2002)。他方、本実施例3で用い
る参照電極を用いて、メタノール中におけるフェロセンの酸化還元電位を求めたところ、
+0.20V[vs.Ag/Ag+]であった。
に対して0.41[eV]低くなっていることがわかった。
ここで、標準水素電極の真空準位からのポテンシャルエネルギーは−4.44eVであ
ることが知られている(参考文献;大西敏博・小山珠美著、高分子EL材料(共立出版)
、p.64−67)。以上のことから、本実施例3で用いる参照電極の真空準位に対する
ポテンシャルエネルギーは、−4.44−0.41=−4.85[eV]であると算出で
きた。
本測定例1では、Alqの還元反応特性について、サイクリックボルタンメトリ(CV
)測定によって調べた。スキャン速度は0.1V/secとした。測定結果を図35に示
す。なお、還元反応特性の測定は、参照電極に対する作用電極の電位を−0.69Vから
−2.40Vまで走査した後、−2.40Vから−0.69Vまで走査することにより行
った。
.12Vと読み取ることができる。したがって、半波電位(EpcとEpaの中間の電位)は
−2.16Vと算出できる。このことは、Alqは−2.16V[vs.Ag/Ag+]
の電気エネルギーにより還元されることを示しており、このエネルギーはLUMO準位に
相当する。ここで、上述した通り、本実施例3で用いる参照電極の真空準位に対するポテ
ンシャルエネルギーは、−4.85[eV]であるため、AlqのLUMO準位は、−4
.85−(−2.16)=−2.69[eV]であることがわかった。
本測定例2では、DPQdの還元反応特性について、サイクリックボルタンメトリ(C
V)測定によって調べた。スキャン速度は0.1V/secとした。測定結果を図36に
示す。なお、還元反応特性の測定は、参照電極に対する作用電極の電位を−0.40Vか
ら−2.10Vまで走査した後、−2.10Vから−0.40Vまで走査することにより
行った。また、DPQdは溶解性が悪く、1mmol/Lの濃度となるように溶液を調製
しようとしても溶け残りが生じたため、溶け残りが沈殿した状態で上澄み液を採取し、測
定に使用した。
.63Vと読み取ることができる。したがって、半波電位(EpcとEpaの中間の電位)は
−1.66Vと算出できる。このことは、DPQdは−1.66V[vs.Ag/Ag+
]の電気エネルギーにより還元されることを示しており、このエネルギーはLUMO準位
に相当する。ここで、上述した通り、本実施例3で用いる参照電極の真空準位に対するポ
テンシャルエネルギーは、−4.85[eV]であるため、DPQdのLUMO準位は、
−4.85−(−1.66)=−3.19[eV]であることがわかった。
dのLUMO準位はAlqよりも0.50[eV]も低いことがわかる。このことは、D
PQdをAlq中に添加することにより、DPQdが電子トラップとして作用することを
意味する。したがって、本発明の発光素子の第2の層において、第2の有機化合物として
DPQdを、第1の有機化合物としてAlqを用いた実施例1および実施例2の素子構造
は、本発明に好適な構造である。
ゾ[7,8]キノ[2,3−b]アクリジン−7,16−ジオン(略称:DMNQd−2
)は溶解性が極端に悪く、CV測定ができなかった。しかしながら、DMNQd−2はD
PQdと同様のキナクリドン誘導体であるため、分子骨格内にカルボニル基を有しており
、強い電子トラップ性を有する。したがって、DMNQd−2はDPQdと同様の物性を
有していると考えられる。
本測定例3では、クマリン6の還元反応特性について、サイクリックボルタンメトリ(
CV)測定によって調べた。スキャン速度は0.1V/secとした。測定結果を図37
に示す。なお、還元反応特性の測定は、参照電極に対する作用電極の電位を−0.31V
から−2.00Vまで走査した後、−2.00Vから−0.31Vまで走査することによ
り行った。
.77Vと読み取ることができる。したがって、半波電位(EpcとEpaの中間の電位)は
−1.81Vと算出できる。このことは、クマリン6は−1.81V[vs.Ag/Ag
+]の電気エネルギーにより還元されることを示しており、このエネルギーはLUMO準
位に相当する。ここで、上述した通り、本実施例3で用いる参照電極の真空準位に対する
ポテンシャルエネルギーは、−4.85[eV]であるため、クマリン6のLUMO準位
は、−4.85−(−1.81)=−3.04[eV]であることがわかった。
リン6のLUMO準位はAlqよりも0.35[eV]も低いことがわかる。このことは
、クマリン6をAlq中に添加することにより、クマリン6が電子トラップとして作用す
ることを意味する。したがって、本発明の発光素子のキャリアの移動を制御する層におい
て、第2の有機化合物としてクマリン6を、第1の有機化合物としてAlqを用いた実施
例2の素子構造は、本発明に好適な構造である。
素子の特性について具体的に説明する。また、特性については測定結果を示す図を用いて
具体的に説明する。
(発光素子7の作製)
まず、ガラス基板2201上に、酸化珪素を含む酸化インジウム−酸化スズをスパッタ
リング法にて成膜し、第1の電極2202を形成した。なお、その膜厚は110nmとし
、電極面積は2mm×2mmとした。
が形成された基板を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、10-4Pa程度
まで減圧した後、第1の電極2202上に、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N
−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:NPB)と酸化モリブデン(VI)とを共蒸着する
ことにより、複合材料を含む層2211を形成した。その膜厚は50nmとし、NPBと
酸化モリブデン(VI)の比率は、重量比で4:1=(NPB:酸化モリブデン)となるよ
うに蒸着レートを調節した。なお、共蒸着法とは、一つの処理室内で複数の蒸発源から同
時に蒸着を行う蒸着法である。
フェニルアミノ]ビフェニル(略称:NPB)を10nmの膜厚となるように成膜し、正
孔輸送層2212を形成した。
その後、正孔輸送層2212上に、発光層2213を形成した。その際には、9−[4
−(10−フェニル−9−アントリル)フェニル]−9H−カルバゾール(略称:CzP
A)とN−(9,10−ジフェニル−2−アントリル)−N,9−ジフェニル−9H−カ
ルバゾール−3−アミン(略称:2PCAPA)とを共蒸着することにより、発光層22
13を30nmの膜厚で形成した。ここで、CzPAと2PCAPAとの重量比は、1:
0.05(=CzPA:2PCAPA)となるように蒸着レートを調節した。
称:Alq)とN,N’−ジフェニルキナクリドン(略称:DPQd)とを共蒸着するこ
とにより、キャリアの移動を制御する層2214を10nmの膜厚で形成した。ここで、
AlqとDPQdとの重量比は、1:0.002(=Alq:DPQd)となるように蒸
着レートを調節した。
ス(8−キノリノラト)アルミニウム(III)(略称:Alq)を30nmの膜厚となる
ように成膜し、電子輸送層2215を形成した。
電子輸送層2215上に、フッ化リチウム(LiF)を1nmの膜厚となるように成膜
することにより、電子注入層2216を形成した。
成膜することにより、第2の電極2204を形成し、発光素子7を作製した。
以上により得られた本発明の発光素子7を、窒素雰囲気のグローブボックス内において
、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、これらの発光素子の動作
特性について測定を行った。なお、測定は室温(25℃に保たれた雰囲気)で行った。
発光素子7の電流密度−輝度特性を図38に示す。また、電圧−輝度特性を図39に示
す。また、輝度−電流効率特性を図40に示す。また、1mAの電流を流したときの発光
スペクトルを図41に示す。
流駆動による連続点灯試験を行った結果を図42に示す(縦軸は、1000cd/m2を
100%とした時の相対輝度である)。
発光素子7は、輝度1040cd/m2のときのCIE色度座標が(x=0.28、y
=0.65)であり、2PCAPAに由来する緑色の発光を示した。また、輝度1040
cd/m2のときの電流効率は16cd/Aであり、駆動電圧は5.4Vであり、パワー
効率は9.1lm/Wであった。
電流駆動による連続点灯試験を行った結果、1000時間後でも初期輝度の96%の輝度
を保っており、1700時間後でも初期輝度の94%の輝度を保っていることがわかった
。つまり、80℃という高温環境下でも非常に長寿命である発光素子を得ることができた
。
よって、本発明を適用することにより、長寿命な発光素子が得られることがわかった。
及び作製された発光素子の特性について具体的に説明する。また、特性については測定結
果を示す図を用いて具体的に説明する。
(発光素子8の作製)
まず、ガラス基板2201上に、酸化珪素を含む酸化インジウム−酸化スズをスパッタ
リング法にて成膜し、第1の電極2202を形成した。なお、その膜厚は110nmとし
、電極面積は2mm×2mmとした。
が形成された基板を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、10-4Pa程度
まで減圧した後、第1の電極2202上に、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N
−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:NPB)と酸化モリブデン(VI)とを共蒸着する
ことにより、複合材料を含む層2211を形成した。その膜厚は50nmとし、NPBと
酸化モリブデン(VI)の比率は、重量比で4:1=(NPB:酸化モリブデン)となるよ
うに蒸着レートを調節した。
フェニルアミノ]ビフェニル(略称:NPB)を10nmの膜厚となるように成膜し、正
孔輸送層2212を形成した。
その後、正孔輸送層2212上に、発光層2213を形成した。その際には、9−[4
−(10−フェニル−9−アントリル)フェニル]−9H−カルバゾール(略称:CzP
A)とN−(9,10−ジフェニル−2−アントリル)−N,9−ジフェニル−9H−カ
ルバゾール−3−アミン(略称:2PCAPA)とを共蒸着することにより、発光層22
13を30nmの膜厚で形成した。ここで、CzPAと2PCAPAとの重量比は、1:
0.05(=CzPA:2PCAPA)となるように蒸着レートを調節した。
称:Alq)とN,N’−ジフェニルキナクリドン(略称:DPQd)とを共蒸着するこ
とにより、キャリアの移動を制御する層2214を10nmの膜厚で形成した。ここで、
AlqとDPQdとの重量比は、1:0.002(=Alq:DPQd)となるように蒸
着レートを調節した。
フェナントロリン(略称:BPhen)を30nmの膜厚となるように成膜し、電子輸送
層2215を形成した。
電子輸送層2215上に、フッ化リチウム(LiF)を1nmの膜厚となるように成膜
することにより、電子注入層2216を形成した。
最後に、抵抗加熱による蒸着法を用い、アルミニウムを200nmの膜厚となるように
成膜することにより、第2の電極2204を形成し、発光素子8を作製した。
、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、これらの発光素子の動作
特性について測定を行った。なお、測定は室温(25℃に保たれた雰囲気)で行った。
発光素子8の電流密度−輝度特性を図43に示す。また、電圧−輝度特性を図44に示
す。また、輝度−電流効率特性を図45に示す。また、1mAの電流を流したときの発光
スペクトルを図46に示す。
続点灯試験を行った結果を図47に示す(縦軸は、1000cd/m2を100%とした
時の相対輝度である)。
発光素子8は、輝度1440cd/m2のときのCIE色度座標が(x=0.27、y
=0.65)であり、2PCAPAに由来する緑色の発光を示した。また、輝度1440
cd/m2のときの電流効率は17cd/Aであり、駆動電圧は3.8Vであり、パワー
効率は14lm/Wであった。
連続点灯試験を行った結果、3300時間後でも初期輝度の99%の輝度を保っており、
非常に長寿命な発光素子であることがわかった。
よって、本発明を適用することにより、長寿命な発光素子が得られることがわかった。
作製例及び作製された発光素子の特性について具体的に説明する。なお、特性については
測定結果を示す図を用いて具体的に説明する。
また、実施例6における発光素子9の作製で用いる有機化合物の構造式を以下に示す。
なお、他の実施例で既に示した有機化合物については省略する。
まず、ガラス基板2401上に、酸化珪素を含む酸化インジウム−酸化スズをスパッタ
リング法にて成膜し、第1の電極2402を形成した。なお、その膜厚は110nmとし
、電極面積は2mm×2mmとした。
続いて、第1の電極2402が形成された面が下方となるように、第1の電極2402
が形成された基板を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、10-4Pa程度
まで減圧した。
ニルアミノ]ビフェニル(略称:NPB)と酸化モリブデン(VI)とを共蒸着することに
より、複合材料を含む層2411を形成した。その膜厚は50nmとし、NPBと酸化モ
リブデン(VI)の比率は、重量比で4:1=(NPB:酸化モリブデン)となるように蒸
着レートを調節した。
フェニルアミノ]ビフェニル(略称:NPB)を10nmの膜厚となるように成膜し、正
孔輸送層2412を形成した。
さらに、正孔輸送層2412上に、2,3−ビス{4−[N−(4−ビフェニリル)−
N−フェニルアミノ]フェニル}キノキサリン(略称:BPAPQ)と4,4’−ビス(
N−{4−[N’−(3−メチルフェニル)−N’−フェニルアミノ]フェニル}−N−
フェニルアミノ)ビフェニル(略称:DNTPD)とを共蒸着することにより、キャリア
の移動を制御する層2413を10nmの膜厚で形成した。ここで、BPAPQとDNT
PDとの重量比は、1:0.1(=BPAPQ:DNTPD)となるように蒸着レートを
調節した。
3−ビス{4−[N−(4−ビフェニリル)−N−フェニルアミノ]フェニル}キノキサ
リン(略称:BPAPQ)と(アセチルアセトナト)ビス[2,3−ビス(4−フルオロ
フェニル)キノキサリナト]イリジウム(III)(略称:Ir(Fdpq)2(acac)
)とを共蒸着することにより、発光層2414を20nmの膜厚で形成した。ここで、B
PAPQとIr(Fdpq)2(acac)との重量比は、1:0.07(=BPAPQ
:Ir(Fdpq)2(acac))となるように蒸着レートを調節した。
)アルミニウム(III)(略称:Alq)を10nmの膜厚となるように成膜し、電子輸
送層2415を形成した。
電子輸送層2415上に、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(III)(略称:
Alq)とリチウム(Li)とを共蒸着することにより、電子注入層2416を50nm
の膜厚で形成した。ここで、AlqとLiとの重量比は、1:0.01(=Alq:Li
)となるように蒸着レートを調節した。
成膜することにより、第2の電極2404を形成し、発光素子9を作製した。
以上により得られた本発明の発光素子9を、窒素雰囲気のグローブボックス内において
、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、これらの発光素子の動作
特性について測定を行った。なお、測定は室温(25℃に保たれた雰囲気)で行った。
す。また、輝度−電流効率特性を図51に示す。また、1mAの電流を流したときの発光
スペクトルを図52に示す。また、発光素子9に関し、初期輝度を1000cd/m2と
して、定電流駆動による連続点灯試験を行った結果を図53に示す(縦軸は、1000c
d/m2を100%とした時の相対輝度である)。
=0.30)であり、Ir(Fdpq)2(acac)に由来する赤色の発光を示した。
また、輝度1060cd/m2のときの電流効率は4.7cd/Aであり、駆動電圧は6
.2Vであり、パワー効率は2.4lm/Wであった。
さらに、発光素子9に関し、初期輝度を1000cd/m2として、定電流駆動による
連続点灯試験を行った結果、2400時間後でも初期輝度の74%の輝度を保っており、
長寿命な発光素子であることがわかった。
発光素子10は、発光素子9のキャリアの移動を制御する層2413を、2,3−ビス
{4−[N−(4−ビフェニリル)−N−フェニルアミノ]フェニル}キノキサリン(略
称:BPAPQ)と4,4’,4’’−トリス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルア
ミノ]トリフェニルアミン(略称:1−TNATA)とを用いて形成した。
N−フェニルアミノ]フェニル}キノキサリン(略称:BPAPQ)と4,4’,4’’
−トリス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]トリフェニルアミン(略称:1
−TNATA)とを共蒸着することにより、キャリアの移動を制御する層2413を10
nmの膜厚で形成した。ここで、BPAPQと1−TNATAとの重量比は、1:0.1
(=BPAPQ:1−TNATA(これについては以下に構造式を示す))となるように
蒸着レートを調節した。なお、キャリアの移動を制御する層2413以外は発光素子9と
同様に作製した。
て、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、これらの発光素子の動
作特性について測定を行った。なお、測定は室温(25℃に保たれた雰囲気)で行った。
発光素子10の電流密度−輝度特性を図54に示す。また、電圧−輝度特性を図55に
示す。また、輝度−電流効率特性を図56に示す。また、1mAの電流を流したときの発
光スペクトルを図57に示す。また、発光素子10に関し、初期輝度を1000cd/m
2として、定電流駆動による連続点灯試験を行った結果を図58に示す(縦軸は、100
0cd/m2を100%とした時の相対輝度である)。
=0.30)であり、Ir(Fdpq)2(acac)に由来する赤色の発光を示した。
また、輝度960cd/m2のときの電流効率は5.1cd/Aであり、駆動電圧は7.
0Vであり、パワー効率は2.3lm/Wであった。
さらに、発光素子10に関し、初期輝度を1000cd/m2として、定電流駆動によ
る連続点灯試験を行った結果、1100時間後でも初期輝度の84%の輝度を保っており
、長寿命な発光素子であることがわかった。
次に、比較のため、上述した発光素子9及び発光素子10のキャリアの移動を制御する
層2413を設けない構成の比較発光素子11を作製した。作製方法を以下に示す。まず
、ガラス基板上に、酸化珪素を含む酸化インジウム−酸化スズをスパッタリング法にて成
膜し、第1の電極を形成した。なお、その膜厚は110nmとし、電極面積は2mm×2
mmとした。
を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、10-4Pa程度まで減圧した後、
第1の電極上に、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェ
ニル(略称:NPB)と酸化モリブデン(VI)とを共蒸着することにより、複合材料を含
む層を形成した。その膜厚は50nmとし、NPBと酸化モリブデン(VI)の比率は、重
量比で4:1=(NPB:酸化モリブデン)となるように蒸着レートを調節した。
その後、抵抗加熱を用いた蒸着法により、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N
−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:NPB)を10nmの膜厚となるように成膜し、
正孔輸送層を形成した。
リル)−N−フェニルアミノ]フェニル}キノキサリン(略称:BPAPQ)と(アセチ
ルアセトナト)ビス[2,3−ビス(4−フルオロフェニル)キノキサリナト]イリジウ
ム(III)(略称:Ir(Fdpq)2(acac))とを共蒸着することにより、発光層
を30nmの膜厚で形成した。ここで、BPAPQとIr(Fdpq)2(acac)と
の重量比は、1:0.07(=BPAPQ:Ir(Fdpq)2(acac))となるよ
うに蒸着レートを調節した。つまり、発光素子9および発光素子10とは異なり、キャリ
アの移動を制御する層を設けず、正孔輸送層上に発光層を形成した。
ニウム(III)(略称:Alq)を10nmの膜厚となるように成膜し、電子輸送層を形
成した。
電子輸送層上に、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(III)(略称:Alq)
とリチウム(Li)とを共蒸着することにより、電子注入層を50nmの膜厚で形成した
。ここで、AlqとLiとの重量比は、1:0.01(=Alq:Li)となるように蒸
着レートを調節した。
成膜することにより、第2の電極を形成し、比較発光素子11を作製した。
以上により得られた比較発光素子11を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、
発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、比較発光素子2の動作特性
について測定を行った。なお、測定は室温(25℃に保たれた雰囲気)で行った。
0に示す。また、輝度−電流効率特性を図61に示す。また、1mAの電流を流したとき
の発光スペクトルを図62に示す。
また、比較発光素子11に関し、初期輝度を1000cd/m2として、定電流駆動に
よる連続点灯試験を行った結果を図63に示す(縦軸は、1000cd/m2を100%
とした時の相対輝度である)。
5、y=0.34)であり、Ir(Fdpq)2(acac)に由来する赤色の発光を示
した。しかしながら、図62からわかるように、発光層に接するAlqの発光が見られ、
発光素子9および発光素子10に比べ、色純度が低下していることがわかる。つまり、比
較発光素子11は、発光素子9および発光素子10に比べキャリアバランスが悪くなって
いることが示唆される。
であり、駆動電圧は4.8Vであり、パワー効率は1.9lm/Wであった。
さらに、比較発光素子11に関し、初期輝度を1000cd/m2として、定電流駆動
による連続点灯試験を行った結果、1300時間後では初期輝度の73%の輝度であり、
発光素子9および発光素子10よりも寿命が短かった。
よって、本発明を適用することにより、長寿命な発光素子が得られることがわかった。
用いた、2,3−ビス{4−[N−(4−ビフェニリル)−N−フェニルアミノ]フェニ
ル}キノキサリン(略称:BPAPQ)と4,4’−ビス(N−{4−[N’−(3−メ
チルフェニル)−N’−フェニルアミノ]フェニル}−N−フェニルアミノ)ビフェニル
(略称:DNTPD)の酸化反応特性について、サイクリックボルタンメトリ(CV)測
定によって調べた。
また、その測定から、BPAPQ、DNTPDのHOMO準位を求めた。なお測定には
、電気化学アナライザー(ビー・エー・エス(株)製、型番:ALSモデル600Aまた
は600C)を用いた。
チルホルムアミド(DMF)((株)アルドリッチ製、99.8%、カタログ番号;22
705−6)を用い、支持電解質である過塩素酸テトラ−n−ブチルアンモニウム(n−
Bu4NClO4)((株)東京化成製、カタログ番号;T0836)を100mmol/
Lの濃度となるように溶解させ、さらに測定対象を1mmol/Lの濃度となるように溶
解させて調製した。また、作用電極としては白金電極(ビー・エー・エス(株)製、PT
E白金電極)を、補助電極としては白金電極(ビー・エー・エス(株)製、VC−3用P
tカウンター電極(5cm))を、参照電極としてはAg/Ag+電極(ビー・エー・エ
ス(株)製、RE5非水溶媒系参照電極)をそれぞれ用いた。なお、測定は室温(20〜
25℃)で行った。
実施例3で示した方法により、本実施例7で用いる参照電極(Ag/Ag+電極)の真空
準位に対するポテンシャルエネルギー(eV)を算出した。その結果、本実施例7で用い
る参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは、−4.44−0.41=−4
.85[eV]であると算出できた。
本測定例4では、BPAPQの酸化反応特性について、サイクリックボルタンメトリ(
CV)測定によって調べた。スキャン速度は0.1V/secとした。測定結果を図64
に示す。なお、酸化反応特性の測定は、参照電極に対する作用電極の電位を−0.16V
から1.00Vまで走査した後、1.00Vから−0.16Vまで走査することにより行
った。
0Vと読み取ることができる。したがって、半波電位(EpcとEpaの中間の電位)は0.
69Vと算出できる。このことは、BPAPQは0.69V[vs.Ag/Ag+]の電
気エネルギーにより酸化されることを示しており、このエネルギーはHOMO準位に相当
する。ここで、上述した通り、本実施例7で用いる参照電極の真空準位に対するポテンシ
ャルエネルギーは、−4.85[eV]であるため、BPAPQのHOMO準位は、−4
.85−0.69=−5.54[eV]であることがわかった。
本測定例5では、DNTPDの酸化反応特性について、サイクリックボルタンメトリ(
CV)測定によって調べた。スキャン速度は0.1V/secとした。測定結果を図65
に示す。なお、酸化反応特性の測定は、参照電極に対する作用電極の電位を−0.05V
から1.20Vまで走査した後、1.20Vから−0.05Vまで走査することにより行
った。
6Vと読み取ることができる。したがって、半波電位(EpcとEpaの中間の電位)は0.
21Vと算出できる。このことは、DPQdは0.21V[vs.Ag/Ag+]の電気
エネルギーにより酸化されることを示しており、このエネルギーはHOMO準位に相当す
る。ここで、上述した通り、本実施例7で用いる参照電極の真空準位に対するポテンシャ
ルエネルギーは、−4.85[eV]であるため、DPQdのHOMO準位は、−4.8
5−0.21=−5.06[eV]であることがわかった。
DNTPDのHOMO準位はBPAPQよりも0.48[eV]も低いことがわかる。こ
のことは、DNTPDをBPAPQ中に添加することにより、DNTPDが正孔トラップ
として作用することを意味する。したがって、本発明の発光素子の第2の層において、第
2の有機化合物としてDNTPDを、第1の有機化合物としてBPAPQを用いた実施例
6の素子構造は、本発明に好適な構造である。
202 第1の電極
203 EL層
204 第2の電極
211 第1の層
212 第2の層
213 第3の層
214 第4の層
215 第5の層
216 第6の層
217 第7の層
401 基板
402 第1の電極
403 EL層
404 第2の電極
411 第1の層
412 第2の層
413 第3の層
414 第4の層
415 第5の層
416 第6の層
417 第7の層
501 第1の電極
502 第2の電極
511 第1の発光ユニット
512 第2の発光ユニット
513 電荷発生層
601 ソース側駆動回路
602 画素部
603 ゲート側駆動回路
604 封止基板
605 シール材
607 空間
608 配線
609 FPC(フレキシブルプリントサーキット)
610 素子基板
611 スイッチング用TFT
612 電流制御用TFT
613 第1の電極
614 絶縁物
616 EL層
617 第2の電極
618 発光素子
623 Nチャネル型TFT
624 Pチャネル型TFT
901 筐体
902 液晶層
903 バックライト
904 筐体
905 ドライバIC
906 端子
951 基板
952 電極
953 絶縁層
954 隔壁層
955 EL層
956 電極
2001 筐体
2002 光源
2201 ガラス基板
2202 第1の電極
2204 第2の電極
2211 複合材料を含む層
2212 正孔輸送層
2213 発光層
2214 キャリアの移動を制御する層
2215 電子輸送層
2216 電子注入層
2401 ガラス基板
2402 第1の電極
2404 第2の電極
2411 複合材料を含む層
2412 正孔輸送層
2413 キャリアの移動を制御する層
2414 発光層
2415 電子輸送層
2416 電子注入層
3001 照明装置
3002 テレビ装置
9101 筐体
9102 支持台
9103 表示部
9104 スピーカー部
9105 ビデオ入力端子
9201 本体
9202 筐体
9203 表示部
9204 キーボード
9205 外部接続ポート
9206 ポインティングデバイス
9401 本体
9402 筐体
9403 表示部
9404 音声入力部
9405 音声出力部
9406 操作キー
9407 外部接続ポート
9408 アンテナ
9501 本体
9502 表示部
9503 筐体
9504 外部接続ポート
9505 リモコン受信部
9506 受像部
9507 バッテリー
9508 音声入力部
9509 操作キー
9510 接眼部
Claims (3)
- 陽極と陰極の間に、発光層と第1の層とを有し、
前記第1の層は、前記発光層と前記陰極の間に設けられており、
前記第1の層は、電子輸送性を有する第1の有機化合物と、電子トラップ性を有する第2の有機化合物と、を有し、
前記第1の層は、前記第2の有機化合物よりも前記第1の有機化合物を多く含み、
前記発光層は、第3の有機化合物を有し、
前記第2及び前記第3の有機化合物は、燐光材料であることを特徴とする発光素子。 - 陽極と陰極の間に、発光層と第1の層とを有し、
前記第1の層は、前記発光層と前記陰極の間に設けられており、
前記第1の層は、電子輸送性を有する第1の有機化合物と、電子トラップ性を有する第2の有機化合物と、を有し、
前記第1の層は、前記第2の有機化合物よりも前記第1の有機化合物を多く含み、
前記発光層は、第3の有機化合物と、前記第3の有機化合物を分散させる機能を有する第4の有機化合物と、を有することを特徴とする発光素子。 - 陽極と陰極の間に、発光層と第1の層とを有し、
前記第1の層は、前記発光層と前記陰極の間に設けられており、
前記第1の層は、電子輸送性を有する第1の有機化合物と、電子トラップ性を有する第2の有機化合物と、を有し、
前記第1の層は、前記第2の有機化合物よりも前記第1の有機化合物を多く含み、
前記発光層は、第3の有機化合物と、前記第3の有機化合物を分散させる機能を有する第4の有機化合物と、を有し、
前記第4の有機化合物は、前記第1の有機化合物と異なることを特徴とする発光素子。
Applications Claiming Priority (6)
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JP2006184653 | 2006-07-04 | ||
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---|---|---|---|
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020059143A1 (ja) * | 2018-09-21 | 2020-03-26 | シャープ株式会社 | 発光素子、発光デバイス、及び発光素子の製造方法 |
Families Citing this family (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006164708A (ja) * | 2004-12-06 | 2006-06-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電子機器および発光装置 |
US7772761B2 (en) * | 2005-09-28 | 2010-08-10 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Organic electrophosphorescence device having interfacial layers |
EP1863105B1 (en) | 2006-06-02 | 2020-02-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device |
EP1876658A3 (en) * | 2006-07-04 | 2014-06-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device |
US7902742B2 (en) | 2006-07-04 | 2011-03-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device |
US7911135B2 (en) | 2006-11-29 | 2011-03-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light emitting device, electronic appliance, and method of manufacturing the same |
WO2008069153A1 (en) | 2006-12-04 | 2008-06-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device |
WO2008102713A1 (en) * | 2007-02-21 | 2008-08-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device and quinoxaline derivative |
US8178216B2 (en) * | 2007-02-28 | 2012-05-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Quinoxaline derivative, and light-emitting element, light-emitting device, and electronic device including quinoxaline derivative |
EP1973386B8 (en) * | 2007-03-23 | 2016-01-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and electronic device |
JP5530608B2 (ja) | 2007-09-13 | 2014-06-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子および発光装置 |
US8384283B2 (en) | 2007-09-20 | 2013-02-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device |
TWI638583B (zh) | 2007-09-27 | 2018-10-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 發光元件,發光裝置,與電子設備 |
CN101803058B (zh) * | 2007-10-19 | 2012-07-11 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光元件、发光设备和电子设备 |
EP2075860A3 (en) * | 2007-12-28 | 2013-03-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device and electronic device |
EP2091097A3 (en) * | 2008-02-13 | 2013-05-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device |
WO2009116547A1 (en) * | 2008-03-18 | 2009-09-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device and electronic device |
WO2009116605A1 (en) * | 2008-03-18 | 2009-09-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device and electronic device |
KR20120081231A (ko) | 2008-05-16 | 2012-07-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광소자, 및 조명장치 |
JP2010055864A (ja) | 2008-08-27 | 2010-03-11 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
EP2344928A1 (en) * | 2008-09-09 | 2011-07-20 | Merck Patent GmbH | Organic material and electrophotographic device |
CN101752514B (zh) * | 2008-12-17 | 2015-11-25 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光元件、照明装置、发光装置以及电子设备 |
KR101691395B1 (ko) * | 2009-09-04 | 2017-01-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자, 발광 장치, 및 이의 제조방법 |
JP2011139044A (ja) | 2009-12-01 | 2011-07-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置 |
DE102010010481A1 (de) | 2010-03-06 | 2011-09-08 | Merck Patent Gmbh | Organische Elektrolumineszenzvorrichtung |
TWI680600B (zh) | 2011-02-28 | 2019-12-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 發光元件 |
CN103427028B (zh) * | 2012-05-14 | 2016-04-13 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 有机电致发光器件及其制备方法 |
CN102969459A (zh) * | 2012-10-23 | 2013-03-13 | 上海大学 | 有机电致发光器件及其制备方法 |
KR102145424B1 (ko) * | 2013-11-11 | 2020-08-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 제조용 잉크 및 이를 이용한 표시장치의 제조방법 |
KR102214339B1 (ko) * | 2014-10-01 | 2021-02-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 백색 유기 발광 소자 |
CN105244446B (zh) | 2015-08-28 | 2018-06-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机电致发光器件及其制备方法、显示装置 |
CN108206241B (zh) * | 2016-12-19 | 2020-02-04 | 上海和辉光电有限公司 | 发光器件及制备方法,及有机电致发光显示器 |
KR20180099168A (ko) * | 2017-02-28 | 2018-09-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계발광 표시장치 |
KR20210008265A (ko) | 2019-07-12 | 2021-01-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 그의 제조방법 |
WO2022056905A1 (zh) * | 2020-09-21 | 2022-03-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光器件及其制备方法、发光基板及其制备方法和发光装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003229275A (ja) * | 2001-11-27 | 2003-08-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子 |
WO2005097941A1 (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 |
JP2005310742A (ja) * | 2004-03-25 | 2005-11-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2006066890A (ja) * | 2004-07-29 | 2006-03-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2006066872A (ja) * | 2004-03-25 | 2006-03-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2006086482A (ja) * | 2004-09-17 | 2006-03-30 | Fuji Photo Film Co Ltd | 有機電界発光素子 |
Family Cites Families (51)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3332491B2 (ja) * | 1993-08-27 | 2002-10-07 | 三洋電機株式会社 | 有機el素子 |
JP2795194B2 (ja) * | 1994-09-22 | 1998-09-10 | 株式会社デンソー | エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法 |
DE19500912A1 (de) * | 1995-01-13 | 1996-07-18 | Basf Ag | Elektrolumineszierende Anordnung |
JP3949214B2 (ja) | 1997-03-18 | 2007-07-25 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP3525034B2 (ja) * | 1997-07-31 | 2004-05-10 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP3370011B2 (ja) * | 1998-05-19 | 2003-01-27 | 三洋電機株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2000068057A (ja) | 1998-06-12 | 2000-03-03 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP3287344B2 (ja) * | 1998-10-09 | 2002-06-04 | 株式会社デンソー | 有機el素子 |
JP4592967B2 (ja) * | 2000-01-31 | 2010-12-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及び電気器具 |
JP2002075654A (ja) * | 2000-08-28 | 2002-03-15 | Fuji Xerox Co Ltd | 有機電界発光素子 |
TWI225312B (en) * | 2001-02-08 | 2004-12-11 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device |
JP3933591B2 (ja) * | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
DE10224021B4 (de) * | 2002-05-24 | 2006-06-01 | Novaled Gmbh | Phosphoreszentes lichtemittierendes Bauelement mit organischen Schichten |
JP2004079414A (ja) * | 2002-08-21 | 2004-03-11 | Nec Corp | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
JP2004079413A (ja) * | 2002-08-21 | 2004-03-11 | Nec Corp | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
JP4287198B2 (ja) | 2002-11-18 | 2009-07-01 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
TW595251B (en) * | 2002-12-09 | 2004-06-21 | Univ Nat Cheng Kung | Method for manufacturing organic light-emitting diodes |
US6833201B2 (en) * | 2003-01-31 | 2004-12-21 | Clemson University | Nanostructured-doped compound for use in an EL element |
JP2004273163A (ja) | 2003-03-05 | 2004-09-30 | Sony Corp | 有機el素子とその製造方法および有機elパネル |
US7037601B2 (en) * | 2003-05-28 | 2006-05-02 | Eastman Kodak Company | White light-emitting device structures |
JP2005038763A (ja) | 2003-07-17 | 2005-02-10 | Nippon Seiki Co Ltd | 有機elパネル |
US6963081B2 (en) * | 2003-09-30 | 2005-11-08 | Osram Otpo Semiconductors Gmbh | Interfacial trap layer to improve carrier injection |
JP4036812B2 (ja) * | 2003-09-30 | 2008-01-23 | 三洋電機株式会社 | 有機電界発光素子 |
TW200527956A (en) | 2003-10-24 | 2005-08-16 | Pentax Corp | White organic electroluminescent device |
TWI224943B (en) * | 2003-10-29 | 2004-12-01 | Au Optronics Corp | Organic electroluminescence device and fabricating method thereof |
US7045952B2 (en) * | 2004-03-04 | 2006-05-16 | Universal Display Corporation | OLEDs with mixed host emissive layer |
JP2005310741A (ja) * | 2004-03-25 | 2005-11-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
US7622200B2 (en) * | 2004-05-21 | 2009-11-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element |
JP2006077058A (ja) * | 2004-09-07 | 2006-03-23 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機化合物、及び有機エレクトロルミネッセンス素子 |
CN100592548C (zh) | 2004-11-30 | 2010-02-24 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光元件、发光器件和电子器件 |
JP4653469B2 (ja) | 2004-12-01 | 2011-03-16 | 出光興産株式会社 | 有機電界発光素子 |
JP2006164650A (ja) * | 2004-12-03 | 2006-06-22 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
TWI307250B (en) * | 2005-03-23 | 2009-03-01 | Au Optronics Corp | Organic electroluminescent device |
JP2006328223A (ja) * | 2005-05-26 | 2006-12-07 | Fuji Xerox Co Ltd | 高分子有機電子材料の製造方法、高分子有機電子材料及び有機電界発光素子 |
EP1863105B1 (en) * | 2006-06-02 | 2020-02-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device |
US7902742B2 (en) * | 2006-07-04 | 2011-03-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device |
EP1876658A3 (en) * | 2006-07-04 | 2014-06-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device |
US7911135B2 (en) * | 2006-11-29 | 2011-03-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light emitting device, electronic appliance, and method of manufacturing the same |
WO2008069153A1 (en) * | 2006-12-04 | 2008-06-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device |
WO2008102713A1 (en) * | 2007-02-21 | 2008-08-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device and quinoxaline derivative |
EP1973386B8 (en) * | 2007-03-23 | 2016-01-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and electronic device |
US20080284318A1 (en) * | 2007-05-17 | 2008-11-20 | Deaton Joseph C | Hybrid fluorescent/phosphorescent oleds |
JP5530608B2 (ja) * | 2007-09-13 | 2014-06-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子および発光装置 |
US8115382B2 (en) * | 2007-09-20 | 2012-02-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device, comprising controlled carrier transport |
US8384283B2 (en) * | 2007-09-20 | 2013-02-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device |
CN101803058B (zh) * | 2007-10-19 | 2012-07-11 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光元件、发光设备和电子设备 |
KR101548306B1 (ko) * | 2007-11-30 | 2015-08-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자, 발광 장치 및 전자기기 |
EP2075860A3 (en) * | 2007-12-28 | 2013-03-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device and electronic device |
EP2091097A3 (en) * | 2008-02-13 | 2013-05-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device |
KR20120081231A (ko) * | 2008-05-16 | 2012-07-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광소자, 및 조명장치 |
KR101352290B1 (ko) * | 2008-09-30 | 2014-01-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광다이오드 표시소자 |
-
2007
- 2007-06-14 EP EP07011708.0A patent/EP1876658A3/en not_active Withdrawn
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- 2007-06-22 US US11/821,522 patent/US7615925B2/en active Active
- 2007-07-04 CN CN201110191678.9A patent/CN102255054B/zh active Active
- 2007-07-04 KR KR1020070066875A patent/KR101434277B1/ko active IP Right Grant
- 2007-07-04 CN CN201110192303.4A patent/CN102244200B/zh active Active
- 2007-07-04 CN CN2007101271782A patent/CN101101974B/zh active Active
- 2007-07-04 JP JP2007176201A patent/JP5594928B2/ja active Active
-
2009
- 2009-11-05 US US12/612,779 patent/US8410688B2/en active Active
-
2012
- 2012-03-05 JP JP2012047909A patent/JP2012134538A/ja not_active Withdrawn
- 2012-04-03 US US13/438,517 patent/US8471465B2/en active Active
-
2013
- 2013-04-23 KR KR20130044572A patent/KR101488756B1/ko active IP Right Grant
-
2014
- 2014-08-05 JP JP2014159279A patent/JP2014239248A/ja not_active Withdrawn
-
2016
- 2016-08-02 JP JP2016151898A patent/JP2016197748A/ja not_active Withdrawn
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003229275A (ja) * | 2001-11-27 | 2003-08-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子 |
JP2005310742A (ja) * | 2004-03-25 | 2005-11-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2006066872A (ja) * | 2004-03-25 | 2006-03-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
WO2005097941A1 (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 |
JP2006066890A (ja) * | 2004-07-29 | 2006-03-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2006086482A (ja) * | 2004-09-17 | 2006-03-30 | Fuji Photo Film Co Ltd | 有機電界発光素子 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020059143A1 (ja) * | 2018-09-21 | 2020-03-26 | シャープ株式会社 | 発光素子、発光デバイス、及び発光素子の製造方法 |
US11903287B2 (en) | 2018-09-21 | 2024-02-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting element, light emitting device, and method for manufacturing light emitting element |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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