JP5594928B2 - 発光素子、発光装置並びに電子機器 - Google Patents
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Description
より詳しくは、寿命の長い電流励起型の発光素子に関する。またそれを用いた発光装置、電子機器に関する。
その場合、発光素子に電圧を印加することにより、一対の電極から電子および正孔がそれぞれ発光性の有機化合物を含む層に注入され、電流が流れる。そして、それらキャリア(電子および正孔)が再結合することにより、発光性の有機化合物が励起状態を形成し、その励起状態が基底状態に戻る際に発光する。
例えば、非特許文献1では、正孔ブロック層を設けることにより、燐光材料を用いた発光素子を効率良く発光させている。
テツオ ツツイ、外8名、ジャパニーズ ジャーナル オブ アプライド フィジックス、vol.38、L1502−L1504(1999)。
以上のようなことから、本発明は寿命の長い発光素子を提供することを課題とする。
また、寿命の長い発光装置および電子機器を提供することを課題とする。
さらに、上記構成において、第2の有機化合物は、クマリン誘導体であることが好ましい。
前記第2の有機化合物は、正孔トラップ性の有機化合物であり、前記キャリアの移動を制御する層において、前記第2の有機化合物よりも第1の有機化合物が多く含まれており、
前記第1の電極の電位が前記第2の電極の電位よりも高くなるように電圧を印加することにより、前記発光層からの発光が得られることを特徴とする発光素子である。
さらに、上記構成において、第1の有機化合物は、芳香族アミン化合物であることが好ましい。
さらに、それらのいずれの場合においても、キャリアの移動を制御する層と発光層とは接するように設けられていることが好ましい。
その際におけるキャリアトラップ性とは、絶対的なものではなく、キャリア輸送性との対比における相対的なものである。
すなわち、キャリアトラップ性とは、キャリアの移動を制御する層において使用されている第1の有機化合物のキャリア輸送性を所定範囲で低減できるものである。
例えば、第1の有機化合物が電子輸送性である場合には、電子トラップ性の第2の有機化合物は、前記第1の有機化合物の最低空軌道準位より0.3eV以上低い最低空軌道準位を有することが好ましい。
また、第1の有機化合物が正孔輸送性である場合には、正孔トラップ性の第2の有機化合物は、前記第1の有機化合物の最高被占有軌道準位より0.3eV以上高い最高被占有軌道準位を有することが好ましい。
さらに、本発明の発光素子を、発光装置および電子機器に適用することにより、発光効率が高く、消費電力が低減された発光装置および電子機器を得ることができる。また、寿命の長い発光装置および電子機器を得ることができる。
本発明の発光素子の一態様について図1(A)を用いて以下に説明する。本実施の形態では、キャリアの移動を制御する層として、電子の移動を制御する層を設けた発光素子について説明する。
すなわち、本発明では、キャリアの移動を制御する層を用いて、キャリアバランスの経時変化を抑制し、発光素子を長寿命化するために、電極から離れた部位でキャリアの再結合が行われるようにしたものである。
なお、本発明の発光素子においては、基板201は、該発光素子を利用する製品である発光装置あるいは電気機器中に残存するようにしてよいが、発光素子の作製工程において支持体として機能するものであってもよく、その場合には最終製品中に残存しないことになる。
なお、本明細書中において、複合とは、単に2つの材料を混合させるだけでなく、複数の材料を混合することによって材料間での電荷の授受が行われ得る状態になることを言う。
この他、低分子の有機化合物としては、フタロシアニン(略称:H2Pc)、銅(II)フタロシアニン(略称:CuPc)、バナジルフタロシアニン(略称:VOPc)等のフタロシアニン系の化合物が挙げられる。
なお、上述したPVK、PVTPA、PTPDMA、Poly−TPD等の高分子化合物と、上述したアクセプター性物質を用いて複合材料を形成し、第1の層211として用いてもよい。
また、第2の層212として、PVK、PVTPA、PTPDMA、Poly−TPDなどの高分子化合物を用いることもできる。
他方本発明の場合は、逆に、発光層の手前(陰極側)において電子の移動を制御しているため、多少電子のバランス(正孔に対する移動度や電荷量等)が崩れたとしても、発光層内における再結合の割合は変化しにくく、輝度が低下しにくいというメリットがある。
また、発光性の高い物質を他の物質に分散させた構成とすることにより、第3の層213の結晶化を抑制することができる。さらに、発光性の高い物質の濃度が高いことによる濃度消光を抑制することができる。
本発明の発光素子においては、このキャリアの移動を制御する層を有することが最大の特徴であり、その制御する層は、キャリア輸送性の有機化合物である第1の有機化合物とキャリアトラップ性の有機化合物である第1の有機化合物を含むものである。
そのキャリア輸送性の有機化合物には、電子輸送性の化合物と正孔輸送性の化合物があり、またキャリアトラップ性の有機化合物には電子トラップ性の化合物と正孔トラップ性の化合物とがある。
発光機能を担う層よりも陰極として機能する第2の電極側に設ける場合、第1の有機化合物は、電子輸送性を有する有機化合物であることが好ましい。つまり、第1の有機化合物は、正孔輸送性よりも電子輸送性の方が高い物質であることが好ましい。
第2の有機化合物が含まれることにより、層全体としては、第1の有機化合物のみからなる層よりも電子輸送速度が小さくなる。つまり、第2の有機化合物を添加することにより、キャリアの移動を制御することが可能となる。また、第2の有機化合物の濃度を制御することにより、キャリアの移動速度を制御することが可能となる。
具体的には、第2の有機化合物の濃度は、0.1重量%〜5重量%、または、0.1mol%〜5mol%であることが好ましい。
例えば、上述した材料のうち、高分子化合物を用いて湿式法でEL層を形成してもよい。または、低分子の有機化合物を用いて湿式法で形成することもできる。また、低分子の有機化合物を用いて真空蒸着法などの乾式法を用いてEL層を形成してもよい。
また、電極についても、ゾル−ゲル法を用いて湿式法で形成しても良いし、金属材料のペーストを用いて湿式法で形成してもよい。また、スパッタリング法や真空蒸着法などの乾式法を用いて形成しても良い。
発光は、第1の電極202または第2の電極204のいずれか一方または両方を通って外部に取り出される。従って、第1の電極202または第2の電極204のいずれか一方または両方は、透光性を有する電極である。
例えば、図1(B)に示すように、発光機能を担う第3の層213と、キャリアの移動を制御する層である第4の層214との間に、電子輸送性の高い物質を含む第7の層217を設けてもよい。
さらに、物質の組み合わせや混合比、膜厚などの制御でキャリアバランスを制御することが可能であるので、従来よりも容易にキャリアバランスの制御が可能となる。つまり、用いる材料そのものの物性を変化させなくても、混合比や膜厚等により、キャリアの移動を制御することができる。
さらに、キャリアの移動を制御する層を用いることにより、過剰の電子が注入されることや、発光層を突き抜けて正孔輸送層や正孔注入層へ電子が達することを抑制することができる。正孔輸送層や正孔注入層へ電子が達してしまうと、発光層内で再結合する確率が低下してしまい(すなわちキャリアバランスが崩れてしまい)、経時的な発光効率の低下を招いてしまう。つまり、発光素子の寿命が短くなってしまう。
さらに詳述すれば、キャリアの移動を制御する層に含まれる2種類以上の物質のうち、第1の有機化合物よりも少なく含まれている第2の有機化合物を用いてキャリアの移動を制御している。よって、キャリアの移動を制御する層に含まれている成分のうち少ない成分でキャリアの移動を制御することが可能である。その結果、経時劣化しにくく、発光素子の長寿命化を実現することができる。
なお、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることが可能である。
本実施の形態は、実施の形態1とは異なる本発明の発光素子の一態様であり、それについて図5(A)を用いて説明する。本実施の形態は、キャリアの移動を制御する層として、正孔の移動を制御する層を設けた発光素子であり、それについて説明する。
本発明の発光素子は、一対の電極間に複数の層を有する。当該複数の層は、電極から離れたところに発光領域が形成されるように、つまり電極から離れた部位でキャリアの再結合が行われるように、キャリア注入性の高い物質やキャリア輸送性の高い物質からなる層を組み合わせて積層されたものである。
第1の電極402としては、仕事関数の大きい(具体的には4.0eV以上)金属、合金、導電性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましく、実施の形態1で示したものと同様なものを用いることができる。
第2の層412は、正孔輸送性の高い物質を含む層であり、実施の形態1で示したものと同様なものを用いることができる。
発光機能を担う層よりも陽極として機能する第1の電極側に設ける場合、第1の有機化合物は、正孔輸送性を有する有機化合物であることが好ましい。つまり、第1の有機化合物は、電子輸送性よりも正孔輸送性の方が高い物質であることが好ましい。
具体的には、第2の有機化合物の濃度は、0.1重量%〜5重量%、または0.1mol%〜5mol%であることが好ましい。
第4の層414は、発光性の高い物質を含む層であり、実施の形態1で示した発光性の高い物質を用いることができる。また、(アセチルアセトナト)ビス[2,3−ビス(4−フルオロフェニル)キノキサリナト]イリジウム(III)(略称:Ir(Fdpq)2(acac))のような燐光材料を用いることもできる。
第6の層416は、電子注入性の高い物質を含む層であり、実施の形態1で示したものと同様なものを用いることができる。
例えば、上述した材料のうち、高分子化合物を用いて湿式法でEL層を形成してもよい。または、低分子の有機化合物を用いて湿式法で形成することもできる。また、低分子の有機化合物を用いて真空蒸着法などの乾式法を用いてEL層を形成してもよい。
また、電極についても、ゾル−ゲル法を用いて湿式法で形成しても良いし、金属材料のペーストを用いて湿式法で形成してもよい。また、スパッタリング法や真空蒸着法などの乾式法を用いて形成しても良い。
発光は、第1の電極402または第2の電極404のいずれか一方または両方を通って外部に取り出される。従って、第1の電極402または第2の電極404のいずれか一方または両方は、透光性を有する電極である。
例えば、図5(B)に示すように、発光機能を担う第4の層414と、キャリアの移動を制御する層である第3の層413との間に、正孔輸送性の高い物質を含む第7の層417を設けてもよい。
また、物質の組み合わせや混合比、膜厚などの制御でキャリアバランスを制御することが可能であるから、従来よりも容易にキャリアバランスの制御が可能となる。つまり、用いる材料そのものの物性を変化させなくても、混合比や膜厚等を制御することにより、キャリアの移動を制御することができる。
さらに、キャリアの移動を制御する層を用いることにより、過剰の正孔が注入されることや、発光層を突き抜けて電子輸送層や電子注入層へ正孔が達することを抑制することができる。電子輸送層や電子注入層へ正孔が達してしまうと、発光層内で再結合する確率が低下してしまい(すなわちキャリアバランスが崩れてしまい)、経時的な発光効率の低下を招いてしまう。つまり、発光素子の寿命が短くなってしまう。
すなわち、このようにすることにより、発光層の両側に、キャリアの移動を制御する層を設けることもでき、発光層の両側において、電極から離れた部位でキャリアの再結合が行われるようになり、より好ましい。
その結果、発光層の両側において、キャリアの移動を制御することにより、より一層モルフォロジーの変化や結晶化、凝集等の影響が小さくなり、経時劣化が起きにくく、経時的な発光効率の低下が起こりにくい長寿命の発光素子を得ることができる。
本実施の形態は、本発明に係る複数の発光ユニットを積層した構成の発光素子の態様を示すものであり、それについて、図9を参照して説明する。この発光素子は、第1の電極と第2の電極との間に、複数の発光ユニットを有する積層型発光素子である。発光ユニットとしては、実施の形態1で示したEL層203や実施の形態2で示したEL層403と同様な構成を用いることができる。つまり、実施の形態1や実施の形態2で示した発光素子は、1つの発光ユニットを有する発光素子であり、本実施の形態では、複数の発光ユニットを有する発光素子について説明する。
なお、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることが可能である。
本実施の形態は、本発明の発光素子を有する発光装置を示すものであり、それについて説明する。
本実施の形態では、画素部に本発明の発光素子を有する発光装置について図10を用いて説明する。なお、図10(A)は、発光装置を示す上面図、図10(B)は図10(A)をA−A’およびB−B’で切断した断面図である。
点線で示された601は駆動回路部(ソース側駆動回路)、602は画素部、603は駆動回路部(ゲート側駆動回路)である。さらに、604は封止基板、605はシール材であり、シール材605で囲まれた内側は、空間607になっている。
なお、ソース側駆動回路601はNチャネル型TFT623とPチャネル型TFT624とを組み合わせたCMOS回路が形成される。また、駆動回路は、種々のCMOS回路、PMOS回路もしくはNMOS回路で形成しても良い。また、本実施の形態では、画素部と同一の基板上に駆動回路を形成したドライバ一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、駆動回路を画素部と同一の基板上ではなく外部に形成することもできる。
このようにして得られる本発明の発光装置は、長寿命の発光素子を有しているため、長寿命である。
また、本発明の発光素子は発光効率の高い発光素子であるため、高輝度の発光が可能であり、消費電力が低減された発光装置を得ることができる。
本実施の形態は、実施の形態4に示す発光装置をその一部に含む本発明の電子機器を示すものであり、それについて説明する。本発明の電子機器は、実施の形態1ないし実施の形態3で示した発光素子を有し、寿命の長い表示部を有する。また、発光効率の高い発光素子を有するため、消費電力の低減された表示部を得ることができる。
図13は、本発明の発光装置をバックライトとして用いた液晶表示装置の一例である。図13に示した液晶表示装置は、筐体901、液晶層902、バックライト903、筐体904を有し、液晶層902は、ドライバIC905と接続されている。また、バックライト903は、本発明の発光装置が用いられおり、端子906により、電流が供給されている。
図15は、本発明を適用した発光装置を、室内の照明装置3001として用いた例である。本発明の発光装置は大面積化も可能であるため、大面積の照明装置として用いることができる。また、本発明の発光装置は、長寿命であるため、長寿命の照明装置として用いることが可能となる。
まず、ガラス基板2201上に、酸化珪素を含む酸化インジウム−酸化スズをスパッタリング法にて成膜し、第1の電極2202を形成した。なお、その膜厚は110nmとし、電極面積は2mm×2mmとした。
続いて、第1の電極2202が形成された面が下方となるように、第1の電極2202が形成された基板を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、10-4Pa程度まで減圧した。
その後、正孔輸送層2212上に、発光層2213を形成した。その際には、9−[4−(10−フェニル−9−アントリル)フェニル]−9H−カルバゾール(略称:CzPA)とN−(9,10−ジフェニル−2−アントリル)−N,9−ジフェニル−9H−カルバゾール−3−アミン(略称:2PCAPA)とを共蒸着することにより、発光層2213を30nmの膜厚で形成した。ここで、CzPAと2PCAPAとの重量比は、1:0.05(=CzPA:2PCAPA)となるように蒸着レートを調節した。
その後、電子輸送層2215上に、フッ化リチウム(LiF)を1nmの膜厚となるように成膜することにより、電子注入層2216を形成した。
最後に、抵抗加熱による蒸着法を用い、アルミニウムを200nmの膜厚となるように成膜することにより、第2の電極2204を形成し、発光素子1を作製した。
発光素子1の電流密度−輝度特性を図17に示す。また、電圧−輝度特性を図18に示す。また、輝度−電流効率特性を図19に示す。また、1mAの電流を流したときの発光スペクトルを図20に示す。
発光素子1は、輝度5000cd/m2のときのCIE色度座標が(x=0.30、y=0.64)であり、2PCAPAに由来する緑色の発光を示した。また、輝度5000cd/m2のときの電流効率は14cd/Aであり、駆動電圧は8.1Vであった。
さらに、発光素子1に関し、初期輝度を5000cd/m2として、定電流駆動による連続点灯試験を行った結果、740時間後でも初期輝度の93%の輝度を保っており、長寿命な発光素子であることがわかった。
次に、比較のため、上述した発光素子1のキャリアの移動を制御する層2214を設けない構成の比較発光素子2を作製した。作製方法を以下に示す。まず、ガラス基板上に、酸化珪素を含む酸化インジウム−酸化スズをスパッタリング法にて成膜し、第1の電極を形成した。なお、その膜厚は110nmとし、電極面積は2mm×2mmとした。
その後、正孔輸送層上に、発光層を形成した。その際には9−[4−(10−フェニル−9−アントリル)フェニル]−9H−カルバゾール(略称:CzPA)とN−(9,10−ジフェニル−2−アントリル)−N,9−ジフェニル−9H−カルバゾール−3−アミン(略称:2PCAPA)とを共蒸着することにより、発光層を40nmの膜厚で形成した。ここで、CzPAと2PCAPAとの重量比は、1:0.05(=CzPA:2PCAPA)となるように蒸着レートを調節した。
その後、電子輸送層上に、フッ化リチウム(LiF)を1nmの膜厚となるように成膜することにより、電子注入層を形成した。
最後に、抵抗加熱による蒸着法を用い、アルミニウムを200nmの膜厚となるように成膜することにより、第2の電極を形成し、比較発光素子2を作製した。
比較発光素子2は、輝度5000cd/m2のときのCIE色度座標は(x=0.29、y=0.62)、電流効率が13cd/Aであり、発光素子1と同様、2PCAPAに由来する緑色の発光を示した。
よって、本発明を適用することにより、長寿命な発光素子が得られることがわかった。
まず、ガラス基板2201上に、酸化珪素を含む酸化インジウム−酸化スズをスパッタリング法にて成膜し、第1の電極2202を形成した。なお、その膜厚は110nmとし、電極面積は2mm×2mmとした。
その後、第1の電極2202が形成された面が下方となるように、第1の電極2202が形成された基板を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、10-4Pa程度まで減圧した
続いて、抵抗加熱を用いた蒸着法により、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:NPB)を10nmの膜厚となるように成膜し、正孔輸送層2212を形成した。
電子輸送層2215上に、フッ化リチウム(LiF)を1nmの膜厚となるように成膜することにより、電子注入層2216を形成した。
最後に、抵抗加熱による蒸着法を用い、アルミニウムを200nmの膜厚となるように成膜することにより、第2の電極2204を形成し、発光素子3を作製した。
発光素子3は、輝度5000cd/m2のときのCIE色度座標が(x=0.30、y=0.63)であり、2PCAPAに由来する緑色の発光を示した。また、輝度5000cd/m2のときの電流効率は13cd/Aであり、駆動電圧は5.5Vであった。
さらに、発光素子3に関し、初期輝度を5000cd/m2として、定電流駆動による連続点灯試験を行った結果、570時間後でも初期輝度の88%の輝度を保っており、長寿命な発光素子であることがわかった。
まず、ガラス基板2201上に、酸化珪素を含む酸化インジウム−酸化スズをスパッタリング法にて成膜し、第1の電極2202を形成した。なお、その膜厚は110nmとし、電極面積は2mm×2mmとした。
続いて、第1の電極2202が形成された面が下方となるように、第1の電極2202が形成された基板を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、10-4Pa程度まで減圧した。
その後、抵抗加熱を用いた蒸着法により、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:NPB)を10nmの膜厚となるように成膜し、正孔輸送層2212を形成した。
電子輸送層2215上に、フッ化リチウム(LiF)を1nmの膜厚となるように成膜することにより、電子注入層2216を形成した。
最後に、抵抗加熱による蒸着法を用い、アルミニウムを200nmの膜厚となるように成膜することにより、第2の電極2204を形成し、発光素子4を作製した。
発光素子4の電流密度−輝度特性は図27に示す。また、電圧−輝度特性は図28に示す。また、輝度−電流効率特性は図29に示す。また、1mAの電流を流したときの発光スペクトルは図30に示す。
発光素子4は、輝度5000cd/m2のときのCIE色度座標が(x=0.30、y=0.64)であり、2PCAPAに由来する緑色の発光を示した。また、輝度5000cd/m2のときの電流効率は17cd/Aであり、駆動電圧は4.2Vであった。
さらに、発光素子4に関し、初期輝度を5000cd/m2として、定電流駆動による連続点灯試験を行った結果、570時間後でも初期輝度の87%の輝度を保っており、長寿命な発光素子であることがわかった。
まず、ガラス基板2201上に、酸化珪素を含む酸化インジウム−酸化スズをスパッタリング法にて成膜し、第1の電極2202を形成した。なお、その膜厚は110nmとし、電極面積は2mm×2mmとした。
その後、第1の電極2202が形成された面が下方となるように、第1の電極2202が形成された基板を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、10-4Pa程度まで減圧した。
その後、抵抗加熱を用いた蒸着法により、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:NPB)を10nmの膜厚となるように成膜し、正孔輸送層2212を形成した。
電子輸送層2215上に、フッ化リチウム(LiF)を1nmの膜厚となるように成膜することにより、電子注入層2216を形成した。
最後に、抵抗加熱による蒸着法を用い、アルミニウムを200nmの膜厚となるように成膜することにより、第2の電極2204を形成し、発光素子5を作製した。
発光素子5の電流密度−輝度特性を図31に示す。また、電圧−輝度特性を図32に示す。また、輝度−電流効率特性を図33に示す。また、1mAの電流を流したときの発光スペクトルを図34に示す。
発光素子5は、輝度5000cd/m2のときのCIE色度座標が(x=0.30、y=0.63)であり、2PCAPAに由来する緑色の発光を示した。また、輝度5000cd/m2のときの電流効率は16cd/Aであり、駆動電圧は4.5Vであった。
さらに、発光素子5に関し、初期輝度を5000cd/m2として、定電流駆動による連続点灯試験を行った結果、150時間後でも初期輝度の93%の輝度を保っており、長寿命な発光素子であることがわかった。
次に、比較のため、上述した発光素子3ないし発光素子5のキャリアの移動を制御する層2214において、電子トラップ性の有機化合物を含まないようにした(すなわちAlqのみを用いて2214を形成した)以外は発光素子3ないし発光素子5と同様にして、比較発光素子6を作製した。作製方法を以下に示す。まず、ガラス基板上に、酸化珪素を含む酸化インジウム−酸化スズをスパッタリング法にて成膜し、第1の電極を形成した。なお、その膜厚は110nmとし、電極面積は2mm×2mmとした。
その後、正孔輸送層上に、発光層を形成した。その際には、9−[4−(10−フェニル−9−アントリル)フェニル]−9H−カルバゾール(略称:CzPA)とN−(9,10−ジフェニル−2−アントリル)−N,9−ジフェニル−9H−カルバゾール−3−アミン(略称:2PCAPA)とを共蒸着することにより、発光層を30nmの膜厚で形成した。ここで、CzPAと2PCAPAとの重量比は、1:0.05(=CzPA:2PCAPA)となるように蒸着レートを調節した。
その後抵抗加熱による蒸着法を用いて、Alqのみからなる層上にバソフェナントロリン(略称:BPhen)を30nmの膜厚となるように成膜し、電子輸送層を形成した。
さらに、電子輸送層上に、フッ化リチウム(LiF)を1nmの膜厚となるように成膜することにより、電子注入層を形成した。
以上により得られた比較発光素子6を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、比較発光素子6の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温(25℃に保たれた雰囲気)で行った。
以上のことから、本発明を適用することにより、長寿命な発光素子が得られることがわかった。
まず、本実施例3で用いる参照電極(Ag/Ag+電極)の真空準位に対するポテンシャルエネルギー(eV)を算出した。つまり、Ag/Ag+電極のフェルミ準位を算出した。メタノール中におけるフェロセンの酸化還元電位は、標準水素電極に対して+0.610[V vs. SHE]であることが知られている(参考文献;Christian R.Goldsmith et al., J.Am.Chem.Soc., Vol.124, No.1,83-96, 2002)。他方、本実施例3で用いる参照電極を用いて、メタノール中におけるフェロセンの酸化還元電位を求めたところ、+0.20V[vs.Ag/Ag+]であった。
ここで、標準水素電極の真空準位からのポテンシャルエネルギーは−4.44eVであることが知られている(参考文献;大西敏博・小山珠美著、高分子EL材料(共立出版)、p.64−67)。以上のことから、本実施例3で用いる参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは、−4.44−0.41=−4.85[eV]であると算出できた。
本測定例1では、Alqの還元反応特性について、サイクリックボルタンメトリ(CV)測定によって調べた。スキャン速度は0.1V/secとした。測定結果を図35に示す。なお、還元反応特性の測定は、参照電極に対する作用電極の電位を−0.69Vから−2.40Vまで走査した後、−2.40Vから−0.69Vまで走査することにより行った。
本測定例2では、DPQdの還元反応特性について、サイクリックボルタンメトリ(CV)測定によって調べた。スキャン速度は0.1V/secとした。測定結果を図36に示す。なお、還元反応特性の測定は、参照電極に対する作用電極の電位を−0.40Vから−2.10Vまで走査した後、−2.10Vから−0.40Vまで走査することにより行った。また、DPQdは溶解性が悪く、1mmol/Lの濃度となるように溶液を調製しようとしても溶け残りが生じたため、溶け残りが沈殿した状態で上澄み液を採取し、測定に使用した。
本測定例3では、クマリン6の還元反応特性について、サイクリックボルタンメトリ(CV)測定によって調べた。スキャン速度は0.1V/secとした。測定結果を図37に示す。なお、還元反応特性の測定は、参照電極に対する作用電極の電位を−0.31Vから−2.00Vまで走査した後、−2.00Vから−0.31Vまで走査することにより行った。
(発光素子7の作製)
まず、ガラス基板2201上に、酸化珪素を含む酸化インジウム−酸化スズをスパッタリング法にて成膜し、第1の電極2202を形成した。なお、その膜厚は110nmとし、電極面積は2mm×2mmとした。
その後、正孔輸送層2212上に、発光層2213を形成した。その際には、9−[4−(10−フェニル−9−アントリル)フェニル]−9H−カルバゾール(略称:CzPA)とN−(9,10−ジフェニル−2−アントリル)−N,9−ジフェニル−9H−カルバゾール−3−アミン(略称:2PCAPA)とを共蒸着することにより、発光層2213を30nmの膜厚で形成した。ここで、CzPAと2PCAPAとの重量比は、1:0.05(=CzPA:2PCAPA)となるように蒸着レートを調節した。
電子輸送層2215上に、フッ化リチウム(LiF)を1nmの膜厚となるように成膜することにより、電子注入層2216を形成した。
以上により得られた本発明の発光素子7を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、これらの発光素子の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温(25℃に保たれた雰囲気)で行った。
発光素子7の電流密度−輝度特性を図38に示す。また、電圧−輝度特性を図39に示す。また、輝度−電流効率特性を図40に示す。また、1mAの電流を流したときの発光スペクトルを図41に示す。
発光素子7は、輝度1040cd/m2のときのCIE色度座標が(x=0.28、y=0.65)であり、2PCAPAに由来する緑色の発光を示した。また、輝度1040cd/m2のときの電流効率は16cd/Aであり、駆動電圧は5.4Vであり、パワー効率は9.1lm/Wであった。
よって、本発明を適用することにより、長寿命な発光素子が得られることがわかった。
(発光素子8の作製)
まず、ガラス基板2201上に、酸化珪素を含む酸化インジウム−酸化スズをスパッタリング法にて成膜し、第1の電極2202を形成した。なお、その膜厚は110nmとし、電極面積は2mm×2mmとした。
その後、正孔輸送層2212上に、発光層2213を形成した。その際には、9−[4−(10−フェニル−9−アントリル)フェニル]−9H−カルバゾール(略称:CzPA)とN−(9,10−ジフェニル−2−アントリル)−N,9−ジフェニル−9H−カルバゾール−3−アミン(略称:2PCAPA)とを共蒸着することにより、発光層2213を30nmの膜厚で形成した。ここで、CzPAと2PCAPAとの重量比は、1:0.05(=CzPA:2PCAPA)となるように蒸着レートを調節した。
電子輸送層2215上に、フッ化リチウム(LiF)を1nmの膜厚となるように成膜することにより、電子注入層2216を形成した。
最後に、抵抗加熱による蒸着法を用い、アルミニウムを200nmの膜厚となるように成膜することにより、第2の電極2204を形成し、発光素子8を作製した。
発光素子8の電流密度−輝度特性を図43に示す。また、電圧−輝度特性を図44に示す。また、輝度−電流効率特性を図45に示す。また、1mAの電流を流したときの発光スペクトルを図46に示す。
発光素子8は、輝度1440cd/m2のときのCIE色度座標が(x=0.27、y=0.65)であり、2PCAPAに由来する緑色の発光を示した。また、輝度1440cd/m2のときの電流効率は17cd/Aであり、駆動電圧は3.8Vであり、パワー効率は14lm/Wであった。
よって、本発明を適用することにより、長寿命な発光素子が得られることがわかった。
また、実施例6における発光素子9の作製で用いる有機化合物の構造式を以下に示す。なお、他の実施例で既に示した有機化合物については省略する。
まず、ガラス基板2401上に、酸化珪素を含む酸化インジウム−酸化スズをスパッタリング法にて成膜し、第1の電極2402を形成した。なお、その膜厚は110nmとし、電極面積は2mm×2mmとした。
続いて、第1の電極2402が形成された面が下方となるように、第1の電極2402が形成された基板を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、10-4Pa程度まで減圧した。
さらに、正孔輸送層2412上に、2,3−ビス{4−[N−(4−ビフェニリル)−N−フェニルアミノ]フェニル}キノキサリン(略称:BPAPQ)と4,4’−ビス(N−{4−[N’−(3−メチルフェニル)−N’−フェニルアミノ]フェニル}−N−フェニルアミノ)ビフェニル(略称:DNTPD)とを共蒸着することにより、キャリアの移動を制御する層2413を10nmの膜厚で形成した。ここで、BPAPQとDNTPDとの重量比は、1:0.1(=BPAPQ:DNTPD)となるように蒸着レートを調節した。
電子輸送層2415上に、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(III)(略称:Alq)とリチウム(Li)とを共蒸着することにより、電子注入層2416を50nmの膜厚で形成した。ここで、AlqとLiとの重量比は、1:0.01(=Alq:Li)となるように蒸着レートを調節した。
以上により得られた本発明の発光素子9を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、これらの発光素子の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温(25℃に保たれた雰囲気)で行った。
さらに、発光素子9に関し、初期輝度を1000cd/m2として、定電流駆動による連続点灯試験を行った結果、2400時間後でも初期輝度の74%の輝度を保っており、長寿命な発光素子であることがわかった。
発光素子10は、発光素子9のキャリアの移動を制御する層2413を、2,3−ビス{4−[N−(4−ビフェニリル)−N−フェニルアミノ]フェニル}キノキサリン(略称:BPAPQ)と4,4’,4’’−トリス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]トリフェニルアミン(略称:1−TNATA)とを用いて形成した。
発光素子10の電流密度−輝度特性を図54に示す。また、電圧−輝度特性を図55に示す。また、輝度−電流効率特性を図56に示す。また、1mAの電流を流したときの発光スペクトルを図57に示す。また、発光素子10に関し、初期輝度を1000cd/m2として、定電流駆動による連続点灯試験を行った結果を図58に示す(縦軸は、1000cd/m2を100%とした時の相対輝度である)。
さらに、発光素子10に関し、初期輝度を1000cd/m2として、定電流駆動による連続点灯試験を行った結果、1100時間後でも初期輝度の84%の輝度を保っており、長寿命な発光素子であることがわかった。
次に、比較のため、上述した発光素子9及び発光素子10のキャリアの移動を制御する層2413を設けない構成の比較発光素子11を作製した。作製方法を以下に示す。まず、ガラス基板上に、酸化珪素を含む酸化インジウム−酸化スズをスパッタリング法にて成膜し、第1の電極を形成した。なお、その膜厚は110nmとし、電極面積は2mm×2mmとした。
その後、抵抗加熱を用いた蒸着法により、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:NPB)を10nmの膜厚となるように成膜し、正孔輸送層を形成した。
電子輸送層上に、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(III)(略称:Alq)とリチウム(Li)とを共蒸着することにより、電子注入層を50nmの膜厚で形成した。ここで、AlqとLiとの重量比は、1:0.01(=Alq:Li)となるように蒸着レートを調節した。
以上により得られた比較発光素子11を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、比較発光素子2の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温(25℃に保たれた雰囲気)で行った。
また、比較発光素子11に関し、初期輝度を1000cd/m2として、定電流駆動による連続点灯試験を行った結果を図63に示す(縦軸は、1000cd/m2を100%とした時の相対輝度である)。
さらに、比較発光素子11に関し、初期輝度を1000cd/m2として、定電流駆動による連続点灯試験を行った結果、1300時間後では初期輝度の73%の輝度であり、発光素子9および発光素子10よりも寿命が短かった。
よって、本発明を適用することにより、長寿命な発光素子が得られることがわかった。
また、その測定から、BPAPQ、DNTPDのHOMO準位を求めた。なお測定には、電気化学アナライザー(ビー・エー・エス(株)製、型番:ALSモデル600Aまたは600C)を用いた。
実施例3で示した方法により、本実施例7で用いる参照電極(Ag/Ag+電極)の真空準位に対するポテンシャルエネルギー(eV)を算出した。その結果、本実施例7で用いる参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは、−4.44−0.41=−4.85[eV]であると算出できた。
本測定例4では、BPAPQの酸化反応特性について、サイクリックボルタンメトリ(CV)測定によって調べた。スキャン速度は0.1V/secとした。測定結果を図64に示す。なお、酸化反応特性の測定は、参照電極に対する作用電極の電位を−0.16Vから1.00Vまで走査した後、1.00Vから−0.16Vまで走査することにより行った。
本測定例5では、DNTPDの酸化反応特性について、サイクリックボルタンメトリ(CV)測定によって調べた。スキャン速度は0.1V/secとした。測定結果を図65に示す。なお、酸化反応特性の測定は、参照電極に対する作用電極の電位を−0.05Vから1.20Vまで走査した後、1.20Vから−0.05Vまで走査することにより行った。
202 第1の電極
203 EL層
204 第2の電極
211 第1の層
212 第2の層
213 第3の層
214 第4の層
215 第5の層
216 第6の層
217 第7の層
401 基板
402 第1の電極
403 EL層
404 第2の電極
411 第1の層
412 第2の層
413 第3の層
414 第4の層
415 第5の層
416 第6の層
417 第7の層
501 第1の電極
502 第2の電極
511 第1の発光ユニット
512 第2の発光ユニット
513 電荷発生層
601 ソース側駆動回路
602 画素部
603 ゲート側駆動回路
604 封止基板
605 シール材
607 空間
608 配線
609 FPC(フレキシブルプリントサーキット)
610 素子基板
611 スイッチング用TFT
612 電流制御用TFT
613 第1の電極
614 絶縁物
616 EL層
617 第2の電極
618 発光素子
623 Nチャネル型TFT
624 Pチャネル型TFT
901 筐体
902 液晶層
903 バックライト
904 筐体
905 ドライバIC
906 端子
951 基板
952 電極
953 絶縁層
954 隔壁層
955 EL層
956 電極
2001 筐体
2002 光源
2201 ガラス基板
2202 第1の電極
2204 第2の電極
2211 複合材料を含む層
2212 正孔輸送層
2213 発光層
2214 キャリアの移動を制御する層
2215 電子輸送層
2216 電子注入層
2401 ガラス基板
2402 第1の電極
2404 第2の電極
2411 複合材料を含む層
2412 正孔輸送層
2413 キャリアの移動を制御する層
2414 発光層
2415 電子輸送層
2416 電子注入層
3001 照明装置
3002 テレビ装置
9101 筐体
9102 支持台
9103 表示部
9104 スピーカー部
9105 ビデオ入力端子
9201 本体
9202 筐体
9203 表示部
9204 キーボード
9205 外部接続ポート
9206 ポインティングデバイス
9401 本体
9402 筐体
9403 表示部
9404 音声入力部
9405 音声出力部
9406 操作キー
9407 外部接続ポート
9408 アンテナ
9501 本体
9502 表示部
9503 筐体
9504 外部接続ポート
9505 リモコン受信部
9506 受像部
9507 バッテリー
9508 音声入力部
9509 操作キー
9510 接眼部
Claims (9)
- 第1の電極と第2の電極との間に、発光層とキャリアの移動を制御する層とを有し、
前記キャリアの移動を制御する層は、第1の有機化合物と、第2の有機化合物とを有し、
前記キャリアの移動を制御する層は、前記発光層と前記第2の電極との間に設けられており、
前記第1の有機化合物は、電子輸送性の有機化合物であり、
前記第2の有機化合物は、電子トラップ性の有機化合物であり、
前記キャリアの移動を制御する層において、前記第2の有機化合物は0.1重量%〜5重量%の濃度で含まれており、
前記キャリアの移動を制御する層において、前記第2の有機化合物よりも前記第1の有機化合物が多く含まれており、
前記発光層は、第3の有機化合物を有し、
前記第3の有機化合物は、発光性の有機化合物であり、
前記第1の電極の電位が前記第2の電極の電位よりも高くなるように電圧を印加することにより、発光が得られ、
前記第2の有機化合物及び前記第3の有機化合物は、燐光材料であることを特徴とする発光素子。 - 第1の電極と第2の電極との間に、発光層とキャリアの移動を制御する層とを有し、
前記キャリアの移動を制御する層は、第1の有機化合物と、第2の有機化合物とを有し、
前記キャリアの移動を制御する層は、前記発光層と前記第2の電極との間に設けられており、
前記第1の有機化合物は、電子輸送性の有機化合物であり、
前記第2の有機化合物は、電子トラップ性の有機化合物であり、
前記キャリアの移動を制御する層において、前記第2の有機化合物は0.1重量%〜5重量%の濃度で含まれており、
前記キャリアの移動を制御する層において、前記第2の有機化合物よりも前記第1の有機化合物が多く含まれており、
前記発光層は、第3の有機化合物を有し、
前記第3の有機化合物は、発光性の有機化合物であり、
前記第1の電極の電位が前記第2の電極の電位よりも高くなるように電圧を印加することにより、発光が得られ、
前記第2の有機化合物及び前記第3の有機化合物は、燐光材料であり、
前記第2の有機化合物の濃度は、前記第3の有機化合物の濃度よりも低いことを特徴とする発光素子。 - 請求項1又は2において、
前記発光層は、前記第3の有機化合物に加えて第4の有機化合物を有し、
前記第4の有機化合物は、前記第3の有機化合物よりも多く含まれており、
前記第4の有機化合物は電子輸送性であることを特徴とする発光素子。 - 請求項3において、
前記第1の有機化合物と前記第4の有機化合物とは異なる有機化合物であることを特徴とする発光素子。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか1項において、
前記第2の有機化合物の発光色と、前記第3の有機化合物の発光色とは、同系色であることを特徴とする発光素子。 - 第1の電極と第2の電極との間に、第1の発光ユニットと電荷発生層と第2の発光ユニットとを有し、
前記第1の発光ユニットは、第1の発光層と第1のキャリアの移動を制御する層とを有し、
前記第1のキャリアの移動を制御する層は、第1の有機化合物と、第2の有機化合物とを有し、
前記第1のキャリアの移動を制御する層は、前記第1の発光層と前記電荷発生層との間に設けられており、
前記第1の有機化合物は、電子輸送性の有機化合物であり、
前記第2の有機化合物は、電子トラップ性の有機化合物であり、
前記第1のキャリアの移動を制御する層において、前記第2の有機化合物は0.1重量%〜5重量%の濃度で含まれており、
前記第1のキャリアの移動を制御する層において、前記第2の有機化合物よりも前記第1の有機化合物が多く含まれており、
前記第1の発光層は、第3の有機化合物を有し、
前記第3の有機化合物は、発光性の有機化合物であり、
前記第2の発光ユニットは、第2の発光層と第2のキャリアの移動を制御する層とを有し、
前記第2のキャリアの移動を制御する層は、第4の有機化合物と、第5の有機化合物とを有し、
前記第2のキャリアの移動を制御する層は、前記第2の発光層と前記第2の電極との間に設けられており、
前記第4の有機化合物は、電子輸送性の有機化合物であり、
前記第5の有機化合物は、電子トラップ性の有機化合物であり、
前記第2のキャリアの移動を制御する層において、前記第5の有機化合物は0.1重量%〜5重量%の濃度で含まれており、
前記第2のキャリアの移動を制御する層において、前記第5の有機化合物よりも前記第4の有機化合物が多く含まれており、
前記第2の発光層は、第6の有機化合物を有し、
前記第6の有機化合物は、発光性の有機化合物であり、
前記第1の電極の電位が前記第2の電極の電位よりも高くなるように電圧を印加することにより、前記電荷発生層から前記第1の発光ユニットに電子が注入され、且つ、前記電荷発生層から第2の発光ユニットに正孔が注入されることにより、発光が得られ、
前記第2の有機化合物及び前記第3の有機化合物は、燐光材料であり、
前記第5の有機化合物及び前記第6の有機化合物は、燐光材料であることを特徴とする発光素子。 - 第1の電極と第2の電極との間に、第1の発光ユニットと電荷発生層と第2の発光ユニットとを有し、
前記第1の発光ユニットは、第1の発光層と第1のキャリアの移動を制御する層とを有し、
前記第1のキャリアの移動を制御する層は、第1の有機化合物と、第2の有機化合物とを有し、
前記第1のキャリアの移動を制御する層は、前記第1の発光層と前記電荷発生層との間に設けられており、
前記第1の有機化合物は、電子輸送性の有機化合物であり、
前記第2の有機化合物は、電子トラップ性の有機化合物であり、
前記第1のキャリアの移動を制御する層において、前記第2の有機化合物は0.1重量%〜5重量%の濃度で含まれており、
前記第1のキャリアの移動を制御する層において、前記第2の有機化合物よりも前記第1の有機化合物が多く含まれており、
前記第1の発光層は、第3の有機化合物を有し、
前記第3の有機化合物は、発光性の有機化合物であり、
前記第2の発光ユニットは、第2の発光層と第2のキャリアの移動を制御する層とを有し、
前記第2のキャリアの移動を制御する層は、第4の有機化合物と、第5の有機化合物とを有し、
前記第2のキャリアの移動を制御する層は、前記第2の発光層と前記第2の電極との間に設けられており、
前記第4の有機化合物は、電子輸送性の有機化合物であり、
前記第5の有機化合物は、電子トラップ性の有機化合物であり、
前記第2のキャリアの移動を制御する層において、前記第5の有機化合物は0.1重量%〜5重量%の濃度で含まれており、
前記第2のキャリアの移動を制御する層において、前記第5の有機化合物よりも前記第4の有機化合物が多く含まれており、
前記第2の発光層は、第6の有機化合物を有し、
前記第6の有機化合物は、発光性の有機化合物であり、
前記第1の電極の電位が前記第2の電極の電位よりも高くなるように電圧を印加することにより、前記電荷発生層から前記第1の発光ユニットに電子が注入され、且つ、前記電荷発生層から第2の発光ユニットに正孔が注入されることにより、発光が得られ、
前記第2の有機化合物及び前記第3の有機化合物は、燐光材料であり、
前記第5の有機化合物及び前記第6の有機化合物は、燐光材料であり、
前記第2の有機化合物の濃度は、前記第3の有機化合物の濃度よりも低く、
前記第5の有機化合物の濃度は、前記第6の有機化合物の濃度よりも低いことを特徴とする発光素子。 - 請求項1乃至請求項7のいずれか1項に記載の発光素子と、前記発光素子の発光を制御する制御手段とを有する発光装置。
- 表示部を有し、
前記表示部は、請求項1乃至請求項7のいずれか1項に記載の発光素子と前記発光素子の発光を制御する制御手段とを備えたことを特徴とする電子機器。
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WO2008069153A1 (en) | 2006-12-04 | 2008-06-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device |
WO2008102713A1 (en) * | 2007-02-21 | 2008-08-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device and quinoxaline derivative |
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EP2075860A3 (en) * | 2007-12-28 | 2013-03-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device and electronic device |
EP2091097A3 (en) * | 2008-02-13 | 2013-05-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device |
WO2009116547A1 (en) * | 2008-03-18 | 2009-09-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device and electronic device |
WO2009116605A1 (en) * | 2008-03-18 | 2009-09-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device and electronic device |
KR20120081231A (ko) | 2008-05-16 | 2012-07-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광소자, 및 조명장치 |
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EP2344928A1 (en) * | 2008-09-09 | 2011-07-20 | Merck Patent GmbH | Organic material and electrophotographic device |
CN101752514B (zh) * | 2008-12-17 | 2015-11-25 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光元件、照明装置、发光装置以及电子设备 |
KR101691395B1 (ko) * | 2009-09-04 | 2017-01-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자, 발광 장치, 및 이의 제조방법 |
JP2011139044A (ja) | 2009-12-01 | 2011-07-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置 |
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KR102145424B1 (ko) * | 2013-11-11 | 2020-08-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 제조용 잉크 및 이를 이용한 표시장치의 제조방법 |
KR102214339B1 (ko) * | 2014-10-01 | 2021-02-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 백색 유기 발광 소자 |
CN105244446B (zh) | 2015-08-28 | 2018-06-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机电致发光器件及其制备方法、显示装置 |
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KR20180099168A (ko) * | 2017-02-28 | 2018-09-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계발광 표시장치 |
US11903287B2 (en) | 2018-09-21 | 2024-02-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting element, light emitting device, and method for manufacturing light emitting element |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP3332491B2 (ja) * | 1993-08-27 | 2002-10-07 | 三洋電機株式会社 | 有機el素子 |
JP2795194B2 (ja) * | 1994-09-22 | 1998-09-10 | 株式会社デンソー | エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法 |
DE19500912A1 (de) * | 1995-01-13 | 1996-07-18 | Basf Ag | Elektrolumineszierende Anordnung |
JP3949214B2 (ja) | 1997-03-18 | 2007-07-25 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP3525034B2 (ja) * | 1997-07-31 | 2004-05-10 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP3370011B2 (ja) * | 1998-05-19 | 2003-01-27 | 三洋電機株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2000068057A (ja) | 1998-06-12 | 2000-03-03 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP3287344B2 (ja) * | 1998-10-09 | 2002-06-04 | 株式会社デンソー | 有機el素子 |
JP4592967B2 (ja) * | 2000-01-31 | 2010-12-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及び電気器具 |
JP2002075654A (ja) * | 2000-08-28 | 2002-03-15 | Fuji Xerox Co Ltd | 有機電界発光素子 |
TWI225312B (en) * | 2001-02-08 | 2004-12-11 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device |
JP3759925B2 (ja) * | 2001-11-27 | 2006-03-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子 |
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DE10224021B4 (de) * | 2002-05-24 | 2006-06-01 | Novaled Gmbh | Phosphoreszentes lichtemittierendes Bauelement mit organischen Schichten |
JP2004079414A (ja) * | 2002-08-21 | 2004-03-11 | Nec Corp | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
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JP4287198B2 (ja) | 2002-11-18 | 2009-07-01 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
TW595251B (en) * | 2002-12-09 | 2004-06-21 | Univ Nat Cheng Kung | Method for manufacturing organic light-emitting diodes |
US6833201B2 (en) * | 2003-01-31 | 2004-12-21 | Clemson University | Nanostructured-doped compound for use in an EL element |
JP2004273163A (ja) | 2003-03-05 | 2004-09-30 | Sony Corp | 有機el素子とその製造方法および有機elパネル |
US7037601B2 (en) * | 2003-05-28 | 2006-05-02 | Eastman Kodak Company | White light-emitting device structures |
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US6963081B2 (en) * | 2003-09-30 | 2005-11-08 | Osram Otpo Semiconductors Gmbh | Interfacial trap layer to improve carrier injection |
JP4036812B2 (ja) * | 2003-09-30 | 2008-01-23 | 三洋電機株式会社 | 有機電界発光素子 |
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TWI224943B (en) * | 2003-10-29 | 2004-12-01 | Au Optronics Corp | Organic electroluminescence device and fabricating method thereof |
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JP2005310742A (ja) * | 2004-03-25 | 2005-11-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP4947909B2 (ja) * | 2004-03-25 | 2012-06-06 | 三洋電機株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2005310741A (ja) * | 2004-03-25 | 2005-11-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
WO2005097941A1 (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 |
US7622200B2 (en) * | 2004-05-21 | 2009-11-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element |
JP4916137B2 (ja) * | 2004-07-29 | 2012-04-11 | 三洋電機株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2006077058A (ja) * | 2004-09-07 | 2006-03-23 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機化合物、及び有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2006086482A (ja) * | 2004-09-17 | 2006-03-30 | Fuji Photo Film Co Ltd | 有機電界発光素子 |
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JP2006164650A (ja) * | 2004-12-03 | 2006-06-22 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
TWI307250B (en) * | 2005-03-23 | 2009-03-01 | Au Optronics Corp | Organic electroluminescent device |
JP2006328223A (ja) * | 2005-05-26 | 2006-12-07 | Fuji Xerox Co Ltd | 高分子有機電子材料の製造方法、高分子有機電子材料及び有機電界発光素子 |
EP1863105B1 (en) * | 2006-06-02 | 2020-02-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device |
US7902742B2 (en) * | 2006-07-04 | 2011-03-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device |
EP1876658A3 (en) * | 2006-07-04 | 2014-06-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device |
US7911135B2 (en) * | 2006-11-29 | 2011-03-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light emitting device, electronic appliance, and method of manufacturing the same |
WO2008069153A1 (en) * | 2006-12-04 | 2008-06-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device |
WO2008102713A1 (en) * | 2007-02-21 | 2008-08-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device and quinoxaline derivative |
EP1973386B8 (en) * | 2007-03-23 | 2016-01-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and electronic device |
US20080284318A1 (en) * | 2007-05-17 | 2008-11-20 | Deaton Joseph C | Hybrid fluorescent/phosphorescent oleds |
JP5530608B2 (ja) * | 2007-09-13 | 2014-06-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子および発光装置 |
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CN101803058B (zh) * | 2007-10-19 | 2012-07-11 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光元件、发光设备和电子设备 |
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