JP2016192628A - Mems素子 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (4)
- バックチャンバーを備えた基板と、該基板上に、スペーサーを挟んで固定電極を含むバックプレートと可動電極とを配置することでエアーギャップが形成され、前記エアギャップ側あるいは前記基板側に突出する突起部を備えたMEMS素子において、
前記突起部はバックプレートに環状に配置された複数の突起部からなる第1の突起列と、該第1の突起列の内側に環状に配置された複数の突起部からなる第2の突起列からなり、
前記エアギャップ内に生じた圧力がバックチャンバー側に伝わる経路は、前記第1の突起列を構成する突起部の一つと隣接する前記第2の突起列を構成する突起部との間の前記バックプレートと前記可動電極との間に形成される第1の経路と、前記突起部と該突起部と対向する前記可動電極との間に形成される第2の経路とを有し、
前記第1の経路の少なくとも一部は、前記第1の突起列を構成する突起部と前記第2の突起列を構成する突起部が環状に延出する延出方向に前記圧力が伝わるように開口していることを特徴とするMEMS素子。 - 請求項1記載のMEMS素子において、前記突起部は前記可動電極から前記エアギャップ側に突出し、
前記第2の経路は、前記突起部と該突起部に対向する前記バックプレートとの間に形成されていることを特徴とするMEMS素子。 - 請求項1記載のMEMS素子において、前記突起部は前記可動電極から前記基板側に突出し、
前記第1の経路は、前記第1の突起列を構成する突起部の一つと隣接する前記第2の突起列を構成する突起部との間の前記基板と前記可動電極との間に形成されており、前記第2の経路は、前記突起部と該突起部に対向する前記基板との間に形成されていることを特徴とするMEMS素子。 - 請求項1乃至3いずれかに記載のMEMS素子において、前記第1の突起列と前記第2の突起列を構成する前記突起部は、少なくとも第1の突起部とその内側に配置された第2の突起部とを備え、
該第1の突起部と第2の突起部の間の間隙は、前記開口より狭く設定されていることを特徴とするMEMS素子。
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