JP2016192249A5 - 検査方法 - Google Patents

Claims (8)

1. 回路を有し、
   前記回路は第１のトランジスタと、容量素子と、保持ノードと、第１の配線とを有し、
   前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１の配線に電気的に接続され、
   前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記保持ノードに電気的に接続され、
   前記容量素子の第１の電極は、前記保持ノードに電気的に接続される半導体装置の検査方法であって、
   第１の書き込み動作により前記回路に第１の電位を書き込む第１のステップと、
   前記第１のステップを実行した前記回路に対して第１の読み出し動作を行い、前記第１の配線の電位Ｖ_ＷＢＬ１を取得する第２のステップと、
   第２の書き込み動作により前記回路に第２の電位を書き込む第３のステップと、
   前記第３のステップを実行した前記回路に対して第２の読み出し動作を行い、前記第１の配線の電位Ｖ_ＷＢＬ２を取得する第４のステップと、
   前記第１のトランジスタのしきい値電圧Ｖ_ｔｈを算出する第５のステップと、を有し、
   前記第１の書き込み動作は、
   前記第１の配線に電位Ｖ_ＷＢを与える第６のステップと、
   前記第６のステップの後に、前記第１のトランジスタのゲートに電位Ｖ_ＧＭ１を与えて、前記第１の配線と前記保持ノードとの間を導通状態にする第７のステップと、
   前記第７のステップの後に、前記第１のトランジスタを非導通状態にして、前記保持ノードを電気的に浮遊状態にする第８のステップと、を有し、
   前記第２の書き込み動作は、
   前記第１の配線に前記電位Ｖ_ＷＢを与える第９のステップと、
   前記第９のステップの後に、前記第１のトランジスタのゲートに電位Ｖ_ＧＭ２を与えて、前記第１の配線と前記保持ノードとの間を導通状態にする第１０のステップと、
   前記１０のステップの後に、前記第１のトランジスタを非導通状態にして、前記保持ノードを電気的に浮遊状態する第１１のステップと、を有し、
   前記第１の読み出し動作及び第２の読み出し動作のそれぞれは、
   前記第１の配線を第３の電位にプリチャージする第１２のステップと、
   前記第１の配線を電気的に浮遊状態にする第１３のステップと、
   前記第１のトランジスタをオンにして、前記第１の配線と前記保持ノードとの間を導通状態にする第１４のステップと、を有し、
   前記電位Ｖ_ＧＭ１、及び前記電位Ｖ_ＧＭ２は下記式（ａ１）の関係を満たし、
   前記第５のステップは、下記式（ａ２）により前記しきい値電圧Ｖ_ｔｈを算出するステップを有する検査方法。
   Ｖ _ＧＭ１ ＞ Ｖ _ＷＢ ＋Ｖ _ｔｈ ＞ Ｖ _ＧＭ２ （ａ１）
   Ｖ _ＷＢＬ２ ／Ｖ _ＷＢＬ１ ＝（Ｖ _ＷＢ −Ｖ _ｔｈ ）／Ｖ _ＷＢ （ａ２）
2. 請求項１において、
   前記第１のトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有する検査方法。
3. 請求項１又は請求項２において、
   前記回路は、第２のトランジスタを有し、
   前記第２のトランジスタのゲートは、前記保持ノードに電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１の配線と電気的に接続されている検査方法。
4. 請求項１又は請求項２において、
   前記回路は、第２のトランジスタと、第２の配線と、を有し、
   前記第２のトランジスタのゲートは、前記保持ノードに電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続されている検査方法。
5. 請求項１又は請求項２において、
   前記回路は、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、を有し、
   前記第２のトランジスタのゲートは、前記保持ノードに電気的に接続され、
   前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
   前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１の配線と電気的に接続されている検査方法。
6. 請求項１又は請求項２において、
   前記回路は、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、第２の配線と、を有し、
   前記第２のトランジスタのゲートは、前記保持ノードに電気的に接続され、
   前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
   前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２の配線と電気的に接続されている検査方法。
7. 請求項４又は請求項５において、
   前記第２のトランジスタは、チャネル形成領域に単結晶シリコンを有する検査方法。
8. 請求項６又は請求項７において、
   前記第２のトランジスタ及び前記第３のトランジスタは、チャネル形成領域に単結晶シリコンを有する検査方法。