JP2016191148A - 金属粉末および合金の製造および用途 - Google Patents
金属粉末および合金の製造および用途 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016191148A JP2016191148A JP2016052005A JP2016052005A JP2016191148A JP 2016191148 A JP2016191148 A JP 2016191148A JP 2016052005 A JP2016052005 A JP 2016052005A JP 2016052005 A JP2016052005 A JP 2016052005A JP 2016191148 A JP2016191148 A JP 2016191148A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- salt
- sodium
- metal powder
- mixture
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 86
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 86
- 239000000843 powder Substances 0.000 title claims abstract description 43
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 title claims description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 title claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 10
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims abstract description 64
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 28
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 claims abstract description 19
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 claims abstract description 16
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 claims abstract description 5
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims description 25
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims description 25
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- KEAYESYHFKHZAL-UHFFFAOYSA-N Sodium Chemical group [Na] KEAYESYHFKHZAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000004663 powder metallurgy Methods 0.000 claims description 6
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 4
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims description 4
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 claims description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N alumanylidynesilicon Chemical compound [Al].[Si] CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910001510 metal chloride Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 7
- 238000009835 boiling Methods 0.000 abstract description 5
- 238000001914 filtration Methods 0.000 abstract description 3
- -1 halide salts Chemical class 0.000 abstract description 3
- 239000003513 alkali Substances 0.000 abstract 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 31
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 12
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 10
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 5
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 5
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 5
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 2
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000521 B alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000583 Nd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- QJVKUMXDEUEQLH-UHFFFAOYSA-N [B].[Fe].[Nd] Chemical compound [B].[Fe].[Nd] QJVKUMXDEUEQLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 238000005660 chlorination reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000006392 deoxygenation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000026030 halogenation Effects 0.000 description 1
- 238000005658 halogenation reaction Methods 0.000 description 1
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M iron chloride Chemical compound [Cl-].[Fe] FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910001338 liquidmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001172 neodymium magnet Inorganic materials 0.000 description 1
- ATINCSYRHURBSP-UHFFFAOYSA-K neodymium(iii) chloride Chemical compound Cl[Nd](Cl)Cl ATINCSYRHURBSP-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- OEIMLTQPLAGXMX-UHFFFAOYSA-I tantalum(v) chloride Chemical compound Cl[Ta](Cl)(Cl)(Cl)Cl OEIMLTQPLAGXMX-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 1
- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F9/00—Making metallic powder or suspensions thereof
- B22F9/16—Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes
- B22F9/18—Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes with reduction of metal compounds
- B22F9/24—Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes with reduction of metal compounds starting from liquid metal compounds, e.g. solutions
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
- B22F1/16—Metallic particles coated with a non-metal
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F3/00—Manufacture of workpieces or articles from metallic powder characterised by the manner of compacting or sintering; Apparatus specially adapted therefor ; Presses and furnaces
- B22F3/10—Sintering only
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F3/00—Manufacture of workpieces or articles from metallic powder characterised by the manner of compacting or sintering; Apparatus specially adapted therefor ; Presses and furnaces
- B22F3/10—Sintering only
- B22F3/11—Making porous workpieces or articles
- B22F3/1121—Making porous workpieces or articles by using decomposable, meltable or sublimatable fillers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/042—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F2999/00—Aspects linked to processes or compositions used in powder metallurgy
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F9/00—Making metallic powder or suspensions thereof
- B22F9/16—Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes
- B22F9/18—Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes with reduction of metal compounds
- B22F9/20—Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes with reduction of metal compounds starting from solid metal compounds
- B22F9/22—Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes with reduction of metal compounds starting from solid metal compounds using gaseous reductors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
Abstract
【課題】金属粉末の表面が酸化膜に被覆される事なく、還元処理する金属粉末の製造方法の提供。【解決手段】ハロゲン化金属の混合物をアルカリ金属またはアルカリ土類金属から選択される還元剤により、溶融状態にて還元し、前記反応により、ハロゲン化物塩により被覆された金属粉末が生じ、前記反応生成物を塩の融点を超える温度まで加熱し，金属粉末をろ過し溶融塩を除去でき、除去成分は収集され再使用可能となる金属粉末の製造方法。【選択図】なし
Description
本出願は、２００９年７月１７日に出願した同時係属中の米国仮特許出願第６１／２２６，３６７号および２０１０年５月１８日に出願した同時係属中の米国仮特許出願第６１／３４５，８２３号の優先権を主張するものであり、これらの開示内容は、参照により本明細書に組み込まれている。
本発明は金属粉末の生成およびこれらの金属粉末の用途に関する。
金属粉末は数多くの用途において有用である。しかし、これらの粉末を活用できる程度は、表面が酸化膜に被覆されている場合（および他のガスが金属粒子の表面、または金属粒子体の内部に存在する場合）、制限されることがある。特に、金属粉末を利用する用途は、金属粉末中に存在する酸素分ならびに金属の焼結および他の特性に対するこの影響のために制限されることがある。
本発明では、反応副生物として生じる塩によって被覆された金属粒子を生成するために、ハロゲン化金属、またはハロゲン化金属の混合物の液相還元を使用する製造方法が説明されている。反応条件を選定することにより、様々な金属粒子サイズを選択でき、塩皮膜により、酸化（または大気中の他のガスとの反応）が防止され、金属粉末を使用して実現するのが従来は難しかった様々な用途が可能になる。
以下の文面では、「金属」とは、少なくとも１種であり２種以上もあり得る金属元素を意味し、「ハロゲン化金属」とは、少なくとも１種であり２種以上もあり得る個別のハロゲン化金属を意味すると理解されたい。さらに、「還元剤」とは、ハロゲン化金属を金属粉末に還元する還元媒体を意味する。
（発明の要旨）
本発明は、金属粉末の生成および様々な使用におけるそれらの用途に関し、これらの用途に対して、生成方法は特によく適しており、経済的にも有利である。
本発明は、金属粉末の生成および様々な使用におけるそれらの用途に関し、これらの用途に対して、生成方法は特によく適しており、経済的にも有利である。
本発明の好ましい一方法は、
（ａ）還元剤、好ましくはアルカリ金属またはアルカリ土類金属、より好ましくはアルカリ土類金属、最も好ましくは金属ナトリウムを含有する反応容器中に液体ハロゲン化金属を導入する工程（ここで、還元剤の量は、所定の限界内に留まり、還元剤が、ハロゲン化金属に対して化学量論的に常に過剰になるように制御される。）、
（ｂ）反応生成物（金属、１種または複数の還元剤ハロゲン化物、および過剰な還元剤の混合物）を反応容器中の還元剤から分離する工程を含む。
（ａ）還元剤、好ましくはアルカリ金属またはアルカリ土類金属、より好ましくはアルカリ土類金属、最も好ましくは金属ナトリウムを含有する反応容器中に液体ハロゲン化金属を導入する工程（ここで、還元剤の量は、所定の限界内に留まり、還元剤が、ハロゲン化金属に対して化学量論的に常に過剰になるように制御される。）、
（ｂ）反応生成物（金属、１種または複数の還元剤ハロゲン化物、および過剰な還元剤の混合物）を反応容器中の還元剤から分離する工程を含む。
このように生成された金属は、１種または複数の塩によって封入された金属粉末の形態になっている。典型的な塩は、ＮａＣｌおよび他のアルカリ金属またはアルカリ土類金属の塩である。意図する用途に応じて、金属粉末は、１種または複数の塩から分離することもでき、または１種または複数の塩によって封入されたまま、さらに加工することもできる。
この方法によって生成された粒子のサイズは、反応温度、試薬の流速、および、加工している１種または複数の特定の金属を含むいくつもの要因によって制御される。粒子サイズを選択できることは、本発明の重要で魅力的な態様である。
この方法によって生成された金属は、焼結すると、酸素、窒素または他のガス（これらはすべて、粉末冶金法により形成される冶金製の部品、素子および物体の冶金特性に対して悪影響を与え得る。）を含まない中実部品を形成できるので、粉末冶金製の部品、素子および機器の作製によく適している。加工は、塩皮膜を着けた状態で行うこともでき、もしくは金属粉末が有害なガス汚染にさらされないように、塩皮膜を除去した後に行うこともでき、または塩皮膜を適切な溶媒（例えば、水）によって除去した後、金属粉末を加工して、溶媒にさらされて生じたすべての表面汚染を除去することにより行うこともできる。
この方法によって生成された金属は、多孔質構造の形成にもよく適しており、この形成において、塩で被覆された金属粒子は、金属粒子が互いに物理的に接触するまで一緒にプレスされる。この材料を続いて焼結させた後に洗浄すると、多孔質物体を生成できる。
この方法によって生成された金属は、金属皮膜およびシートの形成にもよく適している。塩で被覆された粒子は、基材に塗布することができ、その後には、塩皮膜は、金属粉末（これは焼結してシートまたは皮膜を形成できる。）の皮膜を残す、または塩皮膜内にある金属を焼結させるのに十分な高温において塩の除去を行う場合、金属皮膜を残すように除去することもできる。
この方法によって生成された金属は、周知の粉末冶金法を使用して金属粉末をプレスおよび焼結し、所望する最終製品の形状にすることにより、金属部品、素子および物体を形成するのにもよく適している。
金属粒子の塩皮膜を例えば水洗によって除去すると、表面が金属酸化物によって被覆された金属粉末を生成できる。この粉末はさらに、金属の焼結前の脱酸素工程により、または、金属酸化物の方が融点が低いことを利用して金属粉末をこの酸化物の存在下で焼結させることにより、例えば、粉末冶金製の部品、物体および素子に加工でき、多孔質素子およびアノードにも加工でき、皮膜またはシートにも加工できる。塩皮膜は、金属粒子を塩の沸点を超えるまで加熱（真空の利用によって促進できるプロセス）することによっても除去できるし、金属に圧力を加えて塩を絞り出すことによっても除去できる。塩を除去する方法の的確な選定は、最終製品の選定および所望の金属純度によるものであり、当業者には明らかである。
結合剤は、金属粉末に加えると加工特性を高め、例えば、金属の厚膜をキャストする能力を向上できる。結合剤は、加熱または他の手段により、金属表面が酸化しないようにして金属から除去できるように選定すべきである。
最後に、本明細書に記載されたすべての方法は、好ましい液相還元剤の代わりに、気相還元剤を使用して実施できる。
したがって、本発明の一実施形態は、アルカリ金属またはアルカリ土類金属中の液相ハロゲン化金属を溶融金属還元することにより、少なくとも１種のハロゲン化金属の混合物を還元する方法である。好ましくは、少なくとも１種のハロゲン化金属の混合物は、塩化金属の混合物であり、還元剤は金属ナトリウムである。好ましくは、本方法の反応生成物は、少なくとも１種の金属混合物、塩皮膜、および少なくとも０．１％の金属ナトリウムを含む。より好ましくは、本方法の反応生成物は、少なくとも１種の金属混合物、塩皮膜、および少なくとも１％の金属ナトリウムを含む。さらに、過剰なナトリウムは反応生成物から除去できる。
本発明の別の実施形態は、上述の反応生成物を使用して、アノードなどの粉末冶金素子を形成することである。アノードには、バルブ金属またはバルブ金属合金を使用するのが好ましい。適切なバルブ金属には、タンタル、ニオブ、アルミニウム、およびこれらの合金、ならびにアルミニウム−ケイ素合金が挙げられる。
本発明の別の実施形態は、これらの反応生成物を使用して、アノードから作製したコンデンサを形成することである。
本発明の別の実施形態は、これらの反応生成物を使用して、本方法によって生成された金属粉末から金属シートまたはウエハを形成することである。
本発明の別の実施形態は、これらの反応生成物を使用して、本方法によって生成された金属粉末からスパッタリングターゲットを形成することである。
上述したように、ハロゲン化金属は、化学量論的に過剰な溶融還元剤中に液体として注入され、この中で、還元剤ハロゲン化物によって被覆された粒子状の金属に還元できる。金属粒子の典型的なサイズは、反応の温度、試薬の流速、および金属の拡散特性の関数である。反応条件を慎重に制御することにより、様々な典型的な金属粒子サイズを選択できる。金属の表面積は粒子サイズに関連しており、金属粒子の表面積は、商業的用途における金属の数多くの重要な物理的特性を決定する。
金属粒子の元素組成は、ハロゲン化金属の比を選択し、還元剤への注入の前にこれらを混合することによって選定できる。広範な金属合金をこのようにして生成できる。
この反応により、わずかな還元剤を取り入れながら、ハロゲン化物塩によって被覆された金属粉末が生じる。この反応生成物は、反応器から除去した後に、塩および還元剤を除去する処理を行うこともできるし、還元剤を不動態化する処理を最初に行うこともできる。
後者の場合、還元剤は、塩素処理（または他のハロゲンを使用したハロゲン化）ならびに金属を沸点を超える温度で蒸発させる熱加工を含む様々な手段によって不動態化できる。
商業的用途により、反応生成物は、これの塩皮膜と一緒に加工することもでき、または使用する前に、塩皮膜を除去する処理を行うこともできる。以下の代表的ではあるが網羅的ではない実施例により例示されているこの技術には、数多くの商業的用途がある。
［実施例１］
塩化鉄、塩化ネオジムおよび塩化ホウ素を、ネオジム鉄ホウ素磁石の生成に適した化学量論比で混合する。これらの塩化物は、化学量論的に過剰な溶融ナトリウム中に１５０℃から７００℃の範囲の温度において液体として注入される。
塩化鉄、塩化ネオジムおよび塩化ホウ素を、ネオジム鉄ホウ素磁石の生成に適した化学量論比で混合する。これらの塩化物は、化学量論的に過剰な溶融ナトリウム中に１５０℃から７００℃の範囲の温度において液体として注入される。
このようにして生成された金属粒子は、鉄、ネオジムおよびホウ素の合金であり、塩化ナトリウムによって被覆されている。金属粒子は例えば、塩で被覆された金属粒子から溶融ナトリウムを分離するのに有効なサイズのフィルターに溶融ナトリウムを通過させることにより、溶融ナトリウムから分離できる。
金属粒子は次いで、例えば、塩で被覆された粒子を塩の融点を超えるまで加熱し、その後、例えばベルトフィルターによって金属粒子をろ過して溶融塩を除去することにより、塩皮膜を除去する処理を行うことができる。塩皮膜は、圧力を金属粉末に加えることで塩を流動させ、金属粉末から分離することによって除去することもできる。
次に、金属粒子をプレスおよび加熱して、残存の塩を除去し、金属粉末を所望の形状の中実物体に焼結できる。
［実施例２］
塩化アルミニウムを溶融して、アルミニウムの融点未満に留まるように制御された温度において、化学量論的に過剰な溶融ナトリウム中に注入する。この反応により、塩化ナトリウムの皮膜を有するアルミニウム粒子が生じ、これらの粒子は、例えば上記実施例１で説明したようにしてナトリウムからろ過できる。
塩化アルミニウムを溶融して、アルミニウムの融点未満に留まるように制御された温度において、化学量論的に過剰な溶融ナトリウム中に注入する。この反応により、塩化ナトリウムの皮膜を有するアルミニウム粒子が生じ、これらの粒子は、例えば上記実施例１で説明したようにしてナトリウムからろ過できる。
分離後、塩で被覆されたアルミニウム粒子を５００℃から６００℃に加熱し、完全または部分的な（不活性雰囲気の）真空にさらして微量のナトリウムを除去すると、ナトリウムは蒸発し、廃棄または再使用するために収集できる。
次に、塩皮膜内にあるアルミニウム粒子をプレスして、所望の形状を形成できる。圧力下、アルミニウムの融点未満の温度においては、塩は流動してアルミニウムから分離し、これにより、塩皮膜がアルミニウム金属から除去される。
最後に、アルミニウム金属を加熱して中実物体に焼結し、溶媒（例えば水）によって洗浄して微量の表面塩のすべてを除去できる。
［実施例３］
アルミニウムのケイ素に対する比が少なくとも１：１であり、好ましくは３：１を超える塩化アルミニウムおよび塩化ケイ素の混合物を、溶融ナトリウムの沸点未満の温度において化学量論的に過剰な溶融ナトリウム中に注入する。
アルミニウムのケイ素に対する比が少なくとも１：１であり、好ましくは３：１を超える塩化アルミニウムおよび塩化ケイ素の混合物を、溶融ナトリウムの沸点未満の温度において化学量論的に過剰な溶融ナトリウム中に注入する。
このように形成された金属粒子は、ケイ素およびアルミニウムの合金を含み、例えば、上記実施例１の方法を使用して溶融ナトリウムから分離できる。過剰なナトリウムは、その後、実施例２で説明した真空下において除去できる。
金属粒子を次いでプレスして（圧力下で流動する）塩を除去することもでき、所望する最終金属製品（例えば、自動車エンジン部品）の形状に成形することもできる。金属製品は、次いで加熱して金属を焼結させることができ、さらに適切な溶媒によって洗浄して、残存する表面塩の汚染のすべてを除去できる。
［実施例４］
実施例２または３の金属粉末は、アノードの形状因子内部に塩を充填した多孔質構造を残しながら、金属粒子を互いに接触させるのに十分な圧力をこの粉末に加えることにより、アノードの形状因子にプレスできる。
実施例２または３の金属粉末は、アノードの形状因子内部に塩を充填した多孔質構造を残しながら、金属粒子を互いに接触させるのに十分な圧力をこの粉末に加えることにより、アノードの形状因子にプレスできる。
次に、十分なエネルギーを供給して金属粒子を融合させ、これにより、連結した単一金属構造をアノードの形状因子内部に作り出すことができる。この工程において、供給されるエネルギーは、アノード構造内部の塩に代表される細孔構造を破壊しないように制限すべきである。
第三に、このように形成されたアノード構造は、適切な溶媒、例えば水中で洗浄して、塩を除去し、（溶媒の選定によっては）酸化によりアノード構造内部の金属表面を不動態化できる。
このようにして作製されたアノードは、次いでさらに加工してコンデンサにすることができ、コンデンサの静電容量は、金属粉末の粒子サイズおよびコンデンサを形成する化成電圧によって決定される。
［実施例５］
塩化タンタルおよび塩化ケイ素を金属比１：２で混合し、溶融ナトリウムの沸点未満の温度において溶融ナトリウム中に注入すると、塩によって被覆されたケイ化タンタル金属粒子が形成される。これらの粒子は、例えば実施例１の方法に従ってナトリウムから除去できる。
塩化タンタルおよび塩化ケイ素を金属比１：２で混合し、溶融ナトリウムの沸点未満の温度において溶融ナトリウム中に注入すると、塩によって被覆されたケイ化タンタル金属粒子が形成される。これらの粒子は、例えば実施例１の方法に従ってナトリウムから除去できる。
過剰なナトリウムは、完全または部分的な真空下で５００℃から７００℃まで加熱することによって粒子から除去できる。別法として、塩素ガスを４００℃未満の温度において使用して、過剰なナトリウムを塩化ナトリウムに化学変化させることができる。
次に、金属粒子は、半導体製造を含む用途むけにスパッタリングターゲットとして使用するのに適した形態にプレスできる。このプレスプロセスにより過剰な塩は除去されるが、加えられる圧力は、金属粉末を中実物体に圧縮するのに十分にすべきである。
金属粉末の中実成形体は次に、上記ターゲット形成プロセスを完了するために焼結し、またはホットプレスでき、最終的には、溶媒中で洗浄して残存する表面塩を除去することができ、または完全もしくは部分的な真空下で８００℃を超える温度まで加熱して、残存する表面塩のすべてを蒸発させることもできる。
［実施例６］
ハロゲン化金属の、四塩化ケイ素およびトリクロロシランを含み、塩化水素および／または他の塩化ケイ素を含むこともあり得る混合物を、１５０℃から７００℃の範囲の温度において、化学量論的に過剰な溶融ナトリウム中に液体として注入する。
ハロゲン化金属の、四塩化ケイ素およびトリクロロシランを含み、塩化水素および／または他の塩化ケイ素を含むこともあり得る混合物を、１５０℃から７００℃の範囲の温度において、化学量論的に過剰な溶融ナトリウム中に液体として注入する。
このように生成された金属粒子は、塩化ナトリウムによって被覆されたケイ素金属である。金属粒子は例えば、塩で被覆された金属粒子から溶融ナトリウムを分離するのに有効なサイズのフィルターにナトリウムを通過させることにより、溶融ナトリウムから分離できる。典型的には、このように生成された金属粒子は、少なくとも１重量パーセントのナトリウムを含有する。
ナトリウムは、真空下または不活性ガス流中で、５００℃を超える温度において蒸発させることによって除去できる。
金属粒子は、次いで塩皮膜を除去する処理を行うことができる。これは、いくつかの方法によって実施できる。例えば、水、アンモニア、または他の極性溶媒などの適切な溶媒を使用して洗浄することにより、塩を除去できる。塩は、塩で被覆された粒子を塩の融点を超えるまで加熱した後、金属粒子を例えばベルトフィルターによってろ過して溶融塩を除去することによっても除去できる。塩皮膜は、金属粉末に圧力を加え、その結果、塩を流動させ金属粉末から分離することによっても除去できる。塩は、１２００℃を超える温度まで加熱し、真空または不活性ガススイープを利用して蒸発させることによって除去できる。塩は、前述の方法を組み合わせて除去することもできる。材料を慎重に処理することにより、塩の量は１０ｐｐｍ未満に抑制でき、より注意すれば１ｐｐｍ未満に抑制できる。
最後に、所望であれば、金属粒子をプレスおよび加熱して、金属粉末を所望の形状の中実物体に焼結できる。
上記の実施例は、本明細書に記載された本発明によって利用可能になる広範な金属および合金ならびにこれらの用途の例示を意図しているにすぎない。
Claims (12)
- アルカリ金属またはアルカリ土類金属中の液相ハロゲン化金属の溶融金属還元により、少なくとも１種のハロゲン化金属の混合物を還元する方法。
- 少なくとも１種のハロゲン化金属の混合物が、塩化金属の混合物であり、還元剤が金属ナトリウムである、請求項１に記載の方法。
- 少なくとも１種の金属混合物、塩皮膜、および少なくとも０．１％の金属ナトリウムを含む、請求項１に記載の方法による反応生成物。
- 少なくとも１種の金属混合物、塩皮膜、および少なくとも１％の金属ナトリウムを含む、請求項１に記載の方法による反応生成物。
- 不動態化した後または過剰なナトリウムを除去した後の請求項３または４に記載の反応生成物。
- 請求項５に記載の材料から形成される粉末冶金素子。
- 請求項１または請求項２に記載の方法によって生成された金属粉末によって作製されたアノード。
- 金属粉末がバルブ金属またはバルブ金属合金を含む、請求項７に記載のアノード。
- バルブ金属またはバルブ金属合金が、タンタル、ニオブ、アルミニウム、およびこれらの合金、ならびにアルミニウム−ケイ素合金からなる群より選択される、請求項８に記載のアノード。
- 請求項７に記載のアノードから作製されたコンデンサ。
- 請求項１または請求項２に記載の方法によって生成された金属粉末によって作製された金属シートまたはウエハ。
- 請求項１または請求項２に記載の方法によって生成された金属粉末によって作製されたスパッタリングターゲット。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US22636709P | 2009-07-17 | 2009-07-17 | |
| US61/226,367 | 2009-07-17 | ||
| US34582310P | 2010-05-18 | 2010-05-18 | |
| US61/345,823 | 2010-05-18 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012520804A Division JP2012533685A (ja) | 2009-07-17 | 2010-07-16 | 金属粉末および合金の製造および用途 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2016191148A true JP2016191148A (ja) | 2016-11-10 |
| JP6232460B2 JP6232460B2 (ja) | 2017-11-15 |
Family
ID=43450226
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012520804A Pending JP2012533685A (ja) | 2009-07-17 | 2010-07-16 | 金属粉末および合金の製造および用途 |
| JP2016052005A Active JP6232460B2 (ja) | 2009-07-17 | 2016-03-16 | 金属粉末および合金の製造および用途 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012520804A Pending JP2012533685A (ja) | 2009-07-17 | 2010-07-16 | 金属粉末および合金の製造および用途 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US8673051B2 (ja) |
| EP (1) | EP2454041A4 (ja) |
| JP (2) | JP2012533685A (ja) |
| CN (1) | CN102470443B (ja) |
| WO (1) | WO2011009014A2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2454041A4 (en) * | 2009-07-17 | 2017-02-08 | Boston Electronic Materials LLC | Manufacturing and applications of metal powders and alloys |
| CN103687685A (zh) * | 2011-05-16 | 2014-03-26 | 波士顿电子材料有限公司 | 金属粉末和合金的制造和应用 |
| KR101405845B1 (ko) * | 2012-08-10 | 2014-06-11 | 기아자동차주식회사 | 금속분말 사출 성형을 이용한 밸브 트레인 부품의 제조방법 |
| KR20140048428A (ko) * | 2012-10-15 | 2014-04-24 | 현대자동차주식회사 | 금속분말 사출 성형을 이용한 컨트롤 핑거의 제조방법 |
| WO2016138001A1 (en) * | 2015-02-23 | 2016-09-01 | Nanoscale Powders LLC | Methods for producing metal powders |
| WO2018089062A2 (en) * | 2016-08-12 | 2018-05-17 | Nanoscale Powders, LLC | Methods for producing metal powders and metal masterbatches |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5343017A (en) * | 1976-09-30 | 1978-04-18 | Osaka Titanium | Apparatus for production of ti or zr by mg reduction |
| JPS62240704A (ja) * | 1986-02-28 | 1987-10-21 | ロ−ヌ−プ−ラン・シミ | リチオテルミアによる金属粉末の製造方法 |
| JPH0238501A (ja) * | 1988-06-22 | 1990-02-07 | Hermann C Starck Berlin | 高純度土酸金属微粉末、及びその製造法並びに使用法 |
| JPH0873906A (ja) * | 1994-08-31 | 1996-03-19 | Toho Titanium Co Ltd | チタン粉末の製造方法 |
| JP2012533685A (ja) * | 2009-07-17 | 2012-12-27 | ボストン・エレクトロニツク・マテリアルズ・エルエルシー | 金属粉末および合金の製造および用途 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2847297A (en) * | 1952-08-23 | 1958-08-12 | Nat Res Corp | Method of producing titanium crystals |
| US2823991A (en) * | 1954-06-23 | 1958-02-18 | Nat Distillers Chem Corp | Process for the manufacture of titanium metal |
| GB835498A (en) * | 1958-01-08 | 1960-05-18 | Ici Ltd | Improvements in or relating to the production of titanium rich alloys |
| US3847596A (en) * | 1968-02-28 | 1974-11-12 | Halomet Ag | Process of obtaining metals from metal halides |
| FR2582019B1 (fr) * | 1985-05-17 | 1987-06-26 | Extramet Sa | Procede pour la production de metaux par reduction de sels metalliques, metaux ainsi obtenus et dispositif pour sa mise en oeuvre |
| JPH0747787B2 (ja) * | 1989-05-24 | 1995-05-24 | 株式会社エヌ・ケイ・アール | チタン粉末またはチタン複合粉末の製造方法 |
| JPH05343017A (ja) | 1992-06-05 | 1993-12-24 | Nikon Corp | 試料像の移動制御装置 |
| US5259862A (en) * | 1992-10-05 | 1993-11-09 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Interior | Continuous production of granular or powder Ti, Zr and Hf or their alloy products |
| US5958106A (en) * | 1994-08-01 | 1999-09-28 | International Titanium Powder, L.L.C. | Method of making metals and other elements from the halide vapor of the metal |
| JPH08295955A (ja) * | 1995-04-27 | 1996-11-12 | Sumitomo Sitix Corp | 高融点金属塩化物の還元方法 |
| US7442227B2 (en) * | 2001-10-09 | 2008-10-28 | Washington Unniversity | Tightly agglomerated non-oxide particles and method for producing the same |
| CN1311943C (zh) * | 2002-06-13 | 2007-04-25 | 财团法人生产技术研究奖励会 | 金属粉末生产方法及金属化合物原料成型体 |
| JP2005264320A (ja) * | 2004-02-20 | 2005-09-29 | Sumitomo Titanium Corp | Ｃａ還元によるＴｉ又はＴｉ合金の製造方法 |
| US7914600B2 (en) * | 2007-01-22 | 2011-03-29 | Materials & Electrochemical Research Corp. | Continuous production of titanium by the metallothermic reduction of TiCl4 |
| JP5343017B2 (ja) | 2010-02-04 | 2013-11-13 | Ｆｄｋ株式会社 | 積層チップ部品 |
-
2010
- 2010-07-16 EP EP10800584.4A patent/EP2454041A4/en not_active Withdrawn
- 2010-07-16 JP JP2012520804A patent/JP2012533685A/ja active Pending
- 2010-07-16 CN CN201080032369.0A patent/CN102470443B/zh active Active
- 2010-07-16 WO PCT/US2010/042209 patent/WO2011009014A2/en active Application Filing
-
2012
- 2012-01-16 US US13/350,854 patent/US8673051B2/en active Active
-
2014
- 2014-03-17 US US14/215,191 patent/US9586262B2/en active Active
-
2016
- 2016-03-16 JP JP2016052005A patent/JP6232460B2/ja active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5343017A (en) * | 1976-09-30 | 1978-04-18 | Osaka Titanium | Apparatus for production of ti or zr by mg reduction |
| JPS62240704A (ja) * | 1986-02-28 | 1987-10-21 | ロ−ヌ−プ−ラン・シミ | リチオテルミアによる金属粉末の製造方法 |
| JPH0238501A (ja) * | 1988-06-22 | 1990-02-07 | Hermann C Starck Berlin | 高純度土酸金属微粉末、及びその製造法並びに使用法 |
| JPH0873906A (ja) * | 1994-08-31 | 1996-03-19 | Toho Titanium Co Ltd | チタン粉末の製造方法 |
| JP2012533685A (ja) * | 2009-07-17 | 2012-12-27 | ボストン・エレクトロニツク・マテリアルズ・エルエルシー | 金属粉末および合金の製造および用途 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2011009014A4 (en) | 2011-06-30 |
| CN102470443B (zh) | 2014-10-15 |
| JP2012533685A (ja) | 2012-12-27 |
| US9586262B2 (en) | 2017-03-07 |
| EP2454041A4 (en) | 2017-02-08 |
| US20140199202A1 (en) | 2014-07-17 |
| CN102470443A (zh) | 2012-05-23 |
| EP2454041A2 (en) | 2012-05-23 |
| WO2011009014A3 (en) | 2011-04-21 |
| JP6232460B2 (ja) | 2017-11-15 |
| US8673051B2 (en) | 2014-03-18 |
| US20120167716A1 (en) | 2012-07-05 |
| WO2011009014A2 (en) | 2011-01-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6232460B2 (ja) | 金属粉末および合金の製造および用途 | |
| US9421612B2 (en) | Production of substantially spherical metal powders | |
| JP6397426B2 (ja) | 電解還元による金属を製造するための方法及び装置 | |
| JP4619385B2 (ja) | タンタル粉末、その製造法およびそれから得られるコンデンサー用焼結アノード | |
| US11077497B2 (en) | Deoxidation of metal powders | |
| MX2009001523A (es) | Productos semiacabados con superficie activa sinterizada estructurada y proceso para su produccion. | |
| CA2622336A1 (en) | Reduction process | |
| JP5246529B2 (ja) | 銅系金属粉 | |
| US9679675B2 (en) | Manufacturing and applications of metal powders and alloys | |
| RU2466205C2 (ru) | РЕАГИРУЮЩИЙ С ВОДОЙ Al КОМПОЗИТНЫЙ МАТЕРИАЛ, РЕАГИРУЮЩАЯ С ВОДОЙ Al ПЛЕНКА, СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ДАННОЙ Al ПЛЕНКИ И СОСТАВЛЯЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ ПЛЕНКООБРАЗУЮЩЕЙ КАМЕРЫ | |
| JP6224601B2 (ja) | ＷＣ−Ｃｏ超硬合金溶解用の溶融塩浴、並びにタングステン、コバルトの分離回収方法 | |
| JP6412501B2 (ja) | ニオブ造粒粉末の製造方法 | |
| JP6242814B2 (ja) | ニオブコンデンサ陽極用化成体及びその製造方法 | |
| Baba et al. | Dielectric properties of tantalum powder with broccoli-like morphology | |
| KR102023711B1 (ko) | 특정 온도에서 경도가 향상되는 고순도의 은 나노 분말 | |
| RU2649099C2 (ru) | Способ получения порошка вентильного металла | |
| KR101578389B1 (ko) | 은 회수 방법 | |
| JP6077274B2 (ja) | 窒素含有タンタル粉末およびその製造方法 | |
| FI87895B (fi) | Foerfarande foer framstaellning av metallpulver | |
| JP6258222B2 (ja) | ニオブコンデンサ陽極用化成体及びその製造方法 | |
| CN102041406A (zh) | 多孔性粉末及其制法 | |
| JP2011153381A (ja) | 複合銅微粉 | |
| JP2003321701A (ja) | Ｃｕ・Ｉｎ系金属粉体およびその製法 | |
| JP2022141441A (ja) | ニオブ、及びタンタルの液化処理方法 | |
| JP2019052328A (ja) | アルミニウム溶湯の清浄化方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160414 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160414 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170221 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20170509 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170802 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170822 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170831 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20171010 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20171023 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6232460 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |