JP2016184635A5 - - Google Patents

Claims (6)

1. 基板上に第１の絶縁体を成膜し、
   前記第１の絶縁体上に第２の絶縁体を成膜し、
   前記第２の絶縁体上に半導体を成膜し、
   前記第２の絶縁体の一部および前記半導体の一部を加工して、前記第２の絶縁体および前記半導体を有する多層膜を形成し、
   前記多層膜上に第３の絶縁体を成膜し、
   前記第３の絶縁体に、前記半導体の一部を露出する開口部を形成し、
   前記第３の絶縁体上および前記半導体上に第４の絶縁体を成膜し、
   前記第４の絶縁体上に第５の絶縁体を成膜し、
   前記第５の絶縁体上に導電体を成膜し、
   前記導電体、前記第５の絶縁体、および前記第４の絶縁体をエッチングして、前記第３の絶縁体の一部を露出し、
   前記第３の絶縁体をエッチングして前記多層膜の一部を露出し、
   前記多層膜にイオンを添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
2. 請求項１において、
   前記第３の絶縁体および前記第５の絶縁体は、異なる組成を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
3. 基板上に第１の絶縁体を成膜し、
   前記第１の絶縁体上に第２の絶縁体を成膜し、
   前記第２の絶縁体上に半導体を成膜し、
   前記第２の絶縁体の一部および前記半導体の一部を加工して、前記第２の絶縁体および前記半導体を有する多層膜を形成し、
   前記多層膜上に第３の絶縁体を成膜し、
   前記第３の絶縁体上に第４の絶縁体を成膜し、
   前記第４の絶縁体に、前記第３の絶縁体の一部を露出する開口部を形成し、
   前記第３の絶縁体上に第５の絶縁体を成膜し、
   前記第５の絶縁体上に導電体を成膜し、
   前記導電体および前記第５の絶縁体をエッチングして、前記第４の絶縁体の一部を露出し、
   前記第４の絶縁体をエッチングして前記第３の絶縁体の一部を露出し、
   前記第３の絶縁体を介して、前記多層膜にイオンを添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
4. 請求項３において、
   前記第４の絶縁体および前記第５の絶縁体は、異なる組成を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
5. 請求項１乃至４のいずれか一項において、
   前記イオンは、アルゴン、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノン、窒素、リンまたはホウ素から選ばれた、少なくとも一種以上の元素を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
6. 請求項１乃至５のいずれか一項において、
   前記イオンの添加は、前記基板面の法線に対して１０°以上６０°以下の入射角となるように注入する第１のステップと、−６０°以上−１０°以下の入射角となるように注入する第２のステップと、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。