JP2016174317A - 圧電デバイス - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は、圧電振動子の基板への実装及び圧電振動子と基板との間への樹脂材の充填が容易である圧電デバイスを提供する。
【解決手段】圧電デバイス（１００）は、一主面の表面に絶縁レジスト（１３１）が塗布された基板（１３０）と、一主面に面する底面に形成された実装端子（１１１）を有し基板の一主面に実装される圧電振動子（１１０）と、を備える。基板の一主面上の領域であり実装端子の底面に対向して実装端子の底面と同一の広さ及び同一の形状を有する接合領域（１５０）は、実装端子に半田（１４１）を介して接合される複数の電極（１３３）と絶縁レジストが塗布されない第１領域（１５１）とを含み、接合領域と底面とに挟まれ半田が形成されていない空間には絶縁性の樹脂材（１４２）が充填され、第１領域が接合領域の外周に接する。
【選択図】図３

Description

本発明は、圧電振動子と基板との間に樹脂材が充填された圧電デバイスに関する。

所定の周波数を発振する圧電振動子が半田により基板に実装される圧電デバイスでは、高温及び低温が繰り返される環境下で使用されることで圧電振動子と基板との熱膨張係数の差により半田に負荷がかかってクラックが入り、圧電デバイスの信頼性に問題が生じる場合がある。これに対して、例えば特許文献１では、圧電振動子に形成される実装端子の形状及び形成位置等を調整することにより半田のクラック発生を抑える旨が示されている。

しかし、圧電振動子の構造等に起因して実装端子の形状等が限定される場合もあり、また、半田の経年劣化などによっても圧電デバイスの信頼性に問題が生じる場合がある。これに対しては、半田による接合の他に、例えば特許文献２に示されるＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）等に用いられる樹脂材を圧電振動子と基板との間に充填し、圧電振動子と基板との接合を補強して圧電デバイスの信頼性を向上することが考えられる。

特開２０１４−６４３２２号公報 特開２００３−３４７７１８号公報

しかし、圧電デバイスでは圧電振動子と基板との間隔は狭く圧電振動子の底面の面積が広いため、特許文献２に示されるように樹脂材を圧電振動子と基板との間に充填することが困難であるという問題がある。

本発明は、圧電振動子と基板との間への樹脂材の充填が容易である圧電デバイスを提供することを目的とする。

第１観点の圧電デバイスは、一主面の表面に絶縁レジストが塗布された基板と、一主面に面する底面に形成された実装端子を有し、基板の一主面に実装される圧電振動子と、を備える。基板の一主面上の領域であり底面に対向して底面と同一の広さ及び同一の形状を有する接合領域は、実装端子に半田を介して接合される複数の電極と絶縁レジストが塗布されない第１領域とを含み、接合領域と底面とに挟まれ半田が形成されていない空間には絶縁性の樹脂材が充填され、第１領域が接合領域の外周に接する。

第２観点の圧電デバイスは、第１観点において、一主面上には第２領域が形成される。第２領域は、絶縁レジストが塗布されず、接合領域に隣接し、第１領域に接続する領域である。

第３観点の圧電デバイスは、一主面の表面に絶縁レジストが塗布された基板と、一主面に面する底面に形成された実装端子を有し、基板の一主面に実装される圧電振動子と、を備える。一主面上の領域であり底面に対向して底面と同一の広さ及び同一の形状を有する接合領域は、実装端子に半田を介して接合される複数の電極と絶縁レジストが塗布されず一主面から凹んだ凹部が形成される第３領域とを含み、接合領域と底面とに挟まれ半田が形成されていない空間には絶縁性の樹脂材が充填され、第３領域は接合領域の外周に接する。

第４観点の圧電デバイスは、第３観点において、一主面上には第４領域が形成される。第４領域は、絶縁レジストが塗布されず、一主面から凹んだ凹部が形成され、接合領域に隣接し、第３領域に接続する領域である。

第５観点の圧電デバイスは、一主面の表面に絶縁レジストが塗布された基板と、一主面に面する底面に形成された実装端子を有し、基板の一主面に実装される圧電振動子と、を備える。一主面上の領域であり底面に対向して底面と同一の広さ及び同一の形状を有する接合領域には、実装端子に半田を介して接合される複数の電極が形成され、実装端子又は電極の少なくとも一方の表面には凸状のバンプが形成され、接合領域と底面とに挟まれ半田が形成されていない空間には絶縁性の樹脂材が充填される。

第６観点の圧電デバイスは、第１観点から第５観点において、基板には、発振回路が形成されている。

本発明の圧電デバイスによれば、圧電振動子と基板との間への樹脂材の充填が容易である。

（ａ）は、圧電デバイス１００の概略斜視図である。 （ｂ）は、圧電デバイス１００の拡大部分斜視図である。 （ａ）は、基板１３０の拡大部分斜視図である。 （ｂ）は、基板１３０の拡大部分平面図である。 （ａ）は、図１（ｂ）のＡ−Ａ断面図である。 （ｂ）は、基板１３０と圧電振動子１１０との間に樹脂材１４２を充填する途中が示された圧電デバイス１００の部分断面図である。 （ａ）は、基板２３０の拡大部分平面図である。 （ｂ）は、基板２３０と圧電振動子１１０との間に樹脂材１４２を充填する途中が示された圧電デバイス２００の部分断面図である。 （ａ）は、基板３３０の拡大部分平面図である。 （ｂ）は、圧電デバイス３００の部分断面図である。 （ａ）は、基板４３０の拡大部分平面図である。 （ｂ）は、基板４３０と圧電振動子１１０との間に樹脂材１４２を充填する途中が示された圧電デバイス４００の部分断面図である。 （ａ）は、基板５３０の拡大部分平面図である。 （ｂ）は、基板６３０の部分平面図である。 （ａ）は、基板７３０の拡大部分平面図である。 （ｂ）は、圧電デバイス５００の拡大部分断面図である。

以下、本発明の好適な実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明の範囲は以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られるものではない。

（第１実施形態）
＜圧電デバイス１００の構成＞
図１（ａ）は、圧電デバイス１００の概略斜視図である。圧電デバイス１００は、基板１３０と、基板１３０上に実装される圧電振動子１１０と、を備える。圧電振動子１１０は、所定の周波数で振動する圧電振動片１１２（図３（ａ）参照）を内包し、外形が略直方体に形成される素子である。以下の説明では、基板１３０の圧電振動子１１０が実装される主面の上方向を＋Ｙ軸方向、圧電振動子１１０の長辺が伸びる方向をＸ軸方向、圧電振動子１１０の短辺が伸びる方向をＺ軸方向とした直交座標系を用いて説明する。

基板１３０の＋Ｙ軸側の面には、圧電振動子１１０の他に、例えばコンデンサ１２１、抵抗１２２、ＷＬＣＳＰ（ｗａｆｅｒ−ｌｅｖｅｌ ｃｈｉｐ−ｓｃａｌｅ ｐａｃｋａｇｅ）としてのＩＣ（集積回路）１２３、リードタイプのＩＣ（集積回路）１２４等の素子が配置される。圧電デバイス１００は、例えばこれらの素子により発振回路が形成され、圧電発振器として形成される。

図１（ｂ）は、圧電デバイス１００の拡大部分斜視図である。図１（ｂ）では、圧電デバイス１００の圧電振動子１１０及び圧電振動子１１０の周囲の基板１３０が拡大されて示されている。基板１３０は主に、平板状の基材１３２と、基材１３２の＋Ｙ軸側の面に塗布される絶縁レジスト１３１と、により形成される。基材１３２は、例えば、ガラスエポキシ基板である。また、基板１３０の＋Ｙ軸側の面には電極１３３が形成されている。圧電振動子１１０は、圧電振動子１１０の−Ｙ軸側の面である底面の四隅に実装端子１１１が形成され、圧電振動子１１０の実装端子１１１が半田１４１を介して電極１３３に電気的に接続される。さらに、圧電振動子１１０と基板１３０との間には樹脂材１４２が充填されている。

図２（ａ）は、基板１３０の拡大部分斜視図である。図２（ａ）では、主に圧電振動子１１０が載置される領域を含んだ基板１３０の部分斜視図が示されている。図２（ａ）には、圧電振動子１１０が載置される基板１３０上の領域である接合領域１５０が点線で囲まれて示されている。接合領域１５０は、圧電振動子１１０の−Ｙ軸側の面である底面に対向する領域であり、圧電振動子１１０の底面と同一の広さ及び同一の形状を有する。接合領域１５０の四隅には、実装端子１１１に対応するように電極１３３が形成されている。また、基板１３０の接合領域１５０には、基材１３２上に絶縁レジスト１３１が塗布されていない第１領域１５１が形成されている。図２（ａ）に示される各電極１３３は、基板１３０に形成される配線電極（不図示）を介して他の素子等に電気的に接続される。

図２（ｂ）は、基板１３０の拡大部分平面図である。図２（ｂ）は、図２（ａ）に示された基板１３０を＋Ｙ軸側から見た図である。接合領域１５０は、Ｘ軸方向に長辺が伸びＺ軸方向に短辺が伸びる長方形の領域であり、四隅に電極１３３が含まれている。また、接合領域１５０内の絶縁レジスト１３１が形成されていない領域である第１領域１５１が各電極１３３の間に形成されている。

第１領域１５１は、接合領域１５０の中央をＸ軸方向に伸びる領域と接合領域１５０の中央をＺ軸方向に伸びる領域とが組み合わされた十字状の領域として形成されている。また、第１領域１５１の外周はその一部が接合領域１５０の外周に重なっており、この第１領域１５１の外周と接合領域１５０の外周とが互いに重なる部分を重複範囲１５１ａとする。重複範囲１５１ａは、接合領域１５０の±Ｘ軸側の短辺の中心及びその付近と、接合領域１５０の±Ｚ軸側の長辺の中心及びその付近と、に形成されている。接合領域１５０の外周の短辺の重複範囲１５１ａの幅をＷ１、接合領域１５０の外周の長辺の重複範囲１５１ａの幅をＷ２とする。圧電デバイス１００では、幅Ｗ１と幅Ｗ２とが等しい大きさに形成されている。

図３（ａ）は、図１（ｂ）のＡ−Ａ断面図である。図３（ａ）は、図２（ｂ）に示される基板１３０のＡ−Ａ断面も含んでいる。圧電振動子１１０は、例えば、セラミックで形成されたパッケージ１１４内に圧電振動片１１２が載置され、リッド１１３で圧電振動片１１２をパッケージ１１４内に密封することにより形成される。圧電振動片１１２はパッケージ１１４内に形成された接続電極１１５に導電性接着剤１４４を介して電気的に接続され、リッド１１３は封止材１４３を介してパッケージ１１４に接合される。接続電極１１５は実装端子１１１に電気的に接続される。

圧電デバイス１００では、実装端子１１１と電極１３３とが互いに半田１４１により電気的に接続される。これにより、圧電振動片１１２が電極１３３に電気的に接続される。また、基板１３０と圧電デバイス１００との間の半田１４１を除いた空間には、絶縁性の樹脂材１４２が充填されている。樹脂材１４２には、例えば、加熱硬化型のエポキシ系の樹脂が用いられる。

図３（ｂ）は、基板１３０と圧電振動子１１０との間に樹脂材１４２を充填する途中が示された圧電デバイス１００の部分断面図である。図３（ｂ）は、図１（ｂ）のＢ−Ｂ断面に相当し、図２（ｂ）のＢ−Ｂ断面を含む断面が示されている。図３（ｂ）では、絶縁レジスト１３１が形成されない第１領域１５１の±Ｚ軸側の両端が重複範囲１５１ａとなっている。絶縁レジスト１３１の表面から見た圧電振動子１１０の底面のＹ軸方向の高さをＨ１、基材１３２の表面から見た圧電振動子１１０の底面のＹ軸方向の高さをＨ２とすると、第１領域１５１では基板１３０と圧電振動子１１０との間の距離がＨ２でありＨ１よりも大きくなる。

圧電デバイス１００の製造では、第１領域１５１が形成された基板１３０を用意し、圧電振動子１１０を半田１４１で基板１３０に実装した後に、基板１３０と圧電振動子１１０との間に樹脂材１４２を充填する。樹脂材１４２の充填では、まず、重複範囲１５１ａから見て接合領域１５０の外側にノズル１３４を介して液体状の樹脂材１４２が基板１３０上に流される。液体状の樹脂材１４２は、４か所ある重複範囲１５１ａ（図２（ｂ）参照）のうちの１か所又は複数か所に流すことができる。液体状の樹脂材１４２は毛細管現象により基板１３０と圧電振動子１１０との間に広がり、基板１３０と圧電振動子１１０との間に充填される。その後、液体状の樹脂材１４２が加熱されて硬化される。

基板１３０の第１領域１５１は、基材１３２に絶縁レジスト１３１を塗布する際に第１領域１５１に絶縁レジスト１３１を塗布しないことにより形成される。絶縁レジスト１３１は基材１３２を保護する役割もあるが、第１領域１５１は全て樹脂材１４２で充填されるため、第１領域１５１に絶縁レジスト１３１が形成されなくても基材１３２は樹脂材１４２で保護される。

圧電デバイスでは、高温状態及び低温状態が繰り返されるヒートサイクルが発生した場合に、基板と圧電振動子との熱膨張係数の違いに起因した負荷が半田にかかり、半田にクラックが入って基板と圧電振動子との間の接続信頼性が低下する場合がある。また、接続信頼性は、圧電デバイスにかかる衝撃、折り曲げ等の物理的応力及び半田の経年劣化等によっても低下する場合がある。圧電デバイス１００では、基板１３０と圧電振動子１１０との間に樹脂材１４２が充填されることにより、ヒートサイクル等の熱的応力及び衝撃、折り曲げ等の物理的応力に対する基板と圧電振動子との間の接続信頼性が向上されている。

また、従来の圧電デバイスでは、接合領域において基板と圧電振動子との間の距離がＨ１に形成されるが、Ｈ１の大きさは非常に小さいために、基板と圧電振動子との間への樹脂材の充填ができず、又は非常に時間がかかっていた。また、基板と圧電振動子との間にフラックスが残留し、フラックスが樹脂材の充填を妨げる場合があった。

圧電デバイス１００では、基板１３０の接合領域１５０に第１領域１５１が形成されて基板１３０と圧電振動子１１０との間の距離が広く取られることにより、樹脂材１４２が基板１３０と圧電振動子１１０との間に浸透し易く、短時間で基板１３０と圧電振動子１１０との間に樹脂材１４２を充填できる。また、圧電デバイスは基板に圧電振動子を半田により実装した後に洗浄液等で洗浄されてフラックスが落とされるが、基板と圧電振動子１１０との間の距離が広く取られる場合には基板１３０と圧電振動子１１０との間に洗浄液が入り易く、基板１３０と圧電振動子１１０との間のフラックスを除去し易くなる。その為、フラックスが樹脂材の充填を妨げることが防がれる。また、フラックスを完全に除去できなかった場合でも、フラックスが基板と圧電振動子との間を完全に塞ぎ難くなるため、フラックスが樹脂材の充填を妨げない。

さらに、圧電デバイスには低背化の要請があるが、圧電デバイス１００では圧電振動子１１０の基板１３０からの高さを従来の圧電振動子の高さよりも高くすることがないため好ましい。

また、液体状の樹脂材１４２を複数の重複範囲１５１ａから流す場合には、基板１３０と圧電振動子１１０との間に気泡となる空間を作らないように樹脂材１４２を充填しなければならない。図２（ｂ）に示される基板１３０では第１領域１５１と電極１３３とが隣接しておらず、樹脂材１４２はまず第１領域１５１に充填された後に第１領域１５１以外の接合領域１５０に広がるため、基板１３０と圧電振動子１１０との間に気泡となる空間が作られ難いため好ましい。

また、図２（ｂ）に示される基板１３０では幅Ｗ１と幅Ｗ２とが同じ幅に形成されているため液体状の樹脂材１４２の流れを計算し易く、基板１３０と圧電振動子１１０との間に気泡となる空間が作られないように各重複範囲１５１ａに時間差をつけて液体状の樹脂材１４２を流すなどの対応を取り易い。

また、第１領域１５１の幅Ｗ１と幅Ｗ２との幅は互いに異なっていても良く、第１領域１５１が接合領域１５０の電極１３３が形成される領域を除く全体に形成されていても良い。第１領域１５１の幅Ｗ１及び幅Ｗ２は、広い方が液体状の樹脂材１４２をより早く充填することができるため好ましい。

（第２実施形態）
第１実施形態では基板上の絶縁レジストが塗布されない領域が接合領域内であったが、絶縁レジストが塗布されない領域が接合領域外に広がって形成されても良い。以下に、接合領域外にも絶縁レジストが塗布されない領域が形成される基板が用いられた圧電デバイス２００について説明する。また、以降の説明においては、第１実施形態と同じ部分には第１実施形態と同じ符号を付してその説明を省略する。

＜圧電デバイス２００の構成＞
図４（ａ）は、基板２３０の拡大部分平面図である。圧電デバイス２００は、圧電デバイス１００において基板１３０の代わりに基板２３０が用いられることにより形成されている。図４（ａ）では、図２（ｂ）に示された基板１３０の拡大部分平面図に対応する基板２３０の拡大部分平面図が示されている。

基板２３０は、基板１３０において、さらに絶縁レジスト１３１が塗布されていない第２領域１５２が形成されている。第２領域１５２は、接合領域１５０に隣接して第１領域１５１に接続する領域であり、重複範囲１５１ａに接している。基板２３０では、基板１３０における４か所の重複範囲１５１ａにそれぞれ接するように第２領域１５２が形成されており、各第２領域１５２が長方形の領域として形成されており、各重複範囲１５１ａが各第２領域１５２の一辺となるように形成されている。

図４（ｂ）は、基板２３０と圧電振動子１１０との間に樹脂材１４２を充填する途中が示された圧電デバイス２００の部分断面図である。図４（ｂ）では、図３（ｂ）に示される圧電デバイス１００の部分断面図に対応する圧電デバイス２００の部分断面図が示されている。また、図４（ｂ）は、図４（ａ）のＣ−Ｃ断面を含む断面図が示されている。

圧電デバイス２００では、圧電振動子１１０の底面の外周と第２領域１５２の重複範囲１５１ａに向かい合う辺との距離をＨ３とすると、Ｈ３が基板２３０と圧電振動子１１０との間の空間への入り口の幅となる。圧電デバイス２００では第２領域１５２が形成されることによりＨ３が広くなり、液体状の樹脂材１４２を基板２３０と圧電振動子１１０との間に導入し易くなる。また、圧電振動子１１０が接合領域１５０からずれて基板２３０上に載置された場合でも、第２領域１５２が形成されることで基板２３０と圧電振動子１１０との間に確実に液体状の樹脂材１４２を流し込むことができる。

（第３実施形態）
第１実施形態及び第２実施形態では、基板の一部の絶縁レジストが塗布されないことにより基板と圧電振動子との間の距離を長くしているが、この距離を更に長くしたい場合には基板の一部に絶縁レジストを塗布しないと共に更に基材の一部に凹みを形成しても良い。以下に、基材の一部に凹みが形成された圧電デバイス３００及び圧電デバイス４００について説明する。また、以降の説明においては、第１実施形態又は第２実施形態と同じ部分には第１実施形態又は第２実施形態と同じ符号を付してその説明を省略する。

＜圧電デバイス３００の構成＞
図５（ａ）は、基板３３０の拡大部分平面図である。圧電デバイス３００は、圧電デバイス１００において基板１３０の代わりに基板３３０が用いられることにより形成されている。図５（ａ）では、図２（ｂ）に示された基板１３０の拡大部分平面図に対応する基板３３０の拡大部分平面図が示されている。

基板３３０には、第３領域１５３が形成されている。第３領域１５３は、基板１３０の第１領域１５１（図２（ｂ）参照）と同じ形状、大きさの領域として形成されるが、絶縁レジスト１３１が形成されないのみではなく、さらに基材１３２の＋Ｙ軸側の面が凹んで凹部が形成される点で第１領域１５１とは異なっている。図５（ａ）では、接合領域１５０の外周と第３領域１５３の外周とが重なる４か所の重複範囲１５３ａが示されている。

図５（ｂ）は、圧電デバイス３００の部分断面図である。図５（ｂ）では、図５（ａ）のＤ−Ｄ断面を含む断面図が示されている。圧電デバイス３００は、第３領域１５３の基板３３０と圧電振動子１１０との間の距離がＨ４に形成されている。Ｈ４はＨ１及びＨ２よりも大きく、基板３３０と圧電振動子１１０との間に樹脂材１４２を迅速に充填することができるため好ましい。

＜圧電デバイス４００の構成＞
図６（ａ）は、基板４３０の拡大部分平面図である。圧電デバイス４００は、圧電デバイス３００において基板３３０の代わりに基板４３０が用いられることにより形成されている。図６（ａ）では、図５（ａ）に示された基板３３０の拡大部分平面図に対応する基板４３０の拡大部分平面図が示されている。

基板４３０は、基板３３０において、さらに絶縁レジスト１３１が塗布されず、基材１３２の＋Ｙ軸側の面が凹んだ凹部が形成されている第４領域１５４が形成されている。第４領域１５４は、接合領域１５０に隣接して第３領域１５３に接続する領域であり、重複範囲１５３ａに接している。基板４３０では、４か所の重複範囲１５３ａにそれぞれ接するように第４領域１５４が形成されており、各第４領域１５４が長方形の領域として形成されており、各重複範囲１５３ａが各第４領域１５４の一辺となるように形成されている。

図６（ｂ）は、基板４３０と圧電振動子１１０との間に樹脂材１４２を充填する途中が示された圧電デバイス４００の部分断面図である。図６（ｂ）では、図５（ｂ）に示される圧電デバイス３００の部分断面図に対応する圧電デバイス４００の部分断面図が示されている。また、図６（ｂ）は、図４（ａ）のＥ−Ｅ断面を含む断面図が示されている。

圧電デバイス４００では、圧電振動子１１０の底面の外周と第４領域１５４の重複範囲１５３ａに向かい合う辺との距離をＨ５とすると、Ｈ５が基板４３０と圧電振動子１１０との間の空間への入り口の幅となる。圧電デバイス４００では第４領域１５４が形成されることにより基板４３０と圧電振動子１１０との間の空間への入り口の幅が広くなり、液体状の樹脂材１４２を基板４３０と圧電振動子１１０との間に導入し易くなる。また、圧電振動子１１０が接合領域１５０からずれて基板４３０上に載置された場合でも、第４領域１５４が形成されることで基板４３０と圧電振動子１１０との間に確実に液体状の樹脂材１４２を流し込むことができる。

（第４実施形態）
第１実施形態から第３実施形態では、接合領域１５０に形成される第１領域又は第３領域が十字状に形成されたが、第１領域又は第３領域の形状は、十字以外の形状でも良い。以下に第１領域又は第３領域が十字以外の形状に形成された場合の基板について説明する。また、以降の説明においては、第１実施形態から第３実施形態と同じ部分には第１実施形態から第３実施形態と同じ符号を付してその説明を省略する。

＜基板５３０の構成＞
図７（ａ）は、基板５３０の拡大部分平面図である。基板５３０は、図２（ｂ）に示された基板１３０において第１領域１５１とは異なる形状の第１領域５５１が形成されており、その他の構成は基板１３０と同じである。第１領域５５１は、接合領域１５０の中央をＸ軸方向に伸びており、＋Ｘ軸側と−Ｘ軸側との両端が接合領域１５０の外周と重なる重複範囲５５１ａとなっている。

基板５３０では、液体状の樹脂材１４２を圧電振動子１１０と基板５３０との間に充填する場合に、例えば第１領域５５１の＋Ｘ軸側及び−Ｘ軸側の両端から樹脂材１４２を導入する。導入された樹脂材１４２はまず絶縁レジスト１３１が形成されていない第１領域５５１に充填され、その後第１領域５５１以外の接合領域１５０に広がる。樹脂材１４２を接合領域１５０の外側から基板と圧電振動子との間に充填しようとする場合には接合領域１５０以外の基板上にも樹脂材１４２が広がり樹脂材１４２の制御が困難になる場合があるが、基板５３０では第１領域５５１を介して接合領域１５０の内側から基板５３０と圧電振動子１１０との間に樹脂材１４２を充填するので、効率的に樹脂材１４２を充填することができるため好ましい。

＜基板６３０の構成＞
図７（ｂ）は、基板６３０の部分平面図である。基板６３０は、図２（ｂ）に示された基板１３０における第１領域１５１とは異なる形状の第１領域６５１が形成されており、その他の構成は基板１３０と同じである。第１領域６５１は、接合領域１５０の中央をＺ軸方向に伸びており、＋Ｚ軸側と−Ｚ軸側との両端は接合領域１５０の外周と重なる重複範囲６５１ａとなっている。

基板６３０においても基板５３０と同様に第１領域６５１を介して接合領域１５０の内側から基板と圧電振動子１１０との間に樹脂材１４２を充填するので、効率的に樹脂材１４２を充填することができる。

基板５３０及び基板６３０では第１領域が形成された場合を示したが、第１領域の代わりに基板の＋Ｙ軸側の面が凹んで形成される第３領域が形成されても良く、また、第１領域又は第３領域に接合されるように接合領域１５０の外側に第２領域又は第４領域が形成されても良い。

（第５実施形態）
基板と圧電振動子との間の距離は、基板の電極又は実装端子にバンプを形成することにより確保されても良い。以下に、電極又は実装端子にバンプが形成された圧電デバイス５００について説明する。また、以降の説明においては、第１実施形態から第４実施形態と同じ部分には第１実施形態から第４実施形態と同じ符号を付してその説明を省略する。

＜圧電デバイス５００の構成＞
図８（ａ）は、基板７３０の拡大部分平面図である。図８（ａ）は、図２（ｂ）に示された基板１３０の拡大部分平面図に対応する基板７３０の拡大部分平面図が示されている。圧電デバイス５００は、基板７３０と圧電振動子７１０とを含んで構成されている。基板７３０は、基板１３０（図２（ｂ）参照）において、第１領域１５１が形成されておらず、一部の電極１３３上に凸状のバンプ１６０が形成されている。基板７３０では、＋Ｘ軸側の＋Ｚ軸側及び−Ｘ軸側の−Ｚ軸側の電極１３３上にバンプ１６０が形成されている。

図８（ｂ）は、圧電デバイス５００の拡大部分断面図である。図８（ｂ）では、図２（ａ）に示された圧電デバイス１００の拡大部分断面図と同様の部分の断面図が示されており、図８（ｂ）のＦ−Ｆ断面を含む断面図が示されている。圧電振動子７１０は、＋Ｘ軸側の−Ｚ軸側及び−Ｘ軸側の＋Ｚ軸側の実装端子１１１にバンプ１６０が形成されるが、それ以外は圧電振動子１１０と同じである。圧電振動子７１０は、図８（ｂ）に示されるように、バンプ１６０が形成される電極１３３とバンプ１６０が形成される実装端子１１１とが互いにＹ軸方向に重ならないように配置されている。また、電極１３３に形成されるバンプ１６０と実装端子１１１に形成されるバンプ１６０とは同じ高さに形成されており、圧電振動子１１０は基板７３０上に傾くことなく実装される。

圧電デバイス５００では、電極１３３及び実装端子１１１にバンプ１６０が形成されることにより、基板７３０と圧電振動子７１０との間の距離をＨ１よりも大きいＨ６に形成することができる。このため、液体状の樹脂材１４２を基板７３０と圧電振動子７１０との間に充填し易いため好ましい。

また、圧電デバイス５００の構成では、全ての電極１３３にバンプ１６０を形成して実装端子１１１にバンプ１６０を形成しないとしても良く、全ての実装端子１１１にバンプ１６０を形成して電極１３３にバンプ１６０を形成しないとしても良い。また、例えば接地される電極１３３にはバンプ１６０を形成し、それ以外は実装端子１１１側にバンプ１６０を形成する等、電極１３３の用途によってバンプ１６０の形成の有無を決めて、電極１３３の用途が明確になるようにしても良い。

以上、本発明の最適な実施形態について詳細に説明したが、当業者に明らかなように、本発明はその技術的範囲内において実施形態に様々な変更・変形を加えて実施することができる。また、各実施形態の特徴を様々に組み合わせて実施することができる。

１００、２００、３００、４００ … 圧電デバイス
１１０、７１０ … 圧電振動子
１１１ … 実装端子
１１２ … 圧電振動片
１１３ … リッド
１１４ … パッケージ
１１５ … 接続電極
１２１ … コンデンサ
１２２ … 抵抗
１２３ … ＩＣ（ＷＬＣＳＰ）
１２４ … ＩＣ（リードタイプ）
１３０、２３０、３３０、４３０、５３０、６３０、７３０ … 基板
１３１ … 絶縁レジスト
１３２ … 基材
１３３ … 電極
１３４ … ノズル
１４１ … 半田
１４２ … 樹脂材
１４３ … 封止材
１４４ … 導電性接着剤
１５０ … 接合領域
１５１、５５１、６５１ … 第１領域
１５１ａ、１５３ａ、５５１ａ、６５１ａ … 重複範囲
１５２ … 第２領域
１５３ … 第３領域
１５４ … 第４領域
１６０ … バンプ
Ｈ１ … 絶縁レジスト１３１の表面から見た圧電振動子１１０の底面のＹ軸方向の高さ
Ｈ２ … 基材１３２の表面から見た圧電振動子１１０の底面のＹ軸方向の高さ
Ｈ３ … 圧電振動子１１０の底面の外周と第２領域１５２の重複範囲１５１ａに向かい合う辺との距離
Ｈ４ … 第３領域１５３の基板３３０と圧電振動子１１０との間の距離
Ｈ５ … 圧電振動子１１０の底面の外周と第４領域１５４の重複範囲１５３ａに向かい合う辺との距離
Ｈ６ … 基板７３０と圧電振動子７１０との間の距離

Claims (6)

1. 一主面の表面に絶縁レジストが塗布された基板と、
   前記一主面に面する底面に形成された実装端子を有し、前記基板の一主面に実装される圧電振動子と、を備え、
   前記一主面上の領域であり前記底面に対向して前記底面と同一の広さ及び同一の形状を有する接合領域は、前記実装端子に半田を介して接合される複数の電極と前記絶縁レジストが塗布されない第１領域とを含み、
   前記接合領域と前記底面とに挟まれ前記半田が形成されていない空間には絶縁性の樹脂材が充填され、
   前記第１領域は前記接合領域の外周に接する圧電デバイス。
2. 前記一主面上には第２領域が形成され、
   前記第２領域は、前記絶縁レジストが塗布されず、前記接合領域に隣接し、前記第１領域に接続する領域である請求項１に記載の圧電デバイス。
3. 一主面の表面に絶縁レジストが塗布された基板と、
   前記一主面に面する底面に形成された実装端子を有し、前記基板の一主面に実装される圧電振動子と、を備え、
   前記一主面上の領域であり前記底面に対向して前記底面と同一の広さ及び同一の形状を有する接合領域は、前記実装端子に半田を介して接合される複数の電極と前記絶縁レジストが塗布されず前記一主面から凹んだ凹部が形成される第３領域とを含み、
   前記接合領域と前記底面とに挟まれ前記半田が形成されていない空間には絶縁性の樹脂材が充填され、
   前記第３領域は前記接合領域の外周に接する圧電デバイス。
4. 前記一主面上には第４領域が形成され、
   前記第４領域は、前記絶縁レジストが塗布されず、前記一主面から凹んだ凹部が形成され、前記接合領域に隣接し、前記第３領域に接続する領域である請求項３に記載の圧電デバイス。
5. 一主面の表面に絶縁レジストが塗布された基板と、
   前記一主面に面する底面に形成された実装端子を有し、前記基板の一主面に実装される圧電振動子と、を備え、
   前記一主面上の領域であり前記底面に対向して前記底面と同一の広さ及び同一の形状を有する接合領域には、前記実装端子に半田を介して接合される複数の電極が形成され、
   前記実装端子又は前記電極の少なくとも一方の表面には凸状のバンプが形成され、
   前記接合領域と前記底面とに挟まれ前記半田が形成されていない空間には絶縁性の樹脂材が充填される圧電デバイス。
6. 前記基板には、発振回路が形成されている請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の圧電デバイス。