JP6303427B2 - 電子部品モジュール及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、電子部品モジュール及びその製造方法に関する。

所謂Ｈ型構造の電子部品を搭載した電子部品モジュールが知られている。Ｈ型構造の電子部品とは、上面側及び下面側に夫々空間を設けた断面形状がＨ型の部材の、夫々の空間内に別個の電子部品を収容した電子部品である。Ｈ型構造の電子部品の一例として、Ｈ型の部材の夫々の空間内にＩＣ（半導体チップ）と水晶片とを収容した表面実装水晶発振器等を挙げることができる（例えば、特許文献１参照）。

特開２０１１−８７００４号公報

ところで、上記のようなＨ型構造の電子部品を搭載した電子部品モジュールにおいて、Ｈ型の部材に設けられた空間内に機械的強度の低い電子部品を収容する場合がある。機械的強度の低い電子部品とは、例えば、ベアチップ等である。

このような場合に、Ｈ型構造の電子部品をモールド樹脂で封止しようとすると、Ｈ型構造の電子部品に収容された機械的強度の低い電子部品にモールド圧が直接かかるため、機械的強度の低い電子部品が損傷する（割れやクラック等が発生する）問題があった。

本発明は、上記の点に鑑みてなされたもので、Ｈ型構造の電子部品に収容された電子部品を損傷することなくモールド樹脂で封止可能な電子部品モジュール等を提供することを課題とする。

本電子部品モジュール（１、２、３）は、基板（１０）と、前記基板（１０）に実装されたＨ型構造の電子部品（２０）と、前記Ｈ型構造の電子部品（２０）を覆う封止樹脂（５０）と、前記Ｈ型構造の電子部品（２０）の前記基板（１０）と対向する側に設けられた部品収容用の凹部（２１ｙ）内に前記封止樹脂（５０）が流入することを防止する樹脂流入防止手段（４０、１００）と、を有し、前記樹脂流入防止手段（４０、１００）は、前記Ｈ型構造の電子部品（２０）の前記基板側の周囲を覆う樹脂であり、前記樹脂を覆うように、前記封止樹脂（５０）が形成されており、前記樹脂に含まれるフィラーの粒径は、前記封止樹脂（５０）に含まれるフィラーの粒径よりも小さいことを要件とする。

なお、上記括弧内の参照符号は、理解を容易にするために付したものであり、一例にすぎず、図示の態様に限定されるものではない。

開示の技術によれば、Ｈ型構造の電子部品に収容された電子部品を損傷することなくモールド樹脂で封止可能な電子部品モジュール等を提供できる。

第１の実施の形態に係る電子部品モジュールを例示する図である。 第１の実施の形態に係る電子部品モジュールの製造工程を例示するフロー図である。 比較例１に係る電子部品モジュールを例示する図である。 比較例１に係る電子部品モジュールをモールド樹脂で封止する工程を説明する図である。 第１の実施の形態に係る電子部品モジュールをモールド樹脂で封止する工程を説明する図である。 第２の実施の形態に係る電子部品モジュールを例示する断面図である。 比較例に係る電子部品モジュールを例示する断面図である。 第３の実施の形態に係る電子部品モジュールを例示する図である。

以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。

〈第１の実施の形態〉
図１は、第１の実施の形態に係る電子部品モジュールを例示する図であり、図１（ａ）は断面図、図１（ｂ）は平面図である。図１（ａ）は、図１（ｂ）のＡ−Ａ線に沿う断面を示している。但し、図１（ｂ）において、図１（ａ）に示す部材の一部は、図示を省略されている。

図１を参照するに、第１の実施の形態に係る電子部品モジュール１は、基板１０と、Ｈ型構造の電子部品２０（以降、Ｈ型構造部品２０とする）と、導電接合部３０と、アンダーフィル樹脂４０と、モールド樹脂５０とを有する。Ｈ型構造部品２０は、導電接合部３０を介して基板１０の上面１０ａに実装されている。Ｈ型構造部品２０の下部側（基板１０の上面１０ａ側）にはアンダーフィル樹脂４０が設けられ、Ｈ型構造部品２０の全体は、基板１０の上面１０ａに設けられたモールド樹脂５０で覆われている。なお、２００は空間を示している。以下、各構成部について説明する。

基板１０は、Ｈ型構造部品２０等を実装するための基体となる部分であり、例えば、ガラスクロスにエポキシ系樹脂等の絶縁性樹脂を含浸させた所謂ガラスエポキシ基板を用いることができる。基板１０として、例えば、セラミック基板やシリコン基板等を用いてもよい。又、基板１０は、ビルドアップ基板等の多層配線基板であってもよい。基板１０の厚さは、例えば、０．３〜１．６ｍｍ程度とすることができる。なお、基板１０の上面１０ａに、Ｈ型構造部品２０の他に、コンデンサや抵抗、ＩＣ（半導体チップ）やダイオード等の電子部品が実装されてもよい。

Ｈ型構造部品２０は、セラミック基板２１と、半導体チップ２２（ベアチップ）と、バンプ２３と、チップ固定樹脂２４と、ケース２５とを有する。

セラミック基板２１は、例えば、立方体や直方体の上面側及び下面側に凹部２１ｘ及び２１ｙ（キャビティ部）が形成されたものであり、断面形状が略Ｈ型とされている。凹部２１ｘは、セラミック基板２１の上面側に設けられた部品収容用の窪みである。凹部２１ｙは、セラミック基板２１の下面側（Ｈ型構造部品２０の基板１０と対向する側）に設けられた部品収容用の窪みである。凹部２１ｘ内及び凹部２１ｙ内には電子部品を実装するためのパッドや配線が形成されている。なお、セラミック基板２１に代えて、同様の構造に加工されたシリコン基板等を用いてもよい。

半導体チップ２２は、セラミック基板２１の凹部２１ｙ内にバンプ２３を介して実装されている。バンプ２３は、例えば、はんだバンプであり、凹部２１ｙ内に形成されたパッド（図示せず）と接合されている。半導体チップ２２の凹部２１ｙの内壁面（上面及び側面）と対向する部分は、凹部２１ｙ内に設けられたチップ固定樹脂２４で覆われている。

但し、チップ固定樹脂２４は、半導体チップ２２をセラミック基板２１に固定する機能を果たしていれば、半導体チップ２２の凹部２１ｙの内壁面（上面及び側面）と対向する部分の全てを覆っていなくてもよい。

なお、チップ固定樹脂２４は、半導体チップ２２の基板１０の上面１０ａと対向する面にはほとんど形成されていなく、半導体チップ２２の側面から横方向に離れるほど厚く形成されている。これは、チップ固定樹脂２４を形成する際に塗布（注入）する液状の樹脂の表面張力の影響によるものである。

又、半導体チップ２２の基板１０の上面１０ａと対向する面に、多くのチップ固定樹脂２４を形成することは好ましくない。チップ固定樹脂２４がセラミック基板２１の枠状の底面２１ａよりも下側に突出すると、セラミック基板２１を導電接合部３０を介して基板１０の上面１０ａに実装できなくなるからである。

チップ固定樹脂２４としては、例えば、フィラーを含有したエポキシ系の絶縁性樹脂等を用いることができる。或いは、フィラーを含有したシリコーン系の絶縁性樹脂等を用いてもよい。チップ固定樹脂２４は毛細管現象を利用して所定の領域に流し込むものであるため、モールド樹脂５０よりも軟らかく流動性に富む。又、チップ固定樹脂２４に含有されるフィラーは略球状であるが、粒径は数μｍ程度であり、これはモールド樹脂５０に含有されるフィラーの粒径の１／１０程度である。

セラミック基板２１の凹部２１ｘ内には、電子部品が実装されている。凹部２１ｘ内に実装される電子部品は、例えば、水晶片（図示せず）であり、水晶片と半導体チップ２２とは、セラミック基板２１に形成された配線（図示せず）を介して電気的に接続されている。この場合、Ｈ型構造部品２０は、水晶発振器（例えば、温度補償型水晶発振器等）となる。

ケース２５は、セラミック基板２１の凹部２１ｘを塞ぐように（蓋をするように）、セラミック基板２１上に固定されている。ケース２５は、例えば、シーム溶接により、セラミック基板２１上に固定できる。

セラミック基板２１は、導電接合部３０を介して、基板１０の上面１０ａに実装されている。導電接合部３０は、例えば、セラミック基板２１の枠状の底面２１ａの四隅に配されている。導電接合部３０は、例えば、はんだや導電性ペーストである。Ｈ型構造部品２０のセラミック基板２１に形成された配線（図示せず）は、導電接合部３０を介して、基板１０に形成された配線（図示せず）と電気的に接続されている。

アンダーフィル樹脂４０は、Ｈ型構造部品２０の外部とセラミック基板２１の凹部２１ｙ内の空間とを遮断するように形成されている。すなわち、アンダーフィル樹脂４０は、Ｈ型構造部品２０をモールド樹脂５０で覆う工程で、凹部２１ｙ内にモールド樹脂５０が流入することを防止するために形成されている。アンダーフィル樹脂４０は、本発明に係る樹脂流入防止手段の代表的な一例である。

アンダーフィル樹脂４０は、Ｈ型構造部品２０の基板１０側の周囲を覆うように設けられている。具体的には、アンダーフィル樹脂４０は、セラミック基板２１の側面２１ｂの下端側（基板１０側）を覆い、セラミック基板２１の底面２１ａと基板１０の上面１０ａとで形成する隙間Ｓを充填し、更に、凹部２１ｙ内の一部に延在している。

なお、アンダーフィル樹脂４０とチップ固定樹脂２４との間には空間２００が形成されているが、空間２００が形成さないようにアンダーフィル樹脂４０を凹部２１ｙ内に充填させてもよい。

アンダーフィル樹脂４０としては、例えば、フィラーを含有したエポキシ系の絶縁性樹脂等を用いることができる。或いは、フィラーを含有したシリコーン系の絶縁性樹脂等を用いてもよい。アンダーフィル樹脂４０は毛細管現象を利用して所定の領域に流し込むものであるため、モールド樹脂５０よりも軟らかく流動性に富む。又、アンダーフィル樹脂４０に含有されるフィラーは略球状であるが、粒径は数μｍ程度であり、これはモールド樹脂５０に含有されるフィラーの粒径の１／１０程度である。

なお、アンダーフィル樹脂４０は、チップ固定樹脂２４と同一の樹脂であることが好ましい。熱膨張係数の相違に起因する熱応力が生じないようにするためである。

モールド樹脂５０は、Ｈ型構造部品２０の全体及びアンダーフィル樹脂４０を覆うように基板１０の上面１０ａに設けられた封止樹脂である。但し、アンダーフィル樹脂４０がＨ型構造部品２０の外部とセラミック基板２１の凹部２１ｙ内の空間とを遮断しているため、モールド樹脂５０はセラミック基板２１の凹部２１ｙ内には形成されていない。なお、セラミック基板２１の凹部２１ｘはケース２５により塞がれているため、モールド樹脂５０はセラミック基板２１の凹部２１ｘ内にも形成されていない。

モールド樹脂５０としては、例えば、フィラーを含有したエポキシ系の絶縁性樹脂等を用いることができる。モールド樹脂５０に含有されるフィラーは略球状であり、粒径は５０μｍ程度である。モールド樹脂５０はアンダーフィル樹脂４０よりも硬く流動性に劣る。そのため、モールド樹脂５０を形成する際には、所定のモールド圧を印加して樹脂を流動させる必要がある。

図２は、第１の実施の形態に係る電子部品モジュールの製造工程を例示するフロー図である。図２に示すように、電子部品モジュール１を製造するには、まず、基板１０を準備し、基板１０の上面１０ａに、実装機を用いてＨ型構造部品２０、コンデンサや抵抗、ＩＣ（半導体チップ）やダイオード等の電子部品を実装する。具体的には、例えばはんだや導電性ペースト等を塗布して導電接合部３０を形成し、導電接合部３０を介して予め作製したＨ型構造部品２０、コンデンサや抵抗、ＩＣ（半導体チップ）やダイオード等を配置し、導電接合部３０を硬化させる（ステップＳ１）。

次に、Ｈ型構造部品２０の下部と基板１０の上面１０ａとの間に、ディスペンサ等を用いて液状の樹脂を塗布（注入）し、液状の樹脂を硬化させてアンダーフィル樹脂４０とする（ステップＳ２）。

次に、トランスファーモールド等により、基板１０の上面１０ａに、Ｈ型構造部品２０の全体を覆うように、モールド樹脂５０を設ける（ステップＳ３）。なお、ステップＳ１〜Ｓ３では、電子部品モジュール１となる複数の領域を備えたシート基板を用いる。すなわち、ステップＳ１〜Ｓ３では、シート基板の複数の領域にＨ型構造部品２０の実装等を行い、各領域に最終的に電子部品モジュール１となる構造体を形成する。

次に、ダイシングにより、シート基板を各領域に沿って個片化し、複数の電子部品モジュール１を作製する（ステップＳ４）。その後、必要に応じ、各電子部品モジュール１のモールド樹脂５０の外壁にアルミニウム等の金属を真空蒸着し、シールド効果を付与する（ステップＳ５）。

次に、必要に応じ、各電子部品モジュール１のモールド樹脂５０の上面等にレジストを印刷し（ステップＳ６）、レジストにレーザーマークによりロットＮｏ等を形成する（ステップＳ７）。そして、必要に応じ、特性検査（ステップＳ８）、外観検査（ステップＳ９）、梱包（ステップＳ１０）等を行って、電子部品モジュール１の製造工程が終了する。

ここで、比較例を示しながら、電子部品モジュール１の奏する特有の効果について説明する。図３は、比較例１に係る電子部品モジュールを例示する図であり、図３（ａ）は断面図、図３（ｂ）は平面図である。図３（ａ）は、図３（ｂ）のＡ−Ａ線に沿う断面を示している。但し、図３（ｂ）において、図３（ａ）に示す部材の一部は、図示を省略されている。

図３を参照するに、比較例１に係る電子部品モジュール１Ｘは、アンダーフィル樹脂４０を備えていない点が第１の実施の形態に係る電子部品モジュール１（図１参照）と相違する。

電子部品モジュール１Ｘの製造工程では、図４（ａ）に示すように、基板１０の上面１０ａにＨ型構造部品２０を実装し、その後、図４（ｂ）に示すように、モールド樹脂５０で封止する。

電子部品モジュール１Ｘはアンダーフィル樹脂４０を備えていないため、モールド樹脂５０で封止する際に、セラミック基板２１の底面２１ａと基板１０の上面１０ａとで形成する隙間Ｓから硬化前のモールド樹脂５０がセラミック基板２１の凹部２１ｙ内に侵入する。なお、モールド樹脂５０はフィラーを含有しているが、フィラーは略球状であり、粒径は５０μｍ程度である。一方、隙間Ｓは１５０〜２００μｍ程度であるから、モールド樹脂５０を構成する樹脂及びフィラーが凹部２１ｙ内に侵入する。

樹脂及びフィラーが凹部２１ｙ内に侵入すると、モールド圧が直接半導体チップ２２（ベアチップ）やバンプ２３にかかるため、チップ割れやバンプクラックが発生しやすくなる。なお、図４（ｂ）の矢印は、モールド樹脂５０を設ける工程で生じるモールド圧を模式的に示したものである。

又、モールド樹脂５０を構成する樹脂と、半導体チップ２２を固定しているチップ固定樹脂２４を構成する樹脂とは、熱膨張係数が大きく相違する。そのため、モールド樹脂５０が形成されて完成した電子部品モジュール１Ｘをマザーボード等に搭載するためにリフロー加熱すると、前述の熱膨張係数の相違に起因して生じる熱応力により、チップ割れやバンプクラックが発生する場合がある。

一方、図１を参照して説明したように、本実施の形態に係る電子部品モジュール１では、アンダーフィル樹脂４０は、Ｈ型構造部品２０の外部とセラミック基板２１の凹部２１ｙ内の空間とを遮断するように形成されている。そのため、図５に示すように、モールド樹脂５０を設ける工程（図２のステップＳ３）において、モールド圧は直接半導体チップ２２（ベアチップ）やバンプ２３にはかからない。その結果、モールド樹脂５０を設ける工程において、チップ割れやバンプクラックが発生するおそれを低減できる。

又、アンダーフィル樹脂４０とチップ固定樹脂２４とは接しているが、アンダーフィル樹脂４０を構成する樹脂は、チップ固定樹脂２４を構成する樹脂と熱膨張係数が同等である。そのため、電子部品モジュール１Ｘとは異なり、リフロー加熱による熱応力によりチップ割れやバンプクラックが発生するおそれも低減できる。

このように、第１の実施の形態に係る電子部品モジュール１によれば、Ｈ型構造部品２０の外部とセラミック基板２１の凹部２１ｙ内の空間とを遮断するようにアンダーフィル樹脂４０を形成したため、凹部２１ｙ内に配された半導体チップ２２やバンプ２３に割れやクラックが発生するおそれを低減できる。

〈第２の実施の形態〉
第２の実施の形態では、第１の実施の形態とは異なる電子部品モジュールの例を示す。なお、第２の実施の形態において、既に説明した実施の形態と同一構成部についての説明は省略する。

図６は、第２の実施の形態に係る電子部品モジュールを例示する断面図である。図６を参照するに、第２の実施の形態に係る電子部品モジュール２は、半導体チップ６２、バンプ６３、アンダーフィル樹脂６４、金属部７０、レジスト８０が追加された点が、電子部品モジュール１（図１参照）と相違する。もちろん、基板１０の上面１０ａに、コンデンサや抵抗、ＩＣ（半導体チップ）やダイオード等の他の電子部品が実装されてもよい。

半導体チップ６２は、基板１０の上面１０ａにバンプ６３を介してフリップチップ実装されている。半導体チップ６２の下面と基板１０の上面１０ａとの隙間には、バンプ６３を覆うように、アンダーフィル樹脂６４が形成されている。半導体チップ６２、バンプ６３、及びアンダーフィル樹脂６４は、Ｈ型構造部品２０と共にモールド樹脂５０により覆われている。半導体チップ６２は、本発明に係る他の電子部品の代表的な一例である。

半導体チップ６２は、例えば、ＧＰＳ（全地球測位システム）用の半導体であり、Ｈ型構造部品２０は、例えば、ＧＰＳ用途に対応可能な周波数温度特性を有する高精度の温度補償型水晶発振器である。Ｈ型構造部品２０で生成されたクロック信号が半導体チップ６２に供給される。この場合、電子部品モジュール２は、例えば、ＧＰＳモジュールとなる。

金属部７０は、モールド樹脂５０の外壁（上面及び側面）に形成され、基板１０の側面の一部に延在している。金属部７０は、例えば、アルミニウム等の金属を真空蒸着したものであり、シールド効果を奏する。レジスト８０は、モールド樹脂５０の上面に金属部７０を介して形成されている。レジスト８０は、レーザーマークによりロットＮｏ等を形成するために設けるものである。但し、金属部７０やレジスト８０は、必要に応じて設ければよい。

このように、Ｈ型構造部品２０を他の半導体チップと共にモールド樹脂５０により封止することで、第１の実施の形態の効果に加えて、以下のような効果を奏する。比較例を示しながら、電子部品モジュール２の奏する特有の効果について具体的に説明する。なお、ここでは、電子部品モジュールがＧＰＳモジュールである場合を例にして説明する。

図７は、比較例に係る電子部品モジュールを例示する断面図である。図７（ａ）に示す比較例２に係る電子部品モジュール２Ｘのように、基板１０上に半導体チップ６２、バンプ６３、及びアンダーフィル樹脂６４を設けてモールド樹脂５０により封止し、更に金属部７０及びレジスト８０を形成する構造も考えられる。すなわち、電子部品モジュール２Ｘは、Ｈ型構造部品２０を有していない。つまり、ＧＰＳモジュールとしては、半完成品の状態である。

この場合、ＧＰＳモジュールを用いる者が電子部品モジュール２Ｘ及びＨ型構造部品２０を別々に入手し、自身で設計したマザーボード９１に自由なレイアウトで電子部品モジュール２Ｘ及びＨ型構造部品２０を実装できる。

しかし、ＧＰＳモジュールを用いる者が、Ｈ型構造部品２０と半導体チップ６２との定数の合わせ込みを行う必要性が生じる。例えば、ＧＰＳモジュールを用いる者が、チップコンデンサ９２の値を検討する必要が生じる。すなわち、使い勝手が良くない。

又、図７（ｂ）に示す比較例３に係る電子部品モジュール２Ｙのように、モールド樹脂５０を設けない構造も考えられる。しかし、この構造では、シールドが必要な場合には、シールドケース９３を別部材として基板１０に取り付ける必要がある。シールドケース９３を取り付けるためには、基板１０に取り付け用のランドを設けてはんだ付けする必要があるため（図７（ｂ）のＡ部）、基板１０のサイズが大きくなり好ましくない。又、シールドケース９３は金属部７０（図６参照）に比べて厚くする必要があり（例えば、厚さ１ｍｍ程度）、更に半導体チップ６２とのギャップを大きくとる必要があるため、電子部品モジュール２Ｙが厚くなり好ましくない。

又、図７（ｃ）に示す比較例４に係る電子部品モジュール２Ｚのように、Ｈ型構造部品２０はモールド樹脂５０により封止せずに、半導体チップ６２、バンプ６３、及びアンダーフィル樹脂６４はモールド樹脂５０により封止する構造も考えられる。なお、９４は、電子部品モジュール２Ｚの製造工程で用いられるカバーを示しており、製品出荷時には設けられていない。

電子部品モジュール２Ｚのように、Ｈ型構造部品２０のみをモールド樹脂５０で封止しない方法は技術的に困難である。又、真空蒸着により金属部７０を形成する際に、Ｈ型構造部品２０の周囲にカバー９４を設ける必要があるが、Ｈ型構造部品２０と他の部品とのギャップを広くとる必要が生じるため、基板１０のサイズが大きくなり好ましくない。

以上のように、比較例２〜４で示した電子部品モジュールには様々な問題が生じるが、第２の実施の形態に係る電子部品モジュール２では、Ｈ型構造部品２０を半導体チップ６２と共にモールド樹脂５０により封止することで、このような問題を解決している。すなわち、技術的に困難な製造工程を経ることなく、電子部品モジュール２を小型化できると共に、定数の合わせ込みを行う必要性がない完成状態の電子部品モジュール２を供給できる。

〈第３の実施の形態〉
第３の実施の形態では、第１の実施の形態とは異なる電子部品モジュールの他の例を示す。なお、第３の実施の形態において、既に説明した実施の形態と同一構成部についての説明は省略する。

図８は、第３の実施の形態に係る電子部品モジュールを例示する図であり、図８（ａ）は断面図、図８（ｂ）は平面図である。図８（ａ）は、図８（ｂ）のＡ−Ａ線に沿う断面を示している。但し、図８（ｂ）において、図８（ａ）に示す部材の一部は、図示を省略されている。

図８を参照するに、第３の実施の形態に係る電子部品モジュール３は、アンダーフィル樹脂４０が、コーティング樹脂１００に置換された点が、電子部品モジュール１（図１参照）と相違する。もちろん、基板１０の上面１０ａに、コンデンサや抵抗、ＩＣ（半導体チップ）やダイオード等の他の電子部品が実装されてもよい。

コーティング樹脂１００は、Ｈ型構造部品２０の外部とセラミック基板２１の凹部２１ｙ内の空間とを遮断するように形成されている。すなわち、コーティング樹脂１００は、Ｈ型構造部品２０をモールド樹脂５０で覆う工程で、凹部２１ｙ内にモールド樹脂５０が流入することを防止するために形成されている。コーティング樹脂１００は、本発明に係る樹脂流入防止手段の代表的な一例である。

コーティング樹脂１００は、Ｈ型構造部品２０の全体を覆うように設けられている。具体的には、コーティング樹脂１００は、Ｈ型構造部品２０の全体を覆い、セラミック基板２１の底面２１ａと基板１０の上面１０ａとで形成する隙間Ｓを充填し、更に、凹部２１ｙ内の一部に延在している。

なお、コーティング樹脂１００とチップ固定樹脂２４との間には空間２００が形成されているが、空間２００が形成さないようにコーティング樹脂１００を凹部２１ｙ内に充填させてもよい。

コーティング樹脂１００としては、例えば、フィラーを含有したエポキシ系の絶縁性樹脂等を用いることができる。或いは、フィラーを含有したシリコーン系の絶縁性樹脂等を用いてもよい。コーティング樹脂１００に含有されるフィラーは略球状であるが、粒径は数μｍ程度であり、これはモールド樹脂５０に含有されるフィラーの粒径の１／１０程度である。コーティング樹脂１００は、例えば、ディスペンサで塗布し、硬化させることで形成できる。

なお、コーティング樹脂１００は、チップ固定樹脂２４と同一の樹脂であることが好ましい。熱膨張係数の相違に起因する熱応力が生じないようにするためである。

モールド樹脂５０は、コーティング樹脂１００の外側を覆うように基板１０の上面１０ａに設けられた封止樹脂である。但し、コーティング樹脂１００がＨ型構造部品２０の外部とセラミック基板２１の凹部２１ｙ内の空間とを遮断しているため、モールド樹脂５０はセラミック基板２１の凹部２１ｙ内には形成されていない。

このように、アンダーフィル樹脂４０に代えてコーティング樹脂１００を用いても、第１の実施の形態と同様の効果を奏する。

以上、好ましい実施の形態について詳説したが、上述した実施の形態に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態に種々の変形及び置換を加えることができる。

１、２、３ 電子部品モジュール
１０ 基板
１０ａ 基板の上面
２０ Ｈ型構造部品
２１ セラミック基板
２１ｘ、２１ｙ 凹部
２１ａ セラミック基板の底面
２１ｂ セラミック基板の側面
２２、６２ 半導体チップ
２３、６３ バンプ
２４ チップ固定樹脂
２５ ケース
３０ 導電接合部
４０、６４ アンダーフィル樹脂
５０ モールド樹脂
７０ 金属部
８０ レジスト
１００ コーティング樹脂
２００ 空間
Ｓ 隙間

Claims (8)

1. 基板と、
   前記基板に実装されたＨ型構造の電子部品と、
   前記Ｈ型構造の電子部品を覆う封止樹脂と、
   前記Ｈ型構造の電子部品の前記基板と対向する側に設けられた部品収容用の凹部内に前記封止樹脂が流入することを防止する樹脂流入防止手段と、を有し、
   前記樹脂流入防止手段は、前記Ｈ型構造の電子部品の前記基板側の周囲を覆う樹脂であり、
   前記樹脂を覆うように、前記封止樹脂が形成されており、
   前記樹脂に含まれるフィラーの粒径は、前記封止樹脂に含まれるフィラーの粒径よりも小さい電子部品モジュール。
2. 基板と、
   前記基板に実装されたＨ型構造の電子部品と、
   前記Ｈ型構造の電子部品を覆う封止樹脂と、
   前記Ｈ型構造の電子部品の前記基板と対向する側に設けられた部品収容用の凹部内に前記封止樹脂が流入することを防止する樹脂流入防止手段と、を有し、
   前記樹脂流入防止手段は、前記Ｈ型構造の電子部品の全体を覆う樹脂であり、
   前記樹脂を覆うように、前記封止樹脂が形成されており、
   前記樹脂に含まれるフィラーの粒径は、前記封止樹脂に含まれるフィラーの粒径よりも小さい電子部品モジュール。
3. 前記凹部内に実装された半導体チップと、
   前記凹部内に設けられ、前記半導体チップを固定するチップ固定樹脂と、を有し、
   前記チップ固定樹脂と、前記樹脂流入防止手段を構成する樹脂とは熱膨張係数が同等の樹脂である請求項１又は２記載の電子部品モジュール。
4. 前記樹脂は、前記Ｈ型構造の電子部品と前記基板とで形成する隙間を充填し、更に、前記凹部内の一部に延在している請求項１乃至３の何れか一項記載の電子部品モジュール。
5. 前記Ｈ型構造の電子部品は水晶発振器であり、
   前記基板には他の電子部品が実装されて前記Ｈ型構造の電子部品と共に前記封止樹脂で覆われ、
   前記水晶発振器で生成されたクロック信号が前記他の電子部品に供給される請求項１乃至４の何れか一項記載の電子部品モジュール。
6. 基板を準備する工程と、
   前記基板にＨ型構造の電子部品を実装する工程と、
   前記Ｈ型構造の電子部品を封止樹脂で覆う工程と、を有し、
   前記封止樹脂で覆う工程よりも前に、前記Ｈ型構造の電子部品の前記基板と対向する側に設けられた部品収容用の凹部内に前記封止樹脂が流入することを防止する樹脂流入防止手段を設ける工程を備え、
   前記樹脂流入防止手段は、前記Ｈ型構造の電子部品の前記基板側の周囲を覆う樹脂であり、
   前記樹脂を覆うように、前記封止樹脂が形成され、
   前記樹脂に含まれるフィラーの粒径は、前記封止樹脂に含まれるフィラーの粒径よりも小さい電子部品モジュールの製造方法。
7. 基板を準備する工程と、
   前記基板にＨ型構造の電子部品を実装する工程と、
   前記Ｈ型構造の電子部品を封止樹脂で覆う工程と、を有し、
   前記封止樹脂で覆う工程よりも前に、前記Ｈ型構造の電子部品の前記基板と対向する側に設けられた部品収容用の凹部内に前記封止樹脂が流入することを防止する樹脂流入防止手段を設ける工程を備え、
   前記樹脂流入防止手段は、前記Ｈ型構造の電子部品の全体を覆う樹脂であり、
   前記樹脂を覆うように、前記封止樹脂が形成され、
   前記樹脂に含まれるフィラーの粒径は、前記封止樹脂に含まれるフィラーの粒径よりも小さい電子部品モジュールの製造方法。
8. 前記凹部内に半導体チップを実装する工程を含み、
   前記半導体チップを実装する工程において、前記凹部内に設けられ、前記半導体チップを固定するチップ固定樹脂を有し、
   前記チップ固定樹脂と、前記樹脂流入防止手段を構成する樹脂とは熱膨張係数が同等の樹脂である請求項６又は７記載の電子部品モジュールの製造方法。

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