JP6858590B2 - 水晶発振器及び水晶発振器の製造方法 - Google Patents

水晶発振器及び水晶発振器の製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、小型化された水晶発振器及び水晶発振器の製造方法に関する。
水晶デバイスに関する課題の１つとして小型化がある。水晶デバイスの中でも、集積回路を含む水晶発振器は、集積回路を含まない水晶振動子に比べて小型化が遅れている。また、水晶発振器では特に低価格化の要求が強い。これに対して特許文献１では、半導体ウエハ上に圧電振動片を載置して蓋体基板で覆い、その後に個片化することによって、小型化及び低価格化を実現しようとする旨が示されている。
特開２００７−２５１６０１号公報
しかし、圧電発振器では小型化に伴ってアセンブリ技術の難易度が高くなる。そのため、特許文献１に示されるような圧電発振器の製造方法では、開発工期が長くなると共に、開発のための多くの人員を投入しなければならず、開発費が高くなるという問題があった。
そこで本発明では、小型化され低価格化されると共に、開発が容易である水晶発振器及び水晶発振器の製造方法を提供することを目的とする。
第１観点の水晶発振器は、所定の周波数で共振する水晶振動片を内包する水晶振動子と、水晶振動子を載置し、水晶振動片を発振させる発振回路を含む集積回路と、集積回路上で水晶振動子を覆うように形成される絶縁性樹脂と、を有する。
第２観点の水晶発振器は、第１観点において、水晶振動子及び絶縁性樹脂を含む第１層と、集積回路により形成される第２層と、を有する。第１層と第２層とは互いに接合され、第１層は水晶振動子がバンプを介して第２層と電気的に接続されると共に第２層との間に接合材が形成されることにより第２層に接合されている。
第３観点の水晶発振器は、第２観点において、第１層の絶縁性樹脂には絶縁性樹脂を貫通するビアが形成されており、ビアには第２層に形成される電極パッドと電気的に接続される導電性充填材が充填され、絶縁性樹脂の第２層と反対側の面には導電性充填材に電気的に接続される半田ボールが形成されている。
第４観点の水晶発振器は、第１観点から第３観点において、水晶振動子が、水晶振動片がセラミックパッケージに封入されることにより形成される。
第５観点の水晶発振器の製造方法は、ウエハの型に所定の周波数で共振する水晶振動片を内包する複数の水晶振動子を配置する水晶振動子配置工程と、ウエハの型上に配置される複数の水晶振動子を絶縁性樹脂で覆い、絶縁性樹脂を硬化させる絶縁性樹脂形成工程と、複数の水晶振動子及び絶縁性樹脂により形成される第１基板をウエハの型から取り外す第１基板取り外し工程と、水晶振動片を発振させる発振回路を含む集積回路を複数含む第２基板を形成する第２基板形成工程と、第１基板と第２基板とを張り合わせて第３基板を形成する第３基板形成工程と、第３基板を切断して水晶発振器を形成する第３基板切断工程と、を有する。
第６観点の水晶発振器の製造方法は、第５観点において、第３基板形成工程では、第１基板を第２基板上にフリップチップ実装すると共に第１基板と第２基板との間に接合材を形成することにより第１基板と第２基板とが張り合わせられる。
第７観点の水晶発振器の製造方法は、第５観点及び第６観点において、第３基板形成工程の後に、第３基板の第２基板側を研磨することにより第３基板の厚さを調整する第３基板研磨工程を有する。
第８観点の水晶発振器の製造方法は、第５観点から第７観点において、絶縁性樹脂形成工程の後に、絶縁性樹脂を貫通する複数のビアを形成するビア形成工程を有し、ビア形成工程の後に、ビアに導電性充填材を充填する導電性充填材充填工程を有し、第３基板形成工程では、第２基板の電極パッドと導電性充填材とが電気的に接続され、第１基板の第２基板とは反対側の面に導電性充填材に電気的に接続される半田ボールが形成される。
本発明の水晶発振器及び水晶発振器の製造方法によれば、小型化され低価格化されると共に、開発が容易である。
水晶発振器１００の斜視図である。 （ａ）は、図１のＡ−Ａ断面図である。 （ｂ）は、図１のＢ−Ｂ断面図である。 水晶発振器１００の製造方法が示されたフローチャートである。 （ａ）は、第１基板Ｗ１１０の平面図である。 （ｂ）は、第２基板Ｗ１２０の平面図である。 （ａ）は、第３基板Ｗ１００の部分断面図である。 （ｂ）は、第３基板研磨工程後の第３基板Ｗ１００の部分断面図である。 第１基板Ｗ１００の製造方法が示されたフローチャートである。 （ａ）は、ウエハの型１７０及びウエハの型１７０に配置された水晶振動子１４０の概略平面図である。 （ｂ）は、ウエハの型１７０に形成された第１基板Ｗ１１０の概略部分断面図である。 （ａ）は、ビア１１１が形成され、導電性充填材１１２が充填された第１基板Ｗ１１０の概略部分断面図である。 （ｂ）は、ウエハの型１７０から取り外された第１基板Ｗ１１０の概略部分断面図である。 水晶発振器２００の概略断面図である。
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明の範囲は以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られるものではない。
（第１実施形態）
＜水晶発振器１００の構成＞
図１は、水晶発振器１００の斜視図である。水晶発振器１００は、第１層１１０と、第２層１２０と、を有しており、第１層１１０と第２層１２０とが互いに接合材１３０を介して接合されることにより形成されている。水晶発振器１００は、例えば、外形が略直方体形状に形成されている。以降では、水晶発振器１００の長辺が伸びる方向をＸ軸方向、短辺が伸びる方向をＺ軸方向、主面に垂直な方向をＹ軸方向として説明する。
第１層１１０は、主に水晶振動子１４０及び水晶振動子１４０を覆うように形成されている絶縁性樹脂１６０により形成されている。図１では、絶縁性樹脂１６０に覆われている水晶振動子１４０が点線で示されている。また、第１層１１０では、絶縁性樹脂１６０をＹ軸方向に貫通する貫通孔であるビア１１１が第１層１１０の四隅にそれぞれ形成されている。各ビア１１１には導電性充填材１１２が充填されている。第１層１１０の＋Ｙ軸側の面であり各導電性充填材１１２の＋Ｙ軸側には、導電性充填材１１２に電気的に接続されるように半田ボール１５０が形成されている。水晶発振器１００では、＋Ｙ軸側の面が、水晶発振器１００が基板等に実装される側の面である実装面となっており、水晶発振器１００が基板等に実装される場合には半田ボール１５０が基板等に電気的に接続される実装端子となる。第２層１２０は、集積回路（ＩＣ）であり、水晶振動子１４０の発振回路を含んでいる。第２層１２０は、例えば、シリコン等の半導体材料を基材として形成されている。
図２（ａ）は、図１のＡ−Ａ断面図である。水晶発振器１００では、第２層１２０の＋Ｙ軸側の面に、電極パッド１２１ａが形成されている。電極パッド１２１ａは、バンプ１３１を介して第１層１１０のビア１１１に充填されている導電性充填材１１２に電気的に接続される。これにより電極パッド１２１ａは、半田ボール１５０に電気的に接続される。
図２（ｂ）は、図１のＢ−Ｂ断面図である。水晶振動子１４０は、例えば、所定の周波数で振動する水晶振動片１４１がセラミックパッケージ１４２に封入されることにより形成されている。水晶振動片１４１は導電性接着剤１３２を介してセラミックパッケージ１４２内に形成される接続電極１４３に固定されると共に電気的に接続される。また、接続電極１４３は水晶振動子１４０の−Ｙ軸側の外側の底面に形成される実装電極１４４に電気的に接続されている。実装電極１４４はバンプ１３１を介して第２層１２０に形成される電極パッド１２１ｂに電気的に接続される。
＜水晶発振器１００の製造方法＞
図３は、水晶発振器１００の製造方法が示されたフローチャートである。図４及び図５には、図３のフローチャートを説明するための図が示されている。また、図６は、第１基板の製造方法が示されたフローチャートである。図７及び図８には、図６のフローチャートを説明するための図が示されている。以下に、図３から図８を参照して、水晶発振器１００の製造方法について説明する。
図３のステップＳ１０１では、第１基板Ｗ１１０及び第２基板Ｗ１２０が用意される。第１基板Ｗ１１０及び第２基板Ｗ１２０は、略同一の平面形状及び大きさのウエハとして形成される。ウエハの大きさは、例えば６〜８インチに形成される。第１基板Ｗ１１０が用意される工程が第１基板形成工程であり、第２基板Ｗ１２０が用意される工程が第２基板形成工程であり、第１基板形成工程及び第２基板形成工程は互いに独立した工程である。
図４（ａ）は、第１基板Ｗ１１０の平面図である。図４（ａ）には、第１基板形成工程で用意される第１基板Ｗ１１０が示されている。図４（ａ）では、第１基板Ｗ１１０に配置される複数の水晶振動子１４０及び導電性充填材１１２が示されている。第１基板Ｗ１１０は、水晶振動子１４０及び導電性充填材１１２が固められた絶縁性樹脂１６０に固定されることにより形成されている。図４（ａ）では、後述のステップＳ１０４でダイシングされるときに切断される部分を示すスクライブライン１７２が示されている。スクライブライン１７２はＸ軸方向及びＺ軸方向に伸びている。また、スクライブライン１７２に囲まれる最小の領域に１つの第１層１１０が形成される。
図４（ｂ）は、第２基板Ｗ１２０の平面図である。図４（ｂ）には、第２基板形成工程で用意される第２基板Ｗ１２０が示されている。第２基板Ｗ１２０は、例えばシリコン等の半導体材料により形成されている。図４（ｂ）にはスクライブライン１７２が示されており、スクライブライン１７２で囲まれる最小の領域が水晶発振器１００の第２層１２０となる。各第２層１２０となる領域の＋Ｙ軸側の面には、導電性充填材１１２に接続される電極パッド１２１ａ及び水晶振動子１４０と電気的に接続される電極パッド１２１ｂが形成されている。
ステップＳ１０２では、第１基板Ｗ１１０と第２基板Ｗ１２０とが貼り合わされ、第３基板Ｗ１００が形成される。ステップＳ１０２は、第３基板形成工程である。第１基板Ｗ１１０と第２基板Ｗ１２０とは、接合材１３０を介して互いに貼り合わされることにより接合される。
図５（ａ）は、第３基板Ｗ１００の部分断面図である。図５（ａ）ではスクライブライン１７２の位置が示されており、互いに隣接するスクライブライン１７２に挟まれた領域に１つの水晶発振器１００が形成されることになる。また、図５（ａ）に示される第３基板Ｗ１００の断面図は、図４（ａ）のＣ−Ｃ断面及び図４（ｂ）のＤ−Ｄ断面を含んでいる。第１基板Ｗ１１０と第２基板Ｗ１２０とは、接合材１３０を介して貼り合わされている。また、導電性充填材１１２と電極パッド１２１ａとがバンプ１３１により接合され、実装電極１４４（図２（ｂ）参照）と電極パッド１２１ｂ（図２（ｂ）参照）とがバンプ１３１により接合されている。
第１基板Ｗ１１０と第２基板Ｗ１２０とは、例えば、第２基板Ｗ１２０に接合材１３０を成膜し、電極パッド１２１ａ及び電極パッド１２１ｂの窓をパターニングした後にバンプ１３１を形成し、互いに接合される。接合では、例えば接合材１３０に熱硬化性の接合材を用いた熱硬化の手法を用いることができる。第１基板Ｗ１１０と第２基板Ｗ１２０とは、例えば金バンプ等のバンプ１３１によりフリップチップ実装等の方法によって互いが電気的に接合され、半田ボール１５０は第１基板Ｗ１１０と第２基板１２０とが接合された後、又は接合される前に、第１基板Ｗ１１０の＋Ｙ軸側の面に形成される。ステップＳ１０２の時点では、第２基板Ｗ１２０は厚さがＹ１である。
ステップＳ１０３では、第３基板Ｗ１００が研磨される。ステップＳ１０３は、第３基板研磨工程である。ステップＳ１０３では、第３基板Ｗ１００の第２基板Ｗ１２０側を研磨することにより、第３基板Ｗ１００の厚さが調整される。
図５（ｂ）は、第３基板研磨工程後の第３基板Ｗ１００の部分断面図である。図５（ｂ）では、図５（ａ）と同じ部分の部分断面図が示されている。ステップＳ１０３では、第３基板Ｗ１００が研磨されることにより、第２基板Ｗ１２０の厚さ及び第３基板Ｗ１００の厚さが調整される。第３基板Ｗ１００の研磨される面は第２基板Ｗ１２０の−Ｙ軸側の面であり、第２基板Ｗ１２０の厚さがＹ２となるように研磨される。厚さＹ２は厚さＹ１よりも小さい値である。また、半田ボール１５０は、この研磨の後に形成されても良い。
ステップＳ１０４では、第３基板Ｗ１００がダイシングされる。ステップＳ１０４は、ダイシング工程である。ステップＳ１０４では、第３基板Ｗ１００がスクライブライン１７２に沿って切断されることにより、個々の水晶発振器１００に分割される。
＜第１基板Ｗ１００の製造方法＞
図６は、第１基板Ｗ１００の製造方法が示されたフローチャートである。また、図７及び図８には、図６のフローチャートを説明するための図が示されている。以下に、図６から図８を参照して、図３のステップＳ１０１で用意される第１基板Ｗ１１０の製造方法について説明する。
図６のステップＳ２０１では、ウエハの型１７０に水晶振動子１４０が配置される。ステップＳ２０１は、水晶振動子配置工程である。水晶振動子１４０は、図４（ａ）の第１基板Ｗ１１０における水晶振動子１４０の配置と同様の配置となるように、ウエハの型１７０の中の所定の位置に配置される。配置される水晶振動子１４０は、既製品等の開発済みの水晶振動子である。
図７（ａ）は、ウエハの型１７０及びウエハの型１７０に配置された水晶振動子１４０の概略平面図である。ウエハの型１７０は例えば、第２基板Ｗ１２０と接合し易いように外形が第２基板Ｗ１２０と略同じ形状、略同じ大きさに形成される。ウエハの型１７０の周囲に形成される縁１７１は凸状に盛り上がっており、後述のステップＳ２０２でウエハの型１７０に絶縁性樹脂１６０を流し込めるようになっている。またウエハの型１７０は、例えば、ウエハの型１７０から第１基板Ｗ１００を取り出しやすいようにウエハの型１７０を柔軟性のある素材で形成し、絶縁性樹脂１６０に熱硬化性のものを使用する場合にはウエハの型１７０に熱伝導性の高いものを使用し、紫外線硬化型の絶縁性樹脂１６０を用いる場合にはウエハの型１７０に紫外線を透過するような素材で形成することができる。
ステップＳ２０２では、ウエハの型１７０に絶縁性樹脂１６０が流し込まれ、絶縁性樹脂１６０が硬化される。ステップＳ２０２は、絶縁性樹脂形成工程である。絶縁性樹脂１６０には、例えば紫外線硬化性樹脂等の光硬化樹脂、加熱されることにより硬化される熱硬化性樹脂等を用いることができる。絶縁性樹脂１６０は、水晶振動子１４０を覆うようにウエハの型１７０に流し込まれ、絶縁性樹脂１６０の特性に応じた硬化方法により絶縁性樹脂１６０が硬化される。これにより、第１基板Ｗ１１０の外形が形成される。なお、水晶振動子１４０は、必ずしも全体が絶縁性樹脂１６０で覆われなくても良い。すなわち、絶縁性樹脂１６０の流し込みを水晶振動子１４０の＋Ｙ軸側の面が露出した状態で止め、この状態で絶縁性樹脂１６０を硬化させてもよい。この場合、水晶発振器１００をより低背化することができる。
図７（ｂ）は、ウエハの型１７０に形成された第１基板Ｗ１１０の概略部分断面図である。図７（ｂ）では、図７（ａ）のＥ−Ｅ断面に対応する部分の断面図が示されている。第１基板Ｗ１１０は、ウエハの型１７０に絶縁性樹脂１６０が略一定の厚さに形成されることにより形成される。図７（ｂ）に示されるように、絶縁性樹脂１６０は、水晶振動子１４０を覆うように形成される。
ステップＳ２０３では、第１基板Ｗ１１０にビア１１１が形成され、ビア１１１に導電性充填材１１２が充填される。ステップＳ２０３は、ビア形成工程及び導電性充填材充填工程である。ビア１１１は、例えば、硬化された絶縁性樹脂１６０にドリル等で貫通孔を開けることにより形成される。また、ビア１１１はエッチング等の方法により形成されても良い。ビア１１１が形成された後に、ビア１１１に導電性充填材１１２が充填される。
図８（ａ）は、ビア１１１が形成され、導電性充填材１１２が充填された第１基板Ｗ１１０の概略部分断面図である。図８（ａ）では、図７（ｂ）の断面に対応する部分の断面図が示されている。ビア１１１は、Ｙ軸に平行に形成され、第２基板Ｗ１２０の電極パッド１２１ａ（図４（ｂ）参照）に対応する位置に形成される。また、ビア１１１に導電性充填材１１２が充填されることにより、第１基板Ｗ１１０をＹ軸方向に貫通する電極が形成された場合と同様の状態になる。
ステップＳ２０４では、第１基板Ｗ１１０がウエハの型１７０から取り外される。ステップＳ２０４は第１基板取り外し工程である。第１基板Ｗ１１０は、ウエハの型１７０から取り外されることにより、独立した第１基板Ｗ１１０として形成される。
図８（ｂ）は、ウエハの型１７０から取り外された第１基板Ｗ１１０の概略部分断面図である。ステップＳ２０４でウエハの型１７０から取り外された第１基板Ｗ１１０が、図３のステップＳ１０１で用意される第１基板Ｗ１１０となる。図８（ｂ）に示される第１基板Ｗ１１０では、−Ｙ軸側の面で水晶振動子１４０が露出した状態になるため、水晶振動子１４０と第２層１２０とを電気的に接合することができる。
水晶発振器１００は、図３から図８で示されたように、ウエハレベルで水晶発振器を組み立てるウエハレベルチップサイズパッケージ（ＷＬ−ＣＳＰ）の技術を用いることにより、小型化された水晶発振器を量産することができる。またこれにより、水晶発振器の製造コストを低減することができるため、水晶発振器の低価格化を実現できる。
また、新たな水晶発振器の開発では、開発工期が長くなると共に、開発のための多くの人員を投入しなければならず、開発費が高くなるという問題がある。これに対して水晶発振器１００では、開発済みであり既に製品化されている水晶振動子１４０をそのまま用いることにより、開発にかかる労力及び費用を削減することができる。また、既に製品としての性能が保証されている水晶振動子１４０をそのまま用いることにより、水晶発振器１００の製造において、通常の水晶発振器の製造工程に含まれる周波数検査等の一部の工程を省略することができるため、製造が容易になる。
（第２実施形態）
水晶振動子は、様々な形状に形成されても良い。以下に、−Ｙ軸側の面が実装面となる水晶発振器の変形例について説明する。
＜水晶発振器２００の構成＞
図９は、水晶発振器２００の概略断面図である。水晶発振器２００は、−Ｙ軸側の面が実装面となるように形成される点で水晶発振器１００とは異なっている。図９は、図２（ａ）に対応する部分の水晶発振器２００の断面図である。水晶発振器２００は、第１層２１０と第２層２２０とが接合材により接合されることにより形成されている。第１層２１０は、水晶振動子１４０が絶縁性樹脂１６０で覆われることにより形成されているが、水晶発振器１００とは異なり、ビア１１１が形成されておらず導電性充填材１１２が充填されていない。また、第２層２２０には、第２層２２０をＹ軸方向に貫通するシリコン貫通電極（ＴＳＶ）２１１が形成されている。さらに第２層２２０には、第２層２２０の−Ｙ軸側の面に絶縁層２２１が形成されると共に第２層２２０ＴＳＶ２１１に電気的に接続されるように半田ボール１５０が形成されている。水晶発振器２００は、−Ｙ軸側の面が実装面となっている。
以上、本発明の最適な実施形態について詳細に説明したが、当業者に明らかなように、本発明はその技術的範囲内において実施形態に様々な変更・変形を加えて実施することができる。また、上記の実施形態は様々に組み合わせて実施されても良い。
１００、２００ … 水晶発振器
１１０、２１０ … 第１層
１１１ … ビア
１１２ … 導電性充填材
１２０、２２０ … 第２層
１２１ａ、１２１ｂ … 電極パッド
１３０ … 接合材
１３１ … バンプ
１３２ … 導電性接着剤
１４０ … 水晶振動子
１４１ … 水晶振動片
１４２ … セラミックパケージ
１４３ … 接続電極
１４４ … 実装電極
１５０ … 半田ボール
１６０ … 絶縁性樹脂
１７０ … ウエハの型
１７１ … ウエハの型の縁
１７２ … スクライブライン
２１１ … ＴＳＶ
２２１ … 絶縁層
Ｗ１００ … 第３基板
Ｗ１１０ … 第１基板
Ｗ１２０ … 第２基板

Claims (8)

  1. 所定の周波数で共振する水晶振動片を内包する、主面に垂直な方向から見て第１面積の水晶振動子と、
    前記水晶振動子を載置し且つ前記水晶振動片を発振させる発振回路を含み、前記主面に垂直な方向から見て前記第１面積よりも大きな第２面積の集積回路と、
    前記集積回路上で前記水晶振動子を覆うように形成され、前記主面に垂直な方向から見て前記第２面積の絶縁性樹脂と、
    前記水晶振動子の前記第１面積と重ならない位置で且つ前記集積回路の上面に形成された電極パッドと、
    前記集積回路の前記電極パッドから前記絶縁性樹脂を貫通するビア及び該ビアに充填される導電性充填材と、
    を有する水晶発振器。
  2. 前記水晶振動子及び前記絶縁性樹脂を含む第１層と、
    前記集積回路により形成される第２層と、を有し、
    前記第１層と前記第２層とは互いに接合され、
    前記第１層は、前記水晶振動子がバンプを介して前記第２層と電気的に接続されると共に前記第２層との間に接合材が形成されることにより前記第２層に接合されている請求項１に記載の水晶発振器。
  3. 前記絶縁性樹脂の前記第２層と反対側の面には前記導電性充填材に電気的に接続される半田ボールが形成されている請求項２に記載の水晶発振器。
  4. 前記水晶振動子は、前記水晶振動片がセラミックパッケージに封入されることにより形成される請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の水晶発振器。
  5. ウエハの型に所定の周波数で共振する水晶振動片を内包し、主面に垂直な方向から見て第１面積を有する複数の水晶振動子を配置する水晶振動子配置工程と、
    前記ウエハの型上に配置される前記複数の水晶振動子を絶縁性樹脂で覆い、前記絶縁性樹脂を硬化させる絶縁性樹脂形成工程と、
    前記絶縁性樹脂形成工程の後に、前記絶縁性樹脂を貫通する複数のビアを形成するビア形成工程と、
    前記ビア形成工程の後に、前記ビアに導電性充填材を充填する導電性充填材充填工程と、
    前記複数の水晶振動子及び前記絶縁性樹脂により形成される第１基板を前記ウエハの型から取り外す第１基板取り外し工程と、
    前記水晶振動片を発振させる発振回路を含み、前記主面に垂直な方向から見て前記第１面積よりも大きな第２面積の集積回路を複数含む第２基板を形成する第２基板形成工程と、
    前記第１基板と前記第２基板とを張り合わせて第３基板を形成する第３基板形成工程と、
    前記第３基板を切断して水晶発振器を形成する第３基板切断工程と、を有し、
    前記第３基板切断工程の後に、前記絶縁性樹脂は前記主面に垂直な方向から見て前記第２面積に形成され、
    前記第３基板形成工程では、前記水晶振動子の前記第１面積と重ならない位置に形成された電極パッドと前記導電性充填材とが電気的に接続される水晶発振器の製造方法。
  6. 前記第３基板形成工程では、前記第１基板を前記第２基板上にフリップチップ実装すると共に前記第１基板と前記第２基板との間に接合材を形成することにより前記第１基板と前記第２基板とが張り合わせられる請求項５に記載の水晶発振器の製造方法。
  7. 前記第３基板形成工程の後に、前記第３基板の前記第２基板側を研磨することにより前記第３基板の厚さを調整する第３基板研磨工程を有する請求項５又は請求項６に記載の水晶発振器の製造方法。
  8. 前記第３基板形成工程では、前記第１基板の前記第２基板とは反対側の面に前記導電性充填材に電気的に接続される半田ボールが形成される請求項５から請求項７のいずれか一項に記載の水晶発振器の製造方法。

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Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3497032B2 (ja) * 1995-12-22 2004-02-16 ローム株式会社 二層配置弾性表面波素子
JP2000124765A (ja) * 1998-10-16 2000-04-28 Musashi:Kk 水晶振動子およびその製造方法
JP3677409B2 (ja) * 1999-03-05 2005-08-03 京セラ株式会社 弾性表面波装置及びその製造方法
JP2006005433A (ja) * 2004-06-15 2006-01-05 Seiko Epson Corp 集積回路素子の製造方法および集積回路素子
JP2006129290A (ja) * 2004-10-29 2006-05-18 Kyocera Kinseki Corp 小型水晶発振器
JP2006311380A (ja) * 2005-04-28 2006-11-09 Epson Toyocom Corp 圧電振動子及び圧電発振器
JP2007251601A (ja) 2006-03-16 2007-09-27 Epson Toyocom Corp 小型圧電発振器、小型圧電発振器の製造方法
JP2008005471A (ja) * 2006-05-23 2008-01-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 圧電発振器およびその製造方法
JP2009165102A (ja) * 2007-12-14 2009-07-23 Epson Toyocom Corp 圧電発振器および圧電発振器の製造方法
JP4468436B2 (ja) * 2007-12-25 2010-05-26 富士通メディアデバイス株式会社 弾性波デバイスおよびその製造方法
JP5159552B2 (ja) * 2008-10-15 2013-03-06 日本電波工業株式会社 水晶発振器
JP4750177B2 (ja) 2008-12-23 2011-08-17 日本電波工業株式会社 表面実装用の水晶発振器
JP2013207686A (ja) * 2012-03-29 2013-10-07 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 水晶発振器
JP2014033289A (ja) 2012-08-02 2014-02-20 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 波形変換器及び発振器
JP2015089095A (ja) * 2013-02-04 2015-05-07 日本電波工業株式会社 表面実装型の低背発振器
JP6326216B2 (ja) 2013-11-01 2018-05-16 日本電波工業株式会社 発振器
JP2015095849A (ja) 2013-11-14 2015-05-18 日本電波工業株式会社 発振器及び電圧発生回路
US9791503B1 (en) * 2015-09-30 2017-10-17 Integrated Device Technology, Inc. Packaged oscillators with built-in self-test circuits that support resonator testing with reduced pin count

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