JP2017118161A - 圧電デバイス - Google Patents

Abstract

【課題】圧電振動子と当該圧電振動子が実装される実装枠体との距離を確保することが容易な圧電デバイスを提供する。【解決手段】発振器１において、実装枠体７は、ＩＣ用開口４３ｈを有している絶縁基板４３、絶縁基板４３の上面に位置している振動子用パッド４５、及び絶縁基板４３の上面を覆っているソルダーレジスト４４を有している。振動子３は、実装枠体７の上面に対向している。振動子用バンプ１１は、導電性であり、振動子３と振動子用パッド４５との間に介在して両者を接合している。ソルダーレジスト４４は、振動子用パッド４５の外縁から離れた位置で振動子用パッド４５を囲んでいる。振動子用バンプ１１は、振動子用パッド４５を振動子用バンプ１１に埋もれさせており、絶縁基板４３の上面のうち振動子用パッド４５とソルダーレジスト４４との間から露出している露出領域４３ａに密着している。【選択図】図２

Description

本発明は、圧電デバイスに関する。圧電デバイスは、例えば、水晶発振器である。

水晶発振器として、いわゆるＨ型のパッケージを有するものが知られている。このＨ型のパッケージは、セラミック又は樹脂によって一体的に形成されており、上面に設けられた凹部と、下面に設けられた凹部とを有している。上面の凹部には、水晶片に励振電極を設けた振動素子が実装される。下面の凹部には、振動素子に電圧を印加して発振信号を生成する集積回路素子が実装される。

特許文献１は、上記のようなＨ型パッケージの水晶発振器に代替的な水晶発振器を開示している。具体的には、この水晶発振器は、開口を有する基板からなる実装枠体と、前記の開口を覆うように実装枠体の上面に実装される水晶振動子と、前記の開口に収容され、水晶振動子の下面に実装される集積回路素子とを有している。水晶振動子は、振動素子と、振動素子を収容する容器体とを有している。水晶振動子（容器体）と実装枠体とはその間に介在する半田バンプによって接合されている。

米国特許出願公開第２０１５／０１２３７３７号明細書

圧電振動子とその周囲の部品乃至は部材との距離は、圧電デバイス（発振器）の電気特性に影響を及ぼす。例えば、圧電振動子にパッド又は配線等の導電性部材が近づくことによって浮遊容量が増加し、圧電デバイスの周波数特性が変化する。一方、特許文献１に開示された構成では、従来のＨ型パッケージと異なり、圧電振動子と実装枠体（実装枠体）との距離はバンプ（半田バンプ）によって規定されている。従って、圧電振動子と実装枠体との距離を安定して十分に確保できないおそれがある。ひいては、圧電デバイスの特性が低下したり、ばらついたりするおそれがある。

例えば、圧電デバイスが小型化されると、バンプを配置するための領域を十分に確保することが困難になる。その結果、バンプの体積が小さくなってバンプが薄くなり、圧電振動子と実装枠体との距離が短くなる。また、例えば、圧電振動子を実装枠体に実装するとき、圧電振動子の重みによって圧電振動子と実装枠体との間に介在するバンプが想定以上に潰れるおそれがある。この潰れにより、圧電振動子と実装枠体との距離が小さくなる。また、圧電振動子と実装枠体との距離が小さいときほど当該距離に対する潰れの量のばらつきが相対的に大きくなるから、圧電デバイスの特性のばらつきも大きくなる。

従って、圧電振動子と当該圧電振動子が実装される実装枠体との距離を確保することが容易な圧電デバイスが提供されることが望まれる。

本発明の一態様に係る圧電デバイスは、平面視で素子用開口を有している絶縁基板、前記絶縁基板の上面に位置しているパッド、及び前記パッドを露出させつつ前記絶縁基板の上面を覆っているソルダーレジストを有している実装枠体と、前記素子用開口を覆うように前記実装枠体の上面に対向している圧電振動子と、前記圧電振動子と前記パッドとの間に介在して両者を接合している導電性のバンプと、前記圧電振動子の下面に実装されており、前記素子用開口内に位置している電子素子と、を有しており、前記ソルダーレジストは、前記パッドの外縁から離れた位置で前記パッドを囲んでおり、前記バンプは、前記パッドを当該バンプに埋もれさせており、前記絶縁基板の上面のうち前記パッドと前記ソルダーレジストとの間から露出している部分に密着している。

好適には、前記バンプは、前記ソルダーレジストのうち前記パッドを囲む内周面に対して、少なくとも前記内周面の下端において密着している。

好適には、前記ソルダーレジストは、前記パッドよりも厚く、前記バンプは、前記ソルダーレジストの、前記パッドを露出させるパッド用開口の全体に充填されている部分を有している。

好適には、前記バンプは、前記圧電振動子の下面と前記ソルダーレジストの上面とに挟まれてこれらに密着している部分を有している。

好適には、前記ソルダーレジストは、前記パッドよりも厚く、前記圧電振動子の下面に当接している。

好適には、前記ソルダーレジストは、前記パッドをその全周に亘って途切れることなく囲んでいる。

好適には、前記ソルダーレジストの厚さは、前記パッドの２倍以上１０倍以下である。

好適には、前記実装枠体は、前記絶縁基板の下面に位置している層状の外部端子と、前記外部端子を露出させつつ前記絶縁基板の下面を覆っている第２ソルダーレジストと、を有しており、前記第２ソルダーレジストは、前記外部端子の外縁から離れた位置で前記外部端子を囲んでおり、かつ前記外部端子よりも厚い。

上記の構成によれば、圧電振動子と実装枠体との距離を確保することが容易化される。

本発明の実施形態に係る水晶発振器の概略構成を示す分解斜視図。 図１のII−II線における断面図。 図３（ａ）は図１の領域IIIａを示す平面図、図３（ｂ）は図２の領域IIIの拡大図。 図１の水晶発振器の製造方法の手順を示すフローチャート。 図５（ａ）は第１変形例を示す断面図、図５（ｂ）は第２変形例を示す断面図。 図６（ａ）は第３変形例を示す断面図、図６（ｂ）は第４変形例を示す断面図。 第５変形例を示す断面図。

以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。また、図面には、図面相互の関係を明確にする等の目的で、便宜的に、Ｄ１軸、Ｄ２軸及びＤ３軸からなる直交座標系を付すことがある。実施形態に係る水晶発振器は、いずれの方向が上方又は下方とされてもよいが、以下では、便宜的にＤ３軸方向の正側を上方として、上面又は下面等の用語を用いることがある。また、便宜上、導電層の表面に（すなわち断面でない面に）ハッチングを付すことがある。

（水晶発振器の概略構成）
図１は、本発明の実施形態に係る水晶発振器１（以下、「水晶」は省略）の概略構成を示す分解斜視図である。図２は、図１のII−II線における断面図である。

発振器１は、例えば、全体として、概略、薄型の直方体状とされる電子部品であり、その寸法は適宜に設定されてよい。例えば、比較的小さいものでは、長辺又は短辺の長さは１ｍｍ以上２ｍｍ以下であり、厚さは０．５ｍｍ以上０．８ｍｍ以下である。

発振器１は、例えば、水晶振動子３（以下、「水晶」は省略）と、振動子３に実装される集積回路素子５（以下、「ＩＣ５」）と、振動子３が実装される実装枠体７とを有している。また、図２に示すように、発振器１は、ＩＣ５を振動子３に実装するためのＩＣ用バンプ９と、振動子３を実装枠体７に実装するための振動子用バンプ１１と、ＩＣ５を封止するためのアンダーフィル１２とを有している。

振動子３は、交流電圧が印加されるとその内部で固有振動を生じる。ＩＣ５は、発振回路（振動子を除く）を含んで構成されており、振動子３に電圧を印加して、振動子３内の固有振動を利用して発振信号を生成する。実装枠体７は、不図示の回路基板等に接続され、振動子３のパッケージを介して、回路基板とＩＣ５との間において電気信号を仲介する。これらの具体的な構成は、例えば、以下のとおりである。

振動子３は、例えば、水晶振動素子１３（以下、「水晶」は省略）と、振動素子１３を収容する素子搭載部材１５と、素子搭載部材１５を密閉する蓋部材１７とを有している。なお、素子搭載部材１５及び蓋部材１７によって、振動子３のパッケージである容器体１９が構成されている。

振動素子１３は、例えば、水晶片２１（圧電片）と、水晶片２１に電圧を印加するための１対の励振電極２３と、振動素子１３を素子搭載部材１５に実装するための１対の引出電極２５とを有している。

水晶片２１は、例えば、概ね長方形の板状に形成されている。水晶片２１は、例えば、ＡＴカット水晶片からなる。１対の励振電極２３は、例えば、水晶片２１の両主面の中央側に層状に設けられている。１対の引出電極２５は、例えば、１対の励振電極２３から引き出されて水晶片２１の長手方向の一端側部分に設けられている。１対の励振電極２３及び１対の引出電極２５は、例えば、振動素子１３の両主面のいずれが実装側とされてもよいように、水晶片２１の長手方向に延びる不図示の中心線に関して１８０°回転対称の形状に形成されている。

素子搭載部材１５は、例えば、絶縁性の基体２７と、基体２７に設けられた各種の導体（例えば金属）とを有している。各種の導体は、例えば、振動素子１３を素子搭載部材１５に搭載するための１対の素子搭載パッド２９、振動子３を実装枠体７に実装するための複数（本実施形態では４つ）の振動子端子３１、ＩＣ５を振動子３に実装するための複数（本実施形態では６つ）のＩＣ用パッド３３（図２）、及びこれらの端子及びパッドを接続する不図示の接続導体である。

基体２７は、例えば、セラミックによって一体的に形成されており、その形状は、振動素子１３を収容する凹部２７ｒを有した箱状である。基体２７は、例えば、平板状の基板部２７ａと、基板部２７ａに重ねられた枠部２７ｂとを有しており、これにより、凹部２７ｒが構成されている。

１対の素子搭載パッド２９は、例えば、凹部２７ｒの底面（基板部２７ａの枠部２７ｂ側の主面）に層状に設けられている。複数の振動子端子３１は、例えば、基板部２７ａの枠部２７ｂとは反対側の主面の４隅に層状に設けられている。複数のＩＣ用パッド３３は、例えば、基板部２７ａの枠部２７ｂとは反対側の主面において、複数の振動子端子３１に囲まれた領域内に２列で配列されている。不図示の接続導体は、例えば、基板部２７ａの主面に形成された層状導体、及び基板部２７ａを貫通するビア導体によって構成されている。

これらの端子又はパッドの平面形状及び面積は適宜に設定されてよい。ただし、振動子端子３１は、振動子３を小型化しつつも接合面積を大きくする観点から、素子搭載部材１５の下面外縁まで広がることによって、面積が大きくされていることが好ましい。すなわち、振動子端子３１は、平面視において、その外縁の一部が素子搭載部材１５の下面外縁（例えば角部を構成する２辺）と一致していることが好ましい。

振動素子１３は、１対の引出電極２５と１対の素子搭載パッド２９とが１対の素子用バンプ３５（図２）によって接合されることによって、素子搭載部材１５に片持ち梁のように固定されるとともに、素子搭載部材１５に電気的に接続される。なお、素子用バンプ３５は、例えば、熱硬化性樹脂に導電性フィラーを混ぜた導電性接着剤からなる。

蓋部材１７は、例えば、金属からなる。蓋部材１７は、素子搭載部材１５の枠部２７ｂと接合され、これにより、凹部２７ｒは密閉される。凹部２７ｒ内は、例えば、真空とされ、又は、適宜なガス（例えば窒素）が封入される。

蓋部材１７及び素子搭載部材１５の接合は適宜な方法によりなされてよい。例えば、枠部２７ｂの蓋部材１７側の面には、金属からなる枠状の第１接合用パターン３７が形成される。一方、蓋部材１７の枠部２７ｂ側の面には、金属からなる枠状の第２接合用パターン３９が形成される。そして、両者がシーム溶接によって接合されることにより、蓋部材１７及び素子搭載部材１５は互いに接合される。

ＩＣ５は、例えば、概略薄型直方体状に形成されており、一方の主面に複数（本実施形態では６つ）のＩＣ端子４１を有している。ＩＣ端子４１と、素子搭載部材１５に設けられたＩＣ用パッド３３とがＩＣ用バンプ９によって接合されることにより、ＩＣ５は、素子搭載部材１５に固定されるとともに、素子搭載部材１５に電気的に接続される。

ＩＣ端子４１の数及び役割は、発振器１に要求される機能等に応じて適宜に設定されてよい。例えば、６つのＩＣ端子４１のうち、１つは基準電位をＩＣ５に供給するためのものであり、１つは電源電圧（基準電位とは異なる電位）をＩＣ５に供給するためのものであり、２つはＩＣ５から振動素子１３に電圧を印加するためのものであり、１つは発振信号の周波数を調整するための制御信号をＩＣ５に入力するためのものであり、１つは発振信号をＩＣ５から出力するためのものである。

既に述べたように、ＩＣ５は、発振回路を含んで構成されている。発振回路は、例えば、帰還型のものである。また、ＩＣ５は、温度センサ、及び、温度センサの検出した温度に基づいて発振信号の温度変化を補償する温度補償回路を含んでいてもよい。ＩＣ５は、パッケージングされたものであってもよいし、ベアチップであってもよい。

実装枠体７は、例えば、絶縁基板４３と、絶縁基板４３に設けられた各種の導体（例えば金属）と、この導体の短絡を抑制するためのソルダーレジスト４４とを有している。各種の導体は、例えば、振動子３を実装枠体７に実装するための複数（本実施形態では４つ）の振動子用パッド４５、実装枠体７（発振器１）を不図示の回路基板に実装するための複数（本実施形態では４つ）の外部端子４７、及び複数の振動子用パッド４５と複数の外部端子４７とを接続する接続導体４８（図２）である。

絶縁基板４３は、例えば、ガラスエポキシ材よりなる。絶縁基板４３（実装枠体７）には、当該絶縁基板４３を上面から下面へ貫通するＩＣ用開口４３ｈが形成されている。絶縁基板４３の外縁及びＩＣ用開口４３ｈの平面形状は適宜に設定されてよい。例えば、これらの平面形状は概略矩形である。平面視において、絶縁基板４３の外縁がなす領域は、例えば、振動子３よりも広く、振動子３は絶縁基板４３の外縁がなす領域に収まっている。ただし、絶縁基板４３の外縁は、平面視において振動子３の外縁と概ね一致していてもよい。

複数の振動子用パッド４５は、例えば、絶縁基板４３の上面の４隅側に層状に設けられており、ＩＣ用開口４３ｈを囲んでいる。別の観点では、複数の振動子用パッド４５は、絶縁基板４３の内縁と外縁との間に位置している。振動子用パッド４５の外縁は、例えば、絶縁基板４３の内縁及び外縁から離れている。振動子用パッド４５の外縁の形状は、適宜に設定されてよく、例えば、矩形（図示の例）又は円形である。また、当該形状は、ＩＣ用開口４３ｈの縁部に概ね沿って延びる外縁（切り欠き）を有する形状であってもよい。

複数の外部端子４７は、例えば、絶縁基板４３の下面の４隅に層状に設けられており、ＩＣ用開口４３ｈを囲んでいる。別の観点では、複数の外部端子４７は、絶縁基板４３の内縁と外縁との間に位置している。複数の外部端子４７の外縁は、例えば、絶縁基板４３の内縁及び／又は外縁に一致する部分を有していてもよいし、一致する部分を有していなくてもよい。なお、外部端子４７の面積を確保する観点からは、外部端子４７は、絶縁基板４３の内縁から外縁まで広がっていることが好ましい。外部端子４７の外縁の形状は、適宜に設定されてよく、例えば、矩形（図示の例）若しくは円形である。また、当該形状は、ＩＣ用開口４３ｈの縁部に概ね沿って延びる外縁（切り欠き）を有する形状であってもよい。

接続導体４８は、例えば、振動子用パッド４５の直下かつ外部端子４７の直上において絶縁基板４３を上面から下面へ貫通する孔部に充填された貫通導体によって構成されている。なお、接続導体４８の、振動子用パッド４５及び外部端子４７に対する平面視における位置は適宜に設定されてよいが、例えば、振動子用パッド４５及び外部端子４７の概ね中央に位置している。

ソルダーレジスト４４は、一般には、顔料等を含んだ熱硬化性樹脂（例えばエポキシ樹脂）からなる。ただし、本願においては、ソルダーレジストの用語は、広く絶縁性樹脂からなる皮膜を指すものとし、例えば、顔料を含んでいなくてもよいものとする。ソルダーレジスト４４は、例えば、複数の振動子用パッド４５を露出させつつ、絶縁基板４３の上面を覆っている。

図示の例では、絶縁基板４３の下面及び側面、並びにＩＣ用開口４３ｈの内周面にはソルダーレジストは設けられていない。ただし、これらの面にもソルダーレジストが設けられてもよい。ＩＣ用開口４３ｈの実質的な容積を大きくする観点からは、図示の例のように、ＩＣ用開口４３ｈの内周面には、ソルダーレジストが設けられないことが好ましい。

振動子３は、複数の振動子端子３１と振動子用パッド４５とが振動子用バンプ１１によって接合されることにより、実装枠体７に対して固定されるとともに、電気的に接続される。振動子用パッド４５は、ＩＣ用開口４３ｈを囲むように配置されているから、振動子３は、ＩＣ用開口４３ｈを上面側から覆うように実装枠体７に実装される。なお、平面視において、振動子３の面積は、例えば、ＩＣ用開口４３ｈの面積よりも大きく、ＩＣ用開口４３ｈはその全体が振動子３に覆われる。

また、振動子３に実装されたＩＣ５は、少なくとも一部がＩＣ用開口４３ｈに収容される。なお、図２では、ＩＣ５の天面（Ｄ３軸方向負側の面）は、絶縁基板４３の下面よりも内部側（Ｄ３軸方向正側）に位置しているが、当該天面は、絶縁基板４３の下面と概略面一とされてもよい。

ＩＣ用バンプ９及び振動子用バンプ１１は、例えば、半田によって構成されている。半田は、鉛フリー半田であってもよい。

ＩＣ用バンプ９において、ＩＣ用パッド３３及びＩＣ端子４１に対する接着面積は適宜に設定されてよいが、例えば、ＩＣ用バンプ９は、ＩＣ用パッド３３及びＩＣ端子４１の概ね全体に密着している。振動子３の基体２７とＩＣ５の本体との間には、ＩＣ用パッド３３、ＩＣ用バンプ９及びＩＣ端子４１の厚みに相当する隙間が構成されている。

振動子用バンプ１１において、振動子用パッド４５及び振動子端子３１に対する接着面積は適宜に設定されてよいが、例えば、振動子用バンプ１１は、振動子用パッド４５及び振動子端子３１の概ね全体に密着している。振動子３の基体２７と実装枠体７の絶縁基板４３との間には、振動子端子３１、振動子用バンプ１１及び振動子用パッド４５の厚みに相当する隙間が構成されている。

アンダーフィル１２は、例えば、熱硬化性樹脂（例えばエポキシ樹脂）からなる。アンダーフィル１２は、樹脂よりも熱膨張係数が低いフィラー（例えばＳｉＯ_２からなる）を含んでいてもよい。

アンダーフィル１２は、振動子３とＩＣ５との間に介在してこれらに密着している。なお、アンダーフィル１２は、振動子３とＩＣ５との間に空間を生じることなく充填されていることが好ましい。なお、アンダーフィル１２は、ＩＣ５の側面を適宜な高さまで覆うように設けられてもよいし、ＩＣ５を側面だけでなく天面も覆うように設けられてもよい。

また、アンダーフィル１２は、ＩＣ５の周囲に広がった部分がＩＣ用開口４３ｈの内周面に到達しており、さらには、振動子３と実装枠体７との間に介在してこれらに密着している。アンダーフィル１２は、例えば、ＩＣ用開口４３ｈの全周に亘って振動子３と実装枠体７とに密着している。従って、ＩＣ用開口４３ｈは、振動子３と実装枠体７との隙間を介しては外部へ通じていない。アンダーフィル１２は、振動子３の外縁まで到達していなくてもよいし、振動子３の外縁まで到達していてもよいし（図示の例）、さらには、実装枠体７の外縁まで到達していてもよい。なお、アンダーフィル１２によって振動子３と実装枠体７との接合を補強する観点からは、アンダーフィル１２は、振動子３の外縁まで、振動子３及び実装枠体７に密着していることが好ましい。

素子搭載部材１５においては、不図示の接続導体によって、６つのＩＣ用パッド３３のうちの２つと、１対の素子搭載パッド２９とが接続されている。これにより、ＩＣ用パッド３３に実装されたＩＣ５と、素子搭載パッド２９に実装された振動素子１３とが電気的に接続されている。ひいては、ＩＣ５により振動素子１３に電圧を印加して発振信号を生成することが可能となっている。

また、素子搭載部材１５においては、不図示の接続導体によって、６つのＩＣ用パッド３３のうち残りの４つと、４つの振動子端子３１とが接続されている。これにより、ＩＣ用パッド３３に実装されたＩＣ５と、振動子端子３１が接合された振動子用パッド４５を有する実装枠体７とが電気的に接続されている。ひいては、振動子用パッド４５と接続されている４つの外部端子４７に対する電気信号の入出力によって、ＩＣ５に対して電気信号を入出力することが可能となっている。

（振動子用バンプ及びその周辺部分の詳細）
図３（ａ）は図１の領域IIIａを拡大して示す平面図である。また、図３（ｂ）は図２の領域IIIｂを拡大して示す断面図である。

ソルダーレジスト４４は、例えば、振動子用パッド４５をその全周に亘って途切れなく囲んでいる。また、ソルダーレジスト４４は、例えば、振動子用パッド４５に重なっておらず、さらには、振動子用パッド４５の全周に亘って振動子用パッド４５の外縁から離れている。すなわち、ソルダーレジスト４４は、振動子用パッド４５を露出させるパッド用開口４４ａを有しており、パッド用開口４４ａの内周面は振動子用パッド４５の外縁から離れている。なお、ソルダーレジスト４４は、例えば、パッド用開口４４ａが形成された領域を除いては、絶縁基板４３の上面全体を覆っている。

振動子用パッド４５の外縁とパッド用開口４４ａの内周面とが離れていることから、絶縁基板４３の上面のうち一部（環状の露出領域４３ａ）は、振動子用パッド４５とソルダーレジスト４４との間において、これらから露出している。露出領域４３ａの外縁の形状及び幅は適宜に設定されてよい。例えば、露出領域４３ａの外縁は、振動子用パッド４５の外縁と概ね相似形であり、ひいては、露出領域４３ａの幅は、全周に亘って概ね一定である。ただし、露出領域４３ａの外縁の形状は、振動子用パッド４５の外縁の形状と異なっていてもよい。露出領域４３ａの幅は、ソルダーレジスト４４の厚みよりも小さくてもよいし、大きくてもよい。露出領域４３ａの幅は、例えば、振動子用パッド４５の最大径の５％以上２５％以下、又は３０μｍ以上１００μｍ以下である。

ソルダーレジスト４４の厚みは、振動子用パッド４５の厚みよりも厚くされている。例えば、ソルダーレジスト４４の厚みは、振動子用パッド４５の厚みの２倍以上１０倍以下である。又は、振動子用パッド４５の厚さが１０μｍ以上４０μｍ以下であるのに対して、ソルダーレジスト４４の厚さは、これよりも５μｍ以上厚く、１５μｍ以上１００μｍ以下である。

振動子用バンプ１１は、例えば、ソルダーレジスト４４のパッド用開口４４ａに充填されている。すなわち、振動子用バンプ１１は、振動子用パッド４５の上面及び側面の全体、露出領域４３ａの全体並びにパッド用開口４４ａの内周面の全体に密着している。また、別の観点では、振動子用バンプ１１は、振動子用パッド４５を振動子用バンプ１１に埋もれさせつつ露出領域４３ａに密着している。

なお、振動子用バンプ１１が全体（全面）に密着しているといっても、製造誤差等に起因して、意図せずに密着していない部分があってもよい。例えば、露出領域４３ａとパッド用開口４４ａの内周面とがなす角部に対して、その先端まで完全に（微視的に）振動子用バンプ１１を充填することは現実的に困難である。従って、この角部の先端に、不可避な微小な空洞がある場合も、振動子用バンプ１１が露出領域４３ａの全面及びパッド用開口４４ａの内周面の全面に密着している状態に含まれる。露出領域４３ａと振動子用パッド４５の側面とがなす角部についても同様である。また、角部に限らず、密着すべき面のごく一部に意図しない空洞（気泡）が生じてしまっている場合も、全面に密着している状態に含まれる。

また、振動子用パッド４５が振動子用バンプ１１に埋もれている状態は、振動子用パッド４５の上面と側面との角部が振動子用バンプ１１の表面から突出していない状態である。換言すれば、少なくとも振動子用パッド４５の外縁付近において、振動子用バンプ１１の、露出領域４３ａに対して密着している面からの厚みは、振動子用パッド４５の厚みよりも厚い。また、埋もれているという場合、振動子用パッド４５の側面と振動子用バンプ１１とは必ずしも密着していなくてもよい。振動子用パッド４５は、比較的薄くてもよく、この場合、振動子用パッド４５の側面と振動子用バンプ１１との密着は明らかでなくてよい。

振動子用バンプ１１の厚み（露出領域４３ａからの厚み）は、例えば、ソルダーレジスト４４の厚みよりも厚く、振動子用バンプ１１は、ソルダーレジスト４４の上面から突出して振動子端子３１に密着している。振動子用バンプ１１の厚みは、例えば、ソルダーレジスト４４の厚みの１．１倍以上３倍以下である。又は、振動子用バンプ１１の厚みは、ソルダーレジスト４４の厚みが１５μｍ以上１００μｍ以下であるのに対して、５μｍ以上厚く、２０μｍ以上２００μｍ以下である。

（発振器の製造方法）
図４は、水晶発振器１の製造方法の手順を示すフローチャートである。

ステップＳＴ１では、振動子３が作製される。この作製方法は、公知の方法と同様とされてよい。例えば、水晶ウェハに対してエッチング及び導電材料の成膜等を行って振動素子１３を作製する。セラミックグリーンシートに対して打ち抜き加工及び導電ペーストの塗布等を行ってこれを同時焼成し、素子搭載部材１５を作製する。そして、ディスペンサによって素子用バンプ３５を配置した素子搭載部材１５に振動素子１３を実装して、蓋部材１７を素子搭載部材１５に接合する。

ステップＳＴ２では、ＩＣ７を振動子３に実装する。すなわち、ＩＣ用バンプ９によってＩＣ７のＩＣ端子４１と振動子３のＩＣ用パッド３３とを接合する。この実装方法も公知の方法と同様とされてよい。例えば、ディスペンサによって半田バンプをＩＣ用パッド３３に供給し、その上にＩＣ７を配置して、ＩＣ７及び振動子３をリフロー炉に通す。

ステップＳＴ３では、ステップＳＴ１及びＳＴ２と並行して、実装枠体７が多数個取りされる母基板が作製される。この作製方法は、振動子用パッド４５及びソルダーレジスト４４等の具体的な形状を除いては公知の方法と同様とされてよい。例えば、絶縁基板４３が多数個取りされる母基板に対して、打ち抜き加工、刃具による切削、又はマスクを介したエッチングによって、ＩＣ用開口４３ｈ及び接続導体４８用の孔部を形成する。また、例えば、電解めっきによって接続導体４８を形成する。また、例えば、マスクを介した導電層の蒸着、又は全面に形成した導体層のマスクを介したエッチングによって、振動子用パッド４５及び外部端子４７を形成する。

ソルダーレジスト４４は、例えば、振動子用パッド４５の形成後、ソルダーレジスト４４となる感光性樹脂を母基板に全面塗布し、その感光性樹脂を露光及び現像によってパターニングすることによって形成される。また、このようなフォトリソグラフィーに代えて、例えば、ソルダーレジスト４４となる熱硬化性樹脂又は紫外線硬化性樹脂をスクリーン印刷によってパターン印刷することによってソルダーレジスト４４が形成されてもよい。パターニングによって、図３を参照して説明したパッド用開口４４ａが形成される。

ステップＳＴ４では、引き続きステップＳＴ１及びＳＴ２と並行して、振動子用バンプ１１が振動子用パッド４５上に配置される。配置方法は公知の方法と同様とされてよい。例えば、スクリーン印刷によって半田ペーストを振動子用パッド４５上に配置する。その後、一旦、半田ペーストを加熱して溶融させ、冷却して固化させることにより、振動子用バンプ１１の形状を整えてもよい。また、ディスペンサ等によって溶融した半田が振動子用バンプ１１に供給されてもよい。

ステップＳＴ５では、ＩＣ５が実装された振動子３を、振動子用バンプ１１が配置された母基板（実装枠体７）に実装する。実装方法は公知の方法と同様でよい。例えば、まず、ＩＣ５がＩＣ用開口４３ｈに収容されるように、複数の振動子３を母基板中の複数の実装枠体７上に配置する。その後、複数の振動子３が配置された母基板（実装枠体７）をリフロー炉に通して、振動子用バンプ１１を溶融した後に固化させる。

ステップＳＴ６では、ＩＣ用開口４３ｈを介して未硬化状態のアンダーフィル１２をＩＣ５と振動子３との間等に充填する。充填方法は公知の方法と同様でよい。例えば、ディスペンサによって未硬化状態のアンダーフィル１２をＩＣ用開口４３ｈへ供給する。このとき、十分な量のアンダーフィル１２を供給することによって、アンダーフィル１２は振動子３と母基板（実装枠体７）との間にも充填される。

ステップＳＴ７では、複数の振動子３（及びＩＣ５）が実装された母基板（複数の実装枠体７）を切断して個片化する。これにより、複数の発振器１が作製される。切断方法としては、レーザーを用いるもの、又はダイシングブレードを用いるものなど、適宜な方法が採用されてよい。

（振動子用バンプの形成）
振動子用バンプ１１は、適宜な時期に露出領域４３ａ及びパッド用開口４４ａの内周面に密着してよい。換言すれば、適宜な時期にパッド用開口４４ａに充填されたような形状とされてよい。

例えば、上記の密着は、ステップＳＴ４における振動子用バンプ１１の配置時になされてよい。より具体的には、例えば、スクリーン印刷によって半田ペーストが配置される場合、半田ペーストが一旦加熱処理されて振動子用バンプ１１の形状が整えられるときに、振動子用バンプ１１は、重力及び／又は濡れ等の作用によって、パッド用開口４４ａに充填されたような形状とされてよい。

スクリーン印刷の際には、振動子用バンプ１１が露出領域４３ａ及びパッド用開口４４ａまで広がりやすくなるように、比較的大きい体積で半田ペーストが配置される。例えば、半田バンプは、平面上で溶融されれば、表面張力によって概ね半球状となるから、この半球を想定したときに、パッド用開口４４ａの内部形状の全部が半球に収まるように振動子用バンプ１１（半田ペースト）の体積が設定される。半田ペーストの体積の確保は、例えば、印刷の際に半田ペーストがパッド用開口４４ａからはみ出さないように、半田ペーストの厚みを大きくすることによってなされる。半田ペーストの面積は、振動子用パッド４５の面積以下であってもよいし、当該面積を超えていてもよい。

また、ステップＳＴ４において、スクリーン印刷ではなく、ディスペンサなどによって溶融状態の半田を振動子用パッド４５上に供給する場合においては、その供給時に振動子用バンプ１１を露出領域４３ａ及びパッド用開口４４ａの内周面に密着させてよい。例えば、溶融状態の半田を振動子用パッド４５上に供給していくと、半田は、振動子用パッド４５上から露出領域４３ａ上に広がり、さらにはパッド用開口４４ａの内周面の下端側に到達する。さらに半田を供給して、半田がパッド用開口４４ａに満たされ、かつ半田の頂面がパッド用開口４４ａの上面よりも上方に位置しているときに供給を停止する。

また、振動子用バンプ１１の露出領域４３ａ及びパッド用開口４４ａの内周面に対する密着は、ステップＳＴ４に代えて又は加えて、ステップＳＴ５（振動子３の実装枠体７への実装）においてなされてもよい。例えば、ステップＳＴ４で半田ペーストが振動子用パッド４５上に配置され、加熱処理によって形状が整えられていない場合、ステップＳＴ５で半田ペーストが初めて溶融する。これにより、上述したステップＳＴ４での密着と同様に、振動子用バンプ１１が露出領域４３ａ及びパッド用開口４４ａの内周面に対して密着してよい。

また、ステップＳＴ５では、ステップＳＴ４とは異なり、振動子用バンプ１１に対して振動子３及びＩＣ５の重みが振動子用バンプ１１に加えられる。従って、溶融した振動子用バンプ１１は、自重、濡れ及び表面張力によって形成される形状よりも潰れることになる。この潰れによって、振動子用バンプ１１が露出領域４３ａ及びパッド用開口４４ａの内周面に密着してもよい。

この場合、振動子用バンプ１１の体積は、ステップＳＴ４で密着が完了する場合に比較して、小さくてもよい。例えば、振動子用バンプ１１の体積は、パッド用開口４４ａの容積と同等以上であればよい。また、ステップＳＴ５の開始直前における振動子用バンプ１１は、半田ペーストの状態であってもよいし、溶融半田が固化した状態であってもよいし、露出領域４３ａ及びパッド用開口４４ａの内周面に全く密着していなくてもよいし、一部に密着していてもよい。

以上のとおり、本実施形態に係る発振器１は、実装枠体７、振動子３、振動子用バンプ１１及びＩＣ５を有している。実装枠体７は、平面視でＩＣ用開口４３ｈを有している絶縁基板４３、絶縁基板４３の上面に位置している振動子用パッド４５、及び振動子用パッド４５を露出させつつ絶縁基板４３の上面を覆っているソルダーレジスト４４を有している。振動子３は、ＩＣ用開口４３ｈを覆うように実装枠体７の上面に対向している。振動子用バンプ１１は、導電性であり、振動子３と振動子用パッド４５との間に介在して両者を接合している。ＩＣ５は、振動子３の下面に実装されており、ＩＣ用開口４３ｈ内に位置している。ソルダーレジスト４４は、振動子用パッド４５の外縁から離れた位置で振動子用パッド４５を囲んでいる。振動子用バンプ１１は、振動子用パッド４５（基本的にはその全体）を振動子用バンプ１１に埋もれさせており、絶縁基板４３の上面のうち振動子用パッド４５とソルダーレジスト４４との間から露出している露出領域４３ａ（少なくともその一部）に密着している。

従って、例えば、振動子用バンプ１１は、振動子用パッド４５の上面のみに配置されている場合に比較して、下部（裾野）が広くなりやすく、ひいては、全体が厚くなりやすい。これにより、振動子３と実装枠体７との距離を確保することが容易化される。その結果、例えば、実装枠体７が発振器１の周波数特性に及ぼす影響を緩和したり、振動子用バンプ１１の厚みのばらつきに起因する周波数特性のばらつきを低減したりすることが容易化される。また、例えば、振動子３と実装枠体７との距離が確保されることによって、アンダーフィル１２を振動子３と実装枠体７との間に充填することも容易化され、発振器１の全体の強度が向上する。一方、振動子用バンプ１１の下部の拡大は、振動子用パッド４５の拡大によってではなく、露出領域４３ａの有効利用によってなされている。従って、実装枠体７の小型化が容易である。なお、露出領域４３ａは、例えば、ソルダーレジスト４４によって振動子用パッド４５の面積が縮小されないようにするためのマージンとして利用される。

また、例えば、振動子用バンプ１１は、振動子用パッド４５だけでなく、絶縁基板４３の露出領域４３ａにも密着するから、密着面積が増大し、接合強度が向上する。また、この密着面積の増大に伴う応力の増加は、振動子用パッド４５だけでなく、絶縁基板４３にも割り当てられるから、振動子用パッド４５の絶縁基板４３からの剥離のおそれが低減される。また、例えば、振動子用バンプ１１の厚さが確保されると、振動子用バンプ１１が破断するおそれが低減され、ひいては、導通不良が生じるおそれが低減される。

なお、発振器１では、実装枠体７にＩＣ用開口４３ｈが形成されていることから、振動子用パッド４５の面積を確保することが困難になっている。また、振動子３にＩＣ５が実装されていることから、振動子用バンプ１１には、振動子３の荷重だけでなく、ＩＣ５の荷重も加えられることになり、振動子用バンプ１１が潰れやすくなっている。このような構成においては、本実施形態における、露出領域４３ａを利用して振動子用バンプ１１の厚みを確保する手法が特に有効である。

また、本実施形態では、振動子用バンプ１１は、ソルダーレジスト４４のうち振動子用パッド４５を囲む内周面（パッド用開口４４ａの内周面）に対して、少なくとも内周面の下端において密着している。

従って、例えば、振動子用バンプ１１は、その裾野がパッド用開口４４ａの面積よりも広い面積で広がっている場合と同等の厚みを有することになる。すなわち、振動子用バンプ１１が露出領域４３ａのみに広がって、パッド用開口４４ａの内周面に到達していないときよりも、振動子用バンプ１１は厚くなる。その結果、振動子３と実装枠体７との距離を確保することが、より容易化される。また、例えば、振動子用バンプ１１とソルダーレジスト４４とが密着することによって、ソルダーレジスト４４がパッド用開口４４ａ周辺において絶縁基板４３から剥離するおそれが低減される。なお、振動子用バンプ１１がパッド用開口４４ａの内周面の下端において密着しているといっても、パッド用開口４４ａと露出領域４３ａとの角部の先端において製造上不可避な空洞が存在してもよいことは既に述べたとおりである。

また、本実施形態では、ソルダーレジスト４４は、振動子用パッド４５よりも厚く、振動子用バンプ１１は、振動子用パッド４５を露出させるソルダーレジスト４４のパッド用開口４４ａの全体に充填されている部分を有している。

従って、振動子用バンプ１１は、パッド用開口４４ａに充填されたビア導体状の部分を有することになる。すなわち、振動子用バンプ１１は、特許文献１におけるバンプの概念を超えたものになる。そして、振動子用バンプ１１は、ビア導体状の部分（及び本実施形態では、その上の通常のバンプ状部分）によって、その厚みが確保される。その結果、振動子３と実装枠体７との距離を確保することが、より容易化される。また、例えば、振動子用バンプ１１の形状をパッド用開口４４ａの形状によって規定することができる。また、例えば、比較的厚いソルダーレジスト４４が設けられることによって、実装枠体７の強度が向上する。なお、振動子用バンプ１１がパッド用開口４４ａの全体に充填されているといっても、製造上不可避な空洞（気泡）が生じていてもよいことは既に述べたとおりである。

また、本実施形態では、ソルダーレジスト４４は、振動子用パッド４５をその全周に亘って途切れることなく囲んでいる。

従って、例えば、ステップＳＴ４及び／又はＳＴ５において、溶融状態の振動子用バンプ１１は、パッド用開口４４ａからその外側へ逃げることができない。その結果、例えば、振動子用バンプ１１の粘度が低かったり、ステップＳＴ５で振動子用バンプ１１に加えられる振動子３及びＩＣ５の荷重が大きかったりしても、溶融状態の振動子用バンプ１１がパッド用開口４４ａから流れ出るおそれが低減される。その結果、振動子用バンプ１１の厚みが確実に確保される。

また、本実施形態では、ソルダーレジスト４４の厚さは、振動子用パッド４５の２倍以上１０倍以下である。

ソルダーレジストは、パターニングの精度等を考慮して、導電層の厚さと概ね同等の厚さとされることが多い。また、小型化された電子部品においては、導電層の厚さとソルダーレジストの厚さとを比較することは容易でないことがある。しかし、ソルダーレジスト４４が振動子用パッド４５の２倍以上であれば、意図的にソルダーレジスト４４を振動子用パッド４５よりも厚くしていることは確実である。また、ソルダーレジスト４４の厚さが振動子用パッド４５の厚さの２倍以上であれば、ソルダーレジスト４４が厚いことによって奏される既述の効果も確実に奏される。

また、ソルダーレジスト４４を厚くし過ぎると、例えば、発振器１の厚みが不必要に大きくなる。また、例えば、利用可能なソルダーレジストの形成方法及び半田バンプの形成方法が制約される。しかし、ソルダーレジスト４４の厚さが１０倍以下であれば、発振器１の厚みも抑えられ、また、種々の形成方法の利用も容易である。なお、発振器１の平面視における小型化のみが問題である場合においては、ソルダーレジスト４４の厚みは極端に厚くされてもよい。また、ソルダーレジスト４４の厚さが極端に厚くても、熱硬化性樹脂からなるフィルムを絶縁基板４３に貼り付けてフォトリソグラフィーによってパターニングしてソルダーレジスト４４を形成したり、ディスペンサで半田（又は半田ペースト）をパッド用開口４４ａに充填したりして、本実施形態の発振器１を実現することは可能である。

（変形例）
図５（ａ）〜図７を参照して、種々の変形例について説明する。なお、以下の変形例に係る説明では、基本的に、実施形態との相違部分についてのみ言及する。特に言及のない点は、実施形態と同様であり、又は実施形態から類推可能である。また、実施形態の構成と同一又は類似する構成については、実施形態に付した符号と同一の符号を付す。

（第１変形例）
図５（ａ）は第１変形例を示す、図３（ｂ）に相当する断面図である。

第１変形例は、振動子用バンプの形状及び厚みが実施形態と異なっている。具体的には、第１変形例の振動子用バンプ１１１は、パッド用開口４４ａの内周面に密着していない。このような構成は、例えば、ステップＳＴ４において振動子用パッド４５上に配置する半田（半田ペースト）の体積を実施形態よりも小さくすることによって実現される。

このような構成であっても、振動子用バンプ１１１は、実施形態の振動子用バンプ１１と同様に、振動子用パッド４５を埋もれさせつつ露出領域４３ａ（少なくともその一部）に密着しているから、実施形態と同様の効果が奏される。例えば、振動子用バンプ１１１が振動子用パッド４５上にのみ配置されている場合に比較して、振動子用バンプ１１１の裾野が広く、ひいては、振動子用バンプ１１１の厚みが確保される。

（第２変形例）
図５（ｂ）は第２変形例を示す、図３（ｂ）に相当する断面図である。

第２変形例は、振動子用バンプの形状及び厚みが実施形態と異なっている。具体的には、第２変形例の振動子用バンプ２１１は、パッド用開口４４ａの内周面のうち下方側の領域のみに密着している。このような構成は、例えば、ステップＳＴ４において振動子用パッド４５上に配置する半田（半田ペースト）の体積を、実施形態よりも小さく、第１変形例よりも大きくすることによって実現される。

このような構成であっても、振動子用バンプ２１１は、実施形態の振動子用バンプ１１と同様に、振動子用パッド４５を埋もれさせつつ露出領域４３ａ（少なくともその一部）に密着しているから、実施形態と同様の効果が奏される。例えば、振動子用バンプ１１１が振動子用パッド４５上にのみ配置されている場合に比較して、振動子用バンプ１１１の裾野が広く、ひいては、振動子用バンプ１１１の厚みが確保される。

また、振動子用バンプ２１１は、実施形態の振動子用バンプ１１と同様に、パッド用開口４４ａの内周面に対してその下端において密着しているから、その裾野は、パッド用開口４４ａの外側に広がっている場合と同等の厚さを有している。ひいては、振動子用バンプ２１１の振動子用パッド４５上における厚みが確保されやすい。

（第３変形例）
図６（ａ）は第３変形例を示す、図３（ｂ）に相当する断面図である。

第３変形例は、振動子用バンプの形状及び厚みが実施形態と異なっている。具体的には、第３変形例の振動子用バンプ３１１は、パッド用開口４４ａからソルダーレジスト４４上に溢れており、ソルダーレジスト４４の上面と振動子３の下面との間に挟まれてこれらに密着している部分を有している。このような構成は、例えば、ステップＳＴ４において振動子用パッド４５上に配置する半田（半田ペースト）の体積を実施形態よりも大きくすることによって実現される。

このような構成であっても、振動子用バンプ３１１は、実施形態の振動子用バンプ１１と同様に、振動子用パッド４５を埋もれさせつつ露出領域４３ａ（少なくともその一部）に密着しているから、実施形態と同様の効果が奏される。例えば、振動子用バンプ１１１が振動子用パッド４５上にのみ配置されている場合に比較して、振動子用バンプ１１１の裾野が広く、ひいては、振動子用バンプ１１１の厚みが確保される。

また、振動子用バンプ３１１は、ソルダーレジスト４４の上面と振動子３の下面との間に挟まれている部分を有していることから、製造過程においては、この部分によっても振動子３及びＩＣ５が支持される。その結果、振動子３及びＩＣ５の重みが分散されて、振動子用バンプ３１１が潰れにくくなり、振動子用バンプ３１１の厚みが確保され易い。また、ソルダーレジスト４４と振動子３との接合が振動子用バンプ３１１によってなされるから、例えば、アンダーフィル１２がソルダーレジスト４４と振動子３との間で十分に広がらないことによる接合強度の低下を補償できる。

（第４変形例）
図６（ｂ）は第４変形例を示す、図３（ｂ）に相当する断面図である。

第４変形例は、振動子用バンプの形状及び厚みが実施形態と異なっている。別の観点では、振動子３と実装枠体７との距離が実施形態と異なっている。具体的には、ソルダーレジスト４４の上面は、振動子３の下面に当接している。従って、振動子用バンプ４１１の絶縁基板４３の上面からの厚さは、ソルダーレジスト４４の厚さと同等とされている。また、ソルダーレジスト４４の上面が振動子３の下面に当接していることから、両者の間にはアンダーフィル１２は配置されていない。

振動子用バンプ４１１は、例えば、パッド用開口４４ａの全体に充填されている。ただし、振動子用バンプ４１１は、第１変形例（図５（ａ））のようにパッド用開口４４ａの内周面に密着していなかったり、第２変形例（図５（ｂ））のようにパッド用開口４４ａの内周面のうち下方側領域のみに密着していたりしてもよい。

このような構成は、例えば、溶融状態の振動子用バンプ４１１の粘度に対して振動子３及びＩＣ５の重みが大きく、ステップＳＴ５における振動子用バンプ４１１の潰れが比較的大きい場合に生じ得る。なお、潰れが大きくても、ステップＳＴ４で配置される半田の体積が大きければ、第３変形例（図６（ａ））の振動子用バンプ３１１が形成される。

この変形例では、ソルダーレジスト４４が、振動子用パッド４５よりも厚く、振動子３の下面に当接していることによって、振動子用バンプ４１１の厚みが確保される。すなわち、ソルダーレジスト４４の厚さから、振動子用パッド４５及び振動子端子３１の厚さを差し引いた厚さで、振動子用パッド４５と振動子端子３１との間に振動子用バンプ４１１の厚みが確保される。これにより、例えば、導通不良のおそれが低減される。

なお、この変形例では、振動子用バンプ４１１は、振動子用パッド４５を埋もれさせつつ露出領域４３ａに密着している必要はない。ただし、振動子端子３１と振動子用パッド４５との確実な導通を図る観点からは、振動子用パッド４５の上面に十分に半田が供給されることが好ましい。そして、半田が十分に供給された場合、潰れた溶融状態の振動子用バンプ４１１は露出領域４３ａに密着することが多いと考えられる。また、振動子用バンプ４１１が露出領域４３ａに密着することによって、例えば、上述した、振動子用パッド４５の絶縁基板４３からの剥離を抑制しつつ振動子３と実装枠体７との接合強度を向上させる効果等が奏される。

（第５変形例）
図７は第５変形例を示す、図３（ｂ）よりも少し広い範囲における断面図である。なお、アンダーフィル１２の図示は省略されている。

第５変形例は、実装枠体５０７の下面に外部端子４７よりも厚いソルダーレジスト４６が設けられている点のみが実施形態と相違する。なお、ソルダーレジスト４６以外の構成は、図示の例では実施形態と同様の構成とされているが、第１〜第４変形例と同様の構成とされてもよい。

ソルダーレジスト４６と外部端子４７との関係は、例えば、ソルダーレジスト４４と振動子用パッド４５との関係と同様である。すなわち、ソルダーレジスト４６は、外部端子４７の外縁から離れて外部端子４７を囲んでいる。好ましくは、ソルダーレジスト４６は、外部端子４７の全周に亘って途切れなく外部端子４７を囲んでいる。また、ソルダーレジスト４６の厚みは、外部端子４７の厚みより厚くなっており、例えば、外部端子４７の厚みの２倍以上１０倍以下である。

この変形例では、例えば、外部端子４７と不図示の回路基板のパッドとの不図示のバンプによる接合において、すなわち、発振器１の回路基板に対する実装において、振動子用バンプ１１による振動子３の実装枠体７に対する実装における効果と同様の効果が奏される。例えば、バンプの厚みが確保されやすい。

なお、以上の実施形態及び変形例において、水晶発振器１は圧電デバイスの一例であり、水晶振動子は圧電振動子の一例であり、振動子用パッド４５はパッドの一例であり、振動子用バンプ１１はバンプの一例であり、ＩＣ５は電子素子の一例であり、ＩＣ用開口４３ｈは素子用開口の一例であり、ソルダーレジスト４６（図７）は第２ソルダーレジストの一例である。

本発明は、以上の実施形態及び変形例に限定されず、種々の態様で実施されてよい。

圧電デバイスは、発振器に限定されない。例えば、電子素子は、発振回路を含んでおらず、圧電デバイスは、振動子３と実装枠体７とを有していても、依然として振動子であってもよい。この場合、例えば、振動素子１３が電子素子（ＩＣ５）を介さずに外部端子４７に接続され、圧電デバイスが実装される回路基板に設けられた発振回路によって振動子３に電圧が印加される。

別の観点では、電子素子は発振回路を含むＩＣに限定されない。例えば、電子素子は、温度センサ（例えばサーミスタ）であってもよい。すなわち、圧電デバイスは、温度センサ付振動子であってもよい。温度センサは、例えば、素子搭載部材１５の配線及び実装枠体７の配線を介して外部端子４７に接続され、ひいては、圧電デバイスが実装される回路基板に設けられた、振動子３の特性の温度補償を行うための回路に接続される。

また、圧電デバイスは、回路基板等に実装される電子部品の一部であってよい。例えば、圧電デバイスは、恒温槽内に収容されて恒温槽付デバイスに含まれてよい。また、圧電デバイス（圧電振動子）は、水晶を用いるものに限定されず、例えば、セラミックを用いるものであってもよい。

圧電デバイスが発振器である場合において、その用途乃至は機能は適宜に設定されてよい。例えば、圧電発振器は、クロック用発振器であってもよいし、電圧制御型発振器（例えばＶＣＸＯ）であってもよいし、温度補償型発振器（例えばＴＣＸＯ）であってもよいし、恒温槽付発振器(例えばＯＣＸＯ)の恒温槽内の発振器であってもよい。外部端子、振動子用パッド、振動子端子、ＩＣ用パッド及びＩＣ端子の数及びその配置は、圧電発振器に要求される機能に応じて適宜に設定されてよい。

圧電振動子の具体的構成は、適宜に変更されてよい。例えば、圧電振動素子（１３）は、２本の振動腕を有する音叉型のものであってもよいし、矩形の圧電片の対角線上に１対の引出電極が形成されるものであってもよい。また、例えば、素子搭載部材（１５）は、枠部が金属によって構成されるものであってもよい。

実装枠体（７）は、振動子（３）に比較して十分に広くされ、その上面に振動子と並んで他の素子（例えば発振回路を含む集積回路素子）が実装されてもよい。

ソルダーレジスト（４４）は、パッド（４５）の概ね全体を囲んでいればよく、若干の途切れがあってもよい。例えば、図５（ｂ）に示したように、バンプ（１１）が基本的にソルダーレジストに当接しない態様においては、ソルダーレジストは、若干の途切れがあっても、短絡防止等の機能を十分に発揮できる。また、バンプが基本的にパッド用開口（４４ａ）の内周面に密着する態様であっても、溶融状態のバンプの粘性が比較的高ければ、若干の途切れがあってもその途切れからバンプが外部へ流れることは抑制される。途切れは、例えば、３０μｍ以下又はパッドの中心回りの角度で６°以下である。

ソルダーレジスト（４４）は、パッド（４５）よりも厚くなくてもよい。ソルダーレジストがパッドよりも薄くても、短絡防止等の機能は奏されるし、また、バンプ（１１）がパッド用開口（４４ａ）の内周面に密着することによるバンプの厚さ確保の効果も奏される。なお、ソルダーレジストの厚さがパッドの厚さ以下の場合においても、実施形態及び第１〜第３変形例に示した、バンプ（１１）の種々の密着態様が適用されてよい。

アンダーフィルは設けられなくてもよい。また、アンダーフィルが設けられる場合において、アンダーフィルは、素子用開口（４３ｈ）から、振動子（３）と実装枠体（７）との間にまで広がっていなくてもよい。換言すれば、素子用開口と実装枠体の側面外部とは、振動子と実装枠体との隙間を介して連通されていてもよい。この場合、例えば、素子用開口から外部へ熱を逃がしやすい。

実装枠体（７）のパッド（４５）と外部端子（４７）とを接続する接続導体（４８）は、実装枠体の孔部に充填された貫通導体に限定されない。例えば、接続導体は、実装枠体の上面においてパッドから延び、素子用開口（４３ｈ）の内周面を経由して実装枠体の下面へ至る配線によって構成されていてもよい。また、この場合に、ソルダーレジスト（４４）は、実装枠体７の上面において接続導体を覆っていてもよい。

製造方法は適宜に変形されてよい。例えば、電子素子（ＩＣ５）は、振動子が実装枠体（７）の母基板に実装された後に振動子に実装されてもよく、また、この場合、電子素子は、母基板の切断の前及び後のいずれにおいて振動子に実装されてもよい。また、例えば、振動子（３）を母基板（実装枠体が多数個取りされる母基板とは別の母基板）から切り出して個片化する態様においては、その母基板に含まれる状態の振動子に電子素子が実装されてもよい。また、振動子を母基板から切り出す場合においては、振動子の母基板と、実装枠体の母基板とをバンプによって貼り合わせて、その後に切断を行ってもよい。

本願発明は、バンプ（１１）によって規定されている圧電振動子と実装枠体との距離が圧電デバイスの特性に影響を及ぼすことに着目してなされている。ただし、その着目の結果得られた本願発明は、バンプの厚さが圧電デバイスの特性に影響を及ぼすような態様のものに限定されない。別の観点からの種々の効果（例えば、バンプにおける接合強度の向上又はアンダーフィルの充填容易化）が奏されるからである。

１…水晶発振器（圧電デバイス）、３…水晶振動子（圧電振動子）、５…ＩＣ（電子素子）、７…実装枠体、１１…振動子用バンプ（バンプ）、４３…絶縁基板、４３ａ…露出領域、４３ｈ…ＩＣ用開口（素子用開口）、４４、４６…ソルダーレジスト、４５…振動子用パッド（パッド）。

Claims (8)

1. 平面視で素子用開口を有している絶縁基板、前記絶縁基板の上面に位置しているパッド、及び前記パッドを露出させつつ前記絶縁基板の上面を覆っているソルダーレジストを有している実装枠体と、
   前記素子用開口を覆うように前記実装枠体の上面に対向している圧電振動子と、
   前記圧電振動子と前記パッドとの間に介在して両者を接合している導電性のバンプと、
   前記圧電振動子の下面に実装されており、前記素子用開口内に位置している電子素子と、
   を有しており、
   前記ソルダーレジストは、前記パッドの外縁から離れた位置で前記パッドを囲んでおり、
   前記バンプは、前記パッドを当該バンプに埋もれさせており、かつ前記絶縁基板の上面のうち前記パッドと前記ソルダーレジストとの間から露出している部分に密着している
   圧電デバイス。
2. 前記バンプは、前記ソルダーレジストのうち前記パッドを囲む内周面に対して、少なくとも前記内周面の下端において密着している
   請求項１に記載の圧電デバイス。
3. 前記ソルダーレジストは、前記パッドよりも厚く、
   前記バンプは、前記ソルダーレジストの、前記パッドを露出させるパッド用開口の全体に充填されている部分を有している
   請求項２に記載の圧電デバイス。
4. 前記バンプは、前記圧電振動子の下面と前記ソルダーレジストの上面とに挟まれてこれらに密着している部分を有している
   請求項３に記載の圧電デバイス。
5. 前記ソルダーレジストは、前記パッドよりも厚く、前記圧電振動子の下面に当接している
   請求項１〜３のいずれか１項に記載の圧電デバイス。
6. 前記ソルダーレジストは、前記パッドをその全周に亘って途切れることなく囲んでいる
   請求項１〜５のいずれか１項に記載の圧電デバイス。
7. 前記ソルダーレジストの厚さは、前記パッドの２倍以上１０倍以下である
   請求項１〜６のいずれか１項に記載の圧電デバイス。
8. 前記実装枠体は、
   前記絶縁基板の下面に位置している層状の外部端子と、
   前記外部端子を露出させつつ前記絶縁基板の下面を覆っている第２ソルダーレジストと、を有しており、
   前記第２ソルダーレジストは、前記外部端子の外縁から離れた位置で前記外部端子を囲んでおり、かつ前記外部端子よりも厚い
   請求項１〜７のいずれか１項に記載の圧電デバイス。

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