JP2017118393A - 圧電デバイスの製造方法及び圧電デバイス - Google Patents

Abstract

【課題】外部端子に切断くずが付着するおそれを低減できる圧電デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】発振器１の製造方法は、実装枠体７が多数個取りされる母基板７１を作製する母基板作製工程（ＳＴ３）、複数の振動子３を母基板７１における複数の実装枠体７の上面に実装する振動子実装工程（ＳＴ５）及び母基板７１を切断して個片化する個片化工程（ＳＴ７）を有している。実装枠体７は、絶縁基板４３と、絶縁基板４３の下面に層状に設けられた外部端子４７と、外部端子４７を露出させつつ絶縁基板４３の下面を覆う下面ソルダーレジスト５１とを有している。母基板作製工程では、外部端子４７が下面ソルダーレジスト５１よりも厚くなるように外部端子４７及び下面ソルダーレジスト５１を形成する。個片化工程では、外部端子４７の下面をダイシングテープ７７に密着させた状態で母基板７１を切断する。【選択図】図６

Description

本発明は、圧電デバイスの製造方法及び圧電デバイスに関する。圧電デバイスは、例えば、水晶発振器である。

水晶発振器として、いわゆるＨ型のパッケージを有するものが知られている。このＨ型のパッケージは、セラミック又は樹脂によって一体的に形成されており、上面に設けられた凹部と、下面に設けられた凹部とを有している。上面の凹部には、水晶片に励振電極を設けた振動素子が実装される。下面の凹部には、振動素子に電圧を印加して発振信号を生成する集積回路素子が実装される。パッケージの下面（凹部の周囲）には水晶発振器を回路基板等に実装するための外部端子が設けられる。

特許文献１は、上記のようなＨ型パッケージの水晶発振器に代替的な水晶発振器を開示している。具体的には、この水晶発振器は、開口を有する基板からなる実装枠体と、前記の開口を覆うように実装枠体の上面に実装される水晶振動子と、前記の開口に収容され、水晶振動子の下面に実装される集積回路素子とを有している。水晶振動子は、振動素子と、振動素子を収容する容器体とを有している。実装枠体の下面には水晶発振器を回路基板等に実装するための外部端子が設けられる。

米国特許出願公開第２０１５／０１２３７３７号明細書

特許文献１の圧電デバイスの製造方法として、実装体（実装枠体）が多数個取りされる母基板に圧電振動子（水晶振動子）を実装し、その後、母基板を切断して個片化する製造方法が考えられる。しかし、この場合、切断時に生じる切断くずが外部端子に付着するおそれがある。付着した切断くずは、例えば、導通不良又は短絡の要因となり得る。また、切断くずが付着すると、その切断くずを除去する工程が必要となる。

従って、外部端子に切断くずが付着するおそれを低減できる圧電デバイスの製造方法及び圧電デバイスが提供されることが望まれる。

本発明の一態様に係る圧電デバイスの製造方法は、絶縁基板と、前記絶縁基板の下面に層状に設けられた外部端子と、前記外部端子を露出させつつ前記絶縁基板の下面を覆う下面ソルダーレジストとを有する実装体が多数個取りされる母基板を作製する母基板作製工程と、前記母基板における複数の前記実装体の上面に複数の圧電素子を実装する実装工程と、前記複数の圧電素子が実装された前記母基板の下面をダイシングテープに密着させた状態で前記母基板を切断して個片化する個片化工程と、を有しており、前記母基板作製工程では、前記外部端子が前記下面ソルダーレジストよりも厚くなるように前記外部端子及び前記下面ソルダーレジストを形成し、前記個片化工程では、前記外部端子の下面を前記ダイシングテープに密着させた状態で前記母基板を切断する。

好適には、前記外部端子の厚さは、前記下面ソルダーレジストの厚さの２倍以上であり、かつ前記絶縁基板の厚さの０．５倍以下である。

好適には、前記母基板作製工程では、前記母基板において前記複数の実装体となる領域とその間の捨て代とに亘って前記外部端子となる導体層を形成し、前記個片化工程では、前記導体層も切断する。

好適には、前記母基板作製工程は、前記外部端子の一部を構成する第１導体層を形成する第１導体層形成工程と、前記下面ソルダーレジストを形成するソルダーレジスト形成工程と、前記第１導体層形成工程及び前記ソルダーレジスト形成工程の後、前記外部端子の他の一部を構成する第２導体層を前記第１導体層上に形成する第２導体層形成工程と、を有している。

本発明の一態様に係る圧電デバイスの製造方法は、絶縁基板と、前記絶縁基板の下面に層状に設けられた外部端子と、前記外部端子を露出させつつ前記絶縁基板の下面を覆う下面ソルダーレジストとを有する実装体が多数個取りされる母基板を作製するように、前記下面ソルダーレジストから露出しており、前記外部端子の一部となる第１導体層上に、前記外部端子の他の一部となる第２導体層を形成する第２導体層形成工程と、前記第２導体層が形成された前記母基板における複数の前記実装体の上面に複数の圧電素子を実装する実装工程と、前記複数の圧電素子が実装された前記母基板の下面をダイシングテープに密着させた状態で前記母基板を切断して個片化する個片化工程と、を有しており、前記外部端子は前記下面ソルダーレジストよりも厚く、前記個片化工程では、前記外部端子の下面を前記ダイシングテープに密着させた状態で前記母基板を切断する。

好適には、前記第１導体層の厚みは、前記下面ソルダーレジストの厚み以下であり、前記第１導体層及び前記第２導体層の合計の厚みは、前記下面ソルダーレジストの厚みよりも厚い。

本発明の一態様に係る圧電デバイスは、平面視で開口を有している絶縁基板と、前記絶縁基板の下面に層状に設けられている外部端子と、前記外部端子を露出させつつ前記絶縁基板の下面を覆っている下面ソルダーレジストと、を有している実装枠体と、前記開口を覆うように前記実装枠体の上面に実装されている圧電振動子と、前記圧電振動子の下面に実装され、前記開口内に位置している電子素子と、を有しており、前記外部端子の厚さは、前記下面ソルダーレジストの厚さの２倍以上である。

好適には、前記実装枠体は、前記絶縁基板の上面に層状に形成されており、前記圧電振動子が実装されるパッドと、前記パッドを露出させつつ前記絶縁基板の上面を覆っている上面ソルダーレジストと、を有しており、前記上面ソルダーレジストは、前記パッドよりも厚い。

好適には、前記外部端子は、前記パッドよりも厚く、前記上面ソルダーレジストは、前記下面ソルダーレジストよりも厚い。

上記の手順又は構成によれば、外部端子に切断くずが付着するおそれを低減できる。

本発明の実施形態に係る水晶発振器の概略構成を示す分解斜視図。 図１のII−II線における断面図。 図３（ａ）は図１の領域IIIａを示す平面図、図３（ｂ）は図１の水晶発振器の実装枠体を示す底面図。 図２の領域IVの拡大図。 図５（ａ）は図１の水晶発振器の製造方法の手順を示すフローチャート、図５（ｂ）は図５（ａ）の母基板作製工程の一部の手順を示すフローチャート。 図５（ａ）の個片化工程における母基板を示す側面図。 変形例に係る発振器の一部を示す断面図。 図７の発振器に係る母基板作製工程の一部の手順を示すフローチャート。

以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。また、図面には、図面相互の関係を明確にする等の目的で、便宜的に、Ｄ１軸、Ｄ２軸及びＤ３軸からなる直交座標系を付すことがある。実施形態に係る水晶発振器は、いずれの方向が上方又は下方とされてもよいが、以下では、便宜的にＤ３軸方向の正側を上方として、上面又は下面等の用語を用いることがある。また、便宜上、導体層の表面に（すなわち断面でない面に）ハッチングを付すことがある。

（水晶発振器の概略構成）
図１は、本発明の実施形態に係る水晶発振器１（以下、「水晶」は省略）の概略構成を示す分解斜視図である。図２は、図１のII−II線における断面図である。

発振器１は、例えば、全体として、概略、薄型の直方体状とされる電子部品であり、その寸法は適宜に設定されてよい。例えば、比較的小さいものでは、長辺又は短辺の長さは１ｍｍ以上２ｍｍ以下であり、厚さは０．５ｍｍ以上０．８ｍｍ以下である。

発振器１は、例えば、水晶振動子３（以下、「水晶」は省略）と、振動子３に実装される集積回路素子５（以下、「ＩＣ５」）と、振動子３が実装される実装枠体７とを有している。また、図２に示すように、発振器１は、ＩＣ５を振動子３に実装するためのＩＣ用バンプ９と、振動子３を実装枠体７に実装するための振動子用バンプ１１と、ＩＣ５を封止するためのアンダーフィル１２とを有している。

振動子３は、交流電圧が印加されるとその内部で固有振動を生じる。ＩＣ５は、発振回路（振動子を除く）を含んで構成されており、振動子３に電圧を印加して、振動子３内の固有振動を利用して発振信号を生成する。実装枠体７は、例えば、回路基板６１（図３（ｂ）参照）に接続され、振動子３のパッケージを介して、回路基板６１とＩＣ５との間において電気信号を仲介する。これらの具体的な構成は、例えば、以下のとおりである。

振動子３は、例えば、水晶振動素子１３（以下、「水晶」は省略）と、振動素子１３を収容する素子搭載部材１５と、素子搭載部材１５を密閉する蓋部材１７とを有している。なお、素子搭載部材１５及び蓋部材１７によって、振動子３のパッケージである容器体１９（符号は図２）が構成されている。

振動素子１３は、例えば、水晶片２１（圧電片）と、水晶片２１に電圧を印加するための１対の励振電極２３と、振動素子１３を素子搭載部材１５に実装するための１対の引出電極２５とを有している。

水晶片２１は、例えば、概ね長方形の板状に形成されている。水晶片２１は、例えば、ＡＴカット水晶片からなる。１対の励振電極２３は、例えば、水晶片２１の両主面の中央側に層状に設けられている。１対の引出電極２５は、例えば、１対の励振電極２３から引き出されて水晶片２１の長手方向の一端側部分に設けられている。１対の励振電極２３及び１対の引出電極２５は、例えば、振動素子１３の両主面のいずれが実装側とされてもよいように、水晶片２１の長手方向に延びる不図示の中心線に関して１８０°回転対称の形状に形成されている。

素子搭載部材１５は、例えば、絶縁性の基体２７と、基体２７に設けられた各種の導体（例えば金属）とを有している。各種の導体は、例えば、振動素子１３を素子搭載部材１５に搭載するための１対の素子搭載パッド２９、振動子３を実装枠体７に実装するための複数（本実施形態では４つ）の振動子端子３１、ＩＣ５を振動子３に実装するための複数（本実施形態では６つ）のＩＣ用パッド３３（図２）、及びこれらの端子及びパッドを接続する不図示の接続導体である。

基体２７は、例えば、セラミックによって一体的に形成されており、その形状は、振動素子１３を収容する凹部２７ｒを有した箱状である。基体２７は、例えば、平板状の基板部２７ａと、基板部２７ａに重ねられた枠部２７ｂとを有しており、これにより、凹部２７ｒが構成されている。

１対の素子搭載パッド２９は、例えば、凹部２７ｒの底面（基板部２７ａの枠部２７ｂ側の主面）に層状に設けられている。複数の振動子端子３１は、例えば、基板部２７ａの枠部２７ｂとは反対側の主面の４隅に層状に設けられている。複数のＩＣ用パッド３３は、例えば、基板部２７ａの枠部２７ｂとは反対側の主面において、複数の振動子端子３１に囲まれた領域内に２列で配列されている。不図示の接続導体は、例えば、基板部２７ａの主面に形成された層状導体、及び基板部２７ａを貫通するビア導体によって構成されている。

これらの端子又はパッドの平面形状及び面積は適宜に設定されてよい。ただし、振動子端子３１は、振動子３を小型化しつつも接合面積を大きくする観点から、素子搭載部材１５の下面外縁まで広がることによって、面積が大きくされていることが好ましい。すなわち、振動子端子３１は、平面視において、その外縁の一部が素子搭載部材１５の下面外縁（例えば角部を構成する２辺）と一致していることが好ましい。

振動素子１３は、１対の引出電極２５と１対の素子搭載パッド２９とが１対の素子用バンプ３５（図２）によって接合されることによって、素子搭載部材１５に片持ち梁のように固定されるとともに、素子搭載部材１５に電気的に接続される。なお、素子用バンプ３５は、例えば、熱硬化性樹脂に導電性フィラーを混ぜた導電性接着剤からなる。

蓋部材１７は、例えば、金属からなる。蓋部材１７は、素子搭載部材１５の枠部２７ｂと接合され、これにより、凹部２７ｒは密閉される。凹部２７ｒ内は、例えば、真空とされ、又は、適宜なガス（例えば窒素）が封入される。

蓋部材１７及び素子搭載部材１５の接合は適宜な方法によりなされてよい。例えば、枠部２７ｂの蓋部材１７側の面には、金属からなる枠状の第１接合用パターン３７が形成される。一方、蓋部材１７の枠部２７ｂ側の面には、金属からなる枠状の第２接合用パターン３９が形成される。そして、両者がシーム溶接によって接合されることにより、蓋部材１７及び素子搭載部材１５は互いに接合される。

ＩＣ５は、例えば、概略薄型直方体状に形成されており、一方の主面に複数（本実施形態では６つ）のＩＣ端子４１を有している。ＩＣ端子４１と、素子搭載部材１５に設けられたＩＣ用パッド３３とがＩＣ用バンプ９によって接合されることにより、ＩＣ５は、素子搭載部材１５に固定されるとともに、素子搭載部材１５に電気的に接続される。

ＩＣ端子４１の数及び役割は、発振器１に要求される機能等に応じて適宜に設定されてよい。例えば、６つのＩＣ端子４１のうち、１つは基準電位をＩＣ５に供給するためのものであり、１つは電源電圧（基準電位とは異なる電位）をＩＣ５に供給するためのものであり、２つはＩＣ５から振動素子１３に電圧を印加するためのものであり、１つは発振信号の周波数を調整するための制御信号をＩＣ５に入力するためのものであり、１つは発振信号をＩＣ５から出力するためのものである。

既に述べたように、ＩＣ５は、発振回路を含んで構成されている。発振回路は、例えば、帰還型のものである。また、ＩＣ５は、温度センサ、及び、温度センサの検出した温度に基づいて発振信号の温度変化を補償する温度補償回路を含んでいてもよい。ＩＣ５は、パッケージングされたものであってもよいし、ベアチップであってもよい。

実装枠体７は、例えば、絶縁基板４３と、絶縁基板４３に設けられた各種の導体（例えば金属）と、この導体の短絡防止等を目的とした上面ソルダーレジスト４９及び下面ソルダーレジスト５１とを有している。各種の導体は、例えば、振動子３を実装枠体７に実装するための複数（本実施形態では４つ）の振動子用パッド４５、実装枠体７（発振器１）を回路基板６１に実装するための複数（本実施形態では４つ）の外部端子４７、及び複数の振動子用パッド４５と複数の外部端子４７とを接続する接続導体４８（図２）である。

絶縁基板４３は、例えば、ガラスエポキシ材よりなる。絶縁基板４３（実装枠体７）には、当該絶縁基板４３を上面から下面へ貫通するＩＣ用開口４３ｈが形成されている。絶縁基板４３の外縁及びＩＣ用開口４３ｈの平面形状は適宜に設定されてよい。例えば、これらの平面形状は概略矩形である。平面視において、絶縁基板４３の外縁がなす領域は、例えば、振動子３よりも広く、振動子３は絶縁基板４３の外縁がなす領域に収まっている。ただし、絶縁基板４３の外縁は、平面視において振動子３の外縁と概ね一致していてもよい。

複数の振動子用パッド４５は、例えば、絶縁基板４３の上面の４隅側に層状に設けられており、ＩＣ用開口４３ｈを囲んでいる。別の観点では、複数の振動子用パッド４５は、絶縁基板４３の内縁と外縁との間に位置している。振動子用パッド４５の外縁は、例えば、絶縁基板４３の内縁及び外縁から離れている。振動子用パッド４５の外縁の形状は、適宜に設定されてよく、例えば、矩形（図示の例）又は円形である。また、当該形状は、ＩＣ用開口４３ｈの縁部に概ね沿って延びる外縁（切り欠き）を有する形状であってもよい。

複数の外部端子４７は、例えば、絶縁基板４３の下面の４隅に層状に設けられており（図３（ｂ）に示す実装枠体７の底面図を参照）、ＩＣ用開口４３ｈを囲んでいる。別の観点では、複数の外部端子４７は、絶縁基板４３の内縁と外縁との間に位置している。複数の外部端子４７の外縁は、例えば、絶縁基板４３の内縁及び／又は外縁に一致する部分を有していてもよいし、一致する部分を有していなくてもよい。なお、外部端子４７の面積を確保する観点からは、外部端子４７は、絶縁基板４３の内縁から外縁まで広がっていることが好ましい。外部端子４７の外縁の形状は、適宜に設定されてよく、例えば、矩形（図示の例）若しくは円形である。また、当該形状は、ＩＣ用開口４３ｈの縁部に概ね沿って延びる外縁（切り欠き）を有する形状であってもよい。

接続導体４８は、例えば、振動子用パッド４５の直下かつ外部端子４７の直上において絶縁基板４３を上面から下面へ貫通する孔部に充填された貫通導体によって構成されている。なお、接続導体４８の、振動子用パッド４５及び外部端子４７に対する平面視における位置は適宜に設定されてよいが、例えば、振動子用パッド４５及び外部端子４７の概ね中央に位置している。

ソルダーレジスト（４９、５１）は、一般には、顔料等を含んだ熱硬化性樹脂（例えばエポキシ樹脂）からなる。ただし、本願においては、ソルダーレジストの用語は、広く絶縁性樹脂からなる皮膜を指すものとし、例えば、顔料を含んでいなくてもよいものとする。上面ソルダーレジスト４９は、例えば、複数の振動子用パッド４５を露出させつつ、絶縁基板４３の上面を覆っている。下面ソルダーレジスト５１は、例えば、複数の外部端子４７を露出させつつ、絶縁基板４３の下面を覆っている。

図示の例では、絶縁基板４３の側面及びＩＣ用開口４３ｈの内周面にはソルダーレジストは設けられていない。ただし、これらの面にもソルダーレジストが設けられてもよい。ＩＣ用開口４３ｈの実質的な容積を大きくする観点からは、図示の例のように、ＩＣ用開口４３ｈの内周面には、ソルダーレジストが設けられないことが好ましい。

振動子３は、複数の振動子端子３１と振動子用パッド４５とが振動子用バンプ１１によって接合されることにより、実装枠体７に対して固定されるとともに、電気的に接続される。振動子用パッド４５は、ＩＣ用開口４３ｈを囲むように配置されているから、振動子３は、ＩＣ用開口４３ｈを上面側から覆うように実装枠体７に実装される。なお、平面視において、振動子３の面積は、例えば、ＩＣ用開口４３ｈの面積よりも大きく、ＩＣ用開口４３ｈはその全体が振動子３に覆われる。

また、振動子３に実装されたＩＣ５は、少なくとも一部がＩＣ用開口４３ｈに収容される。なお、図２では、ＩＣ５の天面（Ｄ３軸方向負側の面）は、絶縁基板４３の下面よりも内部側（Ｄ３軸方向正側）に位置しているが、当該天面は、絶縁基板４３の下面と概略面一とされてもよい。

ＩＣ用バンプ９及び振動子用バンプ１１は、例えば、半田によって構成されている。半田は、鉛フリー半田であってもよい。

ＩＣ用バンプ９において、ＩＣ用パッド３３及びＩＣ端子４１に対する接着面積は適宜に設定されてよいが、例えば、ＩＣ用バンプ９は、ＩＣ用パッド３３及びＩＣ端子４１の概ね全体に密着している。振動子３の基体２７とＩＣ５の本体との間には、ＩＣ用パッド３３、ＩＣ用バンプ９及びＩＣ端子４１の厚みに相当する隙間が構成されている。

振動子用バンプ１１において、振動子用パッド４５及び振動子端子３１に対する接着面積は適宜に設定されてよいが、例えば、振動子用バンプ１１は、振動子用パッド４５及び振動子端子３１の概ね全体に密着している。振動子３の基体２７と実装枠体７の絶縁基板４３との間には、振動子端子３１、振動子用バンプ１１及び振動子用パッド４５の厚みに相当する隙間が構成されている。

アンダーフィル１２は、例えば、熱硬化性樹脂（例えばエポキシ樹脂）からなる。アンダーフィル１２は、樹脂よりも熱膨張係数が低いフィラー（例えばＳｉＯ_２からなる）を含んでいてもよい。

アンダーフィル１２は、振動子３とＩＣ５との間に介在してこれらに密着している。なお、アンダーフィル１２は、振動子３とＩＣ５との間に空間を生じることなく充填されていることが好ましい。なお、アンダーフィル１２は、ＩＣ５の側面を適宜な高さまで覆うように設けられてもよいし、ＩＣ５を側面だけでなく天面も覆うように設けられてもよい。

また、アンダーフィル１２は、ＩＣ５の周囲に広がった部分がＩＣ用開口４３ｈの内周面に到達しており、さらには、振動子３と実装枠体７との間に介在してこれらに密着している。アンダーフィル１２は、例えば、ＩＣ用開口４３ｈの全周に亘って振動子３と実装枠体７とに密着している。従って、ＩＣ用開口４３ｈは、振動子３と実装枠体７との隙間を介しては外部へ通じていない。アンダーフィル１２は、振動子３の外縁まで到達していなくてもよいし、振動子３の外縁まで到達していてもよいし（図示の例）、さらには、実装枠体７の外縁まで到達していてもよい。なお、アンダーフィル１２によって振動子３と実装枠体７との接合を補強する観点からは、アンダーフィル１２は、振動子３の外縁まで、振動子３及び実装枠体７に密着していることが好ましい。

素子搭載部材１５においては、不図示の接続導体によって、６つのＩＣ用パッド３３のうちの２つと、１対の素子搭載パッド２９とが接続されている。これにより、ＩＣ用パッド３３に実装されたＩＣ５と、素子搭載パッド２９に実装された振動素子１３とが電気的に接続されている。ひいては、ＩＣ５により振動素子１３に電圧を印加して発振信号を生成することが可能となっている。

また、素子搭載部材１５においては、不図示の接続導体によって、６つのＩＣ用パッド３３のうち残りの４つと、４つの振動子端子３１とが接続されている。これにより、ＩＣ用パッド３３に実装されたＩＣ５と、振動子端子３１が接合された振動子用パッド４５を有する実装枠体７とが電気的に接続されている。ひいては、振動子用パッド４５と接続されている４つの外部端子４７に対する電気信号の入出力によって、ＩＣ５に対して電気信号を入出力することが可能となっている。

なお、上述した各種の端子及びパッドは、２種以上の導体層が積層されて構成されていてもよい。例えば、端子及びパッドは、Ｃｕ等の導電性が比較的高い材料からなる導体層と、その表面を覆うＡｕ等の貴金属からなる導体層とを有していてもよい。

（振動子用バンプ及びその周辺部分の詳細）
図３（ａ）は、図１の領域IIIａを拡大して示す平面図である。図４は、図２の領域IVの拡大図である。

上面ソルダーレジスト４９は、例えば、振動子用パッド４５をその全周に亘って途切れなく囲んでいる。また、上面ソルダーレジスト４９は、例えば、振動子用パッド４５に重なっておらず、さらには、振動子用パッド４５の全周に亘って振動子用パッド４５の外縁から離れている。すなわち、上面ソルダーレジスト４９は、振動子用パッド４５を露出させるパッド用開口４９ａを有しており、パッド用開口４９ａの内周面は振動子用パッド４５の外縁から離れている。なお、上面ソルダーレジスト４９は、例えば、パッド用開口４９ａが形成された領域を除いては、絶縁基板４３の上面全体を覆っている。

振動子用パッド４５の外縁とパッド用開口４９ａの内周面とが離れていることから、絶縁基板４３の上面のうち一部（環状の露出領域４３ａ）は、振動子用パッド４５と上面ソルダーレジスト４９との間において、これらから露出している。露出領域４３ａの外縁の形状及び幅は適宜に設定されてよい。例えば、露出領域４３ａの外縁は、振動子用パッド４５の外縁と概ね相似形であり、ひいては、露出領域４３ａの幅は、全周に亘って概ね一定である。ただし、露出領域４３ａの外縁の形状は、振動子用パッド４５の外縁の形状と異なっていてもよい。露出領域４３ａの幅は、上面ソルダーレジスト４９の厚みよりも小さくてもよいし、大きくてもよい。露出領域４３ａの幅は、例えば、振動子用パッド４５の最大径の５％以上２５％以下、又は３０μｍ以上１００μｍ以下である。

上面ソルダーレジスト４９の厚みは、例えば、振動子用パッド４５の厚みよりも厚くされている。例えば、上面ソルダーレジスト４９の厚みは、振動子用パッド４５の厚みの２倍以上２０倍以下である。又は、振動子用パッド４５の厚さが１０μｍ以上４０μｍ以下であるのに対して、上面ソルダーレジスト４９の厚さは、これよりも５μｍ以上厚く、１５μｍ以上１００μｍ以下である。

振動子用バンプ１１は、例えば、上面ソルダーレジスト４９のパッド用開口４９ａに充填されている。すなわち、振動子用バンプ１１は、振動子用パッド４５の上面及び側面の全体、露出領域４３ａの全体並びにパッド用開口４９ａの内周面の全体に密着している。また、別の観点では、振動子用バンプ１１は、振動子用パッド４５を振動子用バンプ１１に埋もれさせつつ露出領域４３ａに密着している。

なお、振動子用バンプ１１が全体（全面）に密着しているといっても、製造誤差等に起因して、意図せずに密着していない部分があってもよい。例えば、露出領域４３ａとパッド用開口４９ａの内周面とがなす角部に対して、その先端まで完全に（微視的に）振動子用バンプ１１を充填することは現実的に困難である。従って、この角部の先端に、不可避な微小な空洞がある場合も、振動子用バンプ１１が露出領域４３ａの全面及びパッド用開口４９ａの内周面の全面に密着している状態に含まれる。露出領域４３ａと振動子用パッド４５の側面とがなす角部についても同様である。また、角部に限らず、密着すべき面のごく一部に意図しない空洞（気泡）が生じてしまっている場合も、全面に密着している状態に含まれる。

また、振動子用パッド４５が振動子用バンプ１１に埋もれている状態は、振動子用パッド４５の上面と側面との角部が振動子用バンプ１１の表面から突出していない状態である。換言すれば、少なくとも振動子用パッド４５の外縁付近において、振動子用バンプ１１の、露出領域４３ａに対して密着している面からの厚みは、振動子用パッド４５の厚みよりも厚い。また、埋もれているという場合、振動子用パッド４５の側面と振動子用バンプ１１とは必ずしも密着していなくてもよい。振動子用パッド４５は、比較的薄くてもよく、この場合、振動子用パッド４５の側面と振動子用バンプ１１との密着は明らかでなくてよい。

振動子用バンプ１１の厚み（露出領域４３ａからの厚み）は、例えば、上面ソルダーレジスト４９の厚みよりも厚く、振動子用バンプ１１は、上面ソルダーレジスト４９の上面から突出して振動子端子３１に密着している。振動子用バンプ１１の厚みは、例えば、上面ソルダーレジスト４９の厚みの１．１倍以上３倍以下である。又は、振動子用バンプ１１の厚みは、上面ソルダーレジスト４９の厚みが１５μｍ以上１００μｍ以下であるのに対して、５μｍ以上厚く、２０μｍ以上２００μｍ以下である。

（外部端子及びその周辺部分の詳細）
図３（ｂ）は、実装枠体７の底面図である。

既述のように、外部端子４７は、例えば、絶縁基板４３の４隅に配置されており、下面ソルダーレジスト５１は、例えば、外部端子４７の配置位置を除いて、絶縁基板４３の下面全面を覆っている。別の観点では、下面ソルダーレジスト５１は、平面視において、複数の外部端子４７を互いに隔てるように形成されている。また、下面ソルダーレジスト５１は、平面視において、複数の外部端子４７とＩＣ用開口４３ｈとを隔てている。下面ソルダーレジスト５１は、例えば、外部端子４７に重なっていない。また、下面ソルダーレジスト５１は、外部端子４７の側面（外縁）に接している。なお、下面ソルダーレジスト５１は、上面ソルダーレジスト４９のように、外部端子４７の外縁から離れていてもよい。この場合の幅は、例えば、上面ソルダーレジスト４９と同様でよい。

図４に示すように、外部端子４７の厚みは、例えば、下面ソルダーレジスト５１の厚みよりも厚くされている。例えば、外部端子４７の厚みは、下面ソルダーレジスト５１の厚みの２倍以上２０倍以下である。又は、下面ソルダーレジスト５１の厚さが１０μｍ以上５０μｍ以下であるのに対して、外部端子４７の厚さは、これよりも１０μｍ以上厚く、２０μｍ以上６００μｍ以下である。

ただし、外部端子４７の厚みは、例えば、絶縁基板４３の厚みよりも薄くされている。例えば、外部端子４７の厚みは、絶縁基板４３の厚みの１／５０以上１／２以下である。又は、絶縁基板４３の厚さが０．８ｍｍ以上１．２ｍｍ以下であるのに対して、外部端子４７の厚さは、これよりも２００μｍ以上薄く、２０μｍ以上６００μｍ以下である。

このように外部端子４７の厚みは、例えば、下面ソルダーレジスト５１の厚みよりも厚く、絶縁基板４３の厚みよりも薄い。具体的には、例えば、外部端子４７の厚みは、下面ソルダーレジスト５１の厚みの２倍以上かつ絶縁基板４３の厚みの１／２以下である。

外部端子４７は、下面ソルダーレジスト５１よりも厚いことから、その側面（側面のうちＤ３軸負側の領域）は、外部端子４７の全周に亘って露出する。従って、発振器１が実装される回路基板６１の発振器用パッド６３と、外部端子４７とを接合する発振器用バンプ６５は、外部端子４７の全周に亘って外部端子４７の側面に密着可能である。なお、発振器用バンプ６５は、外部端子４７の下面（Ｄ３軸負側の面）にのみ密着していてもよい。

外部端子４７の面積は、例えば、振動子用パッド４５の面積よりも大きい。ただし、両者の面積は互いに同一であってもよい。また、外部端子４７は、振動子用パッド４５よりも厚い。例えば、外部端子４７の厚さは、振動子用パッド４５の厚さの２倍以上２０倍以下である。又は、振動子用パッド４５の厚さが１０μｍ以上４０μｍ以下であるのに対して、外部端子４７の厚さは、これよりも１０μｍ以上厚く、２０μｍ以上６００μｍ以下である。

上面ソルダーレジスト４９は、例えば、下面ソルダーレジスト５１よりも厚い。例えば、上面ソルダーレジスト４９の厚みは、下面ソルダーレジスト５１の厚みの２倍以上１０倍以下である。又は、下面ソルダーレジスト５１の厚さが１０μｍ以上５０μｍ以下であるのに対して、上面ソルダーレジスト４９の厚さは、これよりも５μｍ以上厚く、１５μｍ以上１００μｍ以下である。

（発振器の製造方法）
図５（ａ）は、水晶発振器１の製造方法の手順を示すフローチャートである。

ステップＳＴ１では、振動子３が作製される。この作製方法は、公知の方法と同様とされてよい。例えば、水晶ウェハに対してエッチング及び導電材料の成膜等を行って振動素子１３を作製する。セラミックグリーンシートに対して打ち抜き加工及び導電ペーストの塗布等を行ってこれを同時焼成し、素子搭載部材１５を作製する。そして、ディスペンサによって素子用バンプ３５を配置した素子搭載部材１５に振動素子１３を実装して、蓋部材１７を素子搭載部材１５に接合する。

ステップＳＴ２では、ＩＣ７を振動子３に実装する。すなわち、ＩＣ用バンプ９によってＩＣ７のＩＣ端子４１と振動子３のＩＣ用パッド３３とを接合する。この実装方法も公知の方法と同様とされてよい。例えば、ディスペンサによってＩＣ用バンプ９をＩＣ用パッド３３に供給し、その上にＩＣ７を配置して、ＩＣ７及び振動子３をリフロー炉に通す。

ステップＳＴ３では、ステップＳＴ１及びＳＴ２と並行して、実装枠体７が多数個取りされる母基板７１（図６参照）が作製される。この作製方法は、各種の絶縁体及び導体の具体的な形状及び寸法を除いては公知の方法と同様とされてよい。

ステップＳＴ４では、引き続きステップＳＴ１及びＳＴ２と並行して、振動子用バンプ１１が振動子用パッド４５上に配置される。配置方法は公知の方法と同様とされてよい。例えば、スクリーン印刷によって半田ペーストを振動子用パッド４５上に配置する。その後、一旦、半田ペーストを加熱して溶融させ、冷却して固化させることにより、振動子用バンプ１１の形状を整えてもよい。また、ディスペンサ等によって溶融した半田が振動子用バンプ１１に供給されてもよい。

ステップＳＴ５では、ＩＣ５が実装された振動子３を、振動子用バンプ１１が配置された母基板７１（実装枠体７）に実装する。実装方法は公知の方法と同様でよい。例えば、まず、ＩＣ５がＩＣ用開口４３ｈに収容されるように、複数の振動子３を母基板７１中の複数の実装枠体７上に配置する。その後、複数の振動子３が配置された母基板７１をリフロー炉に通して、振動子用バンプ１１を溶融した後に固化させる。

ステップＳＴ６では、ＩＣ用開口４３ｈを介して未硬化状態のアンダーフィル１２をＩＣ５と振動子３との間等に充填する。充填方法は公知の方法と同様でよい。例えば、ディスペンサによって未硬化状態のアンダーフィル１２をＩＣ用開口４３ｈへ供給する。このとき、十分な量のアンダーフィル１２を供給することによって、アンダーフィル１２は振動子３と母基板７１（実装枠体７）との間にも充填される。

ステップＳＴ７では、複数の振動子３（及びＩＣ５）が実装された母基板７１を切断して個片化する。これにより、複数の発振器１が作製される。切断方法としては、レーザーを用いるもの、又はダイシングブレードを用いるものなど、適宜な方法が採用されてよい。

図５（ｂ）は、ステップＳＴ３の母基板作製工程の手順の一部を示すフローチャートである。

ステップＳＴ１１では、絶縁基板４３が多数個取りされる絶縁母基板７３（図６参照）を準備する。例えば、基材としてのガラス布に絶縁材としてのエポキシ樹脂を含浸させ、その後、熱処理によって硬化させる。

ステップＳＴ１２では、絶縁基板４３が多数個取りされる絶縁母基板７３に外部端子４７を形成する。例えば、マスクを介した導体層の蒸着、又は全面に形成した導体層のマスクを介したエッチングによって外部端子４７となる導体層７５（図６参照）を形成する。ステップＳＴ１１において導体層（例えば銅箔）付きの母基板を形成し、その導体層をエッチングして導体層７５を形成してもよい。

ステップＳＴ１３では、下面ソルダーレジスト５１を形成する。例えば、下面ソルダーレジスト５１となる感光性樹脂を絶縁母基板７３に全面塗布し、その感光性樹脂を露光及び現像によってパターニングすることによって形成される。また、このようなフォトリソグラフィーに代えて、例えば、下面ソルダーレジスト５１となる熱硬化性樹脂又は紫外線硬化性樹脂をスクリーン印刷によってパターン印刷することによって下面ソルダーレジスト５１が形成されてもよい。

なお、図５（ｂ）では図示を省略したが、ステップＳＴ１１とＳＴ１２との間などの適宜な時期に、絶縁母基板７３に対して、打ち抜き加工、刃具による切削、又はマスクを介したエッチングが行われ、ＩＣ用開口４３ｈ及び接続導体４８用の孔部が形成される。接続導体４８用の孔部には、例えば、電解めっきによって接続導体４８となる金属が充填される。また、ステップＳＴ１１の後の適宜な時期に、ステップＳＴ１２及びＳＴ１３と同様に、振動子用パッド４５及び上面ソルダーレジスト４９が形成される。

本実施形態では、外部端子４７及び下面ソルダーレジスト５１は互いに重なっていないから、ステップＳＴ１２及びＳＴ１３は順序が逆であってもよい。振動子用パッド４５及び上面ソルダーレジスト４９の形成順についても同様である。

振動子用パッド４５、外部端子４７、上面ソルダーレジスト４９及び下面ソルダーレジスト５１の厚みの調整は、公知の調整方法と同様になされてよい。例えば、振動子用パッド４５及び外部端子４７の厚みは、蒸着を行う時間によって調整されてよい。また、例えば、上面ソルダーレジスト４９及び下面ソルダーレジスト５１の厚みは、蒸着を行う時間又はスクリーンメッシュの寸法（厚み及び／若しくは開口率）によって調整されてよい。

（振動子用バンプの形成）
振動子用バンプ１１は、適宜な時期に露出領域４３ａ及びパッド用開口４９ａの内周面に密着してよい。換言すれば、適宜な時期にパッド用開口４９ａに充填されたような形状とされてよい。

例えば、上記の密着は、ステップＳＴ４における振動子用バンプ１１の配置時になされてよい。より具体的には、例えば、スクリーン印刷によって半田ペーストが配置される場合、半田ペーストが一旦加熱処理されて振動子用バンプ１１の形状が整えられるときに、振動子用バンプ１１は、重力及び／又は濡れ等の作用によって、パッド用開口４９ａに充填されたような形状とされてよい。

スクリーン印刷の際には、振動子用バンプ１１が露出領域４３ａ及びパッド用開口４９ａまで広がりやすくなるように、比較的大きい体積で半田ペーストが配置される。例えば、半田バンプは、平面上で溶融されれば、表面張力によって概ね半球状となるから、この半球を想定したときに、パッド用開口４９ａの内部形状の全部が半球に収まるように振動子用バンプ１１（半田ペースト）の体積が設定される。半田ペーストの体積の確保は、例えば、印刷の際に半田ペーストがパッド用開口４９ａからはみ出さないように、半田ペーストの厚みを大きくすることによってなされる。半田ペーストの面積は、振動子用パッド４５の面積以下であってもよいし、当該面積を超えていてもよい。

また、ステップＳＴ４において、スクリーン印刷ではなく、ディスペンサなどによって溶融状態の半田を振動子用パッド４５上に供給する場合においては、その供給時に振動子用バンプ１１を露出領域４３ａ及びパッド用開口４９ａの内周面に密着させてよい。例えば、溶融状態の半田を振動子用パッド４５上に供給していくと、半田は、振動子用パッド４５上から露出領域４３ａ上に広がり、さらにはパッド用開口４９ａの内周面の下端側に到達する。さらに半田を供給して、半田がパッド用開口４９ａに満たされ、かつ半田の頂面がパッド用開口４９ａの上面よりも上方に位置しているときに供給を停止する。

また、振動子用バンプ１１の露出領域４３ａ及びパッド用開口４９ａの内周面に対する密着は、ステップＳＴ４に代えて又は加えて、ステップＳＴ５（振動子３の実装枠体７への実装）においてなされてもよい。例えば、ステップＳＴ４で半田ペーストが振動子用パッド４５上に配置され、加熱処理によって形状が整えられていない場合、ステップＳＴ５で半田ペーストが初めて溶融する。これにより、上述したステップＳＴ４での密着と同様に、振動子用バンプ１１が露出領域４３ａ及びパッド用開口４９ａの内周面に対して密着してよい。

また、ステップＳＴ５では、ステップＳＴ４とは異なり、振動子用バンプ１１に対して振動子３及びＩＣ５の重みが振動子用バンプ１１に加えられる。従って、溶融した振動子用バンプ１１は、自重、濡れ及び表面張力によって形成される形状よりも潰れることになる。この潰れによって、振動子用バンプ１１が露出領域４３ａ及びパッド用開口４９ａの内周面に密着してもよい。

この場合、振動子用バンプ１１の体積は、ステップＳＴ４で密着が完了する場合に比較して、小さくてもよい。例えば、振動子用バンプ１１の体積は、パッド用開口４９ａの容積と同等以上であればよい。また、ステップＳＴ５の開始直前における振動子用バンプ１１は、半田ペーストの状態であってもよいし、溶融半田が固化した状態であってもよいし、露出領域４３ａ及びパッド用開口４９ａの内周面に全く密着していなくてもよいし、一部に密着していてもよい。

（個片化工程）
図６は、ステップＳＴ７の個片化工程における母基板７１を示す側面図（一部に断面を含む）である。なお、この図においては、便宜上、上面ソルダーレジスト４９及びアンダーフィル１２等の一部の部材の図示を省略している。

実装枠体７が多数個取りされる母基板７１は、その下面がダイシングテープ７７に密着された状態で切断される。ダイシングテープ７７は、公知の構成と同様でよく、例えば、樹脂からなる基材の表面に粘着剤が塗布された構成である。切断方法は、既述のように、適宜な方法とされてよいが、図６では、ダイシングブレード８１を用いる態様を例示している。

母基板７１（実装枠体７）においては、導体層７５（外部端子４７）が下面ソルダーレジスト５１よりも厚いから、導体層７５の下面（Ｄ３軸負側の面）がダイシングテープ７７に密着する。この密着した状態は、母基板７１の切断が行われている間、維持される。従って、切断くずが導体層７５の下面に付着するおそれは極めて低い。

母基板７１は、複数の実装枠体７となる領域と、その間の捨て代７９とを有している。別の観点では、絶縁母基板７３は、複数の絶縁基板４３となる領域と、その間の捨て代とを有している。なお、特に図示しないが、捨て代７９は、母基板７１の外周部にも存在している。母基板７１は、捨て代７９が除去されることによって切断される。

導体層７５（外部端子４７）は、例えば、複数の実装枠体７となる領域と捨て代７９とに亘って形成されている。従って、母基板７１の切断においては、導体層７５も切断される。これにより、外部端子４７は、絶縁基板４３の外縁と一致する外縁を有する形状とされる。なお、導体層７５は、図示の例のように、捨て代７９を挟んで隣り合う実装枠体７の外部端子４７に亘って広がっていてもよいし、捨て代７９に広がりつつも、実装枠体７毎に分離していてもよい。

なお、特に図示しないが、上面ソルダーレジスト４９及び下面ソルダーレジスト５１も、実装枠体７となる領域だけでなく、捨て代７９に広がっていてよい。また、この場合において、これらソルダーレジストは、捨て代７９を挟んで隣り合う実装枠体７に亘って広がっていてもよいし、捨て代７９に広がりつつも、実装枠体７毎に分離していてもよい。

以上のとおり、本実施形態に係る発振器１の製造方法は、母基板作製工程（ＳＴ３）、振動子実装工程（ＳＴ５）及び個片化工程（ＳＴ７）を有している。母基板作製工程は、実装枠体７が多数個取りされる母基板７１を作製する工程である。実装枠体７は、絶縁基板４３と、絶縁基板４３の下面に層状に設けられた外部端子４７と、外部端子４７を露出させつつ絶縁基板４３の下面を覆う下面ソルダーレジスト５１とを有している。振動子実装工程は、複数の振動子３を母基板７１における複数の実装枠体７の上面に実装する工程である。個片化工程は、複数の振動子３が実装された母基板７１の下面をダイシングテープ７７に密着させた状態で母基板７１を切断して個片化する工程である。母基板作製工程では、外部端子４７（導体層７５）が下面ソルダーレジスト５１よりも厚くなるように外部端子４７及び下面ソルダーレジスト５１を形成する。個片化工程では、外部端子４７の下面をダイシングテープ７７に密着させた状態で母基板７１を切断する。

従って、既に述べたように、切断くずが外部端子４７の下面に付着するおそれは極めて低い。これにより、切断くずによって導通不良又は短絡が生じるおそれが低減され、ひいては、発振器１を実装した電子機器の信頼性が向上する。また、発振器１の製造者又は発振器１の購入者においては、外部端子４７から切断くずを除去するための処理を行う必要がない。その一方で、外部端子４７を厚く形成することは、導体層を蒸着させる時間を長くすることなどによって可能であり、新たな工程は必ずしも必要なく、製造方法の複雑化を避けることが可能である。また、例えば、本実施形態に係る製造方法によって作製された発振器１は、後述する種々の効果を奏することが可能である。

また、本実施形態では、外部端子４７の厚さは、下面ソルダーレジスト５１の厚みより厚くなっており、例えば、下面ソルダーレジスト５１の厚さの２倍以上であり、かつ絶縁基板４３の厚さの０．５倍以下である。

従って、例えば、まず、外部端子４７を確実にダイシングテープ７７に密着させることができる。具体的には、例えば、外部端子４７及び下面ソルダーレジスト５１の厚さの差が小さいと、製造時のばらつきによって外部端子４７がダイシングテープ７７に密着しないおそれがある。しかし、外部端子４７が下面ソルダーレジスト５１の２倍以上であるような場合においては、そのようなおそれは極めて低い。一方、外部端子４７が厚いと、例えば、外部端子４７となる材料を蒸着させる時間が長期化するが、絶縁基板４３の厚さの半分以下であれば、外部端子４７から切断くずを除去する工程を加えることに比較すれば、十分に許容範囲である。

また、本実施形態の母基板作製工程では、母基板７１の複数の実装枠体７となる領域とその間の捨て代７９とに亘って外部端子４７となる導体層７５を形成し、個片化工程では、導体層７５も切断する。

従って、例えば、外部端子４７は、絶縁基板４３の縁部まで広がった形状で形成されることになり、面積が広く確保される。その一方で、外部端子４７は、ダイシングテープ７７に下方から密着されていることから、外部端子４７の切断の際に絶縁基板４３から下方へ剥離するおそれが低減される。

また、別の観点では、本実施形態に係る発振器１は、実装枠体７、振動子３及びＩＣ５を有している。実装枠体７は、平面視でＩＣ用開口４３ｈを有している絶縁基板４３と、絶縁基板４３の下面に層状に設けられている外部端子４７と、外部端子４７を露出させつつ絶縁基板４３の下面を覆っている下面ソルダーレジスト５１と、を有している。振動子３は、ＩＣ用開口４３ｈを覆うように実装枠体７の上面に実装されている。ＩＣ５は、振動子３の下面に実装され、ＩＣ用開口４３ｈ内に位置している。外部端子４７の厚さは、下面ソルダーレジスト５１の厚さの２倍以上である。

このように外部端子４７が下面ソルダーレジスト５１よりも厚い場合においては、例えば、発振器１を実装するための発振器用バンプ６５は、外部端子４７の側面に密着して、フィレット状部分（裾野状部分）を形成できる。その結果、発振器用バンプ６５が外部端子４７の下面（Ｄ３軸負側の面）のみに密着する場合に比較して接合強度が向上する。また、例えば、実装枠体７はＩＣ用開口４３ｈを有する形状であることから、発振器１を小型化すると、外部端子４７の面積を確保することが困難になるが、上記のような接合強度の向上によって、外部端子４７の面積縮小を補償することができる。また、例えば、外部端子４７が厚くなった分だけ、振動子３を発振器１が実装される回路基板６１から離し、振動子３にとっての浮遊容量を低減し、発振器１の周波数特性を安定化させることができる。また、実施形態に係る発振器１は、ダイシングテープ７７を外部端子４７に密着させる製造方法によって製造可能であり、この製造方法は、上述した種々の効果を奏する。

また、本実施形態では、実装枠体７は、絶縁基板４３の上面に層状に形成されており、振動子３が実装される振動子用パッド４５と、振動子用パッド４５を露出させつつ絶縁基板４３の上面を覆っている上面ソルダーレジスト４９と、を有している。上面ソルダーレジスト４９は、振動子用パッド４５よりも厚い。

従って、絶縁基板４３の下面側においては、導体層（外部端子４７）をソルダーレジスト（５１）よりも厚くして、上述した効果を得る一方で、絶縁基板４３の上面側においては、下面側とは逆に、ソルダーレジスト（４９）を導体層（振動子用パッド４５）よりも厚くして、種々の効果を得ることができる。例えば、上面側においては、振動子用バンプ１１の厚みを確保しやすい。具体的には、例えば、振動子用バンプ１１が振動子３の重みで潰れたとしても、振動子３の下面（基体２７（又は振動子端子３１））が上面ソルダーレジスト４９に当接し、パッド用開口４９ａ内に振動子用バンプ１１の厚み乃至は体積が確保される。また、例えば、振動子用バンプ１１は、パッド用開口４９ａの内周面によって広がりが規制され、ひいては、広がることによって薄くなることが抑制される。また、例えば、実装枠体７はＩＣ用開口４３ｈを有する形状であることから、発振器１を小型化すると、振動子用パッド４５の面積を確保することが困難になり、ひいては、振動子用バンプ１１の体積乃至は厚みが小さくなるが、上記のような振動子用バンプ１１の体積乃至は厚みの確保によって、振動子用パッド４５の面積縮小を補償することができる。また、例えば、振動子用バンプ１１の厚みを確保できることによって、振動子３と実装枠体７との距離を確保して、振動子３にとっての浮遊容量を低減し、発振器１の周波数特性を安定化させることができる。また、例えば、平面透視において振動子用パッド４５及び外部端子４７は互いに重なるように配置されているから、下面側において外部端子４７が設けられずに実装枠体７の強度が相対的に低くなっている領域（下面ソルダーレジスト５１の領域）において、上面ソルダーレジスト４９を厚くして実装枠体７の強度を高くしていることになり、全体として実装枠体７の強度が向上する。

また、本実施形態では、外部端子４７は、振動子用パッド４５よりも厚く、上面ソルダーレジスト４９は、下面ソルダーレジスト５１よりも厚い。

従って、例えば、絶縁基板４３の下面側に導体（金属）を相対的に多く、絶縁基板４３の上面側にソルダーレジストを相対的に多く配置することになる。その結果、例えば、振動子３と導体との距離を確保して振動子３にとっての浮遊容量を低減し、振動子３の周波数特性を安定化させ、その一方で、絶縁基板４３の上面側及び下面側の双方において実装枠体７の強度を向上させることができる。

（変形例）
図７は、変形例に係る発振器２０１を示す、図４に相当する断面図である。

発振器２０１は、外部端子の構成のみが実施形態と相違する。具体的には、変形例に係る実装枠体２０７の外部端子２４７は、第１導体層２４８Ａ及び第２導体層２４８Ｂを有している。なお、実施形態に係る外部端子４７も、複数層の導体層から構成されてよいことは、既に述べたとおりである。また、第１導体層２４８Ａ及び第２導体層２４８Ｂそれぞれも、複数の導体層から構成されてよい。

第１導体層２４８Ａの厚さ及び材料は、適宜に設定されてよく、振動子用パッド４５の厚さ及び材料と同様であってもよいし、異なっていてもよい。好ましくは、第１導体層２４８Ａの厚さ及び材料は、振動子用パッド４５の厚さ及び材料と同様である。第１導体層２４８Ａは、例えば、Ｃｕ等の導電性が比較的高い導体のみから構成されてもよいし、Ｃｕ等の表面を覆うＡｕ等の貴金属が設けられて構成されてもよい。

第２導体層２４８Ｂの厚さ及び材料は、適宜に設定されてよく、振動子用パッド４５又は第１導体層２４８Ａの厚さ及び材料と同様であってもよいし、異なっていてもよい。好ましくは、第２導体層２４８Ｂの厚さは、第１導体層２４８Ａの厚さよりも厚い（図示の例）。第２導体層２４８Ｂは、例えば、Ｃｕ等の導電性が比較的高い導体のみから構成されてもよいし、Ｃｕ等の表面を覆うＡｕ等の貴金属が設けられて構成されてもよい。

外部端子２４７全体としての形状及び寸法は、実施形態の外部端子４７の形状及び寸法と同様でよい。従って、外部端子２４７は、実施形態と同様に、下面ソルダーレジスト５１よりも厚い。外部端子２４７の高さに占める第１導体層２４８Ａ及び第２導体層２４８Ｂの割合は、適宜に設定されてよい。例えば、第１導体層２４８Ａの厚さは、下面ソルダーレジスト５１の厚さ以下であり、第２導体層２４８Ｂが設けられていることによって、外部端子２４７は、下面ソルダーレジスト５１よりも厚くなっている。

変形例に係る発振器２０１の製造方法は、母基板作製工程（ＳＴ３）における、外部端子２４７（外部端子２４７となる導体層）の形成方法のみが実施形態に係る発振器１の製造方法と相違する。具体的には、以下のとおりである。

図８は、発振器２０１に係る母基板作製工程の一部の手順を示すフローチャートである。

変形例に係る発振器２０１の製造方法においては、まず、ステップＳＴ２１〜ＳＴ２３において、初期段階の母基板が作製される。この初期段階の母基板は、実施形態の母基板７１において、外部端子４７（導体層７５）に代えて、第１導体層２４８Ａのみが形成されたものである。

具体的には、例えば、絶縁基板４３が多数個取りされる絶縁母基板７３が準備され（ステップＳＴ２１）、絶縁母基板７３に第１導体層２４８Ａが形成され（ステップＳＴ２２）、絶縁母基板７３に下面ソルダーレジスト５１が形成される（ステップＳＴ２３）。ステップＳＴ２１及びＳＴ２３は、図５のステップＳＴ１１及びＳＴ１３と同様である。ステップＳＴ２２も、導体層（実施形態では外部端子４７（導体層７５）、変形例では第１導体層２４８Ａ）の厚さを除いては、ステップＳＴ１２と同様である。また、図示を省略しているが、第２導体層２４８Ｂを除く他の部分（振動子用パッド４５、上面ソルダーレジスト４９等）も形成される。

その後、外部端子２４７のうち第１導体層２４８Ａのみが形成された初期段階の母基板は、例えば、初期段階の母基板を作製した製造者から、最終的に発振器１を作製する製造者へ流通される（ステップＳＴ２４）。流通における搬送手段は問わない。また、ステップＳＴ２４は、流通に限らず、同一会社において、一の工場（建物）から他の工場（建物）へ母基板を搬送するものであってもよい。

そして、初期段階の母基板を購入した製造者によって、初期段階の母基板に第２導体層２４８Ｂが形成される（ステップＳＴ２５）。これにより、第１導体層２４８Ａ及び第２導体層２４８Ｂからなる外部端子２４７（切断されて外部端子２４７となる導体層）が形成され、ひいては、実施形態の母基板７１と同様の母基板（便宜上、以下、符号７１を用いる）が完成する。ステップＳＴ２５は、導体の厚さ等を除いては、ステップＳＴ１２又はＳＴ２２と同様である。

外部端子２４７の形成後は、実施形態と同様に、振動子用バンプ１１の配置（ステップＳＴ４）、振動子３の実装（ステップＳＴ５）、アンダーフィル１２の充填（ステップＳＴ６）及び母基板７１の切断（ステップＳＴ７）等が行われる。

このような変形例に係る発振器１の製造方法においても、外部端子２４７が下面ソルダーレジスト５１よりも厚く形成され、外部端子２４７がダイシングテープ７７に密着された状態で母基板７１を切断することによって、実施形態と同様の効果が奏される。例えば、外部端子２４７に切断くずが付着するおそれが低減される。

また、この変形例では、母基板作製工程は、外部端子２４７の一部を構成する第１導体層２４８Ａを形成する第１導体層形成工程（ステップＳＴ２２）と、（一般には第１導体層形成工程の後に行われる）下面ソルダーレジスト５１を形成するソルダーレジスト形成工程（ステップＳＴ２３）と、第１導体層形成工程及びソルダーレジスト形成工程の後、外部端子２４７の他の一部を構成する第２導体層２４８Ｂを第１導体層２４８Ａ上に形成する第２導体層形成工程（ステップＳＴ２５）と、を有している。

従って、例えば、導体層（第１導体層２４８Ａ）の厚さがソルダーレジスト（下面ソルダーレジスト５１）の厚さと同等の一般的な母基板（第２導体層２４８Ｂが設けられていない母基板）を利用して、最終的に、外部端子２４７の厚みが下面ソルダーレジスト５１よりも厚い母基板７１を実現することができる。その結果、例えば、汎用性のある母基板を利用でき、生産性が向上する。また、通常、母基板を自ら作製せずに母基板を購入している発振器の製造者においても、外部端子が下面ソルダーレジスト５１よりも厚い母基板７１を特注することなく母基板７１を実現することができる。

なお、上記のような効果は、特に、第１導体層２４８Ａの厚みが下面ソルダーレジスト５１の厚み以下であり、第１導体層２４８Ａ及び第２導体層２４８Ｂの合計の厚みが下面ソルダーレジスト５１の厚みよりも厚いときに顕著となる。

また、この変形例においては、母基板全体を作製する母基板作製工程を圧電デバイスの製造方法の一部として捉えずに、第２導体層２４８Ｂを形成する第２導体層形成工程以降を圧電デバイスの製造方法の一部として捉えてもよい。

なお、以上の実施形態及び変形例において、水晶発振器１は圧電デバイスの一例であり、実装枠体７及び２０７は実装体の一例であり、水晶振動子３は圧電素子及び圧電振動子の一例であり、ＩＣ５は電子素子の一例であり、ＩＣ用開口４３ｈは開口の一例であり、振動子用パッド４５はパッドの一例である。

本発明は、以上の実施形態及び変形例に限定されず、種々の態様で実施されてよい。

圧電デバイスは、発振器に限定されない。例えば、電子素子は、発振回路を含んでおらず、圧電デバイスは、振動子３と実装枠体７とを有していても、依然として振動子であってもよい。この場合、例えば、振動素子１３が電子素子（ＩＣ５）を介さずに外部端子４７に接続され、圧電デバイスが実装される回路基板６１に設けられた発振回路によって振動子３に電圧が印加される。

別の観点では、電子素子は発振回路を含むＩＣに限定されない。例えば、電子素子は、温度センサ（例えばサーミスタ）であってもよい。すなわち、圧電デバイスは、温度センサ付振動子であってもよい。温度センサは、例えば、素子搭載部材１５の配線及び実装枠体７の配線を介して外部端子４７に接続され、ひいては、圧電デバイスが実装される回路基板６１に設けられた、振動子３の特性の温度補償を行うための回路に接続される。

また、圧電デバイスは、回路基板等に実装される電子部品の一部であってよい。例えば、圧電デバイスは、恒温槽内に収容されて恒温槽付デバイスに含まれてよい。また、圧電デバイス（圧電振動子）は、水晶を用いるものに限定されず、例えば、セラミックを用いるものであってもよい。

圧電デバイスが発振器である場合において、その用途乃至は機能は適宜に設定されてよい。例えば、圧電発振器は、クロック用発振器であってもよいし、電圧制御型発振器（例えばＶＣＸＯ）であってもよいし、温度補償型発振器（例えばＴＣＸＯ）であってもよいし、恒温槽付発振器(例えばＯＣＸＯ)の恒温槽内の発振器であってもよい。外部端子、振動子用パッド、振動子端子、ＩＣ用パッド及びＩＣ端子の数及びその配置は、圧電発振器に要求される機能に応じて適宜に設定されてよい。

圧電振動子の具体的構成は、適宜に変更されてよい。例えば、圧電振動素子（１３）は、２本の振動腕を有する音叉型のものであってもよいし、矩形の圧電片の対角線上に１対の引出電極が形成されるものであってもよい。また、例えば、素子搭載部材（１５）は、枠部が金属によって構成されるものであってもよい。

実装枠体（７）は、振動子（３）に比較して十分に広くされ、その上面に振動子と並んで他の素子（例えば発振回路を含む集積回路素子）が実装されてもよい。また、本発明に係る圧電デバイスの製造方法においては、実装体は、開口を有していなくてもよく（枠体でなくてもよく）、ひいては、電子素子（振動子３）の下面に実装されて開口に配置される電子素子（ＩＣ５）は設けられなくてもよい。

下面ソルダーレジストは、種々の目的で設けられてよい。例えば、下面ソルダーレジストは、複数の外部端子を隔ててこれらの短絡を抑制することを目的としていてもよいし、絶縁基板の下面に設けられた配線（実施形態では設けられていない）を覆うことを目的としてもよいし、及び／又は絶縁基板の保護若しくは補強を目的としていてもよい。下面ソルダーレジストの平面形状は、その目的等に照らして適宜なものとされてよく、絶縁基板の下面のうちの外部端子の配置領域を除く全面に設けられていなくてもよい。

上面ソルダーレジストは、設けられなくてもよく、また、パッド（振動子用パッド４５）の厚さ以下の厚さであってもよい。上面ソルダーレジストは、下面ソルダーレジストと同様に、種々の目的で設けられてよく、その平面形状も適宜に設定されてよい。例えば、上面ソルダーレジストは、パッドを囲んでいなくてもよい（パッド用開口４９ａを有していなくてもよい。）。また、上面ソルダーレジストは、パッドの外縁に重ねっていたり、当接したりしていてもよい。

ただし、上面ソルダーレジストは、バンプ（振動子用バンプ１１）の体積乃至は厚みを確保する機能を発揮する観点からは、パッド（振動子用パッド４５）の概ね全体を囲んでいる（パッド用開口４９ａが形成されている）ことが好ましい。ただし、この場合であっても、上面ソルダーレジストは、必ずしも完全に途切れなくパッドを囲んでいる必要はない。例えば、３０μｍ以下の幅又はパッドの中心回りの角度で６°以下の途切れがあってもよい。

上面ソルダーレジストがパッド（４５）よりも厚く、かつパッドを囲んでいる（パッド用開口４９ａが形成されている）場合において、パッドに配置されるバンプ（振動子用バンプ１１）は、パッド用開口の全体に充填されていなくてもよい。例えば、バンプは、パッド用開口の下方側においてのみパッド用開口の内周面に密着したり、パッド用開口の内周面に密着していなかったりしてもよい。また、バンプがパッド用開口の全体に充填されている場合において、バンプは、パッド用開口の外側に溢れて、圧電素子（振動子３）の下面と上面ソルダーレジストの上面との間に挟まれた部分を有していてもよいし、圧電素子の下面が上面ソルダーレジストの上面に当接していてもよい。いずれにせよ、バンプの厚み乃至は体積が確保される等の効果が奏される。

外部端子及びパッド（振動子用パッド４５）の厚さの相対関係並びに下面ソルダーレジスト及び上面ソルダーレジストの厚さの相対関係も例示したものに限定されない。例えば、パッドの厚みは、外部端子の厚み以上であってもよいし、上面ソルダーレジストの厚みは下面ソルダーレジストの厚み以下であってもよい。

アンダーフィルは設けられなくてもよい。また、アンダーフィルが設けられる場合において、アンダーフィルは、素子用の開口（ＩＣ用開口４３ｈ）から、振動子と実装枠体との間にまで広がっていなくてもよい。換言すれば、素子用開口と実装枠体の側面外部とは、振動子と実装枠体との隙間を介して連通されていてもよい。この場合、例えば、素子用開口から外部へ熱を逃がしやすい。

実装体（実装枠体７）のパッド（振動子用パッド４５）と外部端子（４７）とを接続する接続導体（４８）は、実装枠体の孔部に充填された貫通導体に限定されない。例えば、接続導体は、実装枠体の上面においてパッドから延び、素子用開口（４３ｈ）の内周面を経由して実装枠体の下面へ至る配線によって構成されていてもよい。また、この場合に、下面ソルダーレジスト及び／又は上面ソルダーレジストは、接続導体を覆ってもよい。

製造方法は適宜に変形されてよい。例えば、電子素子（ＩＣ５）は、圧電素子（振動子３）が実装体（実装枠体７）の母基板に実装された後に振動子に実装されてもよく、また、この場合、電子素子は、母基板の切断の前及び後のいずれにおいて振動子に実装されてもよい。また、例えば、圧電素子を母基板（実装体が多数個取りされる母基板とは別の母基板）から切り出して個片化する態様においては、その母基板に含まれる状態の圧電素子に電子素子が実装されてもよい。また、圧電素子を母基板から切り出す場合においては、圧電素子の母基板と、実装体の母基板とをバンプによって貼り合わせて、その後に切断を行ってもよい。

本願発明に係る製造方法は、外部端子に切断くずが付着することに着目してなされている。ただし、その製造方法から導かれた本願発明に係る発振器は、必ずしも本願発明に係る製造方法によって作製されたものに限定されない。別の観点からの種々の効果（例えば、圧電素子にとっての浮遊容量の低減又は外部端子における接合強度の向上）が奏されるからである。

１…水晶発振器（圧電デバイス）、３…水晶振動子（圧電素子、圧電振動子）、５…ＩＣ（電子素子）、７…実装枠体（実装体）、４３…絶縁基板、４７…外部端子、５１…下面ソルダーレジスト、７１…母基板、７７…ダイシングテープ。

Claims (9)

1. 絶縁基板と、前記絶縁基板の下面に層状に設けられた外部端子と、前記外部端子を露出させつつ前記絶縁基板の下面を覆う下面ソルダーレジストとを有する実装体が多数個取りされる母基板を作製する母基板作製工程と、
   前記母基板における複数の前記実装体の上面に複数の圧電素子を実装する実装工程と、
   前記複数の圧電素子が実装された前記母基板の下面をダイシングテープに密着させた状態で前記母基板を切断して個片化する個片化工程と、
   を有しており、
   前記母基板作製工程では、前記外部端子が前記下面ソルダーレジストよりも厚くなるように前記外部端子及び前記下面ソルダーレジストを形成し、
   前記個片化工程では、前記外部端子の下面を前記ダイシングテープに密着させた状態で前記母基板を切断する
   圧電デバイスの製造方法。
2. 前記外部端子の厚さは、前記下面ソルダーレジストの厚さの２倍以上であり、かつ前記絶縁基板の厚さの０．５倍以下である
   請求項１に記載の圧電デバイスの製造方法。
3. 前記母基板作製工程では、前記母基板において前記複数の実装体となる領域とその間の捨て代とに亘って前記外部端子となる導体層を形成し、
   前記個片化工程では、前記導体層も切断する
   請求項１又は２に記載の圧電デバイスの製造方法。
4. 前記母基板作製工程は、
   前記外部端子の一部を構成する第１導体層を形成する第１導体層形成工程と、
   前記下面ソルダーレジストを形成するソルダーレジスト形成工程と、
   前記第１導体層形成工程及び前記ソルダーレジスト形成工程の後、前記外部端子の他の一部を構成する第２導体層を前記第１導体層上に形成する第２導体層形成工程と、を有している
   請求項１〜３のいずれか１項に記載の圧電デバイスの製造方法。
5. 絶縁基板と、前記絶縁基板の下面に層状に設けられた外部端子と、前記外部端子を露出させつつ前記絶縁基板の下面を覆う下面ソルダーレジストとを有する実装体が多数個取りされる母基板を作製するように、前記下面ソルダーレジストから露出しており、前記外部端子の一部となる第１導体層上に、前記外部端子の他の一部となる第２導体層を形成する第２導体層形成工程と、
   前記第２導体層が形成された前記母基板における複数の前記実装体の上面に複数の圧電素子を実装する実装工程と、
   前記複数の圧電素子が実装された前記母基板の下面をダイシングテープに密着させた状態で前記母基板を切断して個片化する個片化工程と、
   を有しており、
   前記外部端子は前記下面ソルダーレジストよりも厚く、
   前記個片化工程では、前記外部端子の下面を前記ダイシングテープに密着させた状態で前記母基板を切断する
   圧電デバイスの製造方法。
6. 前記第１導体層の厚みは、前記下面ソルダーレジストの厚み以下であり、
   前記第１導体層及び前記第２導体層の合計の厚みは、前記下面ソルダーレジストの厚みよりも厚い
   請求項４又は５に記載の圧電デバイスの製造方法。
7. 平面視で開口を有している絶縁基板と、前記絶縁基板の下面に層状に設けられている外部端子と、前記外部端子を露出させつつ前記絶縁基板の下面を覆っている下面ソルダーレジストと、を有している実装枠体と、
   前記開口を覆うように前記実装枠体の上面に実装されている圧電振動子と、
   前記圧電振動子の下面に実装され、前記開口内に位置している電子素子と、
   を有しており、
   前記外部端子の厚さは、前記下面ソルダーレジストの厚さの２倍以上である
   圧電デバイス。
8. 前記実装枠体は、
   前記絶縁基板の上面に層状に形成されており、前記圧電振動子が実装されるパッドと、
   前記パッドを露出させつつ前記絶縁基板の上面を覆っている上面ソルダーレジストと、を有しており、
   前記上面ソルダーレジストは、前記パッドよりも厚い
   請求項７に記載の圧電デバイス。
9. 前記外部端子は、前記パッドよりも厚く、
   前記上面ソルダーレジストは、前記下面ソルダーレジストよりも厚い
   請求項８に記載の圧電デバイス。

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