JP2016163535A - 半導体モジュール - Google Patents

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悦司 田口
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Abstract

【課題】半導体モジュールを冷却する冷却器の冷却性能が低下しても、当該半導体モジュールに含まれる複数の半導体素子の過熱を抑制可能にする。
【解決手段】半導体モジュールＭｗは、パッケージＰと、当該パーケージＰ内に配設されたトランジスタＴｒ５，Ｔｒ６およびダイオードＤ５，Ｄ６とを含み、トランジスタＴｒ５，Ｔｒ６は、それぞれ温度センサ８０を有すると共に、ダイオードＤ５，Ｄ６よりもパッケージＰの何れか１つの縁部Ｐｅに近接し、半導体モジュールＭｗは、それに含まれる全半導体素子の中でトランジスタＴｒ５，Ｔｒ６が最も上側に位置するように電動車両１に搭載され、冷却媒体が供給される冷却器５０により冷却される。
【選択図】図５

Description

本発明は、複数の半導体素子を含み、搭載対象に搭載されると共に冷却媒体が供給される冷却器により冷却される半導体モジュールに関する。
従来、この種の半導体モジュールとして、上アーム側半導体チップをなすトランジスタチップおよびダイオードチップと、下アーム素子側半導体チップをなすトランジスタチップおよびダイオードチップとを含むハーフブリッジ回路用半導体モジュールが知られている（例えば、特許文献１参照）。この半導体モジュールにおいて、それぞれ２つのトランジスタチップおよびダイオードチップは、ミドルサイド板の長辺方向に一列に配列される。また、上アーム側半導体チップをなすトランジスタチップとダイオードチップとは、ミドルサイド板の長辺方向に沿って互いに隣接し、下アーム素子側半導体チップをなすトランジスタチップとダイオードチップとは、当該長辺方向に沿って互いに隣接する。
特開２００４−２０８４１１号公報
上述のような半導体モジュールは、一般に、当該モジュールと当接するように配置される冷却器に冷却媒体を供給することにより冷却される。しかしながら、上記半導体モジュールでは、何らかの要因により冷却器に供給される冷却媒体の量が減少して当該冷却器内の液位が低下すると、冷却性能が低下することで半導体モジュールに含まれるすべての半導体素子の温度が上昇してしまう。このため、複数の半導体素子の一部に温度センサが設けられていたとしても、冷却器の冷却性能の低下を検知するタイミングが遅れてしまい、複数の半導体素子の過熱を招いてしまうおそれがある。
そこで、本発明は、半導体モジュールを冷却する冷却器の冷却性能が低下しても、当該半導体モジュールに含まれる複数の半導体素子の過熱を抑制可能にすることを主目的とする。
本発明による半導体モジュールは、パッケージと該パーケージ内に配設された複数の半導体素子とを含み、搭載対象に搭載されると共に冷却媒体が供給される冷却器により冷却される半導体モジュールにおいて、前記複数の半導体素子の一部は、温度センサを有し、前記温度センサを有する前記半導体素子が他の前記半導体素子よりも前記パッケージの一縁部に近接するように構成されると共に、前記温度センサを有する前記半導体素子が前記複数の半導体素子の中で最も上側に位置するように前記搭載対象に搭載されることを特徴とする。
この半導体モジュールは、パッケージと、当該パーケージ内に配設された複数の半導体素子とを含み、複数の半導体素子の一部は、温度センサを有する。また、温度センサを有する半導体素子は、他の半導体素子よりもパッケージの一縁部に近接する。そして、この半導体モジュールは、温度センサを有する半導体素子が複数の半導体素子の中で最も上側に位置するように搭載対象に搭載され、冷却媒体が供給される冷却器により冷却される。これにより、冷却器に供給される冷却媒体の量が減少して当該冷却器内の液位が低下すると、複数の半導体素子の中で最も上側に位置する半導体素子、すなわち温度センサを有する半導体素子の温度が冷却器の冷却性能の低下に伴って最も早く上昇することになる。従って、当該最も上側に位置する半導体素子に設けられている温度センサの検出値を監視することで、冷却器の冷却性能の低下を速やかに検知して複数の半導体素子を保護するための処理を速やかに実行することが可能となる。この結果、半導体モジュールを冷却する冷却器の冷却性能が低下しても、当該半導体モジュールに含まれる複数の半導体素子の過熱を抑制することができる。
また、前記複数の半導体素子は、温度センサを有する絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）と、温度センサを有さないダイオードとを含んでもよい。これにより、ＩＧＢＴの温度センサの検出値が閾値を超えた際に当該ＩＧＢＴをオフすることで、冷却器の冷却性能が低下しても、ＩＧＢＴおよびダイオードの双方の過熱を良好に抑制することが可能となる。
更に、前記半導体モジュールは、電動機を駆動するインバータを構成してもよく、前記インバータにより駆動される前記電動機を有する車両に搭載されてもよい。すなわち、車両の電動機を駆動するインバータの半導体モジュールを上述のように構成することで、インバータの過熱を抑制して当該インバータの耐久性を向上させることが可能となる。
また、前記車両は、前記半導体モジュールの両面に当接するように配設される複数の前記冷却器と、冷却媒体を貯留するリザーバタンクと、冷却媒体を前記リザーバタンクから吸入して前記冷却器に圧送するポンプと、冷却器から前記リザーバタンクに戻される冷却媒体を冷却するラジエータとを有してもよい。
本発明による半導体モジュールを含む電力制御装置を搭載した電動車両を示す概略構成図である。 本発明による半導体モジュールを示す概略構成図である。 図１の電動車両に搭載された冷却装置を示す概略構成図である。 図１の電動車両に搭載された冷却装置を構成する冷却器と半導体モジュールとを示す概略構成図である。 図１の電動車両に搭載された冷却装置を構成する冷却器と半導体モジュールとを示す部分断面図である。
次に、図面を参照しながら本発明を実施するための形態について説明する。
図１は、本発明による半導体モジュールを含む電力制御装置を搭載した電動車両１を示す概略構成図である。同図に示す電動車両１は、デファレンシャルギヤ等を介して左右の駆動輪ＤＷに連結されたモータＭＧと、バッテリ２と、システムメインリレー３を介してバッテリ２に接続されると共にモータＭＧを駆動する電力制御装置（以下、「ＰＣＵ」という）４と、電動車両１の全体を制御する電子制御装置（以下、「ＥＣＵ」という）１０とを含む。
モータＭＧは、三相同期電動機として構成されており、ＰＣＵ４を介してバッテリ２と電力をやり取りする。モータＭＧは、バッテリ２からの電力により駆動されて駆動輪ＤＷに走行用のトルクを出力すると共に、電動車両１の制動に際して駆動輪ＤＷに回生制動トルクを出力する。また、モータＭＧには、ロータの回転角θ（回転位置）を検出する回転角センサ（レゾルバ）６が設けられている。バッテリ２は、リチウムイオン二次電池またはニッケル水素二次電池である。システムメインリレー３は、図示するように、正極側電力ラインＰＬに接続される正極側リレーと、負極側電力ラインＮＬに接続される負極側リレーとを有する。
ＰＣＵ４は、モータＭＧを駆動するインバータ４０や、バッテリ２からの電力を昇圧する昇圧コンバータ（電圧変換ユニット）４５、平滑コンデンサ４６および４７を含む。インバータ４０は、例えば絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）である６つのトランジスタ（スイッチング素子）Ｔｒ１，Ｔｒ２，Ｔｒ３，Ｔｒ４，Ｔｒ５およびＴｒ６と、各トランジスタＴｒ１〜Ｔｒ６に逆方向に並列接続された６つのダイオードＤ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４，Ｄ５およびＤ６とを含む。６つのトランジスタＴｒ１〜Ｔｒ６は、正極側電力ラインＰＬと負極側電力ラインＮＬとに対してソース側とシンク側とになるよう２個ずつ対をなす。また、対となる２つのトランジスタ同士の接続点の各々には、モータＭＧの三相コイル（Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相）の対応する何れかが電気的に接続される。
本実施形態において、モータＭＧのＵ相に対応したトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２およびダイオードＤ１，Ｄ２は、図２に示すように、モールド成形された樹脂製のパッケージＰ内に配設（埋設）され、当該パッケージＰと共に１体の半導体モジュールＭｕを構成する。また、モータＭＧのＶ相に対応したトランジスタＴｒ３，Ｔｒ４およびダイオードＤ３，Ｄ４は、モールド成形された樹脂製のパッケージＰ内に配設（埋設）され、当該パッケージＰと共に１体の半導体モジュールＭｖを構成する。更に、モータＭＧのＷ相に対応したトランジスタＴｒ５，Ｔｒ６およびダイオードＤ５，Ｄ６は、モールド成形された樹脂製のパッケージＰ内に配設（埋設）され、当該パッケージＰと共に１体の半導体モジュールＭｗを構成する。本実施形態において、各半導体モジュールＭｕ，Ｍｖ，ＭｗのパッケージＰは、図２に示すように、矩形平板状に成形されており、当該筐体の表裏面（細幅の側面以外の２面）には、図示しないヒートシンクが設けられている。また、トランジスタＴｒ１〜Ｔｒ６には、それぞれの温度を検出する温度センサ８０が設けられている（なお、図１では、トランジスタＴｒ５の温度センサ８０のみを示す）。
更に、インバータ４０は、トランジスタＴｒ１〜Ｔｒ６やダイオードＤ１〜Ｄ６を保護するための自己保護回路４４を含み、当該自己保護回路４４には、各トランジスタＴｒ１〜Ｔｒ６の温度センサ８０が接続されている。自己保護回路４４は、各トランジスタＴｒ１〜Ｔｒ６の温度センサ８０により検出される温度と予め定められた温度閾値とを比較し、トランジスタＴｒ１〜Ｔｒ６の何れかに設けられた温度センサ８０の検出値が当該温度閾値を超えた際に異常検知信号を出力する。なお、本実施形態において、自己保護回路４４は、図示しない電流センサにより検出されるモータＭＧの各相を流れる電流（相電流）の何れかが予め定められた電流閾値を超えた際にも異常検知信号を出力する。
昇圧コンバータ４５は、例えば絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）である２つのトランジスタＴｒ７，Ｔｒ８と、各トランジスタＴｒ７，Ｔｒ８に対して逆方向に並列接続された２つのダイオードＤ７，Ｄ８と、リアクトルＬとを含む。リアクトルＬの一端は、システムメインリレー３を介してバッテリ２の正極端子に電気的に接続され、リアクトルＬの他端には、一方のトランジスタＴｒ７（上アーム）のエミッタと他方のトランジスタＴｒ８（下アーム）のコレクタとが電気的に接続される。また、トランジスタＴｒ７のコレクタは、正極側電力ラインＰＬに電気的に接続され、トランジスタＴｒ８のエミッタは、負極側電力ラインＮＬに電気的に接続される。本実施形態において、昇圧コンバータ４５のトランジスタＴｒ７，Ｔｒ８およびダイオードＤ７，Ｄ８も、モールド成形された樹脂製のパッケージ内に配設（埋設）され、当該パッケージと共に１体の半導体モジュールＭｃを構成する。
平滑コンデンサ４６は、システムメインリレー３と昇圧コンバータ４５との間に設置され、昇圧コンバータ４５のバッテリ２側の電圧すなわち昇圧前電圧ＶＬを平滑化する。また、平滑コンデンサ４７は、昇圧コンバータ４５とインバータ４０との間に設置され、昇圧コンバータ４５により昇圧された昇圧後電圧ＶＨを平滑化する。
ＥＣＵ１０は、図示しないＣＰＵ等を含むマイクロコンピュータとして構成されており、図示しないスタートスイッチ（イグニッションスイッチ）からのシステム起動指令やシステム停止指令、回転角センサ６により検出されるモータＭＧの回転角θ、図示しない電圧センサにより検出される昇圧前電圧ＶＬや昇圧後電圧ＶＨ、図示しない電流センサからの相電流の値、自己保護回路４４からの異常検知信号等を入力する。ＥＣＵ１０は、これらの入力信号に基づいて、インバータ４０や昇圧コンバータ４５の各トランジスタへのスイッチング制御信号を生成し、インバータ４０および昇圧コンバータ４５をスイッチング制御する。
また、ＥＣＵ１０は、インバータ４０の自己保護回路４４から異常検知信号を受信すると、上記スイッチング制御を停止してトランジスタＴｒ１〜Ｔｒ８をオフし、インバータ４０および昇圧コンバータ４５をシャットダウンする。これにより、トランジスタＴｒ１〜Ｔｒ８やダイオードＤ１〜Ｄ８の過熱や、これらに過電流が流れるのを抑制することが可能となる。更に、ＥＣＵ１０は、システムメインリレー３の開閉制御をも実行する。なお、上述のようなＥＣＵ１０の機能は、複数の電子制御装置に分散させてもよい。
図３は、ＰＣＵ４、すなわちインバータ４０や昇圧コンバータ４５等を冷却するための冷却装置５を示す概略構成図である。同図に示すように、冷却装置５は、複数の冷却器５０と、ＬＬＣ（ロングライフクーラント）といった冷却媒体（冷却液）を貯留するリザーバタンク５３と、冷媒ポンプ５５と、ラジエータ５７とを含む。
複数の冷却器５０は、図３および図４に示すように、インバータ４０を構成する複数の半導体モジュールＭｕ，Ｍｖ，Ｍｗや昇圧コンバータ４５を構成する半導体モジュールＭｃと交互に並ぶように配設される。すなわち、１つの半導体モジュールに対しては、当該モジュールの表面または裏面に当接するように２つの冷却器５０が配設される。また、互いに隣り合う冷却器５０の内部同士は、連通管５１を介して互いに連通する。冷媒ポンプ５５は、冷却媒体をリザーバタンク５３から吸入して当該冷媒ポンプ５５に最も近い一端側の冷却器５０に対して圧送する。当該冷却器５０に供給された冷却媒体は、隣り合う冷却器５０内に順次流入し、各冷却器５０内を流通する冷却媒体は、当該冷却器５０に当接する半導体モジュールＭｕ等から熱を奪って昇温する。各冷却器５０から流出する冷却媒体は、ラジエータ５７の熱交換部に流入し、ラジエータ５７で冷却された後、リザーバタンク５３へと戻される。これにより、複数の冷却器５０内に冷却媒体を循環供給して各冷却器５０により半導体モジュールＭｕ，Ｍｖ，Ｍｗ，Ｍｃを冷却することが可能となる。
ここで、電動車両１では、走行中に例えばラジエータ５７に飛び石等が当たること等に起因してより冷却媒体の漏れを生じてしまうことが起こり得る。このような冷却媒体の漏れが発生すると、リザーバタンク５３の液位が低下し、冷媒ポンプ５５がエアを吸入してしまったり、冷媒ポンプ５５が冷却媒体を圧送し得なくなってしまったりするおそれがある。更に、冷媒ポンプ５５から各冷却器５０に供給される冷却媒体の量が減少すると、各冷却器５０内の液位が低下して冷却性能が低下することで、インバータ４０を構成する半導体モジュールＭｕ，Ｍｖ，Ｍｗ、更には昇圧コンバータ４５を構成する半導体モジュールＭｃに含まれるトランジスタＴｒ１〜Ｔｒ８やダイオードＤ１〜Ｄ８の温度が上昇してしまう。
これを踏まえて、インバータ４０の半導体モジュールＭｕは、図２および図５に示すように、温度センサ８０を有する半導体素子であるトランジスタＴｒ１およびＴｒ２が温度センサ８０を有さないダイオードＤ１およびＤ２（他の半導体素子）よりも樹脂製のパッケージＰの何れか１つの縁部（一縁部）Ｐｅ（図２および図４参照、図中上縁部）に近接すると共に当該縁部Ｐｅに沿って一列に並ぶように製造（構成）される。同様に、インバータ４０の半導体モジュールＭｖは、温度センサ８０を有するトランジスタＴｒ３およびＴｒ４がダイオードＤ３およびＤ４よりもパッケージＰの何れか１つの縁部Ｐｅに近接すると共に当該縁部Ｐｅに沿って一列に並ぶように製造（構成）される。また、インバータ４０の半導体モジュールＭｗは、温度センサ８０を有するトランジスタＴｒ５およびＴｒ６がダイオードＤ５およびＤ６よりもパッケージＰの何れか１つの縁部Ｐｅに近接すると共に当該縁部Ｐｅに沿って一列に並ぶように製造（構成）される。
更に、半導体モジュールＭｕ，Ｍｖ，Ｍｗは、冷却器５０と交互に並ぶと共にパッケージＰの縁部ＰｅすなわちトランジスタＴｒ１〜Ｔｒ６がＰＣＵ４のケース４００（図３参照）の天板側に位置するように当該ケース４００内に配設される。そして、ＰＣＵ４は、半導体モジュールＭｕ，Ｍｖ，ＭｗのパッケージＰの縁部ＰｅすなわちトランジスタＴｒ１〜Ｔｒ６が鉛直上側に位置するように電動車両１に搭載される。これにより、ＰＣＵ４が電動車両１に搭載された際、半導体モジュールＭｕでは、温度センサ８０を有するトランジスタＴｒ１およびＴｒ２が全素子の中で最も上側に位置し、半導体モジュールＭｖでは、温度センサ８０を有するトランジスタＴｒ３およびＴｒ４が全素子の中で最も上側に位置し、半導体モジュールＭｗでは、温度センサ８０を有するトランジスタＴｒ５およびＴｒ６が全素子の中で最も上側に位置することになる。
この結果、電動車両１の走行時等に冷媒ポンプ５５から各冷却器５０に供給される冷却媒体の量が減少して少なくとも何れか１つの冷却器５０（例えば最も冷媒ポンプ５５から遠い冷却器５０）内の液位（図５における二点鎖線参照）が低下すると、冷却器５０の冷却性能の低下に伴って当該冷却器５０に当接する半導体モジュールＭｕ，Ｍｖ，Ｍｗの何れかにおいて最も上側に位置するトランジスタＴｒ１〜Ｔｒ６の少なくとも何れか１つの温度が最も早く上昇することになる。従って、トランジスタＴｒ１〜Ｔｒ６に設けられている温度センサ８０の検出値を監視することで、冷却器５０の冷却性能の低下を速やかに検知して半導体モジュールＭｕ，Ｍｖ，Ｍｗ（インバータ４０）のトランジスタＴｒ１〜Ｔｒ６やダイオードＤ１〜Ｄ６、更には半導体モジュールＭｃ（昇圧コンバータ４５）のトランジスタＴｒ７，Ｔｒ８やダイオードＤ７，Ｄ８を保護するための処理を速やかに実行することが可能となる。
すなわち、電動車両１では、トランジスタＴｒ１〜Ｔｒ６の何れかに設けられた温度センサ８０の検出値が上記温度閾値を超えた際にインバータ４０の自己保護回路４４から異常検知信号が出力され、当該異常検知信号を受信したＥＣＵ１０によりトランジスタＴｒ１〜Ｔｒ８がオフされてインバータ４０および昇圧コンバータ４５がシャットダウンされる。これにより、少なくとも何れか１つの冷却器５０の冷却性能が低下しても、半導体モジュールＭｕ，Ｍｖ，Ｍｗ，Ｍｃに含まれるトランジスタＴｒ１〜Ｔｒ８およびダイオードＤ１〜Ｄ８の過熱を良好に抑制することができる。従って、電動車両１では、インバータ４０や昇圧コンバータ４５の過熱を抑制して当該インバータ４０や昇圧コンバータ４５の耐久性をより向上させることが可能となる。
以上説明したように、ＰＣＵ４のインバータ４０を構成する半導体モジュールＭｕ，ＭｖおよびＭｗは、パッケージＰと、当該パーケージＰ内に配設されたトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２およびダイオードＤ１，Ｄ２、またはトランジスタＴｒ３，Ｔｒ４およびダイオードＤ３，Ｄ４、またはトランジスタＴｒ５，Ｔｒ６およびダイオードＤ５，Ｄ６とを含む。また、トランジスタＴｒ１〜Ｔｒ６は、それぞれ温度センサ８０を有する。更に、トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２は、ダイオードＤ１，Ｄ２よりもパッケージＰの縁部Ｐｅに近接し、トランジスタＴｒ３，Ｔｒ４は、ダイオードＤ３，Ｄ４よりもパッケージＰの縁部Ｐｅに近接し、トランジスタＴｒ５，Ｔｒ６は、ダイオードＤ５，Ｄ６よりもパッケージＰの縁部Ｐｅに近接する。そして、半導体モジュールＭｕ，ＭｖおよびＭｗは、それぞれに含まれる全半導体素子の中でトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２、またはトランジスタＴｒ３，Ｔｒ４、またはトランジスタＴｒ５，Ｔｒ６が最も上側に位置するように電動車両１に搭載され、冷却媒体が供給される冷却器５０により冷却される。これにより、トランジスタＴｒ１〜Ｔｒ６に設けられている温度センサ８０の検出値を監視することで、冷却器５０の冷却性能の低下を速やかに検知してトランジスタＴｒ１〜Ｔｒ６やダイオードＤ１〜Ｄ６を保護するための処理を速やかに実行することが可能となる。従って、冷却器５０の冷却性能が低下しても、半導体モジュールＭｕ，ＭｖおよびＭｗに含まれるトランジスタＴｒ１〜Ｔｒ６およびダイオードＤ１〜Ｄ６の過熱を良好に抑制することができる。
なお、必ずしもインバータ４０を構成するすべてのトランジスタＴｒ１〜Ｔｒ６に温度センサ８０が設けられる必要はない。すなわち、電動車両１に対するＰＣＵ４の搭載状態（例えば、車体に若干傾けて搭載される場合等）や電動車両１の走行時（登坂時や降坂時を含む）の姿勢等を考慮して、全素子の中で最も鉛直上側に位置することがある少なくとも１つのトランジスタに温度センサ８０が設けられてもよい。また、自己保護回路は、インバータ４０のトランジスタＴｒ１〜Ｔｒ６の少なくとも何れか一つに内蔵されてもよい。更に、上述の昇圧コンバータ４５を構成する半導体モジュールＭｃもインバータ４０の半導体モジュールＭｕ，ＭｖおよびＭｗと同様に構成されてもよく、上記自己保護回路４４と同様の自己保護回路が昇圧コンバータ４５あるいはトランジスタＴｒ７，Ｔｒ８に設けられてもよい。更に、上記電動車両１の構成が、２個以上のモータ（インバータ）を含むハイブリッド車両（動力分配用のプラネタリギヤを含むものであってもよく、含まないものであってもよい）や、いわゆる１モータ式のハイブリッド車両、シリーズ式のハイブリッド車両等に適用され得ることはいうまでもない。
そして、本発明は上記実施形態に何ら限定されるものではなく、本発明の外延の範囲内において様々な変更をなし得ることはいうまでもない。更に、上記発明を実施するための形態は、あくまで課題を解決するための手段の欄に記載された発明の具体的な一形態に過ぎず、課題を解決するための手段の欄に記載された発明の要素を限定するものではない。
本発明は、半導体モジュールやそれを備えたインバータ等を含む電力制御装置の製造分野等において利用可能である。
１ 電動車両、２ バッテリ、３ システムメインリレー、４ 電力制御装置（ＰＣＵ）、５ 冷却装置、６ 回転角センサ、１０ 電子制御装置（ＥＣＵ）、４０ インバータ、４４ 自己保護回路、４５ 昇圧コンバータ、４６，４７ 平滑コンデンサ、５０ 冷却器、５１ 連通管、５３ リザーバタンク、５５ 冷媒ポンプ、５７ ラジエータ、８０ 温度センサ、４００ ケース、Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４，Ｄ５，Ｄ６，Ｄ７，Ｄ８ ダイオード、ＤＷ 駆動輪、Ｌ リアクトル、Ｍｃ，Ｍｕ，Ｍｖ，Ｍｗ 半導体モジュール、ＭＧ モータ、ＮＬ 負極側電力ライン、Ｐ パッケージ、Ｐｅ 縁部、ＰＬ 正極側電力ライン、Ｔｒ１，Ｔｒ２，Ｔｒ３，Ｔｒ４，Ｔｒ５，Ｔｒ６，Ｔｒ７，Ｔｒ８ トランジスタ（ＩＧＢＴ）。

Claims (4)

  1. パッケージと該パーケージ内に配設された複数の半導体素子とを含み、搭載対象に搭載されると共に冷却媒体が供給される冷却器により冷却される半導体モジュールにおいて、
    前記複数の半導体素子の一部は、温度センサを有し、
    前記温度センサを有する前記半導体素子が他の前記半導体素子よりも前記パッケージの一縁部に近接するように構成されると共に、前記温度センサを有する前記半導体素子が前記複数の半導体素子の中で最も上側に位置するように前記搭載対象に搭載されることを特徴とする半導体モジュール。
  2. 請求項１に記載の半導体モジュールにおいて、
    前記複数の半導体素子は、温度センサを有する絶縁ゲート型バイポーラトランジスタと、温度センサを有さないダイオードとを含むことを特徴とする半導体モジュール。
  3. 請求項１または２に記載の半導体モジュールにおいて、
    電動機を駆動するインバータを構成し、前記インバータにより駆動される前記電動機を有する車両に搭載されることを特徴とする半導体モジュール。
  4. 請求項３に記載の半導体モジュールにおいて、
    前記車両は、前記半導体モジュールの両面に当接するように配設される複数の前記冷却器と、冷却媒体を貯留するリザーバタンクと、冷却媒体を前記リザーバタンクから吸入して前記冷却器に圧送するポンプと、前記冷却器から前記リザーバタンクに戻される冷却媒体を冷却するラジエータとを有することを特徴とする半導体モジュール。
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