JP2013247211A - 電力変換装置 - Google Patents

Abstract

【課題】放熱ユニットとの位置関係によらず、パワー半導体モジュールの寿命を長くすることができる電力変換装置を提供する。
【解決手段】電力変換装置は、複数のパワー半導体モジュール５ａ、５ｂと、複数のパワー半導体の裏面側に設けられ、複数のパワー半導体モジュールが発した熱を放散する放熱ユニット７と、複数のパワー半導体モジュールのうちの放熱ユニットによる放熱効果が相対的に低いパワー半導体モジュール５ａの裏面と放熱ユニットとの間に設けられた第１第１ヒートスプレッダ９と、を備えた。
【選択図】図３

Description

この発明は、電力変換装置に関するものである。

ヒートパイプによって冷却される冷却体を用いた放熱ユニットで複数のパワー半導体モジュールが発した熱を放散する電力変換装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。

特開平２−１７４５６４号公報

しかしながら、当該電力変換装置においては、ヒートパイプのフィン部から離れるほど、パワー半導体モジュールの放熱効果が下がる。このため、ヒートパイプのフィン部から離れたパワー半導体モジュールの寿命が短くなる。

この発明は、上述の課題を解決するためになされたもので、放熱ユニットとの位置関係によらず、パワー半導体モジュールの寿命を長くすることができる電力変換装置を提供することである。

この発明に係る電力変換装置は、複数のパワー半導体モジュールと、前記複数のパワー半導体の裏面側に設けられ、前記複数のパワー半導体モジュールが発した熱を放散する放熱ユニットと、前記複数のパワー半導体モジュールのうちの前記放熱ユニットによる放熱効果が相対的に低いパワー半導体モジュールの裏面と前記放熱ユニットとの間に設けられた第１ヒートスプレッダと、を備えたものである。

この発明によれば、放熱ユニットとの位置関係によらず、パワー半導体モジュールの寿命を長くすることができる。

この発明の実施の形態１における電力変換装置のブロック図である。 この発明の実施の形態１における電力変換装置の正面図である。 図２のＡ−Ａ線における断面図である。 図３の部品展開図である。 この発明の実施の形態２における電力変換装置の正面図である。 図５のＢ−Ｂ線における断面図である。 図６の部品展開図である。 この発明の実施の形態３における電力変換装置の正面図である。 図８のＣ−Ｃ線における断面図である。 図９の部品展開図である。 この発明の実施の形態４における電力変換装置を制御盤１３に搭載した状態の正面図である。 図１１のＤ−Ｄ線における断面図である。 この発明の実施の形態５における電力変換装置の図１２相当図である。

この発明を実施するための形態について添付の図面に従って説明する。なお、各図中、同一又は相当する部分には同一の符号を付しており、その重複説明は適宜に簡略化ないし省略する。

実施の形態１．
図１はこの発明の実施の形態１における電力変換装置のブロック図である。

図１において、１は交流電源である。交流電源１の出力側には、電力変換装置として、コンバータ２の入力側が接続される。コンバータ２の出力側には、正極側直流母線３ａの入力側と負極側直流母線３ｂの入力側とが接続される。正極側直流母線３ａと負極側直流母線３ｂとの間には、平滑用コンデンサ４が接続される。正極側直流母線３ａの出力側と負極側直流母線３ｂの出力側には、電力変換装置として、インバータ５の入力側が接続される。インバータ５の出力側には、モータ６の入力側が接続される。例えば、モータ６は、エレベータの巻上機（図示せず）に設けられる。

コンバータ２は、３対のパワー半導体モジュールを備える。各対のパワー半導体モジュールは、正極側パワー半導体モジュール２ａと負極側パワー半導体モジュール２ｂとからなる。例えば、正極側パワー半導体モジュール２ａと負極側パワー半導体モジュール２ｂとは、スイッチング素子として、炭化ケイ素半導体を有する。

インバータ５は、３対のパワー半導体モジュールを備える。各対のパワー半導体モジュールは、正極側パワー半導体モジュール５ａと負極側パワー半導体モジュール５ｂとからなる。例えば、正極側パワー半導体モジュール５ａと負極側パワー半導体モジュール５ｂとは、スイッチング素子として、炭化ケイ素半導体を有する。

力行時において、交流電源１からの交流電力は、コンバータ２により直流電力に変換される。当該直流電力は、インバータ５により交流電力に変換される。当該交流電力により、モータ６が駆動する。当該駆動により、エレベータが走行する。

回生時において、モータ６の運動エネルギーは、インバータ５により直流電力に変換される。当該直流電力は、コンバータ２により交流電力に変換される。当該交流電力は、交流電源１に回収される。当該回収により、エレベータが停止する。

このように、エレベータは、走行と停止と繰り返す。この際、正極側パワー半導体モジュール２ａ、５ａと負極側パワー半導体モジュール２ｂ、５ｂとは、断続的に通電する。

次に、図２を用いて、平滑用コンデンサ４とインバータ５との配置を説明する。
図２はこの発明の実施の形態１における電力変換装置の正面図である。

図２に示すように、平滑用コンデンサ４は、インバータ５の下方に設けられる。具体的には、平滑用コンデンサ４は、インバータ５の各対のパワー半導体モジュールの下方に設けられる。

各対のパワー半導体モジュールにおいて、正極側パワー半導体モジュール５ａと負極側パワー半導体モジュール５ｂとは、垂直方向に並んで設けられる。具体的には、負極側パワー半導体モジュール５ｂは、正極側パワー半導体モジュール５ａの下方に設けられる。

正極側パワー半導体モジュール５ａの表面には、入力端子と出力端子とが水平方向に並んで設けられる。負極側パワー半導体モジュール５ｂの表面には、入力端子と出力端子とが水平方向に並んで設けられる。

次に、図３と図４を用いて、インバータ５等をより具体的に説明する。
図３は図２のＡ−Ａ線における断面図である。図４は図３の部品展開図である。

図３と図４とに示すように、平滑用コンデンサ４の上方には、ブスバーが設けられる。ブスバーは、正極側直流母線３ａ、負極側直流母線３ｂ、絶縁物３ｃからなる。

正極側直流母線３ａは、正極側パワー半導体モジュール５ａと負極側パワー半導体モジュール５ｂの表面側に設けられる。正極側直流母線３ａの下部には、穴が形成される。当該穴は、負極側パワー半導体モジュール５ｂの入力端子の外径よりも大きい内径を有する。正極側直流母線３ａの上部には、穴が形成される。当該穴は、正極側パワー半導体モジュール５ａの入力端子の外径よりも小さい内径を有する。

負極側直流母線３ｂは、正極側直流母線３ａと正極側パワー半導体モジュール５ａ、負極側パワー半導体モジュール５ｂの表面との間に設けられる。負極側直流母線３ｂの下部には、穴が形成される。当該穴は、負極側パワー半導体モジュール５ｂの入力端子の外径よりも小さい内径を有する。負極側直流母線３ｂの上部には、穴が形成される。当該穴は、正極側パワー半導体モジュール５ａの入力端子の外径よりも大きい内径を有する。

絶縁物３ｃは、インダクタンスを低減するために、正極側直流母線３ａと負極側直流母線３ｂとの間に挟まれる。絶縁物３ｃの下部には、穴が形成される。当該穴は、負極側直流母線３ｂの下部の穴の内径よりも大きくて正極側直流母線３ａの下部の穴の内径よりも小さい内径を有する。絶縁物３ｃの上部には、穴が形成される。当該穴は、負極側直流母線３ｂの上部の穴の内径よりも小さくて正極側直流母線３ａの上部の穴の内径よりも大きい内径を有する。

正極側パワー半導体モジュール５ａと負極側パワー半導体モジュール５ｂの裏面側には、放熱ユニットが設けられる。放熱ユニットは、各対のパワー半導体モジュール毎に設けられる。放熱ユニットは、ヒートシンク７と冷却ファン８とからなる。

ヒートシンク７は、制御盤（図示せず）内で縦置きに実装される。ヒートシンク７の表面の上部には、第１取り付け部７ａが形成される。ヒートシンク７の表面の下部には、第２取り付け部７ｂが形成される。冷却ファン８は、ヒートシンク７の下方に設けられる。

ヒートシンク７の第２取り付け部７ｂには、負極側パワー半導体モジュール５ｂが直接固定される。ヒートシンク７の第１取り付け部７ａには、第１ヒートスプレッダ９を介して、正極側パワー半導体モジュール５ａが固定される。第１ヒートスプレッダ９は、銅材等、熱伝導率の高い材料で形成される。第１ヒートスプレッダ９の厚みは、負極側直流母線３ｂの厚みと絶縁物３ｃの厚みとの和と略同一である。例えば、第１ヒートスプレッダの厚みは、約５ｍｍである。

ブスバーの上部の表面側からは、ネジ１０ａがねじ込まれる。この際、正極側パワー半導体モジュール５ａの入力端子は、負極側直流母線３ｂの上部の穴の内縁と絶縁物３ｃの上部の穴の内縁に接しないように配置される。その結果、正極側パワー半導体モジュール５ａの入力端子は、正極側直流母線３ａのみに接続する。

ブスバーの下部の表面側からは、ネジ１０ｂがねじ込まれる。この際、ネジ１０ｂの頭部は、正極側直流母線３ａの下部の穴の内縁と絶縁物３ｃの下部の穴の内縁に接しないように配置される。負極パワー半導体モジュール５ｂは、負極側直流母線３ｂのみに接続する。

インバータ５において、正極側パワー半導体モジュール５ａと負極側パワー半導体モジュール５ｂとは、スイッチングにより同等の熱を発する。当該熱は、ヒートシンク７により放散される。この際、ヒートシンク７の第１取り付け部７ａには、下部から熱が伝わる。このため、ヒートシンク７において、第１取り付け部７ａの冷却効率は、第２取り付け部７ｂの冷却効率よりも悪い。すなわち、正極側パワー半導体モジュール５ａは、負極側パワー半導体モジュール５ｂよりも内部のチップ温度が高くなり得る。

しかしながら、ヒートシンク７の第１取り付け部７ａと正極側パワー半導体モジュール５ａとの間には、第１ヒートスプレッダ９が配置されている。このため、正極側パワー半導体モジュール５ａの放熱効果が高まる。その結果、正極側パワー半導体モジュール５ａの放熱効果は、負極側パワー半導体モジュール５ｂの放熱効果と同等となる。すなわち、正極側パワー半導体モジュール５ａの温度上昇は、負極側パワー半導体モジュール５ｂの温度上昇と同様に抑制される。

以上で説明した実施の形態１によれば、第１ヒートスプレッダ９は、放熱ユニットによる放熱効果が相対的に低いパワー半導体モジュールの裏面と放熱ユニットとの間に設けられる。このため、放熱ユニットとの位置関係によらず、パワー半導体モジュールの寿命を長くすることができる。すなわち、ヒートシンク７を大きくしたり高風量の冷却ファン８を用いたりすることなく、安価な放熱ユニットで、パワー半導体モジュールの温度上昇を仕様値内に収めることができる。

また、第１ヒートスプレッダ９は、負極側直流母線３ｂの厚みと絶縁物３ｃの厚みとの和に合わせた厚みで形成される。このため、段差を吸収するスペーサ等を用いることなく、正極側パワー半導体モジュール５ａの入力端子を正極側直流母線３ａに直接接続することができる。その結果、配線のインダクタンスを低減することができる。

実施の形態２．
図５はこの発明の実施の形態２における電力変換装置の正面図である。なお、実施の形態１と同一又は相当部分には同一符号を付して説明を省略する。

実施の形態１の放熱ユニットは、ヒートシンク７と冷却ファン８からなっていた。一方、実施の形態２の放熱ユニットは、ヒートパイプ１１と冷却ファン８からなる。ヒートパイプは、取り付け部１１ａとフィン部１１ｂとを有する。具体的には、フィン部１１ｂは、取り付け部１１ａの上方に設けられる。フィン部１１ｂの表面側には、冷却ファン８が設けられる。

次に、図６と図７を用いて、インバータ５等をより具体的に説明する。
図６は図５のＢ−Ｂ線における断面図である。図７は図６の部品展開図である。

正極側直流母線３ａは、正極側パワー半導体モジュール５ａと負極側パワー半導体モジュール５ｂとに対向する。正極側直流母線３ａの下部には、穴が形成される。当該穴は、負極側パワー半導体モジュール５ｂの入力端子の外径よりも大きい内径を有する。正極側直流母線３ａの上部には、穴が形成される。当該穴は、正極側パワー半導体モジュール５ａの入力端子の外径よりも小さい内径を有する。

負極側直流母線３ｂは、正極側直流母線３ａに対し、正極側パワー半導体モジュール５ａと負極側パワー半導体モジュール５ｂとは反対側に設けられる。負極側直流母線３ｂの下部には、穴が形成される。当該穴は、負極側パワー半導体モジュール５ｂの入力端子の外径よりも小さい内径を有する。負極側直流母線３ｂの上部には、穴が形成される。当該穴は、正極側パワー半導体モジュール５ａの入力端子の外径よりも大きい内径を有する。

絶縁物３ｃは、正極側直流母線３ａと負極側直流母線３ｂとの間に挟まれる。絶縁物３ｃの下部には、穴が形成される。当該穴は、正極側直流母線３ａの下部の穴の内径よりも小さくて負極側直流母線３ｂの下部の穴の内径よりも大きい内径を有する。絶縁物３ｃの上部には、穴が形成される。当該穴は、正極側直流母線３ａの上部の穴の内径よりも大きくて負極側直流母線３ｂの上部の穴の内径よりも小さい内径を有する。

ヒートパイプ１１の取り付け部１１ａの上部には、正極側パワー半導体モジュール５ａが直接固定される。ヒートパイプ１１の取り付け部１１ａの下部には、第１ヒートスプレッダ９を介して、負極側パワー半導体モジュール５ｂが固定される。

ヒートパイプ１１の取り付け部１１ａにおいては、フィン部１１ｂから離れるほど、冷却効率が悪くなる。すなわち、取り付け部１１ａの下部の冷却効率は、取り付け部１１ａの上部の冷却効率よりも悪い。

しかしながら、負極側パワー半導体モジュール５ｂの裏面と取り付け部１１ａの下部との間には、第１ヒートスプレッダ９が配置されている。このため、負極側パワー半導体モジュール５ｂの放熱効果が高まる。その結果、負極側パワー半導体モジュール５ｂの放熱効果は、正極側パワー半導体モジュール５ａの放熱効果と同等となる。すなわち、負極側パワー半導体モジュール５ｂの温度上昇は、正極側パワー半導体モジュール５ａの温度上昇と同様に抑制される。

以上で説明した実施の形態２によれば、第１ヒートスプレッダ９は、ヒートパイプ１１のフィン部１１ｂから離れた負極側パワー半導体モジュール５ｂとヒートパイプ１１の取り付け部１１ａとの間に設けられる。このため、放熱ユニットとしてヒートパイプ１１を用いた場合でも、放熱ユニットとの位置関係によらず、パワー半導体モジュールの寿命を長くすることができる。

実施の形態３．
図８はこの発明の実施の形態３における電力変換装置の正面図である。図９は図８のＣ−Ｃ線における断面図である。図１０は図９の部品展開図である。なお、実施の形態２と同一又は相当部分には同一符号を付して説明を省略する。

炭化ケイ素半導体を用いたパワー半導体モジュールは、シリコン半導体を用いたパワー半導体モジュールに比べて熱損失が小さい。このため、単位面積あたりの電流容量を大きくすることができる。この場合、単位面積あたりの温度上昇も大きくなる。従って、炭化ケイ素半導体を用いたパワー半導体モジュールは、ワイヤボンディングの接合部や半田付け部の熱疲労による寿命（パワーサイクル寿命）を特に考慮する必要がある。

そこで、実施の形態３においては、正極側パワー半導体モジュール５ａとヒートパイプ１１の取り付け部１１ａとの間にも、第２ヒートスプレッダ１２が配置される。第１ヒートスプレッダ９は、第２ヒートスプレッダ１２よりも厚く形成される。第２ヒートスプレッダ１２は、第１ヒートスプレッダ９の厚みから正極側直流母線３ａの厚みと絶縁物３ｃの厚みの和を差し引いた厚みで形成される。

以上で説明した実施の形態３によれば、正極側パワー半導体モジュール５ａとヒートパイプ１１の取り付け部１１ａとの間にも、第２ヒートスプレッダ１２が配置される。このため、正極側パワー半導体モジュール５ａと負極側パワー半導体モジュール５ｂの双方の温度上昇（ΔＴ）が抑制される。その結果、パワーサイクル寿命を向上させることができる。

また、第２ヒートスプレッダ１２は、第１ヒートスプレッダ９の厚みから正極側直流母線３ａの厚みと絶縁物３ｃの厚みの和を差し引いた厚みで形成される。このため、段差を吸収するスペーサ等を用いることなく、負極側パワー半導体モジュール５ｂの入力端子を負極側直流母線３ｂに直接接続することができる。その結果、配線のインダクタンスを低減することができる。

なお、放熱ユニットとしてヒートシンク７を用いても、実施の形態３と同様の効果を得ることができる。

実施の形態４．
図１１はこの発明の実施の形態４における電力変換装置を制御盤１３に搭載した状態の正面図である。なお、実施の形態１と同一又は相当部分には同一符号を付して説明を省略する。

図１１において、１３は制御盤である。制御盤１３は、インバータ５等を囲むように設けられる。制御盤１３内では、各対のパワー半導体モジュールの上方では、ヒートシンク７の表面に温度センサ１４が取り付けられる。

次に、図１２を用いて、制御盤１３内の風の流れを説明する。
図１２は図１１のＤ−Ｄ線における断面図である。

図１２に示すように、制御盤１３の裏面の下部には、吸気口１３ａが形成される。吸気口１３ａは、冷却ファン８よりも下方に設けられる。制御盤１３の裏面の上部には、排気口１３ｂが形成される。排気口１３ｂは、ヒートシンク７よりも上方に設けられる。吸気口１３ａと冷却ファン８の下部との間には、吸気用風洞１３ｃが設けられる。ヒートシンク７の上部と排気口１３ｂとの間には、排気用風洞１３ｄが設けられる。

冷却ファン８が駆動すると、外部の空気が吸気口１３ａから取り込まれる。当該空気は、吸気用風洞１３ｃを経由して、冷却ファン８に送られる。当該空気は、ヒートシンク７の下部から上部に向かって流れる。当該空気は、排気用風洞１３ｄを経由して、排気口１３ｂから外部へ排出される。

以上で説明した実施の形態４によれば、制御盤１３内において、風の流れを制御できる。このため、正極側パワー半導体モジュール５ａと負極側パワー半導体モジュール５ｂとを効率よく冷却することができる。

実施の形態５．
図１３はこの発明の実施の形態５における電力変換装置の図１２相当図である。なお、実施の形態４と同一又は相当部分には同一符号を付して説明を省略する。

実施の形態４においては、各対のパワー半導体モジュールと第１ヒートスプレッダ９とよりもヒートシンク７が上方に突き出していた。一方、実施の形態５においては、各対のパワー半導体モジュールとヒートシンク７とよりも第１ヒートスプレッダ９が上方に突き出している。第１ヒートスプレッダ９の表面には、温度センサ１４が取り付けられる。

この際、第１ヒートスプレッダ９の突き出し部９ａは、排気用風洞１３ｄの一部をなす。すなわち、第１ヒートスプレッダ９の突き出し部９ａの上端は、制御盤１３内の壁の下端に近接して配置される。このため、第１ヒートスプレッダ９の突き出し部９ａには、風が直接当たる。

以上で説明した実施の形態５によれば、ヒートシンク７を拡張する必要がない。このため、ヒートシンク７を最適化することができる。また、第１ヒートスプレッダ９の突き出し部９ａには、風が直接当たる。このため、第１ヒートスプレッダ９の冷却効率が上がり、正極側パワー半導体モジュール５ａの温度を低減することができる。また、温度センサ１４の感知能力を高めることができる。

なお、コンバータ２においても、第１ヒートスプレッダ９、第２ヒートスプレッダ１２を用いれば、実施の形態１〜実施の形態５と同様の効果を得ることができる。

また、実施の形態１〜実施の形態５のコンバータ２やインバータ５の各部品の位置関係を変えずに横置きに実装しても、実施の形態１〜実施の形態５と同様の効果を得ることができる。

１ 交流電源、 ２ コンバータ、 ２ａ 正極側パワー半導体モジュール、
２ｂ 負極側パワー半導体モジュール、 ３ａ 正極側直流母線
３ｂ 負極側直流母線、 ３ｃ 絶縁物、 ４ 平滑用コンデンサ、
５ インバータ、 ５ａ 正極側パワー半導体モジュール
５ｂ 負極側パワー半導体モジュール、 ６ モータ、 ７ ヒートシンク、
７ａ 第１取り付け部、 ７ｂ 第２取り付け部、 ８ 冷却ファン
９ 第１ヒートスプレッダ、 ９ａ 突き出し部、 １０ａ、１０ｂ ネジ、
１１ ヒートパイプ、 １１ａ 取り付け部、 １１ｂ フィン部、
１２ 第２ヒートスプレッダ、 １３ 制御盤、 １３ａ 吸気口、 １３ｂ 排気口、
１３ｃ 吸気用風洞、 １３ｄ 排気用風洞、 １４ 温度センサ

Claims (8)

1. 複数のパワー半導体モジュールと、
   前記複数のパワー半導体の裏面側に設けられ、前記複数のパワー半導体モジュールが発した熱を放散する放熱ユニットと、
   前記複数のパワー半導体モジュールのうちの前記放熱ユニットによる放熱効果が相対的に低いパワー半導体モジュールの裏面と前記放熱ユニットとの間に設けられた第１ヒートスプレッダと、
   を備えたことを特徴とする電力変換装置。
2. 前記複数のパワー半導体モジュールの表面側に設けられた直流母線の一方と、
   前記直流母線の一方と前記複数のパワー半導体の表面との間に設けられ、前記複数のパワー半導体モジュールの一方との対向部に穴が形成された直流母線の他方と、
   前記直流母線の一方と前記直流母線の他方との間に設けられ、前記複数のパワー半導体モジュールの一方の対向部に穴が形成された絶縁物と、
   前記直流母線の一方と前記直流母線の他方とに接続されたコンデンサと、
   を備え、
   前記複数のパワー半導体モジュールの一方は、前記直流母線の一方の穴と前記絶縁物の穴とを貫通して、前記直流母線の一方に接する端子を有し、
   前記複数のパワー半導体モジュールの他方は、前記直流母線の他方に接する端子を有し、
   前記第１ヒートスプレッダは、前記直流母線の他方の厚みと前記絶縁物の厚みの和に合わせた厚みで形成されたことを特徴とする請求項１記載の電力変換装置。
3. 前記複数のパワー半導体モジュールのうちの前記放熱ユニットによる放熱効果が相対的に高いパワー半導体モジュールの裏面と前記放熱ユニットとの間に設けられた第２ヒートスプレッダを備え、
   第１ヒートスプレッダは、前記第２ヒートスプレッダよりも厚く形成されたことを特徴とする請求項１記載の電力変換装置。
4. 前記複数のパワー半導体モジュールの表面側に設けられた直流母線の一方と、
   前記直流母線の一方と前記複数のパワー半導体の表面との間に設けられ、前記複数のパワー半導体モジュールの一方との対向部に穴が形成された直流母線の他方と、
   前記直流母線の一方と前記直流母線の他方との間に設けられ、前記複数のパワー半導体モジュールの一方の対向部に穴が形成された絶縁物と、
   前記直流母線の一方と前記直流母線の他方とに接続されたコンデンサと、
   を備え、
   前記複数のパワー半導体モジュールの一方は、前記直流母線の一方の穴と前記絶縁物の穴とを貫通して、前記直流母線の一方に接する端子を有し、
   前記複数のパワー半導体モジュールの他方は、前記直流母線の他方に接する端子を有し、
   前記第２ヒートスプレッダは、前記第１ヒートスプレッダの厚みから前記直流母線の一方の厚みと前記絶縁物の厚みの和を差し引いた厚みで形成されたことを特徴とする請求項３記載の電力変換装置。
5. 前記複数のパワー半導体モジュールは、並んで設けられ、
   前記放熱ユニットは、前記複数のパワー半導体モジュールの裏面側に設けられたヒートシンクと前記複数の半導体モジュールの並び方向において前記ヒートシンクの一側に設けられた冷却ファンとを有し、
   前記第１ヒートスプレッダは、前記ヒートシンクの他側のパワー半導体モジュールの裏面と前記ヒートシンクとの間で、前記ヒートシンクの他側に突き出した突き出し部を有したことを特徴とする請求項１記載の電力変換装置。
6. 前記突き出し部に設けられた温度センサ、
   を備えたことを特徴とする請求項５記載の電力変換装置。
7. 前記突き出し部は、前記ヒートシンクの他側と排出口とをつなぐ風洞の一部をなすことを特徴とする請求項６記載の電力変換装置。
8. 前記パワー半導体モジュールは、スイッチング素子として、炭化ケイ素半導体を有したことを特徴とする請求項１〜請求項７のいずれかに記載の電力変換装置。

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