JP2016152258A - 基板内層用チップ抵抗器および部品内蔵型回路基板 - Google Patents

Abstract

【課題】抵抗値を複数に切り替えて使用できる基板内層用チップ抵抗器と、そのようなチップ抵抗器を内蔵した部品内蔵型回路基板を提供する。
【解決手段】部品内蔵型回路基板では、ベース基板の樹脂層２０に埋め込まれたチップ抵抗器１が、絶縁基板２の一端面に形成された端面電極１１を介して直列に接続された表側抵抗体４と裏側抵抗体８を有しており、これら両抵抗体４、８に接続する２つの表電極（３ａ等）と２つの裏電極７ａ、７ｂが絶縁基板２の表裏両面にそれぞれ形成されている。樹脂層２０にスルーホールを形成する際に、表電極３ａ、３ｂと裏電極７ａ、７ｂに導通する第１乃至第３の外部電極１２、１３、１４に対する計４箇所にスルーホール２１Ａ、２１Ｂ、２１Ｃ、２１Ｄを選択的に接続する。
【選択図】図３

Description

本発明は、積層回路基板等に内蔵されて使用される基板内層用チップ抵抗器と、そのようなチップ抵抗器が絶縁性の樹脂層に埋め込まれている部品内蔵型回路基板に関するものである。

近年、電子機器の小型・軽量化や回路構成の複雑化に伴って、チップ抵抗器を回路基板の表面だけでなく内層にも実装して部品実装密度を高めるようにした部品内蔵型回路基板が実用に供されている。

この種の部品内蔵型回路基板では、通常、絶縁性の樹脂層からなるベース基板にチップ抵抗器を埋め込んだ後、この樹脂層にレーザ光を照射してスルーホールを形成すると共に、そのスルーホール内に銅メッキ処理等からなる接続ビアを形成することにより、この接続ビアと内層されたチップ抵抗器の電極とを接続するようにしている。

従来より、基板内層用チップ抵抗器の表面と裏面に広い面積を有する外部電極を形成し、これら表面側または裏面側の外部電極に向けてスルーホールを形成することにより、内層されたチップ抵抗器を介してベース基板上の配線パターン間を導通させるようにした部品内蔵型回路基板が提案されている（例えば、特許文献１参照）。

上記特許文献１に開示されたチップ抵抗器は、直方体形状の絶縁基板の表面に所定間隔を存して形成された一対の表電極と、これら表電極間に形成された抵抗体と、表電極の一部を露出させると共に抵抗体の全体を覆うように形成された保護膜と、表電極の露出部分と保護膜の端部を覆うように形成された補助電極と、絶縁基板の裏面に所定間隔を存して形成された一対の裏電極と、絶縁基板の相対向する両端面に形成されて裏電極と補助電極を連通する一対の端面電極と、これら裏電極と補助電極および端面電極を連続的に被覆する断面コ字状の一対の外部電極とによって構成されており、これら外部電極に対してスルーホールが接続されるようになっている。

このように構成された基板内層用チップ抵抗器は、スルーホールと接続可能な広面積の外部電極を有しているため、ベース基板の樹脂層にレーザ光を照射してスルーホールを形成する際に、スルーホールの形成位置が正規の位置に対して多少ずれたとしても、チップ抵抗器の外部電極とスルーホールを確実に接続することができる。また、外部電極が絶縁基板の表面と裏面の両方に形成されているため、表面側に露出する一対の外部電極にスルーホールを接続させるだけでなく、裏面側に露出する一対の外部電極にもスルーホールを接続させることが可能となり、チップ抵抗器を表裏の区別なく樹脂層の内部に埋め込むことができる。なお、抵抗体に接続する一対の表電極はそれぞれ端面電極を介して裏電極に導通され、これら電極を覆うように絶縁基板の両端部に一対の外部電極が形成されているため、表面側に露出する両外部電極にスルーホールを接続させた場合の抵抗値と、裏面側に露出する両外部電極にもスルーホールを接続させた場合の抵抗値は同じになる。

特開２０１３−１５３１３７号公報

前述したように、特許文献１に開示された基板内層用チップ抵抗器は、スルーホールと接続される外部電極を表面と裏面の両方に備えているため、表裏の区別なく樹脂層の内部に埋め込むことは可能であるが、どちらの向きで使用しても抵抗値は同じになる。このため、回路設計等に応じて所望の抵抗値のチップ抵抗器を樹脂層に内蔵する場合、予め抵抗値が異なる数種類のチップ抵抗器を準備しておき、その中から所望のチップ抵抗器を選択して樹脂層の所定位置に正しく埋め込む必要があり、このことが製造上の煩わしさを招来する要因となっていた。

また、この種の部品内蔵型回路基板では、チップ抵抗器を樹脂層の内部に埋め込んだとき、樹脂の収縮によってチップ抵抗器の絶縁基板が反ってしまうことがあり、その場合、絶縁基板の反りによって抵抗体の分子間距離が変わるため、設定されたチップ抵抗器の抵抗値が変化してしまう。特に、樹脂層の内部に埋め込まれて使用される基板内層用チップ抵抗器は、絶縁基板を含めた全体の厚みが薄く形成されており、撓みに対して非常に弱い構造となっているため、僅かな撓みで抵抗値が大きく変化してしまうという問題があった。

本発明は、このような従来技術の実情に鑑みてなされたもので、その第１の目的は、抵抗値を複数に切り替えて使用できる基板内層用チップ抵抗器を提供することにあり、第２の目的は、反りに起因する抵抗値変化を軽減することができる部品内蔵型回路基板を提供することにある。

上記第１の目的を達成するために、本発明の基板内層用チップ抵抗器は、直方体形状の絶縁基板と、この絶縁基板の表面に所定間隔を存して形成された一対の表電極と、これら両表電極間に形成された表側抵抗体と、前記絶縁基板の裏面に所定間隔を存して形成された一対の裏電極と、これら両裏電極間に形成された裏側抵抗体と、前記絶縁基板の相対向する端面のいずれか一方にのみ形成された端面電極とを備え、前記表側抵抗体と前記裏側抵抗体が前記端面電極を介して直列に接続されているという構成にした。

このように構成された基板内層用チップ抵抗器は、絶縁基板の表面に形成された表側抵抗体と絶縁基板の裏面に形成された裏側抵抗体とが、絶縁基板の一方の端面にのみ存在する端面電極を介して直列に接続されているため、絶縁基板の表面と裏面に形成された２つの表電極と２つの裏電極の計４箇所に対してスルーホールを選択的に接続することにより、表側抵抗体と裏側抵抗体の抵抗値を総和したチップ抵抗器としてだけでなく、表側抵抗体単独の抵抗値を有するチップ抵抗器や、裏側抵抗体単独の抵抗値を有するチップ抵抗器等として使用することができる。

上記の構成において、端面電極が形成された側に位置する絶縁基板の一端部に、端面電極と表電極および裏電極を覆う断面コ字状の第１の外部電極が形成されており、端面電極が形成されていない側に位置する絶縁基板の他端部に、表電極を覆う第２の外部電極と裏電極を覆う第３の外部電極とがそれぞれ形成されていると、これら第１乃至第３の外部電極に対してスルーホールを容易に接続することができて好ましい。

また、上記の構成において、表側抵抗体と裏側抵抗体の抵抗値は特に限定されるものではなく、表側抵抗体と裏側抵抗体の抵抗値が互いに異なる値に設定されていても良く、あるいは、表側抵抗体と裏側抵抗体の抵抗値が略同じ値に設定されていても良い。

また、上記第２の目的を達成するために、本発明の部品内蔵型回路基板は、絶縁性の樹脂層からなるベース基板の内層にチップ抵抗器が埋め込まれている部品内蔵型回路基板において、前記チップ抵抗器が、直方体形状の絶縁基板と、この絶縁基板の表面に所定間隔を存して形成された一対の表電極と、これら両表電極間に形成された表側抵抗体と、前記絶縁基板の裏面に所定間隔を存して形成された一対の裏電極と、これら両裏電極間に形成された裏側抵抗体と、前記絶縁基板の相対向する端面のいずれか一方にのみ形成されて前記表側抵抗体と前記裏側抵抗体を直列に接続する端面電極とを備えると共に、前記ベース基板に一対の前記表電極と一対の前記裏電極の少なくとも２つに接続されるスルーホールが設けられているという構成にした。

このように構成された部品内蔵型回路基板では、ベース基板の樹脂層に埋め込まれたチップ抵抗器が１つの端面電極を介して直列に接続された表側抵抗体と裏側抵抗体を有しており、これら抵抗体に接続する２つの表電極と２つの裏電極が絶縁基板の表裏両面にそれぞれ形成されているため、樹脂層にスルーホールを形成する際に、２つの表電極と２つの裏電極の計４箇所に対してスルーホールを選択的に接続することにより、表側抵抗体と裏側抵抗体の抵抗値を総和したチップ抵抗器としてだけでなく、表側抵抗体単独の抵抗値を有するチップ抵抗器や、裏側抵抗体単独の抵抗値を有するチップ抵抗器等として使用することができる。また、表側抵抗体と裏側抵抗体の抵抗値を総和したチップ抵抗器とした場合、樹脂層に埋め込まれたチップ抵抗器の絶縁基板に反りが発生したとしても、表側抵抗体と裏側抵抗体の一方に伸びる方向の力が作用して抵抗値を上昇させ、他方に縮む方向の力が作用して抵抗値を下降させることにより、両者の抵抗値の増減分が相殺されるため、反りに起因する抵抗値変化を軽減することができる。

上記の構成において、スルーホールが接続される箇所は回路構成等に応じて任意に選択可能であるが、端面電極に連続する表電極と裏電極のいずれか一方と、端面電極が形成されていない側に位置する表電極および裏電極の３箇所に対してスルーホールをそれぞれ接続させると、表側抵抗体と裏側抵抗体の抵抗値を総和したチップ抵抗器において、端面電極側の表電極または裏電極に接続するスルーホールを用いて分圧させることができるため、様々な用途での使用が可能となる。

また、上記の構成において、表側抵抗体と裏側抵抗体の抵抗値はどのように設定されていても良いが、表側抵抗体と裏側抵抗体の抵抗値が略同じ値に設定されていると共に、端面電極が形成されていない側に位置する表電極および裏電極に対してスルーホールをそれぞれ設けると、反り発生時における表側抵抗体と裏側抵抗体の抵抗値の増減分がキャンセルされるため、内層されたチップ抵抗器の抵抗値が反りに起因して変化してしまうことを確実に防止することができる。

本発明によれば、抵抗値を複数に切り替えて使用できる基板内層用チップ抵抗器を提供することができ、また、樹脂層に内蔵されたチップ抵抗器の抵抗値を複数に切り替えて使用可能であり、反りに起因する抵抗値変化を軽減することができる部品内蔵型回路基板を提供することができる。

本発明の実施形態例に係る基板内層用チップ抵抗器の断面図である。 該チップ抵抗器の製造工程を示す説明図である。 該チップ抵抗器が内層された部品内蔵型回路基板の断面図である。

発明の実施の形態について図面を参照して説明すると、図１に示すように、本発明の実施形態例に係る基板内層用チップ抵抗器（以下、チップ抵抗器と称す）１は、直方体形状の絶縁基板２と、絶縁基板２の表面における長手方向両端部に所定間隔を存して形成された一対の表電極３ａ，３ｂと、これら両表電極３ａ，３ｂに接続するように形成された表側抵抗体４と、表電極３ａ，３ｂの一部を露出させると共に表側抵抗体４の全体を覆うように形成された上部保護膜５と、表電極３ａ，３ｂの残部と上部保護膜５の端部を覆うように形成された一対の表側補助電極６ａ，６ｂと、絶縁基板２の裏面における長手方向両端部に所定間隔を存して形成された一対の裏電極７ａ，７ｂと、これら両裏電極７ａ，７ｂに接続するように形成された裏側抵抗体８と、裏電極７ａ，７ｂの一部を露出させると共に裏側抵抗体８の全体を覆うように形成された下部保護膜９と、裏電極７ａ，７ｂの残部と下部保護膜９の端部を覆うように形成された一対の裏側補助電極１０ａ，１０ｂと、絶縁基板２の長手方向一端面に形成されて図示右側の表側補助電極６ａと裏側補助電極１０ａを導通する端面電極１１と、これら端面電極１１と表側補助電極６ａおよび裏側補助電極１０ａを覆う断面コ字状の第１の外部電極１２と、図示左側の表電極３ｂと表側補助電極６ｂを覆う第２の外部電極１３と、図示左側の裏電極７ｂと裏側補助電極１０ｂを覆う第３の外部電極１４とによって構成されている。

絶縁基板２はセラミックス基板からなり、この絶縁基板２は後述する大判基板を縦横に延びる一次分割溝と二次分割溝に沿って分割して多数個取りされたものである。

表電極３ａ，３ｂと裏電極７ａ，７ｂはいずれもＡｇ系ペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させたものであり、図示右側の表電極３ａと裏電極７ａおよび図示左側の表電極３ｂと裏電極７ｂは絶縁基板２を挟んだ対向位置に形成されている。

表側抵抗体４と裏側抵抗体８は酸化ルテニウム等の抵抗ペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させたものであり、図示省略されているが、これら表側抵抗体４と裏側抵抗体８には抵抗値を調整するためのトリミング溝が形成されている。なお、表側抵抗体４と裏側抵抗体８の抵抗値は用途に応じて適宜の値に設定されており、例えば、表側抵抗体４と裏側抵抗体８を共に１０Ωというように同一値に設定されたり、表側抵抗体４を１０Ω、裏側抵抗体８を２０Ωというように互いに異なる値に設定されている。

上部保護膜５と下部保護膜９はいずれもアンダーコート層とオーバーコート層の２層構造をなし、そのうちアンダーコート層はガラスペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させたものであり、オーバーコート層はエポキシ樹脂系ペーストをスクリーン印刷して加熱硬化させたものである。

表側補助電極６ａ，６ｂと裏側補助電極１０ａ，１０ｂはＡｇを含有する樹脂ペーストをスクリーン印刷して加熱硬化させたものである。表側補助電極６ａ，６ｂは表側抵抗体４に重ねられた上部保護膜５の端部を覆う位置まで形成されているため、一対の表側補助電極６ａ，６ｂの間隔は一対の表電極３ａ，３ｂの間隔より狭くなっている。同様に、裏側補助電極１０ａ，１０ｂは表側抵抗体４に重ねられた下部保護膜９の端部を覆う位置まで形成されているため、一対の裏側補助電極１０ａ，１０ｂの間隔は一対の裏電極７ａ，７ｂの間隔より狭くなっている。

端面電極１１は絶縁基板２の一端面にＮｉ／Ｃｒ等をスパッタリングして形成されたものであり、この端面電極１１を介して表側補助電極６ａ（表電極３ａ）と裏側補助電極１０ａ（裏電極７ａ）が導通されることにより、表側抵抗体４と表側抵抗体４は直列に接続されている。

第１の外部電極１２と第２の外部電極１３および第３の外部電極１４はいずれもＮｉメッキやＣｕメッキ等からなり、後述するように、チップ抵抗器１が部品内蔵型回路基板の樹脂層に埋め込まれた際に、これら第１乃至第３の外部電極１２，１３，１４に対してスルーホールが選択的に接続されるようになっている。

次に、上述の如く構成されたチップ抵抗器１の製造方法について、図２を参照しながら説明する。

まず、絶縁基板２が多数個取りされる大判基板２Ａを準備する。この大判基板２Ａには予め一次分割溝と二次分割溝（いずれも図示省略）が格子状に設けられており、両分割溝によって区切られたマス目の１つ１つが１個分のチップ形成領域となる。なお、図２では１個分のチップ形成領域が代表的に示されているが、実際は多数個分のチップ形成領域に相当する大判基板２Ａに対して以下に説明する各工程が一括して行われる。

すなわち、図２（ａ）に示すように、大判基板２Ａの表面にＡｇ系ペーストを印刷して乾燥・焼成させることにより、大判基板２Ａの表面に所定間隔を存して離間する一対の表電極３ａ，３ｂを形成すると共に、それに前後して大判基板２Ａの裏面にＡｇ系ペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させることにより、大判基板２Ａの裏面に所定間隔を存して離間する一対の裏電極７ａ，７ｂを形成する。

次に、大判基板２Ａの表裏両面に酸化ルテニウム等の抵抗体ペーストをスクリーン印刷した後、これを乾燥・焼成することにより、図２（ｂ）に示すように、両表電極３ａ，３ｂに接続する表側抵抗体４と両裏電極７ａ，７ｂに接続する裏側抵抗体８とを形成する。

次に、大判基板２Ａの表裏両面にガラスペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成することにより、表側抵抗体４と裏側抵抗体８を覆うアンダーコート層をそれぞれ形成した後、これらアンダーコート層の上から表側抵抗体４と裏側抵抗体８にトリミング溝を形成して抵抗値を調整する。しかる後、これらアンダーコート層を覆うようにエポキシ樹脂系ペーストをスクリーン印刷して加熱硬化することにより、図２（ｃ）に示すように、アンダーコート層とオーバーコート層の２層構造からなる上部保護膜５と下部保護膜９をそれぞれ形成する。

次に、表電極３ａ，３ｂと裏電極７ａ，７ｂの上からＡｇを含有する樹脂ペーストをスクリーン印刷して加熱硬化することにより、図２（ｄ）に示すように、表電極３ａ，３ｂから上部保護膜５の端部まで覆う一対の表側補助電極６ａ，６ｂと裏電極７ａ，７ｂから下部保護膜９の端部まで覆う一対の裏側補助電極１０ａ，１０ｂとをそれぞれ形成する。

これまでの工程は大判基板２Ａに対する一括処理であるが、次なる工程では、大判基板２Ａを一次分割溝に沿って短冊状に一次分割することにより、チップ形成領域の長手方向を幅寸法とする短冊状基板２Ｂを得る。

そして、この短冊状基板２Ｂの一方の分割面にＮｉ／Ｃｒをスパッタリングすることにより、図２（ｅ）に示すように、一方の表電極３ａ（表側補助電極６ａ）と一方の裏電極７ａ（裏側補助電極１０ａ）とを導通する端面電極１１を形成する。

次に、短冊状基板２Ｂを二次分割溝に沿って二次分割することにより、チップ抵抗器１と同等の大きさの個片（チップ単体）を得る。前述したように、この時点で大判基板２Ａの各チップ形成領域がそれぞれ１個分の絶縁基板２となる。最後に、各チップ単体の表側補助電極６ａ，６ｂと裏側補助電極１０ａ，１０ｂおよび端面電極１１に対してＮｉメッキやＣｕメッキ等を施すことにより、図２（ｆ）に示すように、第１の外部電極１２と第２の外部電極１３および第３の外部電極１４を備えたチップ抵抗器１が完成する。

図３は上記のごとく構成されたチップ抵抗器１を内層した部品内蔵型回路基板の断面図であり、図１に対応する部分には同一符号を付してある。

図３に示すように、チップ抵抗器１は積層回路基板等のベース基板の樹脂層２０の内部に埋め込まれており、この樹脂層２０の上面と下面にはそれぞれ配線パターン（図示省略）が設けられている。樹脂層２０には４つのスルーホールが形成されており、便宜上、各スルーホールに符号２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄを付すと、図示左上のスルーホール２１Ａは第２の外部電極１３の上面に達し、図示右上のスルーホール２１Ｂは第１の外部電極１２の上面に達し、図示右下のスルーホール２１Ｃは第１の外部電極１２の下面に達し、図示左下のスルーホール２１Ｄは第３の外部電極１４の下面に達している。

これらスルーホール２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄは樹脂層２０にレーザ光を照射することによって形成され、その内部に銅メッキ等を施して接続ビアを形成することにより、樹脂層２０の上面側の配線パターンとチップ抵抗器１の第１または第２の外部電極１２，１３とをスルーホール２１Ａ，２１Ｂを介して接続させたり、樹脂層２０の下面側の配線パターンとチップ抵抗器１の第１または第３の外部電極１２，１４とをスルーホール２１Ｃ，２１Ｄを介して接続させることが可能となる。

このように構成された部品内蔵型回路基板では、ベース基板の樹脂層２０に埋め込まれたチップ抵抗器１が１つの端面電極１１を介して直列に接続された表側抵抗体４と裏側抵抗体８を備えており、これら表側抵抗体４と裏側抵抗体８に接続する２つの表電極３ａ，３ｂと２つの裏電極７ａ，７ｂが絶縁基板２の表裏両面にそれぞれ形成されているため、樹脂層２０にスルーホールを形成する際に、表電極３ａ，３ｂと裏電極７ａ，７ｂに導通する第１乃至第３の外部電極１２，１３，１４の計４箇所に対してスルーホール２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄを選択的に接続することにより、チップ抵抗器１の抵抗値を複数に切り替えて使用することができる。

例えば、表側抵抗体４を１０Ω、裏側抵抗体８を２０Ωに設定した場合、第２の外部電極１３の上面に接続させたスルーホール２１Ａと第３の外部電極１４の下面に接続させたスルーホール２１Ｄとの間で端子を取れば、この間の抵抗値は３０Ω（＝１０Ω＋２０Ω）となる。また、第１の外部電極１２の上面に接続させたスルーホール２１Ｂと第２の外部電極１３の上面に接続させたスルーホール２１Ａとの間、あるいは第１の外部電極１２の下面に接続させたスルーホール２１Ｃと第２の外部電極１３の上面に接続させたスルーホール２１Ａとの間で端子を取れば、この間の抵抗値は表側抵抗体４の１０Ωとなる。さらに、第１の外部電極１２の上面に接続させたスルーホール２１Ｂと第３の外部電極１４の下面に接続させたスルーホール２１Ｄとの間、あるいは第１の外部電極１２の下面に接続させたスルーホール２１Ｃと第３の外部電極１４の下面に接続させたスルーホール２１Ｄとの間で端子を取れば、この間の抵抗値は裏側抵抗体８の２０Ωとなる。さらにまた、第１の外部電極１２の上面に接続させたスルーホール２１Ｂと第１の外部電極１２の下面に接続させたスルーホール２１Ｃとの間で端子を取れば、この間に表側抵抗体４と裏側抵抗体８が存在しないため、その抵抗値は０Ω（ジャンパー抵抗）となる。

このようにチップ抵抗器１の表面と裏面に露出する第１乃至第３の外部電極１２，１３，１４に対して２つのスルーホール２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄを選択的に接続することにより、４種類の抵抗値（０Ω、１０Ω、２０Ω、３０Ω）を有するチップ抵抗器１として使用することができる。

特に、スルーホール２１Ａとスルーホール２１Ｄとの間で使用した場合、表側抵抗体４と裏側抵抗体８の両方によって抵抗体全体の体積を増やせるため、耐電力・静電耐圧（ＥＳＤ）を向上させることができる。また、スルーホール２１Ａとスルーホール２１Ｄとの間で使用する場合、他のスルーホール２１Ｂまたはスルーホール２１Ｃを第１の外部電極１２に接続させれば、当該部位で電圧を分けて分圧抵抗として使用することができる。

また、チップ抵抗器１に樹脂層２０の収縮に伴う応力が作用し、その応力によって絶縁基板２に反りが発生した場合、絶縁基板２の表裏両面に振り分けられて形成された表側抵抗体４と裏側抵抗体８のうち、一方の抵抗値は伸びる方向に変形することで上昇するが、他方の抵抗値は縮む方向に変形することで降下するため、両者の抵抗値の増減分が相殺されることになる。したがって、表側抵抗体４と裏側抵抗体８の抵抗値を総和した接続形態、つまりスルーホール２１Ａとスルーホール２１Ｄとの間で使用した場合、絶縁基板２の反りに起因する表側抵抗体４と裏側抵抗体８の抵抗値の増減分が相殺されるため、チップ抵抗器１の抵抗値変化を軽減することができる。特に、表側抵抗体４と裏側抵抗体８の抵抗値を同じに設定した上で、スルーホール２１Ａとスルーホール２１Ｄとの間で使用した場合、絶縁基板２の反りに起因する表側抵抗体４と裏側抵抗体８の抵抗値の増減分がキャンセルされるため、樹脂層２０に内層されたチップ抵抗器１の抵抗値が変化してしまうことを確実に防止できる。

なお、スルーホール２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄは必要とされるものだけを形成すれば良く、例えば、スルーホール２１Ａとスルーホール２１Ｄとの間で使用する場合、残りのスルーホール２１Ｂとスルーホール２１Ｃについては形成する必要はない。ただし、ベース基板の樹脂層２０に配線パターンを設ける前に、予め樹脂層２０に全てのスルーホール２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄを形成しておき、その中で必要とされるスルーホール２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄの内部のみに接続ビアを形成するようにしても良い。

１ 基板内層用チップ抵抗器
２ 絶縁基板
２Ａ 大判基板
２Ｂ 短冊状基板
３ａ，３ｂ 表電極
４ 表側抵抗体
５ 上部保護膜
６ａ，６ｂ 表側補助電極
７ａ，７ｂ 裏電極
８ 裏側抵抗体
９ 下部保護膜
１０ａ，１０ｂ 裏側補助電極
１１ 端面電極
１２ 第１の外部電極
１３ 第２の外部電極
１４ 第３の外部電極
２０ 樹脂層
２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ スルーホール

Claims (7)

1. 直方体形状の絶縁基板と、この絶縁基板の表面に所定間隔を存して形成された一対の表電極と、これら両表電極間に形成された表側抵抗体と、前記絶縁基板の裏面に所定間隔を存して形成された一対の裏電極と、これら両裏電極間に形成された裏側抵抗体と、前記絶縁基板の相対向する端面のいずれか一方にのみ形成された端面電極とを備え、
   前記表側抵抗体と前記裏側抵抗体が前記端面電極を介して直列に接続されていることを特徴とする基板内層用チップ抵抗器。
2. 請求項１の記載において、前記端面電極が形成された側に位置する前記絶縁基板の一端部に、前記端面電極と前記表電極および前記裏電極を覆う断面コ字状の第１の外部電極が形成されており、前記端面電極が形成されていない側に位置する前記絶縁基板の他端部に、前記表電極を覆う第２の外部電極と前記裏電極を覆う第３の外部電極とがそれぞれ形成されていることを特徴とする基板内層用チップ抵抗器。
3. 請求項１または２の記載において、前記表側抵抗体と前記裏側抵抗体の抵抗値が異なる値に設定されていることを特徴とする基板内層用チップ抵抗器。
4. 請求項１または２の記載において、前記表側抵抗体と前記裏側抵抗体の抵抗値が略同じ値に設定されていることを特徴とする基板内層用チップ抵抗器。
5. 絶縁性の樹脂層からなるベース基板の内層にチップ抵抗器が埋め込まれている部品内蔵型回路基板において、
   前記チップ抵抗器が、直方体形状の絶縁基板と、この絶縁基板の表面に所定間隔を存して形成された一対の表電極と、これら両表電極間に形成された表側抵抗体と、前記絶縁基板の裏面に所定間隔を存して形成された一対の裏電極と、これら両裏電極間に形成された裏側抵抗体と、前記絶縁基板の相対向する端面のいずれか一方にのみ形成されて前記表側抵抗体と前記裏側抵抗体を直列に接続する端面電極とを備えると共に、
   前記ベース基板に一対の前記表電極と一対の前記裏電極の少なくとも２つに接続されるスルーホールが設けられていることを特徴とする部品内蔵型回路基板。
6. 請求項５の記載において、前記端面電極に連続する前記表電極と前記裏電極のいずれか一方と、前記端面電極が形成されていない側に位置する前記表電極および前記裏電極に対して、前記スルーホールをそれぞれ設けたことを特徴とする部品内蔵型回路基板。
7. 請求項５の記載において、前記表側抵抗体と前記裏側抵抗体の抵抗値が略同じ値に設定されていると共に、前記端面電極が形成されていない側に位置する前記表電極および前記裏電極に対して前記スルーホールをそれぞれ設けたことを特徴とする部品内蔵型回路基板。