JP2018078150A - 基板内層用チップ抵抗器および部品内蔵型回路基板 - Google Patents

Abstract

【課題】簡単な構成で外部電極とビアホールの接続信頼性を高めることができる基板内層用チップ抵抗器と、そのようなチップ抵抗器が内層された部品内蔵型回路基板の提供。【解決手段】本発明の基板内層用チップ抵抗器１は、絶縁基板２の表面に形成された一対の内部電極３，４と、これら内部電極３，４に接続する抵抗体５と、抵抗体５を覆うアンダーコート層６と、内部電極３，４を覆う一対の外部電極７，８と、これら外部電極７，８とアンダーコート層６を覆う絶縁性の保護膜９とを備えており、ベース基板の樹脂層３０の内部に埋め込まれた後にレーザ光を照射してビアホールを形成するとき、そのレーザ光で保護膜９の一部を除去して外部電極７，８を露出させることにより、保護膜９から露出する外部電極７，８に対してビアホールを接続するようにした。【選択図】図１

Description

本発明は、積層回路基板等に内蔵されて使用される基板内層用チップ抵抗器と、そのようなチップ抵抗器が絶縁性の樹脂層に埋め込まれている部品内蔵型回路基板に関するものである。

近年、電子機器の小型・軽量化や回路構成の複雑化に伴って、チップ抵抗器を回路基板の表面だけでなく内層にも実装して部品実装密度を高めるようにした部品内蔵型回路基板が実用に供されている。

この種の部品内蔵型回路基板では、通常、絶縁性の樹脂層からなるベース基板にチップ抵抗器を埋め込んだ後、この樹脂層にレーザ光を照射してビアホールを形成すると共に、そのビアホール内に銅メッキ処理等からなる接続ビアを形成することにより、この接続ビアと内層されたチップ抵抗器の外部電極とを接続するようにしている。

従来より、基板内層用チップ抵抗器の表面に広い面積を有する外部電極を形成し、この外部電極に向けてビアホールを形成することにより、内層されたチップ抵抗器を介してベース基板上の配線パターン間を導通させるようにした部品内蔵型回路基板が提案されている（例えば、特許文献１参照）。

上記特許文献１に開示されたチップ抵抗器は、直方体形状の絶縁基板の表面に所定間隔を存して形成された一対の内部電極と、これら内部電極間に形成された抵抗体と、内部電極の一部を露出させると共に抵抗体の全体を覆うように形成された保護層と、内部電極の露出部分と保護層の端部を覆うように形成された一対の外部電極とを備えて構成されている。

このように構成されたチップ抵抗器をベース基板の樹脂層に内層して部品内蔵型回路基板を製造する場合、抵抗体や外部電極等が形成された一面を上に向けた姿勢でチップ抵抗器を樹脂層に埋め込んだ後、樹脂層の表面から内部に延びるビアホールを形成することにより、ベース基板上の配線パターンとチップ抵抗器の外部電極がビアホールを介して接続されるようになっている。その際、チップ抵抗器がビアホールと接続可能な広面積の外部電極を有しているため、ビアホールの形成位置が正規の位置に対して多少ずれたとしても、チップ抵抗器の外部電極とビアホールを確実に接続することができる。また、ビアホール内の接続ビアと外部電極が同じ材料の銅メッキにて形成されているため、この点からも外部電極とビアホールの接続信頼性が高められている。

特開２０１１−９１１４０号公報

特許文献１に開示されたチップ抵抗器のように、外部に露出する外部電極が銅メッキで形成されている場合、ベース基板の樹脂層に内層する前のチップ抵抗器が空気中に長い間晒されると、時間の経過とともに外部電極の銅が空気中の酸素と反応して酸化銅の被膜を形成してしまうことがあり、それ以外にも、外部電極の表面に油膜や塵埃等の異物が付着してしまうことがある。このような場合、酸化銅や油膜が絶縁物であるため、チップ抵抗器を樹脂層に内層する直前に、外部電極の表面の絶縁物を除去する面倒な工程を追加しないと、外部電極とビアホールの接続信頼性が低下してしまうことになる。

本発明は、上記した従来技術の実情に鑑みてなされたものであり、その第１の目的は、簡単な構成で外部電極とビアホールの接続信頼性を高めることができる基板内層用チップ抵抗器を提供することにある。また、本発明の第２の目的は、ビアホールとチップ抵抗器の外部電極を簡単かつ確実に接続することができる部品内蔵型回路基板を提供することにある。

上記第１の目的を達成するために、本発明の基板内層用チップ抵抗器は、直方体形状の絶縁基板と、この絶縁基板の一面に所定間隔を存して形成された一対の内部電極と、これら一対の内部電極間に形成された抵抗体と、この抵抗体を覆うように形成された絶縁性の保護層と、前記内部電極を覆うように形成された一対の外部電極とを備え、前記外部電極と樹脂層の外表面に設けられた配線パターンとがビアホールを介して接続される基板内層用チップ抵抗器において、前記外部電極の表面が絶縁性の保護膜によって覆われており、前記樹脂層への内層時に、前記保護膜の一部を除去して露出させた前記外部電極に対して前記ビアホールが接続されることを特徴としている。

このように構成された基板内層用チップ抵抗器では、ビアホールに接続される外部電極の表面が絶縁性の保護膜によって覆われているため、樹脂層に内層される前に空気中やガス雰囲気中に長い間晒されたとしても、外部電極の表面に酸化被膜や異物が付着することはなく、内層時にレーザ光でビアホールを形成する際に保護膜の一部を除去すれば、保護膜から露出する外部電極に対してビアホールを簡単かつ確実に接続することができる。

上記構成の基板内層用チップ抵抗器において、保護膜が外部電極の表面側だけを覆うようにしても良いが、保護膜が外部電極の表面と側面を含む全面を覆っていると、外部環境下における外部電極の耐候性や耐湿性等をより一層高めることができる。

また、上記構成の基板内層用チップ抵抗器において、保護膜と保護層を別々の工程で形成することも可能であるが、これら保護膜と保護層が同一の絶縁材料を用いて連続的に形成されていると、製造工程を簡略化することができて好ましい。

また、上記構成の基板内層用チップ抵抗器において、外部電極が、内部電極に重なるシールド層と、このシールド層に重なる接続層との積層構造からなると、レーザ光を照射して外部電極に達するビアホールを形成する際に、外部電極のシールド層がレーザ光をブロックして内部電極まで到達しないように阻止するため、ビアホールを介しての耐湿性の劣化等を防止することができる。

また、上記構成の基板内層用チップ抵抗器において、内部電極が、抵抗体の端部に重なる主内部電極と、この主内部電極に重なる補助内部電極との積層構造からなり、補助内部電極が抵抗体と主内部電極の重なり部分に生じる段差を覆っていると、補助内部電極を覆う外部電極の表面が平坦化されて面積も広くなるため、ビアホールの形成位置が正規の位置に対して多少ずれたとしても、外部電極とビアホールを確実に接続することができる。

また、上記第２の目的を達成するために、本発明の部品内蔵型回路基板は、絶縁性の樹脂層からなるベース基板の内層にチップ抵抗器が埋め込まれており、前記ベース基板から前記チップ抵抗器に達するビアホールが設けられている部品内蔵型回路基板において、前記チップ抵抗器は、直方体形状の絶縁基板と、この絶縁基板の一面に所定間隔を存して形成された一対の内部電極と、これら一対の内部電極間に形成された抵抗体と、この抵抗体を覆うように形成された絶縁性の保護層と、前記内部電極を覆うように形成された一対の外部電極と、一対の前記外部電極の表面を覆う絶縁性の保護膜とを備えており、前記ビアホールは前記保護膜の一部を除去して露出させた前記外部電極に接続されていることを特徴としている。

このように構成された部品内蔵型回路基板では、ビアホールに接続される外部電極の表面が絶縁性の保護膜によって覆われているため、ベース基板に内層される前に空気中やガス雰囲気中に長い間晒されたとしても、外部電極の表面に酸化被膜や異物が付着することはなく、内層時にレーザ光でビアホールを形成する際に保護膜の一部を除去すれば、保護膜から露出する外部電極に対してビアホールを簡単かつ確実に接続することができる。

本発明によれば、簡単な構成で外部電極とビアホールの接続信頼性を高めることが可能な基板内層用チップ抵抗器を提供することができ、また、ビアホールとチップ抵抗器の外部電極を簡単かつ確実に接続可能な部品内蔵型回路基板を提供することができる。

本発明の第１実施形態例に係るチップ抵抗器の断面図である。 該チップ抵抗器の製造工程を示す平面図である。 該チップ抵抗器の製造工程を示す断面図である。 図１に示すチップ抵抗器が内層された部品内蔵型回路基板の断面図である。 本発明の第２実施形態例に係るチップ抵抗器の断面図である。 本発明の第３実施形態例に係るチップ抵抗器の断面図である。 図６に示すチップ抵抗器が内層された部品内蔵型回路基板の断面図である。 本発明の第４実施形態例に係るチップ抵抗器の断面図である。

発明の実施の形態について図面を参照して説明すると、図１に示すように、本発明の第１実施形態例に係るチップ抵抗器１は、直方体形状の絶縁基板２と、絶縁基板２の表面における長手方向両端部に所定間隔を存して形成された第１および第２内部電極３，４と、これら内部電極３，４に接続する抵抗体５と、抵抗体５を覆うアンダーコート層６と、第１および第２内部電極３，４を覆う第１および第２外部電極７，８と、これら第１および第２外部電極７，８とアンダーコート層６を覆う絶縁性の保護膜９とによって構成されている。

絶縁基板２はセラミックス基板からなり、この絶縁基板２は後述する大判基板を縦横に延びる一次分割溝と二次分割溝に沿って分割して多数個取りされたものである。

第１内部電極３は、抵抗体５の図示左側の端部に重なる主内部電極３ａと、主内部電極３ａに重なる補助内部電極３ｂとの積層構造からなり、補助内部電極３ｂは抵抗体５と主内部電極３ａの重なり部分に生じる段差を覆ってアンダーコート層６の上面一端部まで延びている。この第１内部電極３は絶縁基板２の図示左側の端面から所定距離を隔てた内方位置に形成されており、補助内部電極３ｂと絶縁基板２の端面との間には所定の間隔が確保されている。

第２内部電極４は、抵抗体５の図示右側の端部に重なる主内部電極４ａと、主内部電極４ａに重なる補助内部電極４ｂとの積層構造からなり、補助内部電極４ｂは抵抗体５と主内部電極４ａの重なり部分に生じる段差を覆ってアンダーコート層６の上面他端部まで延びている。この第２内部電極４は絶縁基板２の図示右側の端面から所定距離を隔てた内方位置に形成されており、補助内部電極４ｂと絶縁基板２の端面との間にも所定の間隔が確保されている。

これら第１および第２内部電極３，４の主内部電極３ａ，４ａはＡｇペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させた焼成銀からなり、補助内部電極３ｂ，４ｂはＡｇを含有する樹脂ペーストをスクリーン印刷して加熱硬化させた樹脂銀からなる。

抵抗体５は酸化ルテニウム等の抵抗ペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させたものであり、図示省略されているが、この抵抗体５には抵抗値を調整するためのトリミング溝が形成されている。

アンダーコート層６はガラスペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させたものであり、このアンダーコート層６の上からレーザ光を照射することで前述したトリミング溝が形成される。

第１外部電極７と第２外部電極８は無電解または電解メッキによって形成された銅メッキ層からなり、第１外部電極７は第１内部電極３の補助内部電極３ｂの表面と側面を含む全面を覆うように形成され、第２外部電極８は第２内部電極４の補助内部電極４ｂの表面と側面を含む全面を覆うように形成されている。

保護膜９はエポキシ系樹脂ペーストをスクリーン印刷して加熱硬化させたものであり、この保護膜９は第１外部電極７と第２外部電極８およびアンダーコート層６を覆うように形成されている。すなわち、第１および第２外部電極７，８の表面と側面を含む全面は保護膜９に覆われて外気に触れないように保護されており、後述するように、チップ抵抗器１が部品内蔵型回路基板の樹脂層に埋め込まれた際に、ビアホールの形成により保護膜９の一部が除去されて第１および第２外部電極７，８の表面が露出するようになっている。なお、アンダーコート層６に重なる部分の保護膜９はオーバーコート層としても機能し、これらアンダーコート層６とオーバーコート層（保護膜９）によって抵抗体５を覆う保護層が構成されている。

次に、上述の如く構成されたチップ抵抗器１の製造方法について、図２と図３を参照しながら説明する。なお、図２（ａ）〜（ｆ）は大判基板を表面的に見た平面図、図３（ａ）〜（ｆ）は図２（ａ）〜（ｆ）のＸ１−Ｘ１線に沿う１チップ相当分の断面図をそれぞれ示している。

まず、図２（ａ）と図３（ａ）に示すように、絶縁基板２が多数個取りされる大判基板２０を準備する。この大判基板２０の表裏両面には予め一次分割溝２１と二次分割溝２２が格子状に設けられており、両分割溝２１，２２によって区切られたマス目の１つ１つが１個分のチップ形成領域となる。なお、図２では複数個分のチップ形成領域が代表的に示されているが、実際は多数個分のチップ形成領域に相当する大判基板２０に対して以下に説明する各工程が一括して行われる。

すなわち、図２（ｂ）と図３（ｂ）に示すように、大判基板２０の表面にＡｇ系ペーストを印刷して乾燥・焼成させることにより、大判基板２０の表面における各チップ形成領域内に対をなす主内部電極３ａと主内部電極４ａを複数組形成する。その際、主内部電極３ａは一次分割溝２１から離間した位置に形成され、同様に、主内部電極４ａも一次分割溝２１から離間した位置に形成される。

次に、大判基板２０の表面に酸化ルテニウム等の抵抗ペーストをスクリーン印刷した後、これを乾燥・焼成することにより、図２（ｃ）と図３（ｃ）に示すように、対をなす主内部電極３ａと主内部電極４ａに接続する複数の抵抗体５を形成する。次に、大判基板２０の表面にガラスペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成することにより、抵抗体５を覆うアンダーコート層６を形成した後、このアンダーコート層６の上からトリミング溝（図示省略）を形成して抵抗体５の抵抗値を調整する。

しかる後、主内部電極３ａと主内部電極４ａの上からＡｇを含有する樹脂ペーストをスクリーン印刷して加熱硬化することにより、図２（ｄ）と図３（ｄ）に示すように、主内部電極３ａを覆う補助内部電極３ｂと主内部電極４ａを覆う補助内部電極４ｂとを形成する。その際、補助内部電極３ｂは抵抗体５と主内部電極３ａの重なり部分に生じる段差を覆ってアンダーコート層６の上面一端部まで延びているため、平坦で面積の広い２層構造の第１内部電極３が形成される。同様に、補助内部電極４ｂは抵抗体５と主内部電極４ａの重なり部分に生じる段差を覆ってアンダーコート層６の上面他端部まで延びているため、平坦で面積の広い２層構造の第２内部電極４が形成される。その際、補助内部電極３ｂは一次分割溝２１から離間した位置に形成され、同様に、補助内部電極４ｂも一次分割溝２１から離間した位置に形成される。

次に、補助内部電極３ｂと補助内部電極４ｂに無電解メッキまたは電解メッキを施してＣｕメッキ層を形成することにより、図２（ｅ）と図３（ｅ）に示すように、第１内部電極３を覆う第１外部電極７と第２内部電極４を覆う第２外部電極８とを形成する。その際、第１外部電極７は一次分割溝２１から離間した位置に形成され、同様に、第２外部電極８も一次分割溝２１から離間した位置に形成される。

次に、第１外部電極７と第２外部電極８およびアンダーコート層６の上からエポキシ系樹脂ペーストをスクリーン印刷して加熱硬化することにより、図２（ｆ）と図３（ｆ）に示すように、アンダーコート層６の表面および第１外部電極７と第２外部電極８の端面まで覆う保護膜９を形成する。

以下、図示は省略するが、大判基板２０を一次分割溝２１と二次分割溝２２に沿って分割・個片化することにより、図１に示すようなチップ抵抗器１が多数個取りされる。

図４は上記のごとく構成されたチップ抵抗器１を内層した部品内蔵型回路基板の断面図であり、図１に対応する部分には同一符号を付してある。

図４に示すように、チップ抵抗器１は積層回路基板等のベース基板の樹脂層３０の内部に埋め込まれており、この樹脂層３０の上面には配線パターン３１，３２が設けられている。樹脂層３０には２つビアホール３３，３４が形成されており、一方のビアホール３３は保護膜９を通って第１外部電極７の上面に達しており、他方のビアホール３４は保護膜９を通って第２外部電極８の上面に達している。

これらビアホール３３，３４は、樹脂層３０にレーザ光を照射してチップ抵抗器１の保護膜９に達する連通孔を形成した後、その連通孔の内部にＣｕメッキを施すことによって形成されたものであるが、かかるビアホール３３，３４の形成時にレーザ光で保護膜９の一部を除去することにより、ビアホール３３，３４用の連通孔を第１および第２外部電極７，８の上面まで延ばしている。その結果、一方のビアホール３３を介して樹脂層３０上面の配線パターン３１とチップ抵抗器１の第１外部電極７が接続され、他方のビアホール３４を介して樹脂層３０上面の別の配線パターン３２とチップ抵抗器１の第２外部電極８が接続される。

ここで、樹脂層３０に内層される前のチップ抵抗器１は、ビアホール３３，３４に接続される第１外部電極７と第２外部電極８の表面が絶縁性の保護膜９によって覆われているため、内層される前に空気中やガス雰囲気中に長い間晒されたとしても、第１および第２外部電極７，８の表面に酸化銅の被膜や油膜等の異物が付着することはない。そして、チップ抵抗器１を樹脂層３０に埋め込んだ後、レーザ光の照射によってビアホール３３，３４を形成する際に、そのレーザ光で保護膜９の一部を除去して第１外部電極７と第２外部電極８を露出させれば、保護膜９から露出する第１および第２外部電極７，８に対してビアホール３３，３４を簡単かつ確実に接続させることができる。

また、第１および第２内部電極３，４が、抵抗体５の端部に重なる主内部電極３ａ，４ａと、主内部電極３ａ，４ａに重なる補助内部電極３ｂ，４ｂとの積層構造からなり、上層の補助内部電極３ｂ，４ｂが抵抗体５と主内部電極３ａ，４ａの重なり部分に生じる段差を覆っているため、補助内部電極３ｂ，４ｂを覆う第１および第２外部電極７，８の表面が平坦化されて面積を広くすることができる。その結果、ビアホール３３，３４の形成位置が正規の位置に対して多少ずれたとしても、第１および第２外部電極７，８に対してビアホール３３，３４を確実に接続することができる。しかも、ビアホール３３，３４内の接続ビアと第１および第２外部電極７，８が同じ材料のＣｕメッキにて形成されているため、この点からも第１および第２外部電極７，８とビアホール３３，３４の接続信頼性が高められている。

さらに、第１および第２外部電極７，８のエッジ部（外側端部）が絶縁基板２の端面まで達しておらず、保護膜９が第１および第２外部電極７，８のエッジ部を含む全面を覆っているため、外部環境下における外部電極の耐候性や耐湿性等をより一層高めることができる。

図５は本発明の第２実施形態例に係るチップ抵抗器４０の断面図であり、図１に対応する部分には同一符号を付してある。

図５に示すチップ抵抗器４０が第１実施形態例に係るチップ抵抗器１と相違する点は、第１および第２内部電極３，４が単層構造であることと、第１および第２外部電極７，８が、第１および第２内部電極３，４に重なるシールド層７ａ，８ａと、シールド層７ａ，８ａに重なる接続層７ｂ，８ｂの２層構造になっていることにあり、それ以外の構成は基本的に同様である。

この第２実施形態例に係るチップ抵抗器４０において、第１内部電極３と第２内部電極４はＡｇペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させた単層構造の焼成銀からなり、これら第１内部電極３と第２内部電極４のエッジ部は絶縁基板２の端面まで達している。ただし、第１実施形態例と同様に、第１内部電極３と第２内部電極４を絶縁基板２の端面から離間した内方位置に形成しても良い。また、第１および第２外部電極７，８は、Ｎｉメッキからなるシールド層７ａ，８ａと、Ｃｕメッキからなる接続層７ｂ，８ｂとの２層構造からなり、チップ抵抗器４０が部品内蔵型回路基板の樹脂層に埋め込まれた際に、これら第１および第２外部電極７，８の接続層７ｂ，８ｂに対してビアホールが接続されるようになっている。

このように構成された第２実施形態例に係るチップ抵抗器４０は、ビアホールに接続される第１外部電極７と第２外部電極８の表面が絶縁性の保護膜９によって覆われているため、ベース基板の樹脂層に内層される前に空気中やガス雰囲気中に長い間晒されたとしても、第１および第２外部電極７，８の表面に酸化銅の被膜や油膜等の異物が付着しないようになっている。そして、チップ抵抗器４０を樹脂層に埋め込んだ後、レーザ光の照射によって第１および第２外部電極７，８に達するビアホールを形成する際に、Ｎｉメッキからなるシールド層７ａ，８ａがレーザ光をブロックして第１内部電極３や第２内部電極４まで到達しないように阻止するため、ビアホールを介しての耐湿性の劣化等を防止することができる。

図６は本発明の第３実施形態例に係るチップ抵抗器５０の断面図であり、図１に対応する部分には同一符号を付してある。

図６に示すチップ抵抗器５０が第１実施形態例に係るチップ抵抗器１と相違する点は、絶縁基板２の表面に形成された第１および第２内部電極３，４と対向するように、絶縁基板２の裏面にも第１および第２内部電極３，４が形成されており、これら一対の第１内部電極３，３および一対の第２内部電極４，４が絶縁基板２に形成されたスルーホール５１，５２を介して導通されていることにあり、それ以外の構成は基本的に同様である。

すなわち、第３実施形態例に係るチップ抵抗器５０は、直方体形状の絶縁基板２と、絶縁基板２の表面における長手方向両端部に所定間隔を存して形成された第１および第２内部電極３，４と、これら内部電極３，４に接続する抵抗体５と、抵抗体５を覆うアンダーコート層６と、第１および第２内部電極３，４を覆う第１および第２外部電極７，８と、これら第１および第２外部電極７，８とアンダーコート層６を覆う絶縁性の保護膜９に加えて、絶縁基板２の裏面における長手方向両端部に所定間隔を存して形成された第１および第２内部電極３，４と、これら第１および第２内部電極３，４を覆う第１および第２外部電極７，８と、これら第１および第２外部電極７，８を覆う絶縁性の保護膜９とを備えた構成になっており、絶縁基板２には表裏両面の第１内部電極３，３どうしを導通するスルーホール５１と、第２内部電極４，４どうしを導通するスルーホール５２が形成されている。なお、これら第１内部電極３と第２内部電極４は全て単層構造となっているが、抵抗体５に接続される表面側の第１内部電極３と第２内部電極４については、第１実施形態例と同様に主内部電極と補助内部電極からなる２層構造にしても良い。

このように構成された第３実施形態例に係るチップ抵抗器５０は、絶縁基板２の表裏両面に形成された第１および第２外部電極７，８の表面が絶縁性の保護膜９によって覆われているため、ベース基板の樹脂層に内層される前に空気中やガス雰囲気中に長い間晒されたとしても、第１および第２外部電極７，８の表面に酸化銅の被膜や油膜等の異物が付着しないようになっている。

また、絶縁基板２の表面側に形成された第１および第２外部電極７，８と絶縁基板２の裏面側に形成された第１および第２外部電極７，８が、それぞれスルーホール５１，５２を介して導通されているため、樹脂層に内層されたチップ抵抗器５０に対して、ビアホールを樹脂層の上面側と下面側のいずれか一方または両方から選択的に接続させることができる。例えば、図７に示す部品内蔵型回路基板のように、一方のビアホール３３を介して絶縁基板２の裏面側の第１外部電極７と樹脂層３０下面の配線パターン３１を接続すると共に、他方のビアホール３４を介して絶縁基板２の表面側の第２外部電極８と樹脂層３０上面の配線パターン３２を接続することができる。また、絶縁基板２の裏面側に形成された第１外部電極７と第２外部電極８に対して樹脂層の下面側からビアホールを接続したり、図４に示す部品内蔵型回路基板と同様に、絶縁基板２の表面側に形成された第１外部電極７と第２外部電極８に対して樹脂層の上面側からビアホールを接続することも可能である。

図８は本発明の第４実施形態例に係るチップ抵抗器６０の断面図であり、このチップ抵抗器６０は、直方体形状の絶縁基板２と、絶縁基板２の表面における長手方向両端部に所定間隔を存して形成された第１および第２内部電極３，４と、これら内部電極３，４に接続する抵抗体５と、抵抗体５を覆うアンダーコート層６と、アンダーコート層６を覆うオーバーコート層１０と、絶縁基板２の裏面における長手方向両端部に所定間隔を存して形成された第１および第２裏電極１１，１２と、第１内部電極３と第１裏電極１１を導通する第１端面電極１３と、これら第１内部電極３と第１裏電極１１および端面電極１３を覆う第１外部電極１４と、第２内部電極４と第２裏電極１２を導通する第２端面電極１５と、これら第２内部電極４と第２裏電極１２および第２端面電極１５を覆う第２外部電極１６と、第１外部電極１４とオーバーコート層１０の上面一端部を覆う第１保護膜１７と、第２外部電極１６とオーバーコート層１０の上面他端部を覆う第２保護膜１８とによって構成されている。

第１および第２内部電極３，４と第１および第２裏電極１１，１２はいずれもＡｇペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させた焼成銀からなり、抵抗体５は酸化ルテニウム等の抵抗ペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させたものである。また、アンダーコート層６はガラスペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させたものからなり、オーバーコート層１０はエポキシ系樹脂ペーストをスクリーン印刷して加熱硬化させたものであり、これらアンダーコート層６とオーバーコート層１０によって２層構造の保護層が構成されている。

第１および第２端面電極１３，１５は、Ａｇペーストを塗布して乾燥・焼成させたものやＡｇペーストの代わりにＮｉ−Ｃｒ等をスパッタしたものであり、第１端面電極１３は絶縁基板２の図示左側の端面に形成され、第２端面電極１５は絶縁基板２の図示右側の端面に形成されている。

第１外部電極１４と第２外部電極１６は電解メッキによって形成された銅メッキ層からなり、第１外部電極１４は第１裏電極１１および第１端面電極１３の全面と第１内部電極３の露出面を覆うように断面コ字状に形成され、第２外部電極１６は第２裏電極１２および第２端面電極１５の全面と第２内部電極４の露出面を覆うように断面コ字状に形成されている。

第１保護膜１７と第２保護膜１８はエポキシ系樹脂ペーストを塗布して加熱硬化させたものであり、第１保護膜１７は第１外部電極１４の全面とオーバーコート層１０の上面一端部を覆うように断面コ字状に形成され、第２保護膜１８は第２外部電極１６の全面とオーバーコート層１０の上面他端部を覆うように断面コ字状に形成されている。

このように構成された第４実施形態例に係るチップ抵抗器６０は、絶縁基板２の両端部に形成された断面コ字状の第１外部電極１４と第２外部電極１６の表面が、それぞれ絶縁性の第１保護膜１７と第２保護膜１８によって覆われているため、ベース基板の樹脂層に内層される前に空気中やガス雰囲気中に長い間晒されたとしても、第１および第２外部電極１４，１６の表面に酸化銅の被膜や油膜等の異物が付着しないようになっている。

また、絶縁基板２の表面側に形成された第１および第２内部電極３，４と絶縁基板２の裏面側に形成された第１および第２裏電極１１，１２がそれぞれ第１および第２端面電極１３，１５を介して導通され、これら第１および第２端面電極１３，１５が断面コ字状の第１および第２外部電極１４，１６によって覆われているため、図６，７に示す第３実施形態例と同様に、部品内蔵型回路基板の樹脂層に内層されたチップ抵抗器６０に対して、ビアホールを樹脂層の上面側と下面側のいずれか一方または両方から選択的に接続させることができる。

１，４０，５０，６０ チップ抵抗器
２ 絶縁基板
３ 第１内部電極
３ａ 主内部電極
３ｂ 補助内部電極
４ 第２内部電極
４ａ 主内部電極
４ｂ 補助内部電極
５ 抵抗体
６ アンダーコート層（保護層）
７ 第１外部電極
８ 第２外部電極
７ａ，８ａ シールド層
７ｂ，８ｂ 接続層
９ 保護膜
１０ オーバーコート層（保護層）
１１ 第１裏電極
１２ 第２裏電極
１３ 第１端面電極
１４ 第１外部電極
１５ 第２端面電極
１６ 第２外部電極
１７ 第１保護膜
１８ 第２保護膜
２０ 大判基板
２１ 一次分割溝
２２ 二次分割溝
３０ 樹脂層
３１，３２ 配線パターン
３３，３４ ビアホール
５１，５２ スルーホール

Claims (6)

1. 本発明の基板内層用チップ抵抗器は、直方体形状の絶縁基板と、この絶縁基板の一面に所定間隔を存して形成された一対の内部電極と、これら一対の内部電極間に形成された抵抗体と、この抵抗体を覆うように形成された絶縁性の保護層と、前記内部電極を覆うように形成された一対の外部電極とを備え、前記外部電極と樹脂層の外表面に設けられた配線パターンとがビアホールを介して接続される基板内層用チップ抵抗器において、
   前記外部電極の表面が絶縁性の保護膜によって覆われており、前記樹脂層への内層時に、前記保護膜の一部を除去して露出させた前記外部電極に対して前記ビアホールが接続されることを特徴とする基板内層用チップ抵抗器。
2. 請求項１の記載において、前記保護膜が前記外部電極の表面と側面を含む全面を覆っていることを特徴とする基板内層用チップ抵抗器。
3. 請求項１の記載において、前記保護膜と前記保護層が同一の絶縁材料を用いて連続的に形成されていることを特徴とする基板内層用チップ抵抗器。
4. 請求項１の記載において、前記外部電極が、前記内部電極に重なるシールド層と、前記シールド層に重なる接続層との積層構造からなることを特徴とする基板内層用チップ抵抗器。
5. 請求項１の記載において、前記内部電極が、前記抵抗体の端部に重なる主内部電極と、前記主内部電極に重なる補助内部電極との積層構造からなり、前記補助内部電極は前記抵抗体と前記主内部電極の重なり部分に生じる段差を覆っていることを特徴とする基板内層用チップ抵抗器。
6. 絶縁性の樹脂層からなるベース基板の内層にチップ抵抗器が埋め込まれており、前記ベース基板の外表面から前記チップ抵抗器に達するビアホールが設けられている部品内蔵型回路基板において、
   前記チップ抵抗器は、直方体形状の絶縁基板と、この絶縁基板の一面に所定間隔を存して形成された一対の内部電極と、これら一対の内部電極間に形成された抵抗体と、この抵抗体を覆うように形成された絶縁性の保護層と、前記内部電極を覆うように形成された一対の外部電極と、一対の前記外部電極の表面を覆う絶縁性の保護膜とを備えており、
   前記ビアホールは前記保護膜の一部を除去して露出させた前記外部電極に接続されていることを特徴とする部品内蔵型回路基板。