JP2016134541A - 化合物半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
(1)窒化物半導体にほとんどダメージを与えることなく成膜できること、
(2)パターニング(加工)が可能であること、
(3)BCl3によるエッチングレートが第2の絶縁膜18として用いるAl2O3或いはHfO2と同程度もしくはそれよりも小さいこと、
(4)窒化物半導体がエッチングされないフッ素系ガスを用いてエッチングができる
等が挙げられる。典型的には窒化珪素膜(SiN膜)、酸化珪素膜(SiO2膜)或いは酸窒化珪素膜(SiON膜)のいずれかを用いる。
(付記1)基板上に窒化物半導体のキャリア走行層を形成し、前記キャリア走行層上に窒化物半導体のキャリア供給層を形成し、前記キャリア供給層上に、Siを含有する第1の絶縁膜を形成し、前記第1の絶縁膜の一部の領域を除去し、前記第1の絶縁膜上に、前記除去された一部の領域を覆う第2の絶縁膜を形成し、前記第2の絶縁膜のうち前記除去された一部の領域を覆う部分に、ゲート電極を形成し、前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜に、前記ゲート電極と離間し、前記ゲート電極を挟んだ位置に第1の開口部及び第2の開口部を形成し、前記第1の開口部及び前記第2の開口部にソース電極及びドレイン電極を形成し、前記第1の開口部及び前記第2の開口部の形成において、第1のガスで前記第2の絶縁膜をエッチングし、前記第1のガスよりも窒化物半導体のエッチングレートが低い第2のガスで前記第1の絶縁膜をエッチングすることを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。
(付記2)前記第1の絶縁膜を形成する前に、前記キャリア供給層にゲートリセス領域を形成することを特徴とする付記1に記載の化合物半導体装置の製造方法。
(付記3)前記ゲート電極を形成する前に、前記ソース電極及びドレイン電極を形成する領域にリセス領域を形成することを特徴とする付記1または付記2に記載の化合物半導体装置の製造方法。
(付記4)前記ゲート電極を形成した後に、前記ソース電極及びドレイン電極を形成する領域にリセス領域を形成することを特徴とする付記1または付記2に記載の化合物半導体装置の製造方法。
(付記5)前記第2の絶縁膜の誘電率が、前記第1の絶縁膜の誘電率よりも高いことを特徴とする付記1乃至付記4のいずれか1に記載の化合物半導体装置の製造方法。
(付記6)前記第1の絶縁膜が、窒化珪素、酸化珪素、酸窒化珪素の何れかにより形成されていることを特徴とする付記1乃至付記5のいずれか1に記載の化合物半導体装置の製造方法。
(付記7)前記第2の絶縁膜が酸化アルミニウム、酸化ハフニウムの何れかにより形成されていることを特徴とする付記1乃至付記6のいずれか1に記載の化合物半導体装置の製造方法。
(付記8)前記第1のガスは塩素を含有したガスであることを特徴とする付記1乃至付記7のいずれか1に記載の化合物半導体装置の製造方法。
(付記9) 前記第2のガスはフッ素を含有したガスであることを特徴とする付記1乃至付記8のいずれか1に記載の化合物半導体装置の製造方法。
(付記10)前記基板が、SiC基板、サファイア基板、GaN基板或いはSi基板のいずれかであることを特徴とする付記1乃至付記9のいずれか1に記載の窒化物半導体装置の製造方法。
(付記11)前記キャリア走行層がi型GaN層であり、前記キャリア供給層がn型AlGaN層であることを特徴とする付記10に記載の窒化物半導体装置の製造方法。
(付記12)基板と、前記基板上に形成された、窒化物半導体のキャリア走行層と、前記キャリア走行層上に形成された、窒化物半導体のキャリア供給層と、前記キャリア供給層上に形成された第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜を介して、形成されたゲート電極と、前記ゲート電極を挟む位置に形成された、ソース電極及びドレイン電極と、前記キャリア供給層上に形成された、前記ソース電極の前記ゲート電極側及び前記ドレイン電極の前記ゲート電極側に、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と接した、Siを含有する第1の絶縁膜とを有し、前記第2の絶縁膜は、前記第1の絶縁膜上まで延在していることを特徴とする化合物半導体装置。
(付記13)前記ゲート電極が、ゲートリセス領域及びその近傍を設けられていることを特徴とする付記12に記載された化合物半導体装置。
(付記14)前記第2の絶縁膜の誘電率が、前記第1の絶縁膜の誘電率より高いことを特徴とする付記12または付記13に記載の化合物半導体装置。
12 窒化物キャリア走行層
13 窒化物キャリア供給層
14 キャップ層
15 二次元キャリアガス層
16 第1の絶縁膜
17 第2の絶縁膜
18 ゲート電極
19 レジストパターン
20 電極形成領域
21,101 SiC基板
22,102 AlNバッファ層
23,103 i型GaN電子走行層
24,104 n型AlGaN電子供給層
25,105 n型GaNキャップ層
26,106 二次元電子ガス層
27,41,60,81 SiN膜
28,42,61,82 レジストパターン
29,43,62,83 ゲート開口部
30,44,63,84,111 Al2O3膜
31,45,64,85,112 レジストパターン
32,46,65,86,113 Ni/Au膜
33,47,66,87,114 ゲート電極
34,48,67,88,115 レジストパターン
35,49,54,69,75,89,116 レジストパターン
36,50,55,70,76,90,117 Ti/Al膜
37,51,56,71,77,91,118 ソース電極
38,52,57,72,78,92,119 ドレイン電極
39,107 レジストパターン
40,53,74,108 オーミックリセス領域
58,79,109 レジストパターン
59,80,110 ゲートリセス領域
68,120 マイクロトレンチ
Claims (7)
- 基板上に窒化物半導体のキャリア走行層を形成し、
前記キャリア走行層上に窒化物半導体のキャリア供給層を形成し、
前記キャリア供給層上に、Siを含有する第1の絶縁膜を形成し、
前記第1の絶縁膜の一部の領域を除去し、
前記第1の絶縁膜上に、前記除去された一部の領域を覆う第2の絶縁膜を形成し、
前記第2の絶縁膜のうち前記除去された一部の領域を覆う部分に、ゲート電極を形成し、
前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜に、前記ゲート電極と離間し、前記ゲート電極を挟んだ位置に第1の開口部及び第2の開口部を形成し、
前記第1の開口部及び前記第2の開口部にソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記第1の開口部及び前記第2の開口部の形成において、第1のガスで前記第2の絶縁膜をエッチングし、前記第1のガスよりも窒化物半導体のエッチングレートが低い第2のガスで前記第1の絶縁膜をエッチングすることを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。 - 前記第2の絶縁膜の誘電率が、前記第1の絶縁膜の誘電率よりも高いことを特徴とする請求項1に記載の化合物半導体装置の製造方法。
- 前記第1の絶縁膜が、窒化珪素、酸化珪素、酸窒化珪素の何れかにより形成されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の化合物半導体装置の製造方法。
- 前記第2の絶縁膜が酸化アルミニウム、酸化ハフニウムの何れかにより形成されていることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の化合物半導体装置の製造方法。
- 前記第1のガスは塩素を含有したガスであることを特徴とする、請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の化合物半導体装置の製造方法。
- 前記第2のガスはフッ素を含有したガスであることを特徴とする、請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の化合物半導体装置の製造方法。
- 基板と、
前記基板上に形成された、窒化物半導体のキャリア走行層と、
前記キャリア走行層上に形成された、窒化物半導体のキャリア供給層と、
前記キャリア供給層上に形成された第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜を介して、形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極を挟む位置に形成された、ソース電極及びドレイン電極と、
前記キャリア供給層上に形成された、前記ソース電極の前記ゲート電極側及び前記ドレイン電極の前記ゲート電極側に、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と接した、Siを含有する第1の絶縁膜と
を有し、
前記第2の絶縁膜は、前記第1の絶縁膜上まで延在していることを特徴とする化合物半導体装置。
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