JP2016124047A - 研磨用組成物、研磨方法、及びセラミック製部品の製造方法 - Google Patents
研磨用組成物、研磨方法、及びセラミック製部品の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016124047A JP2016124047A JP2014265059A JP2014265059A JP2016124047A JP 2016124047 A JP2016124047 A JP 2016124047A JP 2014265059 A JP2014265059 A JP 2014265059A JP 2014265059 A JP2014265059 A JP 2014265059A JP 2016124047 A JP2016124047 A JP 2016124047A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- acid
- polishing composition
- ceramic
- abrasive grains
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
- B24B37/044—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor characterised by the composition of the lapping agent
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1409—Abrasive particles per se
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
- C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
Description
また、本発明の他の態様に係る研磨方法は、上記一態様に係る研磨用組成物を用いて研磨対象物を研磨することを要旨とする。
さらに、本発明のさらに他の態様に係るセラミック製部品の製造方法は、上記他の態様に係る研磨方法でセラミック製部品を研磨することを含むことを要旨とする。
1.研磨対象物であるセラミックについて
本実施形態の研磨用組成物による研磨に適用可能なセラミックの種類は特に限定されるものではなく、Mg,Ca,Sr,Ba,Sc,Y,La,Ti,Zr,Hf,V,Nb,Ta,Cr,Mo,W,Mn,Fe,Co,Ni,Cu,Ag,Au,Zn,Al,Ga,In,Sn,Pb,Bi,Ce,Pr,Nd,Er,Lu等の金属元素の酸化物を主成分とするセラミックがあげられる。これらのセラミックは、1種を単独で用いてもよいし、2種以上を混合して用いてもよい。
さらに、金属酸化物系のセラミック以外では、チタン酸アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、炭化ケイ素等は、本実施形態の研磨用組成物による研磨に適用可能である。
なお、本発明におけるセラミックには、サファイア、炭化ケイ素等の単結晶は含まれない。
本実施形態の研磨用組成物に含有される砥粒の種類は特に限定されるものではないが、例えば、シリカを含有する砥粒を使用することができる。シリカの種類は特に限定されるものではないが、例えば、コロイダルシリカ、フュームドシリカ、ゾルゲル法シリカ等があげられる。これらのシリカは、1種を単独で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。また、これらの中でも、セラミックの表面をより効率的に平滑化できるという観点から、フュームドシリカ、コロイダルシリカが好ましい。
なお、砥粒の平均一次粒子径は、例えば窒素吸着法(BET法)により測定した比表面積から算出することができる。さらに具体的には、後述する実施例に記載の方法によって求めることができる。
研磨対象物であるセラミックのゼータ電位と本実施形態の研磨用組成物に含有される砥粒のゼータ電位との差は、20mV以上60mV以下の範囲内とし、好ましくは40mV以上55mV以下である。両者のゼータ電位の差が上記範囲内であれば、研磨用組成物によるセラミックの研磨速度がより高くなる。
本実施形態の研磨用組成物のpHは、6.0以上9.0以下であり、好ましくは7.0以上8.5以下である。pHが上記範囲内であれば、研磨速度がより高くなる。pHが上記範囲内であると研磨速度が高くなる理由は、研磨対象物であるセラミックのゼータ電位が関係していると推察される。研磨用組成物のpHは、例えば後述するpH調整剤を添加することにより調整することができる。
本実施形態の研磨用組成物には、その性能を向上させるために、必要に応じてpH調整剤、エッチング剤、酸化剤、水溶性重合体(共重合体でもよい。また、これらの塩、誘導体でもよい)、防食剤、キレート剤、分散助剤、防腐剤、防黴剤等の各種添加剤を添加してもよい。
本実施形態の研磨用組成物のpHの値は、pH調整剤の添加により調整することができる。研磨用組成物のpHの調整により、セラミックの研磨速度や砥粒の分散性等を制御することができる。研磨用組成物のpHの値を所望の値に調整するために必要に応じて使用されるpH調整剤は、酸及びアルカリのいずれであってもよく、また、それらの塩であってもよい。pH調整剤の添加量は、特に限定されるものではなく、研磨用組成物が所望のpHとなるように適宜調整すればよい。
これらの中では、無機酸では硫酸、硝酸、塩酸、リン酸等が研磨速度向上の観点から好ましく、有機酸ではグリコール酸、コハク酸、マレイン酸、クエン酸、酒石酸、リンゴ酸、グルコン酸、イタコン酸等が好ましい。
水酸化第四級アンモニウム化合物としては、水酸化第四級アンモニウム又はその塩を含み、具体例としては、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム等があげられる。
本実施形態の研磨用組成物には、セラミックの溶解を促進するためにエッチング剤を添加してもよい。エッチング剤の例としては、硝酸、硫酸、塩酸、リン酸、フッ酸等の無機酸、酢酸、クエン酸、酒石酸、メタンスルホン酸等の有機酸、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム等の無機アルカリ、アンモニア、アミン、第四級アンモニウム水酸化物等の有機アルカリ等があげられる。これらのエッチング剤は、1種を単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
本実施形態の研磨用組成物には、セラミックの表面を酸化させるために酸化剤を添加してもよい。酸化剤の具体例としては、過酸化水素、過酢酸、過炭酸塩、過酸化尿素、過塩素酸塩、過硫酸塩、硝酸等があげられる。過硫酸塩の具体例としては、過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウム、過硫酸アンモニウム等があげられる。これら酸化剤は、1種を単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
本実施形態の研磨用組成物には、セラミックの表面や砥粒の表面に作用する水溶性重合体(共重合体でもよい。また、これらの塩、誘導体でもよい。)を添加してもよい。水溶性重合体、水溶性共重合体、これらの塩又は誘導体の具体例としては、ポリアクリル酸塩等のポリカルボン酸、ポリホスホン酸、ポリスチレンスルホン酸等のポリスルホン酸、キタンサンガム、アルギン酸ナトリウム等の多糖類、ヒドロキシエチルセルロース、カルボキシメチルセルロース等のセルロース誘導体、ポリエチレングリコール、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ソルビタンモノオレエート、単一種又は複数種のオキシアルキレン単位を有するオキシアルキレン系重合体等があげられる。これらは、1種を単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
本実施形態の研磨用組成物には、セラミックの表面の腐食を抑制するために防食剤を添加してもよい。防食剤の具体例としては、アミン類、ピリジン類、テトラフェニルホスホニウム塩、ベンゾトリアゾール類、トリアゾール類、テトラゾール類、安息香酸等があげられる。これらの防食剤は、1種を単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
本実施形態の研磨用組成物には、キレート剤を添加してもよい。キレート剤の具体例としては、グルコン酸等のカルボン酸系キレート剤、エチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリメチルテトラアミン等のアミン系キレート剤、エチレンジアミン四酢酸、ニトリロ三酢酸、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸、トリエチレンテトラミン六酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸等のポリアミノポリカルボン酸系キレート剤、2−アミノエチルホスホン酸、1−ヒドロキシエチリデン−1,1−ジホスホン酸、アミノトリ(メチレンホスホン酸)、エチレンジアミンテトラキス(メチレンホスホン酸)、ジエチレントリアミンペンタ(メチレンホスホン酸)、エタン−1,1−ジホスホン酸、エタン−1,1,2−トリホスホン酸、メタンヒドロキシホスホン酸、1−ホスホノブタン−2,3,4−トリカルボン酸等の有機ホスホン酸系キレート剤、フェノール誘導体、1,3−ジケトン等があげられる。これらのキレート剤は、1種を単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
本実施形態の研磨用組成物には、砥粒の凝集体の再分散を容易にするために分散助剤を添加してもよい。分散助剤の具体例としては、ピロリン酸塩やヘキサメタリン酸塩等の縮合リン酸塩等があげられる。これらの分散助剤は、1種を単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
本実施形態の研磨用組成物には、防腐剤を添加してもよい。防腐剤の具体例としては、次亜塩素酸ナトリウム等があげられる。防腐剤は、1種を単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
5−9 防黴剤について
本実施形態の研磨用組成物には、防黴剤を添加してもよい。防黴剤の具体例としては、オキサゾリジン−2,5−ジオン等のオキサゾリン等があげられる。
本実施形態の研磨用組成物は、砥粒と、水、有機溶剤等の液状媒体と、を含有してもよい。このとき、所望により各種添加剤を添加してもよい。
液状媒体は、研磨用組成物の各成分(砥粒、添加剤等)を分散又は溶解するための分散媒又は溶媒として機能する。液状媒体としては水、有機溶剤があげられ、1種を単独で用いることができるし、2種以上を混合して用いることができるが、水を含有することが好ましい。ただし、各成分の作用を阻害することを抑制するという観点から、不純物をできる限り含有しない水を用いることが好ましい。具体的には、イオン交換樹脂にて不純物イオンを除去した後にフィルタを通して異物を除去した純水や超純水、あるいは蒸留水が好ましい。
本実施形態の研磨用組成物の製造方法は特に限定されるものではなく、砥粒と、所望により各種添加剤とを、水等の液状媒体中で攪拌、混合することによって製造することができる。例えば、シリカからなる砥粒と、pH調整剤等の各種添加剤とを、水中で攪拌、混合することによって製造することができる。混合時の温度は特に限定されるものではないが、10℃以上40℃以下が好ましく、溶解速度を向上させるために加熱してもよい。また、混合時間も特に限定されない。
本実施形態の研磨用組成物を用いたセラミックの研磨は、通常の研磨に用いられる研磨装置や研磨条件により行うことができる。例えば片面研磨装置や両面研磨装置を使用することができる。
例えば、研磨対象物であるセラミック製部品をセラミック製の基板とし、片面研磨装置を用いて研磨する場合には、キャリアと呼ばれる保持具を用いて基板を保持し、研磨布が貼付された定盤を基板の片面に押しつけて研磨用組成物を供給しながら定盤を回転させることにより、基板の片面を研磨する。
また、両面研磨装置を用いてセラミック製の基板を研磨する場合には、キャリアと呼ばれる保持具を用いて基板を保持し、研磨布が貼付された定盤を基板の両側から基板の両面にそれぞれ押しつけて、研磨用組成物を供給しながら両側の定盤を回転させることにより、基板の両面を研磨する。
ダイヤモンドからなる砥粒を含有する研磨用組成物を用いてセラミック製部品を研磨する従来の研磨方法においては、銅、鋳鉄、スズ、スズ合金、又はこれら金属と樹脂を混合し焼き固めたものからなる定盤を使用して研磨を行うが、本実施形態の研磨用組成物を用いてセラミック製部品を研磨する研磨方法においては、研磨布が貼付された定盤を使用して研磨を行うことができるので、上記の従来の研磨方法に比べて優れた鏡面がより得られやすい。
さらに、研磨条件のうち研磨荷重(研磨対象物に負荷する圧力)については特に限定されないが、4.9kPa(50gf/cm2)以上98kPa(1000gf/cm2)以下としてもよく、好ましくは7.8kPa(80gf/cm2)以上78kPa(800gf/cm2)以下であり、より好ましくは9.8kPa(100gf/cm2)以上59kPa(600gf/cm2)以下である。研磨荷重がこの範囲内であれば、十分な研磨速度が発揮され、荷重により研磨対象物が破損したり、研磨対象物の表面に傷等の欠陥が発生したりすることを抑制することができる。
さらに、予備研磨用組成物は、本実施形態の研磨用組成物と同様に、所望により各種添加剤を含有してもよく、例えば再分散剤を含有してもよい。再分散剤としては、平均二次粒子径が0.2μm以下である微粒子や、本実施形態の研磨用組成物に所望により添加される水溶性重合体、水溶性共重合体、又はこれらの塩があげられる。
これらの中でも、入手が容易で低コストであることから、金属酸化物が好ましく、アルミナ(例えばα−アルミナ、中間アルミナ、フュームドアルミナ、アルミナゾルやこれらの混合物)、水和アルミナ(例えばベーマイト)、水酸化アルミニウム、シリカ(例えばコロイダルシリカ、ヒュームドシリカ、ゾルゲル法シリカ)がより好ましい。
以下に実施例を示し、表1を参照しながら本発明をさらに具体的に説明する。
シリカからなる砥粒と、液状媒体である水と、添加剤であるpH調整剤と、を混合して、砥粒を水に分散させ、実施例1〜3及び比較例1〜5の研磨用組成物を製造した。比較例5の研磨用組成物(pH12.0)についてはpH調整剤として水酸化カリウムを用い、その他の研磨用組成物(pH2.0〜9.7)についてはpH調整剤として硝酸を用いた。
なお、砥粒の平均一次粒子径は、マイクロメリテックス社製の“Flow SorbII 2300”を用いてBET法により測定された砥粒の比表面積と、砥粒の密度から算出したものである。
研磨装置:片面研磨装置(定盤の直径:380mm)
研磨布:ポリウレタン製研磨布
研磨荷重:17.6kPa(180gf/cm2)
定盤の回転速度:90min−1
研磨速度(線速度):71.5m/分
研磨時間:15分
研磨用組成物の供給速度:26mL/分
なお、ジルコニアとのゼータ電位の差が同レベルである場合には(例えばpHが7の場合)、砥粒としてアルミナを用いた場合でも、砥粒としてシリカを用いた本実施例と同様の結果が得られた。
Claims (5)
- セラミックを研磨する研磨用組成物であって、砥粒を含有し、pHが6.0以上9.0以下である研磨用組成物。
- 前記砥粒がシリカを含む請求項1に記載の研磨用組成物。
- 前記セラミックと前記砥粒のゼータ電位の差が20mV以上60mV以下である請求項1又は請求項2に記載の研磨用組成物。
- 請求項1〜3のいずれか一項に記載の研磨用組成物を用いて研磨対象物を研磨する研磨方法。
- 請求項4に記載の研磨方法でセラミック製部品を研磨することを含むセラミック製部品の製造方法。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014265059A JP6756460B2 (ja) | 2014-12-26 | 2014-12-26 | 研磨方法及びセラミック製部品の製造方法 |
CN201580071200.9A CN107109196B (zh) | 2014-12-26 | 2015-11-26 | 研磨用组合物、研磨方法、以及陶瓷制部件的制造方法 |
PCT/JP2015/005880 WO2016103575A1 (ja) | 2014-12-26 | 2015-11-26 | 研磨用組成物、研磨方法、及びセラミック製部品の製造方法 |
EP15872152.2A EP3239262A4 (en) | 2014-12-26 | 2015-11-26 | Polishing composition, polishing method, and method for manufacturing ceramic component |
US15/538,432 US10626297B2 (en) | 2014-12-26 | 2015-11-26 | Polishing composition, polishing method, and method for manufacturing ceramic component |
KR1020177011180A KR20170099842A (ko) | 2014-12-26 | 2015-11-26 | 연마용 조성물, 연마 방법, 및 세라믹제 부품의 제조 방법 |
TW104141728A TW201636405A (zh) | 2014-12-26 | 2015-12-11 | 研磨用組成物,研磨方法,及陶瓷製零件之製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014265059A JP6756460B2 (ja) | 2014-12-26 | 2014-12-26 | 研磨方法及びセラミック製部品の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016124047A true JP2016124047A (ja) | 2016-07-11 |
JP6756460B2 JP6756460B2 (ja) | 2020-09-16 |
Family
ID=56149648
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014265059A Active JP6756460B2 (ja) | 2014-12-26 | 2014-12-26 | 研磨方法及びセラミック製部品の製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10626297B2 (ja) |
EP (1) | EP3239262A4 (ja) |
JP (1) | JP6756460B2 (ja) |
KR (1) | KR20170099842A (ja) |
CN (1) | CN107109196B (ja) |
TW (1) | TW201636405A (ja) |
WO (1) | WO2016103575A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020170748A (ja) * | 2019-04-01 | 2020-10-15 | 山口精研工業株式会社 | 窒化アルミニウム基板用研磨剤組成物および窒化アルミニウム基板の研磨方法 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6769760B2 (ja) | 2016-07-08 | 2020-10-14 | 関東化学株式会社 | エッチング液組成物およびエッチング方法 |
CN106479371A (zh) * | 2016-08-15 | 2017-03-08 | 惠州市米特仑科技有限公司 | 一种高精度复合抛光液及其制备方法 |
JP6280678B1 (ja) * | 2016-12-22 | 2018-02-14 | 三井金属鉱業株式会社 | 研摩液及び研摩方法 |
JP7173879B2 (ja) * | 2018-03-26 | 2022-11-16 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物および研磨システム |
CN108690507A (zh) * | 2018-07-02 | 2018-10-23 | 江西汇诺科技有限公司 | 高性能磨料抛光液 |
CN115256208B (zh) * | 2022-08-09 | 2023-08-29 | 大连理工大学 | 一种钴铬钼合金义齿抛光装置及其抛光工艺 |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60155359A (ja) * | 1984-01-20 | 1985-08-15 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | セラミツクス材料の無孔化研摩方法 |
JPH0593183A (ja) * | 1991-02-08 | 1993-04-16 | Santsuule:Kk | 高速仕上用研磨剤 |
JP2003117806A (ja) * | 2001-10-10 | 2003-04-23 | Kobe Steel Ltd | 多結晶セラミックスの鏡面研磨方法 |
JP2006045179A (ja) * | 2004-08-03 | 2006-02-16 | Shiyoufuu:Kk | 歯科用セラミックス接着性組成物 |
JP2006524583A (ja) * | 2003-04-25 | 2006-11-02 | サン−ゴバン セラミックス アンド プラスティクス,インコーポレイティド | セラミックを機械加工するための方法 |
JP2006318952A (ja) * | 2005-05-10 | 2006-11-24 | Hitachi Chem Co Ltd | Cmp研磨剤及び基板の研磨方法 |
JP2008246668A (ja) * | 2008-07-07 | 2008-10-16 | Yushiro Chem Ind Co Ltd | 水性砥粒分散媒組成物及び加工用水性スラリー並びにそれらを用いた加工方法 |
JP2009509784A (ja) * | 2005-09-30 | 2009-03-12 | サン−ゴバン セラミックス アンド プラスティクス,インコーポレイティド | 研磨スラリー及び当該研磨スラリーを利用する方法 |
JP2011161570A (ja) * | 2010-02-10 | 2011-08-25 | Asahi Glass Co Ltd | 研磨剤および研磨方法 |
JP2011183530A (ja) * | 2010-03-10 | 2011-09-22 | Fujimi Inc | 研磨用組成物 |
JP2014069260A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Fujimi Inc | 研磨用組成物 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60138730A (ja) * | 1983-12-27 | 1985-07-23 | Kyocera Corp | 磁気デイスク用基板 |
JPH04283069A (ja) * | 1991-03-12 | 1992-10-08 | Fujitsu Ltd | セラミック基板の研磨方法及びセラミック基板用研磨装置 |
US5300130A (en) | 1993-07-26 | 1994-04-05 | Saint Gobain/Norton Industrial Ceramics Corp. | Polishing material |
US8025808B2 (en) | 2003-04-25 | 2011-09-27 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Methods for machine ceramics |
US7037350B2 (en) | 2003-07-14 | 2006-05-02 | Da Nanomaterials L.L.C. | Composition for chemical-mechanical polishing and method of using same |
US20060135045A1 (en) | 2004-12-17 | 2006-06-22 | Jinru Bian | Polishing compositions for reducing erosion in semiconductor wafers |
CN101273105A (zh) | 2005-09-30 | 2008-09-24 | 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司 | 抛光浆料及其使用方法 |
TW200817497A (en) * | 2006-08-14 | 2008-04-16 | Nippon Chemical Ind | Polishing composition for semiconductor wafer, production method thereof, and polishing method |
US7678700B2 (en) | 2006-09-05 | 2010-03-16 | Cabot Microelectronics Corporation | Silicon carbide polishing method utilizing water-soluble oxidizers |
US7998866B2 (en) * | 2006-09-05 | 2011-08-16 | Cabot Microelectronics Corporation | Silicon carbide polishing method utilizing water-soluble oxidizers |
US8168075B2 (en) * | 2006-12-20 | 2012-05-01 | Laconto Ronald W | Methods for machining inorganic, non-metallic workpieces |
JP5281758B2 (ja) | 2007-05-24 | 2013-09-04 | ユシロ化学工業株式会社 | 研磨用組成物 |
WO2009056491A1 (en) * | 2007-10-29 | 2009-05-07 | Basf Se | Cmp slurry composition and process for planarizing copper containing surfaces provided with a diffusion barrier layer |
CN103484026A (zh) | 2013-09-30 | 2014-01-01 | 江苏中晶科技有限公司 | 高效陶瓷抛光液及其制备方法 |
-
2014
- 2014-12-26 JP JP2014265059A patent/JP6756460B2/ja active Active
-
2015
- 2015-11-26 CN CN201580071200.9A patent/CN107109196B/zh active Active
- 2015-11-26 KR KR1020177011180A patent/KR20170099842A/ko unknown
- 2015-11-26 US US15/538,432 patent/US10626297B2/en active Active
- 2015-11-26 EP EP15872152.2A patent/EP3239262A4/en not_active Withdrawn
- 2015-11-26 WO PCT/JP2015/005880 patent/WO2016103575A1/ja active Application Filing
- 2015-12-11 TW TW104141728A patent/TW201636405A/zh unknown
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60155359A (ja) * | 1984-01-20 | 1985-08-15 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | セラミツクス材料の無孔化研摩方法 |
JPH0593183A (ja) * | 1991-02-08 | 1993-04-16 | Santsuule:Kk | 高速仕上用研磨剤 |
JP2003117806A (ja) * | 2001-10-10 | 2003-04-23 | Kobe Steel Ltd | 多結晶セラミックスの鏡面研磨方法 |
JP2006524583A (ja) * | 2003-04-25 | 2006-11-02 | サン−ゴバン セラミックス アンド プラスティクス,インコーポレイティド | セラミックを機械加工するための方法 |
JP2006045179A (ja) * | 2004-08-03 | 2006-02-16 | Shiyoufuu:Kk | 歯科用セラミックス接着性組成物 |
JP2006318952A (ja) * | 2005-05-10 | 2006-11-24 | Hitachi Chem Co Ltd | Cmp研磨剤及び基板の研磨方法 |
JP2009509784A (ja) * | 2005-09-30 | 2009-03-12 | サン−ゴバン セラミックス アンド プラスティクス,インコーポレイティド | 研磨スラリー及び当該研磨スラリーを利用する方法 |
JP2008246668A (ja) * | 2008-07-07 | 2008-10-16 | Yushiro Chem Ind Co Ltd | 水性砥粒分散媒組成物及び加工用水性スラリー並びにそれらを用いた加工方法 |
JP2011161570A (ja) * | 2010-02-10 | 2011-08-25 | Asahi Glass Co Ltd | 研磨剤および研磨方法 |
JP2011183530A (ja) * | 2010-03-10 | 2011-09-22 | Fujimi Inc | 研磨用組成物 |
JP2014069260A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Fujimi Inc | 研磨用組成物 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020170748A (ja) * | 2019-04-01 | 2020-10-15 | 山口精研工業株式会社 | 窒化アルミニウム基板用研磨剤組成物および窒化アルミニウム基板の研磨方法 |
JP7220114B2 (ja) | 2019-04-01 | 2023-02-09 | 山口精研工業株式会社 | 窒化アルミニウム基板用研磨剤組成物および窒化アルミニウム基板の研磨方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN107109196B (zh) | 2019-01-04 |
US20170355881A1 (en) | 2017-12-14 |
JP6756460B2 (ja) | 2020-09-16 |
EP3239262A4 (en) | 2018-01-10 |
WO2016103575A1 (ja) | 2016-06-30 |
US10626297B2 (en) | 2020-04-21 |
CN107109196A (zh) | 2017-08-29 |
TW201636405A (zh) | 2016-10-16 |
KR20170099842A (ko) | 2017-09-01 |
EP3239262A1 (en) | 2017-11-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6756460B2 (ja) | 研磨方法及びセラミック製部品の製造方法 | |
JP6538368B2 (ja) | 研磨用組成物及び研磨方法 | |
JP2010540759A (ja) | 改善された炭化ケイ素粒子、ならびにその製造方法および使用方法 | |
WO2016103576A1 (ja) | 研磨用組成物、研磨方法、及びセラミック製部品の製造方法 | |
WO2017126268A1 (ja) | 研磨用組成物及びシリコン基板の研磨方法 | |
JP6145501B1 (ja) | 研磨用組成物及びシリコン基板の研磨方法 | |
TWI664280B (zh) | 高溫cmp組成物及用於使用其之方法 | |
JP2015203080A (ja) | 研磨用組成物 | |
WO2018088371A1 (ja) | 研磨用組成物及びシリコンウェーハの研磨方法 | |
JP6415569B2 (ja) | チタン合金材料研磨用組成物 | |
WO2016136177A1 (ja) | 研磨用組成物、研磨方法及び硬脆材料基板の製造方法 | |
US10920104B2 (en) | Abrasive, polishing composition, and polishing method | |
JP6622963B2 (ja) | 合金材料の研磨方法及び合金材料の製造方法 | |
WO2016194614A1 (ja) | 研磨用組成物、研磨方法、及び製造方法 | |
JPWO2018088370A1 (ja) | 研磨用組成物及びシリコンウェーハの研磨方法 | |
JP6760880B2 (ja) | マグネシウム又はマグネシウム合金の研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 | |
WO2022009990A1 (ja) | 研磨用組成物及び研磨方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170831 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20181030 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20181212 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190226 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190709 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20190906 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191025 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200331 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200526 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200804 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200827 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6756460 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |