JPH04283069A - セラミック基板の研磨方法及びセラミック基板用研磨装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はセラミック基板の研磨方
法及びセラミック基板用研磨装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】セラミックプリント配線板は、セラミッ
クス製の基板（セラミック基板）の表面に導体パターン
層と絶縁層とを多層に積層し、更にその表面にＬＳＩチ
ップ等の表面実装部品を実装したものであって、耐久性
が優れ、しかも、回路密度を非常に高密度にできること
から、将来のコンピュータ等の電子機器の高速化や多機
能化に大きく貢献するものと期待されている。

【０００３】上記セラミック基板を作る手順としては、
いわゆる、グリーンシート法が一般的に採用されている
。この方法では、材料となるセラミックス粉粒を粘土状
に練った後、シート状に形成して、いわゆる、グリーン
シートを形成し、グリーンシートを表裏方向に貫通する
直径数十μｍ〜数百μｍ程度の多数の微小孔（ビア）を
形成し、更に、その微小孔に粉体状あるいはクリーム状
の導体（ビア導体）を充填し、グリーンシートの片面あ
るいは両面に所定の導体パターンを印刷等の手法によっ
て形成してから他のグリーンシートを積層し、高温で焼
成して１枚板状のセラミック基板を形成する、という手
順が採用される。

【０００４】焼成直後のセラミック基板には反りや表面
のうねりがあり、その表面に安定良く導体パターン層、
絶縁層等の薄膜層を付着させることができない。そこで
、この問題を解決するため、表面の導体パターン層、絶
縁層等の薄膜層を形成する前に、焼成されたセラミック
基板の表面が研磨される。研磨方法としては、セラミッ
ク基板の表面は比較的脆いので、研磨材とともに研磨液
を使用する湿式の研磨方法が採用される。すなわち、図
６に示すように、例えばラッピング盤の定盤１の一側部
上にセラミック基板２を載置し、定盤１とセラミック基
板２との間にダイヤモンド砥粒１１と研磨液１２とを介
在させる一方、セラミック基板２をチャック３を介して
モータ４で縦軸心まわりに回転させるとともに、定盤１
を縦軸心まわりに回転させることにより定盤１とセラミ
ック基板２とを摺り合わせる、という手順で行われる。

【０００５】ダイヤモンド砥粒１１は、例えば粒径２μ
ｍ程度のものが使用され、純水１２ａに例えば１リット
ル当たり２０カラット程度に分散させて研磨材容器６に
収容し、この研磨材容器６から例えば図示しないマイク
ロチューブポンプで定盤１の上面に供給される。また、
研磨液１２としては、油性のものと水溶性のものとがあ
るが、一般には、後に洗浄しやすい水溶性の研磨液１２
が使用される。この研磨液１２としては、研磨中にビア
導体が酸やアルカリと化合して変質したりすることを防
止するため、例えばエチレングリコール、エタノール等
の有機物の水溶性潤滑剤を純水１２ａに配合し、研磨液
容器７から例えば図示しない別のマイクロチューブポン
プで定盤１の上面に供給される。

【０００６】このダイヤモンド砥粒１１及び研磨液１２
は、研磨の終了後水洗により除去され、更に、その洗浄
水を乾燥させるため、セラミック基板２が例えば３００
℃程度の高温雰囲気中に約２時間にわたって置かれる。 この後、乾燥したセラミック基板２の表面に導体パター
ン層、絶縁層等の薄膜層が形成される。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところで、セラミック
基板２を焼成する時に、セラミックスの微小孔に充填し
た導体も焼結されるが、熱膨張率、焼結による収縮率等
がセラミックスと導体とでは異なるため、例えば図７に
示すように、セラミックス２ａと導体２ｂとの間に数μ
ｍ程度の微細な空隙２ｃが生じる。上記湿式研磨におい
て使用されている研磨液１２に配合されている水溶性潤
滑剤はこのような微細な空隙２ｃに浸入し易い性質があ
るため、この空隙２ｃに水溶性潤滑剤を含む研磨液１２
が浸入し、水洗時に除去しきれなくなることがある。こ
のように微小孔とそれに充填された導体２ｂとの間の空
隙２ｃに研磨液１２が残留している状態で、上記の条件
で乾燥させると、水溶性潤滑剤を含む研磨液１２がター
ル状になってセラミック基板２の表面に噴出し、セラミ
ック基板２の表面が汚染され、場合によっては導体２ｂ
に導通不良が生じる。この汚染を除去するためには、も
う一度研磨を繰り返す必要があり、再度の研磨後にセラ
ミック基板を乾燥させる時に再び研磨液１２による汚染
が繰り返されることも少なくない。その結果、研磨を何
度も繰り返すことになり、寸法不足になって廃却しなけ
ればならない場合も生じている。

【０００８】そこで、研磨液１２を純水のみで構成し、
その他は同様にして研磨を行ったところ、研磨液１２が
十分に定盤１とセラミック基板２との間に浸入せず、例
えば図８に示すように、微小孔の周縁のセラミックス２
ａや導体２ｂの先端が欠けて研磨面が荒れることが分か
った。また、この研磨面の荒れは、研磨の開始後比較的
短時間内に発生していることも分かった。更に、この研
磨面の荒れは、ダイヤモンド砥粒１１が凝集して、いわ
ゆる、ダマになり、セラミック基板２への切り込みが過
剰になるため生じていることが分かった。

【０００９】本発明は、上記の事情を考慮してなされた
ものであり、研磨後の洗浄が容易に、かつ、安価にでき
、しかも、潤滑材による研磨面の汚染を防止できるよう
にしたセラミック基板の研磨方法及びセラミック基板用
研磨装置を提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
にこの発明は、例えば図１に示すように、定盤１上にダ
イヤモンド砥粒１１及び研磨液１２を介してセラミック
基板２を載置し、定盤１とセラミック基板２とを摺り合
わせる、セラミック基板の研磨方法において、上記研磨
液１２として純水１２ａ及び粉粒状潤滑材１２ｂの混合
物を用いるようにしている。上記においてダイヤモンド
砥粒１１として多結晶人工ダイヤモンド砥粒を使用する
と、研磨費用を安価にできることになる。また、粉粒状
潤滑材１２ｂとして無機質潤滑材を使用すると、上記の
目的を確実に達成できることになる。

【００１１】この、粉粒状潤滑材１２ｂとして、図２（
ａ）に示すように、セラミック基板２と同質のセラミッ
クス材料からなるダミー基板９を定盤１上に載置し、定
盤１とダミー基板９との間にダイヤモンド砥粒１１及び
純水１２ａを供給するとともに定盤１とセラミック基板
２とを摺り合わすことにより生じたダミー基板９の研磨
屑を使用するのが好ましい。

【００１２】上記した方法を実現する具体的手段として
は、例えば図４に示すように、定盤１の上面に多数の孔
１ｃを開口させ、各孔１ｃからダイヤモンド砥粒１１を
分散させた純水１２ａ、研磨液１２、あるいはこれらの
混合液を定盤１とセラミック基板２との間に供給する構
成を用いる。また例えば図５に示すように、上記ダイヤ
モンド砥粒１１を純水１２ａとともに容器６に収容し、
該容器６にバブリング装置６ａと超音波装置６ｂを付設
することによって、該容器６の底部から気泡を噴出する
とともにダイヤモンド砥粒１１及び純水１２ａに超音波
振動を与えて純水１２ａ中にダイヤモンド砥粒１１を分
散させた後、該容器６から定盤１上にダイヤモンド砥粒
１１及び純水１２ａを供給し、別に定盤１上に純水１２
ａを供給してダイヤモンド砥粒１１の濃度を調整する構
成を用いる。

【００１３】

【作　　用】研磨液１２として純水及び粉粒状潤滑材の
混合物を用いるので、定盤１とセラミック基板２との間
には研磨液１２、特に粉粒状潤滑材１２ｂが介在するこ
とによってセラミック基板２の研磨面にダイヤモンド砥
粒１１が過度に切り込むことが防止され、セラミック基
板２に形成した微小孔の周縁部や導体２ｂの先端が欠け
て研磨面が荒れることが防止される。また、粉粒状潤滑
材１２ｂはセラミックス２ａと導体２ｂとの間に形成さ
れる空隙２ｃに浸入し難いので、水洗によって容易にセ
ラミック基板２から除去することができ、上記空隙２ｃ
に残留することを防止できる。更に、上記空隙２ｃに炭
素成分を含む有機物が残留するおそれがないので、水洗
後の高温処理時にタール状になった有機成分が噴出して
セラミック基板２の表面を汚染するおそれもなくなる。

【００１４】上記ダイヤモンド砥粒１１として多結晶人
工ダイヤモンド砥粒を使用すると、ダイヤモンド砥粒１
１を安価に入手できるうえ、各ダイヤモンド砥粒１１の
砥粒としての寿命が単なる結晶タイプのダイヤモンド砥
粒１１よりも長くなる。また、粉粒状潤滑材１２ｂとし
て無機質潤滑材を使用すると、有機成分がセラミック基
板２のセラミックス２ａと導体２ｂとの間に形成される
空隙２ｃに浸入するおそれがなくなり、水洗後の高温処
理時にタール状になった有機成分が噴出してセラミック
基板２の表面を汚染するおそれが確実になくなる。

【００１５】また、セラミック基板２の研磨に先立って
ダミー基板９を研磨することにより得られるダミー基板
９の研磨屑を粉粒状潤滑材１２ｂとして用いると、簡単
にセラミック基板２のセラミックス材料と同質のセラミ
ックス材料からなる粉粒状潤滑材１２ｂを供給できるこ
とになる。また、定盤１の上面に多数の孔１ｃを開口さ
せることによって、各孔１ｃからダイヤモンド砥粒１１
を分散させた純水１２ａ、研磨液１２、あるいはこれら
の混合液が定盤１とセラミック基板２との間に供給され
ることになる。

【００１６】また、ダイヤモンド砥粒１１と純水を収納
する容器６を備え、該容器６に対しバブリング装置６ａ
及び超音波装置６ｂを付設することによって、ダイヤモ
ンド砥粒１１がバブリングによって容器６内で沈澱する
ことが防止されるとともに、超音波振動によって純水１
２ａ中に均等に分散されるため、ダイヤモンド砥粒１１
が凝集して、いわゆる、ダマが形成されることが防止さ
れる。したがって、ダイヤモンド砥粒１１及び純水１２
ａを容器６に入れる前に超音波振動を与えて分散処理を
する必要がなくなる上、ダマになったダイヤモンド砥粒
１１がセラミック基板２に過剰に切り込むことが防止さ
れる。また、純水供給手段１３から供給する純水１２ａ
の供給量を制御することにより定盤１上に供給されたダ
イヤモンド砥粒１１の濃度を所定の範囲内に制御するこ
とができ、ダイヤモンド砥粒１１の乾燥による導体２ｂ
の損傷を防止することができる。

【００１７】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づき具体的
に説明する。本発明の一実施例に係るセラミック基板の
研磨方法においては、例えば図１に示すように、定盤１
と定盤１上に載置したセラミック基板２との間に純水１
２ａと粉粒状潤滑材１２ｂとを混合した研磨液１２及び
ダイヤモンド砥粒１１を介在させて、定盤１とセラミッ
ク基板２とを摺り合わせて、セラミック基板２が研磨さ
れる。

【００１８】ダイヤモンド砥粒１１としては、単結晶タ
イプのものと多結晶タイプのものとがあるが、切刃とな
る角部の数が多く、比較的砥粒としての寿命が長くなる
多結晶タイプのものを使用することが有利である。この
実施例では、多結晶タイプのダイヤモンド砥粒１１の中
でも比較的価格が低廉な多結晶人工ダイヤモンド砥粒か
らなるダイヤモンド砥粒１１を使用した。

【００１９】また、ダイヤモンド砥粒１１の粒径は特に
限定されないが、この実施例では従来から多用されてい
る２μｍ程度のダイヤモンド砥粒１１を用いた。このダ
イヤモンド砥粒１１は純水１２ａ中に１リットル当たり
１０カラット程度に分散させた研磨材として研磨材容器
６から例えば図示しないマイクロチューブポンプで定盤
１の上面に供給される。

【００２０】また、研磨液１２の粉粒状潤滑材１２ｂは
、例えば窒化硼素（ＢＮ）、アルミナ（Ａｌ２　Ｏ３　
）、シリカ（ＳｉＯ２　）等の無機質材料で構成する必
要があり、その硬度がダイヤモンド砥粒１１の硬度より
も低く、研磨するセラミック基板２の硬度以上であるこ
とが好ましく、研磨するセラミック基板２のセラミック
ス材料と同じセラミックス材料を使用することがより好
ましい。

【００２１】この実施例においては、粉粒状潤滑材１２
ｂとして研磨するセラミック基板２のセラミックス材料
と同じセラミックス材料が使用される。また、定盤１と
セラミック基板２との間にダイヤモンド砥粒１１、純水
１２ａ及び粉粒状潤滑材１２ｂを供給する手順としては
、例えば、図２（ａ）に示すように、セラミック基板２
を研磨する前に、研磨するセラミック基板２と同質のセ
ラミックス材料からなるダミー基板９をラッピング装置
のチャック３に保持し、研磨材容器６からダイヤモンド
砥粒１１を含む研磨材を定盤１上に供給するとともに、
研磨液容器７から純水１２ａを定盤１上に滴下して、ダ
イヤモンド砥粒１１の濃度を所定の範囲内に保持しなが
ら、モータ４でダミー基板９を縦軸心まわりに回転させ
、同時に定盤１を縦軸心まわりに回転させて定盤１とダ
ミー基板９とを摺り合わせる、という手順が採用される
。この手順において生じたダミー基板９の研磨屑はその
ままダイヤモンド砥粒１１及び純水１２ａに混合されて
粉粒状潤滑材１２ｂを構成することになる。

【００２２】この摺り合わせによって定盤１の上面にダ
ミー基板９の研磨屑からなる粉粒状潤滑材１２ｂと、純
水１２ａと、ダイヤモンド砥粒１１との混合物をまんべ
んなく付着させた後、例えば図２（ｂ）に示すように、
ダミー基板９に代えて研磨するセラミック基板２をチャ
ック３に支持させ、必要に応じて研磨材容器６からダイ
ヤモンド砥粒１１を定盤１上に供給するとともに、研磨
液容器７から純水１２ａを定盤１上に滴下して、ダイヤ
モンド砥粒１１が乾燥して飛散するのを防止しながら、
モータ４でセラミック基板２を縦軸心まわりに回転させ
、同時に定盤１を縦軸心まわりに回転させて定盤１とセ
ラミック基板２とを摺り合わせることによりセラミック
基板２が研磨される。

【００２３】この実施例に係るセラミック基板の研磨方
法においては、定盤１とセラミック基板２との間に粉粒
状潤滑材１２ｂを介在させることによって研磨開始直後
にダイヤモンド砥粒１１がセラミック基板２に過剰に切
り込むことを防止でき、セラミック基板２に形成した微
小孔の周縁部や導体２ｂの先端が欠けて研磨面が荒れる
ことが防止され、後に導体パターン層、絶縁層等の薄膜
を形成するのに適した面粗度（Ｒａ＝０．３０μｍ程度
）に仕上げることができる。

【００２４】また、粉粒状潤滑材１２ｂはセラミック基
板２のセラミックス２ａと導体２ｂとの間に形成される
空隙２ｃに浸入し難いので、水洗によって容易にセラミ
ック基板２から除去することができ、上記空隙２ｃに残
留することを確実に防止できる。したがって、上記空隙
２ｃに炭素成分を含む有機物が残留するおそれがなくな
るので、水洗後の高温処理時にタール状になった有機成
分が噴出してセラミック基板２の表面を汚染するおそれ
もなくなり、この汚染による導体２ｂの導通不良の発生
を防止できるとともに、汚染物質を除去するための再研
磨をする必要が無くなり、生産性を高めることができる
とともに、歩留りを高めることができる。

【００２５】更に、研磨液１２が定盤１に滴下供給され
、ダミー基板９の研磨屑を粉粒状潤滑材１２ｂとして使
用するので、ダイヤモンド砥粒１１や粉粒状潤滑材１２
ｂが周囲に粉塵として飛散するおそれがなく、作業環境
が粉塵によって悪化したり、作業員が粉塵の吸引による
呼吸器系の疾病に罹ったりすることを防止できる。本発
明の他の実施例に係るセラミック基板の研磨方法では、
予め粉粒化したセラミックスからなる粉粒状潤滑材１２
ｂが用いられる。

【００２６】すなわち、図３に示すように、例えばラッ
ピング盤のチャック３にセラミック基板２を保持し、こ
のセラミック基板２をモータ４で縦軸心まわりに回転さ
せるとともに、定盤１を縦軸心まわりに回転させる。同
時に、研磨材容器６から純水１２ａに１リットル当たり
２０カラット程度に粒径２μｍ程度のダイヤモンド砥粒
１１を分散させた研磨材を定盤１上に滴下供給するとと
もに、研磨液容器７から例えば粒径２μｍ程度のコロイ
ダルシリカからなる粉粒状潤滑材１２ｂを純水１２ａに
１リットル当たり１０カラット程度に分散させた研磨液
１２を滴下供給する。

【００２７】このセラミック基板の研磨方法は、定盤１
とセラミック基板２との間にダイヤモンド砥粒１１及び
研磨液１２を供給する方法が上記の一実施例と異なるだ
けであって、セラミック基板２の研磨のメカニズムは上
記の一実施例と同様である。したがって、この方法でも
上記の一実施例と同様の効果を得ることができる。なお
、この実施例において、粉粒状潤滑材１２ｂの粒径をダ
イヤモンド砥粒１１の粒径と同等にしているが、粉粒状
潤滑材１２ｂの粒径はダイヤモンド砥粒１１の粒径の１
／２程度以上であればよい。

【００２８】本発明のまた他の実施例に係るセラミック
基板の研磨方法では、例えば図４に示すように、定盤１
の上面に放射状に溝１ａが凹設され、この溝１ａに連続
するパイプ１ｂが埋設されたラッピング装置が使用され
る。このパイプ１ｂには上向きに開口する多数の孔１ｃ
がその長さ方向に適当な間隔を置いて設けられる。また
、このパイプ１ｂの一端（始端）はダイヤモンド砥粒１
１及び研磨液１２を収容する混合液容器８に図示しない
マイクロチューブポンプを介して接続され、その他端は
閉塞されている。

【００２９】研磨液１２としては純水１２ａに粒径２μ
ｍ程度のコロイダルシリカからなる粉粒状潤滑材１２ｂ
を１リットル当たり１０カラット程度混合したものを使
用し、ダイヤモンド砥粒１１としては粒径２μｍ程度の
多結晶人工タイプのものが使用される。このダイヤモン
ド砥粒１１は研磨材１２の純水１２ａに１リットル当た
り５〜３０カラット（ここでは、１リットル当たり２０
カラット）程度混合される。なお、粉粒状潤滑材１２ｂ
としては、粒径がダイヤモンド砥粒１１の粒径の１／２
ないし同等程度であり、硬度がダイヤモンド砥粒１１と
研磨するセラミック基板２との中間程度である無機質材
料を使用することが可能であり、例えばコロイダルシリ
カに代えてアルミナ、窒化硼素等の他のセラミックス材
料の粉粒体、セラミックスの他の無機質材料からなる粉
粒体等を使用することが可能である。　　本発明のもう
一つの実施例に係るセラミック基板の研磨方法は、例え
ば図５に示すように、研磨材容器６に、その内底部に気
泡を噴出させるバブリング装置６ａと超音波発振装置６
ｂとが付設された研磨装置を使用し、バブリング装置６
ａが放出する気泡の流れによって研磨材容器６内の純水
１２ａ及びダイヤモンド砥粒１１を流動させてダイヤモ
ンド砥粒１１が研磨材容器６内の底部に沈澱することを
防止するとともに、超音波発振装置６ｂによって純水１
２ａ及びダイヤモンド砥粒１１を超音波振動させてダイ
ヤモンド砥粒１１が凝集することを防止し、純水１２ａ
中に均等に分散されるようにしている。そして、このよ
うにして純粋１２ａ中にダイヤモンド砥粒１１を分散さ
せた研磨材を定盤１上に滴下供給するとともに、研磨液
容器７から純水１２ａを適宜滴下供給して定盤１上のダ
イヤモンド砥粒１１の濃度を一定の範囲内に保持するよ
うにしている。

【００３０】ダイヤモンド砥粒１１を分散させた純水１
２ａと研磨液容器７からの純水１２ａとの最良の供給条
件は、実際にダイヤモンド砥粒１１を分散させた純水１
２ａの供給量と研磨液容器７からの純水１２ａの供給量
を異ならせて研磨することによって求められる。即ち、
まず、ダイヤモンド砥粒１１を分散させた純水１２ａ（
研磨材という）の滴下量をｘｃｃ／ｍｉｎ　、研磨材容
器７からの純水１２ａの噴霧時間をｔｍｉｎ　で表すこ
とにする。次に、ある供給条件（ｘ０　，ｔ０　）で実
際にセラミック基板２を研磨し、仕上がり状態を観察す
る。

【００３１】研磨したセラミック基板２の導体２ｂに損
傷が生じる場合には、ダイヤモンド砥粒１１の切れ味が
低下していると考えられるので、研磨材の供給量を増し
、純水１２ａの供給量を控えた新たな条件（ｘ１　，ｔ
１　）で実際にセラミック基板２を研磨し、仕上がり状
態を観察する。ここで、ｘ１　＞ｘ０　，ｔ１　＜ｔ０
　である。 最初の供給条件（ｘ０　，ｔ０　）で研磨した研磨液１
２がセラミック基板２の周囲に黒ずんだり、黄ばんだり
して顕れる場合には、ダイヤモンド砥粒１１による研磨
が過剰となり、セラミック基板２の研磨屑がその表面に
付着していると考えられるので、研磨材の供給量を減少
させ、純水１２ａの供給量を増やした別の供給条件（ｘ
２　，ｔ２　）で実際にセラミック基板２を研磨し、仕
上がり状態を観察する。ここで、ｘ２　〜ｘ０　，ｔ２
　＞ｔ０　である。

【００３２】このようにして供給条件を適宜変更して実
際にセラミック基板２を研磨し、仕上がり状態を観察す
ることにより、最適の仕上がり状態が得られる最適の供
給条件を求めることができ、例えば、研磨材を１分間当
たり５０滴程度落下供給しながら１分間研磨を行い、１
分間研磨を休止する間に純水１２ａを噴霧する、という
供給条件が求められる。

【００３３】この実施例においては、バブリング装置６
ａによって噴出される気泡によって研磨材容器６内が攪
拌され、ダイヤモンド砥粒１１が研磨材容器６内で沈澱
することが防止され、更に、超音波振動によってダイヤ
モンド砥粒１１どうしが静電吸着作用によって互いに凝
集することが防止される。その結果、ダイヤモンド砥粒
１１が純水１２ａ中で凝集することなく十分均等に分散
されてから定盤１上に供給され、凝集したダイヤモンド
砥粒１１がセラミック基板２の研磨面に過剰に切り込ん
で大きな損傷を与えることが防止される。

【００３４】また、この実施例では、特に粉粒状潤滑材
１２ｂを使用しない点で前の各実施例と大きく異なって
おり、研磨後の水洗が一層容易になるうえ、有機質材料
がセラミック基板２のセラミックス２ａと導体２ｂとの
間の形成された空隙２ｃに浸入するおそれが全く無くな
り、更にその後の高温処理時に該空隙２ｃに浸入した有
機質材料がタール状になって噴出するおそれも全くなく
なる。したがって、このタール状の有機質材料によるセ
ラミック基板２の汚染や、この汚染に起因する導体２ｂ
の導通不良が発生するおそれは全くなくなり、再研磨が
不要になって生産性を高められるとともに、歩留りを高
めることができる。

【００３５】

【発明の効果】以上のように、本発明に係るセラミック
基板の研磨方法によれば、有機質の水溶性潤滑剤を使用
せず、粉粒状潤滑材を使用するので、焼成時に発生する
セラミック基板の空隙に有機質材料が浸入するおそれが
なくなり、研磨後に水洗処理によって容易に、かつ、安
価に潤滑材やダイヤモンド砥粒を研磨屑とともに洗い落
とすことができる。また、研磨及び水洗後の高温処理時
にタール状になって噴出する有機質材料でセラミック基
板の表面が汚染されるおそれや、その汚染により導通不
良が発生するおそれもなくなる。その結果、再研磨が不
要になって生産性が高められるとともに、歩留りが高め
られる。

【００３６】本発明方法において、特に、ダイヤモンド
砥粒として多結晶人工ダイヤモンド砥粒を使用する場合
には、砥粒の寿命が比較的長いうえ、価格的にも安価で
あるので、研磨費用を安価にできる。また、本発明方法
において、特に、粉粒状潤滑材として無機質潤滑材を使
用する場合には、上記の効果をより確実に得ることがで
きる。

【００３７】また、本発明方法において、特に、セラミ
ック基板の研磨に先立ってダミー基板を純水中に分散さ
せたダイヤモンド砥粒と純水とだけを用いて研磨し、こ
の研磨屑を粉粒状潤滑材として使用する場合は、周囲に
ダイヤモンド砥粒や研磨屑の粉塵を放散するおそれがな
くなり、作業環境の衛生性を高めることができる。更に
、本発明に係るセラミック基板用研磨装置は、定盤のセ
ラミック基板１と摺り合わされる面にダイヤモンド砥粒
を分散させた純水、研磨液もしくはこれらの混合液を供
給する孔を設けているので、この孔からダイヤモンド砥
粒を分散させた純水、有機物を含まない研磨液もしくは
これらの混合液を供給する研磨を行うことができ、研磨
後の洗浄が一層容易になる上、確実にセラミック基板の
汚染やこれによる導通不良の発生を防止でき、生産性及
び歩留りをより確実に高めることができる。

【００３８】また、本発明に係る他のセラミック基板用
研磨装置は定盤のセラミック基板と摺り合わされる面に
供給されるダイヤモンド砥粒と純水とを収容する容器と
、上記定盤のセラミック基板と摺り合わされる面に純水
を供給する純水供給手段とを備え、上記容器に、これの
内底部に気泡を噴出するバブリング装置と、該容器内の
ダイヤモンド砥粒及び純水に超音波振動を与える超音波
発振装置とを付設しているので、バブリングと超音波に
よってダイヤモンド砥粒を凝集させることなく定盤上に
供給することができ、凝集したダイヤモンド砥粒によっ
てセラミック基板の研磨面を傷つけることなく研磨でき
る上、研磨後の洗浄が一層容易になるとともに、確実に
セラミック基板の汚染やこれによる導通不良の発生を防
止でき、生産性及び歩留りをより確実に高めることがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の研磨方法の原理図である。

【図２】本発明の一実施例の研磨方法及び装置の構成図
である。

【図３】本発明の他の実施例の研磨方法及び装置の構成
図である。

【図４】本発明のまた他の実施例の装置の要部斜視図で
ある。

【図５】本発明のもう一つの実施例の研磨方法及び装置
の構成図である。

【図６】従来の研磨方法及び装置の構成図である。

【図７】研磨後のセラミック基板の断面を示す模式図で
ある。

【図８】研磨によるセラミック基板の面荒れの状態を示
す模式図である。

【符号の説明】

１　　定盤 １ｃ　　孔 ２　　セラミック基板 ６　　研磨材容器 ６ａ　　バブリング装置 ６ｂ　　超音波発振装置 ９　　ダミー基板 １１　　ダイヤモンド砥粒 １２　　研磨液 １２ａ　　純水 １２ｂ　　粉粒状潤滑材

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　定盤（１）　と定盤（１）　上に載置
   したセラミック基板（２）　との間にダイヤモンド砥粒
   （１１）及び研磨液（１２）を介在させて、定盤（１）
   　とセラミック基板（２）　とを摺り合わせる、セラミ
   ック基板の研磨方法において、上記研磨液（１２）とし
   て純水（１２ａ）　と粉粒状潤滑材（１２ｂ）　との混
   合物を用いることを特徴とする、セラミック基板の研磨
   方法。
2. 【請求項２】　　上記ダイヤモンド砥粒（１１）として
   多結晶人工ダイヤモンド砥粒を使用することを特徴とす
   る請求項１に記載のセラミック基板の研磨方法。
3. 【請求項３】　　上記粉粒状潤滑材（１２ｂ）　として
   無機質潤滑材を使用することを特徴とする請求項１に記
   載のセラミック基板の研磨方法。
4. 【請求項４】　　上記粉粒状潤滑材（１２ｂ）　として
   セラミック基板（２）　と同質のセラミックス材料から
   なるダミー基板（９）　を定盤（１）　上に載置し、定
   盤（１）　とダミー基板（９）　との間にダイヤモンド
   砥粒（１１）及び純水（１２ａ）　を供給するとともに
   、定盤（１）　とセラミック基板（２）　とを摺り合わ
   すことにより生じたダミー基板（９）　の研磨屑を使用
   することを特徴とする請求項１に記載のセラミック基板
   の研磨方法。
5. 【請求項５】　　セラミック基板（２）　と摺り合わさ
   れる定盤（１）　を備えるセラミック基板用研磨装置に
   おいて、上記定盤（１）　のセラミック基板（１）　と
   摺り合わされる面にダイヤモンド砥粒（１１）を分散さ
   せた純水（１２ａ）　、研磨液（１２）もしくはこれら
   の混合液を供給する孔（１ｃ）を設けたことを特徴とす
   るセラミック基板用研磨装置。
6. 【請求項６】　　セラミック基板（２）　と摺り合わさ
   れる定盤（１）　と、該定盤（１）　のセラミック基板
   （２）　と摺り合わされる面に供給されるダイヤモンド
   砥粒（１１）と純水（１２ａ）　とを収容する研磨材容
   器（６）　と、上記定盤（１）　のセラミック基板（２
   ）　と摺り合わされる面に純水（１２ａ）　を供給する
   純水供給手段（１３）とを備え、上記容器（６）　に、
   これの内底部に気泡を噴出するバブリング装置（６ａ）
   と、該研磨材容器（６）　内のダイヤモンド砥粒（１１
   ）及び純水（１２ａ）　に超音波振動を与える超音波発
   振装置（６ｂ）とが付設されることを特徴とするセラミ
   ック基板用研磨装置。