JPH11129153A - Ｃｍｐ研磨装置 - Google Patents
Ｃｍｐ研磨装置Info
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- JPH11129153A JPH11129153A JP29848997A JP29848997A JPH11129153A JP H11129153 A JPH11129153 A JP H11129153A JP 29848997 A JP29848997 A JP 29848997A JP 29848997 A JP29848997 A JP 29848997A JP H11129153 A JPH11129153 A JP H11129153A
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- Japan
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- polishing
- conditioning
- conditioning disk
- polishing pad
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- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 半導体基板上に形成された材料層をＣＭＰ研
磨する際に、研磨レートの変動がないと共に、研磨中に
被研磨ウェハにスクラッチ（傷）が発生することがな
く、信頼性及び生産性が向上したＣＭＰ研磨装置を提供
する。 【解決手段】 コンディショニングディスク６をブラシ
１４に接触させ、アーム７の支持部に設けられた駆動部
によりディスク６を回転駆動する。これにより、ディス
ク６の表面が摺刷され、表面に付着した研磨屑及び研磨
パッド屑が強制的に除去される。従って、ディスク６に
埋め込まれているダイヤモンド砥粒の突出量の低下を回
避し、研磨パッドを常に安定してコンディショニングす
ることが可能となり、研磨レートの安定性が向上する。
また、研磨パッド上にディスク６からの研磨屑及び研磨
パッド屑が剥れ落ちることが防止される結果、異物によ
り被研磨ウェハにスクラッチ（傷）が発生することが防
止される。
磨する際に、研磨レートの変動がないと共に、研磨中に
被研磨ウェハにスクラッチ（傷）が発生することがな
く、信頼性及び生産性が向上したＣＭＰ研磨装置を提供
する。 【解決手段】 コンディショニングディスク６をブラシ
１４に接触させ、アーム７の支持部に設けられた駆動部
によりディスク６を回転駆動する。これにより、ディス
ク６の表面が摺刷され、表面に付着した研磨屑及び研磨
パッド屑が強制的に除去される。従って、ディスク６に
埋め込まれているダイヤモンド砥粒の突出量の低下を回
避し、研磨パッドを常に安定してコンディショニングす
ることが可能となり、研磨レートの安定性が向上する。
また、研磨パッド上にディスク６からの研磨屑及び研磨
パッド屑が剥れ落ちることが防止される結果、異物によ
り被研磨ウェハにスクラッチ（傷）が発生することが防
止される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
分野において、半導体基板上に形成された酸化シリコン
系材料層及び金属層（ＡＩ，ＡｌＳｉ，ＡＩＳｉＣｕ，
ＡＩＣｕ，Ｃｕ，Ｗ等）等のＣＭＰ研磨を行うＣＭＰ研
磨装置に関する。
分野において、半導体基板上に形成された酸化シリコン
系材料層及び金属層（ＡＩ，ＡｌＳｉ，ＡＩＳｉＣｕ，
ＡＩＣｕ，Ｃｕ，Ｗ等）等のＣＭＰ研磨を行うＣＭＰ研
磨装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近時、半導体デバイスの高集積化に伴
い、半導体回路基板の多層化が進んでいる。半導体回路
基板の多層化に伴い、層間絶縁膜を中心として平坦化技
術が重要になっている。層間絶縁膜の平坦化技術には種
々の方法が知られているが、半導体デバイスの高集積化
が進むにつれてＣＭＰによる平坦化技術が注目されてい
る。
い、半導体回路基板の多層化が進んでいる。半導体回路
基板の多層化に伴い、層間絶縁膜を中心として平坦化技
術が重要になっている。層間絶縁膜の平坦化技術には種
々の方法が知られているが、半導体デバイスの高集積化
が進むにつれてＣＭＰによる平坦化技術が注目されてい
る。
【０００３】図４（ａ）は従来のＣＭＰ研磨装置を示す
平面図、図４（ｂ）は同じくその正面図である。図４に
示すように、研磨テーブルは、垂直の回転軸１２上に円
盤状の研磨プレート１１がその中心を一致させて固定さ
れており、回転軸１２の回転により、研磨テーブル１１
は回転軸１２を回転中心として回転するようになってい
る。研磨プレート１１上には、多孔質で連続孔を有する
材料で形成されている研磨パッド３が装着される。
平面図、図４（ｂ）は同じくその正面図である。図４に
示すように、研磨テーブルは、垂直の回転軸１２上に円
盤状の研磨プレート１１がその中心を一致させて固定さ
れており、回転軸１２の回転により、研磨テーブル１１
は回転軸１２を回転中心として回転するようになってい
る。研磨プレート１１上には、多孔質で連続孔を有する
材料で形成されている研磨パッド３が装着される。
【０００４】被研磨ウエハ１３はウエハキャリア４の下
面に保持され、ウエハキャリア４は回転軸５により回転
可能に支持されるようになっている。ウエハ１３は回転
軸５を介して研磨プレート１１上の研磨パッド３に押し
付けられる。スラリー供給装置１からスラリー供給口２
を介して研磨剤であるスラリー１０が研磨プレート１１
上のウエハ１３の周辺部に供給される。
面に保持され、ウエハキャリア４は回転軸５により回転
可能に支持されるようになっている。ウエハ１３は回転
軸５を介して研磨プレート１１上の研磨パッド３に押し
付けられる。スラリー供給装置１からスラリー供給口２
を介して研磨剤であるスラリー１０が研磨プレート１１
上のウエハ１３の周辺部に供給される。
【０００５】コンディショニングディスク６はその表面
にダイヤモンド等の砥粒を埋め込んだものであり、研磨
パッド３の表面を目立てすることにより、研磨パッド３
を再生するものである。このコンディショニングディス
ク６は駆動装置８に連結された回転アーム７の先端に回
転可能に支持されており、駆動装置８によりアーム７を
揺動させることにより、コンディショニングディスク６
を研磨パッド３上で移動させることができる。
にダイヤモンド等の砥粒を埋め込んだものであり、研磨
パッド３の表面を目立てすることにより、研磨パッド３
を再生するものである。このコンディショニングディス
ク６は駆動装置８に連結された回転アーム７の先端に回
転可能に支持されており、駆動装置８によりアーム７を
揺動させることにより、コンディショニングディスク６
を研磨パッド３上で移動させることができる。
【０００６】図５は待機中のコンディショニングディス
ク６を保持するためのプール槽９を示す。プール槽９に
は純水導入配管１６と純水排水配管１７とが連結されて
おり、配管１６から純水がプール槽９内に供給され、こ
の純水はプール槽９内を満たした後、配管１７から排出
されるようになっている。コンディショニングディスク
６は回転アーム７を駆動装置８から分離することにより
研磨装置から外し、アーム７に支持された状態でプール
槽９内に保持されるようになっている。
ク６を保持するためのプール槽９を示す。プール槽９に
は純水導入配管１６と純水排水配管１７とが連結されて
おり、配管１６から純水がプール槽９内に供給され、こ
の純水はプール槽９内を満たした後、配管１７から排出
されるようになっている。コンディショニングディスク
６は回転アーム７を駆動装置８から分離することにより
研磨装置から外し、アーム７に支持された状態でプール
槽９内に保持されるようになっている。
【０００７】このように構成された研磨装置において、
層間絶縁膜等が成膜されたウエハ１３は微細なホールを
有する研磨パッド３に押し付けられ、両者間にスラリー
１０が供給されて、ウエハ１３が研磨される。研磨中
は、研磨パッド３に存在する微細なホールにはスラリー
１０がトラップされ、ホールは被研磨ウェハー１３に接
触して押し付けられる。このため、微細なホールがつぶ
れたり、ホール内に研磨で発生した研磨層が詰まる。こ
れにより、研磨パッド３の微細なホールにトラップされ
るスラリー１０が減少し研磨速度が低下する。
層間絶縁膜等が成膜されたウエハ１３は微細なホールを
有する研磨パッド３に押し付けられ、両者間にスラリー
１０が供給されて、ウエハ１３が研磨される。研磨中
は、研磨パッド３に存在する微細なホールにはスラリー
１０がトラップされ、ホールは被研磨ウェハー１３に接
触して押し付けられる。このため、微細なホールがつぶ
れたり、ホール内に研磨で発生した研磨層が詰まる。こ
れにより、研磨パッド３の微細なホールにトラップされ
るスラリー１０が減少し研磨速度が低下する。
【０００８】そこで、研磨パッド３の微細なホールを再
生又は維持させるため、研磨終了後、又は研磨開始前、
又は研磨中に、研磨パッド３を、コンディショニングデ
ィスク６により目立て（コンディショニング）する。こ
のコンディショニングにより、研磨パッド３の表層のつ
ぶれたホールは除去され、微細なホールが復活し、安定
した研磨レートが得られる。コンディショニングに使用
されたコンディショニングディスク６は、コンディショ
ニングディスク用プール槽９内の純水中に浸漬され、次
順のコンディショニングまで待機する。
生又は維持させるため、研磨終了後、又は研磨開始前、
又は研磨中に、研磨パッド３を、コンディショニングデ
ィスク６により目立て（コンディショニング）する。こ
のコンディショニングにより、研磨パッド３の表層のつ
ぶれたホールは除去され、微細なホールが復活し、安定
した研磨レートが得られる。コンディショニングに使用
されたコンディショニングディスク６は、コンディショ
ニングディスク用プール槽９内の純水中に浸漬され、次
順のコンディショニングまで待機する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、コンデ
ィショニングディスク６をコンディショニングディスク
用プール漕９内の純水に浸潰するだけでは、コンディシ
ョニングディスク６の表面に、研磨で発生した研磨屑及
びコンディショニングで発生した研磨パッド屑が蓄積さ
れてしまうという欠点がある。このため、コンディショ
ニングディスク６に埋め込まれているダイヤモンド砥粒
の突出量が低下して研磨レートが低下したり、目立て中
にコンディショニングディスク６の表面から研磨屑及び
研磨パッド屑の付着層が剥がれ、これらの屑が研磨パッ
ド３上に落下して被研磨ウェハ１３にスクラッチ（傷）
を発生させるという問題点がある。
ィショニングディスク６をコンディショニングディスク
用プール漕９内の純水に浸潰するだけでは、コンディシ
ョニングディスク６の表面に、研磨で発生した研磨屑及
びコンディショニングで発生した研磨パッド屑が蓄積さ
れてしまうという欠点がある。このため、コンディショ
ニングディスク６に埋め込まれているダイヤモンド砥粒
の突出量が低下して研磨レートが低下したり、目立て中
にコンディショニングディスク６の表面から研磨屑及び
研磨パッド屑の付着層が剥がれ、これらの屑が研磨パッ
ド３上に落下して被研磨ウェハ１３にスクラッチ（傷）
を発生させるという問題点がある。
【００１０】このように、従来のＣＭＰ研磨装置におい
ては、第１に、コンディショニングディスク６に研磨後
の研磨屑及び研磨パッド屑が付着し、蓄積することによ
り、コンディショニングによる研磨パッド３の目立て再
現性が低下するため、研磨レートが安定しないという欠
点がある。
ては、第１に、コンディショニングディスク６に研磨後
の研磨屑及び研磨パッド屑が付着し、蓄積することによ
り、コンディショニングによる研磨パッド３の目立て再
現性が低下するため、研磨レートが安定しないという欠
点がある。
【００１１】また、第２に、コンディショニングディス
ク６に研磨後の研磨屑及び研磨バッド屑が付着したまま
コンディショニングを行うことにより、研磨パッド３の
表面上にコンディショニングディスク６に付着していた
研磨屑及び研磨パッド屑が剥れ落ちるため、被研磨ウェ
ハ１３にスクラッチ（傷）が発生するという欠点があ
る。
ク６に研磨後の研磨屑及び研磨バッド屑が付着したまま
コンディショニングを行うことにより、研磨パッド３の
表面上にコンディショニングディスク６に付着していた
研磨屑及び研磨パッド屑が剥れ落ちるため、被研磨ウェ
ハ１３にスクラッチ（傷）が発生するという欠点があ
る。
【００１２】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、半導体基板上に形成された材料層をＣＭＰ
研磨する際に、研磨レートの変動がないと共に、研磨中
に被研磨ウェハにスクラッチ（傷）が発生することがな
く、信頼性及び生産性が向上したＣＭＰ研磨装置を提供
することを目的とする。
のであって、半導体基板上に形成された材料層をＣＭＰ
研磨する際に、研磨レートの変動がないと共に、研磨中
に被研磨ウェハにスクラッチ（傷）が発生することがな
く、信頼性及び生産性が向上したＣＭＰ研磨装置を提供
することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明に係るＣＭＰ研磨
装置は、研磨パッドが貼られた研磨テーブルと、この研
磨テーブルを回転させる回転装置と、回転する研磨テー
ブル上の前記研磨パッド表面にウエハをあてがって研磨
する研磨手段と、回転する研磨テーブル上の前記研磨パ
ッド表面にコンディショニングディスクをあてがって前
記研磨パッドをコンディショニングするコンディショニ
ング手段と、前記コンディショニングディスクの表面を
強制的に洗浄する洗浄装置とを有することを特徴とす
る。
装置は、研磨パッドが貼られた研磨テーブルと、この研
磨テーブルを回転させる回転装置と、回転する研磨テー
ブル上の前記研磨パッド表面にウエハをあてがって研磨
する研磨手段と、回転する研磨テーブル上の前記研磨パ
ッド表面にコンディショニングディスクをあてがって前
記研磨パッドをコンディショニングするコンディショニ
ング手段と、前記コンディショニングディスクの表面を
強制的に洗浄する洗浄装置とを有することを特徴とす
る。
【００１４】このＣＭＰ研磨装置において、前記洗浄装
置は、ブラシにより前記コンディショニングディスクを
洗浄するか、又はノズルにより洗浄液を前記コンディシ
ョニングディスクに噴出して洗浄するものとすることが
できる。
置は、ブラシにより前記コンディショニングディスクを
洗浄するか、又はノズルにより洗浄液を前記コンディシ
ョニングディスクに噴出して洗浄するものとすることが
できる。
【００１５】また、ブラシにより研磨する場合は、純水
を貯留する槽と、前記コンディショニングディスクを前
記槽中の純水に浸漬する手段と、を有し、前記ブラシを
前記槽内の底部にその刷毛を上方に向けて配置すること
ができる。更に、前記ブラシを回転駆動する駆動装置を
有してもよい。更にまた、前記コンディショニングディ
スクを回転可能に支持するアームと、前記コンディショ
ニングディスクを前記アームに対して相対的に回転駆動
する駆動装置とを有し、前記アームを介して前記コンデ
ィショニングディスクを槽内の純水中に浸漬するように
することができる。更にまた、前記槽内の純水に超音波
振動を付与する手段を設けてもよい。
を貯留する槽と、前記コンディショニングディスクを前
記槽中の純水に浸漬する手段と、を有し、前記ブラシを
前記槽内の底部にその刷毛を上方に向けて配置すること
ができる。更に、前記ブラシを回転駆動する駆動装置を
有してもよい。更にまた、前記コンディショニングディ
スクを回転可能に支持するアームと、前記コンディショ
ニングディスクを前記アームに対して相対的に回転駆動
する駆動装置とを有し、前記アームを介して前記コンデ
ィショニングディスクを槽内の純水中に浸漬するように
することができる。更にまた、前記槽内の純水に超音波
振動を付与する手段を設けてもよい。
【００１６】本発明においては、コンディショニングデ
ィスクを単に純水に浸漬するのではなく、コンディショ
ニングディスクの表面を、ブラシ又は洗浄液の噴射等の
手段により強制的に洗浄している。このように、コンデ
ィショニングディスクの表面を積極的に洗浄しているた
め、コンディショニングディスクに付着した研磨屑及び
研磨パッド屑が確実に除去され、コンディショニングデ
ィスクに埋め込まれているダイヤモンド砥粒の突出量が
低下することがなく、安定してコンディショニングを行
うことができ、研磨レートの安定性が向上する。また、
再生後のコンディショニングディスクには、研磨屑及び
研磨パッド屑が付着していないので、それが剥がれ落ち
て研磨パッド表面に異物（研磨屑及び研磨パッド屑）が
付着するというようなことがなく、被研磨ウエハに異物
によりスクラッチ（傷）が発生することを防止できる。
このため、ＣＭＰ研磨装置の信頼性及び生産性が向上す
る。
ィスクを単に純水に浸漬するのではなく、コンディショ
ニングディスクの表面を、ブラシ又は洗浄液の噴射等の
手段により強制的に洗浄している。このように、コンデ
ィショニングディスクの表面を積極的に洗浄しているた
め、コンディショニングディスクに付着した研磨屑及び
研磨パッド屑が確実に除去され、コンディショニングデ
ィスクに埋め込まれているダイヤモンド砥粒の突出量が
低下することがなく、安定してコンディショニングを行
うことができ、研磨レートの安定性が向上する。また、
再生後のコンディショニングディスクには、研磨屑及び
研磨パッド屑が付着していないので、それが剥がれ落ち
て研磨パッド表面に異物（研磨屑及び研磨パッド屑）が
付着するというようなことがなく、被研磨ウエハに異物
によりスクラッチ（傷）が発生することを防止できる。
このため、ＣＭＰ研磨装置の信頼性及び生産性が向上す
る。
【００１７】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施例について、
添付の図面を参照して具体的に説明する。図１は本発明
の第１実施例に係るＣＭＰ研磨装置のコンディショニン
グディスク洗浄装置を示す模式図である。図１におい
て、図５と同一構成物には同一符号を付してその詳細な
説明は省略する。本実施例においては、アーム７のコン
ディショニングディスク支持部には、コンディショニン
グディスク６を回転させる駆動部（図示せず）が設けら
れており、洗浄中にディスク６を回転させるようになっ
ている。プール槽９内には、ブラシ１４がその刷毛を上
向きにして設置されている。このブラシ１４は適宜の駆
動手段により垂直中心軸を回転中心として回転駆動され
るようになっている。なお、このブラシ１４はその刷毛
面積がコンディショニングディスク６より大きいことが
好ましい。また、プール槽９の底部には、乾燥空気導入
配管１５が設置されており、プール槽９内の純水中に乾
燥空気を吹き込み、気泡を発生させるようになってい
る。
添付の図面を参照して具体的に説明する。図１は本発明
の第１実施例に係るＣＭＰ研磨装置のコンディショニン
グディスク洗浄装置を示す模式図である。図１におい
て、図５と同一構成物には同一符号を付してその詳細な
説明は省略する。本実施例においては、アーム７のコン
ディショニングディスク支持部には、コンディショニン
グディスク６を回転させる駆動部（図示せず）が設けら
れており、洗浄中にディスク６を回転させるようになっ
ている。プール槽９内には、ブラシ１４がその刷毛を上
向きにして設置されている。このブラシ１４は適宜の駆
動手段により垂直中心軸を回転中心として回転駆動され
るようになっている。なお、このブラシ１４はその刷毛
面積がコンディショニングディスク６より大きいことが
好ましい。また、プール槽９の底部には、乾燥空気導入
配管１５が設置されており、プール槽９内の純水中に乾
燥空気を吹き込み、気泡を発生させるようになってい
る。
【００１８】このように構成された本実施例装置におい
ては、図４に示すような研磨装置において、研磨パッド
３をコンディショニングした後のコンディショニングデ
ィスク６は、そのアーム７に支持されてプール槽９内に
設置される。そして、配管１６から純水をプール槽９内
に供給し、配管１７から排出することにより、プール槽
９内を純水で満たし、コンディショニングディスク６を
純水中に浸漬させる。そして、コンディショニングディ
スク６をブラシ１４に接触させ、アーム７の支持部に設
けられた駆動部によりコンディショニングディスク６を
回転駆動すると共に、好ましくはブラシ１４を回転駆動
することにより、コンディショニングディスク６の表面
を摺刷し、表面に付着した研磨屑及び研磨パッド屑を強
制的に除去する。また、このブラシ１４による屑除去の
際、乾燥空気導入配管１５から乾燥空気をプール槽９内
の純水中に吹き込むことにより、純水中に気泡を発生さ
せ、この気泡により、コンディショニングディスク６か
ら離脱した屑をまきあげ、配管１７から排出される純水
と共に外部に排出する。
ては、図４に示すような研磨装置において、研磨パッド
３をコンディショニングした後のコンディショニングデ
ィスク６は、そのアーム７に支持されてプール槽９内に
設置される。そして、配管１６から純水をプール槽９内
に供給し、配管１７から排出することにより、プール槽
９内を純水で満たし、コンディショニングディスク６を
純水中に浸漬させる。そして、コンディショニングディ
スク６をブラシ１４に接触させ、アーム７の支持部に設
けられた駆動部によりコンディショニングディスク６を
回転駆動すると共に、好ましくはブラシ１４を回転駆動
することにより、コンディショニングディスク６の表面
を摺刷し、表面に付着した研磨屑及び研磨パッド屑を強
制的に除去する。また、このブラシ１４による屑除去の
際、乾燥空気導入配管１５から乾燥空気をプール槽９内
の純水中に吹き込むことにより、純水中に気泡を発生さ
せ、この気泡により、コンディショニングディスク６か
ら離脱した屑をまきあげ、配管１７から排出される純水
と共に外部に排出する。
【００１９】このようにして、コンディショニングディ
スク６を機械的に洗浄するから、研磨屑及び研磨パッド
屑を確実に除去することができ、コンィディショニング
ディスク６に埋め込まれているダイヤモンド砥粒の突出
量の低下を回避することができる。その結果、研磨パッ
ド３を常に安定してコンディショニングすることが可能
となり、研磨レートの安定性が向上する。また、コンデ
ィショニングディスク６に付着した研磨屑及び研磨パッ
ド屑を確実に除去することができるため、研磨装置の研
磨パッド３上にコンディショニングディスク６からの研
磨屑及び研磨パッド屑が剥れ落ちることが防止される。
その結果、研磨パッド３表面には異物（研磨屑や研磨パ
ッド屑）が存在せず、被研磨ウェハ１３に異物によるス
クラッチ（傷）が発生することが防止される。
スク６を機械的に洗浄するから、研磨屑及び研磨パッド
屑を確実に除去することができ、コンィディショニング
ディスク６に埋め込まれているダイヤモンド砥粒の突出
量の低下を回避することができる。その結果、研磨パッ
ド３を常に安定してコンディショニングすることが可能
となり、研磨レートの安定性が向上する。また、コンデ
ィショニングディスク６に付着した研磨屑及び研磨パッ
ド屑を確実に除去することができるため、研磨装置の研
磨パッド３上にコンディショニングディスク６からの研
磨屑及び研磨パッド屑が剥れ落ちることが防止される。
その結果、研磨パッド３表面には異物（研磨屑や研磨パ
ッド屑）が存在せず、被研磨ウェハ１３に異物によるス
クラッチ（傷）が発生することが防止される。
【００２０】次に、本発明の第２の実施例について図２
を参照して具体的に説明する。図２において、図１と同
一物には同一符号を付してその詳細な説明は省略する。
本実施例は第１の実施例に対し、コンディショニングデ
ィスク用プール漕９内の純水に超音波振動を付与する超
音波発振器１８を設けている点が異なる。この超音波発
信器１８から発信した超音波は、超音波導入管１９を介
してプール槽９内の純水に導入され、純水が超音波振動
する。
を参照して具体的に説明する。図２において、図１と同
一物には同一符号を付してその詳細な説明は省略する。
本実施例は第１の実施例に対し、コンディショニングデ
ィスク用プール漕９内の純水に超音波振動を付与する超
音波発振器１８を設けている点が異なる。この超音波発
信器１８から発信した超音波は、超音波導入管１９を介
してプール槽９内の純水に導入され、純水が超音波振動
する。
【００２１】このように、純水を超音波振動させること
により、コンディショニングディスク６のブラシ１４に
よる洗浄効果が向上する。
により、コンディショニングディスク６のブラシ１４に
よる洗浄効果が向上する。
【００２２】図３は本発明の第３実施例を示す模式図で
ある。本実施例においては、プール槽９の代わりに、洗
浄チャンバ９ａを設けている。このチャンバ９ａの側壁
下部に純水排水配管１７ａが連結されており、チャンバ
９ａ内の底部に複数個のノズル２１がその噴出方向を上
方に向けて配置されている。このノズル２１は純水供給
配管２０に連結されており、この配管２０を介して純水
がノズル２１に供給され、チャンバ内に上方に向けて純
水が噴出される。
ある。本実施例においては、プール槽９の代わりに、洗
浄チャンバ９ａを設けている。このチャンバ９ａの側壁
下部に純水排水配管１７ａが連結されており、チャンバ
９ａ内の底部に複数個のノズル２１がその噴出方向を上
方に向けて配置されている。このノズル２１は純水供給
配管２０に連結されており、この配管２０を介して純水
がノズル２１に供給され、チャンバ内に上方に向けて純
水が噴出される。
【００２３】本実施例においては、コンディショニング
に供したコンディショニングディスク６をアーム７に支
持された状態でチャンバ９ａ内に装入し、次いで、ノズ
ル２１から純水を上方のコンディショニングディスク６
に向けて噴出する。これにより、コンディショニングデ
ィスク６は純水の噴射を受けて強制的に洗浄され、その
表面に付着している研磨屑及び研磨パッド屑が確実に除
去される。従って、本実施例においても、図１及び図２
に示す実施例と同様の効果を奏する。
に供したコンディショニングディスク６をアーム７に支
持された状態でチャンバ９ａ内に装入し、次いで、ノズ
ル２１から純水を上方のコンディショニングディスク６
に向けて噴出する。これにより、コンディショニングデ
ィスク６は純水の噴射を受けて強制的に洗浄され、その
表面に付着している研磨屑及び研磨パッド屑が確実に除
去される。従って、本実施例においても、図１及び図２
に示す実施例と同様の効果を奏する。
【００２４】
【実施例】次に、本発明の実施例装置により実際にコン
ディショニングディスクを洗浄した結果について説明す
る。
ディショニングディスクを洗浄した結果について説明す
る。
【００２５】実施例１ 図１に示す本発明の第１の実施例装置によりコンディシ
ョニングディスクを洗浄した。研磨条件及び洗浄条件は
以下のとおりである。研磨対象はウエハ上にＣＶＤ法に
より形成したＰ−ＳｉＯ2膜である。 ＜研磨条件＞ 研磨プレート回転数：２０ｒｐｍ ウェハキャリア回転数：２０ｒｐｍ 研磨圧力：７ｐｓｉ スラリー流量：１００ｃｃ／ｍｉｎ 純水シャワー流量：４００リットル／ｍｉｎ 研磨パッド温度：２５℃ ＜コンディショニングディスク洗浄条件＞ コンディショニングディスク回転数：６０ｒｐｍ 純水流量：２リットル／ｍｉｎ 乾燥空気流量：７リットル／ｍｉｎ この結果、Ｐ−ＳｉＯ2膜の研磨レートが安定し、研磨
均一性も向上した。また、Ｐ−ＳｉＯ2膜上のスクラッ
チ（傷）も大幅に減少した。
ョニングディスクを洗浄した。研磨条件及び洗浄条件は
以下のとおりである。研磨対象はウエハ上にＣＶＤ法に
より形成したＰ−ＳｉＯ2膜である。 ＜研磨条件＞ 研磨プレート回転数：２０ｒｐｍ ウェハキャリア回転数：２０ｒｐｍ 研磨圧力：７ｐｓｉ スラリー流量：１００ｃｃ／ｍｉｎ 純水シャワー流量：４００リットル／ｍｉｎ 研磨パッド温度：２５℃ ＜コンディショニングディスク洗浄条件＞ コンディショニングディスク回転数：６０ｒｐｍ 純水流量：２リットル／ｍｉｎ 乾燥空気流量：７リットル／ｍｉｎ この結果、Ｐ−ＳｉＯ2膜の研磨レートが安定し、研磨
均一性も向上した。また、Ｐ−ＳｉＯ2膜上のスクラッ
チ（傷）も大幅に減少した。
【００２６】実施例２ 図２に示す本発明の第２の実施例装置により、被研磨ウ
ェハ上にＣＶＤ法で形成したＰ−ＳｉＯ2膜の研磨を実
施例１と同様の条件にて行い、コンディショニングディ
スクを下記条件にて洗浄した。 ＜コンディショニングディスク洗浄条件＞ コンディショニングデイスク回転数：６０ｒｐｍ 純水流量：２リットル／ｍｉｎ 乾燥空気流量：７リットル／ｍｉｎ 超音波発振器：１ＭＨｚ、１００Ｗ この結果、実施例１と同様に研磨レートが安定し、研磨
均一性が向上すると共に、ウエハのスクラッチ疵も著し
く減少した。
ェハ上にＣＶＤ法で形成したＰ−ＳｉＯ2膜の研磨を実
施例１と同様の条件にて行い、コンディショニングディ
スクを下記条件にて洗浄した。 ＜コンディショニングディスク洗浄条件＞ コンディショニングデイスク回転数：６０ｒｐｍ 純水流量：２リットル／ｍｉｎ 乾燥空気流量：７リットル／ｍｉｎ 超音波発振器：１ＭＨｚ、１００Ｗ この結果、実施例１と同様に研磨レートが安定し、研磨
均一性が向上すると共に、ウエハのスクラッチ疵も著し
く減少した。
【００２７】実施例３ 図３に示す本発明の第３実施例装置を使用し、ウエハ上
にＣＶＤ法で形成したＰ−ＳｉＯ2膜の研磨を実施例１
と同様の条件にて行い、コンディショニングディスクを
下記条件にて洗浄した。 ＜コンディショニングディスク洗浄条件＞ コンディショニングディスク回転数：６０ｒｐｍ 純水シャワー流量：５リットル／ｍｉｎ この結果、実施例１と同様に、研磨レートが安定し、研
磨均一性が向上すると共に、ウエハのスクラッチ疵も著
しく減少するという良好な結果が得られた。
にＣＶＤ法で形成したＰ−ＳｉＯ2膜の研磨を実施例１
と同様の条件にて行い、コンディショニングディスクを
下記条件にて洗浄した。 ＜コンディショニングディスク洗浄条件＞ コンディショニングディスク回転数：６０ｒｐｍ 純水シャワー流量：５リットル／ｍｉｎ この結果、実施例１と同様に、研磨レートが安定し、研
磨均一性が向上すると共に、ウエハのスクラッチ疵も著
しく減少するという良好な結果が得られた。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
コンディショニング後のコンディショニングディスクを
強制的に洗浄する洗浄装置を設けたので、待機中にコン
ディショニングディスクを洗浄してその表面に付着して
いる研磨屑及び研磨パッド屑を除去することができる。
これにより、コンディショニングディスクに埋め込まれ
ているダイヤモンド砥粒の突出量の低下が防止され、研
磨パッドの目立て再現性が向上し、研磨レートを安定さ
せることができる。
コンディショニング後のコンディショニングディスクを
強制的に洗浄する洗浄装置を設けたので、待機中にコン
ディショニングディスクを洗浄してその表面に付着して
いる研磨屑及び研磨パッド屑を除去することができる。
これにより、コンディショニングディスクに埋め込まれ
ているダイヤモンド砥粒の突出量の低下が防止され、研
磨パッドの目立て再現性が向上し、研磨レートを安定さ
せることができる。
【００２９】また、常にコンディショニングディスクの
表面の清浄度が保たれ、コンディショニング中にコンデ
ィショニングディスクから研磨パッド表面に研磨屑及び
研磨パッド屑が剥れ落ちることが防止されるので、被研
磨ウェハにスクラッチ（傷）が発生することを防止でき
る。
表面の清浄度が保たれ、コンディショニング中にコンデ
ィショニングディスクから研磨パッド表面に研磨屑及び
研磨パッド屑が剥れ落ちることが防止されるので、被研
磨ウェハにスクラッチ（傷）が発生することを防止でき
る。
【図１】本発明の第１の実施例に係るＣＭＰ研磨装置の
コンディショニングディスク洗浄部を示す図である。
コンディショニングディスク洗浄部を示す図である。
【図２】本発明の第２の実施例に係るＣＭＰ研磨装置の
コンディショニングディスク洗浄部を示す図である。
コンディショニングディスク洗浄部を示す図である。
【図３】本発明の第３の実施例に係るＣＭＰ研磨装置の
コンディショニングディスク洗浄部を示す図である。
コンディショニングディスク洗浄部を示す図である。
【図４】従来のＣＭＰ研磨装置の一例を示す概略図であ
り、（ａ）は平面図を示し、（ｂ）は正面図である。
り、（ａ）は平面図を示し、（ｂ）は正面図である。
【図５】従来のＣＭＰ研磨装置のコンディショニングデ
ィスク洗浄部の一例を示す図である。
ィスク洗浄部の一例を示す図である。
１：スラリー供給装置 ２：スラリー供給口 ３：研磨パッド ４：ウェハキャリア ５：回転軸 ６：コンディショニングディスク ７：回転アーム ８：駆動装置 ９：コンディショニングディスク用プール槽 ９ａ：洗浄チャンバ １０：スラリー（研磨剤） １１：研磨プレート １２：回転軸 １３：被研磨ウェハ １４：ブラシ １５：乾燥空気導入配管 １６：純水導入配管 １７、１７ａ：純水排水配管 １８：超音波発生器 １９：超音波導入管 ２０：純水供給配管 ２１：純水噴射ノズル
Claims (7)
- 【請求項１】 研磨パッドが貼られた研磨テーブルと、
この研磨テーブルを回転させる回転装置と、回転する研
磨テーブル上の前記研磨パッド表面にウエハをあてがっ
て研磨する研磨手段と、回転する研磨テーブル上の前記
研磨パッド表面にコンディショニングディスクをあてが
って前記研磨パッドをコンディショニングするコンディ
ショニング手段と、前記コンディショニングディスクの
表面を強制的に洗浄する洗浄装置とを有することを特徴
とするＣＭＰ研磨装置。 - 【請求項２】 前記洗浄装置は、ブラシにより前記コン
ディショニングディスクを洗浄することを特徴とする請
求項１に記載のＣＭＰ研磨装置。 - 【請求項３】 前記洗浄装置は、ノズルにより洗浄液を
前記コンディショニングディスクに噴出して洗浄するこ
とを特徴とする請求項１に記載のＣＭＰ研磨装置。 - 【請求項４】 純水を貯留する槽と、前記コンディショ
ニングディスクを前記槽中の純水に浸漬する手段と、を
有し、前記ブラシは前記槽内の底部にその刷毛を上方に
向けて配置されていることを特徴とする請求項２に記載
のＣＭＰ研磨装置。 - 【請求項５】 前記ブラシを回転駆動する駆動装置を有
することを特徴とする請求項４に記載のＣＭＰ研磨装
置。 - 【請求項６】 前記コンディショニングディスクを回転
可能に支持するアームと、前記コンディショニングディ
スクを前記アームに対して相対的に回転駆動する駆動装
置とを有し、前記アームを介して前記コンディショニン
グディスクを槽内の純水中に浸漬することを特徴とする
請求項４に記載のＣＭＰ研磨装置。 - 【請求項７】 前記槽内の純水に超音波振動を付与する
手段を有することを特徴とする請求項４乃至６のいずれ
か１項に記載のＣＭＰ研磨装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29848997A JP3011156B2 (ja) | 1997-10-30 | 1997-10-30 | Ｃｍｐ研磨装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29848997A JP3011156B2 (ja) | 1997-10-30 | 1997-10-30 | Ｃｍｐ研磨装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11129153A true JPH11129153A (ja) | 1999-05-18 |
| JP3011156B2 JP3011156B2 (ja) | 2000-02-21 |
Family
ID=17860376
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29848997A Expired - Lifetime JP3011156B2 (ja) | 1997-10-30 | 1997-10-30 | Ｃｍｐ研磨装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3011156B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001260024A (ja) * | 2000-03-10 | 2001-09-25 | Mitsubishi Materials Corp | ドレッサー装置用洗浄装置 |
| US6554951B1 (en) * | 2000-10-16 | 2003-04-29 | Advanced Micro Devices, Inc. | Chemical-mechanical polishing pad conditioning system and method |
| CN1122591C (zh) * | 1999-12-23 | 2003-10-01 | 财团法人工业技术研究院 | 抛光后线上清洗方法 |
| US6695684B2 (en) | 2000-12-06 | 2004-02-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Chemical mechanical polishing apparatus having a cleaner for cleaning a conditioning disc and method of conditioning a polishing pad of the apparatus |
| JP2016101656A (ja) * | 2012-08-07 | 2016-06-02 | 株式会社荏原製作所 | ドレッサーディスク洗浄用ブラシ、洗浄装置及び洗浄方法 |
| CN106272076A (zh) * | 2016-08-26 | 2017-01-04 | 张振堂 | 一种磨床的整形装置 |
| KR102465486B1 (ko) * | 2021-10-19 | 2022-11-11 | (주)퓨렉스 | 폴리싱 패드용 세정 장치 |
-
1997
- 1997-10-30 JP JP29848997A patent/JP3011156B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1122591C (zh) * | 1999-12-23 | 2003-10-01 | 财团法人工业技术研究院 | 抛光后线上清洗方法 |
| JP2001260024A (ja) * | 2000-03-10 | 2001-09-25 | Mitsubishi Materials Corp | ドレッサー装置用洗浄装置 |
| US6554951B1 (en) * | 2000-10-16 | 2003-04-29 | Advanced Micro Devices, Inc. | Chemical-mechanical polishing pad conditioning system and method |
| US6695684B2 (en) | 2000-12-06 | 2004-02-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Chemical mechanical polishing apparatus having a cleaner for cleaning a conditioning disc and method of conditioning a polishing pad of the apparatus |
| JP2016101656A (ja) * | 2012-08-07 | 2016-06-02 | 株式会社荏原製作所 | ドレッサーディスク洗浄用ブラシ、洗浄装置及び洗浄方法 |
| US9511476B2 (en) | 2012-08-07 | 2016-12-06 | Ebara Corporation | Dresser disk cleaning brush, cleaning apparatus, and cleaning method |
| US10086495B2 (en) | 2012-08-07 | 2018-10-02 | Ebara Corporation | Dresser disk cleaning brush, cleaning apparatus, and cleaning method |
| CN106272076A (zh) * | 2016-08-26 | 2017-01-04 | 张振堂 | 一种磨床的整形装置 |
| KR102465486B1 (ko) * | 2021-10-19 | 2022-11-11 | (주)퓨렉스 | 폴리싱 패드용 세정 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3011156B2 (ja) | 2000-02-21 |
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